TW202410547A - 寬頻天線系統 - Google Patents

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Abstract

本案提供一種寬頻天線系統，包含一第一金屬輻射部係與一第二金屬輻射部具有一耦合間距，使第一金屬輻射部與第二金屬輻射部之間存在一耦合電容；一第一饋入接點及一第二饋入接點分別電性連接第一金屬輻射部及第二金屬輻射部，且靠近耦合間距；一第一下地接點電性連接第二金屬輻射部，一第二下地接點電性連接第一金屬輻射部；一阻抗調諧器電性連接第一饋入接點、第二饋入接點、第一下地接點、第二下地接點及射頻訊號源，以切換第一金屬輻射部及第二金屬輻射部；一孔徑接點電性連接第一金屬輻射部，使第二下地接點位於第一饋入接點與孔徑接點之間，且一孔徑調諧器電性連接孔徑接點。

Description

寬頻天線系統
本案係有關一種有效利用耦合輻射體（coupled radiator）之寬頻天線系統。
在現有的消費型電子產品上，天線設計的頻段從以往的2G/3G/4G而演進出5G，WIFI通訊上也從支援2.4G/5G以外開展出6G的頻段，以上的操作頻率大致可分為低頻段（617MHz～960MHz）、中頻段（1475MHz～2170MHz）、高頻段（2300MHz～2700MHz）及超高頻段（3300MHz～5000MHz）、WIFI 5G頻段（5150MHz～5850MHz）及WIFI 6E頻段（5925MHz～7125MHz）。在以往的天線設計上，要將上述的頻段都涵蓋至一支天線上是相對困難的，因此通常會拆分天線支援不同的頻段。但隨著多重輸入多重輸出技術（Multi-Input Multi-Output，MIMO）、多載波聚合技術（Carrier Aggregation，CA）以及4G/5G雙連結技術（E-UTRA-NR Dual Connectivity，EN-DC）等等的通訊技術的支援，天線數量將大幅提升，但在有限的空間下是較難達到的，因此往往需犧牲某些天線的性能以達到需求，尤其是手持式電子產品，空間更是電子產品中相對最小但功能需支援最多的，因此寬頻的天線設計是勢在必行。
為了達到寬頻的天線設計，通常會導入天線阻抗調諧器（impedance tuner）或天線孔徑調諧器（aperture tuner）等，藉以在同一支天線上可涵蓋多個頻段。然而，現有的天線設計多半只能提供固定頻率的支援，即使有支援寬頻的方式也會犧牲某些頻段的輻射效率，無法顧及全部頻段。
本案提供一種寬頻天線系統，包含一第一金屬輻射部、一第二金屬輻射部、一第一饋入接點、一第二饋入接點、一第一下地接點、一第二下地接點、一阻抗調諧器、一孔徑接點以及一孔徑調諧器。第一金屬輻射部係與第二金屬輻射部具有一耦合間距，使第一金屬輻射部與第二金屬輻射部之間存在一耦合電容。第一饋入接點電性連接第一金屬輻射部，且靠近耦合間距，第一饋入接點電性連接至一射頻訊號源。第二饋入接點電性連接第二金屬輻射部，且靠近耦合間距。第一下地接點電性連接第二金屬輻射部，第二下地接點電性連接第一金屬輻射部。阻抗調諧器電性連接第一饋入接點、第二饋入接點、第一下地接點、第二下地接點及射頻訊號源，以切換第一金屬輻射部及第二金屬輻射部。孔徑接點電性連接第一金屬輻射部，使第二下地接點位於第一饋入接點與孔徑接點之間，且孔徑調諧器電性連接孔徑接點。
綜上所述，本案係為一種寬頻天線系統，其係有效利用鄰近之金屬輻射部作為寬頻的設計，以根據不同頻段的需求做不同的金屬輻射部利用，藉以在支援的頻段內都能提供良好的天線輻射效率。因此，本案之寬頻天線系統可藉由電路的切換得到寬頻的效果，可以有效支援617～7125 MHz之頻寬，且同時具有良好的輻射效率，減少電子產品中的天線數量。
以下將配合相關圖式來說明本案的實施例。此外，實施例中的圖式有省略部份元件或結構，以清楚顯示本案的技術特點。在這些圖式中，相同的標號表示相同或類似的元件或電路，必須瞭解的是，儘管術語“第一”、“第二”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域或功能，但是這些元件、部件、區域及/或功能不應受這些術語的限制，這些術語僅用於將一個元件、部件、區域或功能與另一個元件、部件、區域或功能區隔開來。
請參閱圖1所示，一寬頻天線系統10係包含一第一金屬輻射部12、一第二金屬輻射部14、一第一饋入接點16、一第二饋入接點18、一第一下地接點20、一第二下地接點22、一阻抗調諧器（Impedance Tuner）24、一孔徑接點26以及一孔徑調諧器（Aperture Tuner）28。在寬頻天線系統10中，第一金屬輻射部12係位於第二金屬輻射部14之一側，第一金屬輻射部12與第二金屬輻射部14之間具有一耦合間距D1，使第一金屬輻射部12與第二金屬輻射部14之間存在一耦合電容30，以利用第一金屬輻射部12作為主輻射體以及利用第二金屬輻射部14作為耦合輻射體。第一饋入接點16係電性連接第一金屬輻射部12之一端，且靠近耦合間距D1，第一饋入接點16電性連接至一射頻訊號源32。第二饋入接點18係電性連接第二金屬輻射部14之一端，且靠近耦合間距D1。第一下地接點20係電性連接第二金屬輻射部14之另一端，第二下地接點22係電性連接第一金屬輻射部12。阻抗調諧器24電性連接第一饋入接點16、第二饋入接點18、第一下地接點20、第二下地接點22及射頻訊號源32，以利用阻抗調諧器24內部之電路切換第一金屬輻射部12及第二金屬輻射部14，來達到寬頻的效果。孔徑接點26亦電性連接第一金屬輻射部12，使第二下地接點22位於第一饋入接點16與孔徑接點26之間。孔徑調諧器28係電性連接孔徑接點26，用以切換下地路徑。
如圖1所示，寬頻天線系統10中使用之阻抗調諧器24更進一步包含一可變電容241、一第一開關242、一第二開關243、一第三開關244及一第四開關245。在阻抗調諧器24中，可變電容241係電性連接第一饋入接點16與第二饋入接點18，以利用可變電容241並聯第一金屬輻射部12與第二金屬輻射部14之間的耦合電容30。第一開關242電性連接在第一下地接點20與一接地端GND之間，以選擇性導通第一下地接點20連接至接地端GND。第二開關243電性連接第二下地接點22與接地端GND之間，以選擇性導通第二下地接點22連接至接地端GND。第三開關244電性連接第二饋入接點18與接地端GND之間，以選擇性導通第二饋入接點18連接至接地端GND。第四開關245電性連接第二下地接點22與射頻訊號源32之間，以選擇性導通第二下地接點22連接至射頻訊號源32，當第四開關245導通而使第二下地接點22連接至射頻訊號源32時，第二下地接點22係作為一饋入接點，以利用第一饋入接點16與第二下地接點22之作用，使寬頻天線系統10達到雙饋入的形式。
在一實施例中，第一饋入接點16與第二下地接點22之間的距離D2係為最低操作頻率之0.05～0.025倍波長的距離。
在一實施例中，請參閱圖1所示，上述之第一金屬輻射部12及第二金屬輻射部14係可為一電子裝置之金屬邊框，或是貼附於一電子裝置之金屬平面，例如，第一金屬輻射部12及第二金屬輻射部14可為電子裝置的金屬機殼或是電子裝置的塑膠機殼內部的金屬部或金屬條，但不限於此，第一金屬輻射部12及第二金屬輻射部14可隨著寬頻天線系統10之應用而有所不同。其中，如圖1所示之第二金屬輻射部14係配合電子裝置之邊框彎折部而呈現彎折，但本案不以此為限，在另一實施例中，第二金屬輻射部14亦可為直線段的設計。
在一實施例中，前述之電子裝置係為一行動電話、一個人數位助理、平板電腦、筆記型電腦等，但本案不以此為限，任何具有行動通訊功能之攜帶型電子裝置皆涵蓋在本案之中。
在一實施例中，孔徑調諧器28更包含一開關模組以及複數下地路徑，以藉由開關模組切換選擇該些下地路徑的其中之一，且下地路徑包含一開路下地路徑與至少一被動元件下地路徑的至少其中之一以及一零歐姆電阻下地路徑。請參閱圖2A所示，孔徑調諧器28內之開關模組為一單刀四擲（SP4T）開關34，且此單刀四擲開關34係連接有四個下地路徑36，每一下地路徑36係由被動元件、開路或零歐姆電阻連接至接地端所組成，以分別形成被動元件下地路徑、開路下地路徑或零歐姆電阻下地路徑，在此實施例中，四個下地路徑36可以包含一開路下地路徑、二被動元件下地路徑以及一零歐姆電阻下地路徑，但本案不以此為限。請參閱圖2B所示，孔徑調諧器28內之開關模組為至少一單刀雙擲（SPDT）開關38，且此單刀雙擲開關38係連接有二個下地路徑36，每一下地路徑36係由被動元件、開路或零歐姆電阻連接至接地端GND所組成，以分別形成被動元件下地路徑、開路下地路徑或零歐姆電阻下地路徑，在此實施例中，二個下地路徑可以包含一開路下地路徑或一被動元件下地路徑以及一零歐姆電阻下地路徑。
在一實施例中，孔徑調諧器28更可使用複數單刀單擲（SPST）開關40來切換下地路徑36。請參閱圖2C所示，孔徑調諧器28內之開關模組為四個單刀單擲（SPST）開關40，且每一單刀單擲開關40各連接有一下地路徑36，每一下地路徑36係由被動元件、開路或零歐姆電阻通過單刀單擲開關40連接至接地端GND所組成，以分別形成被動元件下地路徑、開路下地路徑或零歐姆電阻下地路徑，在此實施例中，四個下地路徑可以包含一開路下地路徑、二被動元件下地路徑以及一零歐姆電阻下地路徑，但本案不以此為限。請參閱圖2D所示，孔徑調諧器28內之開關模組為二個單刀單擲（SPST）開關40，且每一單刀單擲開關40各連接有一下地路徑36，每一下地路徑36係由被動元件、開路或零歐姆電阻通過單刀單擲開關40連接至接地端GND所組成，以分別形成被動元件下地路徑、開路下地路徑或零歐姆電阻下地路徑，在此實施例中，二個下地路徑36可以包含一開路下地路徑或一被動元件下地路徑以及一零歐姆電阻下地路徑。
在一實施例中，被動元件路徑可以為一電容下地路徑、一電感下地路徑或一電阻下地路徑。
在一實施例中，請同時參閱圖1及圖3所示，上述之孔徑調諧器28與阻抗調諧器24內之可變電容241、第一開關242、第二開關243、第三開關244及第四開關245係由一中央處理器（CPU）42來控制，中央處理器42會根據天線頻段的需求產生對應之行動產業處理器介面（MIPI）控制訊號，MIPI控制訊號會經由一數據機（modem）44傳輸至孔徑調諧器28、第一開關242、第二開關243、第三開關244及第四開關245，以控制所有開關的導通（ON）與非導通（OFF），且MIPI控制訊號也會透過數據機44傳輸至可變電容241，以控制可變電容241之電容值。
接續說明寬頻天線系統10之詳細作動，請同時參閱圖1及圖4所示，在此實施例中，寬頻天線系統10中之孔徑調諧器28係採用單刀四擲（SP4T）開關34，此單刀四擲開關34連接有四個下地路徑36分別為一開路下地路徑361、二被動元件下地路徑362、363以及一零歐姆電阻下地路徑364。
請同時參閱圖4、圖5及圖6所示，本案之寬頻天線系統10利用阻抗調諧器24內部之可變電容241搭接第一金屬輻射部12及第二金屬輻射部14，使可變電容241等效並聯耦合電容30，藉以調整第一金屬輻射部12及第二金屬輻射部14的耦合性，在一實施例中，可變電容241之一電容值可以為0.75～8.996 pF，但本案不以此為限。在第一操作狀態M1下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242、第二開關243、第三開關244及第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。在第二操作狀態M2下，可變電容241之電容值為3 pF，第一開關242、第二開關243、第三開關244及第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。在第三操作狀態M3下，可變電容241之電容值為5.1 pF，第一開關242、第二開關243、第三開關244及第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。在第四操作狀態M4下，可變電容241之電容值為9.1 pF，第一開關242、第二開關243、第三開關244及第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。在第五操作狀態M5下，可變電容241之電容值為無限大pF（短路），第一開關242、第二開關243、第三開關244及第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。模擬結果如圖5及圖6所示，在此第一操作狀態M1至第五操作狀態M5下，可以看到中頻段的頻段與效率是可以控制的。因此，寬頻天線系統10可以支援中頻段，且本案可以調整可變電容241之電容值來控制寬頻天線系統10的中頻段。
請同時參閱圖4、圖7及圖8所示，寬頻天線系統10利用阻抗調諧器24內部之第一開關242、第二開關243、第三開關244及第四開關245，可以對第一金屬輻射部（主輻射體）12及第二金屬輻射部（耦合輻射體）14做開關的切換。在第六操作狀態M6下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為非導通狀態，第二開關243為導通狀態，第三開關244為非導通狀態，第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。在第七操作狀態M7下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為導通狀態，第二開關243為導通狀態，第三開關244為非導通狀態，第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。在第八操作狀態M8下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為導通狀態，第二開關243為導通狀態，第三開關244為導通狀態，第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。在第九操作狀態M9下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為非導通狀態，第二開關243為導通狀態，第三開關244為導通狀態，第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。模擬結果如圖7及圖8所示，在此第六操作狀態M6至第九操作狀態下M9，對於高頻段、超高頻段及WIFI 6E頻段等頻段之效率係有所提升。因此，寬頻天線系統10係可有效支援高頻段、超高頻段及WIFI 6E頻段。
請同時參閱圖4、圖9及圖10所示，本案之寬頻天線系統10利用阻抗調諧器24內部之第四開關245的作用，可將第二下地接點22與第一饋入接點16做搭接，使第二下地接點22與第一饋入接點16都可以連接至射頻訊號源32，以達到雙饋入之天線設計。在第十操作狀態M10下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為非導通狀態，第二開關243為非導通狀態，第三開關244為非導通狀態，第四開關245為導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。在第十一操作狀態M11下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為導通狀態，第二開關243為非導通狀態，第三開關244為非導通狀態，第四開關245為導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。在第十二操作狀態M12下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為非導通狀態，第二開關243為非導通狀態，第三開關244為導通狀態，第四開關245為導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。模擬結果如圖9及圖10所示，在第十操作狀態M10至第十二操作狀態M12下，第二下地接點22係作為饋入接點，並配合第一饋入接點16，對於中頻段、WIFI 5G頻段及WIFI 6E頻段等頻段之效率皆有所提升。因此，寬頻天線系統10係可有效支援中頻段、WIFI 5G頻段及WIFI 6E頻段。
請同時參閱圖4、圖11及圖12所示，寬頻天線系統10利用孔徑調諧器28來切換低頻。在第十三操作狀態M13下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為非導通狀態，第二開關243為導通狀態，第三開關244為非導通狀態，第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為開路下地路徑361。在第十四操作狀態M14下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為非導通狀態，第二開關243為導通狀態，第三開關244為非導通狀態，第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為被動元件下地路徑362，其係使用22 nH電感元件。在第十五操作狀態M15下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為非導通狀態，第二開關243為導通狀態，第三開關244為非導通狀態，第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為被動元件下地路徑362，其係使用7.5 nH電感元件。在第十六操作狀態M16下，可變電容241之電容值為0.8 pF，第一開關242為非導通狀態，第二開關243為導通狀態，第三開關244為非導通狀態，第四開關245為非導通狀態，且孔徑調諧器28切換為被動元件下地路徑362，其係使用3.9 nH電感元件。模擬結果如圖11及圖12所示，在第十三操作狀態M13至第十六操作狀態M16下，低頻段之輻射效率皆有在一定的水平以上，表現良好。因此，寬頻天線系統10係可有效支援低頻段，並可藉由調整孔徑調諧器28來控制低頻段。
如圖1所示，本案係在第一金屬輻射部12與第二金屬輻射部14之間的斷點（耦合間距D1）上並聯一個阻抗調諧器24，以利用第一金屬輻射部12與第二金屬輻射部14來提升頻寬與天線效率，並配合阻抗調諧器24的切換得到寬頻的效果，再配合孔徑調諧器28之作用，使本案之寬頻天線系統10可以有效支援低頻段、中頻段、高頻段及超高頻段、WIFI 5G頻段及WIFI 6E頻段等全頻段。
綜上所述，本案係為一種寬頻天線系統，其係有效利用鄰近之金屬輻射部作為寬頻的設計，以根據不同頻段的需求做不同的金屬輻射部利用，藉以在支援的頻段內都能提供良好的天線輻射效率。因此，本案之寬頻天線系統可藉由電路的切換得到寬頻的效果，可以有效支援617～7125 MHz之頻寬，且同時具有良好的輻射效率，減少電子產品中的天線數量。
以上所述的實施例僅係為說明本案的技術思想及特點，其目的在使熟悉此項技術者能夠瞭解本案的內容並據以實施，當不能以之限定本案的專利範圍，即大凡依本案所揭示的精神所作的均等變化或修飾，仍應涵蓋在本案的申請專利範圍內。
10:寬頻天線系統 12:第一金屬輻射部 14:第二金屬輻射部 16:第一饋入接點 18:第二饋入接點 20:第一下地接點 22:第二下地接點 24:阻抗調諧器 241:可變電容 242:第一開關 243:第二開關 244:第三開關 245:第四開關 26:孔徑接點 28:孔徑調諧器 30:耦合電容 32:射頻訊號源 34:單刀四擲開關 36:下地路徑 361:開路下地路徑 362,363:被動元件下地路徑 364:零歐姆電阻下地路徑 38:單刀雙擲開關 40:單刀單擲開關 42:中央處理器 44:數據機 D1:耦合間距 D2:距離 GND:接地端 M1:第一操作狀態 M2:第二操作狀態 M3:第三操作狀態 M4:第四操作狀態 M5:第五操作狀態 M6:第六操作狀態 M7:第七操作狀態 M8:第八操作狀態 M9:第九操作狀態 M10:第十操作狀態 M11:第十一操作狀態 M12:第十二操作狀態 M13:第十三操作狀態 M14:第十四操作狀態 M15:第十五操作狀態 M16:第十六操作狀態
圖1為根據本案一實施例之寬頻天線系統的架構示意圖。 圖2A至圖2D分別為根據本案一實施例之孔徑調諧器的電路示意圖。 圖3為根據本案一實施例由中央處理器控制作動的方塊示意圖。 圖4為根據本案一實施例之寬頻天線系統於操作狀態下的電路示意圖。 圖5為根據本案一實施例之寬頻天線系統於第一操作狀態至第五操作狀態之S參數模擬示意圖。 圖6為根據本案一實施例之寬頻天線系統於第一操作狀態至第五操作狀態之輻射效率的模擬示意圖。 圖7為根據本案一實施例之寬頻天線系統於第六操作狀態至第九操作狀態之S參數模擬示意圖。 圖8為根據本案一實施例之寬頻天線系統於第六操作狀態至第九操作狀態之輻射效率的模擬示意圖。 圖9為根據本案一實施例之寬頻天線系統於第十操作狀態至第十二操作狀態之S參數模擬示意圖。 圖10為根據本案一實施例之寬頻天線系統於第十操作狀態至第十二操作狀態之輻射效率的模擬示意圖。 圖11為根據本案一實施例之寬頻天線系統於第十三操作狀態至第十六操作狀態之S參數模擬示意圖。 圖12為根據本案一實施例之寬頻天線系統於第十三操作狀態至第十六操作狀態之輻射效率的模擬示意圖。
10:寬頻天線系統
12:第一金屬輻射部
14:第二金屬輻射部
16:第一饋入接點
18:第二饋入接點
20:第一下地接點
22:第二下地接點
24:阻抗調諧器
241:可變電容
242:第一開關
243:第二開關
244:第三開關
245:第四開關
26:孔徑接點
28:孔徑調諧器
30:耦合電容
32:射頻訊號源
D1:耦合間距
D2:距離
GND:接地端

Claims (11)

  1. 一種寬頻天線系統，包含： 一第一金屬輻射部； 一第二金屬輻射部，其係與該第一金屬輻射部具有一耦合間距，使該第一金屬輻射部與該第二金屬輻射部之間存在一耦合電容； 一第一饋入接點，電性連接該第一金屬輻射部，且靠近該耦合間距，該第一饋入接點電性連接至一射頻訊號源； 一第二饋入接點，電性連接該第二金屬輻射部，且靠近該耦合間距； 一第一下地接點，電性連接該第二金屬輻射部； 一第二下地接點，電性連接該第一金屬輻射部； 一阻抗調諧器，電性連接該第一饋入接點、該第二饋入接點、該第一下地接點、該第二下地接點及該射頻訊號源，以切換該第一金屬輻射部及該第二金屬輻射部； 一孔徑接點，電性連接該第一金屬輻射部，且該第二下地接點位於該第一饋入接點與該孔徑接點之間；以及 一孔徑調諧器，電性連接該孔徑接點。
  2. 如請求項1所述之寬頻天線系統，其中該阻抗調諧器更包含： 一可變電容，電性連接該第一饋入接點與該第二饋入接點； 一第一開關，電性連接在該第一下地接點與一接地端之間，以選擇性導通該第一下地接點連接至該接地端； 一第二開關，電性連接該第二下地接點與該接地端之間，以選擇性導通該第二下地接點連接至該接地端； 一第三開關，電性連接該第二饋入接點與該接地端之間，以選擇性導通該第二饋入接點連接至該接地端；以及 一第四開關，電性連接該第二下地接點及該射頻訊號源，以選擇性導通該第二下地接點連接至該射頻訊號源，使該第二下地接點作為一饋入接點。
  3. 如請求項2所述之寬頻天線系統，其中該孔徑調諧器更包含複數下地路徑，以選擇該些下地路徑的其中之一，該下地路徑包含一開路下地路徑與至少一被動元件下地路徑的至少其中之一以及一零歐姆電阻下地路徑。
  4. 如請求項3所述之寬頻天線系統，其中該第一開關、該第二開關、該第三開關及該第四開關為非導通狀態，且該孔徑調諧器切換為該開路下地路徑時，調整該可變電容之一電容值來控制該寬頻天線系統的中頻段。
  5. 如請求項3所述之寬頻天線系統，其中該第一開關及該第三開關為導通狀態或非導通狀態，該第二開關為導通狀態，該第四開關為非導通狀態，且該孔徑調諧器切換為該開路下地路徑時，該寬頻天線系統係支援高頻段、超高頻段及WIFI 6E頻段。
  6. 如請求項3所述之寬頻天線系統，其中該第一開關及該第三開關為導通狀態或非導通狀態，該第二開關為非導通狀態，該第四開關為導通狀態，使該第二下地接點作為該饋入接點，且該孔徑調諧器切換為該開路下地路徑時，該寬頻天線系統係支援中頻段、WIFI 5G頻段及WIFI 6E頻段。
  7. 如請求項3所述之寬頻天線系統，其中該第一開關、該第三開關及該第四開關為非導通狀態，該第二開關為導通狀態，且該孔徑調諧器切換為該開路下地路徑或該被動元件下地路徑時，該寬頻天線系統係支援低頻段，並可調整該孔徑調諧器來控制該低頻段。
  8. 如請求項3所述之寬頻天線系統，其中該被動元件下地路徑為一電容下地路徑、一電感下地路徑或一電阻下地路徑。
  9. 如請求項3所述之寬頻天線系統，其中該孔徑調諧器更包含一開關模組，電性連接該些下地路徑，以切換導通該些下地路徑的其中之一。
  10. 如請求項9所述之寬頻天線系統，其中該開關模組為一單刀四擲（SP4T）開關、至少一單刀雙擲（SPDT）開關或是複數單刀單擲（SPST）開關。
  11. 如請求項1所述之寬頻天線系統，其中該第一饋入接點與該第二下地接點之間的距離係為最低操作頻率之0.05～0.025倍波長的距離。
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