TW202340869A - 使用數位微影術來產生3d光阻劑輪廓 - Google Patents
使用數位微影術來產生3d光阻劑輪廓 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202340869A TW202340869A TW111147353A TW111147353A TW202340869A TW 202340869 A TW202340869 A TW 202340869A TW 111147353 A TW111147353 A TW 111147353A TW 111147353 A TW111147353 A TW 111147353A TW 202340869 A TW202340869 A TW 202340869A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pattern
- photoresist layer
- image projection
- subgrid
- flashes
- Prior art date
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 104
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- -1 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2057—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using an addressed light valve, e.g. a liquid crystal device
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70416—2.5D lithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本文所述的實施例提供了一種在單次曝露操作中形成三維輪廓的微影製程的系統、軟體應用和方法。微影系統的影像投影系統將向光阻層提供複數道閃光(shot)。為了在該光阻層中形成三維輪廓,曝露區域內的複數道閃光的局部閃光密度將被變化。局部閃光密度將決定由該影像投影系統在曝露區域的每個子網格處提供的劑量。當該複數道閃光被投射到光阻層時,該劑量將決定該光阻層的厚度。
Description
本揭示內容的實施例大致涉及微影系統。更詳細而言,本揭示內容的實施例涉及一種在單次曝露操作中形成三維輪廓的微影製程的系統、軟體應用和方法。
光微影術被廣泛用於半導體設備(如用於半導體設備的後端處理)和顯示設備(如液晶顯示器(LCD))的製造。例如,大面積的基板經常被用於製造LCD。液晶顯示器或平板顯示器常用於主動矩陣(active matrix)顯示器,如電腦、觸控面板設備、個人數位助理(PDA)、手機、電視監視器和類似物。一般來說,平板顯示器在每個像素處都包括夾在兩個板子之間的一層液晶材料作為相變材料。當來自電源供應器的電源被施加在整個液晶材料上或通過液晶材料時,各個像素位置處通過液晶材料的光量得到了控制(即選擇性地調變),從而使影像能夠產生在顯示器上。
微影術的一個挑戰是形成三維輪廓,並在這些輪廓上實現平滑的過渡。現有的微影系統缺乏在單次曝露操作中形成三維輪廓的期望能力。
因此,本領域需要的是一種微影製程的系統、軟體應用和/或方法,其能力得到改進,能夠用單次曝露形成三維輪廓。
在一個實施例中,提供了一種系統。該系統包括平板和可以設置在該平板上的可動平台。該可動平台被配置為支撐基板,該基板上設置有光阻層。該系統進一步包括控制器,該控制器被配置為向微影系統提供掩模圖案資料。該掩模圖案資料包括具有灰色圖案的曝露區域,該灰色圖案由複數個子網格界定。每個子網格包括界定在其中的圖案區域。該系統進一步包括微影系統支撐件,該微影系統支撐件與該平板耦合並具有開口,以允許該可動平台在該微影系統支撐件下面通過。該微影系統具有複數個影像投影系統的處理單元,該複數個影像投影系統接收該掩模圖案資料,每個影像投影系統包括具有複數個空間光調變器像素的空間光調變器,以投射複數道閃光。該控制器被配置為將複數個圖案區域定位在該等子網格中的每一者內,以變化每個子網格處的局部閃光密度,並且該控制器被配置為指示該等空間光調變器中的每一者將該複數道閃光投射到該灰色圖案的每個子網格中的該複數個圖案區域。
在另一個實施例中,提供了一種非暫時性電腦可讀取媒體。該非暫時性電腦可讀取媒體儲存指令,該等指令當由處理器執行時,導致電腦系統執行以下步驟:向微影系統的處理單元提供具有複數個曝露區域的掩模圖案資料。該處理單元包括接收該掩模圖案資料的複數個影像投影系統,每個曝露區域包括一個灰色圖案。該灰色圖案包括複數個子網格;以及每個子網格中的複數個圖案區域。該複數個圖案區域與每個子網格的局部閃光密度對應。在該複數個影像投影系統下對上面設置有光阻層的基板的單一掃瞄中,該等步驟進一步包括以下步驟:將對該灰色圖案的該複數個圖案區域的複數道閃光投射到該光阻層;以及對該光阻層進行顯影,以在該光阻層中形成三維輪廓。該三維輪廓由每個曝露區域的每個子網格處的該局部閃光密度界定。
在另一個實施例中,提供了一種方法。該方法包括以下步驟:向微影系統的處理單元提供具有複數個曝露區域的掩模圖案資料。該處理單元包括接收該掩模圖案資料的複數個影像投影系統,每個曝露區域包括一個灰色圖案。該灰色圖案包括複數個子網格,以及每個子網格中的複數個圖案區域。該複數個圖案區域與每個子網格的局部閃光密度對應。在該複數個影像投影系統下對上面設置有光阻層的基板的單一掃瞄中,該方法進一步包括以下步驟:將對該灰色圖案的該複數個圖案區域的複數道閃光投射到該光阻層;以及對該光阻層進行顯影,以在該光阻層中形成三維輪廓。該三維輪廓由每個曝露區域的每個子網格處的該局部閃光密度界定。
本揭示內容的實施例涉及一種在單一曝露操作中形成三維輪廓的微影製程的系統、軟體應用和方法。該系統的一個實施例包括控制器,該控制器被配置為向微影系統提供掩模圖案資料。該掩模圖案資料包括灰色圖案。該微影系統具有處理單元,該處理單元具有接收該掩模圖案資料的複數個影像投影系統。每個影像投影系統包括一個空間光調變器,該空間光調變器具有複數個空間光調變器像素,以投射多重閃光(shot)。該控制器被配置為變化整個該基板上的該局部閃光密度。
圖1是可以受益於本文所述的實施例的系統100(如數位微影系統)的透視圖。系統100包括平台114和處理裝置104。平台114由設置在平板102上的一對軌道116支撐。基板120由平台114所支撐。平台114由設置在平板102上的一對軌道116支撐。平台114在由圖1所示的坐標系指示的X方向上沿著該對軌道116移動。在可以與本文所述的其他實施例相結合的一個實施例中,該對軌道116是一對平行磁通道。如圖所示,該對軌道116的每個軌道都以直線路徑延伸。編碼器118與平台114耦合,以便向控制器122提供平台114的位置資訊。
控制器122一般被設計為促進對本文所述的處理技術的控制和自動化。控制器122可以與處理裝置104、平台114和編碼器118耦合或通訊。處理裝置104和編碼器118可以向控制器122提供關於基板處理和基板對準的資訊。例如,處理裝置104可以向控制器122提供資訊以提醒控制器122基板處理已經完成。控制器122有助於對微影製程的方法的控制和自動化,該微影製程包括在單一曝露期間變化局部閃光密度。由控制器122可讀取的程式(或電腦指令)(可以稱為成像程式)決定哪些任務可以在基板120上執行。該程式包括掩模圖案資料和代碼,以監測和控制處理時間和基板位置。該掩模圖案資料與要使用電磁輻射來寫入光阻劑的圖案對應。
基板120包括任何合適的材料,例如玻璃,該材料被用作平板顯示器的一部分。在可以與本文所述的其他實施例相結合的其他實施例中,基板120由能夠用作平板顯示器的一部分的其他材料製成。基板120上形成有要圖案化的薄膜層(例如藉由對其進行圖案蝕刻來圖案化),並且具有形成在要圖案化的該薄膜層上的光阻層,該光阻層對電磁輻射(例如紫外(UV)或深UV「光」)敏感。正性光阻劑包括當曝露於輻射時,分別可溶於在使用電磁輻射將圖案寫入該光阻劑之後施加到該光阻劑的光阻顯影劑的光阻劑部分。負性光阻劑包括當曝露於輻射時,將分別不溶於在使用電磁輻射將圖案寫入該光阻劑之後施加到該光阻劑的光阻顯影劑的光阻劑部分。光阻劑的化學組成決定了光阻劑是正性光阻劑還是負性光阻劑。光阻劑的例子包括但不限於重氮萘醌(diazonaphthoquinone)、苯酚甲醛樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate))、聚甲基戊二醯亞胺(poly(methyl glutarimide))和SU-8中的至少一者。在將光阻劑曝露於電磁輻射之後,對阻劑進行顯影,以在底層的薄膜層上留下圖案化的光阻劑。然後,使用圖案化的光阻劑,對底層薄膜進行轉移蝕刻,在底層薄膜層中形成類似的圖案。底層薄膜層被用來形成顯示面板的電子電路系統的一部分。
處理裝置104包括支撐件108和處理單元106。處理裝置104橫跨該對軌道116,並設置在平板102上,從而包括一個開口112,供該對軌道116和平台114在處理單元106下通過。處理單元106由支撐件108支撐在平板102上。在可以與本文所述的其他實施例相結合的一個實施例中,處理單元106是圖案產生器,被配置為在光微影製程中曝露光阻劑。在可以與本文所述的其他實施例相結合的一些實施例中,圖案產生器被配置為執行無掩模的光微影製程。處理單元106包括複數個影像投影系統。圖2A顯示了影像投影系統的一個例子。在可以與本文所述的其他實施例相結合的一個實施例中,處理單元106包含多達84個影像投影系統。每個影像投影系統都被設置在一個箱子110中。處理單元106有助於對光阻劑或其他電磁輻射敏感材料進行無掩模直接圖案寫入。
圖2A是可以用於系統100的影像投影系統200的示意橫截面圖。影像投影系統200包括空間光調變器210和投影光學件212。影像投影系統200的部件取決於所使用的空間光調變器210而有所不同。空間光調變器210包括一個電可定址元件的陣列。電可定址的元件包括但不限於數位微鏡、液晶顯示器(LCD)、矽上液晶(LCoS)設備、矽上鐵電液晶(FLCoS)設備和微型快門(microshutter)。空間光調變器210包括複數個空間光調變器像素。該複數個空間光調變器像素中的每個空間光調變器像素都是可單獨控制的,並被配置為投射與複數個像素中的一個像素對應的寫入射束。複數個像素的匯集形成了寫入到光阻劑中的圖案,在本文稱為掩模圖案。投影光學件212包括投影透鏡,例如10倍物鏡,用來將光投射到基板120上。在操作中,基於控制器122提供給空間光調變器210的掩模圖案資料,該複數個空間光調變器像素中的每個空間光模組化像素處於「開」位置或「關」位置。處於「開」位置的每個空間光模組化像素形成了寫入射束,然後投影光學件212將該寫入射束投射到基板120的光阻層表面,以形成掩模圖案的一個像素。
在可以與本文所述的其他實施例相結合的一個實施例中,空間光調變器210是DMD。影像投影系統200包括光源202、光圈204、透鏡206、受抑(frustrated)稜鏡組件208、DMD和投影光學件212。DMD包括複數個鏡子,即該複數個空間光調變器像素。該複數個鏡子中的每個鏡子與一個像素對應,該像素可以與掩模圖案的一個像素對應。在可以與本文所述的其他實施例相結合的一些實施例中,DMD包括超過約4,000,000個鏡子。光源202是任何合適的光源,例如發光二極體(LED)或雷射,能夠產生具有預定波長的光。在可以與本文所述的其他實施例相結合的一個實施例中,預定的波長在藍色或近紫外(UV)範圍內,如小於約450奈米。受抑稜鏡組件208包括複數個反射面。在操作中,光束201由光源202產生。光束201被受抑稜鏡組件208反射到DMD。當光束201到達DMD的鏡子時,處於「開」位置的每個鏡子反射光束201(即形成寫入射束,也稱為「閃光(shot)」),然後投影光學件212將該光束作為一道閃光投射到基板120的光阻層表面。該複數道寫入射束203(也稱為複數道閃光)形成掩模圖案的複數個像素。
圖2B是作為DMD的空間光調變器210的示意圖。該複數個鏡子213(也稱為該複數個空間光調變器像素)佈置在具有M列和N行的網格中。該複數個鏡子213中的每一者都可操作為處於「開」位置或「關」位置。像素間距215被定義為相鄰空間光調變器像素的形心之間的距離。
空間光調變器210的該複數個空間光調變器像素被配置成一個聚集閃光圖案604(示於圖6中),其中每個空間光調變器像素與一道潛在的閃光606(示於圖6中)對應。每道潛在的閃光606代表一個鏡子213的形心。控制器122(示於圖1中)基於掩模圖案資料向空間光調變器210提供指令。掩模圖案資料決定該複數個鏡子213中的哪一些處於「開」位置。在實施例中,當鏡子213處於「開」位置時,就會輸送一道閃光。在實施例中,當鏡子213處於「關」位置時,就不會輸送閃光。
圖3是被配置為用於變化整個基板上的局部閃光密度的計算系統300的示意圖,本揭示內容的實施例可以在該計算系統中實施。如圖3所示,計算系統300可以包括複數個伺服器308、單次曝露微影應用312和複數個控制器122(即電腦、個人電腦、行動/無線設備,為了明確起見,僅顯示了其中兩個),這些元件各自與通訊網路306(例如網際網路)連接。伺服器308可以經由本端連接(例如儲存區域網路(SAN)或網路附接儲存器(NAS))或網際網路與資料庫314通訊。伺服器308被配置為直接存取包括在資料庫314中的資料,或與配置為管理包括在資料庫314內的資料的資料庫管理器介接。
每個控制器122可以包括計算設備的部件,例如處理器、系統記憶體、硬碟機、電池、諸如滑鼠和鍵盤之類的輸入設備,和/或諸如監視器或圖形使用者介面之類的輸出設備,和/或諸如不僅接收輸入也顯示輸出的觸控螢幕之類的輸入/輸出設備的組合。每個伺服器308和單次曝露微影應用312可以包括處理器和系統記憶體(未示出),並且可以被配置為使用例如關係式資料庫軟體和/或檔案系統來管理儲存在資料庫314中的內容。如圖4所示的I/O設備介面408可以被程式化為使用諸如TCP/IP協定之類的網路協定來彼此通訊、與控制器122和單次曝露微影應用312通訊。單次曝露微影應用312可以藉由通訊網路306與控制器122直接通訊。控制器122被程式化為執行軟體304,如程式和/或其他軟體應用,並存取由伺服器308管理的應用程式。
在下面描述的實施例中,使用者可以分別操作可以經由通訊網路306連接到伺服器308的控制器122。頁面、影像、資料、文件和類似物可以經由控制器122顯示給使用者。資訊和影像可以藉由與控制器122通訊的顯示設備和/或圖形使用者介面顯示。
需要指出的是,控制器122可以是個人電腦、膝上型行動計算設備、智慧型電話、視訊遊戲機、家庭數位媒體播放器、網路連接的電視、機上盒和/或其他計算設備,具有適合與通訊網路306和/或所需的應用或軟體通訊的部件。控制器122也可以執行配置為從單次曝露微影應用312接收內容和資訊的其他軟體應用。
圖4是單次曝露微影應用312的示意圖。單次曝露微影應用312包括但不限於經由互連件406通訊的中央處理單元(CPU)402、網路介面404、記憶體420和儲存器430。單次曝露微影應用312還可以包括連接I/O設備410(例如,鍵盤、視訊、滑鼠、音訊、觸控螢幕等)的I/O設備介面408。單次曝露微影應用312可以進一步包括配置為經由資料通訊網路傳輸資料的網路介面504(示於圖5中)。
CPU 402擷取並執行儲存在記憶體420中的程式化指令,並且一般可以控制和協調其他系統部件的操作。同樣地,CPU 402儲存和擷取駐留在記憶體420中的應用資料。包括的CPU 402可以代表單個CPU、多個CPU、具有多個處理核心的單個CPU,和類似物。互連件406用於在CPU 402、I/O設備介面408、儲存器430、網路介面404和記憶體420之間傳輸程式化指令和應用資料。
包括的記憶體420一般可以代表隨機存取記憶體,並且在操作中可以儲存軟體應用和資料供CPU 402使用。雖然顯示為單一單元,但儲存器430可以是固定和/或可移除式儲存設備的組合,如固定磁碟機、軟碟機、硬碟機、快閃記憶體儲存驅動器、磁帶驅動器、可移除式記憶卡、CD-ROM、DVD-ROM、Blu-Ray、HD-DVD、光學儲存器、網路附接儲存器(NAS)、雲端儲存器或配置為儲存非易失性資料的儲存區域網路(SAN)。
記憶體420可以儲存用於執行應用平台426的指令和邏輯,該應用平台可以包括單次曝露微影應用軟體428。記憶體430可以包括資料庫432,該資料庫被配置為儲存資料434和相關聯的應用平台內容436。資料庫432可以是任何類型的儲存設備。
網路電腦是可以與本文提供的揭示內容結合使用的另一種類型的電腦系統。網路電腦通常不包括硬碟或其他大量儲存器,並且可執行的程式從網路連接加載到記憶體420中,以由CPU 502執行(示於圖5中)。一個典型的電腦系統通常會至少包括處理器、記憶體和將該記憶體與該處理器耦合的互連件。
圖5是控制器122的示意圖,該控制器用於存取單次曝露微影應用312和擷取或顯示與應用平台426相關聯的資料。控制器122可以包括但不限於中央處理單元(CPU)502、網路介面504、互連件506、記憶體520、儲存器530和支援電路540。控制器122還可以包括將I/O設備510(例如,鍵盤、顯示器、觸控螢幕和滑鼠設備)連接到控制器122的I/O設備介面508。
與CPU 402一樣,包括的CPU 502可以代表單個CPU、多個CPU、具有多個處理核心的單個CPU等,而包括的記憶體520一般可以代表隨機存取記憶體。互連件506可以用於在CPU 502、I/O設備介面508、儲存器530、網路介面504和記憶體520之間傳輸程式化指令和應用資料。網路介面504可以被配置為經由通訊網路306傳輸資料,以例如傳輸來自單次曝露微影應用312的內容。儲存器430(例如硬碟機或固態儲存驅動器(SSD))可以儲存非易失性資料。儲存器530可以包含資料庫531。資料庫531可以包含資料532、其他內容534和影像處理單元536,該影像處理單元具有資料538和控制邏輯539。說明性地,記憶體520可以包括應用介面522,該應用介面本身可以顯示軟體指令524,和/或儲存或顯示資料526。應用介面522可以提供一個或多個軟體應用,使控制器能夠存取由單次曝露微影應用312託管的資料和其他內容。
如圖1所示,系統100包括控制器122。控制器122包括中央處理單元(CPU)502、記憶體520和支援電路540(或I/O 508)。CPU 502可以是任何形式的電腦處理器的其中之一,這些電腦處理器在工業環境中用於控制各種製程和硬體(例如圖案產生器、馬達和其他硬體),並監測製程(例如處理時間和基板位置)。如圖5所示,記憶體520與CPU 502連接,並且可以是一種或多種現成的記憶體,例如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬碟或任何其他形式的本端或遠端數位儲存器。軟體指令和資料可以被編碼並儲存在記憶體內,用於指示CPU 502。支援電路540也與CPU 502連接,用於以傳統的方式支援處理器。支援電路540可以包括傳統的快取記憶體542、電源供應器544、時脈電路546、輸入/輸出電路系統548、子系統550和類似物。控制器122可讀取的程式(或電腦指令)決定哪些任務可以在基板120上執行。程式可以是控制器122可讀取的軟體,並且可以包括用來監測和控制例如處理時間和基板位置的代碼。
然而,應該記住,所有這些和類似的術語都要與適當的物理量相關聯,並且只是應用於這些量的方便標籤。除非另有可以從下面的討論看出的具體說明,否則應理解,在整個描述中,利用諸如「處理」或「計算(computing)」或「計算(calculating)」或「決定」或「顯示」或類似術語的討論,指的是電腦系統或類似電子計算設備的動作和過程,它將電腦系統的暫存器和記憶體內表示為物理(電子)量的資料操控和變換成電腦系統的記憶體或暫存器或其他此類資訊儲存、傳輸或顯示設備內類似地表示為物理量的其他資料。
本例還涉及一種用於執行本文中的操作的裝置。這個裝置可以被專門建構為用於所需的用途,或它可以包括通用電腦,該通用電腦被儲存在該電腦中的電腦程式選擇性地啟動或重新配置。這種電腦程式可以儲存在電腦可讀取儲存媒體中,例如但不限於唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、EPROM、EEPROM、快閃記憶體、磁卡或光卡、任何類型的碟片(包括軟碟、光碟、CD-ROM和磁光碟),或適合儲存電子指令的任何類型的媒體,這些媒體各自與電腦系統互連件耦合。
本文所提出的演算法和顯示器與任何特定的電腦或其他的裝置沒有固有的關聯性。各種通用系統可以與依據本文教示的程式一起使用,或者可以證明構建一個更專門的裝置來執行所需的方法操作是方便的。從上面的描述可以看出各種這些系統的結構。此外,本例並不是參考任何特定的程式設計語言來描述的,因此各種例子可以使用各種程式設計語言來實施。
如本文內更詳細地描述的那樣,本揭示內容的實施例涉及一種微影應用,該微影應用涉及在單次曝露微影製程中將掩模圖案資料應用於基板120的能力。本文所述的實施例涉及一種軟體應用平台。該軟體應用平台包括在單次曝露中形成三維輪廓的方法。
圖6是在數位微影製程期間的基板120的一部分600的示意平面圖。基板120包括設置在基板120上的光阻層601。在可以與本文所述的其他實施例相結合的一些實施例中,底層薄膜層設置在光阻層下方。與基板120的部分600對應的影像投影系統200(示於圖2中)從控制器122接收掩模圖案資料。掩模圖案資料定義重疊在基板120上的一個或多個曝露區域602。曝露區域602界定了光阻層601的要曝露於來自影像投影系統200的寫入射束的區域。曝露區域602包括但不限於圓形、三角形、橢圓形、規則多邊形、不規則多邊形和/或不規則形狀。一個或多個曝露區域602可以在掩模圖案資料中提供。
空間光調變器210的該複數個空間光調變器像素被配置成聚集閃光圖案604。聚集閃光圖案604重疊在基板120上。空間光調變器210的每個空間光調變器像素與一個潛在的閃光606對應。聚集閃光圖案604描述了每個潛在的閃光606可以投射在基板120上的位置。掩模圖案資料決定了該複數個空間光調變器像素中的哪些處於「關」位置或「開」位置。每道潛在的閃光606代表一個鏡子213(示於圖2B中)的形心。當空間光調變器像素處於「開」位置時,潛在的閃光606被投射到基板120上的對應位置。
如圖6所示,具有複數個單位區域610的網格608重疊在基板120上。每個單位區域610與空間光調變器210的一個空間光調變器像素對應。在圖6所示的實施例中,取決於掩模圖案資料,每個單位區域610可用於接收五個相異的潛在閃光606(即第一閃光606A、第二閃光606B、第三閃光606C、第四閃光606D和第五閃光606E)。每個單位區域610可以包括數百道閃光606,如50道至500道潛在閃光。例如,每個單位區域610包括60道至150道潛在閃光606。增加潛在閃光606的數量將允許對光阻層601上的光濃度進行更精細的控制。該複數個空間光調變器像素上的第一閃光606A、第二閃光606B、第三閃光606C、第四閃光606D和第五閃光606E中的每一者被依序投射。
聚集閃光圖案604具有聚集閃光間距612。聚集閃光間距612是相鄰的潛在閃光606之間的距離。聚集閃光間距612是由像素間距215(示於圖2B中)和影像投影系統200的放大率決定的。該複數個潛在閃光606中的每一者具有每個潛在閃光606之間的閃光步幅614。該複數個潛在閃光606均勻分佈在每個單位區域610內,以使每個潛在閃光606之間的距離最小。空間光調變器210相對於閃光步幅614的方向稍微旋轉
。影像投影系統200可以安裝在支撐件108上,使得空間光調變器210旋轉
。
當基板120在影像投影系統200下掃描時,處理單元106將對應於處於「開」位置的該複數個空間光調變器像素的該複數道閃光606投影到基板120的部分600。該複數道閃光606中的每道閃光606都被投射在曝露區域602內,如依據掩模圖案資料定義的那樣。曝露區域602中的該複數道閃光606可以部分重疊。例如,當該複數道閃光606在曝露區域602內足夠密集時,對應於曝露區域602的圖案就在光阻層601中曝露。
圖7A是分成複數個子網格702的曝露區域602的示意平面圖。每個子網格702具有長度L。控制器122在掩模圖案資料中提供灰色圖案700。灰色圖案700是依據本文所述的方法900決定的。在可以與本文所述的其他實施例相結合的一些實施例中,子網格702的面積小於該複數個鏡子213(示於圖2B中)的面積。長度L小於影像投影系統200的光學解析度。光學解析度小於像素間距215。此外,長度L可以減少,以適應具有陡峭斜坡的三維輪廓。減少長度L將使三維輪廓中的陡峭斜坡得以形成,因為更多的子網格702將構成曝露區域602。
圖7B是具有複數個子網格702的灰色圖案700的示意平面圖。子網格702被用來變化曝露區域602的局部閃光密度。隨著與處於「開」位置的該複數個空間光調變器像素對應的該複數道閃光606(示於圖6中)被提供給曝露區域602,可以形成灰色圖案700,以變化每個子網格702內的局部閃光密度。掩模圖案資料在每個子網格內定義複數個圖案區域704。該複數個圖案區域704可以依據本文所述的單次曝露微影應用312來決定。
該複數個圖案區域704的定義是為了實現局部閃光密度。例如,為了將每個子網格702中的局部閃光密度降低50%,每個子網格702內的該複數個圖案區域704的形成面積為子網格702的50%。圖案區域704是子網格702的50%的面積,並實現50%的局部閃光密度。在這樣的例子中,只有落入圖案區域704的「閃光」才會被提供,以便在處理期間實現期望的劑量。圖案區域704與每個子網格702的面積之比界定了灰色圖案密度圖。灰色圖案密度圖用於界定該複數個圖案區域704的形狀和尺寸。
圖案區域間距706被定義為相鄰圖案區域704的形心之間的距離。在可以與本文所述的其他實施例相結合的一些實施例中,長度L和圖案區域間距706是對準的,以提高要形成的三維輪廓的解析度。
在可以與本文所述的其他實施例相結合的一個實施例中,每個子網格702包括相同的局部閃光密度。在可以與本文所述的其他實施例相結合的另一個實施例中,在至少兩個相鄰的子網格702中,局部閃光密度是不同的。與跟灰色圖案700的圖案區域704重疊的該複數個空間光調變器像素對應的潛在閃光606(示於圖6中)處於「開」位置,如控制器122依據掩模圖案資料所指示的那樣。因此,該複數道閃光606的數量(即局部閃光密度)與該複數個圖案區域704的面積與子網格702的面積之比一致。在一些實施例中,由於數位微影術的離散本性,每個子網格702中的局部閃光密度可能不會與該複數個圖案區域704的面積與子網格702的面積之比完全一致。
圖7C是複數個圖案區域704的示意平面圖。圖7C顯示每個子網格702中的圖案區域704的例子。該複數個圖案區域704不限於圖7C所示的圖案區域。圖案區域704的形狀包括但不限於圓形、三角形、橢圓形、規則多邊形、不規則多邊形和/或不規則形狀。圖案區域704的形狀是基於曝露區域602的複雜度和來自影像投影系統200的不完美性來決定的。例如,圖案區域704的形狀可以被決定,以避免影像投影系統200會誘發光學像差的形狀。圖案區域704的每個形狀可以在子網格702內以一定旋轉角設置。每個圖案區域704可以在每個子網格702中實現0%到100%的局部閃光密度。
圖8A是灰色圖案700的局部閃光密度的圖解801。局部閃光密度橫跨曝露區域602從0%到100%變化。局部閃光密度是由子網格702內的該複數個圖案區域704與灰色圖案700的子網格702的面積之比決定的。圖8B是與圖8A的圖解801對應的圖表802。X軸線與沿著圖8A所示的曝露區域602的位置對應。Y軸線與施加到曝露區域602的劑量對應。該劑量與由於光阻劑曝露於從光源202發射的光的強度而被顯影和移除的光阻層601的百分比對應。
在局部閃光密度為0%(即該複數個鏡子213全都處於「關」位置)的實施例中,劑量為0%,因此剩餘的光阻層601的厚度將是100%。在局部閃光密度為100%(即該複數個鏡子213全都處於「開」位置)的實施例中,劑量為100%,因此光阻層601將被完全移除。因此,藉由界定圖案區域704來變化整個曝露區域602上的局部閃光密度,將允許在光阻層601中形成三維輪廓。
例如,如圖8A所示地變化局部閃光密度將在光阻層601(示於圖6中)中形成斜坡輪廓。光阻層601中的三維輪廓可以藉由蝕刻製程(例如各向異性蝕刻製程)轉移到一個或多個底層中,這可以將三維輪廓納入積體電路、顯示器等。三維輪廓可以是彎曲的、球形的、非球形的、凹形的、凸形的、錐形的、半圓柱形的或有角度的輪廓。
三維輪廓可以在影像投影系統200的單次曝露操作中形成。一次性執行曝露操作可以減少多次曝露的發生。單次曝露操作導致了產量的增加,並減少了對準問題。進一步地,無論排隊時間(對光阻層601的曝露與顯影之間的時間)如何,由於只需要單次曝露,輪廓就會形成。因此,灰色圖案700可以提高產量,能夠在光阻層601中形成三維輪廓,並減少與使用多個掩模相關聯的重疊問題。
圖9是用微影製程在光阻層601中形成三維輪廓的方法900的流程圖。方法900允許依據要形成的期望光阻劑輪廓來界定灰色圖案700。本文所述的控制器122促進了方法900的操作。方法900是在影像投影系統200的單次曝露操作中執行的。在方法900之前,決定期望的光阻劑輪廓。期望的光阻劑輪廓可以是三維的輪廓。方法900可以至少部分地由單次曝露微影應用312執行。
在操作901中,決定期望的光阻劑輪廓的對比度曲線。對比度曲線跟蹤劑量與具有期望光阻劑輪廓的光阻層的移除厚度的關係。這樣的曲線可以事先根據經驗決定,並適用於未來的操作。在操作902中,決定整個期望光阻劑輪廓上的移除厚度圖。該圖描述了每個位置處的光阻劑的移除厚度。移除厚度圖是基於對比度曲線來決定的。在操作903中,決定劑量圖。劑量圖是藉由參考移除厚度圖與收縮曲線來決定的。該劑量與由於光阻劑曝露於從影像投影系統200的光源202發射的光的強度而被顯影的光阻層601的百分比對應。例如,藉由決定每個位置處的移除厚度,可以決定每個位置處的必要劑量。
在操作904中,決定灰色圖案密度圖。灰色圖案密度圖是藉由決定每個位置處(即每個子網格702處)的局部劑量與標稱劑量之比而導出的。灰色圖案密度圖決定了每個子網格702需要投射的閃光606的數量,以基於劑量圖產生劑量。灰色圖案密度圖決定了每個子網格702處的局部閃光密度。在操作905中,基於灰色圖案密度圖產生灰色圖案700。灰色圖案密度圖規定了局部劑量與標稱劑量的比率。每個子網格702中的複數個圖案區域704界定了灰色圖案700。在操作905中,決定該複數個圖案區域704的形狀和尺寸,以與灰色圖案密度圖相對應。灰色圖案700是由控制器122以掩模圖案資料的形式提供給影像投影系統200。
在操作906中,灰色圖案被印刷和測量。當基板120在影像投影系統200下進行一次性掃描時,處理單元106依據灰色圖案700投射複數道閃光606。局部閃光密度在該複數個子網格702上可以有所不同。由於每個子網格702處的劑量取決於局部閃光密度,所以在整個基板120上,移除的光阻層601的厚度會有所不同。因此,光阻層601將具有三維的輪廓。然後可以測量三維輪廓的厚度。在操作907中,將期望的光阻劑輪廓的厚度與在操作906中在光阻層601中形成的三維輪廓的厚度進行比較。在厚度不匹配的實施例中,劑量圖被相應調整。例如,每個位置處的劑量可以增加或減少。因此,響應於此,圖案區域704的面積將增加或減少。然後可以重複操作903-907,直到期望的光阻劑輪廓的厚度與三維輪廓的厚度相等。
在操作908中,將光阻層601平滑化。在一些實施例中,投射在灰色圖案700的每個子網格702中的閃光606的數量將不總是導致光阻層601的相鄰子網格702之間的平滑厚度過渡。因此,可以執行第一平滑化操作、第二平滑化操作或第三平滑化操作中的一者,以改進光阻層601中的厚度過渡。
第一個平滑化操作包括加寬投射到基板120的光源202的雷射脈衝。由於平台114(示於圖1中)在掃描期間以恆定的速度移動,加寬雷射脈衝(即增加脈衝寬度)將減少光阻層601在平台114移動方向上的粗糙度。傳統上,光源202的脈衝寬度乘以平台114的速度是像素間距215(示於圖2B中)的約40%或更小。然而,在第一平滑化操作中,光源202的脈衝寬度乘以平台114的速度為像素間距215的約100%至約150%,以允許對已投射的該複數道閃光606進行混合。混合發生在平台114的移動方向上。
第二平滑化操作包括調整影像投影系統200,使其印刷的灰色圖案700稍微離焦。因此,投射在曝露區域602中的該複數道閃光606將被模糊化。該複數道閃光606被模糊化將增加相鄰閃光606的混合。因此,當光阻層601被顯影時,厚度過渡將更加平滑。
第三平滑化操作包括烘烤製程。烘烤製程可以在曝露(即操作906)後在光阻層601上執行。烘烤製程可以在對光阻層601的顯影後在底層薄膜層上執行。烘烤溫度為約150℃至約250℃。烘烤具有擴散效應,使光阻劑或底層薄膜層能夠稍微熔化。因此,光阻劑或底層薄膜將被平滑化。
總而言之,本文提供了一種用於在單次曝露操作中形成三維輪廓的微影製程的系統、軟體應用和方法。為了在光阻層中形成三維輪廓,曝露區域內的複數道閃光的局部閃光密度將有所不同。局部閃光密度將決定由影像投影系統在曝露區域的每個子網格處提供的劑量。當該複數道閃光被投射到光阻層時,該劑量將決定該光阻層的厚度。藉由以在曝露區域的每個子網格內界定該複數個閃光要投射到的複數個圖案區域的方式調整局部閃光密度,可以形成具有三維輪廓的光阻層厚度。該三維輪廓可以在微影系統的單次曝露操作中形成。利用灰色圖案可以提高產量,能夠在光阻層中形成三維輪廓,並減少與使用多個掩模相關聯的重疊問題。
雖然上述內容是針對本揭示內容的實施例,但在不偏離其基本範圍的情況下,可以設計出本揭示內容的其他和進一步的實施例,並且其範圍是由後面的請求項決定的。
100:系統
102:平板
104:處理裝置
106:處理單元
108:支撐件
110:箱子
112:開口
114:平台
116:軌道
118:編碼器
120:基板
122:控制器
200:影像投影系統
201:光束
202:光源
203:寫入射束
204:光圈
206:透鏡
208:受抑稜鏡組件
210:空間光調變器
212:投影光學件
213:鏡子
215:像素間距
300:計算系統
304:軟體
306:通訊網路
308:伺服器
312:單次曝露微影應用
314:資料庫
402:中央處理單元(CPU)
404:網路介面
406:互連件
408:I/O設備介面
410:I/O設備
420:記憶體
426:應用平台
428:單次曝露微影應用軟體
430:記憶體
432:資料庫
434:資料
436:內容
502:CPU
504:網路介面
506:互連件
508:I/O設備介面
510:I/O設備
520:記憶體
522:應用介面
524:軟體指令
526:資料
530:儲存器
531:資料庫
532:資料
534:內容
536:影像處理單元
538:資料
539:控制邏輯
540:支援電路
542:快取記憶體
544:電源供應器
546:時脈電路
548:輸入/輸出電路系統
550:子系統
600:部分
601:光阻層
602:曝露區域
604:聚集閃光圖案
606:閃光
608:網格
610:單位區域
612:聚集閃光間距
614:閃光步幅
700:灰色圖案
702:子網格
704:圖案區域
706:圖案區域間距
801:圖解
802:圖表
900:方法
901:操作
902:操作
903:操作
904:操作
905:操作
906:操作
907:操作
908:操作
606A:第一閃光
606B:第二閃光
606C:第三閃光
606D:第四閃光
606E:第五閃光
L:長度
為了能夠詳細理解本揭示內容的上述特徵,可以藉由參考實施例獲得上文簡要概述的本揭示內容的更詳細的描述,其中一些實施例在附圖中得到說明。然而,需要注意的是,附圖只說明示例性的實施例,因此不應被視為對該等實施例的範圍的限制,並且可以接受其他同等有效的實施例。
圖1是依據一個實施例的系統的透視圖。
圖2A是依據一個實施例的影像投影系統的示意橫截面圖。
圖2B和圖2C是依據一個實施例的空間光調變器的示意圖。
圖3是依據一個實施例的計算系統的示意圖。
圖4是依據一個實施例的單次曝露微影應用的示意圖。
圖5是依據一個實施例的控制器的示意圖。
圖6是依據一個實施例,在數位微影製程期間的基板的一部分的示意平面圖。
圖7A是依據一個實施例,分成複數個子網格的曝露區域的示意平面圖。
圖7B是依據一個實施例,具有複數個子網格的灰色圖案的示意平面圖。
圖8A是依據一個實施例的灰色圖案的局部閃光密度的圖解。
圖8是依據一個實施例,與圖8A的圖解對應的圖表。
圖9是依據一個實施例,用微影製程在光阻層中形成三維輪廓的方法的流程圖。
為了便於理解,在可能的情況下,使用了相同的附圖標記來指明圖式中共同的相同元素。可以預期,一個實施例的元素和特徵可以有益地併入其他實施例,而無需進一步敘述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
120:基板
600:部分
601:光阻層
602:曝露區域
604:聚集閃光圖案
606:閃光
608:網格
610:單位區域
612:聚集閃光間距
614:閃光步幅
606A:第一閃光
606B:第二閃光
606C:第三閃光
606D:第四閃光
606E:第五閃光
Claims (20)
- 一種系統,包括: 一平板(slab); 一可動平台,可設置在該平板上,該可動平台被配置為支撐一基板,該基板上設置有一光阻層; 一控制器,被配置為向一微影系統提供掩模圖案資料,該掩模圖案資料具有一曝露區域,該曝露區域具有一灰色圖案,其中該灰色圖案由複數個子網格界定,每個子網格包括界定在該子網格中的一圖案區域;以及 一微影系統支撐件,與該平板耦合並具有一開口,以允許該可動平台在該微影系統支撐件下面通過,其中: 該微影系統具有一處理單元,該處理單元具有接收該掩模圖案資料的複數個影像投影系統; 每個影像投影系統包括一空間光調變器,該空間光調變器具有複數個空間光調變器像素,以投射複數道閃光(shot); 該控制器被配置為將複數個圖案區域定位在該等子網格中的每一者內,以變化每個子網格處的一局部閃光密度;以及 該控制器被配置為指示該等空間光調變器中的每一者將該複數道閃光投射到該灰色圖案的每個子網格中的該複數個圖案區域。
- 如請求項1所述的系統,其中該局部閃光密度與該圖案區域與每個子網格的一面積比對應。
- 如請求項2所述的系統,其中該控制器被配置為增加該局部閃光密度,以增加要在顯影期間移除的該光阻層的一厚度。
- 如請求項3所述的系統,其中該控制器被配置為減少該局部閃光密度,以減少要在顯影期間移除的該光阻層的一厚度。
- 如請求項1所述的系統,其中該控制器被配置為指示將該複數道閃光投射到該複數個圖案區域,其中該複數道閃光將該光阻層曝露於從該影像投影系統發射的光的一強度,以在該光阻層中形成一三維輪廓。
- 如請求項5所述的系統,其中該三維輪廓是彎曲的、球形的、非球形的、凹形的、凸形的、錐形的、半圓柱形的或有角度的輪廓。
- 如請求項1所述的系統,其中該空間光調變器的該複數個空間光調變器像素中的每個空間光調變器像素可以由該控制器單獨控制。
- 如請求項1所述的系統,其中由一個子網格中的每個圖案區域界定的該局部閃光密度與至少一個相鄰的子網格中的該局部閃光密度不同。
- 一種儲存指令的非暫時性電腦可讀取媒體,該等指令當由一處理器執行時,導致一電腦系統執行以下步驟: 向一微影系統的一處理單元提供具有複數個曝露區域的一掩模圖案資料,該處理單元具有接收該掩模圖案資料的複數個影像投影系統,其中每個曝露區域包括一灰色圖案,該灰色圖案包括: 複數個子網格;以及 每個子網格中的複數個圖案區域,該複數個圖案區域與每個子網格的一局部閃光密度對應;以及 在該複數個影像投影系統下對上面設置有一光阻層的一基板的單次掃瞄中: 將對該灰色圖案的該複數個圖案區域的複數道閃光投射到該光阻層;以及 對該光阻層進行顯影,以在該光阻層中形成一三維輪廓,該三維輪廓由每個曝露區域的每個子網格處的該局部閃光密度界定。
- 如請求項9所述的非暫時性電腦可讀取媒體,其中每個影像投影系統包括具有複數個鏡子的一空間光調變器,以將該複數道閃光投射到一聚集閃光圖案的該曝露區域。
- 如請求項9所述的非暫時性電腦可讀取媒體,其中每個影像投影系統中的一光源的一脈衝寬度乘以對該基板的該單次掃瞄的一速度為一像素間距的約100%至150%,其中該像素間距是該複數個影像投影系統中的空間光調變器像素的相鄰形心之間的一距離。
- 如請求項9所述的非暫時性電腦可讀取媒體,其中該複數個影像投影系統是離焦的,其中該複數道閃光在該等曝露區域中被模糊化。
- 如請求項9所述的非暫時性電腦可讀取媒體,進一步包括一烘烤製程,其中該光阻層在約150℃至約250℃的一溫度下進行烘烤。
- 一種方法,包括以下步驟: 向一微影系統的一處理單元提供具有複數個曝露區域的一掩模圖案資料,該處理單元具有接收該掩模圖案資料的複數個影像投影系統,其中每個曝露區域包括一灰色圖案,該灰色圖案包括: 複數個子網格;以及 每個子網格中的複數個圖案區域,該複數個圖案區域與每個子網格的一局部閃光密度對應;以及 在該複數個影像投影系統下對上面設置有一光阻層的一基板的單次掃瞄中: 將對該灰色圖案的該複數個圖案區域的複數道閃光投射到該光阻層;以及 對該光阻層進行顯影,以在該光阻層中形成一三維輪廓,該三維輪廓由每個曝露區域的每個子網格處的該局部閃光密度界定。
- 如請求項14所述的方法,其中每個影像投影系統包括具有複數個鏡子的一空間光調變器,以將該複數道閃光投射到一聚集閃光圖案的該曝露區域。
- 如請求項14所述的方法,其中每個影像投影系統中的一光源的一脈衝寬度乘以對該基板的該單次掃瞄的一速度為一像素間距的約100%至150%,其中該像素間距是該複數個影像投影系統中的空間光調變器像素的相鄰形心之間的一距離。
- 如請求項14所述的方法,其中該複數個影像投影系統是離焦的,其中該複數道閃光在該等曝露區域中被模糊化。
- 如請求項14所述的方法,進一步包括一烘烤製程,其中該光阻層在約150℃至約250℃的一溫度下進行烘烤。
- 如請求項14所述的方法,其中該灰色圖案的該複數個圖案區域是基於每個子網格處期望的該局部閃光密度導出的。
- 如請求項14所述的方法,進一步包括以下步驟:在該光阻層上執行一蝕刻製程,使得該三維輪廓可以轉移到設置在該光阻層下方的一個或多個底層薄膜層中。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2021/063803 WO2023113803A1 (en) | 2021-12-16 | 2021-12-16 | Generate 3d photoresist profiles using digital lithography |
WOPCT/US21/63803 | 2021-12-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202340869A true TW202340869A (zh) | 2023-10-16 |
Family
ID=86773235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111147353A TW202340869A (zh) | 2021-12-16 | 2022-12-09 | 使用數位微影術來產生3d光阻劑輪廓 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW202340869A (zh) |
WO (1) | WO2023113803A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6833854B1 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-21 | Micronic Laser Systems Ab | Method for high precision printing of patterns |
TWI497231B (zh) * | 2011-11-18 | 2015-08-21 | David Arthur Markle | 以超越繞射極限光子直接寫入之裝置及方法 |
US10719018B2 (en) * | 2018-07-10 | 2020-07-21 | Applied Materials, Inc. | Dynamic imaging system |
US10495979B1 (en) * | 2019-02-19 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Half tone scheme for maskless lithography |
US10571809B1 (en) * | 2019-02-19 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Half tone scheme for maskless lithography |
-
2021
- 2021-12-16 WO PCT/US2021/063803 patent/WO2023113803A1/en unknown
-
2022
- 2022-12-09 TW TW111147353A patent/TW202340869A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023113803A1 (en) | 2023-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7302041B2 (ja) | ラインのうねりを低減するための方法 | |
CN112255887B (zh) | 分段对准建模方法 | |
CN107810448B (zh) | 使用时间偏移曝光的非均匀图案校正 | |
JP2024016140A (ja) | マスクレスリソグラフィのためのハーフトーンスキーム | |
US10935890B2 (en) | Half tone scheme for maskless lithography | |
US20220357665A1 (en) | Decreasing Distortion by Modifying Pixel Spacing | |
TW202340869A (zh) | 使用數位微影術來產生3d光阻劑輪廓 | |
US20220326616A1 (en) | Multi-tone scheme for maskless lithography | |
US20240231239A9 (en) | Gray tone uniformity control over substrate topography | |
US20240134287A1 (en) | Gray tone uniformity control over substrate topography | |
JP7166435B2 (ja) | 高画像コントラストを維持しながらマスクレスリソグラフィの分解能を向上させるための方法 | |
TWI840508B (zh) | 用於微影製程的系統和方法,及其非暫時性電腦可讀取媒體 | |
TWI840509B (zh) | 用於無遮罩微影技術的系統、非暫時性電腦可讀取媒體及方法 | |
US20230152684A1 (en) | Mura reduction method | |
US20160284044A1 (en) | Low-latency high bandwidth data path |