TW202340520A - 噴淋頭面板配置 - Google Patents

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TW202340520A
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羅彬
史帝芬 塔平
凱伊斯 喬瑟夫 馬丁
程偉峰
猶佳斯 巴巴爾
普拉莫 瑟藍莫尼恩
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美商蘭姆研究公司
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Abstract

一種用於處理基板的噴淋頭，該噴淋頭包含一背板以及一面板，該面板附接至該背板。該面板包含面向該背板的第一表面、在該第一表面對面的第二表面、及在該第一表面與該第二表面之間延伸的複數通孔。該第一表面與該第二表面中之至少一者為至少部分地輪廓化的。

Description

噴淋頭面板配置
本揭露大致關於基板處理系統，且更具體地關於用於基板處理系統中的噴淋頭面板配置。
此處所提供之先前技術說明係為了大體上介紹本揭露之背景。在此先前技術章節所敘述之範圍內之本案列名之發明人的成果、以及在申請時不適格作為先前技術之說明書的實施態樣，皆非有意地或暗示地被承認為對抗本揭露之先前技術。
基板處理系統(亦稱為工具)包含處理腔室(亦稱為站或處理模組)。在處理腔室中，半導體基板(亦稱為晶圓)配置在台座上。一或更多處理氣體從噴淋頭供應到處理腔室。電漿在噴淋頭和台座之間激發，以在基板上沉積材料或從基板上去除(蝕刻)材料。
一種用於處理基板的噴淋頭，該噴淋頭包含一背板及一面板，該面板附接至該背板。該面板包含面向該背板的第一表面、在該第一表面對面的第二表面、及在該第一表面與該第二表面之間延伸的複數通孔。該第一表面與該第二表面中之至少一者為至少部分地輪廓化的。
在附加特徵中，該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分為至少部分地凹形。
在附加特徵中，該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分為至少部分地凸形。
在附加特徵中，該背板與該面板為圓柱形，且該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分從該面板的外徑向該面板的內徑傾斜。
在附加特徵中，該背板與該面板為圓柱形，且該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分從該面板的內徑向該面板的外徑傾斜。
在附加特徵中，該背板與該面板為圓柱形。該第一表面與該第二表面中之一者的第一輪廓化部分從該面板的內徑向該面板的外徑傾斜。該第一表面與該第二表面中之另一者的第二輪廓化部分從該面板的該外徑向該面板的該內徑傾斜。
在附加特徵中，該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分具有線性斜率。
在附加特徵中，該第一表面與該第二表面中之該至少一者的該至少部分之輪廓化部分具有多項式斜率。
在附加特徵中，該第一表面與該第二表面中之該至少一者的該至少部分之輪廓化部分具有線性斜率和多項式斜率。
在附加特徵中，該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分至少部分地延伸朝向該背板。
在附加特徵中，該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分至少部分地延伸遠離該背板。
在附加特徵中，該第一表面與該第二表面中之一者的第一輪廓化部分至少部分地延伸朝向該背板。該第一表面與該第二表面中之另一者的第二輪廓化部分至少部分地延伸遠離該背板。
在附加特徵中，該等通孔位於該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分之內。
在附加特徵中，該等通孔的一部分位於該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分之外。
在附加特徵中，該背板與該面板為圓柱形，且該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分延伸在該面板的內徑之內。
在附加特徵中，該背板與該面板為圓柱形，且該第二表面的輪廓化部分延伸在該面板的外徑之內。
在附加特徵中，該背板與該面板為圓柱形。該第一表面的輪廓化部分延伸在該面板的內徑之內。該第二表面的輪廓化部分延伸在該面板的外徑之內。
在附加特徵中，該背板與該面板為圓柱形。該面板包含附接至該背板的一側壁。該背板、該面板、及該側壁限定一氣室。該噴淋頭更包含一桿部，該桿部附接至該背板。該桿部包含一氣體入口。一導管從該氣體入口延伸通過該桿部、該背板、和該面板而至該氣室。該氣體入口、該氣室、及該通孔彼此流體連接。
在附加特徵中，一種用於處理基板的系統包含該噴淋頭；一台座，用以支撐該基板；一致動器，用以相對於該噴淋頭而移動該台座；及一控制器，用以控制該致動器。
在附加特徵中，一種用於處理基板的系統包含該噴淋頭；一氣體源，用以將一氣體供應至該氣體入口；一台座，用以支撐該基板；一射頻源，用以供應射頻功率以活化該氣體；一致動器，用以相對於該噴淋頭而移動該台座。該系統包含一控制器，用以控制該氣體源、該射頻源、及該致動器。
透過實施方式、申請專利範圍及圖式，本揭露之進一步應用領域將變得顯而易見。實施方式及特定範例僅用於說明之目的，其用意不在於限制本揭露之範圍。
在基板處理系統中(參照圖1所示的範例)，可透過噴淋頭供應一或更多處理氣體以將膜沉積在配置在台座上的基板上。若干沉積處理還在沉積期間使用電漿。許多因素影響沉積在基板上的膜之特性(即，厚度輪廓)。影響膜特性的因素之非限制性範例包括噴淋頭面板中通孔的尺寸、密度、和分布；面板的形狀；面板與基板之間的距離。
若干應用需要沉積在基板上的膜具有徑向上均勻(平坦)的厚度輪廓，而其他應用需要非徑向均勻而是徑向上變化的輪廓。許多技術被用來改變膜的性質。例如，可控制諸如處理氣體通過噴淋頭的流速、電漿密度分布等參數來調整膜輪廓。然而，這些技術往往是不足夠的並且具有非所欲的副作用。
本揭露提供諸多形狀的面板以調整沉積在基板上的膜之性質。具體地，如下文詳細解釋的，面板可在內側(即，在背對基板的一側)、在外側(即，在面向基板的一側)或其組合上輪廓化。如本文所用，輪廓化一表面意指如本揭露所述地形塑表面。例如，輪廓化的表面是具有本文所述的形狀、外形、或輪廓的表面。例如，輪廓化的表面包括彎曲表面、具有斜度的表面、或包括彎曲部分、具有斜度的部分、平坦表面、或其任何組合的表面。面板的輪廓改變了面板中通孔沿噴淋頭半徑的高度(或深度)。通孔沿半徑的深度變化改變了橫跨噴淋頭半徑之處理氣體流動的阻力。橫跨噴淋頭半徑之處理氣體流動的阻力變化改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
尤其，面板的內部輪廓可透過徑向地調整處理氣體的壓力分布來調整膜的徑向輪廓。面板的外部輪廓可透過徑向地調整處理氣體的壓力分布和透過徑向地調整電漿密度來調整膜的徑向輪廓。例如，除了使用內部和/或外部輪廓化面板之外，還可調整面板和基板之間的距離(即，噴淋頭和台座之間的間隙)以進一步調整膜特性。面板的外部輪廓也可影響其他特性，例如基板上的應力。下面詳細描述本揭露的這些和其他特徵。 基板處理系統
圖1顯示基板處理系統100的範例。基板處理系統100包含處理腔室102、氣體分配系統104、歧管106、射頻(RF)源108、閥110、幫浦112、和控制器114。處理腔室102包含台座120和配置在台座120上方的噴淋頭122。在處理期間，基板124配置在台座120上。
台座120包含一或更多加熱器，大致顯示在126處。雖然圖未示出，但台座120還可包括冷卻通道，冷卻劑可通過該冷卻通道循環。台座120還包括一或更多大致顯示在128處的溫度感測器。加熱器126和冷卻通道在處理期間控制基板124的溫度。
噴淋頭122包含基部130和桿部132。基部130的形狀通常為圓柱形，並且包含背板和面板，它們在下文中參照圖2-10所示而詳細描述。桿部132從基部130的中心延伸，並附接到處理腔室102的頂部。噴淋頭130還可包括加熱器和冷卻通道(均未顯示)。噴淋頭130還包括一或更多大致顯示在134處的溫度感測器。
氣體分配系統104包括複數氣體源140、複數閥142、複數質量流量控制器(MFC)144。氣體源140通過閥142和MFC 144將處理氣體供應至歧管106。氣體分配系統104還通過一或更多閥148將一或更多汽化前驅物146供應至歧管106。歧管106通過噴淋頭130的桿部132將一或更多處理氣體和/或一或更多汽化前驅物供應至噴淋頭130。噴淋頭130經由噴淋頭面板中的通孔將氣體供應到處理腔室102中，其顯示於圖2-10中。
RF源108包含RF產生器150和匹配電路152。RF產生器產生RF功率。匹配電路152在台座120接地的情況下將RF功率供應至噴淋頭130。或者，可將RF功率供應至台座120，並可將噴淋頭130接地。RF功率活化處理氣體和/或前驅物以產生電漿154。
致動器116在向上和向下方向上移動台座120以在處理期間調整台座120和噴淋頭130之間的間隙。可替代地或附加地，雖然圖未示出，一或更多致動器可用於相對於台座120移動噴淋頭130。閥110和幫浦112保持處理腔室102中的壓力並從處理腔室102排出氣體。控制器114控制上述基板處理系統100的所有元件(即，構件)。 噴淋頭
圖2顯示可用於圖1所示的基板處理系統100之噴淋頭200的橫截面。噴淋頭200包含基部202和從基部202延伸的桿部204。桿部204包括接收處理氣體的入口206。基部202包括背板210和面板212。背板210大致為圓柱形。面板212附接到背板210的外徑(OD)，如下文更詳細地解釋的。桿部204從背板210的中心延伸。
面板212大致為C形且亦為圓柱形。具體地，面板212包含圓柱基部220和側壁222。側壁222從圓柱基部220延伸。側壁222向背板210延伸並附接至背板210。具體地，側壁222附接至背板210的OD。背板210的底表面211垂直於側壁222的內表面223。背板210的底表面211平行於圓柱基部220和背板210所在的平面。
背板210和面板212限定氣室230。具體地，背板210的底表面211、圓柱基部220的頂表面221、和側壁222的內表面223限定氣室230。導管205從入口206延伸穿過桿部204和背板210。導管205與氣室230流體連接。氣室230與入口206流體連接。儘管沒有參照圖3-10進行描述，但導管205在圖3-10中示出並且類似地將入口206連接到圖3-10中顯示的相應氣室。
圓柱基部220包含複數通孔232-1、232-2、232-3、…、和232-N(統稱為通孔232)。通孔232從面板212的底部延伸至面板212的頂部。具體地，通孔232從圓柱基部220的底部延伸至圓柱基部220的頂部。更具體地，通孔232從圓柱基部220的面向基板之底表面234延伸至圓柱基部220的背對基板之頂表面221。
下方對圓柱基部220的頂表面221和底表面234之描述適用於下文參照圖3-10所示和描述的所有噴淋頭之圓柱基部的頂表面和底表面。圓柱基部220的頂表面221面向背板210的底表面211並平行於背板210的底表面211。因此，圓柱基部220的頂表面221背對基板。頂表面221也可稱為圓柱基部220的內表面221，且底表面234也可稱為圓柱基部220的外表面234。一般而言，頂表面221可稱為圓柱基部220的第一表面，而底表面234可稱為圓柱基部220的第二表面。圓柱基部的頂表面和底表面之替代術語以及圓柱基部的頂表面和底表面相對於背板210和基板的空間關係適用於下文參照圖3-10所描述的所有噴淋頭之圓柱基部的頂表面和底表面。
通孔232沿垂直於圓柱基部220和背板210所在平面的軸線垂直地延伸穿過圓柱基部220。通孔232從圓柱基部220的中心分布直到側壁222的內徑(ID)。通孔232與氣室230和入口206流體連接。從入口206接收的氣體流過氣室230並經由通孔232流入處理腔室。
下方對通孔232之描述適用於下文參照圖3-10所示和描述的所有通孔。儘管為了繪示方便而只示出若干通孔232，但通孔232的數量可為數千的數量級。在若干應用中，雖然未示出，但通孔232可配置為不同圖案。例如，通孔232可配置成正方形圖案、六邊形圖案(蜂巢)圖案等。在若干應用中，通孔232可配置在分布於圓柱基部220上的不同區域或不同形狀的區域中。在若干應用中，通孔232可具有不同直徑，並且通孔232的密度於各區域可各不相同。在若干應用中，通孔232可能不是垂直的。另外，可透過如下方參照圖3-10描述的輪廓化圓柱基部220來改變通孔232的高度。在若干應用中，可使用通孔232的這些配置之任何組合。
圖3-10顯示包括根據本揭露的面板之諸多配置的噴淋頭。圖3-10所示的噴淋頭可用於圖1所示的基板處理系統100中。圖3-10中所示的噴淋頭之面板不同於如下方顯示和描述的面板212。圖3顯示具有內部輪廓的面板之範例。圖4-6顯示具有外部輪廓的面板之範例。圖7-10顯示具有內部和外部輪廓的面板之範例。應注意，圓柱基部的頂表面和底表面之一或兩者的輪廓化部分可根據處理需求而以多種方式變化。圖3-10中所示的輪廓僅為說明性的而非限制性的。 具有內部輪廓的面板
圖3顯示包含根據本揭露的面板之噴淋頭300。面板包含如下詳細描述的內部輪廓。噴淋頭300包含基部302和桿部204。基部302包含背板210和面板312。面板312大致為C形且亦為圓柱形。具體地，面板312包含圓柱基部320和側壁322。側壁322從圓柱基部320延伸。側壁322向背板210延伸並附接至背板210。具體地，側壁322附接至背板210的OD。背板210的底表面211垂直於側壁322的內表面323。
背板210和面板312限定氣室330。具體地，背板210的底表面211、圓柱基部320的頂表面321、和側壁322的內表面323限定氣室330。氣室330與入口206流體連接。
圓柱基部320背對基板的頂表面321不是平坦的。相反地，圓柱基部320的頂表面321是輪廓化的。例如，圓柱基部320的頂表面321大致為凹的。具體地，頂表面321的第一部分350從側壁322的ID徑向地向內延伸第一距離。第一部分350從側壁322的內表面323垂直延伸第一距離。第一部分350平行於圓柱基部320的底表面334並平行於背板210的底表面211延伸第一距離。
此後，頂表面321的第二部分352從第一部分350徑向地向內延伸，並朝向圓柱基部320的底表面334逐漸變細第二距離。第二部分352朝向圓柱基部320的中心逐漸變細第二距離。此後，頂表面321的第三部分354從第二部分352延伸第三距離到圓柱基部320的中心。第三部分354平行於圓柱基部320的底表面334延伸第三距離。圓柱基部320面向基板的底表面334垂直於側壁322的內表面323並平行於背板210的底表面211。因此，頂表面321的第三部分354也垂直於側壁322的內表面323延伸第三距離並平行於背板210的底表面211。
上述頂表面321的大致凹形也稱為面板312的內部輪廓，因為圓柱基部320的頂表面321也是面板312的內表面。應注意，頂表面321的輪廓可從圓柱基部320的頂表面321上之任何徑向點處開始。類似地，頂表面321的輪廓也可在圓柱基部320的頂表面321上之任何徑向點處結束。例如，可改變第一、第二、和第三距離。此外，頂表面321的輪廓化部分之斜率可為線性的或多項式的。
圓柱基部320包含複數通孔332-1、332-2、332-3、…、和332-N(統稱為通孔332)。通孔332從面板312的底部延伸至面板312的頂部。具體地，通孔332從圓柱基部320的底部延伸至圓柱基部320的頂部。更具體地，通孔332從圓柱基部320的面向基板之底表面334延伸至圓柱基部320的背對基板之頂表面321。底表面334也可稱為圓柱基部320的外表面334，而頂表面321也可稱為圓柱基部320的內表面321。
通孔332沿垂直於圓柱基部320和背板210所在平面的軸線垂直地延伸穿過圓柱基部320。通孔332從圓柱基部320的中心分布直到側壁322的ID。通孔332與氣室330和入口206流體連接。從入口206接收的氣體流過氣室330並經由通孔332流入處理腔室。
由於圓柱基部320的頂表面321之輪廓，圓柱基部320中的通孔332的高度(或深度)從側壁322的ID到圓柱基部320的中心如圖所示地變化。通孔332的變化之高度改變了橫跨噴淋頭300的半徑之處理氣體流動的阻力。橫跨半徑之處理氣體流動的阻力變化改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。此外，在噴淋頭300和基板之間的間隙可如上文參照圖1所解釋的變化。改變間隙改變了噴淋頭300和基板之間的電漿密度，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
具體地，由於圓柱基部320的頂表面321之輪廓，圓柱基部320被分成複數同心徑向區域。在所示範例中，圓柱基部320分成第一、第二、和第三同心徑向區域，分別顯示為Z1、Z2、和Z3。圓柱基部320的第一區域Z1從側壁322的ID朝向圓柱基部320的中心徑向地向內延伸第一距離。第一區域Z1的OD與側壁322的ID相同。圓柱基部320的第二區域Z2從第一區域Z1的ID朝向圓柱基部320的中心徑向地向內延伸第二距離。第二區域Z2的OD與第一區域Z1的ID相同。圓柱基部320的第三區域Z3從第二區域Z2的ID向圓柱基部320的中心徑向地向內延伸第三距離。第三區域Z3的OD與第二區域Z2的ID相同。
第一區域Z1的寬度(即，第一區域Z1的OD與ID之差)等於第一距離。第二區域Z2的寬度(即，第二區域Z2的OD與ID之差)等於第二距離。第三區域Z3的寬度(即，第三區域Z3的OD與圓柱基部320的中心之距離)等於第三距離。圓柱基部320之顯示為Z1、Z2、和Z3的第一、第二、和第三徑向區域中的通孔332之高度變化如下。
由於圓柱基部320的頂表面321之輪廓，第一區域Z1中靠近側壁322的ID之最外通孔332之高度大於第二區域Z2和第三區域Z3中的通孔332。第三區域Z3中靠近圓柱基部320中心的最內通孔332之高度小於第一區域Z1和第二區域Z2中的通孔332。因此，圓柱基部320的第三區域Z3中之最內通孔332對處理氣體流動提供最小的阻力，而圓柱基部320的第一區域Z1中之最外通孔332對處理氣體流動提供最大的阻力。第二區域Z2中的通孔332之高度大於第三區域Z3中的通孔332之高度且小於第一區域Z1中的通孔332之高度。因此，第二區域Z2中的通孔332比第三區域Z3中的通孔332對處理氣體流動提供較大的阻力，而比第一區域Z1中的通孔332對處理氣體流動提供較小的阻力。
具體地，第二區域Z2中的通孔332對處理氣體流動提供變化的阻力，因為第二區域Z2中的通孔332之高度在第二區域Z2中的整個輪廓化部分中變化。更具體地，第二區域Z2中的通孔332之高度從第二區域Z2的OD朝向圓柱基部320的中心 (即，朝向第二區域Z2的ID)逐漸減小。因此，第二區域Z2中的通孔332對處理氣體流動從第二區域Z2的OD朝向圓柱基部320的中心(即，朝向第二區域Z2的ID)提供逐漸減小的阻力。第一區域Z1中的最外通孔332對處理氣體流動提供最大的阻力。因此，使用噴淋頭300處理的基板之膜輪廓不同於使用噴淋頭200處理的基板之膜輪廓。
此外，在噴淋頭300和基板之間的間隙可如上文參照圖1所解釋的變化。改變間隙改變了噴淋頭300和基板之間的電漿密度，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。因此，使用噴淋頭300處理的基板之膜輪廓不同於使用噴淋頭200處理的基板之膜輪廓。 具有外部輪廓的面板
圖4顯示包含根據本揭露的面板之噴淋頭400。面板包含如下詳細描述的外部輪廓。噴淋頭400包含基部402和桿部204。基部402包含背板210和面板412。面板412大致為C形且亦為圓柱形。具體地，面板412包含圓柱基部420和側壁422。側壁422從圓柱基部420延伸。側壁422向背板210延伸並附接至背板210。具體地，側壁422附接至背板210的OD。背板210的底表面211垂直於側壁422的內表面423。
背板210和面板412限定氣室430。具體地，背板210的底表面211、圓柱基部420的頂表面421、和側壁422的內表面423限定氣室430。氣室430與入口206流體連接。
圓柱基部420背對基板的頂表面421是平坦的。圓柱基部420的頂表面421垂直於側壁422的內表面423。圓柱基部420的頂表面421平行於背板210的底表面211。圓柱基部420的底表面434不是平坦的。相反地，圓柱基部420的底表面434是輪廓化的。
具體地，底表面434的第一部分450從側壁422的OD徑向地向內延伸第一距離。第一部分450從側壁422垂直延伸第一距離。第一部分450平行於圓柱基部420的頂表面421並平行於背板210的底表面211延伸第一距離。
此後，底表面434的第二部分452從第一部分450徑向地向內延伸第二距離。第二部分452相對於頂表面421朝著遠離圓柱基部420的中心逐漸變細第二距離。此後，底表面434的第三部分454從第二部分452延伸第三距離到圓柱基部420的中心。第三部分454平行於圓柱基部420的頂表面421延伸第三距離。圓柱基部420背對基板的頂表面421垂直於側壁422的內表面423並平行於背板210的底表面211。因此，底表面434的第三部分454也垂直於側壁422的內表面423延伸第三距離並平行於背板210的底表面211。
上述底表面434的大致凸形也稱為面板412的外部輪廓，因為圓柱基部420的底表面434也是面板412的外表面。應注意，底表面434的輪廓可從圓柱基部420的底表面434上之任何徑向點處開始。類似地，底表面434的輪廓也可在圓柱基部420的底表面434上之任何徑向點處結束。例如，可改變第一、第二、和第三距離。此外，底表面434的輪廓化部分之斜率可為線性的或多項式的。
圓柱基部420包含複數通孔432-1、432-2、432-3、…、和432-N(統稱為通孔432)。通孔432從面板412的底部延伸至面板412的頂部。具體地，通孔432從圓柱基部420的底部延伸至圓柱基部420的頂部。更具體地，通孔432從圓柱基部420的面向基板之底表面434延伸至圓柱基部420的背對基板之頂表面421。底表面434也可稱為圓柱基部420的外表面434，而頂表面421也可稱為圓柱基部420的內表面421。
通孔432沿垂直於圓柱基部420和背板210所在平面的軸線垂直地延伸穿過圓柱基部420。通孔432從圓柱基部420的中心分布直到側壁422的ID。通孔432與氣室430和入口206流體連接。從入口206接收的氣體流過氣室430並經由通孔432流入處理腔室。
由於圓柱基部420的底表面434之輪廓，圓柱基部420中的通孔432的高度(或深度)從側壁422的ID到圓柱基部420的中心如圖所示地變化。通孔432的變化之高度改變了橫跨噴淋頭400的半徑之處理氣體流動的阻力。橫跨半徑之處理氣體流動的阻力變化改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
此外，由於圓柱基部420的底表面434之輪廓，處理氣體離開通孔432的方向也發生變化，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。此外，在噴淋頭400和基板之間的間隙可如上文參照圖1所解釋的變化。改變間隙改變了噴淋頭400和基板之間的電漿密度，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
具體地，由於圓柱基部420的底表面434之輪廓，圓柱基部420被分成複數同心徑向區域。在所示範例中，圓柱基部420分成第一、第二、和第三同心徑向區域，分別顯示為Z1、Z2、和Z3。圓柱基部420的第一區域Z1從側壁422的OD朝向圓柱基部420的中心徑向地向內延伸第一距離。第一區域Z1的OD與側壁422的ID相同。圓柱基部420的第二區域Z2從第一區域Z1的ID朝向圓柱基部420的中心徑向地向內延伸第二距離。第二區域Z2的OD與第一區域Z1的ID相同。圓柱基部420的第三區域Z3從第二區域Z2的ID向圓柱基部420的中心徑向地向內延伸第三距離。第三區域Z3的OD與第二區域Z2的ID相同。
第一區域Z1的寬度(即，第一區域Z1的OD與ID之差)等於第一距離。第二區域Z2的寬度(即，第二區域Z2的OD與ID之差)等於第二距離。第三區域Z3的寬度(即，第三區域Z3的OD與圓柱基部420的中心之距離)等於第三距離。圓柱基部420之顯示為Z1、Z2、和Z3的第一、第二、和第三徑向區域中的通孔432之高度變化如下。
由於圓柱基部420的底表面434之輪廓，第一區域Z1中靠近側壁422的ID之最外通孔432之高度小於第二區域Z2和第三區域Z3中的通孔432。第三區域Z3中靠近圓柱基部420中心的最內通孔432之高度大於第一區域Z1和第二區域Z2中的通孔432。因此，第一區域Z1中之最外通孔432對處理氣體流動提供最小的阻力，而第三區域Z3中之最內通孔432對處理氣體流動提供最大的阻力。第二區域Z2中的通孔432之高度大於第一區域Z1中的通孔432之高度且小於第三區域Z3中的通孔432之高度。因此，第二區域Z2中的通孔432比第一區域Z1中的通孔432對處理氣體流動提供較大的阻力，而比第三區域Z3中的通孔432對處理氣體流動提供較小的阻力。
具體地，第二區域Z2中的通孔432對處理氣體流動提供變化的阻力，因為第二區域Z2中的通孔432之高度在第二區域Z2中的整個輪廓化部分中變化。更具體地，第二區域Z2中的通孔432之高度從第二區域Z2的OD朝向圓柱基部420的中心 (即，朝向第二區域Z2的ID)逐漸增加。因此，第二區域Z2中的通孔432對處理氣體流動從第二區域Z2的OD朝向圓柱基部420的中心(即，朝向第二區域Z2的ID)提供逐漸增加的阻力。第三區域Z3中的最內通孔432對處理氣體流動提供最大的阻力。
此外，由於輪廓化，與第一區域Z1和第三區域Z3中的通孔432相比，處理氣體以不同的方向經由第二區域Z2中的通孔432離開。此外，不同區域中的通孔432與基板之間的距離也不同。因此，使用噴淋頭400處理的基板之膜輪廓不同於使用噴淋頭200和300處理的基板之膜輪廓。
圖5顯示包含根據本揭露的面板之噴淋頭500。面板包含如下詳細描述的外部輪廓。噴淋頭500包含基部502和桿部204。基部502包含背板210和面板512。面板512大致為C形且亦為圓柱形。具體地，面板512包含圓柱基部520和側壁522。側壁522從圓柱基部520延伸。側壁522向背板210延伸並附接至背板210。具體地，側壁522附接至背板210的OD。背板210的底表面211垂直於側壁522的內表面523。
背板210和面板512限定氣室530。具體地，背板210的底表面211、圓柱基部520的頂表面521、和側壁522的內表面523限定氣室530。氣室530與入口206流體連接。
圓柱基部520背對基板的頂表面521是平坦的。圓柱基部520的頂表面521垂直於側壁522的內表面523。圓柱基部520的頂表面521平行於背板210的底表面211。圓柱基部520的底表面534不是平坦的。相反地，圓柱基部520的底表面534是輪廓化的。
具體地，底表面534的第一部分550從側壁522的OD徑向地向內延伸第一距離。第一部分550從側壁522垂直延伸第一距離並平行於背板210的底表面211。此後，底表面534的第二部分552從第一部分550延伸第二距離。第二部分552朝向頂表面521徑向地向內逐漸變細第二距離。第二部分552朝向圓柱基部520的中心逐漸變細第二距離。
此後，底表面534的第三部分554從第二部分552延伸第三距離。第三部分554朝向圓柱基部520的中心徑向地向內延伸第三距離。第三部分554垂直於側壁522延伸第三距離並平行於背板210的底表面211。第三部分554平行於第一部分550。
此後，底表面534的第四部分556從第三部分554延伸第四距離。第四部分556相對於頂表面521朝著遠離圓柱基部520的中心逐漸變細第四距離。此後，底表面534的第五部分558從第四部分556延伸第五距離。第五部分558從第四部分556延伸第五距離到圓柱基部520的中心。第五部分558平行於圓柱基部520的頂表面521延伸第五距離並平行於背板210的底表面211。圓柱基部520背對基板的頂表面521垂直於側壁522的內表面523並平行於背板210的底表面211。因此，底表面534的第五部分558也垂直於側壁522的內表面523延伸第五距離並平行於背板210的底表面211。第五部分558平行於第三部分554和第一部分550。
上述底表面534的大致凸形也稱為面板512的外部輪廓，因為圓柱基部520的底表面534也是面板512的外表面。應注意，底表面534的輪廓可從圓柱基部520的底表面534上之任何徑向點處開始。類似地，底表面534的輪廓也可在圓柱基部520的底表面534上之任何徑向點處結束。例如，可改變第一、第二、第三、第四、和第五距離。此外，底表面534的輪廓化部分之斜率可為線性的或多項式的。
圓柱基部520包含複數通孔532-1、532-2、532-3、…、和532-N(統稱為通孔532)。通孔532從面板512的底部延伸至面板512的頂部。具體地，通孔532從圓柱基部520的底部延伸至圓柱基部520的頂部。更具體地，通孔532從圓柱基部520的面向基板之底表面534延伸至圓柱基部520的背對基板之頂表面521。底表面534也可稱為圓柱基部520的外表面534，且頂表面521也可稱為圓柱基部520的內表面521。
通孔532沿垂直於圓柱基部520和背板210所在平面的軸線垂直地延伸穿過圓柱基部520。通孔532從圓柱基部520的中心分布直到側壁522的ID。通孔532與氣室530和入口206流體連接。從入口206接收的氣體流過氣室530並經由通孔532流入處理腔室。
由於圓柱基部520的底表面534之輪廓，圓柱基部520中的通孔532的高度(或深度)從側壁522的ID到圓柱基部520的中心如圖所示地變化。通孔532的變化之高度改變了橫跨噴淋頭500的半徑之處理氣體流動的阻力。橫跨半徑之處理氣體流動的阻力變化改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
此外，由於圓柱基部520的底表面534之輪廓，處理氣體離開通孔532的方向也發生變化，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。此外，在噴淋頭500和基板之間的間隙可如上文參照圖1所解釋的變化。改變間隙改變了噴淋頭500和基板之間的電漿密度，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
具體地，由於圓柱基部520的底表面534之輪廓，圓柱基部520被分成複數同心徑向區域。在所示範例中，圓柱基部520分成第一、第二、第三、第四、和第五同心徑向區域，分別顯示為Z1、Z2、Z3、Z4、和Z5。圓柱基部520的第一區域Z1從側壁522的OD朝向圓柱基部520的中心徑向地向內延伸第一距離。第一區域Z1的OD與側壁522的OD相同。在所示範例中，第一區域Z1不包括任何通孔532。
圓柱基部520的第二區域Z2從第一區域Z1的ID朝向圓柱基部520的中心徑向地向內延伸第二距離。第二區域Z2的OD與第一區域Z1的ID相同。圓柱基部520的第三區域Z3從第二區域Z2的ID向圓柱基部520的中心徑向地向內延伸第三距離。第三區域Z3的OD與第二區域Z2的ID相同。
圓柱基部520的第四區域Z4從第三區域Z3的ID朝向圓柱基部520的中心徑向地向內延伸第四距離。第四區域Z4的OD與第三區域Z3的ID相同。圓柱基部520的第五區域Z5從第四區域Z4的ID向圓柱基部520的中心徑向地向內延伸第五距離。第五區域Z5的OD與第四區域Z4的ID相同。
第一區域Z1的寬度(即，第一區域Z1的OD與ID之差)等於第一距離。第二區域Z2的寬度(即，第二區域Z2的OD與ID之差)等於第二距離。第三區域Z3的寬度(即，第三區域Z3的OD與ID之差)等於第三距離。第四區域Z4的寬度(即，第四區域Z4的OD與ID之差)等於第四距離。第五區域Z5的寬度(即，第五區域Z5的OD與圓柱基部520的中心之距離)等於第五距離。圓柱基部520之顯示為Z2、Z3、Z4、和Z5的第二、第三、第四、和第五徑向區域中的通孔532之高度變化如下。
由於圓柱基部520的底表面534之輪廓，第二區域Z2中的最外通孔532具有不同的高度並且因此對處理氣體的流動提供不同的阻力。具體地，第二區域Z2中的通孔532之高度從第二區域Z2的OD向第二區域Z2的ID(即，朝向圓柱基部520的中心)逐漸減小。因此，第二區域Z2中的通孔532對處理氣體流動從第二區域Z2的OD向第二區域Z2的ID(即，朝向圓柱基部520的中心)提供逐漸減小的阻力。
第三區域Z3中的通孔532之高度小於第二區域Z2、第四區域Z4、和第五區域Z5中的通孔532。因此，第三區域Z3中的通孔532對處理氣體流動提供的阻力小於第二區域Z2、第四區域Z4、和第五區域Z5中的通孔532。在所示範例中，第三區域Z3中的通孔532相比於第二區域Z2、第四區域Z4、和第五區域Z5中的通孔532具有最小的高度。因此，第三區域Z3中的通孔532相比於第二區域Z2、第四區域Z4、和第五區域Z5中的通孔532對處理氣體流動提供最小的阻力。
在第四區域Z4中的通孔532具有不同的高度並且因此對處理氣體的流動提供不同的阻力。具體地，第四區域Z4中的通孔532之高度從第四區域Z4的OD向第四區域Z4的ID(即，朝向圓柱基部520的中心)逐漸增加。因此，第四區域Z4中的通孔532對處理氣體流動從第四區域Z4的OD向第四區域Z4的ID(即，朝向圓柱基部520的中心)提供逐漸增加的阻力。第四區域Z4中的通孔532之高度大於第三區域Z3中的通孔532並小於第五區域Z5中的通孔532。因此，第四區域Z4中的通孔532對處理氣體流動提供比第三區域Z3中的通孔532較大的阻力並對處理氣體流動提供比第五區域Z5中的通孔532較小的阻力。
第五區域Z5中的最內通孔532具有最大的高度並且因此對處理氣體流動提供最大的阻力。此外，由於輪廓化，與第二區域Z2和第四區域Z4中的通孔532相比，處理氣體以不同的方向經由第三區域Z3和第五區域Z5中的通孔532離開。此外，不同區域中的通孔532與基板之間的距離也不同。因此，使用噴淋頭500處理的基板之膜輪廓不同於使用噴淋頭200、300、和400處理的基板之膜輪廓。
圖6顯示包含根據本揭露的面板之噴淋頭600。面板包含如下詳細描述的外部輪廓。噴淋頭600包含基部602和桿部204。基部602包含背板210和面板612。面板612大致為C形且亦為圓柱形。具體地，面板612包含圓柱基部620和側壁622。側壁622從圓柱基部620延伸。側壁622向背板210延伸並附接至背板210。具體地，側壁622附接至背板210的OD。背板210的底表面211垂直於側壁622的內表面623。
背板210和面板612限定氣室630。具體地，背板210的底表面211、圓柱基部620的頂表面621、和側壁622的內表面623限定氣室630。氣室630與入口206流體連接。
圓柱基部620背對基板的頂表面621是平坦的。圓柱基部620的頂表面621垂直於側壁622的內表面623。圓柱基部620的頂表面621平行於背板210的底表面211。圓柱基部620的底表面634不是平坦的。相反地，圓柱基部620的底表面634是輪廓化的。
具體地，底表面634的第一部分650從側壁622的OD徑向地向內延伸第一距離。第一部分650從側壁622垂直延伸第一距離。第一部分650平行於圓柱基部620的頂表面621並平行於背板210的底表面211延伸第一距離。
此後，底表面634的第二部分652從第一部分650徑向地向內延伸第二距離。第二部分652朝向圓柱基部620的頂表面621逐漸變細第二距離。第二部分652朝向圓柱基部620的中心逐漸變細第二距離。
此後，底表面634的第三部分654從第二部分652向圓柱基部620的中心延伸第三距離。第三部分654平行於圓柱基部620的頂表面621延伸第三距離。圓柱基部620背對基板的頂表面621垂直於側壁622的內表面623並平行於背板210的底表面211。因此，底表面634的第三部分654也垂直於側壁622的內表面623延伸第三距離並平行於背板210的底表面211。
底表面634的大致凹形也稱為面板612的外部輪廓，因為圓柱基部620的底表面634也是面板612的外表面。應注意，底表面634的輪廓可從圓柱基部620的底表面634上之任何徑向點處開始。類似地，底表面634的輪廓也可在圓柱基部620的底表面634上之任何徑向點處結束。例如，可改變第一、第二、和第三距離。此外，底表面634的輪廓化部分之斜率可為線性的或多項式的。
圓柱基部620包含複數通孔632-1、632-2、632-3、…、和632-N(統稱為通孔632)。通孔632從面板612的底部延伸至面板612的頂部。具體地，通孔632從圓柱基部620的底部延伸至圓柱基部620的頂部。更具體地，通孔632從圓柱基部620的面向基板之底表面634延伸至圓柱基部620的背對基板之頂表面621。底表面634也可稱為圓柱基部620的外表面634，而頂表面621也可稱為圓柱基部620的內表面621。
通孔632沿垂直於圓柱基部620和背板210所在平面的軸線垂直地延伸穿過圓柱基部620。通孔632從圓柱基部620的中心分布直到側壁622的ID。通孔632與氣室630和入口206流體連接。從入口206接收的氣體流過氣室630並經由通孔632流入處理腔室。
由於圓柱基部620的底表面634之輪廓，圓柱基部620中的通孔632的高度(或深度)從側壁622的ID到圓柱基部620的中心如圖所示地變化。通孔632的變化之高度改變了橫跨噴淋頭600的半徑之處理氣體流動的阻力。橫跨半徑之處理氣體流動的阻力變化改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
此外，由於圓柱基部620的底表面634之輪廓，處理氣體離開通孔632的方向也發生變化，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。此外，在噴淋頭600和基板之間的間隙可如上文參照圖1所解釋的變化。改變間隙改變了噴淋頭600和基板之間的電漿密度，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
具體地，由於圓柱基部620的底表面634之輪廓，圓柱基部620被分成複數同心徑向區域。在所示範例中，圓柱基部620分成第一、第二、和第三同心徑向區域，分別顯示為Z1、Z2、和Z3。圓柱基部620的第一區域Z1從側壁622的OD朝向圓柱基部620的中心徑向地向內延伸第一距離。第一區域Z1的OD與側壁622的ID相同。圓柱基部620的第二區域Z2從第一區域Z1的ID朝向圓柱基部620的中心徑向地向內延伸第二距離。第二區域Z2的OD與第一區域Z1的ID相同。圓柱基部620的第三區域Z3從第二區域Z2的ID向圓柱基部620的中心徑向地向內延伸第三距離。第三區域Z3的OD與第二區域Z2的ID相同。
第一區域Z1的寬度(即，第一區域Z1的OD與ID之差)等於第一距離。第二區域Z2的寬度(即，第二區域Z2的OD與ID之差)等於第二距離。第三區域Z3的寬度(即，第三區域Z3的OD與圓柱基部620的中心之距離)等於第三距離。圓柱基部620之顯示為Z1、Z2、和Z3的第一、第二、和第三徑向區域中的通孔632之高度變化如下。
由於圓柱基部620的底表面634之輪廓，第一區域Z1中靠近側壁622的ID之最外通孔632之高度大於第二區域Z2和第三區域Z3中的通孔632。第三區域Z3中靠近圓柱基部620中心的最內通孔632之高度小於第一區域Z1和第二區域Z2中的通孔632。因此，第一區域Z1中之最外通孔632對處理氣體流動提供最大的阻力，而第三區域Z3中之最內通孔632對處理氣體流動提供最小的阻力。第二區域Z2中的通孔632之高度小於第一區域Z1中的通孔632之高度且大於第三區域Z3中的通孔632之高度。因此，第二區域Z2中的通孔632比第一區域Z1中的通孔632對處理氣體流動提供較小的阻力，而比第三區域Z3中的通孔632對處理氣體流動提供較大的阻力。
具體地，第二區域Z2中的通孔632對處理氣體流動提供變化的阻力，因為第二區域Z2中的通孔632之高度在第二區域Z2中的整個輪廓化部分中變化。具體地，第二區域Z2中的通孔632之高度從第二區域Z2的OD朝向圓柱基部620的中心 (即，朝向第二區域Z2的ID)逐漸減小。因此，第二區域Z2中的通孔632對處理氣體流動從第二區域Z2的OD朝向圓柱基部620的中心(即，朝向第二區域Z2的ID)提供逐漸減小的阻力。第三區域Z3中的最內通孔632對處理氣體流動提供最小的阻力。
此外，由於輪廓化，與第一區域Z1和第三區域Z3中的通孔632相比，處理氣體以不同的方向經由第二區域Z2中的通孔632離開。此外，不同區域中的通孔632與基板之間的距離也不同。因此，使用噴淋頭600處理的基板之膜輪廓不同於使用圖2-5中顯示之噴淋頭處理的基板之膜輪廓。 具有內部和外部輪廓的面板
圖7顯示包含根據本揭露的面板之噴淋頭700。面板包含如下詳細描述的內部與外部輪廓。噴淋頭700包含基部702和桿部204。基部702包含背板210和面板712。面板712包括圖3和圖4顯示的面板312和412的特徵之組合。
面板712大致為C形且亦為圓柱形。具體地，面板712包含圓柱基部720和側壁722。側壁722從圓柱基部720延伸。側壁722向背板210延伸並附接至背板210。具體地，側壁722附接至背板210的OD。背板210的底表面211垂直於側壁722的內表面723。
背板210和面板712限定氣室730。具體地，背板210的底表面211、圓柱基部720的頂表面721、和側壁722的內表面723限定氣室730。氣室730與入口206流體連接。
圓柱基部720背對基板的頂表面721和圓柱基部720面向基板的底表面734兩者皆是輪廓化的而非平坦的。例如，圓柱基部720的頂表面721大致為凹的，而圓柱基部720的底表面734大致為凸的。
具體地，頂表面721的第一部分750從側壁722的ID徑向地向內延伸第一距離。第一部分750從側壁722的內表面723垂直延伸第一距離。第一部分750平行於背板210的底表面211延伸第一距離。此後，頂表面721的第二部分752從第一部分750徑向地向內延伸，並朝向圓柱基部720的底表面734逐漸變細第二距離。第二部分752朝向圓柱基部720的中心逐漸變細第二距離。
此後，頂表面721的第三部分754從第二部分752延伸第三距離到圓柱基部720的中心。第三部分754平行於背板210的底表面211延伸第三距離。背板210的底表面211垂直於側壁722的內表面723。因此，頂表面721的第三部分754也垂直於側壁722的內表面723延伸第三距離。
上述頂表面721的大致凹形也稱為面板712的內部輪廓，因為圓柱基部720的頂表面721也是面板712的內表面。應注意，頂表面721的輪廓可從圓柱基部720的頂表面721上之任何徑向點處開始。類似地，頂表面721的輪廓也可在圓柱基部720的頂表面721上之任何徑向點處結束。例如，可改變頂表面721的第一、第二、和第三距離。此外，頂表面721的輪廓化部分之斜率可為線性的或多項式的。
此外，底表面734的第一部分751從側壁722的OD徑向地向內延伸第一距離。第一部分751從側壁722垂直延伸第一距離。第一部分751平行於背板210的底表面211延伸第一距離。此後，底表面734的第二部分753從第一部分751徑向地向內延伸第二距離。第二部分753相對於頂表面721朝著遠離圓柱基部720的中心逐漸變細第二距離。
此後，底表面734的第三部分755從第二部分753延伸第三距離到圓柱基部720的中心。第三部分755平行於背板210的底表面211延伸第三距離。背板210的底表面211垂直於側壁722的內表面723。因此，底表面734的第三部分755也垂直於側壁722的內表面723延伸第三距離。
上述底表面734的大致凸形也稱為面板712的外部輪廓，因為圓柱基部720的底表面734也是面板712的外表面。應注意，底表面734的輪廓可從圓柱基部720的底表面734上之任何徑向點處開始。類似地，底表面734的輪廓也可在圓柱基部720的底表面734上之任何徑向點處結束。例如，可改變底表面734的第一、第二、和第三距離。此外，底表面734的輪廓化部分之斜率可為線性的或多項式的。
雖然圓柱基部720的頂表面721和底表面734的輪廓顯示為對稱的，但頂表面721和底表面734的輪廓可為不對稱的。例如，在若干應用中，頂表面721和底表面734的第一、第二、和第三距離可不同地變化。
圓柱基部720包含複數通孔732-1、732-2、732-3、…、和732-N(統稱為通孔732)。通孔732從面板712的底部延伸至面板712的頂部。具體地，通孔732從圓柱基部720的底部延伸至圓柱基部720的頂部。更具體地，通孔732從圓柱基部720的面向基板之底表面734延伸至圓柱基部720的背對基板之頂表面721。底表面734也可稱為圓柱基部720的外表面734，而頂表面721也可稱為圓柱基部720的內表面721。
通孔732沿垂直於圓柱基部720和背板210所在平面的軸線垂直地延伸穿過圓柱基部720。通孔732從圓柱基部720的中心分布直到側壁722的ID。通孔732與氣室730和入口206流體連接。從入口206接收的氣體流過氣室730並經由通孔732流入處理腔室。
由於圓柱基部720的頂表面721和底表面734之輪廓，圓柱基部720中的通孔732的高度(或深度)從側壁722的ID到圓柱基部720的中心可變化。例如，雖然頂表面721和底表面734的部分延伸之距離顯示為相同的，但這些距離可為不同的。因此，雖然通孔732的高度在所示範例中看起來相同，但通孔732的高度在不同區域可為不同的(如下所述)。通孔732的變化之高度改變了橫跨噴淋頭700的半徑之處理氣體流動的阻力。橫跨半徑之處理氣體流動的阻力變化改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
此外，由於圓柱基部720的底表面734之輪廓，處理氣體離開通孔732的方向也發生變化，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。此外，在噴淋頭700和基板之間的間隙可如上文參照圖1所解釋的變化。改變間隙改變了噴淋頭700和基板之間的電漿密度，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
具體地，由於圓柱基部720的頂表面721和底表面734之輪廓，圓柱基部720被分成複數同心徑向區域。在所示範例中，圓柱基部720分成第一、第二、和第三同心徑向區域，分別顯示為Z1、Z2、和Z3。圓柱基部720的第一區域Z1從側壁722的ID朝向圓柱基部720的中心徑向地向內延伸第一距離。第一區域Z1的OD與側壁722的ID相同。圓柱基部720的第二區域Z2從第一區域Z1的ID朝向圓柱基部720的中心徑向地向內延伸第二距離。第二區域Z2的OD與第一區域Z1的ID相同。圓柱基部720的第三區域Z3從第二區域Z2的ID向圓柱基部720的中心徑向地向內延伸第三距離。第三區域Z3的OD與第二區域Z2的ID相同。
第一區域Z1的寬度(即，第一區域Z1的OD與ID之差)等於第一距離。第二區域Z2的寬度(即，第二區域Z2的OD與ID之差)等於第二距離。第三區域Z3的寬度(即，第三區域Z3的OD與圓柱基部720的中心之距離)等於第三距離。圓柱基部720之顯示為Z1、Z2、和Z3的第一、第二、和第三徑向區域中的通孔732之高度可根據圓柱基部720的頂表面721和底表面734的輪廓而變化。此外，由於圓柱基部720的底表面734之輪廓化，與第一區域Z1和第三區域Z3中的通孔732相比，處理氣體以不同的方向經由第二區域Z2中的通孔732離開。此外，不同區域中的通孔732與基板之間的距離也不同。因此，使用噴淋頭700處理的基板之膜輪廓不同於使用圖2-6中顯示之噴淋頭處理的基板之膜輪廓。
圖8顯示包含根據本揭露的面板之噴淋頭800。面板包含如下詳細描述的內部和外部輪廓。噴淋頭800包含基部802和桿部204。基部802包含背板810和面板812。基部802包含背板210和面板812。面板812包括圖3和圖5顯示的面板312和512的特徵之組合。
面板812大致為C形且亦為圓柱形。具體地，面板812包含圓柱基部820和側壁822。側壁822從圓柱基部820延伸。側壁822向背板210延伸並附接至背板210。具體地，側壁822附接至背板210的OD。背板210的底表面211垂直於側壁822的內表面823。
背板210和面板812限定氣室830。具體地，背板210的底表面211、圓柱基部820的頂表面821、和側壁822的內表面823限定氣室830。氣室830與入口206流體連接。
圓柱基部820背對基板的頂表面821和圓柱基部820面向基板的底表面834兩者皆是輪廓化的而非平坦的。例如，圓柱基部820的頂表面821大致為凹的，而圓柱基部820的底表面834大致為凸的。
具體地，頂表面821的第一部分850從側壁822的ID徑向地向內延伸第一距離。第一部分850從側壁822的內表面823垂直延伸第一距離。第一部分850平行於背板210的底表面211延伸第一距離。此後，頂表面821的第二部分852從第一部分850徑向地向內延伸，並朝向圓柱基部820的底表面834逐漸變細第二距離。第二部分852朝向圓柱基部820的中心逐漸變細第二距離。
此後，頂表面821的第三部分854從第二部分852延伸第三距離到圓柱基部820的中心。第三部分854平行於背板210的底表面211延伸第三距離。背板210的底表面211垂直於側壁822的內表面823。頂表面821的第三部分854也垂直於側壁822的內表面823延伸第三距離。
上述頂表面821的大致凹形也稱為面板812的內部輪廓，因為圓柱基部820的頂表面821也是面板812的內表面。應注意，頂表面821的輪廓可從圓柱基部820的頂表面821上之任何徑向點處開始。類似地，頂表面821的輪廓也可在圓柱基部820的頂表面821上之任何徑向點處結束。例如，可改變頂表面821的第一、第二、和第三距離。此外，頂表面821的輪廓化部分之斜率可為線性的或多項式的。
此外，底表面834的第一部分860從側壁822的OD徑向地向內延伸第一距離。第一部分860從側壁822垂直延伸第一距離並平行於背板210的底表面211。此後，底表面834的第二部分862從第一部分860延伸第二距離。第二部分862朝向頂表面821徑向地向內逐漸變細第二距離。第二部分862朝向圓柱基部820的中心逐漸變細第二距離。
此後，底表面834的第三部分864從第二部分862延伸第三距離。第三部分864朝向圓柱基部820的中心徑向地向內延伸第三距離。第三部分864垂直於側壁822延伸第三距離並平行於背板210的底表面211。第三部分864也平行於第一部分860。應注意，圓柱基部820的底表面834之第一、第二、和第三距離與圓柱基部820的頂表面821之第一、第二、和第三距離不同。
此後，底表面834的第四部分866從第三部分864延伸第四距離。第四部分866相對於頂表面821朝著遠離圓柱基部820的中心逐漸變細第四距離。此後，底表面834的第五部分868從第四部分866延伸第五距離。第五部分868從第四部分866延伸第五距離到圓柱基部820的中心。第五部分868平行於背板210的底表面211延伸。第五部分868垂直於側壁822的內表面823延伸第五距離。第五部分868也平行於第三部分864和第一部分860。
上述底表面834的大致凸形也稱為面板812的外部輪廓，因為圓柱基部820的底表面834也是面板812的外表面。應注意，底表面834的輪廓可從圓柱基部820的底表面834上之任何徑向點處開始。類似地，底表面834的輪廓也可在圓柱基部820的底表面834上之任何徑向點處結束。例如，在若干應用中，底表面834的第一、第二、第三、第四、和第五距離可不同地變化。此外，底表面834的輪廓化部分之斜率可為線性的或多項式的。
雖然圓柱基部820的頂表面821和底表面834之輪廓化部分顯示為對稱的，但頂表面821和底表面834的輪廓化部分可為不對稱的。例如，在若干應用中，頂表面821的第二和第三距離及底表面834的第四和第五距離可不同地變化。
圓柱基部820包含複數通孔832-1、832-2、832-3、…、和832-N(統稱為通孔832)。通孔832從面板812的底部延伸至面板812的頂部。具體地，通孔832從圓柱基部820的底部延伸至圓柱基部820的頂部。更具體地，通孔832從圓柱基部820的面向基板之底表面834延伸至圓柱基部820的背對基板之頂表面821。底表面834也可稱為圓柱基部820的外表面834，而頂表面821也可稱為圓柱基部820的內表面821。
通孔832沿垂直於圓柱基部820和背板210所在平面的軸線垂直地延伸穿過圓柱基部820。通孔832從圓柱基部820的中心分布直到側壁822的ID。通孔832與氣室830和入口206流體連接。從入口206接收的氣體流過氣室830並經由通孔832流入處理腔室。
由於圓柱基部820的頂表面821和底表面834之輪廓，圓柱基部820中的通孔832的高度(或深度)從側壁822的ID到圓柱基部820的中心可變化。例如，雖然頂表面821和底表面834的輪廓化部分顯示為相同的，但頂表面821和底表面834的輪廓化部分可為不同的。因此，雖然在所示範例中若干通孔832的高度看起來相同，但通孔832的高度在不同區域可為不同的，其與上文參照圖3-5所述的相似。
此外， 在所示範例中，最外區域中靠近側壁822的ID之通孔832的高度大於其餘通孔832的高度。最外區域的一範例顯示為如圖5所示的第二區域Z2。此外，由於圓柱基部820的底表面834之輪廓，最外區域中的通孔832具有不同的高度且因此對處理氣體流動提供不同的阻力。具體地，最外區域中的通孔832之高度從側壁822的ID朝向圓柱基部820的中心逐漸減小。因此，最外區域中的通孔832對處理氣體從側壁822的ID朝向圓柱基部820的中心提供逐漸減小的阻力。
因此，通孔832的變化之高度改變了橫跨噴淋頭800的半徑之處理氣體流動的阻力。橫跨半徑之處理氣體流動的阻力變化改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。此外，由於圓柱基部820的底表面834之輪廓，處理氣體離開通孔832的方向也發生變化，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。此外，在不同區域的通孔832和基板之間的距離也不同。此外，噴淋頭800和基板之間的間隙可如上文參照圖1所解釋的變化。改變間隙改變了噴淋頭800和基板之間的電漿密度，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。因此，使用噴淋頭800處理的基板之膜輪廓不同於使用如圖2-7所示的噴淋頭處理的基板之膜輪廓。
圖9顯示噴淋頭900，其為圖8所示的噴淋頭800之變形。噴淋頭900包含根據本揭露的面板812-1。除了面板812-1的以下差異之外，噴淋頭900與噴淋頭800相似。在噴淋頭800中，圓柱基部800的頂表面821之第一部分850平行於背板210的底表面211延伸第一距離，如上文參照圖8所述。相反地，在噴淋頭900中，頂表面821的最外部分如圖9所示在870處逐漸變細。因此，圖8所示的第一部分850在圖9中顯示為第一部分850-1。
具體地，頂表面821的最外部分870從側壁822的ID徑向地向內延伸第四距離。最外部分870朝向背板210的底表面211延伸第四距離。此後，第一部分850-1從最外部分870徑向地向內延伸小於參照圖8中顯示的第一部分850所描述的第一距離。第一部分850-1垂直於側壁822的內表面823並平行於背板210的底表面211延伸小於第一距離。噴淋頭900的其餘部分與噴淋頭800的其餘部分相似。
由於逐漸變細的最外部分870，最外通孔832(例如，在圖5所示的第二區域Z2中)具有不同的高度並對處理氣體流動提供不同的阻力。此外，由於最外部分870的逐漸變細情形，處理氣體離開最外通孔832的方向也發生變化，其相比於噴淋頭800，進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。此外，最外通孔832和基板之間的距離也不相同。因此，使用噴淋頭900處理的基板之膜輪廓不同於使用噴淋頭800以及如圖2-7所示的噴淋頭處理的基板之膜輪廓。
圖10顯示包含根據本揭露的面板之噴淋頭1000。面板包含如下詳細描述的內部和外部輪廓。噴淋頭1000包含基部1002和桿部204。基部1002包含背板210和面板1012。面板1012包括如圖3和6所示的面板312和612的特徵之組合。
面板1012大致為C形且亦為圓柱形。具體地，面板1012包含圓柱基部1020和側壁1022。側壁1022從圓柱基部1020延伸。側壁1022向背板210延伸並附接至背板210。具體地，側壁1022附接至背板210的OD。背板210的底表面211垂直於側壁1022的內表面1023。
背板210和面板1012限定氣室。具體地，背板210的底表面211、圓柱基部1020的頂表面1021、和側壁1022的內表面1023限定氣室330。氣室1030與入口206流體連接。
圓柱基部1020背對基板的頂表面1021和圓柱基部1020面向基板的底表面1034兩者皆是輪廓化的而非平坦的。例如，圓柱基部1020的頂表面1021大致為凹的，而圓柱基部1020的底表面1034也大致為凹的。在所示範例中，圓柱基部1020的頂表面1021和底表面1034的輪廓使得圓柱基部1020的頂表面1021和底表面1034是彼此的鏡像。然而，在若干應用中，圓柱基部1020的頂表面1021和底表面1034的輪廓可為不同的。
如圖所示，頂表面1021的第一部分1050從側壁1022的ID徑向地向內延伸第一距離。第一部分1050從側壁1022的內表面1023垂直延伸第一距離。第一部分1050平行於背板210的底表面211延伸第一距離。此後，頂表面1021的第二部分1052從第一部分1050徑向地向內延伸，並朝向圓柱基部1020的底表面1034逐漸變細第二距離。第二部分1052朝向圓柱基部1020的中心逐漸變細第二距離。此後，頂表面1021的第三部分1054從第二部分1052延伸第三距離到圓柱基部1020的中心。第三部分1054平行於背板210的底表面211延伸第三距離。背板210的底表面211垂直於側壁1022的內表面1023。因此，頂表面1021的第三部分1054也垂直於側壁1022的內表面1023延伸第三距離。
上述頂表面1021的大致凹形也稱為面板1012的內部輪廓，因為圓柱基部1020的頂表面1021也是面板1012的內表面。應注意，頂表面1021的輪廓可從圓柱基部1020的頂表面1021上之任何徑向點處開始。類似地，頂表面1021的輪廓也可在圓柱基部1020的頂表面1021上之任何徑向點處結束。例如，可改變頂表面1021的第一、第二、和第三距離。此外，頂表面1021的輪廓化部分之斜率可為線性的或多項式的。
此外，底表面1034的第一部分1051從側壁1022的OD徑向地向內延伸第一距離。第一部分1051從側壁1022垂直延伸第一距離。第一部分1051平行於背板210的底表面211延伸第一距離。頂表面1021的第一部分1050平行於底表面1034的第一部分1051。此後，底表面1034的第二部分1053從第一部分1051徑向地向內延伸第二距離。第二部分1053朝向圓柱基部1020的頂表面1021逐漸變細第二距離。第二部分1053朝向圓柱基部1020的中心逐漸變細第二距離。
此後，底表面1034的第三部分1055從第二部分1053向圓柱基部1020的中心延伸第三距離。第三部分1055平行於背板210的底表面211延伸。背板210的底表面211垂直於側壁1022的內表面1023。因此，底表面1034的第三部分1055也垂直於側壁1022的內表面1023延伸第三距離。頂表面1021的第三部分1054平行於底表面1034的第三部分1055。
上述底表面1034的大致凹形也稱為面板1012的外部輪廓，因為圓柱基部1020的底表面1034也是面板1012的外表面。應注意，底表面1034的輪廓可從圓柱基部1020的底表面1034上之任何徑向點處開始。類似地，底表面1034的輪廓也可在圓柱基部1020的底表面1034上之任何徑向點處結束。例如，可改變底表面1034的第一、第二、和第三距離。此外，底表面1034的輪廓化部分之斜率可為線性的或多項式的。
在所示範例中，頂表面1021與底表面1034的第一、第二、和第三距離顯示為相等的。然而，在若干應用中，頂表面1021的第一、第二、和第三距離可不同於底表面1034的第一、第二、和第三距離。因此，雖然頂表面1021和底表面1034的輪廓顯示為對稱的，但頂表面1021和底表面1034的輪廓可為不對稱的。
圓柱基部1020包含複數通孔1032-1、1032-2、1032-3、…、和1032-N(統稱為通孔1032)。通孔1032從面板1012的底部延伸至面板1012的頂部。具體地，通孔1032從圓柱基部1020的底部延伸至圓柱基部1020的頂部。更具體地，通孔1032從圓柱基部1020的面向基板之底表面1034延伸至圓柱基部1020的背對基板之頂表面1021。底表面1034也可稱為圓柱基部1020的外表面1034，而頂表面1021也可稱為圓柱基部1020的內表面1021。
通孔1032沿垂直於圓柱基部1020和背板210所在平面的軸線垂直地延伸穿過圓柱基部1020。通孔1032從圓柱基部1020的中心分布直到側壁1022的ID。通孔1032與氣室1030和入口206流體連接。從入口206接收的氣體流過氣室1030並經由通孔1032流入處理腔室。
由於圓柱基部1020的頂表面1021和底表面1034之輪廓，圓柱基部1020中的通孔1032的高度(或深度)從側壁1022的ID到圓柱基部1020的中心可變化。通孔1032的變化之高度改變了橫跨噴淋頭1000的半徑之處理氣體流動的阻力。橫跨半徑之處理氣體流動的阻力變化改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
此外，由於圓柱基部1020的底表面1034之輪廓，處理氣體離開通孔1032的方向也發生變化，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。此外，在噴淋頭1000和基板之間的間隙可如上文參照圖1所解釋的變化。改變間隙改變了噴淋頭1000和基板之間的電漿密度，其進一步改變了沉積在基板上的膜之膜輪廓。
具體地，由於圓柱基部1020的頂表面1021和底表面1034之輪廓，圓柱基部1020被分成複數同心徑向區域。在所示範例中，圓柱基部1020分成第一、第二、和第三同心徑向區域，分別顯示為Z1、Z2、和Z3。圓柱基部1020的第一區域Z1從側壁1022的ID朝向圓柱基部1020的中心徑向地向內延伸第一距離。第一區域Z1的OD與側壁1022的ID相同。圓柱基部1020的第二區域Z2從第一區域Z1的ID朝向圓柱基部1020的中心徑向地向內延伸第二距離。第二區域Z2的OD與第一區域Z1的ID相同。圓柱基部1020的第三區域Z3從第二區域Z2的ID向圓柱基部1020的中心徑向地向內延伸第三距離。第三區域Z3的OD與第二區域Z2的ID相同。
第一區域Z1的寬度(即，第一區域Z1的OD與ID之差)等於第一距離。第二區域Z2的寬度(即，第二區域Z2的OD與ID之差)等於第二距離。第三區域Z3的寬度(即，第三區域Z3的OD與圓柱基部1020的中心之距離)等於第三距離。通孔1032之顯示為Z1、Z2、和Z3的第一、第二、和第三徑向區域中的通孔1032之高度可根據圓柱基部1020的頂表面1021和底表面1034的輪廓而變化。
例如，第一區域Z1中的最外通孔1032之高度大於第二區域Z2和第三區域Z3中的通孔1032。因此，第一區域Z1中之通孔1032比第二區域Z2和第三區域Z3中的通孔1032對處理氣體流動提供較大的阻力。第三區域Z3中的最內通孔1032之高度小於第一區域Z1和第二區域Z2中的通孔1032。因此，第三區域Z3中的通孔1032比第一區域Z1和第二區域Z2中的通孔1032對處理氣體流動提供較小的阻力。
此外，第二區域Z2中的通孔1032之高度從第二區域Z2的OD朝向第二區域Z2的ID(即，朝向圓柱基部1020的中心)逐漸減小。因此，第二區域Z2中的通孔1032對處理氣體流動從第二區域Z2的OD朝向第二區域Z2的ID(即，朝向圓柱基部1020的中心)提供逐漸減小的阻力。
此外，由於圓柱基部1020的底表面1034之輪廓化，與第一區域Z1和第三區域Z3中的通孔1032相比，處理氣體以不同的方向經由第二區域Z2中的通孔1032離開。此外，不同區域中的通孔1032與基板之間的距離也不同。因此，使用噴淋頭1000處理的基板之膜輪廓不同於使用圖2-9中顯示之噴淋頭處理的基板之膜輪廓。
應注意，雖然面板的凸形內部輪廓未明確地顯示，但在噴淋頭200中，可將面板212的圓柱基部234之頂表面221輪廓化為具有凸形的。例如，面板212的圓柱基部234之頂表面221可朝向背板210的底表面211彎曲。在此配置中，通孔的特性和處理氣體經由通孔的流動特性在上文中參照圖3描述將為相反的或反轉的。此外，圓柱基部的頂表面之相似凸形輪廓可與圖4-10所示的噴淋頭中顯示的圓柱基部的底表面之輪廓一起實施，以實現額外的膜輪廓和特性。
前述的實施方式在本質上僅為說明性的，且並非意旨對本揭露、其應用、或使用進行限制。本揭露的廣義教示得以各種形式而實施。因此，雖然本揭露包括特定範例，惟本揭露的真實範圍應當不因此而受限，原因在於在對圖式、說明書、及下列申請專利範圍進行研讀後，其他的修正將變得顯而易知。應理解，在不變更本揭露之原理的情況下，一方法中的一或更多的步驟得以不同順序(或同時地)執行。此外，雖然係將各實施例在上方描述成具有特定特徵，但可將對於本揭露之任何實施例所描述的任一或更多這些特徵實施在、及/或組合至任何其他實施例的特徵，即使該組合並未明確地描述。換言之，所描述的實施例並非為互斥的，且一或更多實施例彼此的置換仍在本揭露的範圍內。
複數元件之間(例如，在模組、電路元件、半導體膜層之間:等)的空間與功能性關係使用諸多用語來描述，包括「連接」、「接合」、「耦合」、「相鄰」、「在…旁」、「在…的頂部」、「在…之上」、「在…之下」、以及「配置」。除非明確描述為「直接」，否則在上述揭露內容中描述第一與第二元件之間的關係時，該關係可為在第一和第二元件之間不存在其他中間元件的直接關係，亦可為一或更多中間元件存在(不論空間上或功能上)於第一和第二元件之間的非直接關係。如本文所用，片語「A、B及C其中至少一者」應解釋為表示使用非排他邏輯「或(OR)」之邏輯(「A或B或C」)，而不應解釋為表示「至少一A、至少一B、及至少一C」。
在有些實施例中，控制器為系統的一部分，該系統可為上述範例之一部分。此系統可包含半導體處理設備，包括一或更多處理工具、一或更多腔室、一或更多處理平台、和/或特定處理構件(晶圓基座、氣體流動系統等)。可將這些系統與電子元件進行整合以在處理半導體晶圓或基板之前、期間、及之後控制它們的操作。所述電子元件可被稱為「控制器」，其可控制一或更多系統的各種構件或子部件。取決於處理需求和/或系統類型，可將控制器進行編程以控制本文所揭露之任何處理，包括處理氣體的輸送、溫度設定(例如，加熱和/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、定位與操作設定、與特定系統連接或接合的一工具及其他運送工具及/或負載鎖室的晶圓運送進出。
廣義而言，可將控制器定義成具有各種積體電路、邏輯、記憶體、和/或軟體的電子元件，其接收指令、發送指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用終點測量等。所述積體電路可包括以韌體形式儲存程序指令的晶片、數位訊號處理器(DSPs)、定義為特殊應用積體電路(ASICs)的晶片、和/或執行程式指令(例如，軟體)的一或更多微處理器或微控制器。程式指令可為以各種獨立設定(或程式檔案)形式而與控制器通訊的指令，而定義出用於在半導體晶圓上、或針對半導體晶圓、或對系統執行特定處理的操作參數。在一些實施例中，操作參數可為製程工程師所定義的配方之一部分，以在將一或更多膜層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、和/或晶圓的晶粒之製造期間完成一或更多的處理步驟。
在有些實施例中，控制器可為電腦的一部分或耦合至電腦，該電腦係與系統整合、耦合至所述系統、或以網路連接到系統、或是其組合。例如，控制器可位於「雲端」中、或晶圓廠主電腦系統的全部或一部分中，其可允許晶圓處理的遠端存取。電腦可對系統進行遠端存取，以監控製造操作的當前進展、檢視過去製造操作的歷史、由複數製造操作檢視趨勢或性能指標、改變當前處理的參數、設定處理步驟以依循當前處理、或開始新處理。在一些範例中，遠端電腦(例如，伺服器)可通過網路向系統提供處理配方，該網路可包括區域網路或網際網路。遠端電腦可包括使用者介面，而能夠對參數和/或設定進行輸入或編程，所述參數和/或設定則接著從遠端電腦通訊至系統。
在一些範例中，控制器接收數據形式的指令，該指令係指明一或更多操作期間待執行的各處理步驟所用之參數。應理解，可將所述參數特定於待執行的處理之類型以及控制器所設置以與之接合或控制的工具之類型。因此，如上所述，控制器可例如藉由包括一或更多離散控制器而進行分佈，其中所述離散控制器係彼此以網路連接且朝向共同的目的而作業，例如此處所述的處理和控制。為此目的所分佈的控制器之示例係位於腔室上的一或更多積體電路，其與遠端設置（例如，位於平台層或作為遠端電腦的一部分）的一或更多積體電路通訊，且結合以控制腔室上之處理。
不具限制地，例示系統可包括電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉-沖洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清潔腔室或模組、斜角邊緣蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積 (PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、以及可能有關於或使用於半導體晶圓之加工及/或製造中的任何其他半導體處理系統。
如前所述，取決於工具待執行的一或更多處理步驟，控制器可通訊至一或多其他工具電路或模組、其他工具構件、群集式工具、其他工具介面、相鄰工具、鄰近工具、遍布於工廠的工具、主電腦、另一控制器、或用於材料傳送中的工具，該等工具將晶圓的容器來回傳送於半導體生產工廠中的工具位置和/或裝載埠。
100:基板處理系統 102:處理腔室 104:氣體分配系統 106:歧管 108:RF源 110:閥 112:幫浦 114:控制器 116:致動器 120:台座 122:噴淋頭 124:基板 126:加熱器 128:溫度感測器 130:噴淋頭 132:桿部 140:氣體源 142:閥 144:質量流量控制器(MFC) 146:汽化前驅物 148:閥 150:RF產生器 152:匹配電路 154:電漿 200:噴淋頭 202:基部 204:桿部 205:導管 206:入口 210:背板 211:底表面 212:面板 220:圓柱基部 221:頂表面 222:側壁 223:內表面 230:氣室 232、232-1、232-2、232-3…、232-N:通孔 234:底表面 300:噴淋頭 302:基部 312:面板 320:圓柱基部 321:頂表面 322:側壁 323:內表面 330:氣室 332、332-1、332-2、332-3、…、332-N:通孔 334:底表面 350:第一部分 352:第二部分 354:第三部分 400:噴淋頭 402:基部 412:面板 420:圓柱基部 421:頂表面 422:側壁 423:內表面 430:氣室 432、432-1、432-2、432-3、…、432-N:通孔 434:底表面 450:第一部分 452:第二部分 454:第三部分 500:噴淋頭 502:基部 512:面板 520:圓柱基部 521:頂表面 522:側壁 523:內表面 530:氣室 532、532-1、532-2、532-3、…、532-N:通孔 534:底表面 550:第一部分 552:第二部分 554:第三部分 556:第四部分 558:第五部分 600:噴淋頭 602:基部 612:面板 620:圓柱基部 621:頂表面 622:側壁 623:內表面 630:氣室 632、632-1、632-2、632-3、…、632-N:通孔 634:底表面 650:第一部分 652:第二部分 654:第三部分 700:噴淋頭 702:基部 712:面板 720:圓柱基部 721:頂表面 722:側壁 723:內表面 730:氣室 732、732-1、732-2、732-3、…、732-N:通孔 734:底表面 750:第一部分 751:第一部分 752:第二部分 753:第二部分 754:第三部分 755:第三部分 800:噴淋頭 802:基部 812、812-1:面板 820:圓柱基部 821:頂表面 822:側壁 823:內表面 830:氣室 832、832-1、832-2、832-3、…、832-N:通孔 834:底表面 850、850-1:第一部分 852:第二部分 854:第三部分 860:第一部分 862:第二部分 864:第三部分 866:第四部分 868:第五部分 870:最外部分 900:噴淋頭 1000:噴淋頭 1002:基部 1012:面板 1020:圓柱基部 1021:頂表面 1022:側壁 1023:內表面 1030:氣室 1032、1032-1、1032-2、1032-3、…、1032-N:通孔 1034:底表面 1050:第一部分 1051:第一部分 1052:第二部分 1053:第二部分 1054:第三部分 1055:第三部分
根據實施方式及隨附圖式，將能更完整地理解本揭露，其中：
圖1顯示包含處理腔室的基板處理系統之範例；
圖2顯示噴淋頭之範例的橫截面圖；
圖3顯示噴淋頭之範例的橫截面圖，該噴淋頭包含具有內部輪廓的面板(即，在面板的背對基板之一側上具有輪廓)；
圖4-6顯示噴淋頭之範例的橫截面圖，該等噴淋頭包含具有外部輪廓的面板(即，在面板的面向基板之一側上具有輪廓)；
圖7-10顯示噴淋頭之範例的橫截面圖，該等噴淋頭包含具有內部和外部輪廓的面板(即，在面板的背對基板和面向基板兩側上皆具有輪廓)；以及
在圖式中，元件符號可能重複使用，以標示類似和/或相同的元件。
204:桿部
205:導管
206:入口
210:背板
211:底表面
300:噴淋頭
302:基部
312:面板
320:圓柱基部
321:頂表面
322:側壁
323:內表面
330:氣室
332、332-1、332-2、332-3、...、332-N:通孔
334:底表面
350:第一部分
352:第二部分
354:第三部分

Claims (20)

  1. 一種用於處理基板的噴淋頭，該噴淋頭包含： 一背板；以及 一面板，該面板附接至該背板，其中該面板包含： 面向該背板的第一表面； 在該第一表面對面的第二表面；及 在該第一表面與該第二表面之間延伸的複數通孔，其中該第一表面與該第二表面中之至少一者為至少部分地輪廓化的。
  2. 如請求項1之噴淋頭，其中該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分為至少部分地凹形。
  3. 如請求項1之噴淋頭，其中該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分為至少部分地凸形。
  4. 如請求項1之噴淋頭，其中該背板與該面板為圓柱形，且其中該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分從該面板的外徑向該面板的內徑傾斜。
  5. 如請求項1之噴淋頭，其中該背板與該面板為圓柱形，且其中該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分從該面板的內徑向該面板的外徑傾斜。
  6. 如請求項1之噴淋頭，其中 該背板與該面板為圓柱形； 該第一表面與該第二表面中之一者的第一輪廓化部分從該面板的內徑向該面板的外徑傾斜；及 該第一表面與該第二表面中之另一者的第二輪廓化部分從該面板的該外徑向該面板的該內徑傾斜。
  7. 如請求項1之噴淋頭，其中該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分具有線性斜率。
  8. 如請求項1之噴淋頭，其中該第一表面與該第二表面中之該至少一者的該至少部分之輪廓化部分具有多項式斜率。
  9. 如請求項1之噴淋頭，其中該第一表面與該第二表面中之該至少一者的該至少部分之輪廓化部分具有線性斜率和多項式斜率。
  10. 如請求項1之噴淋頭，其中該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分至少部分地延伸朝向該背板。
  11. 如請求項1之噴淋頭，其中該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分至少部分地延伸遠離該背板。
  12. 如請求項1之噴淋頭，其中： 該第一表面與該第二表面中之一者的第一輪廓化部分至少部分地延伸朝向該背板；且 該第一表面與該第二表面中之另一者的第二輪廓化部分至少部分地延伸遠離該背板。
  13. 如請求項1之噴淋頭，其中該等通孔位於該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分之內。
  14. 如請求項1之噴淋頭，其中該等通孔的一部分位於該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分之外。
  15. 如請求項1之噴淋頭，其中： 該背板與該面板為圓柱形；且 該第一表面與該第二表面中之該至少一者的輪廓化部分延伸在該面板的內徑之內。
  16. 如請求項1之噴淋頭，其中： 該背板與該面板為圓柱形；且 該第二表面的輪廓化部分延伸在該面板的外徑之內。
  17. 如請求項1之噴淋頭，其中： 該背板與該面板為圓柱形； 該第一表面的輪廓化部分延伸在該面板的內徑之內；且 該第二表面的輪廓化部分延伸在該面板的外徑之內。
  18. 如請求項1之噴淋頭，其中該背板與該面板為圓柱形；該面板包含附接至該背板的一側壁；該背板、該面板、及該側壁限定一氣室；該噴淋頭更包含： 一桿部，該桿部附接至該背板，其中該桿部包含一氣體入口；及 一導管，該導管從該氣體入口延伸通過該桿部、該背板、和該面板而至該氣室，其中該氣體入口、該氣室、及該通孔彼此流體連接。
  19. 一種用於處理基板的系統，包含： 如請求項1之該噴淋頭； 一台座，用以支撐該基板； 一致動器，用以相對於該噴淋頭而移動該台座；及 一控制器，用以控制該致動器。
  20. 一種用於處理基板的系統，包含： 如請求項18之該噴淋頭； 一氣體源，用以將一氣體供應至該氣體入口； 一台座，用以支撐該基板； 一射頻源，用以供應射頻功率以活化該氣體； 一致動器，用以相對於該噴淋頭而移動該台座；及 一控制器，用以控制該氣體源、該射頻源、及該致動器。
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