TW202338496A - 用於光罩修復的方法和設備 - Google Patents

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派翠 史派斯
丹尼爾 里諾夫
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霍斯特 舒納德
涂凡
蘿菈 安密爾斯
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Abstract

本發明有關用於處理微影物件的多個方法、一設備及一電腦程式。更具體而言，本發明有關一種用於去除材料的方法、一種對應的設備及一種用於晶圓微影製程的方法、及一種用於執行該等方法的電腦程式。一用於處理微影物件的方法例如包含：提供一含有第一分子的第一氣體；在該物件的一工作區域中提供一粒子束，用於至少部分基於該第一氣體去除該工作區域中的一第一材料，其中該第一材料包含釕。

Description

用於光罩修復的方法和設備
[交互參照]
本專利申請案主張於2022年3月22日向德國專利商標局申請的德國專利申請案第DE 102022202803.1號，標題名稱「Verfahren und Vorrichtung zur Maskenreparatur」的優先權。德國專利申請案第DE 102022202803.1號的全部內容通過援引併入本專利申請案供參考。本專利申請主張於2022年10月4日向德國專利商標局申請的德國專利申請案第DE 102022210492.7號，標題名稱「Verfahren und Vorrichtung zur Maskenreparatur」的優先權。德國專利申請案第DE 102022210492.7號的全部內容通過援引併入本專利申請案供參考。
本發明有關用於處理微影物件的多個方法、一設備及一電腦程式。更具體而言，本發明有關一種用於去除材料的方法、一種對應的設備及一種用於晶圓微影製程的方法、及一種用於執行該等方法的電腦程式。
在半導體工業中，為了確保積體密度的增加，在晶圓上產生越來越小的結構。本文用於產生結構的該等方法為微影方法，將這些結構成像到晶圓上。微影方法可包含，例如，光微影、紫外(UV)微影、DUV微影(即深紫外光譜區中的微影)、EUV微影(即極紫外光譜區中的微影)、X射線微影、奈米壓印微影等。光罩在此通常作為微影物件(例如，光罩、曝光光罩、倍縮光罩、在奈米壓印微影情況下的印模等)，其包含一圖案，以例如將期望的結構成像到晶圓上。
在一微影方法的過程中，一光罩可能會受到高物理及化學應力(例如在光罩曝光、光罩清潔時等)。因此，對光罩材料的穩定性提出了很高的要求。隨著時間的推移，已經為特定的光罩結構建立了特定的光罩材料(例如，用於輻射吸收及/或相移光罩結構的鉭或鉻)。例如，光罩材料可設計成使得光罩中的一吸收體的一層厚度低及/或一光罩結構具有一特定的相移特性。然而，隨著微影技術的不斷進步，對光罩材料的要求可能會更加嚴格。為了仍然確保抗性光罩材料具有例如輻射吸收及/或相移特性，最近在微影領域中探討了替代光罩材料及基於其的光罩產生。
例如，專利案US 2021/0223681 A1有關產生反射光罩，利用該產生能夠進一步降低反射光罩的遮蔽效應，並且能夠形成精細且高精度的相移圖案。其具有一基材、一反射多層薄膜及一相移薄膜。相移薄膜具有一第一層及一第二層。第一層包括含有以下之至少一者的材料：鉭及鉻。第二層包括含金屬材料，該含金屬材料包含釕及以下之至少一者：鉻、鎳、鈷、釩、鈮、鉬、鎢、錸。在一組態中，一保護層包含在一反射多層與相移薄膜之間，其中保護層包含釕，且第一層及第二層依序疊置在保護層上。
專利案US 10,481,484 B2針對產生反射光罩，該反射光罩包含一反射多層薄膜、一保護膜以及一相移薄膜，其依序形成在基材上。保護膜由以釕為主要組成物的材料及含有釕和氧的防擴散層所構成。抗擴散層形成在保護膜的一表面上或形成為與相移薄膜相鄰的一側的保護膜的一部分，以防止保護膜與相移薄膜材料之間的熱擴散。
專利案WO 2021/100383 A1揭露一種具有相移薄膜的反射空白光罩，其中即使當相移薄膜的厚度改變時，相移薄膜的相差及/或反射率的變化很小。反射空白光罩在一基材的主表面上按特定的順序設置有一反射多層薄膜及一相移薄膜。反射空白光罩的特徵在於，相移薄膜具有一下層及一最上層，其中下層位於最上層與多層反射膜之間。下層由釕和鉻的一總含量在90原子百分 比以上的一材料，或者釕、鉻及氮的總含量在90原子百分比以上的材料形成。最上層由釕、鉻及氧的總含量在90原子百分比以上的材料形成。
然而，既然在複雜的光罩產生中通常不能排除光罩瑕疵，光罩材料也可能在光罩上形成(局部)光罩瑕疵(例如缺陷、過量材料、畸形材料、覆蓋顆粒等)。然而，現有的光罩修復方法只針對工業上歷史悠久的光罩材料而設計。對使用新型材料產生光罩的要求因此非常高。
因此，本發明的目的是改善這情況。
此目的至少部分藉由本發明的各種態樣所達成。
本發明的一第一態樣有關一種用於處理微影物件的方法。第一態樣中的方法包含提供一含有第一分子的第一氣體。該方法更包含在該物件的一工作區域中提供一粒子束，用於至少部分基於第一氣體去除工作區域中的一第一材料，其中該第一材料包含釕。
在一微影物件設計成抵抗化學及/或物理應力去除的情況下，本發明解決了在該微影物件上去除材料的問題。
最近討論了在用於微影的一物件中的結構是否應該由一含釕材料製成，以滿足當前和未來的微影要求。憑藉含釕材料，在物件中由其形成的結構可具有提高的化學穩定性以滿足微影的要求。物件中的結構可包含例如就長度、寬度及/或高度的三維配置的幾何形狀、物件中的拓撲台階、突起、凹陷，或與物件的平面相關的任何拓撲變化。例如，含釕材料可佔用於微影的物件中的結構的至少一層。
含釕材料可專門設計以明確防止第一材料在化學/物理影響下的去除。含釕材料在此也可設計成即使在持續的或常規的化學/物理應力下，也能防止形成在其上的光罩結構的去除/磨損。含釕材料例如可設計用於微影方法中的極端條件，在該條件下物件將用於微影。例如，在微影方法期間，物件可暴 露於(破壞性)電漿。例如，一微影方法可能需要將物件暴露在氫氣環境中(例如為了防止缺陷)。在物件的微影曝光的情況下，可能釋放出(寄生)高反應性氫電漿，具有可作用於物件材料的自由氫基。電漿在物件上構成高度的化學/物理應力，並可能導致材料的去除和物件材料的損壞(例如以與電漿蝕刻類似的方式)。然而，在微影物件中並不希望材料去除作用，因為這會對物件的特性產生不利影響，並因此影響微影方法的品質。因此，可(明確)設計對應光罩結構的含釕材料，以確保第一材料對電漿(例如尤其是高反應性氫電漿)的材料去除作用的高抵抗力。此外，物件可能會受到微影中的許多其他機械/化學影響，這可能會損壞物件(例如與電漿的作用相結合)。例如，其他破壞性影響可能包含劇烈的溫度波動、暴露輻射及物件與吹淨氣體的化學反應。因此，含釕材料通常可設計成從根本上抵消微影中的破壞性材料去除作用的總和，使得含釕材料的機械/化學磨損和去除變得更加困難。
發明人已經認識到能夠以粒子束誘導的方式去除如此的含釕材料，以校正由過量材料引起的任何缺陷。因此，本發明構思的基礎是透過基於粒子束的製程，來去除專門設計成抵抗去除的材料。發明人在此意外發現一微影物件中的含釕材料能夠藉助所提供的氣體以及所提供的粒子束(例如透過粒子束誘導蝕刻)去除。這對發明人來說是令人驚訝的發現，因為無法預見第一材料(抵抗微影的侵蝕性條件)可採取基於粒子束的方式進行處理或甚至去除(例如不使用電漿)。發明人過去難以得出此發現，因為根據普遍觀點，以前已知釕是微影物件中一不可去除的保護層，以在(基於粒子束的)蝕刻製程中保護底下的層。此外，考慮到抗性的(含釕)第一材料，本發明人出乎意料的是，在基於粒子束去除第一材料的情況下，提供包含第一分子的氣體就足夠了。根據本發明，不需求助於複雜的氣體混合物(例如包括為抗性的材料設計的不同類型的分子)。這能夠確保減少粒子束去除的複雜性，因此，例如，根據本發明的方法中更容易的製程控制是可能的(因為例如，提供單一氣體，比提供例如兩種或更多種不同氣體的氣體混合物，構成較少的對技術實踐的需求)。 因此，本發明能夠處理具有由一(抗性)含釕材料製成的光罩結構的微影物件。例如，第一材料可設計成使其基本上無變化，經得起至少20次、至少50次、至少100次或甚至至少1000次在一(UV，例如EUV或DUV)光罩清潔操作中進行的清潔循環(例如，在一光罩具有以第一材料作為光罩的圖案元件中的一部分的情況下，清潔循環不會產生可壓印錯誤)。
在這情況下，本文所述微影物件可包含一微影光罩。微影光罩可設計成使得其可在用於產生基於半導體的晶片的微影中使用(例如用在基於半導體的晶圓的曝光上)。微影光罩還可包含任何類型的微影光罩，其可基於一(任何波長的)電磁輻射源和微影光罩中涵蓋的圖案來成像一影像。影像可包含圖案的變換。微影光罩可包含例如一EUV光罩、一DUV光罩、一UV光罩、一X射線微影光罩、二元光罩、一相移光罩等。此外，微影光罩還可包含一奈米壓印微影印模或一微影光罩，能夠根據一粒子源對一圖案進行成像。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第一材料在工作區域中(僅)被部分去除。例如，方法能夠以此方式作用，即在(部分)去除第一材料之後，第一材料仍然存在於工作區域中。例如，(本文所述)方法可移除工作區域中的第一材料的顯著部分。這可包含例如去除一或多個層的第一材料。在進一步的一實例中，去除可在第一材料中產生一拓撲台階(例如一局部凹陷、一邊緣等)。與一純表面修整操作或第一材料的粗糙化(例如當第一材料用作一蝕刻停止層時可能發生)相比，(本文所述)去除可被視為一受控有效的材料去除。例如，去除可作用在至少10nm、至少20nm或至少25nm的深度上。
在此指定的工作區域可包含微影物件的一局部區域。然而，也可設想工作區域包含整個微影物件。工作區域還可包含任意面積尺寸、形狀及/或(三維)幾何形狀。例如，工作區域可在與物件的一特定測量相關聯的數量級內。例如，特定測量值可包含物件的圖案元件中的一臨界尺寸CD。圖案元件在此可包含例如一光罩結構的一部分、一光罩結構的部分層及/或光罩結構本身。臨界尺寸CD可包含例如圖案元件的一定義結構或者兩(特徵)圖案元件之間的 一定義距離。工作區域例如可在圖案元件的臨界尺寸CV上形成一區域A(例如，A可對應於臨界尺寸CV的函數，其中A=f(CD)；例如，A可與臨界尺寸成正比)。此外，第一材料可在工作區域內去除，使得第一材料不需在工作區域的整個區域上去除，而是在工作區域的一子區域中(局部地)去除。替代上，工作區域內的去除能夠作用為，使得第一材料在工作區域的整個區域上被去除。此外，可在工作區域的一子區域中以一受控方式提供第一氣體(例如透過具有一氣體噴嘴的一可局部定位的氣體導管)。同樣可能的是，粒子束被引導到工作區域的一子區域上，使得粒子束的粒子入射到子區域上。此外，該方法可包含在子區域中或工作區域內，粒子束的受控特定局部控制及/或聚焦(以例如局部控制粒子束誘導蝕刻的反應)。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第一材料在工作區域中完全去除。例如，藉助於該方法，第一材料在去除之後不再存在於工作區域中是可能的。因此，第一材料也可藉助該方法無殘留去除。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第一材料能夠吸收與物件相關聯的輻射。例如，與物件相關聯的輻射可包含具有一特定波長的電磁輻射，其可使用在用於設計物件的一微影方法中。例如，與物件相關的輻射可對應於微影方法中物件的一曝光輻射。曝光輻射的特定波長可視為是物件的微影波長。在一實例中，微影物件包含一用於EUV微影方法的EUV光罩，其中在這情況下的微影波長(即曝光輻射的波長)可為13.5nm。此外，輻射可有關，例如一DUV微影法(例如微影波長為193nm或248nm)、一i線微影法(例如微影波長為365nm)，或取決於物件的任何其他微影方法(例如，具有一不同微影波長)。
在一實例中，第一材料具有一本質材料參數，其可用於推斷物件的微影波長的顯著(例如高)吸收(例如第一材料的吸收係數、一吸收幅度、折射率的一虛部)。在一實例中，第一材料的吸光係數k可為至少0.01、0.015或至少0.018(或者，例如，在0.01和0.02之間或0.015和0.18之間)。同樣可設想的 是，顯著吸收可經由第一材料的(低)反射率來定義。例如，第一材料的反射率(例如在微影波長範圍內)可包含不超過25%，較佳不超過20%，更佳不超過17%。此外，第一材料可包含通常存在於物件中以吸收微影波長的材料(例如一對應於物件的吸收層(例如用於圖案元件)的材料)。
在一進一步實例中，第一材料本不僅身具有可用於推斷顯著吸收的一本質材料參數。此外，第一材料的幾何構造可使其能夠在物件的一局部區域中有效地吸收與物件相關聯的輻射。例如，在物件的(局部)區域中的第一材料可在幾何上形成，使得其透過其吸收材料特性及其幾何結構引起對微影波長的輻射的顯著吸收。在這情況下，(局部)區域中的第一材料可在微影方法中做出一成像作用，因為存在微影波長的輻射的一實際(即有效)吸收。第一材料的幾何形狀例如可透過材料的層厚度，或者透過一微影方法中微影波長的輻射穿過第一材料所涵蓋的距離(例如一吸收距離)來定義。吸收距離可考慮例如微影波長輻射的光學繞射或曝光輻射的一入射向量。例如，該方法可包含不去除一吸收材料的一非常薄層(即一本質吸收材料)，因為該薄層在幾何上不能顯著吸收微影波長的輻射，因此不會在對應的微影方法中產生一實際(即有效)的成像作用。例如，可透過第一材料的層厚度或吸收距離來定義或計算顯著吸收：第一材料的層厚度可為至少20nm，較佳至少35nm，更佳至少50nm，最佳至少60nm。第一材料的層厚度可替代上小於60nm，例如小於50nm或小於35nm。顯著吸收還可描述為微影波長的輻射強度在一微影方法中(例如穿過第一材料)衰減了70%，較佳80%，最佳90%。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第一材料對應於物件的圖案元件(例如一光罩)的一層材料。第一材料可採用一圖案元件層材料形式。在一實例中，在該方法中，層材料對應於圖案元件的一吸收層的材料。吸收層可包含明確設置用於吸收微影波長的輻射的圖案元件的位置。(含釕的)第一材料在此例如可設計成能夠實現吸收層的一低層厚度。此外，(含釕的)第一材料也可設計成例如使微影物件的一結構層具有相移特性。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第一材料更包含至少一第二元素。第二元素在此可認為是包含在第一材料中的任何物質的一部分(即第二元素例如可包含一內聚鍵、一化學元素等的一部分)。因此，第一材料不需僅由釕形成。第一材料在此也可(化學計量)描述為RuaZb的形式，其中a>0、b
Figure 112110044-A0101-12-0008-9
0，其中Z代表至少第二元素(或一或多個另外的化學元素)。
在一進一步實例中，第一材料可主要由釕形成。例如，第一材料的釕含量可包含至少50原子百分比(%)、至少70原子百分比、至少80原子百分比或至少90原子百分比。
如本文所述，單位「原子百分比」在此可有關對應材料的莫耳比例，其中原子百分比例如表示相對於物質粒子總數量(例如第一材料的原子總數量)，顆粒(例如釕原子)的相對數量。原子百分比例如可透過二次離子質譜法(Secondary Ion Mass Spectrometry，SIMS)及/或歐傑電子能譜法(Auger electron spectroscopy，AES)及/或X射線光電子能譜法(x-ray photoelectron spectroscopy，XPS)(以及例如經由光電子能譜法(photoelectron spectroscopy，PES))檢測。
如本文所述第一態樣的方法基本上也可設想第一材料的不同釕含量，例如<50原子百分比或<10原子百分比，或<1原子百分比的釕含量，及/或至少10原子百分比或至少25原子百分比。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第二元素包含以下之至少一者：一金屬、一半導體。同樣可能的是金屬和半導體的組合。
金屬可包含例如一重金屬、一輕金屬、一過渡金屬、一貴金屬、一卑金屬及/或一金屬合金。金屬可包含例如以下之至少一者：鈮(Nb)、鋯(Zr)、Y(釔)、鈦(Ti)、鑭(La)、鉬(Mo)、鈷(Co)及/或錸(Re)。此外，金屬可包含以下之至少一者：鎢(W)、鉿(Hf)、鎳(Ni)、釩(V)、銠(Rh)、鉑(Pt)、鉻(Cr)及/或鈀(Pd)。
在一實例中，半導體包含一半金屬及/或一化合物半導體。半導體在此可包含直接及/或間接半導體。例如，半導體可包含以下之至少一者：矽(Si)、鍺(Ge)、硼(B)、砷(As)、砷化鎵(GaAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)。
同樣可設想的是，第二元素包含非金屬。例如，非金屬可包含以下之至少一者：氧、氮、磷、氫、碳、一鹵素(例如溴、氟、氯等)。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第二元素包含以下之至少一者：鉭、鉻、氮、氧。在一較佳實例中，第一材料包含釕及氧。在一進一步較佳實例中，第一材料包含釕、鉻及氧。在一進一步較佳實例中，第一材料包含釕及鉭。
在一實例中，在第一態樣的方法中，釕與第二元素(或與至少一第二元素)形成一化合物。化合物在此可包含例如二元、三元及/或四元化合物。在一較佳實例中，化合物包含氧化釕(例如RuO)。在一進一步較佳實例中，化合物包含釕-鉭化合物(例如RuTa)。另外可設想的是，化合物包含氮化釕。此外，下列二元化合物的至少一者可設想為化合物：RuCr、RuNi、RuCo。在一進一步實例中，下列三元化合物的至少一者可設想為化合物：RuCrNi、RuCrCo、RuNiCo。在一進一步實例中，下列四元化合物的至少一者可設想為化合物：RuCrNiCo。
在一實例中，在第一態樣的方法中，該方法以此方式作用，即例如藉由該去除，使鄰接第一材料(或者可配置在其下面)的一第二材料至少部分暴露在工作區域中。此處，(如本文所述)第一材料的去除能夠暴露第二材料的一表面。第二材料例如可為鄰接第一材料的層材料。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第一材料和第二材料係至少一元素(或物質)不同。例如，在此態樣中，第二材料可包含物質B，其中物質B部是第一材料的成分。在一較佳實例中，第二材料不包含釕及/或不包含(本文所述)至少第二元素。在一進一步實例中，第二材料可包含物質A及物質B， 其中物質A是第一材料(例如至少一第二元素及/或釕)的一成分，並且其中物質B不是第一材料的成分(例如釕或至少一第二元素)。此外，第一及第二材料可為物理分離的(即，第一材料中沒有物質對應於涵蓋在第二材料中的任何物質)。例如，在此態樣，第一材料不僅可以由釕組成，還可以由物質C及D組成，在這情況下，第二材料在這情況下可以(僅)由物質E和F組成，使得第一材料中沒有物質對應於第二材料中的任何物質。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第二材料包含鉭及/或鉭化合物。鉭化合物可包含例如氮化鉭、氧化鉭、氮氧化鉭及/或釕-鉭化合物。
第二材料還可附加包含任何金屬及/或任何半導體。金屬可包含例如一重金屬、一輕金屬、一過渡金屬、一貴金屬、一卑金屬及/或一金屬合金。例如，第二材料可附加包含硼及/或砷。
同樣可設想的是，第二材料包含一非金屬，其不需構成鉭化合物的一部分。例如，非金屬可包含以下之至少一者：氧、氮、磷、氫、碳、一鹵素(例如溴、氟、氯等)。
在一實例中，第二材料包含鉭及氧。在一較佳實例中，第二材料包含鉭、氧及硼。在一進一步較佳實例中，第二材料包含鉭、氧及氮。
應當注意，第二材料不需限於鉭及/或鉭化合物。還可另外設想任何金屬及/或任何半導體，而非鉭及/或鉭化合物。此外，還可設想的是，第二材料通常包括氧化物及/或氮化物。
在一實例中，第二材料可充當用於去除第一材料的去除阻擋層(例如，蝕刻阻擋層)。在一實例中，在第一態樣的方法中，選擇性去除第一材料，使得基本上不去除物件中的第二材料(或一下面材料)。例如，該方法可設計成使得在根據本發明的去除中(例如基於粒子束誘導的蝕刻)，第一材料相對於第二材料(或一下面材料)具有去除選擇性(例如蝕刻選擇性)，例如至少1.5比1：至少5比1：或至少10比1。例如，當第二材料(或一下面材料) 經受(本文所述)該方法時，選擇性在此使得能夠以比第一材料更低的移除速率來移除第二材料(或一下面材料)。
在一實例中，第一態樣的方法更包含去除工作區域中的第二材料。第二材料在此可採取一基於粒子束的方式(例如透過粒子束誘導蝕刻)去除。在物件的工作區域中第一氣體的提供及粒子束的提供，在此也可用作去除工作區域中的第二材料。在一實例中，可在兩不同的去除步驟(例如兩蝕刻單元)中去除第一及第二材料。在第一去除步驟中，例如，可去除(本文所述)第一材料，以暴露第二材料。此處的第一去除步驟可設計成選擇性，使得第二材料基本上不被去除。換句話說，對於第一去除步驟，第二材料可設計為去除阻擋層(例如蝕刻阻擋層)。第二去除步驟可隨後包括第二材料的實際去除。為此，例如可以調整第一態樣中基於粒子束的方法的製程參數。這可包含例如提供第一氣體的一變化(例如第一氣體的氣體體積流率、氣體濃度及/或氣壓的變化)。例如，第二去除步驟也能夠用與第一去除步驟不同的一氣體組成來實現(例如，第二去除步驟中的第一分子可不同於第一去除步驟中的第一分子)。對於第二去除步驟，粒子束的參數同樣可以有一變化(例如粒子加速度、粒子流速的一變化等)。因此，第二材料可在第二去除步驟中，以與第一去除步驟中的第一材料的方法中不同的一參數空間去除。
然而，也可設想的是，在單個去除步驟中去除第一材料及第二材料。在這情況下，例如不需要順序匹配針對第一接續第二材料的特定材料所設計的製程參數。例如，在去除第一材料及暴露第二材料之後，透過該方法去除第二材料，而不需要進一步的材料特定匹配的製程參數。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第二材料在工作區域中完全去除。例如，藉助於該方法，第二材料在去除之後不再存在於工作區域中是可能的。
在一實例中，在第一態樣的方法中，該方法以此方式作用，即例如藉由該去除，使鄰接第二材料(或者可配置在其下面)的一第三材料係至少 部分暴露在工作區域中。在一實例中，在第一態樣的方法中，選擇性去除第二材料，使得基本上不去除物件中的第三材料。因此，第三材料可用作去除第二材料的去除阻擋層(例如，蝕刻阻擋層)。例如，這可確保第三材料下方的材料不會受到基於粒子束的方法的攻擊。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第三材料包含釕。例如，第三材料可具有與(例如本文所述)第一材料相同的釕含量。在此可設想到的是，第三材料可基本上僅由釕形成。第三材料還可包含本文針對第一材料所描述的特徵和特性。此外，第一材料也可包含本文針對第三材料所描述的特徵和特性。
在一較佳實例中，第三材料(以及釕)也可包含鈮(Nb)。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第一及第三材料包含相同的元素。例如，第一材料的材料成分可對應於第三材料的材料成分。例如，第一材料及第三材料可以由相同的元素構成(例如，第一及第三材料可各自由釕和物質B構成)。因此，在此實例中，第一及第三材料的材料特定特徵/特性可能相同(但也可設想到的是，第一及第三材料中釕和物質B的比例不同)。
在一實例中，第一態樣的方法更包含去除至少一中間材料。中間材料在此可包含設置在第一及第二材料之間及/或第二及第三材料之間的任何材料。因此，第二材料不需(直接)鄰接第一材料，而是可透過至少一中間材料與其耦合。因此，第三材料不需(直接)鄰接第二材料，而是可透過至少一中間材料與其耦合。中間材料在此可對應於至少一中間層的一材料。例如，可設想到的是，至少一中間層設置在第一及第二材料之間，或者設置在第二及第三材料之間。至少一中間材料可具有本文針對物件的材料所描述的特徵及特性(例如，中間材料可具有本文針對第一、第二及/或第三材料描述的特徵/特性)。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第二及/或第三材料對應於一圖案元件層材料及/或物件的一反射層堆疊的一覆蓋層的材料(或取一層材料或一覆蓋層的形式)。
本文所述材料(或由其形成的層)可參考一示意性微影物件來詳細闡明。物件例如可具有一特徵層結構，其中覆蓋層鄰接物件的反射層堆疊(例如布拉格鏡)。特徵層結構還可包含鄰接覆蓋層的一緩衝層。可另外具有一鄰接緩衝層的第一吸收層。
在一實例中，緩衝層和第一吸收層是一圖案元件層材料(例如，這些層可為一吸收圖案元件的一部分)。第一吸收層在此可對應於(如本文所述)第一材料，在這情況下緩衝層可對應於(如本文所述)第二材料。此實例中的覆蓋層可對應於(如本文所述)第三材料。
在一進一步實例中，特徵層結構也包含鄰接第一吸收層的第二吸收層。第二吸收層在此可對應於(如本文所述)第一材料，在這情況下第一吸收層可對應於(如本文所述)第二材料。該實例中的覆蓋層可對應於(如本文所述)第三材料，在這情況下緩衝層可對應於至少一中間材料。
該方法可採取選擇性去除建構成使得第三材料(例如覆蓋層的材料)基本上不被去除。這可在不攻擊反射層堆疊的情況下，實現該方法的受控結束。因此，覆蓋層可充當一去除阻擋層(例如，蝕刻阻擋層)，使得可避免與物件的光學特性的損壞相關聯的對反射層堆疊的損壞。例如，第二材料相對於下面材料(例如第三材料及/或至少一中間材料)的選擇性去除(例如蝕刻選擇性)可例如包含至少1.5比1；至少5比1；或至少10比1。
在一實例中，第一態樣的方法更包含去除物件的至少一表面材料。表面材料可包含例如物件的一材料，物件具有可接近第一氣體和粒子束的表面(例如物件的一暴露表面)。表面材料在此可包含任何材料，並且不限於在此指定的第一材料(或第二及/或第三材料)的物質及物質比例。表面材料在此例如可被去除，以暴露用於根據本發明的方法設置在其下方的第一材料。
在一實例中，第一氣體可視為用於去除第一材料的主要蝕刻氣體。第一氣體在此可設計成使得其對第一材料的蝕刻特徵具有一實質影響。例 如，可選擇第一氣體的分子，使得其對第一材料產生一蝕刻/去除效果。還可選擇第一分子，使得其結合由粒子束引起的反應對第一材料產生一蝕刻/去除效果。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第一分子包含括鹵素原子。發明人已經認識到，包括具有鹵素的分子的一氣體特別適用於去除(含釕的)第一材料。此與所提供的粒子束結合的一第一氣體(即蝕刻氣體)可採取技術上期望的方式有利去除抗性的第一材料。例如，此第一氣體可避免第一態樣的方法中的去除殘留、蝕刻時間長、材料去除不均勻等問題。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第一分子包含一鹵素原子。例如，鹵素化合物可包含包含至少一鹵素原子的化合物，其中鹵素原子與至少一進一步化學組成物(例如任何另外的化學元素/原子及/或一進一步化學物質基/物質化合物等)形成一化合物。在一實例中，鹵素化合物可僅包含相同類型的鹵素(例如，第一分子可包含F2、Cl2、Br2等)。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第一分子包含一惰性氣體鹵化物。例如，惰性氣體鹵化物可包含具有至少一鹵素原子和至少一惰性氣體原子的一化合物。
在一實例中，在第一態樣的方法中，惰性氣體鹵化物包含以下之至少一者：二氟化氙XeF2、二氯化氙XeCl2、四氟化氙XeF4、六氟化氙XeF6。發明人在此已經認識到，在第一態樣的方法的背景中，此惰性氣體鹵化物(例如特別是二氟化氙)也可有利採取技術上期望的方式去除抗性的第一材料。
在一進一步實例中，第一分子包含大於零的四極矩(或具有至少四個極的多極矩)。例如，二氟化氙可具有大於零的四極矩。
在一實例中，第一分子包含極性分子。已經發現具有一偶極矩的極性分子原則上可適用於該製程。在一進一步實例中，第一分子可替代上包含非極性分子。本發明還基於沒有一偶極矩的非極性分子，原則上也可適用於該製程的概念。在一附加實例中，第一分子包含三原子分子。根據本發明，第一態樣的適用方法不需每個分子具有三個以上原子的複雜化合物。
在一實例中，第一態樣的方法更包含：提供一含有第二分子的第二氣體，其中該第一材料的該去除也至少部分基於該第二氣體。本文中所描述的第二氣體在該背景中，可視為相對於主要蝕刻氣體(即第一氣體)的附加氣體。第二氣體可作為添加氣體，進一步影響第一材料的去除或粒子束誘導蝕刻，並且例如更準確調整製程參數/結果(例如蝕刻速率、各向異性因子、選擇性、側壁角、表面粗糙度等)。原則上，本文所描述的用於提供第一氣體的分子也可適用於提供第二氣體，反之亦然。
在一實例中，第二材料、第三材料、中間材料及/或表面材料的去除也可基於第二氣體(的提供)。
在一實例中，在第一態樣的方法中，有關第二分子的一偶極矩包含至少1.6 D，較佳至少1.7 D，更佳至少1.8 D，最佳至少1.82 D。
發明人已經認識到這情況在去除第一材料態樣可有利的。在基於粒子束的去除中，通常需要在一特定時間段內的一定義(局部)氣體濃度，以允許去除反應以一定義的方式進行。然而，由於去除第一材料時的化學及/或物理的交互作用，定義的(局部)氣體濃度可能變化到技術上不期望的程度。這在使用包含至少兩氣體(例如第一氣體及第二氣體)的更複雜的氣體混合物的情況下尤其重要。這與維持定義的(局部)氣體濃度的更高要求有關。例如，這裡可能在工作區域內發生第二氣體(及/或第一氣體)的增加程度的(局部)消耗，使得第一材料的去除可能到一不想要方式受到影響。發明人在此已經認識到，使用具有在此指定的偶極矩的第二分子，能夠在使用第一及第二氣體時，在定義的(局部)氣體濃度的配置中實現優化條件。因此也可採取受控方式優化第一材料的去除。
在一實例中，該方法包含考慮第二分子的偶極矩作為去除第一材料的參數。例如，第二分子的偶極矩可定義去除操作中的一製程參數(例如第一及/或第二氣體的一氣體體積流量)。例如，可根據偶極矩來選擇氣體體積流量。
在一實例中，該方法包含至少部分同時提供第一氣體及第二氣體。例如，可將第一氣體和第二氣體，例如在去除第一材料期間，同時引入工作區域的環境中或物件的環境中。這還可包含在去除期間(至少部分)存在第一氣體的一第一氣體體積流量及存在第二氣體的一第二氣體體積流量，以確保兩氣體存在工作區域/物件的環境中。在此例如可能的是，第一及第二氣體體積流量基本上相同。在其他實例中，其替代上可不同。第一及第二氣體的同時提供還可包含(在第一材料的去除中)第一氣體體積流量及第二氣體體積流量的變化。
在一實例中，該方法包含至少部分在一時間區間提供第一氣體及第二氣體。例如，第一材料的去除，可能需要在去除方法步驟中僅將兩氣體中的一者提供或引入工作區域/物件的環境中。例如，對於開始去除第一材料，可能需要首先僅第一氣體(或第二氣體)引入工作區域/物件的環境中。隨後，可在稍後時刻饋入或提供第二氣體(或第一氣體)。另外，還可設想的是，在去除過程中，提供/引入(僅有)第一氣體(無第二氣體)及提供/引入(僅有)第二氣體(無第二氣體)，在兩者之間逐步交替。此外，還有可能的是，去除第一材料的製程的結束包含僅提供/引入兩氣體中的一者。例如，可設想到的是，產生製程的結束僅由提供/引入第二氣體來定義。
在一實例中，在第一態樣的方法中，第二分子包含水H2O及/或重水D2O。為了去除抗性的第一材料，在此已經發現水及/或重水是有利的添加氣體。例如，如此的添加氣體還可優化去除第一材料相對於第二材料(或第三材料)的選擇性。在一特別優勢實例中，該方法包含XeF2作為第一氣體及H2O作為第二氣體。在一進一步實例中，第二氣體的第二分子還可包含半重水HDO。
在一進一步實例中，第二氣體(或第二分子)可包含一含氧組成物、一鹵化物及/或一還原組成物。含氧組成物可包含例如一含氧分子。例如，含氧組成物可包含以下之至少一者：氧氣(O2)、臭氧(O3)、過氧化氫(H2O2)、一氧化二氮(N2O)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO2)、硝酸(HNO3)。 鹵化物可包含例如以下之至少一者：Cl2、HCl、XeF2、HF、I2、HI、Br2、HBr、NOCl、NOF、ClNO2、FNO2、PCl3、PCl5、PF3、PF5。還原組成物在此可包含具有一氫原子的一分子。例如，還原組成物可包含以下之至少一者：H2、NH3、(NH2)2、CH4。在一實例中，第二氣體可包含水(及/或重水)及二氧化氮。
在一實例中，在第一態樣的方法中，粒子束至少部分基於小於3kV、較佳小於1kV、更佳小於0.8kV、最佳小於0.6kV的加速電壓。(如本文所述)第一態樣的方法可有利在這些加速電壓範圍內作用。例如，在此參數空間中，可有利利用粒子束去除第一材料。在一實例中，粒子束還基於至少0.1kV、較佳至少0.15kV、甚至更佳至少0.2kV、最佳至少0.3kV的加速電壓。
此外，還可設想到的是，粒子束基於小於30kV、較佳小於20kV的一加速電壓。在一實例中，3kV與30kV之間的加速電壓可用於製程中的成像目的(在去除之前之後成像及/或在去除期間成像的情況下)。
在一實例中，粒子噴射包含在1pA與100pA之間、較佳在5pA與80pA之間、最佳在10pA與60pA之間的電流。
在一實例中，在第一態樣的方法中，該方法至少部分基於與第一及/或第二氣體相關聯的溫度。溫度可預定。溫度例如可低於0℃(或低於273.15 K)，較佳低於-5℃(或低於268.15 K)，更佳低於-10℃(或低於263.15 K)，最佳低於-15℃(或低於258.15 K)。與第一及/或第二氣體相關聯的溫度例如可對應包含第一(或第二)氣體的一相對儲存容器被(有效)加熱到的溫度。相對儲存容器在此可用作來源或儲存器件，以從其提供可用第一(或第二)氣體。例如，(如本文所述)提供可從包含一第一氣體的第一儲存容器來作用，或者從包含第二氣體的第二儲存容器來作用。相對儲存容器的溫度在此例如可藉由帕爾帖(Peltier)元件控制。在一實例中，本文所特定的溫度包括在為(如本文所述)方法(實際)提供第一(或第二)氣體之前，相對儲存容器中的第一(或第二)氣體的溫度。這使得第一(或第二)氣體可從一來源提供，該來源包含具有一定義氣體溫度的氣體，因此該方法例如可採取一定義且可再現的方式實 踐。應當提及的是，在包含括提供第一(或第二)氣體實例中，工作區域中的第一(或第二)氣體的溫度不需對應於相對儲存容器中的第一(或第二)氣體的溫度。例如，提供(例如包含經由一氣體導管將第一(或第二)氣體從相對儲存容器的氣體輸送到工作區域)能夠導致第一(或第二)氣體的溫度變化。然而，從一來源提供(如本文所述)一定義的氣體溫度還允許採取一定義且可再現的方式配置所提供(例如在工作區域中)的氣體的氣體溫度。
在一進一步實例中，(在本文中指定)與第一及/或第二氣體相關聯的溫度，可對應於一(固體及/或液體)前驅物的一溫度，在這情況下用於該方法的第一(或第二)氣體可以由至少一前驅物形成。例如，前驅物可包含一固體及/或液體的起始材料，藉由工業中熟悉的方式從中產生第一(或第二)氣體。(本文中指定)溫度在此可用作調節及/或控制固體及/或液體前驅物的蒸氣壓，以藉由產業中熟悉的方式形成第一(或第二)氣體。溫度在此例如可藉由帕爾帖元件所調節/控制。(本文中指定)溫度在此可對應於包含前驅物的一儲存器的溫度。儲存器(即前驅物儲存器)例如可專為前驅物設計。在本發明的一進一步實例中，前驅物儲存器同樣可用作第一(或第二)氣體的儲存容器。此外，前驅物儲存器還可耦接到用於第一(或第二)氣體的一單獨儲存容器，在這情況下，第一(或第二)氣體在前驅物儲存器中形成之後引入單獨儲存容器(並且，例如儲存在其中)。
此外，在一實例中還可設想到的是，與第一及/或第二氣體相關聯的溫度包含物件環境內的溫度(例如，本文所述方法的工作區域中，或在一配置了用於該方法的物件的處理腔室中)。例如，這可包含物件環境中的第一(或第二)氣體的溫度。在一進一步實例中還可設想到的是，在該方法的期間將物件帶到(本文中指定)溫度，例如藉由一合適的物件保持器(例如，溫度可控卡盤)。特別是在此實例中，還可設想到選擇>0℃的一預定溫度。
在一實例中，該方法更包含至少部分基於檢測從物件釋放的電子，來確定去除的一終點。例如，可由於提供的粒子與一物件材料或一工作區 域材料的相互作用而釋放電子。這些可為由於粒子束(因物理原因)而離開粒子束的一作用區域的電子，該粒子束入射在材料上。在一實例中，電子包含散射電子及/或二次電子。散射電子可包含例如被物件反向散射的電子(背向散射電子(backscattered electrons，BSE)及/或被物件向前散射的電子(前向散射電子(forwardscattered electrons，FSE)。所檢測到的電子可以提供關於粒子束作用區域中的一材料特性的資訊，這使得可推斷經粒子束處理過的材料。例如，終點的定義可包含使用檢測到的電子來確定粒子束沒有/不再作用於第一材料。這可能表示第一材料已經被去除並且已經達到製程的終點(即製程的結束)。此外，終點的定義可包含使用檢測到的電子來確定粒子束正在處理第二及/或第三材料。因此例如可確定去除第一材料的終點及/或去除第二材料的終點。原則上，所檢測到的電子可用於定義當前正由粒子束處理的材料，而無需基於終點的定義(例如用於製程監控，作為製程歷史的協定等)。粒子束還可配置成使得根據作用區域中的材料(例如經由加速電壓、電流等)檢測到的電子訊號中存有一足夠差異。
在一實例中，在第一態樣的方法中，粒子束包含一電子束。例如，在該方法的背景中，本文所描述的去除可包含電子束誘導蝕刻(例如已知為(F)EBIE，(focused)electron beam induced etching)。
然而，也可設想到的是，粒子束包含一離子束(例如鎵離子、氦離子等)。例如，第一材料的去除可基於離子束誘導的機械處理/蝕刻(例如聚焦離子束(focused ion beam，FIB)蝕刻)。除了使用固體粒子，還可設想到使用零質量粒子(例如光子)的粒子噴射。
此外，也可設想到使用多個粒子束作為粒子束。
在一實例中，該方法以第一(或第二)材料的(例如一邊緣的，一結構的)側壁角為70°至90°，較佳為74°至90°，更佳為78°至90°，最佳為80°至90°。側壁角度在此可例如基於設置在第一(或第二)材料下方的一層的平面，或者基於物件的(平坦)平面。
在一實例中，該方法採取一方式作用，即第二材料的暴露(經由第一材料的去除)給出第二材料的表面具有小於3nm、較佳小於2nm、更佳小於1nm、最佳小於0.5nm的平方粗糙度RMS。
在一實例中，該方法採去一方式作用，即第三材料的暴露(經由第一及第二材料的去除)給出第三材料的表面具有小於3nm、較佳小於2nm、更佳小於1nm、最佳小於0.5nm的平方粗糙度RMS。
在一實例中，第一態樣的方法採取一方式作用，即修復物件的缺陷。例如，該方法可包含修復物件的不透光缺陷。
在此的一不透光缺陷是微影物件上的一故障點位，該故障點位根據物件的設計實際上不應是不透光的，即透光(例如透明或設計成針對一特定波長的輻射沒有特定吸收，例如微影波長)。一不透光缺陷也可認為是物件上的一故障點位，該故障點位根據物件的設計不應包含一圖案元件的任何材料，卻在該點位存在(不需要的)材料。存在的(不需要的)材料例如可包含圖案元件的一材料，儘管也可設想到其是具有一輻射吸收及/或相移效果的一不同的(不需要的)材料。相反的，一透光缺陷是微影物件上的故障點位，該故障點位根據物件的設計實際上應該是不透光的(例如不透明或強烈吸收一特定波長的輻射，例如微影波長)。一透光缺陷也可認為是物件上的一故障點位，該故障點位根據物件的設計應包含一圖案元件的一材料，卻在該點位沒有材料存在，或是缺少圖案元件的材料。特別係，不透光可相對用於物件的一微影方法來定義。例如，微影物件可包含用於一EUV微影方法的一EUV光罩，在這情況下，「不透光」在這情況下可以指13.5奈米的微影波長。還可設想到的是，「不透光」有關DUV微影法(在例如193奈米或248奈米的微影波長)、i線微影法(在例如365奈米的微影波長)，或任何取決於物件的其他微影方法。此外，一不透光缺陷可包含例如具有一微影光罩層的不透光材料的故障點位(例如，這可包含設計當作用於物件的不透光一圖案元件層)。在此的方法可包含去除第一材料，使得故障點位不再不透光。
例如，缺陷的修復可包含首先對缺陷進行定位(例如透過一掃描式電子顯微鏡、一光學顯微鏡等)。在此可以基於局部缺陷的至少一特徵(例如基於缺陷的一位置、形狀、尺寸、類型等)來定義用於去除第一材料的工作區域。修復物件中的缺陷還可包含產生涵蓋缺陷的一修復模具。在一實例中，修復模具在此可以用作指定的方法的工作區域。修復模具可具有例如一像素圖案，其可實現一缺陷點位的定位。像素圖案例如可設計為使得其遵循缺陷的輪廓，使得像素圖案中的每個像素基本上對應於缺陷中的一點位並且因此構成一缺陷像素。在一進一步實例中，像素圖案具有完全涵蓋缺陷的一固定幾何形狀(例如一多邊形、一矩形、一圓形等)，在這情況下不需每個像素構成一缺陷點位。像素圖案在此可包含對應於缺陷點位的缺陷像素以及非缺陷像素，非缺陷像素對應於未覆蓋部分缺陷的一點位。在一實例中，該方法包括在材料的產生中至少將粒子束引導到修復模具的像素圖案的缺陷像素上。此外，粒子束可配置為使得其可在第一材料的去除(或第二材料的去除)中引導到任何缺陷像素上。這可確保第一(或第二)材料的去除局部地限制於缺陷像素，因此僅處理缺陷。
在一進一步實例中，該方法可用於包括一材料的局部產生的物件的處理。材料的處理和局部產生例如能夠在物件的缺陷處理的背景下作用(例如在透光缺陷及/或缺陷點位的修復中、在顆粒的去除中等。)。因此，第一材料不必然是物件的一層材料。(如本文所述)材料的產生可包含例如材料沉積，該材料對應於第一材料的特性。例如，在局部產生材料的過程中，可能會出現第一材料產生錯誤的情況。因此，藉由根據本發明的方法，錯誤產生的材料可作為第一材料被去除(如本文所述)。例如，在一複雜修復過程中，可能還需要專門產生第一材料，並採取一受控方式將其去除(例如，當第一材料作為一犧牲層產生時，這可能需要)。
在一實例中，在第一態樣的方法中，物件包含一EUV光罩及/或一EUV光罩。例如，這裡描述的特徵層結構可對應於EUV光罩的層結構。
一變化有關處理微影物件的方法，其包含以下步驟：提供一第一製程氣體；在該物件的一工作區域中提供一粒子束，用於至少部分基於該第一製程氣體去除該工作區域中的一第一材料，其中該第一材料包含釕。
製程氣體在此可視為是一氣體或一氣體混合物，其基本上存在(例如在工作區域中)及/或供應在用於從材料中去除的反應中。第一製程氣體可包含例如第一氣體，或第一及第二氣體(如本文所述)。因此，第一製程氣體可包含例如一實質蝕刻氣體或一實質蝕刻氣體及一添加氣體(如本文所述)。
該變化能夠與第一態樣的特徵相結合。此外，關於變體描述的特徵可與第一態樣組合。
在一實例中，第一製程氣體可包含二氟化氙分子。在這情況下，第一製程氣體因此例如可包含或對應於第一氣體，其第一分子包括二氟化氙分子。
在一實例中，第一製程氣體還可包含水分子。因此，第一製程氣體可例如與第一氣體一樣也包含第二氣體(如本文所述)，其第二分子可包含水分子。藉由技術控制第一製程氣體中的水分子(例如透過調節氣體濃度、氣體流速等；例如藉由一可控氣體導管)，第一材料可採取一受控方式實現去除(如本文所述)。因此，能夠採取一目標導向方式(例如關於蝕刻速率、各向異性因子、(材料)選擇性、側壁角、表面粗糙度等)來調整去除第一材料的製程參數以及結果。
在一實例中，該方法可更、替代或附加包含：提供一第二製程氣體；在該物件的一工作區域中提供一粒子束，用於至少部分基於第二製程氣體去除該工作區域中的一第二材料，其中第二材料包含鉭。第二製程氣體在此也可視為類似於第一製程氣體。第二製程氣體可包含例如第一氣體，或第一及第二氣體(如本文所述)。因此，第二製程氣體可包含例如一實質蝕刻氣體或一實質蝕刻氣體及一添加氣體(如本文所述)。第二材料的獨立去除可能很重要，或者可與第一材料的去除相結合。
第一材料(或工作區域中的一對應第一層)因此可例如經由與第一製程氣體的粒子束誘導反應來去除。對照下，第二材料(或工作區域中的一對應第二層)可透過與第二製程氣體的粒子束誘導反應來去除。每種材料(或每層)可以相對地透過一單獨基於粒子束的反應在工作區域中被去除。
第一製程氣體和第二製程氣體在此可彼此不同。這裡的差異可能是由氣體的不同組成物引起。例如，第一製程氣體可包含組成物A(例如一第一惰性氣體鹵化物)，而第二製程氣體可包含組成物B(例如一第二惰性氣體鹵化物)。然而，第一製程氣體和第二製程氣體也可包含相同的組成物，只要提供其在至少一組成物上不同即可。例如，第一製程氣體及第二製程氣體可包含一且相同的惰性氣體鹵化物，儘管第一製程氣體附加包含不包括在第二製程氣體中的一進一步組成物。
在一實例中，第二製程氣體可包含二氟化氙分子。二氟化氙分子可例如視為實質蝕刻氣體(如本文所述)。
在一實例中，第二製程氣體可更包含二氧化氮分子。二氧化氮分子可例如視為一添加氣體或一添加氣體的組成物(如本文所述)。
在一實例中，第二製程氣體可更包含四乙氧基矽烷分子。
四乙氧基矽烷分子可例如視為一添加氣體或一添加氣體的組成物(如本文所述)。
在一實例中，第二製程氣體包含二氟化氙分子、二氧化氮分子以及四乙氧基矽烷分子。已經發現作為第二製程氣體的該氣體混合物，對於藉由本文所描述的方法去除第二(含鉭)材料特別有利。在此二氟化氙分子可充當實質性蝕刻氣體，其中二氧化氮分子可與四乙氧基矽烷分子共同充當添加氣體。二氧化氮分子以及四乙氧基矽烷分子的添加效果可因此結合在第二材料的去除中。
在一實例中，該方法也可可替代或附加包含：在工作區域中提供一粒子束，用於至少部分基於第二製程氣體去除工作區域中的另外材料；其中 進一步材料包含鉭；其中另外材料具有與第二材料不同的材料組成。雖然該另外材料不必然必須包含釕，另外材料可包含例如(本文所述)第三材料的物質及/或元素。在去除第二材料的過程中及/或之前，可單獨提供第二製程氣體。然而，也可隨著第二材料和另外材料的去除連續地提供第二製程氣體，使得第二製程氣體不需要單獨或再次提供。另外材料的獨立去除可能很重要，或者可與第一及或第二材料的去除相結合。
第一、第二和另外材料可例如在此關於第一態樣所述來配置。
在一實例中，相較於包括在第一材料中的一或所有其他元素的莫耳比例(例如原子百分比)，第一材料中釕的莫耳比例可更高或基本相同。例如，釕的莫耳比例可由R表示，並且第一材料中其他物質的比例由例如X表示一物質1，Y表示一物質2。因此，莫耳比例R可例如，與其他莫耳比例相比基本相同(例如R=X=Y)。然而，與其他元素相比，莫耳比例R也可替代更高(例如R>X及/或R>Y)。因此，釕的莫耳比例也可構成第一材料的相對大部分。例如，如本文所述，釕的莫耳比例可替代形成第一材料的絕大部分(例如R>50原子百分比)。例如，如本文所述，釕的莫耳比例也可低於50原子百分比。莫耳比例在此(如本文所述)可採用原子百分比記述。可選擇一些實例中的莫耳比例，使得釕支配第一材料的相移特性(例如在EUV區域中)。
在一實例中，與包括在第二材料中的另一元素的莫耳比例相比，第二材料中的鉭的莫耳比例更高或基本上相同。例如，第二材料中鉭的莫耳比例也可構成第二材料的相對大部分。例如，第二材料中鉭的莫耳比例也可構成第二材料的絕對大部分。例如，第二材料中鉭的莫耳比例可為至少50原子百分比，較佳至少60原子百分比，更佳至少70原子百分比，最佳至少90原子百分比。
在一實例中，第二材料還可包含氧、硼及/或氮。
在一實例中，第二材料可包含以下之至少一者：氧化鉭(例如TaO)、硼化鉭(例如TaBO)、氮化鉭(例如TaN)、硼氮化鉭(例如TaBN)。
在一實例中，與包括在另外材料中的另外元素的莫耳比例相比，另外材料中的鉭的莫耳比例更高或基本上相同。例如，另外材料中鉭的莫耳比例也可構成另外材料的相對大部分。例如，另外材料中鉭的莫耳比例可為至少50原子百分比，較佳至少60原子百分比，更佳至少70原子百分比，最佳至少90原子百分比。
在一實例中，另外材料可包含以下之至少一者：氧化鉭、硼化鉭、氮化鉭、硼氮化鉭。
在一實例中，第二材料包含硼化鉭(例如TaBO)並且另外材料包含鉭硼氮化物(例如TaBN)。
在一實例中，粒子束可包含一電子束。
在一實例中，該方法更包含：
至少部分基於檢測從工作區域釋放的電子，來確定去除一材料的終點。檢測到的電子可包含例如一次電子及/或二次電子。
在一實例中，一材料可在一預定時間段內至少部分去除。例如，該方法的一參數空間的持續時間可實驗性定義(例如藉由以多個持續時間執行該方法以定義材料(例如具有一特定厚度)何時被去除)。例如，預定持續時間可對應於材料的一預定厚度。
在該方法的一實例中，去除的材料可包含物件的(例如本文所述)一圖案元件層材料。圖案元件(例如一多層圖案元件)可設置在物件的一覆蓋層(其覆蓋一大面積並且基本上是非結構化)上。在一實例中，圖案元件包含一層序列，其具有一含有第一材料的第一層；一含有第二材料的第二層(例如一鄰接第二層)；一含有另外材料的第三層(例如鄰接第二層)。例如，第三層在此可為與物件的覆蓋層相鄰的最下層。例如，圖案元件可設計成使得其第一層包含釕，其第二層包含鉭硼氧化物(例如TaBO)，並且其第三層包含鉭硼氮化物(例如TaBN)。
應提及的是，圖案元件的層序列也可包含另外層。例如，可將一或多個層設置在第一層上方及/或將一或多個層設置在第三層及覆蓋層之間。例如，如本文所述第一層上可有一或多個抗反射層。此外，也可在第一層及第二層之間設置一或多個層及/或在第二層及第三層之間設置一或多個層。此外，還可以想到的是，第一層、第二層及第三層可在(多層)圖案元件內以任何順序配置，而不必然以第一層、第二層、第三層的順序配置。例如，層序列還可包含以下順序之一：第一層、第三層、第二層及/或第二層、第三層、第一層及/或第二層、第一層、第三層及/或第三層、第二層、第一層及/或第三層、第一層、第二層。在一些實例中，還可僅提供第一層、第二層及第三層中的一或僅兩者。同樣在這些實例中，在層序列內可有一或多個另外層。例如，一或多個另外層可將在此所述的第一層、第二層及/或第三層彼此分開。此外，還可在第一、第二及/或第三層上存在一或多個抗反射層(或一或多個另外層)。
含有第一(含釕)材料的第一層可設計成主要針對對應的微影波長(例如，例如13.5nm的一EUV波長)進行相移。含有第二(含鉭)材料的第二層可設計成主要吸收對應微影波長(例如，例如13.5nm的一EUV波長)的輻射。含有第三(含鉭)材料的第三層可設計成主要吸收對應微影波長(例如，例如13.5nm的一EUV波長)的輻射。例如，第一層的(實際)折射率n可大於第二及/或第三層的(實際)折射率。例如，第一層(或第一材料)的折射率實部(典型地記述為n)可大於第二及/或第三層(或第二及/或第三材料)的折射率實部。例如，第一層(或第一材料)的折射率的虛部(即吸光係數k)可小於第二及/或第三層(或第二及/或第三材料)的吸光係數。
一第二態樣關於用於處理微影物件的設備，其包含：提供一第一氣體的構件；在該物件的一工作區域中提供一粒子束的構件，其中該設備被配置成執行第一態樣中的一方法。此外，該設備可包含執行一電腦程式的構件(例如一電腦系統、一計算單元等)。該設備可基本上對應於一掃描式電子顯微鏡，其能夠在物件上提供一電子束作為粒子束。掃描式電子顯微鏡可配置為使得其 能夠提供本文所描述的氣體。第一氣體(及/或第二氣體)例如可儲存在相對的儲存容器中，並透過一氣體供應系統(例如具有一氣體噴嘴的一氣體導管)在物件的工作區域內被引導。該設備可更包括一控制系統，該控制系統設置成以一自動方式執行該方法。
此外，該設備可替代或附加包含提供(如本文所述)一第一及/或第二製程氣體的構件。
一第三態樣有關一種微影物件，其中該物件已經藉由第一態樣中的一方法進行處理。在此例如可透過樣本的一光學分析來檢測物件是否已經由第一態樣的方法進行處理。例如，對於微影物件，可能最初已經進行了一光學分析，或者可進行光學分析(例如在物件的缺陷品管過程中、例如在物件產生之後及/或在引入物件到一半導體工作中)。光學分析可基於例如一光學或基於粒子的顯微鏡(例如一光罩計量設備、一光罩顯微鏡)以及例如一成像操作。在第一態樣的一實例中的物件的製程中，在初始分析之後，第一(或第二)材料可能已經如本文所述被去除。第一(或第二)材料的去除可透過一重複的視覺分析(例如在一修復檢查或其他缺陷品管過程中)來檢測。例如，檢測可透過初始視覺分析與重複視覺分析的一比較(例如透過對應影像的比較)來作用。此外，該方法中的檢測還可以基於物件的材料分析(例如歐傑能譜法、X射線能譜法等)，其例如採取一補充方式執行初始或重複的視覺分析。
本發明的一第四態樣有關一種處理基於半導體的晶圓的方法。第四態樣的方法更包含將有關一微影物件的圖案微影轉移到晶圓，其中該物件已經藉由第一態樣中的一方法進行處理。微影轉移可包含用於設計物件的一微影方法(例如EUV微影、DUV微影、i線微影等)。例如，第四態樣中的方法可包含提供電磁輻射(例如EUV輻射、DUV輻射、i線輻射等)的一射束源。這可附加包括在晶圓上提供一可顯影漆層。微影轉移也可至少部分基於輻射源以及可顯影漆層的提供。在此例如可藉由來自輻射源的輻射將圖案成像到漆層上(採用一轉換形式)。
本文所描述的方法可例如採用書面形式記錄。這可例如藉由一數位檔案、類比(例如紙張形式)、在一使用者手冊中、在一公式中(例如記錄在半導體工廠的一器件及/或一電腦中)來達成。還可設想到的是，在執行本文所述多個方法之一者時編譯一書面協定。例如，該協定可在稍後的時間點(例如在故障評估、材料審查委員會、審計等過程中)證明方法的執行及其細節(例如公式)。該協定可包含例如能夠記錄在例如一器件及/或電腦中的一協定檔案(即日誌檔案)。
一第五態樣有關一種包括指令的電腦程式，當其由一電腦系統執行時，這些指令使電腦系統實施根據第一態樣的一方法及/或根據第四態樣的一方法。
一進一步態樣有關具有包含電腦程式的記憶體的前述設備。此外，該設備可具有用於執行電腦程式的構件。替代上，可將電腦程式儲存在別處(例如，在雲端中)並且該設備僅具有用於接收在別處執行該程式而產生的指令的構件。無論哪種方式，這可允許該方法在設備內以自動或自主方式執行。因此，還可將例如操作者的介入降到最低，並且因此可將處理光罩時的成本和複雜性兩者降到最低。
101:掃描式電子顯微鏡(SEM)
102:微影光罩
110:聚焦電子束
200:方法
400:設備
402:微影光罩
404:樣品載台
406:電子槍
408:束形成元件
409、410:電子束
414:檢測器
418:控制單元
420:電腦系統
431、446:控制閥
432,、447:進氣系統
485:腔室
1000:細節
1010:缺陷
1020:原始缺陷區域
1、2、3:層
A:吸收層
CD、CV:臨界尺寸
D:覆蓋層
G1:第一儲存容器
G2:第二儲存容器
ML:反射層堆疊
O:表面層
P:緩衝層
PE:無缺陷圖案元件
R:修復狀態
RV:修復程序
以下結合圖式的實施方式描述本發明的技術背景資訊以及工作實例，其中：
圖1為微影物件的說明性修復情況的俯視示意圖。
圖2示出本發明的一說明性方法的示意圖。
圖3a至圖3c為本發明的一方法中舉例操作的剖面示意圖。
圖4示出本發明的說明性設備的示意圖。
圖5示出透過一微影物件的圖案元件中的剖面示意圖，其中圖案元件能夠由本發明的一說明性方法來處理。
圖1為微影物件的說明性修復情況的俯視示意圖。微影物件在此可包含一適用於任何微影方法(例如EUV微影、DUV微影、i線微影、奈米壓印微影等)的微影光罩。在一實例中，微影光罩可包含一EUV光罩、一DUV光罩、一i線微影光罩及/或一奈米壓印印模。此外，微影物件可包含二元光罩(例如一鉻光罩、一OMOG光罩)、一相位光罩(例如一無鉻相位光罩、一交替相位光罩(例如一邊緣相位光罩)、一半色調相位光罩、三色調相位光罩及/或一倍縮光罩(例如具薄膜)。微影光罩例如可用於產生半導體晶片的一微影方法中。
微影物件在此可能包含(不需要的)缺陷。例如，在物件的產生中可能引起的缺陷。此外，缺陷也可能由物件的(微影)製程、(微影)製程中的製程偏差、物件的運輸等引起。由於微影物件的產生通常成本高且複雜，因此通常會修復缺陷。
本文所述工作實例中，為了說明的目的，經常將EUV光罩用作一微影物件的實例。然而，除了EUV光罩之外，(例如如本文所述)任何微影物件都可設想到。
圖1可示出在光罩中缺陷修復過程中，一EUV光罩的細節1000的兩局部狀態D、R的示意性俯視圖。細節1000示出了EUV光罩的圖案元件PE的一部分。圖案元件PE也可視為EUV光罩的一圖案元件(或一圖案結構)。圖案元件PE可為設計圖案的一部分，其可例如透過一微影方法轉移到一晶圓。局部狀態D示出鄰接圖案元件PE的一不透光缺陷1010。不透光缺陷1010的特徵可為例如在光罩顯影之後不應存在於缺陷側的過量(不透光)材料。過量(不透光)材料可對應於例如圖案元件PE的一不透光材料，或者對應於圖案元件PE的一層的任何其他材料(如本文所述)。關於圖1(狀態D)，細節1000中的一無缺陷圖案元件PE必須具有一正方形形狀，但很明顯，由於不透光缺陷1010，該目標狀態並不存在。一修復程序RV因此去除不透光缺陷1010的區域中的過量(不透光) 材料，使得可以創造出圖案元件PE的一修復狀態R。因此，在狀態R中示出在原始缺陷區域1020中(即在不透光缺陷中的原始點位處)不再出現不透光效果並且不再有任何過量(不透光)材料。在一修復操作之後，缺陷1010的去除對應地重建圖案元件PE的矩形形狀的目標狀態。
在微影設備或微影方法中使用期間，一微影光罩可能受極端的物理及化學環境條件。在一對應的微影方法期間，EUV光罩(及還有DUV光罩或本文所述的其他光罩)的曝光尤其如此，其中不透光材料(特別是一圖案元件PE的不透光材料)可能會受到這些影響而達到顯著程度。例如，在EUV曝光的情況下，可釋放含有氫自由基的氫電漿，其能夠在其他材料中攻擊圖案元件PE的不透光材料，並且引起材料改變及/或去除效果。在EUV微影製程和光罩清潔製程中可能會發生進一步的損壞影響。對光罩材料的損壞包含例如由(EUV)輻射、溫度以及與氫或其他活性氫物質(例如自由基、離子、電漿等)的一反應引起的材料的化學和物理改變。材料的改變也可能是由於與淨化氣體(例如N2、極度清潔的乾燥空氣-XCDA®、稀有氣體等)以及曝光輻射(例如EUV輻射、DUV輻射)的反應引起的。下游製程(例如光罩清潔操作)同樣可能引起或加劇對材料的損壞。例如，下游製程可能會額外侵蝕先前在曝光操作期間因化學/物理反應而損壞的圖案元件PE的不透光材料，並因此使損壞惡化。
因此，一圖案元件PE中使用的特定不透光材料可為一抗化學性材料。特別係，(如本文所述)含釕材料由於其非常高的化學穩定性而可用作一EUV光罩中的圖案元件PE的抗性材料。含釕材料可以例如採取RuaZb(a、b
Figure 112110044-A0101-12-0030-8
0，Z：一或多個具有適用於相對元素的化學計量係數b的其他元素)的形式。Z在此可包含一金屬、一非金屬、半金屬、鹼金屬(例如Li、Na、K、Rb、Cs)。此外，Z可包含一鹼土金屬(例如Be、Mg、Ca、Sr、Ba)、一第III族元素(例如B、Al、Ga、In、Tl)、一第IV族元素(例如C、Si、Ge、Sn、Pb)，一第V族元素(例如N、P、As、Sb、Bi)。此外，Z可包含一硫族化物(例如O、S、Se、Te)、一鹵素(例如F、Cl、Br、I)、一惰性氣體(原子)(例如He、Ne、Ar、Kr、 Xe)、一過渡元素(例如Ti、Hr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg)。
然而，一圖案元件PE或一EUV光罩的此類型抗性(不透光)材料，會使一不透光缺陷1010的修復操作RV顯得更加困難，因為修復操作是專門去除抗性(不透光)材料。
圖2示出本發明的一說明性方法200的示意圖。該方法200可用來從一EUV光罩去除材料。特別係，可採用方法200以在修復操作的過程中從一不透光缺陷1010去除材料。
方法200在此可包含步驟210，提供含有第一分子的一第一氣體。第一氣體在此可包含例如XeF2作為第一分子。此外，如本文所述，其他氣體也可設想作為第一氣體。
其他分子也適合作為用於方法200的第一氣體的第一分子。例如，極性和非極性三原子分子可設想到的。第一分子還可包含能夠在合適的反應條件下分裂成氯或氟基團的分子，及/或附加上，例如，能夠分裂成一進一步非極性物質的分子。
此外，方法200可包含步驟220，在物件的一工作區域中提供一粒子束，用於至少部分基於第一氣體去除工作區域中的一第一材料。第一材料在此可包含釕。方法200的一特徵230也可為第一材料包含至少50原子百分比的釕，較佳至少70原子百分比的釕，尤其較佳至少90原子百分比的釕。方法200還可包含一作為粒子束的電子束，使得可實現藉由方法200對材料的電子束誘導蝕刻。
第一材料在此尤其可對應於(如本文所述)EUV光罩的抗性(不透光)材料，其在一不透光缺陷的修復過程中被去除。
方法200也可包含提供一第二氣體作為輔助蝕刻製程(例如關於蝕刻選擇性、蝕刻速率、異向性因子等)的添加氣體。特別係，在電子束誘導蝕刻的情況下，方法200中使用的第一氣體可為XeF2及添加氣體H2O(即水(蒸 汽))。此外，第二分子可包含介於1.6 D和2.1 D之間、較佳介於1.7 D和2 D之間、更佳介於1.8 D和1.95 D之間、最佳介於1.82 D和1.9 D之間的偶極矩。還可設想到的是，H2O與二氧化氮(或另外氧化氣體)結合作為添加氣體。
圖3a至圖3c為示意可能在微影物件中修護缺陷過程中發生，方法200中舉例程序的剖面示意圖。
圖3a圖的形式呈現了用於UV波長範圍的一反射微影光罩(即一UV光罩)的一說明性特徵層結構。說明性EUV光罩200可設計用於例如13.5nm範圍中的一曝光波長。例如，EUV光罩可包含一相移EUV光罩及/或一輻射吸收EUV光罩。例如，說明性特徵層結構可設計為對於EUV微影基本上吸收輻射，EUV微影具有一輻射吸收EUV光罩(如本文所述)。例如，說明性特徵層結構也可設計為(基本上)相移以用於具有一相移EUV光罩的EUV微影。EUV光罩可包含由具有一低熱膨脹係數的材料製成的一基材S，例如石英。其他介電質、玻璃材料或半導體材料同樣可用作EUV光罩的基材。
基材S可與一沉積多層薄膜或一反射層堆疊ML鄰接，包含例如20至80對交替的鉬(Mo)及矽(Si)層，其也可稱為MoSi層。多層薄膜ML的各個層的折射率可不同，從而產生可以反射入射輻射(例如EUV輻射)的一布拉格鏡。
為了保護反射層堆疊ML，例如可在反射層堆疊ML的最上層上施加一覆蓋層D。在產生期間及/或在使用EUV光罩期間(例如在微影方法期間)，覆蓋層D可保護反射層堆疊ML免受化學製程的損壞。覆蓋層D在此可包含(單質)釕，以及在波長13.5nm處增加反射率不超過3%的元素或元素的化合物。此外，覆蓋層D可包含Rh、Si、Mo、Ti、TiO、TiO2、釕化合物、釕合金、氧化釕、氧化鈮、RuW、RuMo、RuNb、Cr、Ta、氮化物以及化合物和上述材料的組合。覆蓋層還可包含以下材料之一者：RuRh、RuZr、RuZrN、RuNbN、RuRhN、RuV、RuVN。
在覆蓋層D上可有數個層，其可包含例如圖案元件的層(即圖案元件層)。圖案元件層可包含一緩衝層P、一吸收層A及/或一表面層O。圖案元件層的特性(例如一圖案元件層的一本質材料特性、一圖案元件層的一層厚度等)和由其成形的圖案元件PE的幾何形狀可設計成引起與EUV光罩的曝光波長相關的不透光效果。例如，圖案元件PE可設計成使得其相對於具有一波長13.5nm的光輻射是不透光的(即，對光線不透明或高度吸光)。雖然不透光缺陷1010不必具有所有的圖案元件層，圖案元件層可對應於不透光缺陷1010的層。例如，不透光缺陷1010可僅具有緩衝層P及吸收層A。
緩衝層P可存在於覆蓋層D上。此外，吸收層A可存在於緩衝層P上。吸收層A可設計成有效吸收微影波長的輻射(如本文所述)。因此，吸收層A可對圖案元件的(或不透光缺陷1010的)一不透光效果做出主要作用。吸收層A的光學特性能夠例如藉由一複數折射率來描述，複數折射率可包含一相移作用(即n)及吸收作用(即k)。例如，n和k可認為是吸收層的本質材料特性。只有特定的化學元素及/或化學元素的化合物對於對應的微影方法(例如EUV微影方法)，具有有利的相移及/或吸收特性。圖3a舉例示出吸收層A的層厚度d。吸收層A的層厚度d(以及光罩的另外層的一層厚度)例如沿著相對於光罩平面的一法向量確定。原則上，還可設想的是，吸收層A例如包含多個含有不同材料的吸收層。此外，表面層O可存在於吸收層A上。表面層O可包含一抗反射層、一氧化層及/或鈍化層。與吸收層A一樣，緩衝層P及/或表面層O也可有助於圖案元件PE或不透光缺陷1010的吸收和不透光效果。
原則上，本文所描述的任何圖案元件層都可包含所提及的抗性第一材料(即含釕材料)。典型地，吸收層A例如包含釕。方法200中的第一材料可以相對地包括吸收層A的一材料。另外，替代上，例如緩衝層P或表面層O可包括釕，從而構成方法200中的第一材料。
圖3b示出用於去除吸收層A的一部分的一說明性方法200的結果。吸收層A被設計為方法200中的第一材料。最初，可以首先去除表面層O的 一部分。例如，這可以類似於方法200透過在一單獨步驟中的電子束誘導蝕刻來作用。表面層不必然需要用第一及/或第二氣體去除(如本文所述)。還可設想到的是，電子束誘發的蝕刻專為去除表面層而設計(例如使用與表面層的材料相匹配的蝕刻氣體)。在去除表面層O之後，然後可以去除部分的吸收層A作為方法200(例如修復一不透光缺陷)中的第一材料。圖3b繪示了相對於緩衝層P的吸收層A的選擇性電子束誘導蝕刻。因此，可以調整方法200使得吸收層A的蝕刻速率與緩衝層P的的蝕刻速率相比提高。例如，可透過方法200中的第二氣體的特性來調節蝕刻選擇性(例如透過對第二氣體(例如水)的一適當選擇，或第二氣體的氣體流速)。此外，蝕刻選擇性也可透過第一氣體的特性來調節(例如透過第一氣體(例如XeF2)的選擇，或者透過第一氣體的氣體體積流速)。在此實例中，緩衝層P相對地透過所選擇的蝕刻選擇性用作蝕刻停止層。
圖3c示出用於去除吸收層A的一部分的說明性方法200的進一步結果。最初，在此可(如本文所述)去除緩衝層O的一部分。在已經去除表面層O之後，然後可以去除作為方法200中的第一材料的吸收層A的一部分。在此也可蝕刻緩衝層P的一部分作為中間材料。因此，可以調整方法200使得吸收層A的蝕刻速率以及緩衝層P的蝕刻速率與覆蓋層D的蝕刻速率相比提高。吸收層的蝕刻速率A可與緩衝層P的蝕刻速率處於相同的數量級。蝕刻選擇性可本文所述那樣被調節。如圖3c所示，這能夠達成吸收層A和緩衝層P相對於覆蓋層D的選擇性電子束誘導蝕刻。在此實例中，覆蓋層D因此透過所選擇的蝕刻選擇性用作蝕刻停止層。
在一實例中，表面層O不是單獨去除的，而是透過與在方法200中局部去除吸收層A(或吸收層A及緩衝層P)所採用的相同的製程。
還應提及的是，方法200的參數空間(例如，第一/第二氣體的氣體參數、粒子束參數)可首先取決於當前(透過粒子束)處理的層。例如，這可對應於層(或材料)的逐步去除，同時針對每個層(或每個材料)調整方法 200的參數空間。然而，方法200的參數空間不依賴於當前正在處理的層(利用粒子束)也是可能的。例如，這種作法也可連續去除多層(或材料)。
方法200還能夠附加用於微影物件的與圖3a至圖3c中所示的一不同的特定層結構。如前所述，物件的特定層結構(例如EUV光罩)在此可包括一覆蓋層，覆蓋層鄰接物件的一反射層堆疊。覆蓋層可與一第一層鄰接。第一層可與一第二層鄰接從基材開始，特定層結構可相對包含按以下順序的多個層：基材、反射層堆疊、覆蓋層、第一層、第二層。第一及第二層在此可佔一圖案元件層。在一實例中，第一及第二層專門設計為(例如與微影方法相關的)一圖案元件的吸收層。(如本文所述)微影波長的吸收在此可透過兩層(即第一層和第二層)有效地定義。例如，第一及第二層可具有不同的厚度，以配置微影物件的光學特性。在特定層結構的一第一實例中，覆蓋層可包含釕及鈮。這裡的第一層可包含鉭、硼及氧。第二層可包含釕、鉻及氮。在一第二實例中，特定層結構被定義為覆蓋層基本上包含釕，而第一層包括鉭、氧及氮(例如，氮氧化鉭，TaON)。在此第二實例中，特定層結構的第二層可包含釕及氧(這可例如是氧化釕，其例如可參照為RuOx)。
基於本文所描述的特定層結構，第一材料(用於方法200或第一態樣中的方法之目的)可對應於第二層的一材料。第二材料(用於方法200或第一態樣中的方法之目的)可對應於第一層的一材料。第三材料(用於方法200或第一態樣中的方法之目的)可對應於覆蓋層的一材料。在一實例中，特定層結構的第一層也包含釕(例如也作為吸收層)。在那情況下，第一層的材料可包含如本文針對第一材料所描述的特徵/特性。
對於特定層結構的第一實例，發明人在此已經認識到用於控制去除第一材料(在這情況下為Ru、Cr、N)以及第二材料(在這情況下為Ta、B、O)的特別有利的參數空間情況下，使用第三材料(在這情況下為Ru、Nb的覆蓋層)確定方法的終點。為了獲得有利的結果，測試系列中使用的第一氣體是XeF2以及添加氣體H2O。一第一測試系列包括以下製程特性：溫度為-15℃的一 XeF2前驅物儲存器，其是用於形成XeF2氣體、溫度為-36℃的一H2O前驅物儲存器，其是用於形成H2O氣體、電子束的一停留時間為0.1μs、畫面更新率為1000μs。此外，這裡使用氣體切割(gas chopping)來提供第二(附加)氣體，其中的氣體切割比為1：15。在其他實例中，兩前驅物儲存器可處於不同溫度，例如低於0℃；例如，-30℃至0℃或-25℃至-5℃的XeF2前驅物儲存器；例如，-50℃至-20℃或-45℃至-25℃的H2O前驅物儲存器。這些實例中的畫面更新率可在0.1至10ms之間變化，較佳為0.2至5ms，更佳為0.5至2ms，其中氣體切割比可在1：5至1：25或1：10至1：20的範圍內選擇。氣體切割在此包括在一序列的一特定時間段tX內連續提供添加氣體：在特定時間段tX過去之後，暫停提供第二氣體達時間tY直到序列過去。一序列的持續時間(即tS)能夠相對地描述為總持續時間tS=tX+tY。在該序列過去之後，隨所述的提供添加氣體的時間流逝開始一新序列，並根據需要經常重複該操作(例如直到該方法結束)。因此可採取「脈衝」形式提供添加氣體(而不是連續提供)。氣體切割比(例如1：15)在此表示一序列中氣體的供應時間tX與非供應時間tY的比率。氣體切割比在這裡可表示以秒為單位的提供時間tX和非提供時間tY(例如，1：15的氣體切割比可能意味著tX是一秒，tY是15秒，其中對應序列tS為16秒)。
一第二測試系列由溫度為-20℃的一XeF2前驅物儲存器以及溫度為-34℃的一H2O前驅物儲存器、電子束的一停留時間為0.05μs、畫面更新率為1000μs所執行。在此使用1：15的一氣體切割比。在其他實例中，兩前驅物儲存器可處於不同溫度，例如低於0℃；例如，-40℃至0℃或-30℃至-15℃的XeF2前驅物儲存器；例如，-50℃至-20℃或-45℃至-25℃的H2O前驅物儲存器。這些實例中的畫面更新率可在0.1至10ms之間變化，較佳為0.2至5ms，更佳為0.5至2ms，其中氣體切割比可在1：1至1：10、1：5至1：25、1：10至1：20的範圍內選擇。一第三測試系列由溫度為-10℃的一XeF2前驅物儲存器以及溫度為-36℃的一H2O前驅物儲存器、電子束的一停留時間為0.1μs、畫面更新率為1000μs所執行。在此使用1：1的一氣體切割比。在其他實例中，兩前驅物儲存器可處於不同溫度，例 如低於0℃；例如，-20℃至0℃或-15℃至-5℃的XeF2前驅物儲存器；例如，-50℃至-20℃或-40℃至-30℃的H2O前驅物儲存器。這些實例中的畫面更新率可以從0.1至10ms，較佳為0.2至5ms，更佳為0.5至2ms，其中氣體切割比可在1：1至1：10、1：5至1：25、1：10至1：20的範圍內選擇。
對於特定層結構的第二實例，發明人在此已經認識到用於控制去除第一材料(在這情況下為RuOx，即氧化釕)以及第二材料(在這情況下為TaON)的特別有利的參數空間情況下，使用第三材料(在這情況下為Ru的覆蓋層)確定方法的終點。為了獲得有利的結果，第二實例中的各測試系列中使用的第一氣體是XeF2以及添加氣體H2O。然而，這裡還檢驗了在添加氣體中的一添加氧化氣體(在這情況下為二氧化氮)對去除的影響。從特定層結構的第一實例中的測試系列開始編號，第二實例中的測試系列為測試系列四至測試系列七。因此，一第四測試系列由溫度為-15℃的一XeF2前驅物儲存器以及溫度為-36℃的一H2O前驅物儲存器、電子束的一停留時間為0.1μs、畫面更新率為1000μs所執行。在此使用1：30的一氣體切割比。在其他實例中，兩前驅物儲存器可處於不同溫度，例如低於0℃；例如，-30℃至0℃或-20℃至-5℃的XeF2前驅物儲存器；例如，-50℃至-20℃或-40℃至-30℃的H2O氣體。一第五測試系列在此對應於第四測試系列指定的參數，並另外提供二氧化氮(氣體體積流速為1.2sccm)。一第六測試系列由溫度為-20℃的一XeF2前驅物儲存器以及溫度為-36℃的一H2O前驅物儲存器、電子束的一停留時間為0.1μs、畫面更新率為1000μs所執行。在此使用1：30的一氣體切割比。在其他實例中，兩前驅物儲存器可處於不同溫度，例如低於0℃；例如，-40℃至0℃或-30℃至-10℃的XeF2前驅物儲存器；例如，-50℃至-20℃或-40℃至-30℃的H2O前驅物儲存器。一第七測試系列在此對應於第六測試系列指定的參數，並另外提供二氧化氮(氣體體積流速為1.2sccm)。在一掃描式電子顯微照片中，蝕刻結構的一更銳利的邊緣輪廓歸因於具有二氧化氮及水作為添加氣體的測試系列。應當提及的是，對於具體層結構的第二實例中的處 理方法，畫面更新率也可在0.1-10ms之間變化，較佳為0.2至5ms，更佳為0.5至2ms，其中氣體切割比也可在1：1至1：10、1：5至1：25或1：10至1：20的範圍內選擇。
本文所述測試系列中，在該方法期間(即在去除第一及第二材料中，以及在用粒子束處理第三材料中)，確定從工作區域中釋放的電子的訊號強度。強度在此取決於粒子束(在實例中為電子束)的劑量。劑量在此對應於在該方法過程中透過待蝕刻區域(工作區域)引入的劑量，並透過一背散射電子檢測器確定強度。在此可確定強度取決於粒子束所作用的材料。在此可以將一特定強度值(或值範圍)分配給一特定材料或一特定層結構的層。因此，可透過作為一劑量函數的強度級數，來監測特定層結構的各個層的去除。例如，在強度(顯著)變化的情況下(例如強度級數的一局部正及/或負上升)，可以得出結論，在於去除導致從一先前暴露的層到一(底下)不同的層，現在也暴露在外，但會產生一不同強度的電子信號。例如，可以用一強度IX檢測先前暴露的層的材料，並用一強度IY檢測另一層的材料，其中IY<IX(或IY>IX)。在一過渡階段，可以檢測到Ix和Iy之間的一降低(增加)強度，這導致強度級數下降(上升)。此外，在一(主要)恆定的強度級數的情況下，可推論例如正在處理一暴露的層。這是因為強度沒有明顯(顯著)變化，這可藉由暴露的材料的一變化來解釋。與例如暴露的層的變化以及暴露的層的處理相關聯的強度級數的這些特性，可用於確定該方法的一終點。
此外，對於本文所描述的測試系列(即測試系列一至七)，對應的蝕刻深度根據粒子束的選定(引入)劑量來確定。為此，對於一測試系列，多個幾何相同的測試結構(或相同的測試區域/要蝕刻的工作區域)經歷對應的方法，不同測試結構中只有在(引入的)劑量不同。因此可評估粒子束(引入的)劑量對於對應方法的影響。測試結構的蝕刻深度在此由原子力顯微鏡確定。這些資訊項目可用於蝕刻深度的一級數，作為對應方法的(引入的)劑量的函數，具有縱坐標為蝕刻深度、橫坐標為所選(引入的)劑量的圖表。蝕刻深度的級數同樣可以得出結論，以確定特定的層結構。邊緣深度級數的(局部)上 升在此藉由線性回歸來確定，其中(局部)上升對應於一蝕刻速率。由於特定材料的差異，特定層結構的不同材料也具有不同的蝕刻速率。蝕刻速率的這些差異可用於推論蝕刻輪廓級數的哪些特徵部分可分配給第一層、第二層或覆蓋層。
在一實例中，方法200因此包含基於一特定蝕刻速率(或蝕刻速率的一特定差異)及/或電子訊號中的一特定強度級數來確定方法的一終點。(如本文所述)蝕刻速率及/或強度級數的確定，例如可在第一材料的實際去除之前(例如在一校準實驗中)。
還可設想到的是，特定的層結構由另外層所界定。例如，可設想到的是，在覆蓋層及第一層之間存在至少一緩衝層。在這情況下，緩衝層可包含本文所描述的圖3a至圖3c的緩衝層P的特徵。就此而言，特定層結構的緩衝層可對應於中間材料(如本文所述)。還可設計特定的層結構，使得除了第一及第二層之外還存在至少一第三層，其中第三層可以構成圖案元件的一吸收層。因此，例如，可在微影物件上配置具有三或多個吸收層的一圖案元件。例如，第一及第二層在此可交替附著在覆蓋層上(例如，層序列可包含覆蓋層、第一層、第二層、第一層、第二層等)。
應當提及的是，在此所限定的含釕吸收層可包含釕以及以下金屬中的至少一者：Nb、Zr、Y、B、Ti、La、Mo、Co、Re。此外，含釕材料可包含以下之至少一者：N、O、H、C。
此外，含釕材料可包含以下過渡金屬中的至少一者：Mo、Ta、W、Ti、Cr、Hf、Ni、V、Zr、Rh、Nb、Pd。在一進一步實例中，含釕材料還可包含以下元素：Cr、Ni、Co、V、Nb、Mo、W、Re、Ta。
原則上，在一光罩修復中也可能需要產生或沉積材料(作為修復材料)。在藉由電子束誘導的釕沉積(例如以RuaZb的形式，如本文所述)修復光罩的情況下，氧化釕或其他含釕沉積物在此也可能導致不需要的材料沉積。不需要的材料沉積可能由例如電子束的脫靶鍊(Off-target strand)與由此產生的 二次電子引起。此外，(修復材料的)不需要的沉積可能由在修復缺陷附近的點位處產生的二次電子，以及在製程材料的垂直邊緣處逸出並傳播到修復缺陷附近的點位的二次電子引起。同樣，從現有材料的側面逸出的前向散射電子(FSE)以及從修復點位環境中的表面逸出的背向散射電子(BSE)也可能導致不需要的材料沉積。
因此，方法200的進一步應用是去除在與修復的缺陷相鄰的區域上藉由提及的這些機制沉積的材料。在一實例中，方法200因此還包含產生一修復材料。
在修復材料的產生過程中，可在電子束誘導沉積中使用一沉積氣體。在此可將以下至少一包括在本發明中作為沉積氣體：(金屬、過渡元素、主族)烷基例如環戊二烯基(Cp)或甲基環戊二烯基(MeCp)、三甲基鉑(CpPtMe3或MeCpPtMe3)、四甲基錫SnMe4、三甲基鎵GaMe3、二茂鐵Cp2Fe、雙芳基鉻Ar2Cr、二茂釕Cp2Ru等此類化合物。另外，本發明中可包含以下中的至少一者作為第一氣體：(金屬、過渡元素、主族)羰基，例如六羰基鉻Cr(CO)6、六羰基鉬Mo(CO)6、六羰基鎢W(CO)6、八羰基二鈷Co2(CO)8、十二羰基三釕Ru3(CO)12、五羰基鐵Fe(CO)5等此類化合物。另外，本發明中可包含以下中的一者作為第一氣體：(金屬、過渡元素、主族)醇鹽，例如四乙氧基矽烷Si(OC2H5)4、四異丙氧基鈦Ti(OC3H7)4等這類化合物。
也可包含以下至少一者作為本發明的沉積氣體：(金屬、過渡元素、主族)鹵化物，例如WF6、WCl6、TiCl6、BCl3、SiCl4及其他這類的化合物。另外，本發明中可包含以下中的至少一者作為沉積氣體：(金屬、過渡元素、主族)錯合物，例如雙(六氟乙酰丙酮)銅Cu(C5F6HO2)2、三氟乙酰丙酮二甲基金Me2Au(C5F3H4O2)、二羰基雙二酮基釕等這類的化合物。也可包含以下中的至少一者作為本發明的沉積氣體：有機化合物例如CO、CO2、脂族或芳族烴、真空幫浦油的成分、揮發性有機化合物以及另外的此類化合物。
方法200(或第一態樣的方法)可透過本文所述本發明的設備來執行。在一實例中，該設備包含一用於修復或處理微影光罩的光罩修復設備。該設備可用於定位以及修復或補救光罩缺陷。該設備可包含例如專利案US 2020/103751 A1中所述設備的部件(參見其中對應的圖3A)。該設備可包含例如一控制單元，其可例如是一電腦系統的一部分。在一實例中，該設備可配置成使得電腦系統及/或控制單元控制如本文揭露第一態樣中的方法的製程參數。這種配置能夠實現受控的以及也自動化的、如本文中指定根據本發明的方法的實施，例如無需人工介入。設備的這種配置可以例如透過如本文所述根據本發明的電腦程式來達成或實現。
圖4示出根據本發明之一說明性設備400的示意性剖面。設備400可配置使得其能夠執行方法200或者本發明的第一及/或第二態樣的方法。在一實例中，設備499包含一用於修復或處理微影光罩的光罩修復設備。設備400可用於定位以及修復或補救光罩缺陷。
圖4的說明性設備400可包含例如一用於提供粒子束的掃描式電子顯微鏡(SEM)101，在此實例中粒子束是一電子束409。一電子槍406可產生電子束409，其可由一或多個射束形成元件408作為一聚焦電子束110而引導到一微影光罩402上，微影光罩402配置在一樣品載台404(或卡盤)上。此外，掃描式電子顯微鏡可用於控制電子束的參數/特性(例如加速電壓、停留時間、電流、對焦、光斑大小等)。可調節電子束的參數，例如關於本文所述方法的一參數空間。電子束409可用作在微影光罩402的工作區域中引發一局部化學反應的一能量源。這可用於例如本文所述方法(例如用於實施第一態樣中的電子束誘導蝕刻)。此外，電子束409可用於微影光罩102的成像。設備400在此可包含一或多個檢測器414，用於檢測電子(例如二次電子、背向散射電子)。
為了進行本文指定對應方法，圖4的說明性設備400可包含用於至少兩不同製程氣體或前驅物氣體的至少兩儲存器。第一儲存容器G1能夠儲存第一氣體。第二儲存容器G2能夠儲存第二氣體。在一些實例中，儲存容器G1及G2 的溫度可以彼此獨立地控制。第二氣體也可視為一添加氣體。此外，在說明性設備400中，每個儲存容器G1、G2具有自己的進氣系統432、447，其可採取一噴嘴結束，該噴嘴靠近電子束410在微影光罩402上的入射點。每個儲存容器G1、G2可能具有自己的控制閥446、431，以控制每單位時間提供的對應氣體的量，即對應氣體的氣體流速。這能夠以此方式作用，即透過在電子束410的入射點處控制氣體體積流速的方式來作用。此外，在一實例中，設備400可包含用於附加氣體的另外的儲存容器，附加氣體可加入第一態樣的方法中，作為一或多個的(添加)氣體(例如本文所述氧化劑、還原劑、鹵化物)。圖4中的設備400可包括一用於產生及維持處理腔室485中所需壓力的幫浦系統。
設備400還可包含一控制單元(或一調節器單元)418，其例如可為一電腦系統420的一部分。在一實例中，設備400可配置成使得電腦系統420及/或控制單元418控制如本文揭露方法的製程參數。這種配置能夠實現受控以及自動化、如本文中指定根據本發明的方法的實施，例如無需人工介入。設備400的這種配置可例如透過如本文所述根據本發明的電腦程式來達成或實現。
圖5示出透過一微影物件的圖案元件中剖面的示意圖，其中圖案元件能夠由本發明的一說明性方法來處理。例如，藉由第一態樣的方法，可在工作區域局部去除圖案元件的三層1、2、3。
一說明性配置可例如為如下：圖案元件的第一層1可包含第一(含釕)材料(如本文所述)。圖案元件的一第二層2在此可包含第二(含鉭)材料(如本文所述)。圖案元件的一第三層3在此可包含另外的(含鉭)材料(如本文所述)。第二層可例如由硼酸鉭(例如TaBO)形成或包括所述材料及/或第三層可以例如由硼氮化鉭(例如TaBN)形成或包括所述材料。應當提及的是，圖案元件的第一、第二及/或第三層的層厚度在圖5中僅示意性示出。因此，在一實例中，第二層的層厚度也可小於第一層及/或第二層的層厚度(儘管也可設想到其他幾何變化)。本文所述三層中的至少一者的局部去除，在此不(需)限於三層的一特定層厚度順序。
圖5同樣示出覆蓋層D、反射層堆疊ML以及微影物件的基材。圖5的物件例如可為一用於EUV微影的光罩。例如，光罩可包含一相移EUV光罩及/或一(基本上)輻射吸收EUV光罩。具有第一、第二及第三層1、2、3的圖案元件，在此可設計成對應地相移及/或吸收輻射以用於EUV微影。
例如，在光罩中有缺陷的情況下，本文所述方法的一實例中可去除一圖案元件層的過量材料。該缺陷例如可為不透光的缺陷。為了去除工作區域中的第一層1，在此可使用二氟化氙以及水作為第一製程氣體(如本文所述)。為了去除第二層及/或第三層，可使用二氟化氙與二氧化氮及四乙氧基矽烷作為第二製程氣體(如本文所述)。覆蓋層D在此可包含釕。覆蓋層D在此可用作去除第二層及/或第三層的蝕刻阻擋層。
本發明的多個進一步實例可如下：
實例1：一種用於處理微影物件的方法，其包含：
提供一第一製程氣體；
在該物件的一工作區域中提供一粒子束，用於至少部分基於該第一製程氣體去除該工作區域中的一第一材料(1)；
其中該第一材料(1)包含釕。
實例2：如實例1所述之方法，其該中第一製程氣體包含二氟化氙分子。
實例3：如實例1或2所述之方法，其中該第一製程氣體包含水分子。
實例4：如實例1至3中任一項所述之方法，其中該方法更包含：
提供一第二製程氣體；
在該物件的一工作區域中提供一粒子束，用於至少部分基於該第二製程氣體去除該工作區域中的一第二材料(2)；
其中該第二材料(2)包含鉭。
實例5：如實例4所述之方法，其中該第二製程氣體包含二氟化氙分子。
實例6：如實例4或5所述之方法，其中該第二製程氣體包含二氧化氮分子。
實例7：如實例4至6中任一項所述之方法，其中該第二製程氣體包含四乙氧基矽烷分子。
實例8：如實例4至7中任一項所述之方法，其中該方法更包含：
在該物件的一工作區域中提供一粒子束，用於至少部分基於第二製程氣體去除該工作區域中的另外材料(3)；
其中另外材料(3)包含鉭，
其中另外材料(3)具有與第二材料(2)不同的一材料組成。
實例9：如實例8所述之方法，其中相較於另外材料中所包括另一元素的莫耳比例，另外材料(3)中的鉭的莫耳比例係較高或基本上相同。
實例10：如實例8與9中任一項所述之方法，其中另外材料(3)包含以下之至少一者：氧化鉭、硼化鉭、氮化鉭、硼氮化鉭。
實例11：如實例1至10中任一項所述之方法，其中相較於第一材料中所包括另一元素的莫耳比例，該第一材料(1)中的釕的莫耳比例係較高或基本上相同。
實例12：如實例4至11中任一項所述之方法，其中相較於第二材料中所包括另一元素的莫耳比例，該第二材料(2)中的鉭的莫耳比例係較高或基本上相同。
實例13：如實例4至12中任一項所述之方法，該第二材料(2)更包含氧、硼及/或氮。
實例14：如實例4至13中任一項所述之方法，其中該第二材料(2)包含以下之至少一者：氧化鉭、硼化鉭、氮化鉭、硼氮化鉭。
實例15：如實例1至14中任一項所述之方法，其中該粒子束包含一電子束。
實例16：如實例1至15中任一項所述之方法，其更包含：至少部分基於檢測從物件釋放的電子，來確定去除一材料的終點。
實例17：如實例1至16中任一項所述之方法，其中在一預定時間段內至少部分去除一材料。
實例18：如實例1至17中任一項所述之方法，其中去除的材料包含物件的圖案元件中的一層材料。
實例19：如實例1至18中任一項所述之方法，其中該方法以此方式作用，即修復該物件的缺陷。
實例20：如實例1至19中任一項所述之方法，其中該物件包含一用於EUV微影的光罩。
實例21：一種用於處理微影物件的設備(400)，其包含：提供一第一製程氣體的構件；
在該物件的一工作區域中提供一粒子束的構件，其中該設備配置成執行如實例1至20中任一項所述之方法。
實例22：一種包含多個指令的電腦程式，當一電腦系統執行該等指令時，使電腦系統及/或如實例21所述之設備實施如實例1至20中任一項所述之方法。
1000:細節
1010:缺陷
1020:原始缺陷區域
D:覆蓋層
PE:無缺陷圖案元件
R:修復狀態

Claims (31)

  1. 一種用於處理微影物件的方法，包含：
    提供一含有第一分子的第一氣體；
    在該物件的一工作區域中提供一粒子束，用於至少部分基於該第一氣體去除該工作區域中的一第一材料，
    其中該第一材料包含釕。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該工作區域中的該第一材料係完全去除。
  3. 如請求項1或2所述之方法，其中該第一材料能夠吸收與該物件相關的輻射。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中該第一材料對應於該物件的圖案元件中的一層材料。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該第一材料更包含至少一第二元素。
  6. 如請求項5所述之方法，其中該第二元素包含以下之至少一者：一金屬、一半導體。
  7. 如請求項5及6中任一項所述之方法，其中該第二元素包含以下之至少一者：鉭、鉻、氮、氧。
  8. 如請求項5至7中任一項所述之方法，其中該釕與該第二元素形成一化合物。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之方法，其中該方法以此方式作用，即藉由該去除，使鄰接該第一材料的第二材料至少部分暴露在該工作區域中。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該第一材料及該第二材料係至少一元素不同。
  11. 如請求項9及10中任一項所述之方法，其中該第二材料包含鉭及/或鉭化合物。
  12. 如請求項9至11中任一項所述之方法，其中該方法更包含去除該工作區域中的該第二材料。
  13. 如請求項12所述之方法，其中該方法以此方式作用，即藉由該第二材料的該去除，使鄰接該第二材料的一第三材料至少部分暴露在該工作區域中。
  14. 如請求項13所述之方法，其中該第三材料包含釕。
  15. 如請求項13及14中任一項所述之方法，其中該第一材料及該第三材料包含相同的元素。
  16. 如請求項13至15中任一項所述之方法，其中該第二材料及/或該第三材料對應於一圖案元件層材料及/或對應於該物件的一反射層堆疊的覆蓋層的材料。
  17. 如請求項1至16中任一項所述之方法，其中該第一分子包含一鹵素原子。
  18. 如請求項1至17中任一項所述之方法，其中該第一分子包含一惰性氣體鹵化物。
  19. 如請求項18所述之方法，其中該惰性氣體鹵化物包含以下之至少一者：二氟化氙XeF2、二氯化氙XeCl2、四氟化氙XeF4、六氟化氙XeF6。
  20. 如請求項1至19中任一項所述之方法，其中該方法更包含：
    提供一含有第二分子的第二氣體，其中該第一材料的該去除也至少部分基於該第二氣體。
  21. 如請求項20所述之方法，其中一有關該第二分子的偶極矩包含至少1.6 D，較佳至少1.7 D，更佳至少1.8 D，最佳至少1.82 D。
  22. 如請求項19及21中任一項所述之方法，其中該第二分子包含水H2O及/或重水D2O。
  23. 如請求項1至22中任一項所述之方法，其中該粒子束至少部分基於小於3kV、較佳小於1kV、更佳小於0.6kV的一加速電壓。
  24. 如請求項20至23中任一項所述之方法，其中該方法至少部分基於與該第一氣體及/或該第二氣體相關的一溫度，其中該溫度低於0℃(273.15 K)，較佳低於-5℃(268.15 K)，更佳低於-10℃(263.15 K)，最佳低於-15℃(258.15 K)。
  25. 如請求項1至24中任一項所述之方法，其中該粒子束包含一電子束。
  26. 如請求項1至25中任一項所述之方法，其中該方法以此修復該物件缺陷的方式作用。
  27. 如請求項1至26中任一項所述之方法，其中該物件包含一EUV光罩及/或一DUV光罩。
  28. 一種用於處理微影物件的設備，包含：
    提供一第一氣體的構件；
    在該物件的一工作區域中提供一粒子束的構件，其中該設備配置成執行如請求項1至27中任一項所述之方法。
  29. 一種微影物件，其中該物件已藉由如請求項1至27中任一項所述之方法進行處理。
  30. 一種用於處理半導體基礎的晶圓的方法，包含：
    將有關一微影物件的圖案微影轉移到該晶圓，其中該物件已藉由如請求項1至27中任一項所述之方法進行處理。
  31. 一種含有多個指令的電腦程式，當一電腦系統執行該等指令時，使該電腦系統執行如請求項1至27及/或請求項30中任一項所述之方法。
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