TW202331320A - 用於顯示單元的超穎表面波導耦合器 - Google Patents

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蘇克魯伊金 科卡巴斯
卡梅倫羅伯特 納爾遜
楊俊
亞歷山大雨桐 朱
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Abstract

本揭露內容係關於一種光柵耦合器，該光柵耦合器包括：基材，包括第一主表面及第二主表面；及位於基材的至少一個主表面上的表面起伏結構，其中：光柵耦合器在跨越至少20°的入射光角度範圍內具有至少0.3(30%)的第一階散射效率。本文中所描述的表面起伏結構能包括複數個缺口，每個缺口大致上面對一x方向並具有大於約50 nm的一曲率半徑。

Description

用於顯示單元的超穎表面波導耦合器
此申請案依據專利法請求2021年11月09日提交的美國專利臨時申請案第63/277,201號的優先權權利，此專利申請案的全部內容以引用的方式併入本文中。
本揭露內容係關於用於顯示器單元的超穎表面波導耦合器。
顯示器單元，舉例而言，在增強實境(AR)或虛擬實境(VR)裝置中使用的顯示器單元，可折射指定波長的光。用於設計及產製最佳折射此光的表面的技術為可符合所需的。
本揭露內容係關於一種光柵耦合器，光柵耦合器包括：基材，包括第一主表面及第二主表面；及位於基材的至少一個主表面上的表面起伏結構，其中：光柵耦合器在跨越至少20°的入射光角度範圍內具有至少0.3(30%)的第一階散射效率。本揭露內容亦係關於一種光柵耦合器，光柵耦合器包括：基材，包括第一主表面及第二主表面；位於基材的至少一個主表面上的表面起伏結構表面，該起伏結構在x方向上具有約0.2至約1 μm的週期性且在y方向上具有約0.2 μm至約1 μm的週期性；其中:表面起伏結構包括複數個缺口，每個缺口大致上面對x方向並具有大於約50 nm的曲率半徑。
以下描述及附圖充分地例示具體實施例，以使熟習此項技術者能實踐它們。其他實施例可合併結構、邏輯性、電氣、製程、及其他改變。一些實施例的部分及特徵可包含在或替換其他實施例的部分及特徵。請求項中闡述的實施例涵蓋那些請求項的所有可獲得的均等物。
增強實境(AR)，有時亦稱作混合實境(MR或XR)，為一個日益受到重視的概念。儘管它起源於國防產業，以飛行模擬器、及相關培訓計劃的各種頭戴式顯示器的形式出現，AR可能會導致傳統顯示技術的下一次演進它已從陰極射線管電視機發展至液晶顯示器(LCD)電腦監視器/膝上型筆記本電腦螢幕，有機發光二極體(OLED)平板電腦及智慧型手機。預計AR市場會成長。
與虛擬實境(VR)的一些使用案例不同，AR對所涉及的光學技術的方面為高需求，因為來自周圍環境暨微型顯示器二者的光均可以合理的效率準確地傳達給觀看者。這可能會利用光結合器的存在，光結合器通常採用自由曲面光學器件的形式，諸如光束分光器/結合器或波導耦合器任一者。前者途徑可能，在一些情況下，對所涉及的光學器件提出很高的需求，這可能會同時放大及增加從顯示器至眼睛的光學路徑長度，校正光學像差，並允許來自實境世界的光在沒有變形或干涉的情況下通過。這可能需要複雜的光學器件，諸如自由曲面棱鏡，它們可能體積龐大且具有大的空間覆蓋範圍。由於該原因，波導架構之所以具有吸引力，是由於其本質上小型外形尺寸，且無需額外、龐大的光學器件即可提供眼箱擴展的能力。一對光柵輸入/輸出耦合器將來自顯示器的光耦合進/出波導。可藉著全內反射(TIR)增加光學路徑長度，並可藉由輸出光柵耦合器逆轉輸入光柵引入的任何變形。後者通常可與前者一致，除了效率上的梯度，這允許眼箱擴展。因此，波導架構已發展成為先行者。
波導結合器架構的代表性範例100A，如圖1A中所圖示。整體AR裝置包含三個分離的波導，每個波導具有一對輸入耦合/輸出耦合光柵102A-1、102A-2、102A-3。如圖所示，光柵102A-1係用於藍光。光柵102A-2係用於綠光。光柵102A-3係用於紅光。每種原色—藍色、綠色、及紅色—均與不同波長的光相關聯。這樣做是為了在波導允許的最大入射角度的範圍內耦合光，從而增加給定基材折射率及光柵週期的視野(FOV)。如圖所示，光柵接收來自顯示器引擎104A的光(或其他視覺資料)並將來自顯示器引擎104A的光偏轉到眼睛瞳孔106A上。在圖1A中，所圖示的光柵為傾斜光柵，但是可使用任何週期性散射光學元件。此等光學元件的明智設計用於同時實現高效率、大眼箱、及大視野。
圖1A例示根據揭露內容，範例紅綠藍(RGB)三波導架構100A。如圖1A中所圖示，顯示器引擎104A生成紅光、綠光、及藍光(每種顏色與不同的波長相關聯)。經由波導102A-1處理藍光。經由波導102A-2處理綠光。經由波導102A-3處理紅光。將波導102A-1、102A-2、及102A-3的輸出提供給眼睛瞳孔106A。
圖1B例示根據揭露內容，攜帶三種顏色(紅色、綠色、及藍色)的範例單一波導架構100B。如圖所示，顯示器引擎104B生成紅光、綠光、及藍光。所有光(紅色、綠色、及藍色)均藉著單一波導102B進行處理，以生成提供給眼睛瞳孔102B的輸出。有利地，單一波導架構100B比三波導架構100A需要更少的波導。
用於波導AR架構的現有光柵耦合器的一個据限為前文所述的視野(FOV)。根據一些範例，這可包含可耦合至平面波導中的光的入射角度的範圍。這可對應至觀看者可看到AR顯示器的角度的範圍。在傳統光柵中，FOV藉由光柵結構的幾何參數(例如，週期性、折射率對比度、傾斜角度)根據布拉格定律決定。然而，與人眼幾乎180度的視野相比較，這個視野約可以達到30至40度。額外地，作為入射角度函數的耦合效率亦為一個問題。理想情況下，光柵耦合器可擁有的效率可能在跨越FOV範圍內保持均勻，這最近似自然觀察條件。然而，在實務上，除了具有有限的FOV之外，典型光柵的效率會隨著FOV的增加而急劇下降，並可能導致成像偽影及不愉快的觀看經驗。由於此急劇下降，系統的有效FOV可能會明顯地減少。此等週期性元素的設計用於同時實現高效率、大眼箱及大視野。
因而，本揭露內容係關於具有自由曲面(拓撲結構優化)形狀的亞波長光柵的獨特設計。它們具有比大多數替代競爭技術明顯地更多的FOV，本質上更為通用，此乃因他們可設計成適應多種不同的規格及性能指標，並在FOV上擁有幾乎一致的效率。
本文中所描述為超光柵耦合器，用於替換現有的表面起伏光柵。本文中所描述的光柵耦合器，有助於創造具有廣泛視野的光柵作為設計目標，有效地均衡不同入射角度下的散射效率，實現寬視野效率的平衡。本文中所描述光柵耦合器不限於簡單的橫向幾何形狀，因此與傳統光柵設計相比較具有明顯地較大的設計空間，從而能找到更高的性能。本文中所描述光柵耦合器使用具有二元表面高度(無傾斜或灰階度特徵高度變化)的單一層薄材料，因而與一些現有的表面起伏光柵設計相比較，相對地更容易產製、及製造。
本揭露內容提供一種在可見波長下操作的反向設計的、散射效率優化的超穎表面光柵輸入耦合器。光柵元素的設計方法可應用於高性能AR/VR波導耦合器。光柵單元(水平及垂直排列)可包含奈米級、介電結構，具有自由曲面的橫向幾何形狀及在玻璃基材上產製的單一高度位準。橫向奈米結構幾何形狀經過拓撲優化，以針對選定波長實現最高(或高於閾值)的散射效率均勻性及FOV。
AR系統的輸出光柵耦合器可利用透射效率的梯度來確保最高的眼箱擴展。梯度可藉由以下方式實現，舉例而言，光柵高度(深度)的變化。在一些實施例中，藉由為優化後的超光柵單元晶胞選擇不同的目標透射率值，然後將不同的透射率值的單元晶胞拼接在一起，亦可實現相同的作用。
參照圖2A至2B，本揭露內容係關於光柵耦合器200的一部分，該光柵耦合器包括基材202，基材包括第一主表面204及第二主表面206；及位於基材的至少一個主表面上的表面起伏結構208，其中：光柵耦合器200在跨越至少20°的入射光角度範圍(舉例而言，至少約25°、至少約30°、至少約35°、至少約40°、至少約45°、至少約50°、至少約55°、至少約60°、自約20°至約90°、約20°至約60°、約20°至約45°、約30°至約60°或約30°至約60°)，具有的第一階散射效率為至少0.3(30%)(舉例而言，至少約0.3、至少約0.35、至少約0.40、至少約0.45、至少約0.5、至少約0.6、自約0.3至約0.6、約0.3至約0.45、約0.35至約0.6,或約0.4至約0.5)。因此，舉例而言，本文中所描述的光柵耦合器在跨越至少40° 的入射光角度範圍內可具有至少0.3(30%)的第一階散射效率。替代地，或額外地，本文中所描述的方法能所述之光柵耦合器在跨越至少30°的入射光角度範圍內，可具有的第一級散射效率相對於峰值效率的改變不大於20%。
儘管亦可選擇更高折射率的基材，基材可選擇n=1.8折射率的玻璃，它可以用於AR應用。應當注意光柵耦合器的FOV隨著基材折射率的增加而改善。光柵單元尺寸(圖2A至2B中的u)被選擇為λ/1.1(舉例而言，光柵晶胞尺寸可被選擇λ/2.0至λ/1.0或λ/1.2至λ/1.05)，其中λ為設計波長。可在200至300 nm左右優化高度尺寸。在一些範例中，高度尺寸h可在100及1000 nm之間。因此，舉例而言，表面起伏結構208在z方向上可具有的平均高度可為約0.15 μm(150 nm)至約0.25 µm(250 nm)、約0.1 µm(100 nm)至約0.5 µm(500 nm)、或約0.15 µm(150 nm)至約0.35 µm(350 nm)。
本文中所描述的表面起伏結構(舉例而言，表面起伏結構208及408，圖4A中描述的後者)亦可具有折射率，諸如至少1.9、至少2.0、至少2.1、至少2.2或自約1.9至約2.5。本文中所描述的可選擇表面起伏結構的折射率，使得光柵耦合器的第一階散射效率與表面起伏結構的折射率具有之比值為約0.05至約0.15(舉例而言約0.05至約0.1、約0.1至約0.15、約0.05至約0.09、約0.075至約0.15或約0.09至約0.13)。
選擇相對於空氣具有高折射率的介電光柵材料可有用於逆向設計，此乃由於它允許薄介電層之內存在光學諧振模式，可在預期的散射方向上相長干涉。在一些情況下，光柵材料折射率的下限可為n＝2.0。
圖3A例示梯度折射率光柵耦合器的範例，其中1.0表示高折射率材料，0.0表示低折射率材料。圖3B例示圖3A的第一個範例波導耦合器的入射角度與第一階透射有關的範例曲線圖，該術語在本文中與「第一階散射效率」可互換使用。圖3C例示第二範例光柵耦合器200，包括基材202，基材包括第一主表面204及第二主表面206(未圖示)；表面起伏結構208位於基材的至少一個主表面上。圖3D例示圖3C的第二個範例波導耦合器的第一階透射與入射角度有關的範例曲線圖。複數個表面起伏結構208為如圖3C中所圖示。複數個表面起伏結構的週期性可為x方向及y方向上的任何合適的週期性，如圖3C中所圖示。舉例而言，複數個表面起伏結構在x方向210及y方向212的週期為自約0.4 µm至約0.7 µm。
TiO 2為在可見波長下操作的介電超穎表面的一種選擇，此乃由於它具有相對較高的折射率(在可見光譜中約為2.4)及低材料損失。圖3A至3D將未優化的TiO 2光柵結構(線性閃耀光柵)與優化的TiO 2逆向設計進行比較。線性閃耀光柵(圖3A)圖示相對鋒利的透射最大值，該最大值在遠離20度時快速衰減(圖3B)。歸因於快速衰減，入射角度超過34度時透射率低於30%(圖3B)。另一方面，圖3C中所圖示的反向設計的TiO 2光柵在高達41度的入射角度下保持40%的透射位準(見圖3D)。入射器系統的可用角帶寬可作為入射角度相關透射率的半高全寬(FWHM)。因而，由反向設計結構提供的散射效率均勻性的改善獲得更高的有效FOV。
圖3A至3D例示未優化的梯度折射率光柵相對於拓撲結構優化的超穎表面光柵的比較。在這二者情況下，最高指數為TiO 2( )。 ， 。在圖3A及3C中，圖示光柵橫向結構的圖像。黑色對應至TiO 2，白色對應至空氣，灰色對應至中間指標。圖3B及3D圖示TE及TM二者偏振光的第一階透射散射效率，圖3B對應至圖3A，圖3D對應至圖3C。
參照圖3C，本揭露內容係關於光柵耦合器200，光柵耦合器包括：基材202，基材包括第一主表面204及第二主表面(未圖示)；表面起伏結構208位於基材202的至少一個主表面上，表面起伏結構208在x方向210上具有約0.2至約1 µm的週期性並在y方向212上具有約0.2 µm至約1 µm的週期性；其中：表面起伏結構208包括複數個缺口214，每個缺口214大致上面對x方向並具有大於約50 nm的複數個曲率半徑300、302、及304(舉例而言，自約50 nm至約100 nm、約50 nm至約80 nm、諸如約70 nm或更大、諸如，舉例而言，無限曲率半徑(表示直線)、諸如約50 nm至約無窮或從約70 nm至約無窮)。見圖3E，其中缺口214具有曲率半徑300且表面起伏結構208的另外兩個部分具有兩個另外的曲率半徑。
為了有助於製造容易，一些實施例利用其中使用高(折射)指數聚合物來形成本文中所描述的表面起伏結構的設計(舉例而言，表面起伏結構208及408，後者在圖4A中描述)代替純TiO 2。在一些情況中，可藉由在聚合物中加載TiO 2奈米顆粒來微調聚合物的有效折射率。加載樹脂的最終折射率取決於奈米顆粒的密度，且可使用馬克士威-賈奈特公式計算。載有奈米顆粒的樹脂可具有高達1.9至2.0的折射率。本文中亦考量單體光柵耦合器，其中本文中所描述的表面起伏結構(舉例而言，表面起伏結構208及408，後者在圖4A中描述)由相同的材料形成(舉例而言，n=2.0玻璃或類似玻璃基材)作為基材。舉例而言，可藉由蝕刻基材形成本文中所描述的表面起伏結構(舉例而言，表面起伏結構208及408，在圖4A中描述後者)。簡而言之，本文中所描述的表面起伏結構(舉例而言，表面起伏結構208及408，後者在圖4A中描述)可包括無機材料(舉例而言，TiO 2)、有機材料(舉例而言，聚合物，諸如(聚)甲基丙烯酸甲酯(PMMA))或包括分散在有機材料中的無機材料的有機材料(舉例而言，聚合物如結合了TiO 2奈米顆粒的PMMA，如本文所述)。
圖4A例示根據本揭露內容中的光柵耦合器400的範例超光柵設計。在此範例中，光柵耦合器400具有表面起伏結構408，其包括在x方向410上以週期性佈置的複數個鄰接列416，此等列在y方向412上延伸。圖3C中所圖示的光柵耦合器208為一個範例，其中表面起伏結構208包括在x方向210及y方向212上以週期性佈置的複數個不鄰接的列216及行218。光柵耦合器200及400，跨越至少20°的入射光角度範圍(舉例而言，至少約25°、至少約30°、至少約35°、至少約40°、至少約45°、至少約50°、至少約55°、至少約60°、自約20°至約90°、約20°至約60°、約20°至約45°、約30°至約60°或約30°至約60°)，可具有的第一階散射效率，為至少0.3(30%)(舉例而言，至少約0.3、至少約0.35、至少約0.40、至少約0.45、至少約0.5、至少約0.6、自約0.3至約0.6、約0.3至約0.45、約0.35至約0.6,或約0.4至約0.5)。因此，舉例而言，本文中所描述的光柵耦合器在跨越至少40°的入射光角度範圍內可具有至少0.3(30%)的第一階散射效率。替代地，或額外地，本文中所描述的光柵耦合器在跨越至少30°的入射光角度範圍內，可具有的第一級散射效率相對於峰值效率的改變不大於20%。替代地，或額外地，光柵耦合器200及400可僅包括由基材及表面起伏結構組成的兩個「層級」，沒有任何中間「層級」，使得表面起伏結構所在的光柵耦合器200及400處的橫截面將僅圖示兩層，一個層對應至表面起伏結構208/408，另一層對應至基材204/404。
圖4B例示圖4A的超光柵設計的角度相關耦合效率，n substrate=1.80，n meta=2.0，h meta=0.2 µm。可使用奈米壓印微影技術產製純TiO 2結構，其中使用主圖案在抗蝕劑中壓印反向設計圖案，接著進行蝕刻步驟以顯示TiO 2結構。在此情況下，最終的光柵設計可使用奈米壓印母版直接圖案化到高折射率聚合物中，無需蝕刻步驟。假設n=2.0的設計如圖4A中所圖示，其性能如圖4B所圖示。
儘管此種材料對可見波長的光學吸收可能高於TiO 2，亦可使用其他高折射率材料諸如晶體矽實現高效率元件。非晶矽中的光學損失可能太高而不能將其視為設計材料。然而，通常難以在玻璃上產生高品質的薄層晶體矽，因為它可能在一些情況下利用黏合/轉移步驟。
光柵結構滿足光柵方程，等式1。 (等式1)
等式1中，n 1及n 2分別為環境(空氣，n 1=1)及基材(高折射率玻璃，n 2=1.8)的折射率，θ為入射角度，α為輸出角度，m為光柵階，λ為波長，d為光柵週期。圖5A例示範例幾何形狀。
為了使耦合器內光柵正常地工作，根據一些範例：(1)對於第一階散射(m=1)，α在[α min、α max]範圍內，其中α min由全內反射決定，α max由允許的最大切線角度決定，舉例而言，75°，及(2)對於第二、第三、負第一、等任何其他散射階，可能不滿足散射等式(因此被波導引導)。
如圖5B中結果總結，其中頻帶502B對應至特定光柵週期d或其標準化空間頻率λ/d支持的視野。若以對稱視野為目標，則最佳設計可能具有λ/d≈1.35，在圖5B中標記為V1。另一方面，若以非對稱視野為目標，僅覆蓋實際視野的一半，並使用單獨的光柵覆蓋另一半視野，則最佳設計可能具有λ/d=1.0(V3)或λ/d=1.75(圖5B中的V2)。然而，一般而言，具有大的d可有助於產製並具有更高的效率。因此，在一些實施例中，λ/d=1.1。
圖5A圖示入射角度 與散射角度 之間的關係。熟習此項技術者將認知，若入射光線來自左側，則角度theta將為負。內耦合器光柵的目標為散射角度位於 (由全內反射決定)與 (由最大切線角度決定，舉例而言， )之間。圖5B將入射角度 圖示為標準化光柵空間頻率 的函數，其中 為波長， 為光柵週期。
欲最大化的優值函數圖如等式2中顯示出。 (等式2)
在等式2中，功率(θ、η)為第一階光的透射，給定入射角度θ及產製條件η， 為入射光的一組角度。 為一組描述產製製程的製造約束的參數。取決於確切的產製製程(例如，電子光束微影、深紫外微影、或奈米壓印微影等)，在一些情況下，此種產製約束可能不同。
等式2表代表的為在所有產製條件及所有可能的入射角度中，最壞情況下的性能得到優化。替代地，可使用等式3。 (等式3)
在等式3中，有一個額外參數A(θ、η)，用於描述不同條件的相對重要性(或權重)。舉例而言，若A(θ、η)=1，則意指所有條件的權重相等。取決於確切的目標回應，可使用不同的評價函數圖。
圖6例示用於二氧化鈦奈米結構的奈米產製的電子光束微影及原子層沉積(ALD)製程900。在方塊902處，首先將抗蝕劑旋塗在玻璃基材上，接著在方塊904處進行電子光束圖案曝光。方塊906及908包含TiO 2ALD沉積。方塊910圖示反應離子蝕刻(RIE)。方塊912包含剩餘抗蝕劑的去除。
由於反向設計光柵結構可從單一高度位準的介電材料實現，所以可能使用大批量技術諸如奈米壓印(或卷對卷奈米壓印)微影(NIL)產製該元件。NIL製程的示意圖如圖7中所圖示。
圖7例示奈米壓印微影(NIL)的範例程序1000。使用具有預期圖案負片的電子光束微影來產製模板1002。將TiO 2薄膜1004沉積至玻璃基材上，接著為聚合物抗蝕劑薄層。模板被壓製入抗蝕劑中，形成與預期圖案相反的圖案。接著使用RIE蝕刻1006(例如，使用感應地耦合電漿(ICP)RIE)蝕刻堆疊，其中聚合物層提供硬質遮罩。
使用圖6中的電子光束微影及ALD沉積製程，一些實施例可產製逆向設計光柵耦合器作為概念證明。可為488 nm(444 nm的單元晶胞)設計光柵耦合器。該結構的向下俯視圖如圖8A中所圖示。為了允許光束在沒有全內反射(TIR)的情況下透射通過樣品，可將基材(n=1.8)黏合至舉例而言，N-SF11棱鏡(n=1.82，λ=455 nm)使用n=1.7黏著劑，等。在一個範例中，黏著劑可為產品編號NOA170(Norland Products)。第一階光束的透射率如圖8C中所圖示，校正交界之間的菲涅爾損失。光柵耦合器的偏振相關性及透射率的角度相關性與理論光譜非常吻合。該元件的整體效率可能，在一些情況下，可藉由進一步的製程改進來改善，舉例而言，藉由去除圖8B中所看出的光柵特徵之間的一些殘留抗蝕劑。
圖8A例示根據一些實施例，結構的向下俯視圖。舉例而言，圖8A可能包含用於反向設計光柵的圖案目標.gds檔案。圖8B例示根據一些實施例，產製的TiO 2逆向設計光柵的範例掃描電子顯微鏡圖像（SEM），圖8C例示根據一些實施例，TE(橫向電性)及TM(橫向磁性)偏振的光柵裝置量測的第一階透射率範例。TM區之內的入射角度產生第一階光束，其具有的偏轉角高於基材與黏著劑之間的TIR角度。圖8D例示根據一些實施例，使用嚴格耦合波分析(RCWA)方法模擬TE及TM偏振光柵裝置的透射率範例。
圖9A至9B例示可實行一些實施例的範例玻璃配置。在圖9A中，藉由具有超穎表面波導耦合器的蝕刻玻璃1204A透過眼球1206A觀察到物件1202A。光直接流經通過玻璃1204A，使得眼球1206A在玻璃1204A的與物件1202A相對的一側上。在圖8B中，物件1202B透過具有超穎表面波導耦合器的蝕刻玻璃1204B被眼球1206B觀察到。光直接流經通過玻璃1204A，使得眼球1206B位於玻璃1204B的與物件1202B毗鄰的一側。在圖8B中，光被折射(例如，藉由超穎表面波導耦合器)以行進到玻璃1204B的毗鄰側而非玻璃的相對側，如圖8A中。
以範圍格式表達的值應以彈性的方式解釋為，不僅包含明確列舉成範圍限制之數值，而是亦如同已明確陳述每個數值及子範圍一般，包含此範圍之內所涵蓋之所有個別數值或子範圍。舉例而言，「約0.1％至約5％」或「約0.1％至5％」的範圍應解釋成不僅包含約0.1％至約5％，但是亦應包含個別值(如，1％、2％、3％、及4％)及在表示的範圍之內之子範圍(如，0.1％至0.5％、1.1％至2.2％、3.3％至4.4％)。除非另作表示，否則陳述「約X至約Y」具有的含義與「約X至約Y」的含義相同。同樣地，除非另作表示，否則陳述「約X、Y、或約Z」具有的含義與「約X、約Y、或約Z」的含義相同。
在此文件中，除非內容另作明確指定，否則術語「一(a)」、「一(an)」、或「該」用於包含一個或更多個以上。除非另作表示，否則將術語「或」用於指代非排他性的「或」。此外，應當瞭解，本文中運用的措詞或術語是，並未另外界定時，係僅為描述而非据限的目的。段落標題的任何使用意圖幫助閱讀文件，而不應被解釋成限制。進一步地，與段落標題相關的資訊可發生在該特定段茖之內部或之外。進一步地，本文件中所稱的所有出版物、專利、及專利文件以全文引用的方式併入本文中，就如同個別藉由引用併入一樣。在本文件與藉由引用方式併入的那些文件之間的用法不一致的情況下，則所併入的參考中的用法應被認為對本文件的補充；對於不可調和的不一致，以本文件中的用法為準。
在本文中所描述之方法中，除非明確列舉時間或操作順序，能以任何順序執行步驟，而不脫離本發明的原理。進一步地，除非明確的請求項用語列舉指定的步驟為單獨地執行，可同時執行指定的步驟。舉例而言，可在單一操作之內同時進行請求保護的X步驟及請求保護的Y步驟，且所得的製程將落在所請求製程的字面範圍之內。
如本文中所使用之術語「約」可允許在值或範圍內之可變性程度，舉例而言，在所述值或在所述限制的10％之內、5％之內、的1％之內，且包含確切的所載值或範圍。
如本文中所使用的術語「大致上」係指絕大多數、或大部分、諸如至少約50％、60％、70％、80％、90％、95％、96％、97％、98％、99％、99.5％、99.9％、99.99％或至少約99.999％、或更多。
如本文中所使用的術語「大致上沒有」係指小於約30%、25%、20%、15%、10%、5%、3%、2%、1%、0.5%、0.1%、0.05%、0.001%、或小於約0.0005%或更少、或約0%、或0%。
應當理解，在不脫離本揭露內容的精神和範圍的情況下，熟習此項技術者可能對本文中所描述的範例性實施例進行許多修改。因此，此描述並無意在且不應解讀成被限於所給定的範例，但是應被授權隨附請求項及其均等物所提供的全部保護廣度。此外，可能使用本揭露內容的一些特徵，而無需對應使用其他特徵。據此，為了說明本揭露內容的原理的目的而提供對例示性實施例的上述描述，而非對其進行据限，且可包含對此等實施例進行修改及置換。
將一些實施例描述為編號範例(範例1、2、3等)。此等僅作為範例提供，並不限制本文中所揭露的技術。
h:高度 n 1:環境的折射率 n 2:基材的折射率 u:光柵單元尺寸 100A:紅綠藍(RGB)三波導架構 102A-1~102A-3:輸入耦合/輸出耦合光柵 102B,106A,106B:眼睛瞳孔 104A,104B:顯示器引擎 200,400:光柵耦合器 202:基材 204:第一主表面 206:第二主表面 208,408:表面起伏結構 210,410:x方向 212,412:y方向 214:缺口 216:不鄰接的列 218:不鄰接的行 300~304:曲率半徑 416:鄰接的列 900:製程 902~912:方塊 1002:模板 1004:TiO 2薄膜 1006:RIE蝕刻 1202A,1202B:物件 1204A,1204B:蝕刻玻璃 1206A,1206B:眼球
藉由範例的方式而非据限的方式，附圖總體上例示在本文件中所論述之各種實施例。
圖1A例示根據揭露內容的示波導結合器架構的代表性範例。
圖1B例示根據揭露內容的攜帶三種顏色(紅色、綠色、及藍色)的範例單一波導架構。
圖2A至2B例示根據揭露內容的一個範例超穎表面輸入耦合器元素。
圖3A例示根據揭露內容的第一個範例波導耦合器。
圖3B例示圖3A根據揭露內容的第一個範例波導耦合器的第一階透射與入射角度有關的範例曲線圖。
圖3C例示根據揭露內容的第二個範例波導耦合器/超光柵設計。
圖3D例示圖3C根據揭露內容的第二個範例波導耦合器/超光柵設計的第一階透射與入射角度有關的範例曲線圖。
圖3E為表面起伏結構208的俯視圖，如圖3C中所圖示。
圖4A例示根據揭露內容的超光柵設計範例。
圖4B例示圖4A根據揭露內容的超光柵設計的角度相關耦合效率。
圖5A例示根據揭露內容的入射角度與散射角度之間的關係。
圖5B例示根據揭露內容的入射角度作為標準化光柵空間頻率的函數。
圖5C例示從側面而非從上方影響基材的入射角度，如圖5A中所圖示。即使基材如圖5A及5C中所圖示所示為平坦的，亦在本文中考量彎曲的基材。
圖6例示根據一些實施例，用於二氧化鈦奈米結構奈米產製的電子光束及原子層沉積製程。
圖7例示根據一些實施例，用於奈米壓印光微影的範例程序1000。
圖8A例示根據一些實施例，結構的向下俯視圖圖。
圖8B例示根據一些實施例，產製的TiO 2逆向設計光柵的範例掃描電子顯微鏡圖像，
圖8C例示根據一些實施例，範例量測光柵裝置的第一階透射率。
圖8D例示根據一些實施例，光柵裝置的模擬透射率範例。
圖9A至9B例示根據一些實施例l，在一些實施例中可實行的範例玻璃配置。
除非另作表示，否則本文件中的所有圖示及附圖均未按比例繪製，而是出於例示本發明不同實施例的目的而選擇的。各種組件的尺寸僅以例示性的方式描繪，並不應從附圖中推斷出各種組件的尺寸之間的關係，除非如此表示。儘管諸如「頂部」、「底部」、「上部」、「下部」、「之下」、「之上」、「前」、「後」、「上」及「下」、「第一」及「第二」可在本揭露內容中使用，應當瞭解，除非另提及，否則此等術語僅以其相對意義使用。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
102B,106B:眼睛瞳孔
104B:顯示器引擎

Claims (20)

  1. 一種光柵耦合器，該光柵耦合器包括： 一基材，包括一第一主表面及一第二主表面；及 位於該基材的至少一個主表面上的一表面起伏結構 其中: 該光柵耦合器在跨越至少20°的入射光角度範圍內具有至少0.3(30%)的第一階散射效率。
  2. 如請求項1所述之光柵耦合器，其中該x方向的該週期性及該y方向的該週期性中的至少一者為自約0.4 μm至約0.7 μm。
  3. 如請求項1或2所述之光柵耦合器，其中該光柵耦合器具有的第一階散射效率與該表面起伏結構的一折射率的一比值為約0.05至約0.15。
  4. 如請求項1或2所述之光柵耦合器，其中該光柵耦合器在跨越至少40°的入射光角度範圍內具有至少0.3(30%)的第一階散射效率。
  5. 如請求項1或2所述之光柵耦合器，其中在至少30°的入射光角度範圍內，該第一級散射效率相對於一峰值效率的改變不大於20%。
  6. 如請求項1或2所述之光柵耦合器，其中該表面起伏結構在一z方向上具有約0.15 μm至約0.25 μm的一平均高度。
  7. 一種光柵耦合器，該光柵耦合器包括： 一基材，包括一第一主表面及一第二主表面； 位於該基材的至少一個主表面上的一表面起伏結構表面起伏結構在該x方向上具有約0.2至約1 μm的一週期性且在該y方向上具有約0.2 μm至約1 μm的一週期性； 其中: 該表面起伏結構包括複數個缺口，每個缺口大致上面對一x方向並具有大於約50 nm的一曲率半徑。
  8. 如請求項7所述之光柵耦合器，其中該x方向的該週期性及該y方向的該週期性中的至少一者為自約0.4 μm至約0.7 μm。
  9. 如請求項7或8所述之光柵耦合器，其中該光柵耦合器具有的第一階散射效率與該表面起伏結構的一折射率的一比值為自約0.05至約0.15。
  10. 如請求項7所述之光柵耦合器，其中該表面起伏結構在一z方向上具有約0.15 μm至約0.25 μm的一平均高度。
  11. 如請求項7所述之光柵耦合器，其中該表面起伏結構包括在該x方向上以該週期性佈置的複數個鄰接列，此等列在該y方向上延伸。
  12. 如請求項7所述之光柵耦合器，其中該表面起伏結構包括在該x方向及該y方向上週期性佈置列的複數個不鄰接的列及行。
  13. 如請求項7或8所述之光柵耦合器，其中該光柵耦合器在跨越至少40°的入射光角度範圍內具有至少0.3(30%)的第一階散射效率。
  14. 如請求項7或8所述之光柵耦合器，其中在至少30°的入射光角度範圍內，該第一階散射效率相對於一峰值效率的改變不大於20%。
  15. 如請求項7或8所述之光柵耦合器，其中該表面起伏結構具有至少2.1的一折射率。
  16. 如請求項7或8所述之光柵耦合器，其中該基材為一玻璃基材。
  17. 如請求項7或8所述之光柵耦合器，其中該表面起伏結構包括一無機材料或一有機材料。
  18. 如請求項7或8所述之光柵耦合器，其中該表面起伏結構包括TiO 2。
  19. 如請求項7或8所述之光柵耦合器，其中該表面起伏結構包括(聚)甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
  20. 如請求項7或8所述之光柵耦合器，其中該光柵耦合器僅包括由該基材及該表面起伏結構構成的兩層，沒有任何中間層。
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