TW202327409A - 靜電卡盤系統及半導體處理設備 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種靜電卡盤系統及半導體處理設備，靜電卡盤系統包括：能夠相對反應腔的底壁進行上下移動的靜電卡盤，以及分別與靜電卡盤連接的射頻功率源和直流電源，靜電卡盤與射頻功率源和直流電源之間分別形成有射頻通路和直流通路；相互連接的第一射頻阻擋部和第二射頻阻擋部；第一射頻阻擋部位於直流通路上，並設置在靜電卡盤上，且隨靜電卡盤相對反應腔的底壁上下移動，第一射頻阻擋部用於限制射頻通路中的射頻電流耦合到直流通路上；第二射頻阻擋部設置在反應腔的底壁上的開口處，開口用於直流通路與直流電源連接；第二射頻阻擋部用於阻止射頻電流從開口洩漏至反應腔外部。

Description

靜電卡盤系統及半導體處理設備
本發明涉及半導體處理技術領域，特別涉及一種靜電卡盤系統及半導體處理設備。
目前，半導體製程設備的下電極結構一般包括靜電卡盤、射頻系統及直流供電系統。靜電卡盤(Electrostatic Chuck, ESC)包括自上至下依次設置的陶瓷層、加熱層及基座，陶瓷層內部有吸附電極用於吸附待加工工件，加熱層內部含有加熱絲用於對待加工工件進行加熱。
即所述半導體製程設備為電漿蝕刻設備時，所述靜電卡盤兼具射頻電流傳導與靜電吸附功能，在蝕刻過程中，射頻電流將沿著靜電卡盤的金屬表面傳導，而直流電流則導入靜電卡盤陶瓷層內部的直流電極中。此過程中，直流電極附近的射頻電流將以容性耦合的形式串擾至直流回路中，並沿著直流輸入路線向下傳導，造成不利影響：1）局部損失的射頻能量將影響晶圓表面的蝕刻均勻性；2）缺少濾波的直流回路將射頻電流引出至腔體外導致射頻洩漏，可能損壞直流電源，也可能對操作人員造成安全隱患。因此，在現有的實施方案中，通常在直流電極近端接入高阻薄膜電阻，再通過同軸電纜將薄膜電阻與高壓模組連接，以實現直流電流的輸入及射頻電流的濾波。
然而，對於具有可變極板間距的電容耦合電漿蝕刻反應腔體而言，由於靜電卡盤的可移動設計，靜電卡盤與直流回路相關的薄膜電阻、同軸電纜及高壓模組之間不可避免地存在相對位移，原有的固定形式的設計已不再適用。
本發明的目的在於提供一種靜電卡盤系統及半導體處理設備，實現在移動過程中穩定完成直流電流的輸入及對射頻電流的濾波的目的。
為了實現以上目的，本發明通過以下技術方案實現： 一種靜電卡盤系統，其設置在電漿處理設備的反應腔內，包括：能夠相對所述反應腔的底壁進行上下移動的靜電卡盤，以及分別與所述靜電卡盤連接的射頻功率源和直流電源，所述靜電卡盤與所述射頻功率源和直流電源之間分別形成有射頻通路和直流通路。還包括：相互連接的第一射頻阻擋部和第二射頻阻擋部。所述第一射頻阻擋部位於所述直流通路上，並設置在所述靜電卡盤上，且隨所述靜電卡盤相對所述反應腔的底壁上下移動，所述第一射頻阻擋部用於限制所述射頻通路中的射頻電流耦合到所述直流通路上。所述第二射頻阻擋部設置在所述反應腔的底壁上的開口處，所述開口用於所述直流通路與直流電源連接；所述第二射頻阻擋部用於阻止所述射頻電流從所述開口洩漏至所述反應腔外部。
可選地，還包括：直流電極，其設置在所述靜電卡盤內；直流引腳，其第一端貫穿所述靜電卡盤與所述直流電極連接；所述第一射頻阻擋部設置在所述靜電卡盤上與所述直流引腳的第二端連接。
可選地，還包括：位於所述直流通路上的同軸電纜，第一射頻阻擋部位於靜電卡盤底部，所述同軸電纜的兩端分別與第一射頻阻擋部和直流電源電連接。
可選地，所述第一射頻阻擋部的兩端分別設置有隔離墊片，所述直流引腳的第二端貫穿位於所述第一射頻阻擋部的第一端的所述隔離墊片，所述同軸電纜貫穿位於所述第一射頻阻擋部的第二端的所述隔離墊片。
可選地，所述第二射頻阻擋部位於直流通路上，所述同軸電纜通過所述第二射頻阻擋部與所述直流電源電連接，所述第二射頻阻擋部固定在所述反應腔的底壁上的開口處。
可選地，所述第一射頻阻擋部和所述第二射頻阻擋部至少包括電阻、空心電感或磁環電感之中的一者。
可選地，所述第二射頻阻擋部的兩端分別設有隔離墊片，所述同軸電纜貫穿位於所述第二射頻阻擋部的第一端的所述隔離墊片，位於所述第二射頻阻擋部的第二端的所述隔離墊片與所述反應腔的底壁固定。
可選地，所述第二射頻阻擋部包括遮罩層以及包裹在所述遮罩層內部的直流輸入線；所述外層遮罩層的一端與所述第一射頻阻擋部連接，另一端與所述反應腔的底部內部連接，所述反應腔的底壁接地；所述直流輸入線的一端與所述第一射頻阻擋部電連接，另一端與所述直流電源電連接。
可選地，當所述射頻功率源輸出低頻的射頻訊號時，所述磁環電感為低頻磁環電感。
可選地，當所述射頻功率源輸出高頻的射頻訊號時，所述磁環電感為高頻磁環電感。
可選地，還包括：支撐軸，其與所述靜電卡盤的底部連接，並帶動所述靜電卡盤在垂直方向上往復移動。所述射頻功率源通過所述支撐軸與所述靜電卡盤耦接，所述射頻功率源提供的射頻電流沿著所述支撐軸和所述靜電卡盤的表面傳導。
可選地，所述靜電卡盤包括：盤體，和設置在所述盤體上的絕緣板；所述直流電極內置在所述絕緣板中。
可選地，所述盤體包括：自下而上依次佈置的功能基板和鋁基板；所述支撐軸與所述功能基板連接。
可選地，所述支撐軸包括射頻導桿，套設在所述射頻導桿外部的射頻波紋管；所述射頻導桿的一端與所述功能基板的底壁連接；所述射頻導桿的另一端貫穿所述反應腔的底部與外部的所述射頻功率源連接。
可選地，所述射頻通路由所述射頻導桿的外表面、所述射頻波紋管的外表面、所述功能基板底壁和側面、所述鋁基板側面及頂面構成。
可選地，所述絕緣板採用陶瓷材料製備。
可選地，所述絕緣板上用於放置待處理基片；控制所述直流電源向所述直流電極輸入直流電流以將所述待處理基片吸附於所述絕緣板上。控制所述射頻功率源向所述盤體饋入射頻電流以激發輸入至反應腔內的反應氣體，對所述待處理基片進行處理。
另一方面，本發明還提供一種半導體處理設備，包括：反應腔，位於所述反應腔內部的如上文所述的靜電卡盤系統。
本發明至少具有以下優點： 本發明通過設有的第一射頻阻擋部和第二射頻阻擋部，第一射頻阻擋部可隨所述靜電卡盤上下移動，用來限制射頻耦合到直流通路上，具體的其一方面用於防止產生不希望的射頻損失，另一方面防止耦合到直流通路的射頻會損壞直流電源，第二射頻阻擋部與腔室底壁上直流通路開口處固定，用於防止射頻從該口洩漏到腔外造成危險。本發明實現了直流輸入線路的可移動性的目的，解決了射頻洩漏及對蝕刻均勻性的不利影響。
以下結合和具體實施方式對本發明提出的一種靜電卡盤系統及半導體處理設備作進一步詳細說明。根據下面說明，本發明的優點和特徵將更清楚。需要說明的是，附圖採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施方式的目的。為了使本發明的目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士瞭解與閱讀，並非用以限定本發明實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容能涵蓋的範圍內。
實施例一
如圖1所示，本實施例提供一種靜電卡盤系統，其設置在電漿處理設備的反應腔內，包括：能夠相對所述反應腔的底壁100進行上下移動的靜電卡盤，以及分別與所述靜電卡盤連接的射頻功率源和直流電源250，所述靜電卡盤與所述射頻功率源和直流電源250之間分別形成有射頻通路和直流通路。還包括：相互連接的第一射頻阻擋部和第二射頻阻擋部。所述第一射頻阻擋部位於所述直流通路上，並設置在所述靜電卡盤上，且隨所述靜電卡盤相對所述反應腔的底壁100上下移動，所述直流電源的高壓電流通過第一射頻阻擋部輸入到靜電卡盤中，所述第一射頻阻擋部用於限制所述射頻通路中的射頻電流耦合到所述直流通路上。所述第二射頻阻擋部設置在所述反應腔的底壁上的開口處，所述開口用於所述直流通路與直流電源250連接；所述第二射頻阻擋部用於阻止所述射頻電流從所述開口洩漏至所述反應腔外部。由此可知，本實施例可以解決可移動靜電卡盤的高壓直流輸入問題。具體的，本實施例通過設有的第一射頻阻擋部和第二射頻阻擋部，第一射頻阻擋部可隨所述靜電卡盤上下移動，當射頻沿著靜電卡盤表面移動時，在直流回路與靜電卡盤的輸入處受到來自第一射頻阻擋部的阻擋，可以限制射頻耦合到直流通路上，具體的其一方面用於防止產生不希望的射頻損失，另一方面防止耦合到直流通路的射頻會損壞直流電源250，第二射頻阻擋部與腔室底壁上直流通路開口處固定，用於防止射頻從該開口洩漏到腔外造成危險。
請繼續參考圖1所示，本實施例還包括：直流電極200，其設置在所述靜電卡盤內；直流引腳201，其第一端貫穿所述靜電卡盤與所述直流電極200連接；所述第一射頻阻擋部設置在所述靜電卡盤上與所述直流引腳201的第二端連接。
本實施例還包括：位於所述直流通路上的同軸電纜220，第一射頻阻擋部位於靜電卡盤底部，所述同軸電纜220的兩端分別與第一射頻阻擋部和直流電源250電連接。
在本實施例中，所述第一射頻阻擋部包括：第一無感電阻210，及分別設置在所述第一無感電阻210兩端的隔離墊片240；所述第二射頻阻擋部包括：第二無感電阻211，及分別設置在所述第二無感電阻211兩端的隔離墊片240；所述直流引腳201的第二端貫穿對應的所述隔離墊片240與所述第一無感電阻210的第一端連接；所述同軸電纜220的兩端分別貫穿對應的所述隔離墊片240與所述第一無感電阻210的第二端和所述第二無感電阻211的第一端連接。具體的，所述第一無感電阻210的第二端處的所述隔離墊片240上開設有一同軸線纜遮罩層介面230，所述第二無感電阻211的第一端處的隔離墊片240上開設有一同軸線纜遮罩層介面230，所述同軸線纜遮罩層介面230的設置是為了與所述同軸電纜220的遮罩層連接，避免直流暴露在所述反應腔腔體內部。在其他實施例中，第一無感電阻210和第二無感電阻211也可以選擇其他電阻類型，只要可以阻擋射頻通過即可。
所述直流電源250的直流引線貫穿與所述反應腔的底壁100連接的所述隔離墊片240與所述第二無感電阻211的第二端連接；所述第一無感電阻210用於過濾跟隨所述直流通路中的直流電流的輸入方向的所述射頻電流，以阻止所述射頻電流通過所述直流引腳201向上進入所述直流電極200中；所述第二無感電阻211用於過濾所述射頻電流通過容性耦合到同軸電纜上後再沿著所述直流電流的回流方向流向直流電源，以阻止所述射頻電流通過所述直流引線匯出至所述反應腔外。
請繼續參考圖1所示，所述靜電卡盤包括：盤體，和設置在所述盤體上的絕緣板101；所述絕緣板101內置所述直流電極200。所述絕緣板101採用陶瓷材料製備，但本發明不以此為限。
在本實施例中，所述盤體包括：自下而上依次佈置的功能基板103和鋁基板102。
支撐軸，其與所述靜電卡盤的底部連接，即所述支撐軸與所述功能基板103連接，並帶動所述靜電卡盤在垂直方向上往復移動；所述射頻功率源通過所述支撐軸與所述靜電卡盤耦接，所述射頻功率源提供的射頻電流301沿著所述支撐軸和所述靜電卡盤的表面傳導。
在本實施例中，所述支撐軸包括射頻導桿302，套設在所述射頻導桿302外部的射頻波紋管303；所述射頻導桿302的一端與所述功能基板103的底壁連接；所述射頻導桿302的另一端貫穿所述反應腔的底壁100與外部的所述射頻功率源連接。
在本實施例中，所述射頻通路由所述射頻導桿302的外表面、所述射頻波紋管303的外表面、所述功能基板103的底面和側面、所述鋁基板102的側面及頂面構成。
在本實施例中，所述絕緣板101上用於放置待處理基片；控制所述直流電源250向所述直流電極200輸入直流電流以將所述待處理基片吸附於所述絕緣板101上。控制所述射頻功率源向所述盤體饋入射頻電流以激發輸入至反應腔內的反應氣體，對所述待處理基片進行處理。
由此可知，在本實施例中，所述第一無感電阻210和第二無感電阻211上下通過相應的隔離墊片隔離後，分別固定在功能基板103底面和反應腔腔體的底壁100的內表面上，其中第一無感電阻210位於射頻強場內，隨功能基板103一起移動，用於阻止射頻電流301通過直流引腳201向上進入直流電極200中；第二無感電阻211（簡稱接地電阻）位接地區域內，與腔體內的表面保持固定，用於阻止射頻電流301通過直流輸入路線向下匯出至腔體外。兩個無感電阻之間通過同軸線纜連接，以此實現相對移動。移動過程中，由於同軸線纜將不可避免地受到射頻耦合的影響，然而因為兩端無感電阻的存在，這一影響將被極大削弱，可忽略不計，由此本實施例能夠實現在靜電卡盤移動過程中穩定完成直流電流的輸入及對射頻電流的濾波的目的。
實施例二
如圖2所示，本實施例二與實施例一的區別在於，所述第一射頻阻擋部包括：第三無感電阻212，及分別設置在所述第三無感電阻212的兩端的隔離墊片240。所述第二射頻阻擋部包括遮罩層以及包裹在所述遮罩層內部的直流輸入線221。所述遮罩層為柔性材質。所述直流引腳201的第二端貫穿對應的所述隔離墊片240與所述第三無感電阻212的第一端連接。所述遮罩層的第一端與對應的所述隔離墊片240連接。所述直流輸入線221的第一端貫穿對應的所述隔離墊片240與所述第三無感電阻212的第二端連接。
所述遮罩層的第二端與所述反應腔的底壁100的內部表面連接，所述反應腔的底壁100接地。
所述直流輸入線221的第二端與所述反應腔外部的所述直流電源250連接。
所述第三無感電阻212用於過濾跟隨所述直流通路中的直流電流的輸入方向的所述射頻電流301，以阻止所述射頻電流301通過直流引腳201向上進入直流電極200中。所述遮罩層用於將沿著所述直流電流回路中指向直流電源方向傳導的所述射頻電流通過所述反應腔的底壁100傳導至地。
在其他實施例中，第三無感電阻212也可以選擇其他電阻類型，只要可以阻擋射頻通過即可。
在本實施例中，所述第二射頻阻擋部可以為同軸線纜，所述同軸線纜本身的結構就包括一個遮罩層（例如為金屬遮罩層，其用於阻擋射頻電流影響內部遮罩層內部傳輸的直流）以及包裹在所述遮罩層內部的電線，由此通過同軸線纜即可實現傳導直流電流，以及將沿著所述直流電流的回流方向傳導的所述射頻電流通過所述反應腔的底壁100傳導至地的目的。由此，本實施例能夠實現在靜電卡盤移動過程中穩定完成直流電流的輸入及對射頻電流的濾波的目的。
實施例三
如圖3所示，本實施例與實施例一的區別在於，所述第一射頻阻擋部包括：空心電感260，及分別設置在所述空心電感260的兩端的隔離墊片240。
所述第二射頻阻擋部包括：第四無感電阻213，及分別設置在所述第四無感電阻213的兩端的隔離墊片240。所述直流引腳201的第二端貫穿對應的所述隔離墊片240與所述空心電感260的第一端連接。所述同軸電纜220的兩端分別貫穿對應的所述隔離墊片240與所述空心電感260的第二端和所述第四無感電阻213的第一端連接。所述直流電源250的直流引線貫穿與所述反應腔的底壁100連接的所述隔離墊片240與所述第四無感電阻213的第二端連接。
在其他實施例中，第四無感電阻213也可以選擇其他電阻類型，只要可以阻擋射頻通過即可。所述空心電感260用於過濾跟隨所述直流通路中的直流電流的輸入方向的所述射頻電流，以阻止所述射頻電流通過所述直流引腳201向上進入所述直流電極200中。所述第四無感電阻213用於過濾所述直流電流的回流方向的所述射頻電流，以阻止所述射頻電流通過所述直流引線匯出至所述反應腔外。
由此，本實施例利用所述空心電感260對通直流或低頻，阻擋高頻的特性進行射頻濾波，由此實現過濾跟隨所述直流通路中的直流電流的輸入方向的所述射頻電流，即實現在靜電卡盤移動過程中穩定完成直流電流的輸入及對射頻電流的濾波的目的。
實施例四
如圖4所示，本實施例與實施例一區別在於，所述第一射頻阻擋部包括：磁環電感270，及分別設置在所述磁環電感270的兩端的隔離墊片240。
所述第二射頻阻擋部包括：第五無感電阻214，及分別設置在所述第五無感電阻214的兩端的隔離墊片240。
所述直流引腳201的第二端貫穿對應的所述隔離墊片240與所述磁環電感270的第一端連接。
所述同軸電纜220的兩端分別貫穿對應的所述隔離墊片240與所述磁環電感270的第二端和所述第五無感電阻214的第一端連接。
所述直流電源250的直流引線貫穿與所述反應腔的底壁100連接的所述隔離墊片240與所述第五無感電阻214的第二端連接。
所述磁環電感270用於過濾跟隨所述直流通路中的直流電流的輸入方向的所述射頻電流，以阻止所述射頻電流通過所述直流引腳201向上進入所述直流電極200中；所述第五無感電阻214用於過濾所述直流電流的回流方向的所述射頻電流，以阻止所述射頻電流通過所述直流引線匯出至所述反應腔外。
在其他實施例中，第五無感電阻214也可以選擇其他電阻類型，只要可以阻擋射頻通過即可。由此，本實施例利用所述磁環電感270對通直流或低頻，阻擋高頻的特性進行射頻濾波，由此實現過濾跟隨所述直流通路中的直流電流的輸入方向的所述射頻電流，即實現在靜電卡盤移動過程中穩定完成直流電流的輸入及對射頻電流的濾波的目的。
在本實施例中，當所述射頻功率源輸出低頻的射頻訊號時，所述磁環電感270為低頻磁環電感。當所述射頻功率源輸出高頻的射頻訊號時，所述磁環電感270為高頻磁環電感。
本實施例還提供一種半導體處理設備，包括：反應腔，位於所述反應腔內部的如實施例一至四中任意一實施例所述的靜電卡盤系統。採用半導體處理設備對基片進行蝕刻時，本實施例一至四實現了在靜電卡盤移動過程中穩定完成直流電流的輸入及對射頻電流的濾波，削弱了直流通路對射頻通路的影響，並進一步改善了基片蝕刻均勻性。
需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
在本發明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“高度”、“厚度”、“上”、“下”、“垂直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。在本發明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
在本發明的描述中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本發明所屬技術領域的通常知識者而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
在本發明中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵之“上”或之“下”可以包括第一和第二特徵直接接觸，也可以包括第一和第二特徵不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特徵接觸。而且，第一特徵在第二特徵“之上”、“上方”和“上面”包括第一特徵在第二特徵正上方和斜上方，或僅僅表示第一特徵水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵“之下”、“下方”和“下面”包括第一特徵在第二特徵正下方和斜下方，或僅僅表示第一特徵水平高度小於第二特徵。
儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本發明所屬技術領域的通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
100:反應腔的底壁 101:絕緣板 102:鋁基板 103:功能基板 200:直流電極 201:直流引腳 210:第一無感電阻 211:第二無感電阻 212:第三無感電阻 213:第四無感電阻 214:第五無感電阻 220:同軸電纜 221:直流輸入線 230:同軸線纜遮罩層介面 240:隔離墊片 250:直流電源 260:空心電感 270:磁環電感 301:射頻電流 302:射頻導桿 303:射頻波紋管
圖1為本發明實施例一提供的靜電卡盤系統的主要結構示意圖； 圖2為本發明實施例二提供的靜電卡盤系統的主要結構示意圖； 圖3為本發明實施例三提供的靜電卡盤系統的主要結構示意圖；以及 圖4為本發明實施例四提供的靜電卡盤系統的主要結構示意圖。
100:反應腔的底壁
101:絕緣板
102:鋁基板
103:功能基板
200:直流電極
201:直流引腳
210:第一無感電阻
211:第二無感電阻
220:同軸電纜
230:同軸線纜遮罩層介面
240:隔離墊片
250:直流電源
301:射頻電流
302:射頻導桿
303:射頻波紋管

Claims (18)

  1. 一種靜電卡盤系統，其設置在一電漿處理設備的一反應腔內，包括：能夠相對該反應腔的底壁進行上下移動的一靜電卡盤，以及分別與該靜電卡盤連接的一射頻功率源和一直流電源，該靜電卡盤與該射頻功率源和該直流電源之間分別形成有一射頻通路和一直流通路；其中，還包括：相互連接的一第一射頻阻擋部和一第二射頻阻擋部； 該第一射頻阻擋部位於該直流通路上，並設置在該靜電卡盤上，且隨該靜電卡盤相對該反應腔的底壁上下移動，該第一射頻阻擋部用於限制該射頻通路中的一射頻電流耦合到該直流通路上； 該第二射頻阻擋部設置在該反應腔的底壁上的開口處，該開口用於該直流通路與該直流電源連接；該第二射頻阻擋部用於阻止該射頻電流從該開口洩漏至該反應腔外部。
  2. 如請求項1所述的靜電卡盤系統，其中，還包括： 一直流電極，其設置在該靜電卡盤內； 一直流引腳，其第一端貫穿該靜電卡盤與該直流電極連接； 該第一射頻阻擋部設置在該靜電卡盤上與該直流引腳的第二端連接。
  3. 如請求項2所述的靜電卡盤系統，其中，還包括：位於該直流通路上的一同軸電纜，該第一射頻阻擋部位於該靜電卡盤底部，該同軸電纜的兩端分別與該第一射頻阻擋部和該直流電源電連接。
  4. 如請求項3所述的靜電卡盤系統，其中， 該第一射頻阻擋部兩端分別設置有一隔離墊片，該直流引腳的第二端貫穿位於該第一射頻阻擋部的第一端的該隔離墊片，該同軸電纜貫穿位於該第一射頻阻擋部的第二端的該隔離墊片。
  5. 如請求項3所述的靜電卡盤系統，其中， 該第二射頻阻擋部位於該直流通路上，該同軸電纜通過該第二射頻阻擋部與該直流電源電連接，該第二射頻阻擋部固定在該反應腔的底壁上的開口處。
  6. 如請求項5所述的靜電卡盤系統，其中， 該第一射頻阻擋部和該第二射頻阻擋部至少包括電阻、空心電感或磁環電感之中的一者。
  7. 如請求項5所述的靜電卡盤系統，其中， 該第二射頻阻擋部兩端分別設有一隔離墊片，該同軸電纜貫穿位於該第二射頻阻擋部的第一端的該隔離墊片，位於該第二射頻阻擋部的第二端的該隔離墊片與該反應腔的底壁固定。
  8. 如請求項3所述的靜電卡盤系統，其中， 該第二射頻阻擋部包括一遮罩層以及包裹在該遮罩層內部的一直流輸入線； 外層的該遮罩層的一端與該第一射頻阻擋部連接，另一端與該反應腔的底部內部連接，該反應腔的底壁接地； 該直流輸入線的一端與該第一射頻阻擋部電連接，另一端與該直流電源電連接。
  9. 如請求項6所述的靜電卡盤系統，其中，當該射頻功率源輸出低頻的一射頻訊號時，該磁環電感為低頻磁環電感。
  10. 如請求項6所述的靜電卡盤系統，其中，當該射頻功率源輸出高頻的一射頻訊號時，該磁環電感為高頻磁環電感。
  11. 如請求項1~8中任意一項所述的靜電卡盤系統，其中，還包括： 一支撐軸，其與該靜電卡盤的底部連接，並帶動該靜電卡盤在垂直方向上往復移動； 該射頻功率源通過該支撐軸與該靜電卡盤耦接，該射頻功率源提供的射頻電流沿著該支撐軸和該靜電卡盤的表面傳導。
  12. 如請求項11所述的靜電卡盤系統，其中，該靜電卡盤包括：一盤體，和設置在該盤體上的一絕緣板；該直流電極內置在該絕緣板中。
  13. 如請求項12所述的靜電卡盤系統，其中，該盤體包括：自下而上依次佈置的一功能基板和一鋁基板；該支撐軸與該功能基板連接。
  14. 如請求項13所述的靜電卡盤系統，其中，該支撐軸包括一射頻導桿，套設在該射頻導桿外部的一射頻波紋管；該射頻導桿的一端與該功能基板的底壁連接； 該射頻導桿的另一端貫穿該反應腔的底部與外部的該射頻功率源連接。
  15. 如請求項14所述的靜電卡盤系統，其中，該射頻通路由該射頻導桿的外表面、該射頻波紋管的外表面、該功能基板底壁和側面、該鋁基板側面及頂面構成。
  16. 如請求項15所述的靜電卡盤系統，其中，該絕緣板採用陶瓷材料製備。
  17. 如請求項16所述的靜電卡盤系統，其中，該絕緣板上用於放置一待處理基片； 控制該直流電源向該直流電極輸入直流電流以將該待處理基片吸附於該絕緣板上； 控制該射頻功率源向該盤體饋入射頻電流以激發輸入至該反應腔內的反應氣體，對該待處理基片進行處理。
  18. 一種半導體處理設備，其中，包括：一反應腔，位於該反應腔內部的如請求項1~17中任意一項所述的靜電卡盤系統。
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