TW202308155A - Electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本發明關於一種裝置,特別關於一種易於修補故障位置處的微發光二極體的電子裝置。The present invention relates to a device, in particular to an electronic device for easy repair of micro light-emitting diodes at fault locations.
當世界都在關注未來顯示技術時,發光二極體(LED),特別是微發光二極體(Micro LED)是最被看好的技術之一。簡單來說,Micro LED是將LED微縮化和矩陣化的技術,將數百萬乃至數千萬顆小於100微米,比一根頭髮還細的晶粒,排列整齊放置在基板上。與現階段OLED(有機發光二極體)顯示技術相比,Micro LED同樣是自主發光,卻因使用材料的不同,因此可以解決OLED最致命的「烙印」問題,同時還有低功耗、高對比、廣色域、高亮度、體積小、輕薄、節能等優點。因此,全球各大廠皆爭相投入Micro LED技術的研發。When the world is paying attention to the future display technology, light emitting diode (LED), especially micro light emitting diode (Micro LED) is one of the most promising technologies. To put it simply, Micro LED is a technology that miniaturizes and matrixes LEDs. Millions or even tens of millions of grains smaller than 100 microns and thinner than a hair are neatly arranged on the substrate. Compared with the current OLED (Organic Light Emitting Diode) display technology, Micro LED also emits light independently, but due to the use of different materials, it can solve the most fatal "burn-in" problem of OLED, and also has low power consumption, high Contrast, wide color gamut, high brightness, small size, light and thin, energy saving and other advantages. Therefore, major manufacturers around the world are rushing to invest in the research and development of Micro LED technology.
然而,在現有微發光二極體的電子裝置中,由於微發光二極體的尺寸相當小,如果某些位置(例如子畫素或畫素)的微發光二極體或驅動元件發生故障時(例如發光二極體或薄膜電晶體失效、或是發光二極體亮度不足)不易修補,常常需要汰除整個裝置;現有技術也會透過在電子裝置中配置冗餘系統,例如在每個畫素中更進一步配置相同功能且作為備用的發光單元或(薄膜電晶體)電子單元,然而,這種方式會大幅提高成本,且不利於高微密度(fine pitch)的顯示技術。However, in existing micro-LED electronic devices, due to the relatively small size of micro-LEDs, if micro-LEDs or driving elements at certain locations (such as sub-pixels or pixels) fail (such as light-emitting diode or thin film transistor failure, or insufficient light-emitting diode brightness) is not easy to repair, and often requires the elimination of the entire device; the existing technology also through the configuration of redundant systems in electronic devices, such as in each picture The same function is further configured in the element and used as a spare light-emitting unit or (thin film transistor) electronic unit. However, this method will greatly increase the cost and is not conducive to high micro-density (fine pitch) display technology.
本發明的目的為提供一種易於修補故障位置處的電子裝置。It is an object of the present invention to provide an electronic device that is easy to repair at the location of the fault.
為達上述目的,依據本發明之一種電子裝置,包括一線路基板以及一功能單元。線路基板包括一線路圖層、電連接至線路圖層的多個第一電路單元及多個第一微晶片,該些第一微晶片對應且電連接該些第一電路單元;功能單元與該些第一微晶片設置於線路基板的同一表面,功能單元覆蓋所對應的至少一第一微晶片;其中功能單元具有一載板、設於載板的一第二電路單元、及與第二電路單元電連接的至少一個第二微晶片;其中,第二電路單元的電流饋入端與所對應之第一電路單元的電流饋入端共用一節點,第二電路單元的電流饋出端與所對應之第一電路單元的電流饋出端共用另一節點。To achieve the above object, an electronic device according to the present invention includes a circuit substrate and a functional unit. The circuit substrate includes a circuit layer, a plurality of first circuit units electrically connected to the circuit layer, and a plurality of first microchips, the first microchips correspond to and are electrically connected to the first circuit units; the functional unit and the first circuit units A microchip is arranged on the same surface of the circuit substrate, and the functional unit covers at least one corresponding first microchip; wherein the functional unit has a carrier board, a second circuit unit arranged on the carrier board, and an electrical connection with the second circuit unit. At least one second microchip connected; wherein, the current feed-in end of the second circuit unit shares a node with the current feed-in end of the corresponding first circuit unit, and the current feed-in end of the second circuit unit shares a node with the corresponding The current feeding end of the first circuit unit shares another node.
在一實施例中,功能單元的第二微晶片的數量,與對應之第一電路單元中的第一微晶片的數量相同。In one embodiment, the number of the second microchips in the functional unit is the same as the number of the first microchips in the corresponding first circuit unit.
在一實施例中,功能單元所對應之第一電路單元與線路圖層之間呈開路。In one embodiment, an open circuit exists between the first circuit unit corresponding to the functional unit and the circuit layer.
在一實施例中,線路基板更包括一切痕,該切痕位於功能單元所對應之第一電路單元的電流饋入端與該節點之間,或位於功能單元所對應之第一電路單元的電流饋出端與該另一節點之間。In one embodiment, the circuit substrate further includes a notch, and the notch is located between the current feeding end of the first circuit unit corresponding to the functional unit and the node, or located at the current feeding end of the first circuit unit corresponding to the functional unit. Between the feed-out end and the other node.
在一實施例中,功能單元的尺寸小於或等於其中一個第一電路單元及其對應之第一微晶片的尺寸。In one embodiment, the size of the functional unit is smaller than or equal to the size of one of the first circuit units and its corresponding first microchip.
在一實施例中,功能單元還覆蓋該至少一第一微晶片所對應的第一電路單元。In one embodiment, the functional unit also covers the first circuit unit corresponding to the at least one first microchip.
在一實施例中,功能單元之載板未覆蓋相鄰的第一微晶片。In one embodiment, the carrier of the functional unit does not cover adjacent first microchips.
在一實施例中,線路基板或/及載板為柔性基板。In one embodiment, the circuit substrate and/or the carrier is a flexible substrate.
在一實施例中,線路基板或/及載板設有一光吸收層。In one embodiment, the circuit substrate and/or the carrier is provided with a light absorbing layer.
在一實施例中,功能單元的載板與基板定義一間距,該間距可小於或等於150微米。In one embodiment, the carrier and the substrate of the functional unit define a distance, and the distance may be less than or equal to 150 microns.
在一實施例中,第一微晶片與第二微晶片為微米級、或微米級以下的光電晶片。In one embodiment, the first microchip and the second microchip are optoelectronic chips at or below the micron level.
在一實施例中,功能單元為毫米級尺寸。In one embodiment, the functional unit is millimeter-scale in size.
在一實施例中,功能單元定義為一顯示畫素。In one embodiment, a functional unit is defined as a display pixel.
承上所述,在本發明的電子裝置中,透過功能單元覆蓋所對應的至少一第一微晶片,且功能單元的第二電路單元的電流饋入端與所對應之該第一電路單元的電流饋入端共用一個節點,功能單元的第二電路單元的電流饋出端與所對應之第一電路單元的電流饋出端共用另一個節點的結構設計,使本發明的電子裝置具有易於修補故障位置處的優點。As mentioned above, in the electronic device of the present invention, at least one corresponding first microchip is covered by the functional unit, and the current feeding end of the second circuit unit of the functional unit is connected to the corresponding first circuit unit. The current feed-in end shares one node, and the current feed-out end of the second circuit unit of the functional unit shares another node with the current feed-out end of the corresponding first circuit unit, so that the electronic device of the present invention is easy to repair Advantages at the location of the fault.
以下將參照相關圖式,說明依本發明一些實施例之電子裝置,其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。Electronic devices according to some embodiments of the present invention will be described below with reference to related drawings, wherein the same elements will be described with the same reference symbols.
以下的圖式只顯示元件與元件之間的連接關係,不代表真實的尺寸或比例。以下實施例之電子裝置為主動矩陣式(active matrix, AM)電子裝置,然並不以此為限,在不同的實施例中,電子裝置也可以是被動矩陣式(passive matrix, PM)電子裝置。The following diagrams only show the connection relationship between components, and do not represent actual dimensions or proportions. The electronic device in the following embodiments is an active matrix (active matrix, AM) electronic device, but it is not limited thereto. In different embodiments, the electronic device can also be a passive matrix (passive matrix, PM) electronic device .
請參照圖1A至圖1C所示,其中,圖1A為本發明一實施例之一種電子裝置的局部示意圖,圖1B為圖1A之電子裝置的局部分解示意圖,而圖1C為本發明一實施例之電子裝置的局部剖視示意圖。本實施例之電子裝置1包括一線路基板11以及一功能單元12。Please refer to FIG. 1A to FIG. 1C , wherein FIG. 1A is a partial schematic view of an electronic device according to an embodiment of the present invention, FIG. 1B is a partially exploded schematic view of the electronic device of FIG. 1A , and FIG. 1C is an embodiment of the present invention. A partial cross-sectional schematic diagram of the electronic device. The
線路基板11包括一線路圖層111、多個第一電路單元112及多個第一微晶片113,線路圖層111可包括傳輸電訊號的導電層或訊號線。該些第一電路單元112及該些第一微晶片113分別與線路圖層111電性連接,並且該些第一微晶片113對應且電連接該些第一電路單元112。在本實施例中,線路圖層111包含多條橫向且並排配置的訊號線L1、以及多條縱向且並排配置的訊號線L2、L3,該些訊號線L1與該些訊號線L2、L3交錯設置以定義出多個畫素或子畫素區域(顯示畫素)。如圖1A及圖1B所示,各畫素或子畫素區域包括一個第一電路單元112及與該第一電路單元112對應且電連接的第一微晶片113。在此,各第一電路單元112分別與對應的訊號線L1及訊號線L2電連接,而各第一微晶片113分別與對應的第一電路單元112及訊號線L3電連接。藉由訊號線L1、L2、L3的控制,可透過第一電路單元112驅動對應的第一微晶片113。在一些實施例中,可一個第一電路單元112驅動一個對應的第一微晶片113;或者,一個第一電路單元112驅動多個(例如但不限於3個)對應的第一微晶片113,並不限制。The
線路圖層111的材料可例如包括金、銅、或鋁等金屬、或其任意組合、或任意組合之合金,或其他可以導電的材料。在一些實施例中,第一電路單元112包含薄膜線路,然並不以此為限,第一電路單元112也可以是表面貼裝元件。在一些實施例中,第一電路單元112可包含例如2T1C、4T2C或5T1C的電路架構、或其他驅動電路架構。另外,第一微晶片113可為微米級、或微米級以下的光電晶片,例如但不限於包括微發光二極體晶片(Micro LED chip)或微感測晶片(Micro sensor chip)。在一些實施例中,第一微晶片113可包括一個微發光二極體晶片,而以此將第一微晶片113理解為單一顯示畫素;在一些實施例中,三個第一微晶片113可對應三種不同顏色(例如紅色、藍色或綠色)的微發光二極體晶片,使電子裝置1形成全彩的micro LED顯示器。前述的晶片可為水平式電極、或覆晶式電極、或垂直式電極的晶粒,並以打線接合(wire bonding)或覆晶接合(flip chip bonding)進行電連接。The material of the
本實施例之線路基板11更可包括一封裝層114(圖1C),封裝層114覆蓋功能單元12所對應之第一電路單元112及該第一電路單元112對應的第一微晶片113,藉此,可使第一電路單元112及其對應的第一微晶片113免於水氣或異物的入侵而破壞其特性。The
功能單元12是在電子裝置1出廠前,用以修補線路基板11故障位置處的電路單元。在本實施例中,功能單元12與該些第一微晶片113設置於線路基板11的同一表面(線路基板11的上表面)。功能單元12可覆蓋所對應的至少一個第一微晶片113及與該至少一個第一微晶片113所對應的第一電路單元112。為了顯示被覆蓋的第一微晶片113及其對應的第一電路單元112,圖1A的功能單元12是以虛線繪示,並且沒有顯示其上設置的元件。在此,功能單元12可完全覆蓋所對應的至少一個第一微晶片113,並可選擇性地完全或部分覆蓋該至少一個第一微晶片113所對應的第一電路單元112。The
如圖1B和圖1C所示,本實施例之功能單元12為表面貼裝元件(SMD),並具有一載板121、設於載板121的一第二電路單元122、及與第二電路單元122電連接的至少一個第二微晶片123,第二電路單元122可驅動對應的第二微晶片123。本實施例之第二電路單元122與第二微晶片123設於載板121遠離線路基板11的上表面,然並不以此為限,在不同的實施例中,第二電路單元122的第二電路單元122的線路也可設於載板121面向線路基板11的表面、或載板121的上、下表面、或載板121的內側。As shown in Figure 1B and Figure 1C, the
前述的線路基板11或/及載板121可為剛性基板、柔性基板、或軟硬複合板,並不限制。當線路基板11的板體與載板121皆為柔性基板時,可使電子裝置1成為可捲曲的軟性電子裝置,易於收納。在一些實施例中,線路基板11的板體與載板121可為透明板或非透明板;當線路基板11的板體與載板121分別為透明板時,可使電子裝置1成為透明的電子產品,例如但不限於透明顯示器。The
功能單元12可為毫米級尺寸。另外,與第一微晶片113相同,第二微晶片123可為微米級、或微米級以下的光電晶片。在一些實施例中,如果第二微晶片123與第一微晶片113同為微米級、或微米級以下的微發光二極體晶片的話,功能單元12可定義為一個顯示畫素,用以替換故障位置處之顯示畫素。另外,為了避免影響相鄰的顯示畫素,功能單元12的尺寸需小於或等於其中一個第一電路單元112及其對應之第一微晶片113的尺寸。本實施例是以功能單元12的尺寸等於其中一個第一電路單元112及其對應之第一微晶片113的尺寸為例。The
具體來說,假設在出廠前已檢測出某一位置(或某一些位置)的第一微晶片113或/及所對應的第一電路單元112故障(例如不發光,或是亮度不足),則可利用對應的功能單元12覆蓋在故障位置處之第一微晶片113及其對應的第一電路單元112,以透過功能單元12對故障位置處進行修補。較佳者,功能單元12的第二微晶片123的數量,與對應之第一電路單元112中的第一微晶片113的數量相同,例如功能單元12具有一個第二微晶片123,可對應修補線路基板11對應的一個第一微晶片113;或者功能單元12具有三個第二微晶片123,可對應修補線路基板11上對應的三個第一微晶片113。此外,功能單元12的第二電路單元122需與線路基板11對應的第一電路單元112具有相同或相等的電路或功能,且第二微晶片123也需與第一微晶片113具有相同或相等的功能。本實施例是以第二電路單元122與第一電路單元112的電路、功能和尺寸皆相同,且第二微晶片123與第一微晶片113的功能和尺寸也相同為例。Specifically, assuming that the
為了可進行修補,功能單元12之第二電路單元122的電流饋入端1221與所對應之第一電路單元112的電流饋入端1121需共用同一個節點N1,並且第二電路單元122的電流饋出端1222與所對應之第一電路單元112的電流饋出端1122需共用另一個節點N2。換句話說,功能單元12的電路需與要修補(覆蓋)位置處的電路呈並聯,而且載板121也不可覆蓋到相鄰的第一微晶片113及其對應的第一電路單元112,避免影響相鄰第一微晶片113發光。In order to be able to repair, the
可理解的是,第二電路單元122的電流饋入端1221與所對應之第一電路單元112的電流饋入端1121的數量可能不只一個;第二電路單元122的電流饋出端1222與所對應之第一電路單元112的電流饋出端1122也可能不只一個的數量,視實際線路設計而定。另外,在一些實施例中,可透過例如在載板121上挖洞而形成穿孔,並在穿孔內填充導電材料,使第二電路單元122可通過穿孔內的導電材料與電流饋入端1221電性連接;或者,在載板121的側邊設置導電材料、導電線或導電層(皆未繪示),使第二電路單元122透過導電材料、導電線或導電層與電流饋入端1221電性連接。It can be understood that the number of the
載板121面向線路基板11的表面設有多個導電墊片P。在本實施例中,該些導電墊片P的其中之一可視為第二電路單元122的電流饋入端1221,該些導電墊片P的其中另一可視為第二電路單元122的電流饋出端1222,而電流饋入端1221及電流饋出端1222可通過載板121的第二電路單元122電連接至第二微晶片123。另外,功能單元12可透過多個導電件C分別電連其電流饋入端1221、電流饋出端1222(導電墊片P)至第一電路單元112的電流饋入端1121、電流饋出端1122,進而使功能單元12可電連接對應的訊號線L1、L2、L3,如此,才可透過對應的訊號線L1、L2、L3驅動功能單元12。導電件C可為錫球、錫膏或其均等物,並可視為前述的節點N1、N2。此外,在一些實施例中,功能單元的載板121與線路基板11可定義一間距(亦即載板121與線路基板11之間具有間距d,圖1C),間距d可小於或等於150微米(um)。A plurality of conductive pads P are disposed on the surface of the
在一些實施例中,如圖1D所示,也可在功能單元12進行故障修補之前,先設置一整層的封裝層114覆蓋在線路基板11所有的第一電路單元112及第一微晶片113後,再於功能單元12所對應的第一電路單元112的電流饋入端1121及電流饋出端1122的對應位置處挖洞,以曝露出電流饋入端1121及電流饋出端1122,之後,再進行對應導電件C(節點N1、N2)及功能單元12的設置動作,本發明不限制。In some embodiments, as shown in FIG. 1D , a whole layer of
此外,本實施例之功能單元12可進一步在載板121上覆蓋第二電路單元122及其對應的第二微晶片123而具有一封裝層124,藉此,使第二電路單元122及其對應的第二微晶片123免於水氣或異物的入侵而破壞其特性,進而使功能單元12為一封裝件。在一些實施例中,功能單元12可以先進行故障修補後再進行封裝層124的設置,或者,先進行封裝層124的設置再使具有封裝層124的功能單元12進行故障修補。In addition, the
在一些實施例中,導電墊片P作為電流饋入端1221與電流饋出端1222,且可以與第二電路單元122設在載板121的同一側(例如載板121的上側),於功能單元12置件後,施打雷射於功能單元12對應位置,使對應的第一電路單元112的電流饋入端1121與電流饋出端1122顯露出後,再噴塗導電材電連接即可。In some embodiments, the conductive pad P is used as the current feed-in terminal 1221 and the current feed-out terminal 1222, and can be arranged on the same side of the carrier board 121 (for example, the upper side of the carrier board 121) as the
在一些實施例中,線路基板11或/及載板121還可設有一光吸收層(未繪示,例如黑色吸光材料製成),光吸收層可圍設於線路基板11之第一微晶片113或/及功能單元12之第二微晶片123的外圍,藉此避免混光,同時增加對比。In some embodiments, the
值得一提的是,為了不影響線路基板11的其他線路,當功能單元12覆蓋所對應的第一微晶片113及其對應的第一電路單元112之前或之後,需使故障處的第一微晶片113及其對應的第一電路單元112與線路圖層111電性隔離。請再參照圖1A所示,本實施例的線路基板11更可包括至少一切痕C1,切痕C1位於功能單元12所對應之第一電路單元112的電流饋入端1121與節點N1之間,使功能單元12所覆蓋(對應)之第一電路單元112及其對應的第一微晶片113與線路圖層111之間呈開路(電性隔絕)。當然,切痕C1也可位於功能單元12所對應之第一電路單元112的電流饋出端1122與節點N2之間;或者第一電路單元112的電流饋入端1121與節點N1之間及第一電路單元112的電流饋出端1122與節點N2之間皆具有切痕C1,並不限制。在一些實施例中,可利用雷射切斷電路而產生切痕C1。It is worth mentioning that, in order not to affect other circuits of the
承上,在本實施例中,如果發現某一個或某一些位置的第一微晶片113故障時,可以在出廠前利用良品的功能單元12取而代之,因此故障修補相當容易。本發明當其中一個或多個第一微晶片113(或/及對應的第一電路單元112)失效時,僅須將失效的第一微晶片113(或/及對應的第一電路單元112)以對應之功能單元12取代即可,而非汰除原裝置的整體,因此,具有易於修補故障位置處的優點,可提高良率。As mentioned above, in this embodiment, if one or some of the
另外,請參照圖2A至圖2C所示,圖2A為本發明不同實施例之一種電子裝置的局部示意圖,圖2B為圖2A之電子裝置的局部分解示意圖,而圖2C為本發明另一實施例之電子裝置的局部剖視示意圖。In addition, please refer to FIG. 2A to FIG. 2C, FIG. 2A is a partial schematic diagram of an electronic device according to different embodiments of the present invention, FIG. 2B is a partial exploded schematic diagram of the electronic device of FIG. 2A, and FIG. 2C is another implementation of the present invention A partial cross-sectional schematic diagram of an example electronic device.
本實施例的電子裝置1a與前述實施例的電子裝置1其元件組成及各元件的連接關係大致相同。不同之處在於,在本實施例的電子裝置1a中,一個第一電路單元112對應三個第一微晶片113。換句話說,本實施例之功能單元12a具有載板121、設於載板121的第二電路單元122、及與第二電路單元122電連接的三個第二微晶片123,使第二電路單元122可驅動對應的三個第二微晶片123發光。其中,三個第二微晶片123可對應三種不同顏色(例如紅色、藍色或綠色)的微發光二極體晶片,且一個第一電路單元112可驅動三個第一微晶片113發光,因此,電子裝置1a可為一全彩的micro LED顯示器。在一些實施例中,三個第一微晶片113可為共陰極或共陽極設計,並不限制。The electronic device 1 a of this embodiment is substantially the same as the
在不同的實施例中,如圖2D所示,也可在功能單元12設置之前,先設置一整層的封裝層114覆蓋在線路基板11所有的第一電路單元112及第一微晶片113後,再於功能單元12a所對應的第一電路單元112的電流饋入端1121及電流饋出端1122的對應位置處挖洞,以曝露出電流饋入端1121及電流饋出端1122後,再進行對應導電件C(節點N1、N2)及功能單元12a的設置動作。In different embodiments, as shown in FIG. 2D , a whole layer of
綜上所述,在本發明的電子裝置中,透過功能單元覆蓋所對應的至少一第一微晶片,且功能單元的第二電路單元的電流饋入端與所對應之該第一電路單元的電流饋入端共用一個節點,功能單元的第二電路單元的電流饋出端與所對應之第一電路單元的電流饋出端共用另一個節點的結構設計,使本發明的電子裝置具有易於修補故障位置處的優點。To sum up, in the electronic device of the present invention, at least one corresponding first microchip is covered by the functional unit, and the current feeding end of the second circuit unit of the functional unit is connected to the corresponding first circuit unit. The current feed-in end shares one node, and the current feed-out end of the second circuit unit of the functional unit shares another node with the current feed-out end of the corresponding first circuit unit, so that the electronic device of the present invention is easy to repair Advantages at the location of the fault.
以上所述僅為舉例性,而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇,而對其進行之等效修改或變更,均應包含於後附之申請專利範圍中。The above descriptions are illustrative only, not restrictive. Any equivalent modification or change made without departing from the spirit and scope of the present invention shall be included in the scope of the appended patent application.
1,1a:電子裝置
11:線路基板
111:線路圖層
112:第一電路單元
1121,1221:電流饋入端
1122, 1222:電流饋出端
113:第一微晶片
114,124:封裝層
12,12a:功能單元
121:載板
122:第二電路單元
123:第二微晶片
C:導電件
C1:切痕
d:間距
L1,L2,L3:訊號線
N1,N2:節點
P:導電墊片
1,1a: Electronic device
11: Circuit substrate
111: Line layer
112: The
圖1A為本發明一實施例之一種電子裝置的局部示意圖。 圖1B為圖1A之電子裝置的局部分解示意圖。 圖1C為本發明一實施例之電子裝置的局部剖視示意圖。 圖1D為本發明另一實施例之電子裝置的局部剖視示意圖。 圖2A為本發明不同實施例之一種電子裝置的局部示意圖。 圖2B為圖2A之電子裝置的局部分解示意圖。 圖2C為本發明另一實施例之電子裝置的局部剖視示意圖。 圖2D為本發明不同實施例之電子裝置的局部剖視示意圖。 FIG. 1A is a partial schematic diagram of an electronic device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1B is a partially exploded schematic diagram of the electronic device in FIG. 1A . FIG. 1C is a schematic partial cross-sectional view of an electronic device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1D is a schematic partial cross-sectional view of an electronic device according to another embodiment of the present invention. FIG. 2A is a partial schematic diagram of an electronic device according to a different embodiment of the present invention. FIG. 2B is a partially exploded schematic diagram of the electronic device in FIG. 2A . FIG. 2C is a schematic partial cross-sectional view of an electronic device according to another embodiment of the present invention. FIG. 2D is a schematic partial cross-sectional view of an electronic device according to different embodiments of the present invention.
1:電子裝置 1: Electronic device
11:線路基板 11: Circuit substrate
112:第一電路單元 112: The first circuit unit
1121,1221:電流饋入端 1121, 1221: current feed-in terminal
1122,1222:電流饋出端 1122, 1222: current feed-out terminal
113:第一微晶片 113: The first microchip
114,124:封裝層 114,124: encapsulation layer
12:功能單元 12: Functional unit
121:載板 121: carrier board
122:第二電路單元 122: the second circuit unit
123:第二微晶片 123: second microchip
C:導電件 C: Conductive parts
d:間距 d: spacing
N1,N2:節點 N1, N2: nodes
P:導電墊片 P: conductive gasket
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW110129142A TW202308155A (en) | 2021-08-06 | 2021-08-06 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW110129142A TW202308155A (en) | 2021-08-06 | 2021-08-06 | Electronic device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202308155A true TW202308155A (en) | 2023-02-16 |
Family
ID=86661237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110129142A TW202308155A (en) | 2021-08-06 | 2021-08-06 | Electronic device |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TW202308155A (en) |
-
2021
- 2021-08-06 TW TW110129142A patent/TW202308155A/en unknown
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