TW202306778A - 薄膜、積層以及製造組成物之方法 - Google Patents

薄膜、積層以及製造組成物之方法 Download PDF

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Abstract

積層可包含基板和薄膜。該薄膜可包含約5微米至約400微米的薄膜厚度以及包含位於兩種第二嵌段之間的第一嵌段的三嵌段共聚物。該第一嵌段可接枝有第一官能基。該第一嵌段可包含約0℃或更低的第一玻璃轉移溫度。該兩種第二嵌段各自可包含約50℃或更高的玻璃轉移溫度。該兩種第二嵌段之組合重量可為該三嵌段共聚物之約10 wt%至約50 wt%。該薄膜可包含約1.48至約1.55之折射率。形成積層之方法可包括將薄膜佈置於基板上方。方法可進一步包括將該薄膜及該基材加熱至第一溫度，隨後加熱至第二溫度。

Description

薄膜、積層以及製造組成物之方法
相關申請案之交叉引用
本申請案根據專利法主張2021年7月22日申請之美國臨時申請案系列號63/224657及2022年2月11日申請之美國臨時申請案系列號63/309034之優先權權益，該等申請案中之每一者的內容均以全文引用之方式併入本文中。
本揭示案大體上係關於薄膜、積層、製造薄膜之方法及製造積層之方法，且更特定言之，係關於薄膜、積層、製造薄膜之方法及製造包含聚合物材料之積層的方法。
積層通常用於例如顯示器應用中，例如液晶顯示器(liquid crystal display; LCD)、電泳顯示器(electrophoretic display; EPD)、有機發光二極體顯示器(organic light emitting diode display; OLED)、電漿顯示面板(plasma display panel; PDP)及類似顯示器應用。已知使用黏合劑來附著可折疊顯示器及/或可折疊保護蓋之部分以形成積層。此外，已知在可折疊顯示器及/或可折疊保護蓋中使用基於聚合物的部分。
一些現有的可折疊顯示器已使用聚合物部分及/或黏合劑。然而，若存在折射率不匹配、黏合劑在重複使用後變得不透明或黏合劑所附著之部分分層，則傳統黏合劑可能損害顯示器之透明度及/或低霧度。此外，基於聚合物之部分可能損害可折疊顯示器及/或可折疊保護蓋之可撓性及/或抗衝擊性。此外，若彎曲應變超過黏合劑及/或基於聚合物之部分的極限伸度，則黏合劑及/或基於聚合物之部分可能損害可折疊顯示器及/或可折疊保護蓋之可撓性及彎曲效能。
此外，黏合劑及/或基於聚合物之部分的施加可包括將液體材料施加至待附著之部分。液體材料可能難以處理，且在無多次施加液體材料及固化步驟之情況下，無法形成某些積層。
期望開發積層，例如作為可折疊顯示器或用以安裝於可折疊顯示器上之可折疊保護蓋。積層應具有良好的抗衝擊性及抗穿刺性。同時，可折疊顯示器及可折疊蓋應具有較小的最小彎曲半徑(例如，約10毫米(mm)或更小)。另外，期望開發形成克服上述使用液體材料之問題的積層的方法。
本文闡述了包含聚合物材料之薄膜及積層以及製造該等薄膜及積層的方法。提供包含低霧度之聚合物材料可實現通過薄膜及/或積層之良好可見性。在態樣中，薄膜之聚合物材料的折射率可包含與基板之折射率的較小(例如，約0.01或更小)絕對差。此外，在各種環境中保持5天或更長時間或10天或更長時間後，薄膜及/或積層可基本保持其光學特性(例如CIE值、色差)。
在態樣中，聚合物材料可包含三嵌段材料。提供三嵌段材料可改良薄膜及/或積層之抗衝擊性，例如藉由吸收及消散衝擊能量。提供超過一種類型之三嵌段共聚物可實現對所得層(例如薄膜)之折射率的微調。提供具有在操作範圍(例如約0℃至約40℃、約-20℃至約60℃)之外(例如低於)的第一玻璃轉移溫度(Tg1)之三嵌段共聚物之第一嵌段可在製品(例如薄膜、積層)之整個操作範圍內實現一致特性。提供具有在操作範圍(例如約0℃至約40℃、約-20℃至約60℃)之外(例如高於)的第二玻璃轉移溫度之三嵌段共聚物之第二嵌段可在製品(例如薄膜、積層)之整個操作範圍內實現一致特性。提供與三嵌段共聚物組合之二嵌段共聚物可增加所得層(例如薄膜、積層)之可撓性及/或抗衝擊性。提供包含對應於第一嵌段及兩種第二嵌段中之一者或兩者的材料的二嵌段共聚物可實現增加的可撓性，而不會實質上改變層(例如薄膜、積層)之光學特性。提供抗氧化劑可改良薄膜及/或積層之顏色，例如藉由減少隨著薄膜及/或積層老化而變黃。
薄膜可包含對基板(例如基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板)之良好黏附性。提供包含接枝有第一官能基之第一嵌段的三嵌段共聚物可改良薄膜(例如三嵌段共聚物)與基板(例如基於玻璃之基板、基於陶瓷之基板)的黏附性。提供矽烷偶合劑可增加層(例如薄膜)對基板(例如，基於玻璃之基板、基於陶瓷之基板、積層之其餘部分)之黏附性且改良薄膜及/或積層之耐久性。提供包含矽烷之第一官能基可增加薄膜(例如三嵌段共聚物)之黏附性而不需要單獨的矽烷偶合劑，從而降低加工複雜性及時間。提供包含矽烷之第一官能基可在膜老化時保持及/或增加薄膜(例如三嵌段共聚物)之黏附性，例如當矽烷形成及/或再形成時，與基板、矽倍半氧烷及/或其他矽烷相互作用。提供薄膜可使薄膜在例如藉由具有良好的尺寸穩定性併入積層中時具有基本均勻的厚度。提供薄膜可易於處理、儲存及/或處理成積層。
揭露可由薄膜及基板形成積層之方法。舉例而言，可藉由加熱包含黏合劑材料及/或聚合物材料之液體及/或藉由將黏合劑材料及/或聚合物材料擠出成薄膜來由該黏合劑材料及/或聚合物材料形成薄膜。提供薄膜可減少組裝積層之處理步驟。舉例而言，可使用本揭示案之方法組裝積層，使用單個加熱循環以結合積層之一或多個薄膜、基板及/或其他組分。因此，可減少製造基材之處理時間及成本。提供薄膜可減少能源使用、減少材料浪費且以其他方式改進積層之形成。可堆疊多個薄膜以形成經配置以對應於基板(例如凹部)及/或第一部分及第二部分之形狀的形狀及/或厚度。
下文描述了本揭示案之一些例示性態樣，應理解各個態樣之特徵中之任一者可單獨使用或彼此組合使用。
態樣1. 一種薄膜，其包含： 界定於第一主表面與第二主表面之間的在約5微米至約400微米範圍內之薄膜厚度； 包含位於兩種第二嵌段之間的第一嵌段的三嵌段共聚物，該第一嵌段接枝有第一官能基，該第一嵌段包含約0℃或更低之第一玻璃轉移溫度Tg1，該兩種第二嵌段各自包含約50℃或更高之玻璃轉移溫度Tg，該兩種第二嵌段之組合重量在該三嵌段共聚物之約10重量%至約50重量%範圍內；以及 在589奈米下在約1.48至約1.55範圍內之折射率。
態樣2. 如態樣1所述之薄膜，其中該兩種第二嵌段之該組合重量在該三嵌段共聚物之約13重量%至約30重量%範圍內。
態樣3. 如態樣1至2中任一項所述之薄膜，其中在589奈米下之該折射率在約1.498至約1.502範圍內。
態樣4. 如態樣1至3中任一項所述之薄膜，其中該等第二嵌段中之一者或兩者選自由以下組成之群：聚苯乙烯、聚(乙烯基吡啶)、聚(乙烯基苯酚)、聚(對酞酸乙二酯)、聚碸、聚對二甲苯、聚苯醚、聚芳酯、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚甲基丙烯酸、聚(丙烯酸)、聚甲基丙烯醯胺、聚丙烯醯胺、聚丙烯腈及其衍生物。
態樣5. 如態樣4所述之薄膜，其中該等第二嵌段中之一者或兩者的該玻璃轉移溫度Tg為約90℃或更高。
態樣6. 如態樣4至5中任一項所述之薄膜，其中該等第二嵌段中之一者或兩者包含含芳烴之聚合物。
態樣7. 如態樣4至6中任一項所述之薄膜，其中該等第二嵌段中之一者或兩者由聚苯乙烯組成。
態樣8. 如態樣4至7中任一項所述之薄膜，其中該等第二嵌段包含相同的材料。
態樣9. 如態樣1至8中任一項所述之薄膜，其中該第一嵌段選自由以下組成之群：聚丁二烯、聚丁烯、聚異丁烯、聚異戊二烯、聚(乙烯-共-丁烯)、聚(乙烯-共-丁烯-共-苯乙烯)、聚(乙烯-共-丙烯)及其組合。
態樣10. 如態樣9所述之薄膜，其中該第一嵌段由聚(乙烯-共-丁烯)共聚物組成。
態樣11. 如態樣1至10中任一項所述之薄膜，其中該第一嵌段之該第一玻璃轉移溫度Tg1為約-20℃或更低。
態樣12. 如態樣1至11中任一項所述之薄膜，其中該第一官能基選自由以下組成之群：酸酐、丙烯酸酯、異氰酸酯、順丁烯二酸酯及矽烷。
態樣13. 如態樣12所述之薄膜，其中該第一官能基由順丁烯二酸酐組成。
態樣14. 如態樣12所述之薄膜，其中該第一官能基由乙氧基矽烷組成。
態樣15. 如態樣1至14中任一項所述之薄膜，其中該第一官能基之重量在該三嵌段共聚物之約0.5重量%至約5重量%範圍內。
態樣16. 如態樣15所述之薄膜，其中該第一官能基之該重量在該三嵌段共聚物之約2重量%至約3重量%範圍內。
態樣17. 如態樣1至14中任一項所述之薄膜，其中該第一官能基之重量在該三嵌段共聚物之約0.5重量%至約2重量%範圍內。
態樣18. 如態樣1至17中任一項所述之薄膜，其中該三嵌段共聚物包含複數種三嵌段共聚物，該複數種三嵌段共聚物之第一三嵌段共聚物包含大於該複數種三嵌段共聚物之第二三嵌段共聚物之該兩種第二嵌段的第二組合重量的該兩種第二嵌段之第一組合重量。
態樣19. 如態樣1至17中任一項所述之薄膜，其進一步包含有包含另一第一嵌段及另一第二嵌段之二嵌段共聚物，其中該另一第一嵌段包含與該三嵌段共聚物之該第一嵌段相同的材料，且該另一第二嵌段包含與該三嵌段共聚物之該兩種第二嵌段中之至少一者相同的材料。
態樣20. 如態樣19所述之薄膜，其中該二嵌段共聚物之質量與該三嵌段共聚物之組合質量之質量比為約5%至約50%。
態樣21. 如態樣1至20中任一項所述之薄膜，其中該薄膜在約25℃下保持10天後，在搭接剪切試驗中具有約2兆帕或更高之剪切強度。
態樣22. 如態樣1至20中任一項所述之薄膜，其中該薄膜在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後，在搭接剪切試驗中具有約1兆帕或更高之剪切強度。
態樣23. 如態樣1至22中任一項所述之薄膜，其中該薄膜厚度在約25微米至約200微米範圍內。
態樣24. 如態樣23所述之薄膜，其中該薄膜厚度在約30微米至約80微米範圍內。
態樣25. 如態樣1至24中任一項所述之薄膜，其中該薄膜在60℃、90%相對濕度環境中保持120小時後具有約0.5或更低之色差。
態樣26. 如態樣1至24中任一項所述之薄膜，其中該薄膜在60℃、90%相對濕度環境中保持240小時後具有約0.5或更低之色差。
態樣27. 如態樣1至24中任一項所述之薄膜，其中該薄膜在-25℃、50%相對濕度環境中保持120小時後具有約1或更低之色差。
態樣28. 如態樣1至27中任一項所述之薄膜，其中形成時之薄膜與在60℃、90%相對濕度環境中保持240小時後之該薄膜之間的CIE L*值之絕對差為約1或更低。
態樣29. 如態樣1至27中任一項所述之薄膜，其中形成時之薄膜與在-25℃、90%相對濕度環境中保持240小時後之該薄膜之間的CIE L*值之絕對差為約1或更低。
態樣30. 如態樣1至29中任一項所述之薄膜，其中形成時之薄膜與在60℃、90%相對濕度環境中保持240小時後之該薄膜之間的CIE a*值之絕對差為約0.1或更低。
態樣31. 如態樣1至30中任一項所述之薄膜，其中形成時之薄膜與在60℃、90%相對濕度環境中保持240小時後之該薄膜之間的CIE b*值之絕對差為約0.7或更低。
態樣32. 如態樣1至31中任一項所述之薄膜，其中包含該薄膜之積層在落筆測試中可承受3釐米或更高之落筆高度，其中該積層包含附著至該薄膜之第一主表面之厚度為50微米的基於玻璃之基材及附著至該薄膜之第二主表面之厚度為10微米的聚(對酞酸乙二酯)層。
態樣33. 如態樣1至32中任一項所述之薄膜，其中該薄膜在400奈米至約700奈米範圍內之光波長中具有約90%或更高的平均透射率。
態樣34. 如態樣1至33中任一項所述之薄膜，其中該薄膜由該三嵌段共聚物及其組分以及可選的抗氧化劑組成。
態樣35. 如態樣1至33中任一項所述之薄膜，其中該薄膜進一步包含抗氧化劑。
態樣36. 如態樣34至35中任一項所述之薄膜，其中在85℃環境中保持10天後之該薄膜與形成時之薄膜之間的CIE b*值之差為約0.10或更小。
態樣37. 如態樣34至36中任一項所述之薄膜，其中該薄膜包含在該薄膜之約0.01重量%至約0.4重量%範圍內之該抗氧化劑。
態樣38. 如態樣1至37中任一項所述之薄膜，其中游離矽烷之重量小於該薄膜之約0.1重量%。
態樣39. 一種積層，其包含： 包含第三主表面及與該第三主表面相對的第四主表面的基板，界定於該第三主表面與該第四主表面之間的基板厚度；以及 如態樣1至37中任一項所述之薄膜。
態樣40. 如態樣39所述之積層，其進一步包含將該薄膜之第二主表面附著至該基板之該第三主表面的矽烷偶合劑。
態樣41. 如態樣40所述之積層，其中該矽烷偶合劑包含胺官能化之矽烷偶合劑。
態樣42. 一種積層，其包含： 包含第一主表面及與該第一主表面相對的第二主表面的薄膜，界定於該第一主表面與該第二主表面之間的薄膜厚度，該薄膜厚度在約5微米至約400微米範圍內，該薄膜包含有包含位於兩種第二嵌段之間的第一嵌段的三嵌段共聚物，該第一嵌段接枝有第一官能基，該第一嵌段包含約0℃或更低之第一玻璃轉移溫度Tg1，該兩種第二嵌段各自包含約50℃或更高之玻璃轉移溫度Tg，該兩種第二嵌段之組合重量在該三嵌段共聚物之約10重量%至約50重量%範圍內，且在589奈米下該薄膜包含在約1.48至約1.55範圍內之折射率；以及 包含第三主表面及與該第三主表面相對的第四主表面的基板，界定於該第三主表面與該第四主表面之間的基板厚度，且將該薄膜佈置於該基板上方。
態樣43. 如態樣42所述之積層，其進一步包含將該薄膜之該第二主表面附著至該基板之該第三主表面的矽烷偶合劑。
態樣44. 如態樣43所述之積層，其中該矽烷偶合劑包含胺官能化之矽烷偶合劑。
態樣45. 如態樣42至44中任一項所述之積層，其中該薄膜在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後，在搭接剪切試驗中具有約1兆帕或更高之剪切強度。
態樣46. 如態樣42至44中任一項所述之積層，其中該薄膜在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後，在搭接剪切試驗中具有約2兆帕或更高之剪切強度。
態樣47. 如態樣42至44中任一項所述之積層，其中在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後該積層之剪切強度大於形成時之積層的剪切強度，其中剪切強度係在搭接剪切試驗中量測。
態樣48. 如態樣42至47中任一項所述之積層，其中該基板在589奈米下之折射率與該薄膜在589奈米下之折射率之間的絕對差為約0.01或更小。
態樣49. 如態樣42至48中任一項所述之積層，其中在400奈米至約700奈米之光波長內，該基板之折射率與該薄膜之折射率之間的最大絕對差為約0.01或更小。
態樣50. 如態樣42至49中任一項所述之積層，其中該基板包含基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板。
態樣51. 如態樣42至50中任一項所述之積層，其中該基板厚度在約25微米至約2毫米範圍內。
態樣52. 如態樣51所述之積層，其中該基板厚度在約25微米至約300微米範圍內。
態樣53. 如態樣42至52中任一項所述之積層，其中在589奈米下該薄膜之該折射率在約1.498至約1.502範圍內。
態樣54. 如態樣42至53中任一項所述之積層，其中該兩種第二嵌段之該組合重量在該三嵌段共聚物之約13重量%至約30重量%範圍內。
態樣55. 如態樣42至54中任一項所述之積層，其中該等第二嵌段中之一者或兩者選自由以下組成之群：聚苯乙烯、聚(乙烯基吡啶)、聚(乙烯基苯酚)、聚(對酞酸乙二酯)、聚碸、聚對二甲苯、聚苯醚、聚芳酯、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚甲基丙烯酸、聚(丙烯酸)、聚甲基丙烯醯胺、聚丙烯醯胺、聚丙烯腈及其衍生物。
態樣56. 如態樣55所述之積層，其中該等第二嵌段中之一者或兩者的該玻璃轉移溫度Tg為約90℃或更高。
態樣57. 如態樣53至56中任一項所述之積層，其中該等第二嵌段中之一者或兩者包含含芳烴之聚合物。
態樣58. 如態樣53至57中任一項所述之積層，其中該等第二嵌段中之一者或兩者由聚苯乙烯組成。
態樣59. 如態樣42至58中任一項所述之積層，其中該等第二嵌段包含相同的材料。
態樣60. 如態樣42至59中任一項所述之積層，其中該第一嵌段選自由以下組成之群：聚丁二烯、聚丁烯、聚異丁烯、聚異戊二烯、聚(乙烯-共-丁烯)、聚(乙烯-共-丁烯-共-苯乙烯)、聚(乙烯-共-丙烯)及其組合。
態樣61. 如態樣60所述之積層，其中該第一嵌段由聚(乙烯-共-丁烯)共聚物組成。
態樣62. 如態樣42至61中任一項所述之積層，其中該第一嵌段之第一玻璃轉移溫度Tg1為約-20℃或更低。
態樣63. 如態樣42至62中任一項所述之積層，其中該第一官能基選自由以下組成之群：酸酐、丙烯酸酯、異氰酸酯、順丁烯二酸酯及矽烷。
態樣64. 如態樣63所述之積層，其中該第一官能基由順丁烯二酸酐組成。
態樣65. 如態樣63所述之積層，其中該第一官能基由乙氧基矽烷組成。
態樣66. 如態樣42至65中任一項所述之積層，其中該第一官能基之重量在該三嵌段共聚物之約0.5重量%至約5重量%範圍內。
態樣67. 如態樣66所述之積層，其中該第一官能基之該重量在該三嵌段共聚物之約2重量%至約3重量%範圍內。
態樣68. 如態樣42至65中任一項所述之積層，其中該第一官能基之重量在該三嵌段共聚物之約0.5重量%至約2重量%範圍內。
態樣69. 如態樣42至68中任一項所述之積層，其中該三嵌段共聚物包含複數種三嵌段共聚物，該複數種三嵌段共聚物之第一三嵌段共聚物包含大於該複數種三嵌段共聚物之第二三嵌段共聚物之該兩種第二嵌段的第二組合重量的該兩種第二嵌段之第一組合重量。
態樣70. 如態樣42至69中任一項所述之積層，其中該薄膜進一步包含有包含另一第一嵌段及另一第二嵌段之二嵌段共聚物，其中該另一第一嵌段包含與該三嵌段共聚物之該第一嵌段相同的材料，且該另一第二嵌段包含與該三嵌段共聚物之該兩種第二嵌段中之至少一者相同的材料。
態樣71. 如態樣70所述之積層，其中該二嵌段共聚物之質量與該三嵌段共聚物之質量之質量比為約5%至約50%。
態樣72. 如態樣42至71中任一項所述之積層，其中該薄膜厚度在約25微米至約200微米範圍內。
態樣73. 如態樣72所述之積層，其中該薄膜厚度在約30微米至約80微米範圍內。
態樣74. 如態樣42至73中任一項所述之積層，其中該薄膜在60℃、90%相對濕度環境中保持120小時後具有約0.5或更低之色差。
態樣75. 如態樣42至73中任一項所述之積層，其中該薄膜在60℃、90%相對濕度環境中保持240小時後具有約0.5或更低之色差。
態樣76. 如態樣42至73中任一項所述之積層，其中該薄膜在-25℃、50%相對濕度環境中保持120小時後具有約1或更低之色差。
態樣77. 如態樣42至76中任一項所述之積層，其中形成時之薄膜與在-25℃、90%相對濕度環境中保持240小時後之該薄膜之間的CIE L*值之絕對差為約1或更低。
態樣78. 如態樣42至76中任一項所述之積層，其中形成時之薄膜與在60℃、90%相對濕度環境中保持240小時後之該薄膜之間的CIE L*值之絕對差為約1或更低。
態樣79. 如態樣42至78中任一項所述之積層，其中形成時之薄膜與在60℃、90%相對濕度環境中保持240小時後之該薄膜之間的CIE a*值之絕對差為約0.1或更低。
態樣80. 如態樣42至79中任一項所述之積層，其中形成時之薄膜與在60℃、90%相對濕度環境中保持240小時後之該薄膜之間的CIE b*值之絕對差為約0.7或更低。
態樣81. 如態樣42至80中任一項所述之積層，其中該薄膜由該三嵌段共聚物及其組分以及可選的抗氧化劑組成。
態樣82. 如態樣42至80中任一項所述之積層，其中該薄膜進一步包含抗氧化劑。
態樣83. 如態樣81至82中任一項所述之積層，其中在85℃環境中保持10天後之該積層與形成時之積層之間的CIE b*值之差為約0.10或更小。
態樣84. 如態樣81至83中任一項所述之積層，其中該薄膜包含在約0.01重量%至約0.4重量%範圍內之該抗氧化劑。
態樣85. 如態樣42至84中任一項所述之積層，其中： 該基板包含有包含第一中心表面區域及與該第一中心表面區域相對的第二中心表面區域之中心部分，界定於該第一中心表面區域與該第二中心表面區域之間的中心厚度在約25微米至約80微米範圍內，該中心厚度小於該基板厚度，且該第一中心表面區域自該第三主表面凹入；以及 該積層進一步包含有包含第五主表面及與該第五主表面相對的第六主表面之另一薄膜，該另一薄膜包含與該薄膜相同的具有接枝於該第一嵌段上之該第一官能基的嵌段共聚物，該另一薄膜之該第五主表面接觸該第一中心表面區域，且該另一薄膜之該第六主表面接觸該薄膜之該第二主表面。
態樣86. 一種形成積層之方法，其包括： 將液體佈置於離型紙上方； 將施加器拉過該液體之游離表面； 加熱該液體以形成包含包含第一主表面及與該第一主表面相對的第二主表面之薄膜、界定於該第一主表面與該第二主表面之間的薄膜厚度、該薄膜厚度在約5微米至約400微米範圍內、使該第一主表面接觸該離型紙； 將該薄膜之該第二主表面佈置於基板之第三主表面上方，該基板包含與該第三主表面相對的第四主表面，界定於該第三主表面與該第四主表面之間的基板厚度； 移除該離型紙； 將第一釋放層施加於該薄膜之該第一主表面上方且將第二釋放層施加於該基板之該第四主表面上方； 將該薄膜及該基板置放於真空容器中； 在約40℃至約100℃範圍內之第一溫度下加熱該薄膜及該基板持續約10分鐘至約8小時範圍內之第一時段；以及 在約1.0兆帕至約1.5兆帕範圍內之表壓下，在約150℃至約250℃範圍內之第二溫度下加熱該薄膜及該基板持續約30分鐘至約2小時範圍內之第二時段以形成該積層。
態樣87. 如態樣86所述之方法，其中該液體包含基於丙烯酸酯之聚合物及/或基於胺甲酸乙酯之聚合物。
態樣88. 如態樣87所述之方法，其進一步包括： 在惰性環境中將反應物、起始劑及溶劑加熱至約50℃或更高之反應溫度；以及 將該反應溫度保持在約12小時至約24小時範圍內之第三時段以形成該液體。
態樣89. 如態樣86所述之方法，其中該液體包含三嵌段共聚物及溶劑，該三嵌段共聚物包含位於兩種第二嵌段之間的第一嵌段，該第一嵌段接枝有第一官能基，該第一嵌段包含約0℃或更低之第一玻璃轉移溫度Tg1，該兩種第二嵌段各自包含約50℃或更高之玻璃轉移溫度Tg，且該兩種第二嵌段之組合重量在該三嵌段共聚物之約10重量%至約50重量%範圍內。
態樣90. 一種形成積層之方法，其包括： 擠出包含第一主表面及與該第一主表面相對的第二主表面、界定於該第一主表面與該第二主表面之間的在約5微米至約400微米範圍內之薄膜厚度的薄膜； 將該薄膜之第二主表面佈置於基板之第三主表面上方，該基板包含與該第三主表面相對的第四主表面，界定於該第三主表面與該第四主表面之間的基板厚度； 將第一釋放層施加於該薄膜之該第一主表面上方且將第二釋放層施加於該基板之該第四主表面上方； 將該薄膜及該基板置放於真空容器中； 將該薄膜及該基板在約40℃至約100℃範圍內之第一溫度下加熱約10分鐘至約8小時範圍內之時間；並且 將該薄膜及該基板在約150℃至約250℃範圍內之第二溫度及約1.0兆帕至約1.5兆帕範圍內之表壓下加熱約30分鐘至約2小時範圍內之時間以形成該積層。
態樣91. 一種由薄膜形成積層的方法，該薄膜包含第一主表面及與該第一主表面相對的第二主表面、界定於該第一主表面與該第二主表面之間的在約5微米至約400微米範圍內之薄膜厚度，該方法包括： 將該薄膜之第二主表面佈置於基板之第三主表面上方，該基板包含與該第三主表面相對的第四主表面，界定於該第三主表面與該第四主表面之間的基板厚度； 將第一釋放層施加於該薄膜之該第一主表面上方且將第二釋放層施加於該基板之該第四主表面上方； 將該薄膜及該基板置放於真空容器中； 將該薄膜及該基板在約40℃至約100℃範圍內之第一溫度下加熱約10分鐘至約8小時範圍內之時間；並且 將該薄膜及該基板在約150℃至約250℃範圍內之第二溫度及約1.0兆帕至約1.5兆帕範圍內之表壓下加熱約30分鐘至約2小時範圍內之時間以形成該積層。
態樣92. 如態樣90至91中任一項所述之方法，其中該薄膜包含有包含位於兩種第二嵌段之間的第一嵌段的三嵌段共聚物，該第一嵌段接枝有第一官能基，該第一嵌段包含約0℃或更低之第一玻璃轉移溫度Tg1，該兩種第二嵌段各自包含約50℃或更高之玻璃轉移溫度Tg，且該兩種第二嵌段之組合重量在該三嵌段共聚物之約10重量%至約50重量%範圍內。
態樣93. 如態樣89或態樣92所述之方法，其中該兩種第二嵌段之該組合重量在約13重量%至約30重量%範圍內。
態樣94. 如態樣89或92至93中任一項所述之方法，包括端點，其中該等第二嵌段中之一者或兩者選自由以下組成之群：聚苯乙烯、聚(乙烯基吡啶)、聚(乙烯基苯酚)、聚(對酞酸乙二酯)、聚碸、聚對二甲苯、聚苯醚、聚芳酯、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚甲基丙烯酸、聚(丙烯酸)、聚甲基丙烯醯胺、聚丙烯醯胺、聚丙烯腈及其衍生物。
態樣95. 如態樣94所述之方法，其中該等第二嵌段中之一者或兩者的該玻璃轉移溫度Tg為約90℃或更高。
態樣96. 如態樣94至95中任一項所述之方法，其中該等第二嵌段中之一者或兩者包含含芳烴之聚合物。
態樣97. 如態樣94至96中任一項所述之方法，其中該等第二嵌段中之一者或兩者由聚苯乙烯組成。
態樣98. 如態樣94至97中任一項所述之方法，其中兩種芳烴嵌段包含相同的材料。
態樣99. 如態樣89或92至98中任一項所述之方法，包括端點，其中該第一嵌段選自由以下組成之群：聚丁二烯、聚丁烯、聚異丁烯、聚異戊二烯、聚(乙烯-共-丁烯)、聚(乙烯-共-丁烯-共-苯乙烯)、聚(乙烯-共-丙烯)及其組合。
態樣100. 如態樣99所述之方法，其中該第一嵌段由聚(乙烯-共-丁烯)共聚物組成。
態樣101. 如態樣89或92至100中任一項所述之方法，包括端點，其中該第一官能基選自由以下組成之群：酸酐、丙烯酸酯、異氰酸酯、順丁烯二酸酯及矽烷。
態樣102. 如態樣100所述之方法，其中該第一官能基由順丁烯二酸酐組成。
態樣103. 如態樣100所述之方法，其中該第一官能基由乙氧基矽烷組成。
態樣104. 如態樣89或92至103中任一項所述之方法，包括端點，其中該第一官能基之重量在該三嵌段共聚物之約0.5重量%至約5重量%範圍內。
態樣105. 如態樣104所述之方法，其中該第一官能基之該重量在該三嵌段共聚物之約2重量%至約3重量%範圍內。
態樣106. 如態樣89或92至103中任一項所述之方法，包括端點，其中該第一官能基之重量在該三嵌段共聚物之約0.5重量%至約2重量%範圍內。
態樣107. 如態樣89或92至106中任一項所述之方法，包括端點，其中該三嵌段共聚物包含複數種三嵌段共聚物，該複數種三嵌段共聚物之第一三嵌段共聚物包含大於該複數種三嵌段共聚物之第二三嵌段共聚物之該兩種第二嵌段的第二組合重量的該兩種第二嵌段之第一組合重量。
態樣108. 如態樣89或92至106中任一項所述之方法，包括端點，其中該薄膜進一步包含有包含另一第一嵌段及另一第二嵌段之二嵌段共聚物，其中該另一第一嵌段包含與該三嵌段共聚物之該第一嵌段相同的材料，且該另一第二嵌段包含與該三嵌段共聚物之該兩種第二嵌段中之至少一者相同的材料。
態樣109. 如態樣108所述之方法，其中該二嵌段共聚物之質量與該三嵌段共聚物之質量之質量比為約5%至約50%。
態樣110. 如態樣89或92至109中任一項所述之方法，包括端點，其進一步包括將初始三嵌段共聚物及接枝材料進料通過擠出機以形成該三嵌段共聚物。
態樣111. 如態樣89或92至110中任一項所述之方法，包括端點，其中該薄膜由該三嵌段共聚物及其組分以及可選的抗氧化劑組成。
態樣112. 如態樣89或92至110中任一項所述之方法，包括端點，其中該薄膜進一步包含抗氧化劑。
態樣113. 如態樣108至112中任一項所述之方法，其中在85℃環境中保持10天後之該薄膜與形成時之薄膜之間的CIE b*值之差為約0.10或更小。
態樣114. 如態樣108至113中任一項所述之方法，其中該薄膜包含在該薄膜之約0.01重量%至約0.4重量%範圍內之該抗氧化劑。
態樣115. 如態樣86至114中任一項所述之方法，其中該第一溫度在約60℃至約70℃範圍內且該第一時段在約20分鐘至約45分鐘範圍內。
態樣116. 如態樣86至115中任一項所述之方法，其中該第二溫度在約150℃至約230℃範圍內且該第二時段在約30分鐘至約50分鐘範圍內。
態樣117. 如態樣86至116中任一項所述之方法，期進一步包括以約0.5℃/分鐘至約5℃/分鐘範圍內之第一速率加熱該薄膜及該基板以達至該第一溫度。
態樣118. 如態樣86至117中任一項所述之方法，其進一步包括以約0.5℃/分鐘至約5℃/分鐘範圍內之第二速率加熱該薄膜及該基板以達至該第二溫度，且以約7千帕/分鐘至約35千帕/分鐘範圍內之第三速率增加該薄膜及該基板上之壓力。
態樣119. 如態樣86至118中任一項所述之方法，其進一步包括以約1℃/分鐘至約10℃/分鐘範圍內之第四速率冷卻該積層，且以約35千帕/分鐘至約103千帕/分鐘範圍內之第五速率降低該積層上之壓力。
態樣120. 如態樣86至119中任一項所述之方法，其中在589奈米下該薄膜之該折射率在約1.498至約1.502範圍內。
態樣121. 如態樣86至120中任一項所述之方法，其中該第一嵌段之玻璃轉移溫度為約-20℃或更低。
態樣122. 如態樣86至121中任一項所述之方法，其中該薄膜厚度在約25微米至約200微米範圍內。
態樣123. 如態樣122所述之方法，其中該薄膜厚度在約30微米至約80微米範圍內。
態樣124. 如態樣86至123中任一項所述之方法，其進一步包括將該薄膜之該第二主表面附著至該基板之該第三主表面的矽烷偶合劑。
態樣125. 如態樣86至124中任一項所述之方法，其中該矽烷偶合劑包含胺官能化之矽烷偶合劑。
態樣126. 如態樣86至125中任一項所述之方法，其中該薄膜在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後，在搭接剪切試驗中具有約1兆帕或更高之剪切強度。
態樣127. 如態樣86至125中任一項所述之方法，其中該薄膜在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後，在搭接剪切試驗中具有約2兆帕或更高之剪切強度。
態樣128. 如態樣86至125中任一項所述之方法，其中在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後該積層之剪切強度大於形成時之積層的剪切強度，其中剪切強度係在搭接剪切試驗中量測。
態樣129. 如態樣86至128中任一項所述之方法，其中該基板在589奈米下之折射率與該薄膜在589奈米下之折射率之間的絕對差為約0.01或更小。
態樣130. 如態樣86至129中任一項所述之方法，其中在400奈米至約700奈米之光波長內，該基板之折射率與該薄膜之折射率之間的最大絕對差為約0.01或更小。
態樣131. 如態樣86至130中任一項所述之方法，其中該基板包含基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板。
態樣132. 如態樣86至131中任一項所述之方法，其中該基板厚度在約25微米至約2毫米範圍內。
態樣133. 如態樣132所述之方法，其中該基板厚度在約25微米至約300微米範圍內。
貫穿本揭示案，圖式用於強調某些態樣。因此，除非另有明確說明，否則不應假設圖式中所示之不同區域、部分及基板的相對大小與其實際相對大小成比例。
現將在下文參考展示例示性態樣之附圖更全面地描述態樣。只要可能，貫穿圖式使用相同的元件符號來指相同或相似的部件。然而，申請專利範圍可涵蓋各個態樣之許多不同態樣，且不應解釋為限制本文所闡述之態樣。
本揭示案之態樣的薄膜可分別用於例如第9圖至第10圖中所示之薄膜901及/或1001，及/或第1圖至第4圖中所示之積層101、301及/或401。然而，應理解，薄膜及/或積層不限於此類應用且可用於其他應用中。除非另外指出，否則對一個薄膜或積層之態樣的特徵的論述可同樣應用於本揭示案之任何態樣的對應特徵。舉例而言，貫穿本揭示案之相同的部件編號可指示，在一些態樣中，所鑑別之特徵彼此相同，且除非另外說明，否則對一個態樣之所鑑別特徵論述可同樣應用於本揭示案之任何其他態樣所鑑別之特徵。
本揭示案之態樣可包含薄膜。如第9圖中所示，薄膜901可包含層907，該層包含第一主表面903及與該第一主表面903相對的第二主表面905。在態樣中，第一主表面903可包含平面。在態樣中，第二主表面905可包含平面。在其他態樣中，第一主表面903可與第二主表面905平行。薄膜901 (例如層907)包含界定於第一主表面903與第二主表面905之間的作為其間平均距離的薄膜厚度919。在態樣中，薄膜厚度919可為約5微米(μm)或更大、約10 μm或更大、約25 μm或更大、約30 μm或更大、約40 μm或更大、約60 μm或更大、約80 μm或更大、約100 μm或更大、約400 μm或更小、約300 μm或更小、約250 μm或更小、約200 μm或更小、約180 μm或更小、約160 μm或更小或約160 μm或更小。在態樣中，薄膜厚度919可在約5 μm至約400 μm、約5 μm至約300 μm、約10 μm至約300 μm、約10 μm至約200 μm、約25 μm至約200 μm、約25 μm至約180 mm、約30 μm至約180 μm、約40 μm至約180 μm、約40 μm至約160 μm、約60 μm至約160 μm、約60 μm至約140 μm、約80 μm至約140 μm、約100 μm至約140 μm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，薄膜厚度919可為約100 μm或更小，例如在約25 μm至約100 μm、約30 μm至約80 μm、約40 μm至約60 μm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。
如第10圖中所示，薄膜1001可包含層1007，該層包含第一主表面1003及與該第一主表面1003相對的第二主表面1005。在態樣中，第一主表面1003可包含平面。在態樣中，第二主表面1005可包含平面。在其他態樣中，第一主表面1003可與第二主表面1005平行。薄膜1001 (例如層1007)包含界定於第一主表面1003與第二主表面1005之間的作為其間平均距離的薄膜厚度1019。在態樣中，薄膜厚度1019可在上文對於薄膜厚度919所論述之範圍中之一或多者內。
在態樣中，如第9圖中所示，薄膜901可包含離型紙271。離型紙271可包含第五主表面273及與該第五主表面相對的第六主表面275。在其他態樣中，如所示，層907之第一主表面903可面向離型紙271之第六主表面275。在甚至其他態樣中，層907之第一主表面903可接觸離型紙271之第六主表面275。在甚至其他態樣中，如所示，離型紙271之第六主表面275可與層907之第一主表面903共延伸。在其他態樣中，離型紙可包含紙材及/或聚合物。紙材之例示性態樣包含牛皮紙、機製光澤紙、多塗佈之紙(例如聚合物塗佈之紙、透明紙、矽化紙)或黏土塗佈之紙。聚合物之例示性態樣包含聚酯(例如聚對酞酸乙二酯(PET))、含氟聚合物(例如聚四氟乙烯(PTFE)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、全氟聚醚(PFPE)、全氟磺酸(PFSA)、全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)聚合物及乙烯四氟乙烯(ETFE)聚合物)及聚烯烴(例如低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚丙烯(PP))。在態樣中，如第10圖中所示，薄膜1001可不包含離型紙。在其他態樣中，如所示，薄膜1001可由層1007組成。應理解，薄膜1001可包含離型紙及/或在一些態樣中，薄膜901可不包含離型紙。在態樣中，薄膜901或薄膜1001中之任一者可包含接觸層907或1007之對應主表面的兩個離型紙(例如離型紙271)。提供離型紙271可為該層提供支撐及/或保護該層之第一主表面免受污染，以實現該層可併入之積層中的良好黏附性。
在態樣中，如第9圖中所示，薄膜901之層907可包含黏合劑。在其他態樣中，包含黏合劑之層907可包含聚合物。用於黏合劑之聚合物的例示性態樣包括以下中之一或多者：基於聚矽氧之聚合物、基於丙烯酸酯之聚合物、基於環氧化物之聚合物、含硫醇聚合物、基於胺甲酸乙酯之聚合物及/或其組合(例如胺甲酸乙酯-丙烯酸酯)。在甚至其他態樣中，基於聚矽氧之聚合物可包含聚矽氧彈性體。聚矽氧彈性體之例示性態樣包括可自Gelest獲得之PP2-OE50及可自NuSil獲得之LS 8941。基於環氧化物之聚合物之實例包括基於雙酚之環氧樹脂、基於酚醛清漆之環氧化物、基於環脂族之環氧化物及基於縮水甘油胺之環氧化物。在其他態樣中，包含黏合劑之層907可包含以下中之一或多者：聚烯烴、聚醯胺、含鹵聚合物(例如聚氯乙烯或含氟聚合物)、彈性體、胺甲酸乙酯、酚醛樹脂、聚對二甲苯、聚對酞酸乙二酯(PET)及聚醚醚酮(PEEK)。聚烯烴之例示性態樣包括低分子量聚乙烯(LDPE)、高分子量聚乙烯(HDPE)、超高分子量聚乙烯(UHMWPE)及聚丙烯(PP)。含氟聚合物之例示性態樣包括聚四氟乙烯(PTFE)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、全氟聚醚(PFPE)、全氟磺酸(PFSA)、全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)聚合物及乙烯四氟乙烯(ETFE)聚合物。彈性體之例示性態樣包括橡膠(例如聚丁二烯、聚異戊二烯、氯丁二烯橡膠、丁基橡膠、腈橡膠)及嵌段共聚物(例如苯乙烯-丁二烯、高抗衝聚苯乙烯、二氯磷腈聚合體)。在甚至其他態樣中，層907可包含2020年10月12日申請之美國非臨時專利申請17/068,272之「基於聚合物之部分、黏合劑、可折疊設備及製造方法」中所揭露的材料中之一或多者。在態樣中，黏合劑可包含下文所描述之三嵌段共聚物。
在態樣中，如第10圖中所示，薄膜1001之層1007可包含基於聚合物之部分。在其他態樣中，包含基於聚合物之部分的層1007可包含三嵌段共聚物。如本文所用，三嵌段共聚物係指沿著聚合物之主鏈包含三種不同嵌段的聚合物，其中相鄰的嵌段對包含不同的單體或單體組以及不用的玻璃轉移溫度(Tg)。舉例而言，三嵌段共聚物可表示為A-B-A，其中沿著具有相鄰的嵌段A-B與B-A對之主鏈有3個嵌段，其中A嵌段及B嵌段包含不同的單體及/或單體組以及不同的玻璃轉變溫度。貫穿本揭示案，三嵌段共聚物之中間嵌段將稱為第一嵌段(例如，上述實例中之B)，而末端嵌段將稱為第二嵌段(例如，上述實例中之A)，儘管第二嵌段可包含或者可不包含如下文所論述之相同的單體、分子量等。應理解，如下文所論述，三嵌段共聚物之嵌段可包含超過一種單體類型且可甚至包含子嵌段，其中相鄰的子嵌段對包含不同的單體及/或單體組。舉例而言，如下文所論述，第二嵌段可包含乙烯-丁烯共聚物，該乙烯-丁烯共聚物可包含有包含乙烯單體之子嵌段及與包含乙烯單體之子嵌段相鄰的包含丁烯單體之另一子嵌段。
在態樣中，三嵌段共聚物可包含熱塑性彈性體。如本文所用，熱塑性彈性體為熱塑性的且為彈性的。貫穿本揭示案，若聚合物之黏度降低至高於預定溫度(例如熔化溫度)，使得聚合物表現為可使用諸如射出成型及/或擠製之方法成型且隨後冷卻為成型聚合物製品的黏性液體，則該聚合物為熱塑性的。相比之下，熱固物為一種聚合物，其在加熱至預定溫度(例如分解溫度)時會分解，而非變成黏性液體且隨後不能冷卻來形成成型聚合物製品。貫穿本揭示案，若聚合物在23℃下以每分鐘5%之應變速率拉伸至至少20%應變後可恢復其原始尺寸之至少99%，則該聚合物為彈性的。熱塑性彈性體之例示性態樣包括熱塑性聚胺酯、熱塑性聚醯胺、二氯磷腈聚合體、基於聚矽氧之橡膠及/或嵌段共聚物(例如三嵌段共聚物、二嵌段共聚物)。
如本文所用，玻璃轉移溫度、一定溫度範圍內之儲存模數、儲存模數(例如在玻璃平台處)及損耗模數(例如在玻璃平台處)係使用動力分析(DMA)藉由例如來自TA Instruments之DMA 850的儀器量測。用於DMA分析之樣品包含藉由耐張線夾固定之薄膜。如本文所用，儲存模數係指聚合物對動態測試之響應的同相分量。不希望受理論所束縛，響應之同相分量歸因於黏彈性材料之彈性部分。如本文所用，損耗模數係指在動態測試期間對聚合物之響應的異相分量。不希望受理論所束縛，損耗模數可對應於黏彈性材料之黏性組分。如本文所用，玻璃轉移溫度對應於tanδ之最大值，該值為損耗模數與儲存模數之比值。
在態樣中，三嵌段共聚物之第一嵌段可包含以下之第一玻璃轉移溫度(Tg1)：約0℃或更低、約-10℃或更低、約-20℃或更低、約-30℃或更低、約-40℃或更低、約-140℃或更高、約-120℃或更高、約-100℃或更高、約-80℃或更高或約-60℃或更高。在態樣中，三嵌段共聚物之第一嵌段可包含在以下範圍內之第一玻璃轉移溫度(Tg1)：約-140℃至約0℃、約-120℃至約0℃、約-120℃至約-10℃、約-100℃至約-10℃、約-100℃至約-20℃、約-80℃至約-20℃、約-80℃至約-30℃、約-60℃至約-30℃、約-40℃至約-60℃，或其間任何範圍或子範圍內。提供包含低霧度之基於聚合物之部分可實現通過基於聚合物之部分的良好可見性。提供具有在操作範圍(例如約0℃至約40℃、約-20℃至約60℃)之外(例如低於)的第一玻璃轉移溫度(Tg1)之三嵌段共聚物之第一嵌段可在製品(例如薄膜、積層)之整個操作範圍內實現一致特性。
在態樣中，第一嵌段可包含以下及/或由以下組成：聚丁二烯、聚丁烯、聚異丁烯、聚異戊二烯、聚(丁二烯-共-異戊二烯)、聚(乙烯-共-丁烯)、聚(乙烯-共-丁烯-共-苯乙烯)、聚(乙烯-共-丙烯)及/或其組合。在其他態樣中，第一嵌段可包含聚(乙烯-共-丁烯)。在甚至其他態樣中，包含聚(乙烯-共-丁烯)之第一嵌段可包含有包含乙烯單體之子嵌段及包含丁烯單體之另一子嵌段。在甚至其他態樣中，包含聚(乙烯-共-丁烯)之第一嵌段可包含乙烯及丁烯單體之交替及/或無規共聚物。
在態樣中，三嵌段共聚物之第二嵌段中之一者或兩者可包含以下之第一玻璃轉移溫度(Tg1)：約50℃或更高、約70℃或更高、約90℃或更高、約100℃或更高、約220℃或更低、約160℃或更低、約140℃或更低、約120℃或更低或約110℃或更低。在態樣中，三嵌段共聚物之第二嵌段中之一者或兩者可包含在以下範圍內之第一玻璃轉移溫度(Tg1)：約50℃至約220℃、約50℃至約160℃、約70℃至約160℃、約70℃至約140℃、約90℃至約140℃、約90℃至約120℃、約100℃至約120℃、約110℃至約120℃，或其間任何範圍或子範圍內。提供具有在操作範圍(例如約0℃至約40℃、約-20℃至約60℃)之外(例如高於)的玻璃轉移溫度之三嵌段共聚物之第二嵌段可在製品(例如薄膜、積層)之整個操作範圍內實現一致特性。
在態樣中，第二嵌段中之一者或兩者可包含以下中之一或多者：聚苯乙烯、聚(乙烯基吡啶)、聚(乙烯基苯酚)、聚(對酞酸乙二酯)、聚碸、聚對二甲苯、聚苯醚、聚芳酯、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚甲基丙烯酸、聚(丙烯酸)、聚甲基丙烯醯胺、聚丙烯醯胺、聚丙烯腈及其衍生物。在態樣中，第二嵌段中之一者或兩者可包含含芳族之聚合物。含芳族之聚合物的例示性態樣包括聚苯乙烯、聚(乙烯基吡啶)、聚(乙烯基苯酚)、聚(對酞酸乙二酯)、聚碸、聚芳酯及聚碳酸酯。在其他態樣中，第二嵌段中之一者或兩者可包含聚苯乙烯。在其他態樣中，兩種第二嵌段可包含相同的材料。在其他態樣中，三嵌段共聚物之第二嵌段可與三嵌段共聚物之另一第二嵌段不同。不希望受理論所束縛，包含含芳族之聚合物的第二嵌段可增加第二嵌段之玻璃轉移溫度、增加模數及/或增加三嵌段共聚物之剛性。
在態樣中，三嵌段共聚物可包含苯乙烯嵌段共聚物、熱塑性共聚酯及熱塑性共醯胺。苯乙烯嵌段共聚物之例示性態樣包括苯乙烯-(丁二烯)-苯乙烯、苯乙烯-(丁二烯-異戊二烯)-苯乙烯、苯乙烯-(丁烯)-苯乙烯、苯乙烯-(異丁烯)-苯乙烯、苯乙烯-(乙烯-丁烯)-苯乙烯、苯乙烯-(乙烯-丁烯-苯乙烯)-苯乙烯、苯乙烯-(乙烯-丙烯)-苯乙烯及苯乙烯-(異戊二烯)-苯乙烯三嵌段共聚物，其中為清楚起見，第二嵌段指示於括號中。舉例而言，可商購之苯乙烯-(異戊二烯)-苯乙烯、苯乙烯-(丁二烯)-苯乙烯、苯乙烯-(丁二烯-異丁烯)-苯乙烯、苯乙烯-(乙烯-丁烯)-苯乙烯及苯乙烯-(乙烯-丙烯)-苯乙烯可自Kraton商購。
在態樣中，三嵌段共聚物中之兩種第二嵌段之組合重量可為約10重量%(wt%)或更高、約13 wt%或更高、約15 wt%或更高、約20 wt%或更低、約50 wt%或更低、約40 wt%或更低、約30 wt%或更低或約25 wt%或更低。在態樣中，三嵌段共聚物中之兩種第二嵌段之組合重量可在約10 wt%至約50 wt%、約10 wt%至約40 wt%、約13 wt%至約40 wt%、約13 wt%至約30 wt%、約15 wt%至約30 wt%、約15 wt%至約25 wt%、約20 wt%至約25 wt%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。提供兩種第二嵌段之總重量在上述範圍中之一或多者內可提供三嵌段共聚物(例如薄膜)與基板(例如基於玻璃之基板、基於陶瓷之基板)的折射率之間的較小絕對差。
在態樣中，三嵌段共聚物之第一嵌段可接枝有第一官能基。在其他態樣中，第一官能基可包含以下及/或由以下組成：酸酐、丙烯酸酯、異氰酸酯、順丁烯二酸酯、矽烷及/或其組合。酸酐官能基之例示性態樣包括順丁烯二酸酐、丁二酸酐、乙酸酐、烷基酸酐(例如乙酸酐、丙酸酐)及其組合。丙烯酸酯官能基之例示性態樣包括丙烯酸酯、丙烯酸烷基酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯)、甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸烷基酯(例如，甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯)、氰基丙烯酸酯、氰基丙烯酸烷基酯(例如，氰基丙烯酸甲酯、氰基丙烯酸乙酯)及其組合。異氰酸酯官能基之例示性態樣包括異氰酸酯、異氰酸烷基酯(例如，異氰酸甲酯)、二異氰酸酯、二異氰酸烷基酯(例如，六亞甲基二異氰酸酯)、亞甲基二苯基二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯及其組合。順丁烯二酸酯官能基之例示性態樣包括順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、順丁烯二酸烷基酯(例如順丁烯二酸二甲酯)及其組合。矽烷官能基之例示性態樣包括烷氧基矽烷(例如甲氧基矽烷、乙氧基矽烷)及可與包括上文所論述之彼等官能基或下文參考矽烷偶合劑所論述之彼等官能基的其他官能基組合。在其他態樣中，第一官能基可包含順丁烯二酸酐及/或由順丁烯二酸酐組成。在其他態樣中，第一官能基可包含乙氧基矽烷。在態樣中，第一官能基可排除氫、雙酚及/或含氟官能基。在態樣中，第一官能基可排除烯烴及/或炔烴。在態樣中，第一官能基相對於三嵌段共聚物之重量可為約0.1 wt%或更高、約0.2 wt%或更高、約0.5 wt%或更高、約1 wt%或更高、約2 wt%或更高、約10 wt%或更低、約8 wt%或更低、約5 wt%或更低、約3 wt%或更低或約2 wt%或更低。在態樣中，第一官能基相對於三嵌段共聚物之重量可在約0.1 wt%至約10 wt%、約0.1 wt%至約8 wt%、約0.2 wt%至約8 wt%、約0.2 wt%至約5 wt%、約0.5 wt%至約5 wt%、約0.5 wt%至約2 wt%、約1 wt%至約2 wt%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，第一官能基可為矽烷(例如乙氧基矽烷)、酸酐(例如順丁烯二酸酐)及/或順丁烯二酸酯(例如順丁烯二酸酐)。在態樣中，第一官能基之重量可為約1 wt%或更高，例如在約1 wt%至約5 wt%、約2 wt%至約3 wt%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，第一官能基可為酸酐及/或順丁烯二酸酯(例如順丁烯二酸酐)。提供包含接枝有第一官能基之第一嵌段的三嵌段共聚物可改良薄膜(例如三嵌段共聚物)與基板(例如基於玻璃之基板、基於陶瓷之基板)的黏附性。
貫穿本揭示案，聚合物(例如嵌段)之「正常官能團」係指在聚合後將存在於聚合物(例如嵌段)之一或多種單體中之官能基。舉例而言，聚丁二烯之正常官能基為烯烴，且聚(甲基丙烯酸甲酯)之正常官能基為甲基丙烯酸酯。在態樣中，第一官能基可與第一嵌段之正常官能基不同。
在態樣中，三嵌段共聚物可包含複數種三嵌段共聚物。複數種三嵌段共聚物可包含第一三嵌段共聚物，該第一三嵌段共聚物包含第一三嵌段共聚物之兩種第二嵌段之第一組合重量。複數種三嵌段共聚物可包含第二三嵌段共聚物之兩種第二嵌段之第二組合重量。在其他態樣中，第一組合重量可大於第二組合重量。在甚至其他態樣中，第一三嵌段共聚物之第一嵌段可包含與第二三嵌段共聚物之第一嵌段相同的材料，及/或第一三嵌段共聚物之兩種第二嵌段可包含與第二三嵌段共聚物之兩種第二嵌段的對應第二嵌段相同的材料。提供超過一種類型之三嵌段共聚物可實現對所得層(例如薄膜)之折射率的微調。
在態樣中，層可包含與三嵌段共聚物組合之二嵌段共聚物。在其他態樣中，二嵌段共聚物可包含另一第一嵌段及另一第二嵌段。在甚至其他態樣中，另一第一嵌段可包含與三嵌段共聚物之第一嵌段相同的材料，及/或另一第二嵌段可包含與三嵌段共聚物之兩種第二嵌段中之至少一者相同的材料。在又其他態樣中，二嵌段共聚物之質量與三嵌段共聚物之質量的質量比可為約1%或更高、約5%或更高、約10%或更高、約20%或更高、約70%或更低、50%或更低、約40%或更低或約30%或更低。在又其他態樣中，二嵌段共聚物之質量與三嵌段共聚物之質量的質量比可在約1%至約70%、約5%至約70%、約5%至約50%、約5%至約40%、約10%至約40%、約10%至約30%、約20%至約30%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。提供與三嵌段共聚物組合之二嵌段共聚物可增加所得層(例如薄膜、積層)之可撓性及/或抗衝擊性。提供包含對應於第一嵌段及兩種第二嵌段中之一者或兩者的材料的二嵌段共聚物可實現增加的可撓性，而不會實質上改變層(例如薄膜、積層)之光學特性。
貫穿本揭示案，「基本上由一系列組分組成」之薄膜或組成物包括所列組分及不會對薄膜或組成物之基本特性產生實質性影響的任選的額外組分。貫穿本揭示案，「由一系列組分組成」之薄膜或組成物僅包括所列組分。在態樣中，薄膜之層可基本上由三嵌段共聚物組成(例如由三嵌段共聚物組成)。在態樣中，薄膜之層可基本上由三嵌段共聚物及二嵌段共聚物組成(例如由三嵌段共聚物及二嵌段共聚物組成)。在態樣中，薄膜之層可由三嵌段共聚物及其組分組成。如本文所用，三嵌段共聚物之組分係指第一嵌段、兩種第二嵌段、此等嵌段之子嵌段及其組合(例如，包含第一嵌段及第二嵌段中之一者的二嵌段共聚物)。舉例而言，層由包含第一嵌段及兩種第二嵌段之三嵌段共聚物以及包含有包含與第一嵌段相同的材料的另一第一嵌段及包含與三嵌段共聚物之第二嵌段中之至少一者相同的材料的另一第二嵌段及其組分的二嵌段共聚物組成，因為二嵌段共聚物為三嵌段共聚物之第一嵌段與第二嵌段中之一者的組合。
在態樣中，層(例如薄膜)可包含矽烷偶合劑。在其他態樣中，矽烷偶合劑可包含酸酐官能化之矽烷、胺官能化之矽烷、氯官能化之矽烷、氰基官能化之矽烷、環氧官能化之矽烷、羥基官能化之矽烷、硫醇官能化之矽烷及其組合。在其他態樣中，矽烷偶合劑可包含胺官能基。在其他態樣中，矽烷偶合劑可包含(3-三乙氧基甲矽基)丙基丁二酸酐、(3-巰基丙基)三甲氧基矽烷及/或2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷。胺官能化之矽烷的例示性態樣包括(3-胺丙基)三甲氧基矽烷、(3-胺丙基)三乙氧基矽烷、(3-胺丙基)甲基二甲氧基矽烷、(3-胺丙基)甲基二乙氧基矽烷、間胺苯三甲氧基矽烷、對胺苯三甲氧基矽烷、3-(間胺苯氧基)丙基三甲氧基矽烷、3-(間胺苯氧基)丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、N-(6-胺己基)胺甲基三甲氧基矽烷、N-(6-胺己基)胺甲基三乙氧基矽烷、N-2-胺乙基-11-胺基十一基三甲氧基矽烷、N-2-胺乙基-11-胺基十一基三乙氧基矽烷、胺乙基胺甲基苯乙基三甲氧基矽烷、胺乙基胺甲基苯乙基三乙氧基矽烷、N-3-(胺基聚丙氧基)胺丙基三甲氧基矽烷、N-3-(胺基聚丙氧基)胺丙基三乙氧基矽烷、(3-三甲氧基矽基丙基)二乙烯三胺矽烷、(3-三乙氧基矽基丙基)二乙烯三胺矽烷、4-胺基-3,3-二甲基丁基三甲氧基矽烷及4-胺基-3,3-二甲基丁基三乙氧基矽烷。氯官能化之矽烷的例示性態樣包括3-氯丙基三甲氧基矽烷及3-氯丙基三乙氧基矽烷。氰基官能化之矽烷的例示性態樣包括3-異氰酸基丙基三甲氧基矽烷及3-異氰酸基丙基三乙氧基矽烷。環氧官能化之矽烷的例示性態樣包括2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、3-(2,3-環氧丙氧基)丙基三甲氧基矽烷、5,6-環氧己基三乙氧基矽烷、2-(2,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(2,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、(3-縮水甘油醚基氧基丙基)三甲氧基矽烷及(3-縮水甘油醚基氧基丙基)三乙氧基矽烷。羥基官能化之矽烷的例示性態樣包括N,N'-雙(2-羥乙基)-N,N'雙(三甲氧基矽基丙基)乙二胺、N,N'-雙(2-羥乙基)-N,N'雙(三乙氧基矽基丙基)乙二胺、N,N-雙(2-羥乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N,N-雙(2-羥乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、2,2-雙(3-三甲氧基矽基丙氧基甲基)丁醇及2,2-雙(3-三乙氧基矽基丙氧基甲基)丁醇。硫醇官能化之矽烷的例示性態樣包括3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷及11-巰基十一基三甲氧基矽烷。在甚至其他態樣中，矽烷偶合劑可包含胺官能化之矽烷偶合劑。在其他態樣中，組成物可包含以重量% (wt%)計約0.1 wt%或更多、約0.2 wt%或更多、約0.5 wt%或更多、約5 wt%或更少、約2 wt%或更少或約1 wt%或更少之矽烷偶合劑。在其他態樣中，組成物可包含以重量% (wt%)計在約0.1 wt%至約5 wt%、約0.1 wt%至約2 wt%、約0.2 wt%至約2 wt%、約0.2 wt%至約1 wt%、約0.5 wt%至約1 wt%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內之矽烷偶合劑。提供矽烷偶合劑可增加層(例如薄膜)對基板(例如，基於玻璃之基板、基於陶瓷之基板、積層之其餘部分)之黏附性且改良薄膜及/或積層之耐久性。貫穿本揭示案，「游離矽烷」係指並不鍵結至聚合物(例如接枝或以其他方式與聚合物反應)之含矽烷之化合物。在態樣中，藉由包含0.1 wt%之游離矽烷，薄膜可基本上不含游離矽烷。在其他態樣中，薄膜可不含游離矽烷。
在態樣中，層(例如薄膜)可包含催化劑。不希望受理論所束縛，催化劑可提高固化(例如聚合、反應)速率，且催化劑可避免固化所致之永久性化學變化。在態樣中，催化劑可包含一或多種鉑族金屬，例如釕、銠、鈀、鋨、銥及/或鉑。在態樣中，催化劑可包含鉑基Karstedt催化劑溶液。鉑基催化劑之例示性態樣包括氯鉑酸、富馬酸鉑、膠態鉑、金屬鉑及/或鉑-鎳奈米粒子。
在態樣中，層(例如薄膜)可包含光起始劑。如本文所用，光起始劑為對一或多種波長敏感的化合物，其在吸收包含一或多種波長之光時發生反應以產生一或多種可引發反應之自由基或離子物質。在其他態樣中，光起始劑可對一或多種波長之紫外(UV)光敏感。對UV光敏感之光起始劑之例示性態樣包括但不限於安息香醚、二苯乙二酮縮酮、二烷氧基苯乙酮、羥烷基苯酮、胺烷基苯酮、醯基膦氧化物、噻噸酮、羥烷基酮及噻噸胺。在其他態樣中，光起始劑可對一或多種波長之可見光敏感。對可見光敏感之光起始劑之例示性態樣包括但不限於5,7-二碘-3-丁氧基-6-氟酮、雙(4-甲氧基苯甲醯基)二乙基鍺、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物、3-甲基-4-氮雜-6-螺旋烴及硫氰化硼酸鹽。在其他態樣中，光起始劑可對層(例如薄膜)之其他組分基本上透明的波長敏感。在其他態樣中，光起始劑可引發陽離子反應(例如陽離子聚合)。產生一或多種離子之光起始劑之例示性態樣包括但不限於三芳基六氟銻酸鋶、三苯基六氟銻酸鋶及雙(4-三級丁基苯基)碘鎓全氟-1-丁磺酸鹽。可商購之光起始劑包括但不限於來自Ciba Specialty Chemical之Irgacure產品線。光起始劑之例示性態樣包括基於苯乙酮之化合物，例如二甲氧基苯基苯乙酮。在態樣中，組成物可包含以重量% (wt%)計約0.1 wt%或更多、約0.2 wt%或更多、約0.5 wt%或更多、約6 wt%或更少、約4 wt%或更少、約3 wt%或更少、約2 wt%或更少或約1 wt%或更少之光起始劑。在態樣中，組成物可包含以重量% (wt%)計在約0.1 wt%至約6 wt%、約0.1 wt%至約4 wt%、約0.1 wt%至約3 wt%、約0.1 wt%至約2 wt%、約0.2 wt%至約2 wt%、約0.2 wt%至約1 wt%、約0.5 wt%至約1 wt%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內之矽烷偶合劑。在態樣中，層(例如薄膜)可基本上不含基於氟之化合物。如本文所用，層(例如薄膜)可基本上不含基於氟之化合物，而在對應於約0.25 wt%或更少之氟的總wt%的組成物之微量組分(例如，約6 wt%或更少之光起始劑)中含有痕量氟。在其他態樣中，層(例如薄膜)可不含基於氟之化合物。
在態樣中，層(例如薄膜)可包含抗氧化劑。在其他態樣中，抗氧化劑可包含基於酚之化合物或基於亞磷酸酯之化合物。包含可獲得之基於酚之化合物的抗氧化劑之例示性態樣包括新戊四醇肆(3-(3,5-二-三級丁基-4-羥苯基)丙酸酯(例如Irganox 1010 (BASF))、硫代二伸乙基雙[3-(3,5-二-三級丁基-4-羥基-苯基)]丙酸酯(例如Irganox 1035 (BASF))、十八基-3-(3,5-二-三級丁基-4-羥苯基)丙酸酯(例如Irganox 1076 (BASF))、苯丙酸(例如Irganox 1135 (BASF))、3,3’,3’,5,5’,5’-六-三級丁基-a,a’,a’-(對稱三甲苯-2,4,6-三基)三-對甲苯酚(例如Irganox 1330 (BASF))、(1,1-二-三級丁基)-4-羥苯基)甲基)磷酸乙酯(例如Irganox 1425 (BASF))、4,6-雙[辛硫甲基]-鄰甲苯酚(例如Irganox 1520 (BASF))、1,3,5-參[3,5-二-三級丁基-4-羥苄基)-1,3,5-三嗪-2,4,5(1H,3H,5H)-三酮(例如Irganox 3114 (BASF))、2,6-二-三級丁基-4-(4,6-雙(辛硫醇)-1,3,5-三嗪-2-基胺基)酚(例如Irganox 565 (BASF))及2’,3-雙[3-(3,5-二-三級丁基-4-羥苯基)丙醯基]丙肼(例如Irganox MD-1024 (BASF))。包含基於亞磷酸酯之化合物的抗氧化劑之例示性態樣包括2,2’,2’’-硝基(三乙基-參[3,3’,5,5’-四-三級丁基-1,1’-二苯基-2,2’-二基])亞磷酸酯(例如Irgafos 12 BASF)、雙[2,4,-二-三級丁基酚]新戊四醇二磷酸酯(例如Irgafos 126 (BASF)、參[2,4-二-三級丁基苯基]亞磷酸酯(例如Irgafos 168 (BASF))、雙[2,4-二-三級丁基-6-甲苯基]-以及-亞磷酸酯(例如Irgafos 38 (BASF))、參壬苯基亞磷酸酯(例如Weston 399 (Addivant))、3,9-雙(十八烷氧基)-2,4,8,10-四氧雜-3,9-雙磷螺十烷(例如Weston 618 (Addivant)) [1,3,2-二氧雜膦烷、5-丁基-5-乙基-2-(2,4,6-參[1,1-二甲基乙基]苯氧基)-1,3,2-二氧雜膦烷] (例如Ultranox 641 (SI Group))、2,2’-亞乙基-雙[4,6,-二-三級丁基苯基]磷酸氟(例如Ethenox 398 (SI Group))及2,2’-亞甲基-雙[4,6-二-三級丁基苯基]-2-乙基己基亞磷酸酯(例如ADK STAB HP-10 (Adeka))。在其他態樣中，抗氧化劑之重量可為約0.01 wt%或更多、約0.1 wt%或更多、約0.2 wt%或更多、約0.5 wt%或更少、約0.4 wt%或更少或約0.3 wt%或更少。在其他態樣中，抗氧化劑之重量可在約0.01 wt%至約0.5 wt%、約0.1 wt%至約0.5 wt%、約0.1 wt%至約0.4 wt%、約0.2 wt%至約0.3 wt%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，抗氧化劑之重量可在約0.01 wt%至約0.3 wt%、約0.01 wt%至約0.2 wt%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。提供抗氧化劑可改良薄膜及/或積層之顏色，例如藉由減少隨著薄膜及/或積層老化而變黃。
貫穿本揭示案，折射率可為穿過材料之光的波長的函數。貫穿本揭示案，對於第一波長之光，材料之折射率定義為光在真空中之速度與光在相應材料中之速度之比。不希望受理論所束縛，可使用第一角度之正弦與第二角度之正弦之比來決定材料之折射率，其中第一波長之光以第一角度自空氣入射至材料表面上且在材料表面處折射來以第二角度在材料內傳播光。第一角度及第二角度均相對於材料表面之法線量測。如本文所用，折射率係根據ASTM E1967-19量測，其中第一波長包含589 nm。在態樣中，薄膜之層(例如，三嵌段共聚物)的折射率可為約1.4或更大、約1.45或更大、約1.48或更大、約1.49或更大、約1.50或更大、約1.51或更大、約1.6或更小、約1.55或更小、約1.54或更小、約1.53或更小或約1.52或更小。在態樣中，薄膜之層(例如，三嵌段共聚物)的折射率可在約1.4至約1.6、約1.45至約1.6、約1.45至約1.55、約1.48至約1.55、約1.48至約1.54、約1.48至約1.53、約1.49至約1.53、約1.49至約1.52、約1.49至約1.51範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，薄膜之層(例如，三嵌段共聚物)的折射率可在約1.49至約1.51、約1.495至約1.51、約1.495至約1.505、約1.498至約1.505、約1.498至約1.502、約1.499至約1.502、約1.499至約1.501範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。
如本文所用，「光學透明」或「光學澄清」意謂在400 nm至700 nm之波長範圍內通過1.0 mm厚之材料片的平均透射率為70%或更高，其中厚度係沿光穿過的材料片之路徑長度方向量測。如本文所用，材料之平均透射率係藉由在400 nm至700 nm範圍內之光波長內通過1.0 mm厚之材料片取平均值來量測，其包括量測約400 nm至約700 nm之整數波長之透射率，以及對量測值取平均值。除非另外說明，否則材料之「透射率」係指材料之平均透射率。在態樣中，「光學透明材料」或「光學澄清材料」在400 nm至700 nm之波長範圍內通過1.0 mm 厚之材料片的平均透射率可為75%或更大、80%或更大、85%或更大、或90%或更大、92%或更大、94%或更大、96%或更大。在態樣中，薄膜之層(例如，三嵌段共聚物)可為光學透明的。在其他態樣中，薄膜之層(例如，三嵌段共聚物)在400 nm至700 nm範圍內之光波長內所量測之平均透射率可為約90%或更大、約91%或更大、約92%或更大、約93%或更大、約100%或更小、約96%或更小、約95%或更小或約94%或更小。在其他態樣中，薄膜之層(例如，三嵌段共聚物)在400 nm至700 nm範圍內之光波長內所量測之平均透射率可在約90%至100%、約90%至約96%、約91%至約96%、約91%至約95%、約92%至約95%、約92%至約94%、約93%至約94%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。
基於聚合物之部分可包含作為相對於垂直於基於聚合物之部分的表面的方向的照明角度之函數的霧度。如本文所用，霧度係指根據ASTM E430量測之透射霧度。霧度可使用由BYK Gardner提供之在商標HAZE-GUARD PLUS下之霧度計，使用源端口上之孔量測。孔具有8 mm之直徑。CIE C照明體用作照明樣品之光源。除非另外說明，否則係在相對於垂直於基於聚合物之部分之表面的入射角的約0°處量測。在態樣中，藉由1.0毫米(mm)厚之薄膜之層(例如，三嵌段共聚物)片量測之相對於垂直於基於聚合物之部分之表面的入射角的約0°及/或10°處之霧度可為約1%或更小、約0.5%或更小、約0.2%或更小、約0.1%或更小或約0.01%或更大或約0.05%或更大。在態樣中，藉由1.0 mm厚之薄膜之層(例如，三嵌段共聚物)片量測之相對於垂直於薄膜之層(例如，三嵌段共聚物)之表面的入射角的約0°及/或10°處之霧度可在0%至約1%、0%至0.5%、0%至0.2%、約0.01%至約0.2%、約0.05%至約0.2%、約0.05%至約0.1%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，相對於垂直於薄膜之層(例如，三嵌段共聚物)之表面的入射角的約20°處之霧度可在上文對於0°及/或10°所指示之範圍中之一或多者內。
貫穿本揭示案，層(例如薄膜)可包含在基於ASTM D1002之搭接剪切試驗中之剪切強度。如本文所用，搭接剪切試驗使用包含兩個基於玻璃之基板的積層，該等基板寬度為25 mm、厚度為200 μm且與安置於其間的將基於玻璃之基板彼此附著在一起的層(例如薄膜)的重疊為4 mm。積層係藉由將25 mm×4 mm之層(例如無任何離型紙之薄膜)置放於在模具中之基於玻璃之基板之間來形成且在0.4兆帕(MPa)之表壓下，在180℃至230℃之溫度下熱壓5分鐘。剪切強度係使用拉伸試驗機，例如Instron 3400或Instron 6800量測，其中氣動夾具固持基於玻璃之基板。在態樣中，層(例如薄膜)在搭接剪切試驗中之剪切強度可為約1兆帕(MPa)或更大、約2 MPa或更大、約3 MPa或更大、約20 MPa或更小、約10 MPa或更小或約5 MPa或更小。在態樣中，層(例如薄膜)在搭接剪切試驗中之剪切強度可在約1 MPa至約2 MPa、約1 MPa至約10 MPa、約2 MPa至約10 MPa、約2 MPa至約5 MPa、約3 MPa至約5 MPa範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，形成時之層(例如薄膜)在搭接剪切試驗中之剪切強度可在上文所闡述之範圍中之一或多者內。在態樣中，在25℃下保持1天後層(例如薄膜)在搭接剪切試驗中之剪切強度可在上文所闡述之範圍中之一或多者內。在態樣中，在25℃下保持10天後層(例如薄膜)在搭接剪切試驗中之剪切強度可在上文所闡述之範圍中之一或多者內。在態樣中，在65℃、50%相對濕度環境中保持10天後層(例如薄膜)在搭接剪切試驗中之剪切強度可在上文所闡述之範圍中之一或多者內。在態樣中，在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後層(例如薄膜)在搭接剪切試驗中之剪切強度可在上文所闡述之範圍中之一或多者內。在態樣中，在65℃、50%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)之剪切強度可增加(例如與形成時相比、與在25℃下保持1天後相比及/或與在25℃下保持5天後相比)。
貫穿本揭示案，層(例如薄膜)可包含使用例如CR-400比色計(Konica Minolta)或TR 520分光光度計(Lazar Scientific)之比色計(例如三相激光比色計)及/或分光光度計在10°觀測者角度下使用D65照明體所量測之CIE (L*, a*, b*)色坐標。貫穿本揭示案，色差量測為√((L* 1- L* 2) 2+ (a* 2- a* 1) 2+ (b* 2- b* 1) 2)，其中下標1係指參考(形成時)層(例如薄膜)之CIE色坐標且下標2係指在預定環境中保持預定時段後之層(例如薄膜)的CIE色坐標。在態樣中，層(例如薄膜)之色差可為約2或更小、約1或更小、約0.8或更小、約0.5或更小、約0.35或更小、約0.1或更大、約0.2或更大或約0.25或更大。在態樣中，層(例如薄膜)之色差可在約0.1至約2、約0.1至約1、約0.2至約1、約0.2至約0.8、約0.2至約0.5、約0.2至約0.35、約0.25至約0.35範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，在25℃環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述範圍中之一或多者內的色差。在態樣中，在25℃環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述範圍中之一或多者內的色差。在態樣中，在60℃，90%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述範圍中之一或多者內的色差。在態樣中，在60℃，90%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述範圍中之一或多者內的色差。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述範圍中之一或多者內的色差。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述範圍中之一或多者內的色差。在態樣中，在-25℃，50%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述範圍中之一或多者內的色差。在態樣中，在-25℃，50%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述範圍中之一或多者內的色差。在態樣中，在-25℃與105℃環境之間每30分鐘循環一次5天後，層(例如薄膜)可包含上述範圍中之一或多者內的色差。在態樣中，在-25℃與105℃環境之間每30分鐘循環一次10天後，層(例如薄膜)可包含上述範圍中之一或多者內的色差。
在態樣中，層(例如薄膜)可包含CIE L*值之絕對差|L* 1- L* 2|，其中下標1係指參考(形成時)層(例如薄膜)之CIE色坐標且下標2係指在預定環境中保持預定時段後之層(例如薄膜)的CIE色坐標。在其他態樣中，CIE L*值之絕對差可為約5或更小、約2或更小、約1.5或更小、約1或更小、約0.7或更小、約0.01或更大、約0.1或更大、約0.2或更大或約0.5或更大。在其他態樣中，CIE L*值之絕對差可在約0.01至約5、約0.01至約2、約0.1至約2、約0.1至約1、約0.1至約0.7、約0.2至約0.7、約0.2至約0.5範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，層(例如薄膜)可包含約85或更大、約89或更大、約90或更大、100或更小、約95或更小或約92或更小之CIE L*值。在態樣中，層(例如薄膜)可包含在約85至100、約89至100、約89至約95、約90至約95、約90至約92範圍內，或其間任何範圍或子範圍內之CIE L*值。在態樣中，在25℃環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE L*值及/或CIE L*值之絕對差。在態樣中，在25℃環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE L*值及/或CIE L*值之絕對差。在態樣中，在60℃、90%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE L*值及/或CIE L*值之絕對差。在態樣中，在60℃、90%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE L*值及/或CIE L*值之絕對差。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE L*值及/或CIE L*值之絕對差。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE L*值及/或CIE L*值之絕對差。在態樣中，在-25℃、50%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE L*值及/或CIE L*值之絕對差。在態樣中，在-25℃、50%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE L*值及/或CIE L*值之絕對差。在態樣中，在-25℃與105℃環境之間每30分鐘循環一次5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE L*值及/或CIE L*值之絕對差。在態樣中，在-25℃與105℃環境之間每30分鐘循環一次10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE L*值及/或CIE L*值之絕對差。
在態樣中，層(例如薄膜)可包含CIE a*值之絕對差|a* 1- a* 2|，其中下標1係指參考(形成時)層(例如薄膜)之CIE色坐標且下標2係指在預定環境中保持預定時段後之層(例如薄膜)的CIE色坐標。在其他態樣中，CIE a*值之絕對差可為約0.2或更小、約0.15或更小、約0.1或更小、約0.08或更小、約0.01或更大、約0.02或更大或約0.5或更大。在其他態樣中，CIE a*值之絕對差可在約0.01至約0.2、約0.01至約0.15、約0.02至約0.15、約0.02至約0.1、約0.05至約0.1、約0.05至約0.08範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，層(例如薄膜)可包含約0.05或更大、約0.1或更大、約0.15或更大、0.4或更小、約0.3或更小或約0.25或更小之CIE a*值。在態樣中，層(例如薄膜)可包含在約0.05至約0.4、約0.1至約0.4、約0.15至約0.4、約0.15至約0.3、約0.15至約0.25範圍內，或其間任何範圍或子範圍內之CIE a*值。在態樣中，在25℃環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE a*值及/或CIE a*值之絕對差。在態樣中，在25℃環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE a*值及/或CIE a*值之絕對差。在態樣中，在60℃、90%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE a*值及/或CIE a*值之絕對差。在態樣中，在60℃、90%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE a*值及/或CIE a*值之絕對差。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE a*值及/或CIE a*值之絕對差。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE a*值及/或CIE a*值之絕對差。在態樣中，在-25℃、50%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE a*值及/或CIE a*值之絕對差。在態樣中，在-25℃、50%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE a*值及/或CIE a*值之絕對差。在態樣中，在-25℃與105℃環境之間每30分鐘循環一次5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE a*值及/或CIE a*值之絕對差。在態樣中，在-25℃與105℃環境之間每30分鐘循環一次10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE a*值及/或CIE a*值之絕對差。
在態樣中，層(例如薄膜)可包含CIE b*值之絕對差|b* 1- b* 2|，其中下標1係指參考(形成時)層(例如薄膜)之CIE色坐標且下標2係指在預定環境中保持預定時段後之層(例如薄膜)的CIE色坐標。在其他態樣中，CIE b*值之絕對差可為約1或更小、約0.7或更小、約0.5或更小、約0.3或更小、約0.01或更大、約0.1或更大、約0.15或更大或約0.2或更大。在其他態樣中，CIE b*值之絕對差可在約0.01至約1、約0.01至約0.7、約0.1至約0.7、約0.1至約0.5、約0.15至約0.5、約0.15至約0.3、約0.2至約0.3範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，層(例如薄膜)可包含約1或更大、約1.5或更大、約1.7或更大、3或更小、約2.5或更小、約2.2或更小或約2或更小之CIE b*值。在態樣中，層(例如薄膜)可包含在約1至約3、約1.5至約3、約1.5至約2.5、約1.7至約2.5、約1.7至約2.2、約1.7至約2範圍內，或其間任何範圍或子範圍內之CIE b*值。在態樣中，在25℃環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在態樣中，在25℃環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在態樣中，在60℃、90%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在態樣中，在60℃、90%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在態樣中，在-25℃、50%相對濕度環境中保持5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在態樣中，在-25℃、50%相對濕度環境中保持10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在態樣中，在-25℃與105℃環境之間每30分鐘循環一次5天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在態樣中，在-25℃與105℃環境之間每30分鐘循環一次10天後，層(例如薄膜)可包含上述對應範圍中之一或多者內的CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。
在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持10天後之薄膜及/或積層與形成時之薄膜及/或積層之間的CIE a*值之差可為約-0.1或更大、約-0.06或更大、約0或更小、約-0.01或更小或約-0.02或更小。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持10天後之薄膜及/或積層與形成時之薄膜及/或積層之間的CIE a*值之差可在約-0.1至約0、約-0.06至約0、約-0.06至約-0.01、約-0.06至約-0.02範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。
在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持10天後之薄膜及/或積層與形成時之薄膜及/或積層之間的CIE b*值之差可為約-0.2或更大、約-0.15或更大、約-0.1或更大、約0.1或更小、約0.05或更小或約0或更小、或約-0.01或更小。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持10天後之薄膜及/或積層與形成時之薄膜及/或積層之間的CIE b*值之差可在約-0.2至約0.1、約-0.15至約0.1、約-0.15至約0.05、約-0.10至約0.05、約-0.10至約0、約-0.05至約0、約-0.05至約-0.01範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，在85℃、50%相對濕度環境中保持10天後之薄膜及/或積層與形成時之薄膜及/或積層之間的CIE b*值之差可小於0，例如在約-0.2至約-0.01或更小、約-0.15至約-0.01或更小、約-0.1至約-0.01或更小範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。
製造根據本揭示案之態樣的薄膜901及/或1001之方法的態樣將參考第13圖中之流程圖及第14圖至第17圖中所示之例示性方法步驟來論述。參考第13圖之流程圖，方法可在步驟1301處開始。在態樣中，步驟1301包括提供一或多種成膜材料或其前驅物(例如反應物)，例如藉由購買反應物以形成成膜材料、藉由藉由化學合成來形成一或多種成膜材料或藉由購買一或多種成膜材料。
在方法中，方法可包括形成包含黏合層之薄膜901。在其他態樣中，成膜材料可包含基於丙烯酸酯之聚合物及/或基於胺甲酸乙酯之聚合物，及/或前驅物可包含丙烯酸酯官能化之材料及/或胺甲酸乙酯官能化之材料。在態樣中，在步驟1301之後，方法可進行至包括反應反應物之步驟1323以形成一或多種成膜材料。在其他態樣中，步驟1323可包括在惰性環境中將包括起始劑(例如光起始劑、催化劑)之前驅物材料(例如反應物)及溶劑加熱至50℃或更高之反應溫度且將該反應溫度保持第三時段。如本文所用，惰性環境包含雙原子氮、氬、氦、氖、氪、氙及/或氡。惰性環境可基本上不含水(例如，水蒸氣)及/或不含水(例如，水蒸氣)。溶劑可包含一或多種極性溶劑(例如水、醇、乙酸酯、丙酮、甲酸、二甲基甲醯胺、乙腈、二甲基碸、硝基甲烷、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、聚(醚醚酮))或非極性溶劑(例如戊烷、1,4-二噁烷、氯仿、二氯甲烷、乙醚、己烷、庚烷、苯、甲苯、二甲苯)。醇之例示性態樣包括甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、環己醇、己醇、辛醇、乙二醇及丙二醇。乙酸酯之例示性態樣包括乙酸乙酯、乙酸丙酯及乙酸丁酯。在其他態樣中，溶劑可包含乙酸丁酯、乙酸丙酯及/或乙腈。在其他態樣中，步驟1323可進一步包括在第三時段之後移除溶劑，例如使用升高的溫度及/或降低的壓力(例如真空、旋轉蒸發器)。
在其他態樣中，反應溫度可為約50℃或更高、約60℃或更高、約70℃或更高、約200℃或更低、約160℃或更低、約120℃或更低或約100℃或更低。在其他態樣中，反應溫度可在約50℃至約200℃、約50℃至約160℃、約60℃至約160℃、約60℃至約120℃、約70℃至約120℃、約70℃至約100℃範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，反應溫度可藉由與反應容器所接觸之電氣電阻加熱器、油浴或鹽浴來維持。在其他態樣中，第三時段可為約12小時或更長、約14小時或更長、約16小時或更長、約24小時或更短、約21小時或更短或約18小時或更短。在其他態樣中，第三時段可在約12小時至約24小時、約12小時至約21小時、約14小時至約21小時、約14小時至約18小時、約16小時至約18小時範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。應理解，步驟1323可包括在第一溫度下加熱第一時段，接著在第二溫度下加熱第二時段，其中第二溫度可大於第一溫度，第一溫度及第二溫度可在上文對於反應溫度所論述之範圍中之一或多者內，且第一時段與第二時段之組合時間可在上文對於反應溫度所論述之範圍中之一或多者內。提供長(例如約12小時或更長)反應時間可高程度反應、增加所得膜之均勻性以及改良所得膜之機械及/或光學特性。
在態樣中，在步驟1323或步驟1301之後，方法可進行至包括將液體1401佈置於離型紙271上方之步驟1303，如第14圖中所示。在其他態樣中，如所示，步驟1303可包括將液體1401自容器1403 (例如導管、軟管、微量吸移管或註射器)施配至離型紙271之第六主表面275上方。在其他態樣中，液體1401可包含成膜材料及溶劑，該溶劑可已與成膜材料(例如，來自步驟1323)一起存在及/或可在步驟1303中添加。在其他態樣中，液體1401可由例如基本上不含溶劑及/或不含溶劑之成膜材料組成。如本文所用，溶劑係指並非所得薄膜之成膜材料及其反應以形成成膜材料之前驅物的材料。如本文所用，若液體含有2 wt%或更少之溶劑，則該液體為「基本上不含溶劑的」或「基本上無溶劑的」。如本文所用，若液體含有0.5 wt%或更少之溶劑，則該液體為「不含溶劑的」或「無溶劑的」。提供基本上不含溶劑或基本上無溶劑的液體可減少處理時間及/或提供更均勻的薄膜。此外，提供基本上不含溶劑或無溶劑的組成物可降低(例如，減少、消除)流變學調節劑之使用且增加組成物之均勻性，其可增加所得塗層之光學透明度(例如，透射率)。
在態樣中，在步驟1303之後，方法可進行至包括將施加器1503拉過液體1401之游離表面1501的步驟1305，如第15圖中所示。在其他態樣中，如所示，施加器1503可包括棒、葉片或跨越液體1401之游離表面1501的其他材料以在離型紙271上設置液體1401之均勻厚度1507。在甚至其他態樣中，均勻厚度1507可在上文對於薄膜厚度919所論述之範圍中之一或多者內。在其他態樣中，如所示，施加器可沿著方向1505拉過液體1401之游離表面1501，例如以平滑運動。
在態樣中，在步驟1305或步驟1303之後，方法可進行至包括固化液體之步驟1307以形成薄膜。在其他態樣中，如第16圖中所示，步驟1307可包括加熱液體1401以形成薄膜901，例如藉由將液體1401置放於保持在高溫的烘箱1601中。在甚至其他態樣中，升高的溫度可在上文對於上述反應溫度所論述之範圍中之一或多者內。在甚至其他態樣中，可將液體加熱約30分鐘或更長、約1小時或更長、約2小時或更長、約24小時或更短、約18小時或更短、約12小時或更短、約8小時或更短、約6小時或更短或約4小時或更短之時段。在甚至其他態樣中，可將液體加熱在約30分鐘至約24小時、約30分鐘至約18小時、約1小時至約18小時、約1小時至約12小時、約2小時至約12小時、約2小時至約8小時、約2小時至約6小時、約2小時至約4小時範圍內，或其間任何範圍或子範圍內之時段。
在態樣中，在步驟1307之後，方法可進行至步驟1321，在該步驟中方法可完成，因為已形成薄膜901。在態樣中，方法可包括下文所論述之額外步驟，包括使用薄膜形成積層。在態樣中，方法可依序進行通過步驟1301、1303、1305、1307及1321，沿著自步驟1307之箭頭1306至步驟1321。在態樣中，方法可沿著箭頭1312以在步驟1301與1303之間添加步驟1323，例如，藉由反應前驅物(例如，反應物)來形成成膜材料。在態樣中，方法可沿著箭頭1318藉由自步驟1303至步驟1307來跳過步驟1305，例如若藉由重力或使用其他方法達成基本均勻的液體厚度。可組合上述選項中之任一者以製造根據本揭示案之態樣的可折疊設備。應理解，可使用上述方法以形成黏合劑(例如薄膜901)及/或基於聚合物之部分(例如薄膜1001)。
在方法中，方法可包括形成包含基於聚合物之部分的薄膜1001。在其他態樣中，如上文所描述，成膜材料可包含三嵌段材料，該三嵌段材料可包含接枝有第一官能基之第一嵌段。在態樣中，在步驟1301之後，如上文所描述，例如若三嵌段共聚物已接枝有第一官能基，則方法可進行至步驟1103，其中步驟1303進一步包括將三嵌段共聚物溶解於溶劑中來形成液體。在其他態樣中，方法可如上文對於黏合劑所討論的來進行，其中第17圖中所示之步驟1307之實例包括藉由將液體置放於烘箱1601中來加熱液體以形成薄膜1001。
在態樣中，在步驟1301之後，方法可沿著箭頭1310進行至步驟1325，包括將成膜材料擠出成具有或不具有離型紙之薄膜(例如薄膜1001)。在其他態樣中，薄膜(例如薄膜1001)可包含在上文對於薄膜厚度919所論述之範圍中之一或多者內的薄膜厚度(例如薄膜厚度1019)。在其他態樣中，擠出成膜材料可包括將初始三嵌段共聚物及接枝材料進料通過擠出機以形成三嵌段共聚物。不希望受理論所束縛，反應擠出可用於將接枝材料之第一官能基接枝至三嵌段共聚物之第一嵌段上。在其他態樣中，薄膜可由三嵌段材料及/或其組分組成。在態樣中，在步驟1325之後，方法可沿著箭頭1322進行至步驟1321，在該步驟中方法可完成，因為已形成薄膜1001。應理解，擠出亦可用於形成包含黏合劑之薄膜之層(例如薄膜901之層907)。
本揭示案之一些態樣中之薄膜的例示性組成範圍呈現於表1中。R1為表1中之最寬範圍。R2-R3由三嵌段共聚物組成。R4-R6包含具有R4中之可選的矽烷偶合劑的三嵌段共聚物及二嵌段共聚物。R1及R4可包含抗氧化劑。同樣，應理解，上文對於此等組分所論述之其他範圍或子範圍可與表1中所呈現之範圍中之任一者組合使用。 表1：薄膜態樣之組成範圍(wt%)
範圍 R1 R2 R3 R4 R5 R6
三嵌段：第一部分 20-90 50-90 70-87 20-80 45-85 65-80
三嵌段：第二部分 5-50 10-50 13-30 5-50 8-45 8-30
二嵌段：第一部分 0-30 0 0 5-60 5-30 5-15
二嵌段：第二部分 0-30 0 0 1-35 1-10 1-5
矽烷偶合劑 0-5 0 0 0-5 0 0
抗氧化劑 0-0.5 0 0 0.1-0.3 0 0
第1圖至第4圖示意性說明了根據本揭示案之態樣的呈未折疊(例如平坦組態)之積層101、301及/或401的例示性態樣，而第6圖至第8圖示意性說明了根據本揭示案之態樣的呈折疊組態的積層601及/或801之態樣的實例。本揭示案之積層包含基板。如第2圖及第4圖中所示，積層101及401可包含基板201。如第3圖中所示，積層301可包含基板371、第一部分321及第二部分331。在態樣中，基板201及/或371、第一部分321及/或第二部分331可包含具有8H或更高，例如9H或更高之鉛筆硬度的基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板。如本文所用，鉛筆硬度係使用ASTM D 3363-20藉由標準鉛分級鉛筆量測。另外，基板可包含基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板以增強抗穿刺性及/或抗衝擊性。
在態樣中，基板201及/或371、第一部分321及/或第二部分331可包含基於玻璃之基板。如本文所用，「基於玻璃的」包括玻璃及玻璃-陶瓷，其中玻璃-陶瓷具有一或多種晶相及非晶形的殘餘玻璃相。基於玻璃之材料(例如基於玻璃之基板)可包含非晶形材料(例如玻璃)及可選的一或多種結晶材料(例如陶瓷)。可強化非晶形材料及基於玻璃之材料。如本文所用，術語「強化」可指已經化學強化之材料，例如如下文所論述之藉由將較大離子與基板表面中的較小離子進行離子交換。然而，其他強化方法可用於形成強化基板，例如熱回火，或利用基板各部分之間的熱膨脹係數的不匹配來產生壓縮應力及中心拉伸區域。可不含或含氧化鋰之例示性基於玻璃之材料包含鈉鈣玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃、含鹼金屬硼矽酸鹽玻璃、含鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃、含鹼金屬磷矽酸鹽玻璃及含鹼金屬鋁磷矽酸鹽玻璃。在態樣中，基於玻璃之材料可包含含鹼金屬玻璃或無鹼金屬玻璃，兩種玻璃中之任一者可不含或含氧化鋰。在態樣中，玻璃材料可為無鹼金屬的及/或包含低含量之鹼金屬(例如，約10 mol%或更少的R 2O，其中R 2O包含Li 2O、Na 2O、K 2O或下文所提供之更廣泛列表)。在一或多個態樣中，基於玻璃之材料可包含以莫耳百分比(mol%)計：約40 mol%至約80 mol%範圍內之SiO 2、約5 mol%至約30 mol%範圍內之Al 2O 3、0 mol%至約10 mol%範圍內之B 2O 3、0 mol%至約5 mol%範圍內之ZrO 2、0 mol%至約15 mol%範圍內之P 2O 5、0 mol%至約2 mol%範圍內之TiO 2、0 mol%至約20 mol%範圍內之R 2O及0 mol%至約15 mol%範圍內之RO。如本文所用，R 2O可指鹼金屬氧化物，例如Li 2O、Na 2O、K 2O、Rb 2O及Cs 2O。如本文所用，RO可指MgO、CaO、SrO、BaO及ZnO。在態樣中，基於玻璃之基板可視情況進一步包含0 mol%至約2 mol%範圍內之Na 2SO 4、NaCl、NaF、NaBr、K 2SO 4、KCl、KF、KBr、As 2O 3、Sb 2O 3、SnO 2、Fe 2O 3、MnO、MnO 2、MnO 3、Mn 2O 3、Mn 3O 4、Mn 2O 7中之每一者。「玻璃-陶瓷」包括經由玻璃受控結晶產生之材料。在態樣中，玻璃-陶瓷具有約1%至約99%之結晶度。適合的玻璃-陶瓷之實例可包括Li 2O-Al 2O 3-SiO 2體系(亦即LAS體系)玻璃-陶瓷、MgO-Al 2O 3-SiO 2體系(亦即MAS體系)玻璃-陶瓷、ZnO × Al 2O 3× nSiO 2(亦即ZAS體系)及/或包括主要晶相之玻璃-陶瓷，該主要結晶相包括β-石英固溶體、β-鋰輝石、堇青石、透鋰長石及/或二矽酸鋰。玻璃-陶瓷基板可使用化學強化製程來強化。在一或多個態樣中，MAS體系玻璃-陶瓷基板可在Li 2SO 4熔鹽中強化，從而可發生2Li +與Mg 2+之交換。
在態樣中，基板201及/或371、第一部分321及/或第二部分331可包含基於陶瓷之基板。如本文所用，「基於陶瓷的」包括陶瓷及玻璃-陶瓷，其中玻璃-陶瓷具有一或多種晶相及非晶形的殘餘玻璃相。可強化(例如化學強化)基於陶瓷之材料。在態樣中，基於陶瓷之材料可藉由加熱基於玻璃之材料以形成陶瓷(例如結晶)部分來形成。在其他態樣中，基於陶瓷之材料可包含一或多種可促進一或多種晶相形成的成核劑。在態樣中，基於陶瓷之材料可包含一或多種氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物、硼化物及/或矽化物。陶瓷氧化物之例示性態樣包括氧化鋯(ZrO 2)、鋯石(ZrSiO 4)、鹼金屬氧化物(例如氧化鈉(Na 2O))、鹼土金屬氧化物(例如氧化鎂(MgO))、二氧化鈦(TiO 2)、氧化鉿(Hf 2O)、氧化釔(Y 2O 3)、氧化鐵、氧化鈹、氧化釩(VO 2)、熔融石英、莫來石(一種包含氧化鋁與二氧化矽之組合的礦物)及尖晶石(MgAl 2O 4)。陶瓷氮化物之例示性態樣包括氮化矽(Si 3N 4)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、氮化鈹(Be 3N 2)、氮化硼(BN)、氮化鎢(WN)、氮化釩、鹼土金屬氮化物(例如氮化鎂(Mg 3N 2))、氮化鎳及氮化鉭。氧氮化物陶瓷之例示性態樣包括氧氮化矽、氧氮化鋁及SiAlON (氧化鋁與氮化矽之組合且可具有化學式例如Si 12-m-nAl m+nO nN 16-n、Si 6-nAl nO nN 8-n或Si 2-nAl nO 1+nN 2-n，其中m、n及所得下標均為非負整數)。碳化物及含碳陶瓷之例示性態樣包括碳化矽(SiC)、碳化鎢(WC)、碳化鐵、碳化硼(B 4C)、鹼金屬碳化物(例如，碳化鋰(Li 4C 3))、鹼土金屬碳化物(例如碳化鎂(Mg 2C 3))及石墨。硼化物之例示性態樣包括硼化鉻(CrB 2)、硼化鉬(Mo 2B 5)、硼化鎢(W 2B 5)、硼化鐵、硼化鈦、硼化鋯(ZrB 2)、硼化鉿(HfB 2)、硼化釩(VB 2)、硼化鈮(NbB 2)及硼化鑭(LaB 6)。矽化物之例示性態樣包括二矽化鉬(MoSi 2)、二矽化鎢(WSi 2)、二矽化鈦(TiSi 2)、矽化鎳(NiSi)、鹼土金屬矽化物(例如，矽化鈉(NaSi))、鹼金屬矽化物(例如，矽化鎂(Mg 2Si))、二矽化鉿(HfSi 2)及矽化鉑(PtSi)。
貫穿本揭示案，基板201及/或371、第一部分321及/或第二部分331 (例如基於玻璃之材料、基於陶瓷之材料)之彈性模數(例如，楊氏模數(Young's modulus))係根據根據ASTM E2546-15使用壓痕法來量測。在態樣中，基板201及/或371、第一部分321及/或第二部分331可包含約10吉帕斯卡(GPa)或更大、約50 GPa或更大、約60 GPa或更大、約70 GPa或更大、約100 GPa或更小或約80 GPa或更小之彈性模數。在態樣中，基板201及/或371、第一部分321及/或第二部分331可包含在約10 GPa至約100 GPa、約50 GPa至約100 GPa、約50 GPa至約80 GPa、約60 GPa至約80 GPa、約70 GPa至約80 GPa範圍內，或其間任何範圍或子範圍內之彈性模數。
如第2圖及第4圖中所示，基板201可包含第三主表面203及與該第三主表面203相對的第四主表面205。如第2圖中所示，第三主表面203可沿第一平面204a延伸。如第2圖及第4圖中進一步所示，基板201可包含沿第二平面204b延伸之第四主表面205。在態樣中，如所示，第二平面204b可與第一平面204a平行。如本文所用，基板厚度227可界定於第三主表面203與第四主表面205之間作為第一平面204a與第二平面204b之間的距離。在態樣中，基板厚度227可為約10微米(μm)或更大、約25 μm或更大、約40 μm或更大、約60 μm或更大、約80 μm或更大、約100 μm或更大、約125 μm或更大、約150 μm或更大、約3毫米(mm)或更小、約2 mm或更小、約1 mm或更小、約800 μm或更小、約500 μm或更小、約300 μm或更小、約200 μm或更小、約180 μm或更小或約160 μm或更小。在態樣中，基板厚度227可在約10 μm至約3 mm、約10 μm至約2 mm、約25 μm至約2 mm、約40 μm至約2 mm、約60 μm至約2 mm、約80 μm至約2 mm、約100 μm至約2 mm、約100 μm至約1 mm、約100 μm至約800 μm、約100 μm至約500 μm、約125 μm至約500 μm、約125 μm至約300 μm、約125 μm至約200 μm、約150 μm至約200 μm、約150 μm至約160 μm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，基板厚度227可在約80 μm至約2 mm、約80 μm至約1 mm、約80 μm至約500 μm、約80 μm至約300 μm、約200 μm至約2 mm、約200 μm至約1 mm、約200 μm至約500 μm、約500 μm至約2 mm、約500 μm至約1 mm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，基板厚度可為約300 μm或更小，例如約10 μm至約300 μm、25 μm至約300 μm、約25 μm至約200 μm、約25 μm至約180 μm、約40 μm至約180 μm、約40 μm至約160 μm、約60 μm至約160 μm、約80 μm至約160 μm，或其間任何範圍或子範圍內。
在態樣中，如第2圖及第4圖中所示，基板201可包含第一部分221及第二部分231，其中中心部分241位於第一部分與第二部分之間。在其他態樣中，第一部分221及/或第二部分231可包含基板厚度227。在其他態樣中，如所示，第一部分221可包含有包含第三主表面203之一部分的第一表面區域223及與該第一表面區域223相對的包含第四主表面205之一部分的第二表面區域225。在其他態樣中，第二部分231可包含有包含第三主表面203之一部分的第三表面區域233及與該第三表面區域233相對的包含第四主表面205之一部分的第四表面區域235。在其他態樣中，如所示，中心部分241可包含位於第一表面區域223與第三表面區域233之間的第三中心表面區域211。在甚至其他態樣中，如所示，第三中心表面區域211可沿第三平面204c延伸。在甚至其他態樣中，如所示，中心部分241可包含第四中心表面區域213，該第四中心表面區域包含與第三中心表面區域211相對的第四主表面205之一部分且位於第二表面區域225與第四表面區域235之間。在甚至其他態樣中，如所示，中心厚度217可界定於第三中心表面區域211與第四中心表面區域213之間，例如作為第三平面204c與第二平面204b之間的距離。在又其他態樣中，如所示，中心厚度217小於基板厚度227以提供可界定於第一平面204a與第三中心表面區域211之間的凹部219。在又其他態樣中，儘管未示出，積層可包含有包含與凹部219相對的第二凹部之基板201。在又其他態樣中，中心厚度可為基板厚度227之約0.5%或更大、約1%或更大、約2%或更大、約5%或更大、約13%或更小、約10%或更小或約5%或更小。在態樣中，中心厚度217佔基板厚度227之百分比可在約0.5%至約13%、約0.5%至約10%、約0.5%至約5%、約1%至約13%、約1%至約10%、約1%至約5%、約2%至約13%、約2%至約10%、約2%至約5%、約5%至約13%、約5%至約10%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，中心厚度217可在用於基板厚度之範圍中之一或多者內同時小於基板厚度。在其他態樣中，中心厚度217可為約10 μm或更大、約25 μm或更大、約50 μm或更大、約80 μm或更大、約220 μm或更小、約125 μm或更小、約100 μm或更小、約80 μm或更小、約60 μm或更小或約40 μm或更小。在甚至其他態樣中，中心厚度217可在約10 μm至約220 μm、約10 μm至約125 μm、約10 μm至約100 μm、約10 μm至約80 μm、約25 μm至約80 μm、約25 μm至約60 μm、約50 μm至約60 μm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，中心厚度217可大於約80 μm，例如約80 μm或更大、約100 μm或更大、約125 μm或更大、約220 μm或更小、約175 μm或更小或約150 μm或更小。在甚至其他態樣中，中心厚度217可在約80 μm至約220 μm、約80 μm至約175 μm、約80 μm至約150 μm、約100 μm至約150 μm、約125 μm至約150 μm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，中心厚度217可小於約80 μm，例如在約10 μm至約80 μm、約25 μm至約60 μm、約10 μm至約50 μm、約25 μm至約50 μm、約10 μm至約40 μm、約25 μm至約40 μm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。
在其他態樣中，如第2圖及第4圖中所示，中心部分241之寬度252可定義為第一部分221與第二部分231之間的最小距離。在態樣中，中心部分241之寬度252可為可折疊設備之最小平行板距離之約1倍或更大、約1.4倍或更大、約1.5倍或更大、約2倍或更大、約3倍或更小、約2.5倍或更小或約2倍或更小。在態樣中，中心部分252之寬度252佔最小平行板距離之倍數在約1.4倍至約3倍、約1.5倍至約2.5倍、約1.5倍至約2倍、約2倍至約2.5倍範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。不希望受理論所束縛，平行板之間的圓形組態中之彎曲弧部分之長度可為平行板距離之0.8倍。在態樣中，中心部分241之寬度252可為約1 mm或更大、約2 mm或更大、約4 mm或更大、約5 mm或更大、約10 mm或更大、約20 mm或更大、約40 mm或更大、約200 mm或更小、約100 mm或更小或約60 mm或更小。在態樣中，中心部分241之寬度252可在約1 mm至約200 mm、約5 mm至約200 mm、約10 mm至約175 mm、約20 mm至約150 mm、約30 mm至約125 mm、約40 mm至約100 mm、約50 mm至約90 mm、約60 mm至約80 mm、約5 mm至約60 mm、約20 mm至約60 mm、約40 mm至約60 mm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，中心部分241之寬度252可在約1 mm至約100 mm、約1 mm至約60 mm、約1 mm至約40 mm、約2 mm至約30 mm、約5 mm至約20 mm、約10 mm至約20 mm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，中心部分252之寬度252可在約1 mm至約20 mm、約2 mm至約10 mm、約2 mm至約5 mm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，中心部分252之寬度252可在約最小平行板距離至約200 mm、約最小平行板距離至約100 mm、約最小平行板距離至約60 mm、約最小平行板距離至約40 mm、約最小平行板距離至約30 mm、約最小平行板距離至約20 mm範圍內，約1.5倍最小平行板距離至約200 mm、約1.5倍最小平行板距離至約100 mm、約1.5倍最小平行板距離至約60 mm、約1.5倍最小平行板距離至約40 mm、約1.5倍最小平行板距離至約30 mm、約1.5倍最小平行板距離至約30 mm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。藉由提供在此段落所敘述之範圍中之一或多者內的中心部分之寬度，可促進可折疊設備之折疊而不會失效。
在態樣中，如第2圖及第4圖中所示，中心部分241可不包含過渡部分，在基板厚度227與中心厚度217之間提供台階過渡。在態樣中，儘管未示出，中心部分可包含第一過渡部分及/或第二過渡部分。第一過渡部分可將第一部分附著至包含中心厚度值中心部分區域。第一過渡部分之厚度可界定於第二平面與第三中心表面區域之間。第二過渡部分之厚度可界定於第二平面與第三中心表面區域之間。在其他態樣中，第一過渡部分及/或第二過渡部分之厚度可自中心厚度連續增加至基板厚度。在態樣中，儘管未示出，第一過渡部分之厚度可自中心厚度以恆定速率增加至基板厚度。在態樣中，儘管未示出，與在第一過渡部分及/或第二過渡部分之中間相比，第一過渡部分及/或第二過渡部分之厚度在中心厚度及/或基板厚度附近可能更緩慢地增加。
如第3圖中所示，基板371可包含第三主表面373及與該第三主表面373相對的第四主表面375。第三主表面373可沿第一平面(例如類似於第2圖及第4圖中之第一平面204a)延伸。基板371可包含沿第二平面(例如類似於第2圖及第4圖中之第二平面204b)延伸之第四主表面375。基板厚度377可定義為基板371之第三主表面373與第四主表面375之間的平均距離。在態樣中，基板厚度377可在上文對於基板厚度227所論述之範圍中之一或多者內。
在態樣中，基板201及/或371、第一部分321及/或第二部分331可包含基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板，其中基板之一或多個部分可包含壓縮應力區。在態樣中，可藉由化學強化基板來產生壓應力區。化學強化可包括離子交換製程，其中表面層中之離子由具有相同價態或氧化態之較大離子置換或交換。化學強化之方法將在後面論述。不希望受理論所束縛，化學強化基板、第一部分及/或第二部分可實現小(例如，小於約10 mm或更小)彎曲半徑，因為來自化學強化之壓縮應力可抵消彎曲引起之基板之最外表面上的拉應力。壓縮應力區可延伸至基板之一部分中以達成稱為壓縮深度之深度。如本文所用，壓縮深度意謂本文所描述之化學強化基材中之應力自壓縮應力變為拉應力的深度。壓縮深度可藉由表面應力計或散射光偏光計(SCALP，其中本文所報導之值係使用由Glasstress Co., Estonia製造之SCALP-5來產生)來量測，取決於離子交換處理及所量測之製品的厚度。在藉由將鉀離子交換至基板中來產生基板中之應力的情況下，使用表面應力計，例如FSM-6000 (Orihara Industrial Co., Ltd. (Japan))量測壓縮深度。除非另外指明，否則壓縮應力(包括表面CS)係藉由表面應力計(FSM)使用可商購之儀器，例如由Orihara製造之FSM-6000量測。表面應力量測取決於應力光學係數(SOC)之準確量測，其與玻璃之雙折射有關。除非另外指明，否則SOC係根據ASTM標準C770-16，標題為「用於量測玻璃應力光學係數之標準測試方法」中所描述之程序C (玻璃盤法)量測，該文獻之內容以全文引用之方式併入本文中。在藉由將鈉離子交換至基板中來產生應力，且所量測之製品比約75 μm厚之情況下，使用SCALP來量測壓縮及中心張力之深度(CT)。在藉由將鉀及鈉離子交換至玻璃中來產生基板中之應力，且所量測之製品比約75 μm厚之情況下，藉由SCALP來量測壓縮及CT之深度。不希望受理論所束縛，鈉之交換深度可指示壓縮深度，而鉀離子之交換深度可指示壓縮應力數值之變化(而非壓力自壓縮至拉伸之變化)。折射近場(RNF；RNF法描述於美國專利號8,854,623，標題為「量測玻璃樣品之輪廓特徵的系統及方法」中，該專利以全文引用之方式併入本文中)法亦可用於推導出應力變化之圖形表示。當使用RNF法推導出應力變化之圖形表示時，將由SCALP所提供之最大中心張力值用於RNF法中。RNF推導出之應力變化之圖形表示係力平衡的，且校準成由SCALP量測所提供之最大中心張力值。如本文所用，「層深」(DOL)意謂離子(例如鈉、鉀)交換至基板中之深度。貫穿本揭示案，當無法藉由SCALP直接量測中心張力(如當所量測是製品比約75μm薄時)時，最大中心張力可藉由最大壓縮應力與壓縮深度除以基板厚度與兩倍壓縮深度之間的差的乘積來近似得出，其中藉由FSM量測壓縮應力及壓縮深度。
在態樣中，可化學加強基板201或371以形成自第三主表面203或373延伸至第一壓縮深度之第一壓縮應力區。在其他態樣中，第一壓縮應力區可自第三主表面203之一或多個部分延伸，該第三主表面包含第一表面區域223及/或第三表面區域233。在態樣中，可化學加強基板201或371以形成自第四主表面205或375延伸至第二壓縮深度之第二壓縮應力區。在其他態樣中，第二壓縮應力區可自第四主表面205之一或多個部分延伸，該第四主表面包含第二表面區域225及/或第四表面區域235。在甚至其他態樣中，第一壓縮深度(例如自第三主表面203或373)及/或第二壓縮深度(例如自第四主表面205或375)佔基板厚度227或377之百分比可為約1%或更大、約5%或更大、約10%或更大、約30%或更小、約25%或更小或約20%或更小。在甚至其他態樣中，第一壓縮深度及/或第二壓縮深度佔基板厚度227或377之百分比可在約1%至約30%、約1%至約25%、約5%至約25%、約5%至約20%、約10%至約20%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，第一壓縮深度及/或第二壓縮深度可為約1 μm或更大、約10 μm或更大、約50 μm或更大、約200 μm或更小、約150 μm或更小或約100 μm或更小。在態樣中，第一壓縮深度及/或第二壓縮深度可在約1 μm至約200 μm、約1 μm至約150 μm、約10 μm至約150 μm、約50 μm至約150 μm、約50 μm至約100 μm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，第一壓縮深度可大於第二壓縮深度、小於第二壓縮深度或基本上與第二壓縮深度相同。藉由提供包含在第一厚度之約1%至約30%範圍內之第一壓縮深度及/或第二壓縮深度的基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板，可實現良好的抗衝擊性及/或抗穿刺性。
在態樣中，第一壓縮應力區可包含最大的第一壓縮應力。在態樣中，第二壓縮應力區可包含最大的第二壓縮應力。在其他態樣中，最大的第一壓縮應力及/或最大的第二壓縮應力可為100兆帕(MPa)或更大、約300 MPa或更大、約500 MPa或更大、約700 MPa或更大、約1,500 MPa或更小、約1,200 MPa或更小、約1,000 MPa或更小或約900 MPa或更小。在其他態樣中，最大的第一壓縮應力及/或最大的第二壓縮應力可在約100 MPa至約1,500 MPa、約100 MPa至約1,200 MPa、約300 MPa至約1,200 MPa、約300 MPa至約1,000 MPa、約500 MPa至約1,000 MPa、約700 MPa至約1,000 MPa、約700 MPa至約900 MPa範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。提供在約100 MPa至約1,500 MPa範圍內之最大的第一壓縮應力及/或最大的第二壓縮應力可實現良好的抗衝擊性及/或抗穿刺性。
在態樣中，可化學加強基板201或371以形成自第三中心表面區域211延伸至第一中心壓縮深度之第一中心壓縮應力區。在態樣中，可化學加強基板201或371以形成自第四中心表面區域213延伸至第二中心壓縮深度之第二中心壓縮應力區。在其他態樣中，第一中心壓縮深度及/或第二中心壓縮深度可為約1 μm或更大、約10 μm或更大、約30 μm或更大、約50 μm或更大、約200 μm或更小、約150 μm或更小、約100 μm或更小或約60 μm或更小。在其他態樣中，第一中心壓縮深度及/或第二中心壓縮深度可在約1 μm至約200 μm、約1 μm至約150 μm、約10 μm至約150 μm、約10 μm至約100 μm、約30 μm至約100 μm、約30 μm至約60 μm、約50 μm至約60 μm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，第一中心壓縮深度及/或第二中心壓縮深度佔中心厚度217之百分比可在上文對於第一壓縮深度佔基板227及/或377之百分比所論述之範圍中之一或多者內。在其他態樣中，第一中心壓縮應力區可包含最大的第一中心壓縮應力。在其他態樣中，第二中心壓縮應力區可包含最大的第二中心壓縮應力。在甚至其他態樣中，最大的第一中心壓縮應力及/或最大的第二中心壓縮應力可在上文對於最大的第一壓縮應力及/或最大的第二壓縮應力所論述之範圍中之一或多者內。
在態樣中，如第3圖中所示，積層301可包含第一部分321及第二部分331。在其他態樣中，如所示，第一部分321可包含與第二表面區域325相對的第一表面區域323。在其他態樣中，如所示，第二部分331可包含與第四表面區域335相對的第三表面區域333。在其他態樣中，如所示，第一表面區域323及/或第三表面區域333可沿第三平面延伸，及/或第二表面區域325及/或第四表面區域335可沿第四表面延伸。在甚至其他態樣中，部分厚度327可界定於第三平面與第四平面之間且可在上文對於基板厚度227所論述之範圍中之一或多者內。
在其他態樣中，如第3圖中所示，第一部分321可包含在第一表面區域323與第二表面區域325之間延伸的第一邊緣表面區域329，及/或第二部分331可包含在第三表面區域333與第四表面區域335之間延伸的第二邊緣表面區域339。在甚至其他態樣中，如第3圖中所示，第一邊緣表面區域329及/或第二邊緣表面區域339分別包含第一向外凸出的彎曲邊緣表面及/或第二向外凸出的彎曲邊緣表面。在又其他態樣中，第一邊緣表面區域329及/或第二邊緣表面區域339可包含垂直於邊緣表面截取的橫截面輪廓，該輪廓為圓形的，儘管例如橢圓形之其他形狀亦為可能的。在再其他態樣中，第一向外凸出的彎曲邊緣表面及/或第二向外凸出的彎曲邊緣表面之特徵可分別在於曲率309之第一半徑及/或曲率337之第二半徑。在又再其他態樣中，曲率309之第一半徑及/或曲率337之第二半徑佔部分厚度327之百分比可為約30%或更大、約40%或更大、約45%或更大、約49%或更大、約70%或更小、約60%或更小、約55%或更小或約51%或更小。在甚至其他態樣中，曲率309之第一半徑及/或曲率337之第二半徑佔部分厚度327之百分比可在約30%至約70%、約30%至約60%、約30%至約55%、約30%至約51%、約40%至約70%、約40%至約60%、約40%至約55%、約40%至約51%、約45%至約70%、約45%至約60%、約45%至約55%、約45%至約51%、約49%至約70%、約49%至約60%、約49%至約55%、約49%至約51%範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，儘管未示出，第一邊緣表面區域及/或第二邊緣表面區域可分別包含線性(例如平面)邊緣表面，即第一線性邊緣表面及/或第二線性邊緣表面。
在其他態樣中，如第3圖中所示，當積層301處於第3圖中所示之平坦組態時，第一部分321與第二部分331之間的最小距離343可定義為第一部分321之第一邊緣表面區域329之外圍部分345與第二部分331之第二邊緣表面區域339之外圍部分347之間的最小距離。在態樣中，第一部分221與第二部分231之間的最小距離343可為可折疊設備之最小平行板距離之約1倍或更大、約1.4倍或更大、約1.5倍或更大、約2倍或更大、約3倍或更小、約2.5倍或更小或約2倍或更小。在態樣中，最小距離343佔最小平行板距離之倍數可在約1.4倍至約3倍、約1.4倍至約2.5倍、約1.4倍至約2倍、約1.5倍至約3倍、約1.5倍至約2.5倍、約1.5倍至約2倍、約2倍至約3倍、約2倍至約2.55倍範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。不希望受理論所束縛，平行板之間的圓形組態中之彎曲弧部分之長度可為平行板距離之0.8倍。在態樣中，最小距離343可為約1 mm或更大、約2 mm或更大、約4 mm或更大、約5 mm或更大、約10 mm或更大、約20 mm或更大、約40 mm或更大、約200 mm或更小、約100 mm或更小或約60 mm或更小。在態樣中，最小距離343可在約1 mm至約200 mm、約5 mm至約200 mm、約10 mm至約175 mm、約20 mm至約150 mm、約30 mm至約125 mm、約40 mm至約100 mm、約50 mm至約90 mm、約60 mm至約80 mm、約5 mm至約60 mm、約10 mm至約60 mm、約20 mm至約60 mm、約40 mm至約60 mm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，最小距離343可在約1 mm至約100 mm、約1 mm至約60 mm、約1 mm至約40 mm、約1 mm至約30 mm、約2 mm至約30 mm、約2 mm至約20 mm、約5 mm至約20 mm、約10 mm至約20 mm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，最小距離343可在約1 mm至約20 mm、約1 mm至約10 mm、約2 mm至約10 mm、約2 mm至約5 mm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，最小距離343可在約最小平行板距離至約200 mm、約最小平行板距離至約100 mm、約最小平行板距離至約60 mm、約最小平行板距離至約40 mm、約最小平行板距離至約30 mm、約最小平行板距離至約20 mm範圍內，約1.5倍最小平行板距離至約200 mm、約1.5倍最小平行板距離至約100 mm、約1.5倍最小平行板距離至約60 mm、約1.5倍最小平行板距離至約40 mm、約1.5倍最小平行板距離至約30 mm、約1.5倍最小平行板距離至約30 mm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。藉由提供第一部分與第二部分之間的最小距離，可促進可折疊設備之折疊而不會失效。
在其他態樣中，第一部分321及/或第二部分331可包含有包含約3吉帕斯卡(GPa)或更大之楊氏模數的基於聚合物之部分。用於基於聚合物之第一部分及/或基於聚合物之第二部分之材料的例示性態樣包括但不限於摻合物、奈米粒子及/或以下中之一或多種的纖維複合材料：基於苯乙烯之聚合物(例如聚苯乙烯(PS)、苯乙烯丙烯腈(SAN)、苯乙烯順丁烯二酸酐(SMA))，基於伸苯基之聚合物(例如聚伸苯硫醚(PPS))、聚氯乙烯(PVC)、聚碸(PSU)、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚甲醛(POM)、聚乳酸(PLA)、聚醯亞胺(PI)、聚羥基丁酸酯(PHB)、聚甘胺酸交酯(PGA)、聚對酞酸乙二酯(PET)及/或聚碳酸酯(PC)。
在其他態樣中，第一部分321及/或第二部分331可包含基於玻璃之基板或基於陶瓷之基板。在甚至其他態樣中，可化學強化第一部分321以形成自第一表面區域323、第二表面區域325及/或第一邊緣表面區域329延伸至第五壓縮深度之第五壓縮應力區。在甚至其他態樣中，可化學強化第二部分331以形成自第三表面區域333、第四表面區域335及/或第二邊緣表面區域339延伸至第六壓縮深度之第六壓縮應力區。在又其他態樣中，第五壓縮深度及/或第六壓縮深度可在上文對於第一壓縮深度所論述之範圍中之一或多者內。在又其他態樣中，第五壓縮深度及/或第六壓縮深度佔部分厚度327之百分比在上文對於第一壓縮深度佔基板厚度之百分比所論述的範圍中之一或多者內。在又其他態樣中，第五壓縮應力可包含最大的第五壓縮應力，及/或第六壓縮應力區可包含最大的第六壓縮應力。在再其他態樣中，最大的第五壓縮應力及/或最大的第六壓縮應力可在上文對於最大的第一壓縮應力所論述之範圍中之一或多者內。
在態樣中，如第2圖及第4圖中所示，積層101可包含離型紙271，儘管在其他態樣中可使用其他基板(例如貫穿本申請所論述之基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板)而非所說明之離型紙271。在態樣中，如第3圖中所示，積層301可包含有包含第六主表面303及與該第六主表面303相對的第七主表面305之顯示裝置307。在態樣中，如第3圖中所示，積層301可包含有包含界定於第五主表面383與該第五主表面383相對的第六主表面385之間的另一厚度387之另一基板381。在其他態樣中，另一基板381可類似於、等同於或在上文對於基板201及/或371所論述之對應範圍內。應理解，本揭示案之可折疊設備中之任一者可包含另一基板381 (例如基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板)、離型紙271及/或顯示裝置307。
在態樣中，如第2圖至第3圖中所示，積層101及/或301可包含黏合層261。在其他態樣中，黏合層261可包含有包含黏合劑之薄膜901之層907，如第9圖中所示。參考本揭示案之積層，「層」及「薄膜」可互換使用，以使上述無離型紙之薄膜(參見第9圖至第10圖) (若存在)可用作層。在甚至其他態樣中，黏合層261可包含具有接枝有上文所論述之第一官能基之第一嵌段的三嵌段共聚物。在其他態樣中，黏合層261可包含在上文一或多個條件下對於層(例如薄膜)所論述之對應範圍中之一或多者內的剪切強度、折射率、透射率、霧度、色差、CIE L*值、CIE L*值之絕對差、CIE a*值、CIE a*值之絕對差、CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在其他態樣中，黏合層可為光學透明的及/或包含光學澄清黏合劑(OCA)。在其他態樣中，如第2圖至第3圖中所示，黏合層261可包含定義為黏合層261之第一主表面263與黏合層261之與該第一主表面263相對的第二主表面265之間的最小距離的黏合劑厚度267，該黏合劑厚度可在上文對於薄膜厚度919所論述之範圍中之一或多者內。
在態樣中，黏合層261可包含以下中之一或多者：聚烯烴、聚醯胺、含鹵聚合物(例如聚氯乙烯或含氟聚合物)、彈性體、胺甲酸乙酯、酚醛樹脂、聚對二甲苯、聚對酞酸乙二酯(PET)及聚醚醚酮(PEEK)。聚烯烴之例示性態樣包括低分子量聚乙烯(LDPE)、高分子量聚乙烯(HDPE)、超高分子量聚乙烯(UHMWPE)及聚丙烯(PP)。含氟聚合物之例示性態樣包括聚四氟乙烯(PTFE)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、全氟聚醚(PFPE)、全氟磺酸(PFSA)、全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)聚合物及乙烯四氟乙烯(ETFE)聚合物。彈性體之例示性態樣包括橡膠(例如聚丁二烯、聚異戊二烯、氯丁二烯橡膠、丁基橡膠、腈橡膠)及嵌段共聚物(例如苯乙烯-丁二烯、高抗衝聚苯乙烯、二氯磷腈聚合體)。在其他態樣中，黏合層261可包含光學澄清黏合劑。在甚至其他態樣中，光學澄清黏合劑可包含一或多種光學透明聚合物：丙烯酸(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、環氧化物、聚矽氧及/或聚胺酯。環氧化物之實例包括基於雙酚之環氧樹脂、基於酚醛清漆之環氧化物、基於環脂族之環氧化物及基於縮水甘油胺之環氧化物。在甚至其他態樣中，光學澄清黏合劑可包含但不限於丙烯酸黏合劑，例如3M 8212黏合劑，或光學透明的液體黏合劑，例如LOCTITE光學透明的液體黏合劑。光學澄清黏合劑之例示性態樣包含透明丙烯酸、環氧化物、聚矽氧及聚胺酯。舉例而言，光學透明的液體黏合劑可包含以下中之一或多者：LOCTITE AD 8650、LOCTITE AA 3922、LOCTITE EA E-05MR、LOCTITE UK U-09LV，該等黏合劑均可自Henkel獲得。
在態樣中，如第2圖中所示，黏合層261 (例如薄膜901之層907)之第二主表面265可佈置於基板201上方且面向基板201 (例如基板201之第三主表面203)。在其他態樣中，如所示，黏合層261可藉由附著至基板201之第三主表面203的黏合層261 (例如薄膜901之層907)之第二主表面265來附著(例如結合、接觸)至基板201。在態樣中，如第3圖中所示，黏合層261 (例如薄膜901之層907)之第一主表面263可佈置於基板371上方且面向基板371 (例如基板371之第四主表面375)。在其他態樣中，如所示，黏合層261可藉由附著至基板371之第四主表面375的黏合層261 (例如薄膜901之層907)之第一主表面263來附著(例如結合、接觸)至基板371。在態樣中，如第3圖中所示，黏合層261之第二主表面265可面向第一部分321之第一表面區域323及/或第二部分331之第三表面區域333。在其他態樣中，如所示，黏合層261可藉由附著至第一部分321之第一表面區域323及/或第二部分331之第三表面區域333之黏合層261 (例如薄膜901之層907)之第二主表面265來分別附著(例如結合、接觸)至第一部分321及/或第二部分331。
在態樣中，如第2圖至第4圖中所示，積層101、301及/或401可包含基於聚合物之部分251。在其他態樣中，基於聚合物之部分251可包含有包含基於聚合物之部分的薄膜1001之層1007，如第10圖中所示。在甚至其他態樣中，基於聚合物之部分251可包含具有接枝有上文所論述之第一官能基之第一嵌段的三嵌段共聚物。在其他態樣中，基於聚合物之部分251可包含在上文一或多個條件下對於層(例如薄膜)所論述之對應範圍中之一或多者內的剪切強度、折射率、透射率、霧度、色差、CIE L*值、CIE L*值之絕對差、CIE a*值、CIE a*值之絕對差、CIE b*值及/或CIE b*值之絕對差。在其他態樣中，如第2圖中所示，基於聚合物之部分251可包含定義為基於聚合物之部分251之第一主表面255與基於聚合物之部分251之與第一主表面255相對(例如沿著基板厚度227之方向202)的第二主表面257之間的最小距離的厚度259，該厚度可在上文對於薄膜厚度1019所論述之範圍中之一或多者內。在甚至其他態樣中，如第2圖及第4圖中所示，厚度259可對應於第三中心表面區域211與第一平面204a之間的最小距離。在其他態樣中，如第4圖中所示，基於聚合物之部分可包含第一平面204a與第二主表面257之間(沿著基板厚度227之方向202)的最小厚度419，該最小厚度可在上文對於薄膜厚度1019所論述之範圍中之一或多者內。在其他態樣中，如第4圖中所示，基於聚合物之部分251可包含對應於在基於聚合物之部分251之第一主表面255與第二主表面257之間(沿著基板厚度227之方向202)的在整個第三中心表面區域211上取平均之基於聚合物之部分251的平均厚度的聚合物厚度417。在甚至其他態樣中，如所示，聚合物厚度417可基本上等於沿著基板厚度227之方向202的第一主表面255與第二主表面257之間的最大距離。在甚至其他態樣中，聚合物厚度417可在約50 μm至約300 μm、約75 μm至約200 μm、約100 μm至約150 μm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，基於聚合物之部分251之厚度259及/或聚合物厚度417可為對應於堆疊以形成基於聚合物之部分251的複數個薄膜之薄膜厚度1019的整數倍。
在態樣中，如第4圖中所示，基於聚合物之部分251可包含基於聚合物之部分251之位於凹部219中且接觸不同薄膜(例如薄膜1001，另一薄膜)之第一主表面256b的第二部分257b。舉例而言，第二部分257b可包含薄膜(例如薄膜1001)，且第一部分257a可包含另一薄膜，其中第二部分257b之薄膜(例如薄膜1001)可包含具有接枝於第一部分257a之薄膜(例如薄膜1001)之第一嵌段上的第一官能基的相同嵌段共聚物，反之亦然。在其他態樣中，如所示，第二部分257b可包含對應於接觸第三中心表面區域211且與第六主表面258b相對的基於聚合物之部分251之第一主表面255的第五主表面258a。在其他態樣中，如所示，第一部分257a可包含有包含第一主表面256a之薄膜，該第一主表面256a對應於基於聚合物之部分251之第二主表面257且與第二主表面256b相對，其中第二主表面256b可接觸第六主表面258b。在態樣中，基於聚合物之部分251可表示為整體結構。在態樣中，如所示，第一部分257a之第二主表面256b可接觸第四主表面205。
在態樣中，基於聚合物之部分251包含聚合物(例如光學透明聚合物)。在其他態樣中，基於聚合物之部分251可包含一或多種光學透明的：丙烯酸(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、環氧化物、聚矽氧及/或聚胺酯。環氧化物之實例包括基於雙酚之環氧樹脂、基於酚醛清漆之環氧化物、基於環脂族之環氧化物及基於縮水甘油胺之環氧化物。在其他態樣中，基於聚合物之部分251可包含以下中之一或多者：聚烯烴、聚醯胺、含鹵聚合物(例如聚氯乙烯或含氟聚合物)、彈性體、胺甲酸乙酯、酚醛樹脂、聚對二甲苯、聚對酞酸乙二酯(PET)及/或聚醚醚酮(PEEK)。聚烯烴之例示性態樣包括低分子量聚乙烯(LDPE)、高分子量聚乙烯(HDPE)、超高分子量聚乙烯(UHMWPE)及聚丙烯(PP)。含氟聚合物之例示性態樣包括聚四氟乙烯(PTFE)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、全氟聚醚(PFPE)、全氟磺酸(PFSA)、全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)聚合物及乙烯四氟乙烯(ETFE)聚合物。彈性體之例示性態樣包括橡膠(例如聚丁二烯、聚異戊二烯、氯丁二烯橡膠、丁基橡膠、腈橡膠)、聚胺酯及包含聚苯乙烯、二氯磷腈聚合體及/或聚(5-亞乙基-2-降莰烯)中之一或多者的嵌段共聚物(例如苯乙烯-丁二烯、高抗衝聚苯乙烯、二氯磷腈聚合體)。在態樣中，基於聚合物之部分251可進一步包含奈米粒子，例如碳黑、奈米碳管、矽奈米粒子或包含聚合物之奈米粒子。在態樣中，基於聚合物之部分可進一步包含纖維以形成聚合物-纖維複合材料。
在態樣中，如第2圖及第4圖中所示，基於聚合物之部分251 (例如薄膜1001之層1007)的第一主表面255可面向基板201之第三中心表面區域211。在其他態樣中，如所示，基於聚合物之部分251可藉由附著至基板201之第三中心表面區域211的基於聚合物之部分251 (例如薄膜1001之層1007)的第一主表面255來附著(例如結合、接觸)至基板201。在態樣中，如第2圖中所示，基於聚合物之部分251之第一主表面255可面向及/或附著至黏合層261之第二主表面265。在態樣中，如第3圖中所示，基於聚合物之部分251之第二主表面257可面向基板371之第四主表面375。在其他態樣中，如所示，基於聚合物之部分251之第二主表面257可面向及/或附著至黏合層261之第二主表面265。在態樣中，如第3圖中所示，基於聚合物之部分251可附著(例如結合、接觸)至第一部分321及/或第二部分331。
在態樣中，如第3圖中所示，積層301可包含第二黏合層391及/或第三黏合層361。在其他態樣中，第二黏合層391可包含定義為第二黏合層391之第六主表面393與第二黏合層391之與該第六主表面393相對的第七主表面395之間的最小距離的第二厚度397。在甚至其他態樣中，第二厚度397可在上文對於薄膜厚度919所論述之範圍中之一或多者內。在甚至其他態樣中，如所示，第二黏合層391之第六主表面393可面向及/或附著至基於聚合物之部分251之第一主表面255。在甚至其他態樣中，如所示，第二黏合層391之第六主表面393可面向及/或附著至第一部分321之第二表面區域325及/或第二部分331之第四表面區域335。在甚至其他態樣中，如所示，第二黏合層391之第七主表面395可面向及/或附著至另一基板381之第五主表面383。在其他態樣中，第三黏合層361可包含定義為第三黏合層361之第六主表面363與第三黏合層361之與該第六主表面363相對的第七主表面365之間的最小距離的第三厚度367。在甚至其他態樣中，第三厚度367可在上文對於薄膜厚度919所論述之範圍中之一或多者內。在甚至其他態樣中，如所示，第三黏合層361之第七主表面365可面向及/或附著至基板371之第三主表面373。在甚至其他態樣中，如所示，第三黏合層361之第六主表面363可面向及/或附著至顯示裝置307之第七主表面305。
在其他態樣中，如第3圖中所示，黏合層261可佔據由虛線部分319a-c及基板371之第四主表面375界定之中心區域317。儘管未示出，基於聚合物之部分251可佔據由虛線部分319a-c及基板371之第四主表面375界定之中心區域317，使得基於聚合物之部分251之第二主表面257可面向及/或附著至基板371之第四主表面375。在其他態樣中，第二黏合層391可佔據由虛線部分313a-c及另一基板381之第五主表面383界定之中心區域315。在其他態樣中，儘管未示出，基於聚合物之部分251可佔據由虛線部分313a-c及另一基板381之第五主表面383界定之中心區域315，使得基於聚合物之部分251之第二主表面257可面向及/或附著至另一基板381之第五主表面383。
在態樣中，儘管未示出，類似於積層101之積層可包含在凹部219而不是基於聚合物之部分251內之黏合層261，除了對於黏合層261所示之區域以外，該黏合層亦可位於第2圖中所示之基於聚合物之部分251的位置中。在態樣中，如第4圖中所示，積層401可類似於積層101，但包含佔據第2圖之黏合層261的位於第三主表面203與離型紙271之第六主表面275之間的空間(例如完全填充該空間)的基於聚合物之部分251。在態樣中，儘管未示出，第2圖中所示之積層101可包含顯示裝置307而不是所示的離型紙271。在態樣中，儘管未示出，類似於積層301之積層可包含基於聚合物之部分251，除了對於基於聚合物之部分251所示之區域以外，該基於聚合物之部分亦可位於第3圖中所示之黏著層261及/或第二黏著層391的位置中。
在態樣中，儘管未明確示出，積層可包含將黏合層(例如，薄膜)之第二主表面附著至基板之第三主表面的矽烷偶合劑。舉例而言，參考第2圖，矽烷偶合劑可位於基於聚合物之部分251之第一主表面255與基板201之第三中心表面區域211之間的界面處，及/或矽烷偶合劑可位於黏合層261之第二主表面265與基板201之第三主表面203之間的界面處。在態樣中，儘管未明確示出，積層可包含將基於聚合物之部分(例如，薄膜)的表面附著至基板(例如，基板201、基板371、第一部分321、第二部分331)的矽烷偶合劑。舉例而言，參考第3圖，矽烷偶合劑可位於基於聚合物之部分251與第一部分321及/或第二部分331之間的界面處。在其他態樣中，矽烷偶合劑可包含上文相對於薄膜所論述之矽烷偶合劑中之一或多者。在甚至其他態樣中，矽烷偶合劑可包含胺官能化之矽烷偶合劑。
基板201或371可包含第二折射率。在態樣中，基板201或371之折射率可為約1.4或更大、約1.45或更大、約1.49或更大、約1.50或更大、約1.53或更大、約1.6或更小、約1.55或更小、約1.54或更小或約1.52或更小。在態樣中，基板201或371之折射率可在約1.4至約1.6、約1.45至約1.6、約1.45至約1.55、約1.49至約1.55、約1.50至約1.55、約1.53至約1.55、約1.49至約1.54、約1.49至約1.52範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。貫穿本揭示案，兩個值之間的差值或兩個值之間的絕對差值為兩個值之間的差值的絕對值。在態樣中，層(例如，黏合層261、基於聚合物之部分251、層907及/或1007，及/或薄膜901及/或1001)之第一折射率與基板201或371之第二折射率之間的絕對差可為約0.01或更小、約0.008、約0.005或更小、約0.004或更小、約0.001或更大、約0.002或更大或0.003。在態樣中，層(例如黏合層261、基於聚合物之部分251、層907及/或1007，及/或薄膜901及/或1001)之第一折射率與基板201或371之第二折射率之間的絕對差可在約0.001至約0.01、約0.001至約0.008、約0.002至約0.008、約0.002至約0.005、約0.003至約0.005、約0.003至約0.004範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在態樣中，第一表面折射率可大於中心折射率。在其他態樣中，層(例如，黏合層261、基於聚合物之部分251、層907及/或1007，及/或薄膜901及/或1001)之第一折射率與基板201或371之第二折射率之間的差值可在589 nm處量測且可在上述範圍中之一或多者內。在其他態樣中，層(例如，黏合層261、基於聚合物之部分251、層907及/或1007，及/或薄膜901及/或1001)之第一折射率與基板201或371之第二折射率可在400 nm至700 nm之光波長內取平均(類似於透射率)且可在上述範圍中之一或多者內。
貫穿本揭示案，參考第1圖，積層101、301及/或401之寬度103視為沿積層之折疊軸102的方向104在積層之相對邊緣之間截取的積層之尺寸，其中方向104亦包含寬度103之方向。此外，貫穿本揭示案，積層101、301及/或401之長度105視為沿垂直於積層之折疊軸線102的方向106在積層之相對邊緣之間截取的積層101、301及/或401之尺寸。在態樣中，如第1圖至第2圖中所示，本揭示案之任何態樣之積層可包含折疊平面109，當積層處於平坦組態(例如參見第1圖)時，該折疊平面包括折疊軸102及基板厚度227之方向202。在一些態樣中，折疊平面109可包含積層之中心軸107，該中心軸可定位於如第2圖中所示之第四主表面205處。在態樣中，積層可圍繞折疊軸102沿方向111折疊(例如參見第1圖)且沿寬度103之方向104延伸以形成折疊組態(例如參見第6圖至第8圖)。如所示，積層可包括單折疊軸以允許積層包含雙折，其中例如積層可對折。在其他態樣中，積層可包括兩個或更多個折疊軸。舉例而言，提供兩個折疊軸可允許積層包含三折。
第6圖至第8圖示意性說明了根據本揭示案之態樣的呈折疊組態之積層601及/或801之例示性態樣。儘管未示出，可折疊積層，使得基板(例如基板201、另一基板381)在折疊積層之外側。用戶將藉由基板(例如基板201、另一基板381)觀察含有積層之裝置，因此將自基板201之第四主表面205及/或另一基板381之第六主表面385之側面觀察。替代地，如第7圖中所示，可折疊積層601，使得基板201位於折疊積層之內側。用戶將藉由基板201觀察含有積層601之裝置，因此將自基板201之第四主表面205之側面觀察。
如本文所用，「可折疊的」包括完全折疊、部分折疊、彎曲、撓曲或多種能力。如本文所用，術語「失效(fail/failure)」及類似術語係指斷裂、破壞、分層或裂紋擴展。基板(例如，基板、積層、薄膜)達成「X」之平行板距離，或若將基板在約60℃及約90%相對濕度下以「X」之平行板距離保持24小時時能夠抵抗失效，則具有「X」之平行板距離。
如本文所用，積層之「平行板距離」係藉由以下測試組態及製程使用平行板設備701 (參見第7圖至第8圖)來量測，該平行板設備包括一對平行的剛性不銹鋼板703與705，該一對平行的剛性不銹鋼板包括第一剛性不銹鋼板703及第二剛性不銹鋼板705。當量測積層101之「平行板距離」時，如第7圖中所示，第2圖之積層101藉由替換高於黏合層261之第一主表面263之材料，即用包含100 μm之厚度709之聚對酞酸乙二酯片材707 (參見第5圖)替換離型紙271來改質以形成積層601。當量測積層301之「平行板距離」時，如第8圖中所示，積層301藉由替換高於黏合層261之第一主表面263之材料，即用包含100 μm之厚度709之聚對酞酸乙二酯片材707 (參見第5圖)替換基板371、第三黏合層361及顯示裝置307來改質以形成積層801。如第7圖至第8圖中所示，將經改質之積層601及/或801置放於一對平行的剛性不銹鋼板703與705之間。如第7圖中所示，將積層601置放於一對平行的剛性不銹鋼板703與705之間，使得基板201之第四主表面205位於彎曲部之內側(例如，彼此面向)，而100 μm厚之聚對酞酸乙二酯片材707面向及/或接觸一對平行的剛性不銹鋼板703與705。如第8圖中所示，將積層801置放於一對平行的剛性不銹鋼板703與705之間，使得另一基板381位於彎曲部之內側(例如，面向自身)，而100 μm厚之聚對酞酸乙二酯片材707面向及/或接觸一對平行的剛性不銹鋼板703與705。將平行板之間的距離以50 μm/秒之速率減小，直至平行板距離711等於待測試之「平行板距離」。隨後，在約60℃及約90%之相對濕度下，將平行板保持在待測試之平行板距離處24小時。如本文所用，「最小平行板距離」為基板(例如基板、積層、塗層)在上述條件及組態下可承受而不會失效之最小平行板距離。
對於第9圖至第10圖中所示之薄膜901及/或1001，平行板距離係藉由用待測試之薄膜901、1001中之一者代替黏合層261以形成經改質之積層501來測量。平行板距離係藉由附著至基於玻璃之基板717之第三主表面713的薄膜901、1001之第一主表面903、1003及附著至聚對酞酸乙二酯片材707之第六主表面725的薄膜901、1001之第二主表面905、1005來量測，該聚對酞酸乙二酯片材藉由在180℃下熱壓1小時來形成積層。基於玻璃之基板717包含定義為第三主表面713與該第三主表面713相對的第四主表面715之間的平均厚度的30 μm之厚度719。聚對酞酸乙二酯片材707包含定義為第六主表面725與該第六主表面725相對的第五主表面723之間的平均厚度的100 μm之厚度。為了測定薄膜(例如，薄膜901及/或1001)之平行板距離，30 μm厚之基於玻璃之基板包含名義上以mol%計的以下組成：69.1 SiO 2；10.2 Al 2O 3；15.1 Na 2O；0.01 K 2O；5.5 MgO；0.09 SnO 2。隨後將由薄膜形成之積層在平行板設備701中組態，其中100 μm厚之聚對酞酸乙二酯片材707接觸一對平行的剛性不銹鋼板703與705。
對於第2圖至第4圖中所示之積層101、301和/或401，平行板距離係藉由用包含100 μm之厚度709的聚對酞酸乙二酯片材707代替高於接觸第三主表面203 (第2圖及第4圖)或第一表面區域323 (第3圖)之層的材料來量測。舉例而言，參考第2圖，移除離型紙271且用包含100 μm之厚度709的聚對酞酸乙二酯片材707替換，因為離型紙高於材料接觸第三主表面203之黏合層261。舉例而言，參考第3圖，移除顯示裝置307、第三黏合層361及基板371且用包含100 μm之厚度709的聚對酞酸乙二酯片材707替換，因為此等材料高於材料接觸第一表面區域223之黏合層261。隨後將如在此段落中所描述改質之積層在平行板設備701中組態，其中聚對酞酸乙二酯片材707接觸一對平行的剛性不銹鋼板703與705。舉例而言，第6圖中所示之經改質之積層601對應於第2圖中所示之積層101，且經改質之801對於於第3圖中所示之積層301。
在態樣中，具有薄膜901、1001之積層可達成100 mm或更小、50 mm或更小、20 mm或更小或10 mm或更小之平行板距離。在其他態樣中，積層可達成10毫米(mm)、或7 mm、或5 mm、4 mm、3 mm、2 mm、或1 mm之平行板距離。在態樣中，具有薄膜之積層可包含約10 mm或更小、約7 mm或更小、約5 mm或更小、約4 mm或更小、約1 mm或更大、約2 mm或更大或約3 mm或更大之平行板距離。在態樣中，具有薄膜之積層可包含在約1 mm至約10 mm、約2 mm至約10 mm、約13 mm至約10 mm、約3 mm至約7 mm、約3 mm至約5 mm、約3 mm至約4 mm範圍內，或其間任何範圍或子範圍內之平行板距離。
在態樣中，層壓板可承受循環彎曲測試。如本文所用，循環彎曲測試包括在23℃及50%相對濕度下，將包含待測試材料之測試設備置放於平行板設備701中(參見第5圖及第7圖至第8圖)且彎曲包含如上文對於平行板測試所描述之積層的積層預定次數，以達成在板703、705之間的預定平行板距離。測試設備包含將待測試之積層之黏合層261附著至聚對酞酸乙二酯片材707，該聚對酞酸乙二酯片材包含如上文對於平行板距離所論述之100 μm之厚度709，其中片材707面向一對平行的剛性不銹鋼板703、705。在態樣中，積層在3毫米之平行板距離下可承受2,000次彎曲循環。在其他態樣中，積層在3毫米之平行板距離下可承受20,000次彎曲循環。在甚至其他態樣中，積層在3毫米之平行板距離下可承受200,000次彎曲循環。在態樣中，積層在4毫米之平行板距離下可承受2,000次彎曲循環。在其他態樣中，積層在4毫米之平行板距離下可承受20,000次彎曲循環。在甚至其他態樣中，積層在4毫米之平行板距離下可承受200,000次彎曲循環。
當根據「落筆測試」量測時，積層可具有由積層在落筆高度(例如，5釐米(cm)或更高、8 cm或更高、10 cm或更高、12 cm或更高、15 cm或更高)處避免失效的能力所定義的抗衝擊性。如本文所用，進行「落筆測試」，使得樣品在施加至如平行板測試中所組態之薄膜及/或積層之外表面(第2圖及第4圖中所示之基板201之第四主表面205、第3圖中所示之另一基板381之第六主表面385)的負載(亦即來自自某一高度下落之筆)下進行測試。在測試期間，將積層置放於鋁板(6063鋁合金，用400砂紙拋光至表面粗糙度)上。樣品放在鋁板上之一側未使用膠帶。
參考第26圖，在落筆測試2601中，所使用之筆2603為BIC Easy Glide Pen，Fine，包括直徑為0.7 mm (0.68 mm)之碳化鎢圓珠筆尖2605，且包括筆帽在內之重量為5.73公克(g)。將圓珠筆2603保持在距積層之外表面(例如，第2圖及第4圖中所示之基板201之第四主表面205，第3圖中所示之另一基板381之第六主表面385)預定高度2609處。一根管子(未顯示)用於落筆測試2601以將圓珠筆2603引導至樣品之外表面(例如，第四主表面205、第六主表面385)，且將管子置放成與積層之外表面接觸，使得管子之縱向軸基本上垂直於積層之外表面。管子之外徑為1吋(2.54 cm)，內徑為十六分之九吋(1.4 cm)，長度為90 cm。丙烯腈丁二烯(「ABS」)墊片(未示出)用於將圓珠筆2603保持在各測試之預定高度2609處。在各下落之後，將管子相對於待測樣品之外表面重新定位，以將圓珠筆2603引導至待測樣品之外表面上的不同衝擊位置。應理解，落筆測試2601可用於本揭示案之態樣的積層及/或薄膜中之任一者中。
當對積層(例如，第2圖至第4圖中所示之積層101、301及/或401)進行落筆測試時，如用於測定平行板距離所描述的，積層(例如，第2圖之積層101)係藉由用包含100 μm之厚度709的聚對酞酸乙二酯片材707代替高於接觸第三主表面203 (第2圖及第4圖)或第一表面區域323 (第3圖)的層的材料來改質，如上文對於決定平行板距離所描述的。舉例而言，由於黏合層261為接觸第三主表面203或第一表面區域323的層，積層101及301係藉由用100 μm聚對酞酸乙二酯片材707代替高於黏合層261之第一主表面263的材料來改質。隨後，筆落下之外表面與100 μm厚之聚對酞酸乙二酯片材相對。當對薄膜或層(例如，包括第9圖至第10圖中所示之層907及/或1007之薄膜901及/或1001)進行落筆測試時，移除任何離型紙(例如第9圖中之離型紙271)，將薄膜901、1001之第一主表面903、1003附著至30 μm厚之基於玻璃之基板(基板201)且將薄膜901、1001之第二主表面905、1005附著至100 μm厚之聚對酞酸乙二酯片材。為了進行薄膜(例如，薄膜901及/或1001)之落筆測試，30 μm厚之基於玻璃之基板包含名義上以mol%計的以下組成：69.1 SiO 2；10.2 Al 2O 3；15.1 Na 2O；0.01 K 2O；5.5 MgO；0.09 SnO 2。將經組合之30 μm厚的基於玻璃之基板、薄膜(例如，薄膜901及/或1001)及100 μm厚之聚對酞酸乙二酯片材藉由在180℃下熱壓1小時來形成積層。隨後，筆落下之外表面與100 μm厚之聚對酞酸乙二酯片材，即基於玻璃之基板之外表面相對。
對於落筆測試2601，圓珠筆2603落下，其中筆帽蓋在頂端(即，與筆尖相對的一端)，使得圓珠筆筆尖2605可與塗層之外表面(例如，第2圖及第4圖中所示之基板201的第四主表面205，第3圖中所示之另一基板381之第六主表面385)相互作用。在根據落筆測試之下落順序中，在初始高度為1 cm時進行一次落筆，接著以0.5 cm之增量連續下落直至20 cm，且隨後在20 cm後，以2 cm之增量連續下落，直至測試待測試之樣品失效。在進行各下落之後，記錄積層之任何可觀察到之斷裂、失效或其他損壞之存在以及筆下落之具體預定高度。使用落筆測試，可根據相同的下落順序測試多個樣品，以生成具有更高統計準確性之總體。對於落筆測試，圓珠筆在每5次下落後更換為新筆，且對於各新的積層進行測試。另外，除非另外說明，否則所有筆下落均在積層中心或靠近積層中心之隨機位置處進行，沒有筆下落靠近或位於樣品邊緣。
出於落筆測試之目的，「失效」意謂在樣品中形成可見的機械缺陷。機械缺陷可為裂紋或塑性變形(例如，表面壓痕)。裂紋可為表面裂紋或貫穿裂紋。裂紋可形成於樣品之內表面或外表面上。裂紋可延伸穿過薄膜及/或積層之全部或一部分。可見的機械缺陷具有0.2毫米或更大之尺寸。在態樣中，積層101、301及/或401 (由黏合劑或薄膜形成)可承受1 cm或更大、2 cm或更大、3 cm或更大、4 cm或更大、5 cm或更大、6 cm或更大、7 cm或更大、8 cm或更大、9 cm或更大及/或10 cm或更大的落筆高度。
在態樣中，積層可進一步包含易清潔塗層、低摩擦塗層、疏油塗層、類金剛石塗層、耐刮擦塗層或耐磨塗層中之一或多者。耐刮擦塗層可含氧氮化物，例如氧氮化鋁或氧氮化矽，其厚度為約500微米或更大。在此類態樣中，耐磨塗層可包含與耐刮擦塗層相同的材料。在態樣中，低摩擦塗層可包含高度氟化的矽烷偶合劑，例如在矽原子上側接氧基甲基之烷基氟矽烷。在此類態樣中，易清潔塗層可包含與低摩擦塗層相同的材料。在其他態樣中，易清潔塗層可包含可質子化的基團，例如胺，例如在矽原子上側接氧基甲基之烷基胺基矽烷。在此類態樣中，疏油塗層可包含與易清潔塗層相同的材料。在態樣中，類金剛石塗層可包含碳且可藉由在碳氫化合物電漿存在之情況下施加高電壓來產生。
本揭示案之態樣可包含消費電子產品。消費電子產品可包括前表面、後表面及側表面。消費電子產品可進一步包括至少部分在外殼內之電子部件。電子部件可包括控制器、記憶體及顯示器。顯示器可位於或鄰近外殼之前表面。消費電子產品可包含佈置於顯示器上方之覆蓋基板。在態樣中，外殼或覆蓋基板之一部分中之至少一者包含貫穿本揭示案論述之薄膜及/或積層。顯示器可包括液晶顯示器(LCD)、電泳顯示器(EPD)、有機發光二極體(OLED)顯示器或電漿顯示面板(PDP)。在態樣中，消費電子產品可為可攜式電子裝置，例如智慧型手機、平板電腦、穿戴式裝置或膝上型電腦。
本文所揭露之薄膜及/或積層可併入另一製品中，例如具有顯示器之製品(或顯示製品) (例如，消費電子設備，包括行動電話、平板電腦、電腦、導航系統、穿戴式裝置(例如錶)及類似製品)、建築製品、運輸製品(例如汽車、列車、飛機、海上船艇等)、儀表製品或任何可能受益於某些透明度、耐刮擦性、耐磨性或其組合的製品。第11圖及第12圖中示出了併入本文所揭露之積層及/或薄膜中之任一者的例示性製品特定言之，第11圖及第12圖示出了包括具有前表面1104、後表面1106及側表面1108的外殼1102的消費電子裝置1100。消費電子裝置1100可包括至少部分地或完全在外殼內且包括在外殼之前表面處或鄰近外殼之前表面處的至少一個控制器、一個記憶體及一個顯示器1110的電子部件(未示出)。消費電子裝置1100可包括在外殼置前表面處或上方的覆蓋基板1112，使得該覆蓋基板在顯示器上方。在態樣中，覆蓋基板1112或外殼1102之一部分中之至少一者可包括本文所揭露之薄膜及/或積層中之任一者。
製造根據本揭示案之態樣的積層101、301或401之方法的態樣將參考第13圖中之流程圖及第13圖至第25圖中所示之例示性方法步驟來論述。參考第13圖之流程圖，方法可在步驟1301處開始。在態樣中，步驟1301可包括提供基板。在其他態樣中，基板可類似於第1圖至第4圖之包括基板厚度227或377之基板201或371。在其他態樣中，基板201或371可藉由購買或以其他方式獲得基板或藉由形成基板來提供。在其他態樣中，基板可包含基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板。在其他態樣中，基於玻璃之基板可藉由使用各種帶狀成型製程來提供，例如槽拉、下拉、熔合下拉、上拉、壓輥、再拉或漂浮。在甚至其他態樣中，基板可經化學強化且包含在上文所論述之對應範圍中之一或多者內的壓縮深度(例如，第一壓縮深度、第二壓縮深度)、壓縮應力(例如，第一最大壓縮應力、第二最大壓縮應力)及/或層深度(例如，第一層深、第二層深)。在其他態樣中，步驟1301可包括提供如上文所論述之成膜材料或其前驅物在其他態樣中，步驟1301可包括提供薄膜。在態樣中，若要提供薄膜901、1001，則在步驟1301之後，方法可繼續通過步驟1325或1307中之一或多者，其中已例如藉由加熱液體(例如步驟1305)、擠出薄膜(例如步驟1325)或購買薄膜來提供薄膜。
在態樣中，在步驟1301之後，方法可進行至步驟1325，包括將成膜材料擠出成具有或不具有如上文所論述之離型紙之薄膜(例如薄膜1001)。在態樣中，在步驟1301之後，方法可進行至包括反應反應物之步驟1323以形成如上文所論述之一或多種成膜材料。在態樣中，在步驟1301或1323之後，方法可進行至包括將液體佈置於離型紙上方之步驟1303，如參考第14圖所論述。在態樣中，在步驟1303之後，方法可進行至包括將施加器1503拉過液體1401之游離表面1501的步驟1305，如參考第15圖所論述。在態樣中，在步驟1303或1305之後，方法可進行至包括固化液體之步驟1307以形成薄膜，如參考第16圖所論述。
在態樣中，在步驟1301、1307或1325之後，方法可進行至包括將薄膜佈置於基板上方之步驟1309。在其他態樣中，如第18圖至第19圖中所示，步驟1309可包括將薄膜1001 (例如參見第17圖)佈置於基板201上方。在甚至其他態樣中，如第18圖中所示，步驟1309可包括將第一主表面255及/或1003 (例如基於聚合物之部分251，薄膜1001之層1007)佈置於基板201之第三中心表面區域211上方。在又其他態樣中，如所示，第一主表面255及/或1003 (例如基於聚合物之部分251，薄膜1001之層1007)可接觸基板201之第三中心表面區域211。在甚至其他態樣中，儘管未示出，第三中心表面區域211在佈置薄膜1001之前可藉由矽烷偶合劑處理。在甚至其他態樣中，薄膜可例如在第一主表面255及/或1003上或層1007內包含矽烷偶合劑。在其他態樣中，如第18圖至第19圖中所示，薄膜1001可包含離型紙271。在甚至其他態樣中，如第19圖中所示，步驟1309可包括自第二主表面257及/或1005移除第二離型紙(若存在)，隨後佈置(例如基於聚合物之部分251、層1007)於基板201上方。在其他態樣中，如第10圖中所示，薄膜1001可不包含離型紙271。
在其他態樣中，如第20圖中所示，步驟1309可包括將薄膜901 (例如參見第9圖及第16圖)佈置於基板201上方。在甚至其他態樣中，如所示，步驟1309可包括將第二主表面265及/或905 (例如黏合層261、薄膜901之層907)佈置於基板201之第三主表面203 (例如第一表面區域223及/或第三表面區域233)上方。在又其他態樣中，如所示，第二主表面265及/或905 (例如黏合層261、薄膜901之層907)可接觸基板201之第三主表面203 (例如第一表面區域223及/或第三表面區域233)。在甚至其他態樣中，儘管未示出，第三主表面203 (例如第一表面區域223及/或第三表面區域233)在佈置薄膜901之前可藉由矽烷偶合劑處理。在甚至其他態樣中，薄膜可例如在第二主表面265及/或905上或層907內包含矽烷偶合劑。在其他態樣中，如第20圖中所示，薄膜901可包含離型紙271。在甚至其他態樣中，儘管未示出，步驟1309可包括自第二主表面265及/或905移除第二離型紙(若存在)，隨後佈置於基板201上方。在其他態樣中，如第9圖中所示，薄膜901可不包含佈置於第二主表面905上方之離型紙271。
在態樣中，如第23圖至第24圖中所示，步驟1309可包括將超過一個薄膜(例如薄膜1001及另一薄膜2301)佈置於基板上方。在其他態樣中，如第23圖中所示，在將薄膜1001佈置於凹部上方之前，可將薄膜1001佈置於一或多個其他薄膜(例如另一薄膜2301)上方，反之亦然在甚至其他態樣中，如所示，另一薄膜2301可包含另一離型紙2311，該離型紙接觸另一層2307之與另一層2307之第五主表面2303相對的第六主表面2305。在甚至其他態樣中，如所示，薄膜1001之層1007之第一主表面1003可接觸另一薄膜2301之另一層2307之第五主表面2303。在其他態樣中，如第23圖至第24圖中所示，可移除另一離型紙2311且可將經組合之層1007及另一層2307佈置於基板201 (例如，第三中心表面區域211，例如，其中對應於基於聚合物之部分251的第一主表面255之另一薄膜2301之第六主表面2305接觸第三中心表面區域211)上方。在其他態樣中，另一薄膜2301之另一層2307可包含與薄膜1001之層1007相同的接枝有第一官能基之嵌段共聚物。
在態樣中，如第24圖中所示，步驟1309可進一步包括將一或多個其他薄膜(例如第二另一薄膜2401)佈置於(例如薄膜1001的)層1007上方。在態樣中，如所示，可移除離型紙(例如第9圖、第18圖至第19圖及第23圖中所示之離型紙271) (若存在)，隨後將第二另一薄膜2401佈置於其上。在其他態樣中，如所示，第二另一薄膜2401可包含第二另一離型紙2411，該離型紙包含接觸與第二另一層2407之第七主表面2403相對的第二另一層2407之第八主表面2405的釋放表面2413。在其他態樣中，如第24圖至第25圖中所示，第八主表面2405可對應於基於聚合物之部分251的第二主表面257。在其他態樣中，如所示，第二另一合層2407之第七主表面2403可佈置於層1007之第三主表面203及/或第二主表面1005上及/或接觸其。在其他態樣中，第二另一薄膜2401之第二另一層2407可包含與薄膜1001之層1007相同的接枝有第一官能基之嵌段共聚物。
在態樣中，在步驟1309之後，方法可進行至包括移除離型紙(例如，如第19圖、第21圖及第23圖中所示之離型紙271，第24圖中所示之第二另一離型紙2411)之步驟1311。在態樣中，可以跟隨箭頭1304跳過步驟1311，例如，若在步驟1309結束時不存在離型紙271。
在態樣中，在步驟1309或1311之後，方法可進行至包括將另一薄膜佈置於基板上方之步驟1327。在其他態樣中，如第20圖中所示，步驟1327包括將薄膜901 (例如，參見第9圖及第16圖)佈置於基板201上方，如第20圖至第21圖中進一步所示，薄膜901可進一步佈置於層1007或基於聚合物之部分251上方。如上文在步驟1309中所論述的，可將矽烷偶合劑施加至待佈置薄膜之表面上，薄膜可在其表面上包含矽烷偶合劑，矽烷偶合劑可以在薄膜內部，及/或此處可不使用矽烷偶合劑。在其他態樣中，如第21圖中所示，可在步驟1327中移除離型紙271 (若存在)。
在態樣中，在步驟1309、1311或1327之後，方法可進行至包括準備熱層合製程之步驟1313。在態樣中，如第22圖中所示，步驟1313可包括將一或多個元件(例如，顯示裝置307)佈置於黏合層261之第一主表面263上方。在其他態樣中，如第22圖及第25圖中所示，步驟1313可包括將第一離型紙2217施加至顯示裝置307上方。如第22圖中所示，第一離型紙可包含面向第一主表面263之第一表面區域2219，該第一表面區域可進一步接觸顯示裝置307之第六主表面303。在甚至其他態樣中，第一支撐件2211可佈置於第一離型紙2217上方，例如第一支撐件2211之第三表面2215面向及/或接觸第一離型紙2217。在其他態樣中，如第22圖及第25圖中所示，步驟1313可包括將第二離型紙2227施加至基板201之第四主表面205上方。在甚至其他態樣中，第二離型紙2227之第一主表面2229可面向及/或接觸基板201之第四主表面205。在甚至其他態樣中，第二支撐件2221可佈置於第二離型紙2227上方，例如第二支撐件2221之第三表面2223面向及/或接觸第二離型紙2227。在其他態樣中，如第22圖及第25圖中所示，方法可包括將組件置放於真空容器2203中。甚至其他態樣中，真空容器可提供氣密封閉且可承受步驟1315及1317之條件。真空容器之例示性態樣包括可自Simtech獲得之OBSJ/ABSJ真空袋。在其他態樣中，第一離型紙2217及/或第二離型紙2227可包含上文對於離型紙271所論述之材料中之任一者，例如含氟聚合物。在其他態樣中，第一支撐件2211及/或第二支撐件2221可包含約3 GPa或更大之彈性模數及/或可包含基於玻璃之材料及/或基於陶瓷之材料。提供一或多種離型紙可減少(例如，防止)薄膜在方法期間對非所需材料之黏附，且可減少在處理期間對積層之損壞。提供一或多種支撐件可減少處理期間基板及/或薄膜之變形(例如，翹曲)。提供真空容器可保護基板、薄膜及/或積層在處理期間免受污染。
在態樣中，在步驟1327或1313之後，方法可進行至包括將薄膜及基板在第一溫度下加熱第一時段之步驟1315。在其他態樣中，如第22圖中所示，加熱組件可包括將薄膜及基板置放於烘箱2201中。在其他態樣中，第一溫度可為約40℃或更高、約50℃或更高、約60℃或更高、約100℃或更低、約90℃或更低、約80℃或更低或約70℃或更低。在其他態樣中，第一溫度可在約40℃至約100℃、約40℃至約90℃、約50℃至約90℃、約50℃至約80℃、約60℃至約80℃、約60℃至約70℃範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，第一時段可為約10分鐘或更長、約15分鐘或更長、約20分鐘或更長、約25分鐘或更長、約8小時或更短、約4小時或更短、約2小時或更短、約1小時或更短、約45分鐘或更短或約35分鐘或更短。在其他態樣中，第一時段可在約10分鐘至約8小時、約10分鐘至約4小時、約15分鐘至約4小時、約15分鐘至約2小時、約20分鐘至約2小時、約20分鐘至約1小時、約20分鐘至約45分鐘、約25分鐘至約45分鐘、約25分鐘至約35分鐘範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在甚至其他態樣中，步驟1315可包括以第一速率將薄膜及基板自環境溫度(例如，約25℃)加熱至第一溫度。在甚至其他態樣中，第一速率可為約0.1℃/分鐘(℃/min)或更大、約0.5℃/min或更大、約1℃/min或更大、約10℃/min或更小、約5℃/min或更小或約3℃/min或更小。在甚至其他態樣中，第一速率可在約0.1℃/min至約10℃/min、約0.1℃/min至約5℃/min、約0.5℃/min至約5℃/min、約0.5℃/min至約3℃/min、約1℃/min至約3℃/min範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。
在態樣中，在步驟1315之後，方法可進行至包括將薄膜及基板在第二溫度下在表壓加熱第二時段之步驟1317。如本文所用，表壓係指相對於大氣壓量測之壓力(例如，約101.325 kPa)。在其他態樣中，第二溫度可為約150℃或更高、約170℃或更高、約190℃或更高、約250℃或更低、約230℃或更低或約210℃或更低。在其他態樣中，第二溫度可在約150℃至約250℃、約150℃至約230℃、約170℃至約230℃、約170℃至約210℃、約190℃至約210℃範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，第二時段可為約30分鐘或更長、約35分鐘或更長、約40分鐘或更長、約2小時或更短、約50分鐘或更短或約45分鐘或更短。在其他態樣中，第二時段可在約30分鐘至約2小時、約30分鐘至約50分鐘、約35分鐘至約50分鐘、約35分鐘至約45分鐘、約40分鐘至約45分鐘範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，表壓可為正的。在其他態樣中，表壓可為約1.0兆帕(MPa)或更高、約1.1 MPa或更高、約1.2 MPa或更高、約1.5 MPa或更低、約1.4 MPa或更低或約1.3 MPa或更低。在其他態樣中，表壓可在約1.0 MPa至約1.5 MPa、約1.0 MPa至約1.4 MPa、約1.1 MPa至約1.4 MPa、約1.1 MPa至約1.3 MPa、約1.2 MPa至約1.3 MPa範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，第二溫度可大於第一溫度。在甚至其他態樣中，步驟1317可包括以第二速率將薄膜及基板自第一溫度加熱至第二溫度。在又其他態樣中，第二速率可為約0.1℃/分鐘(℃/min)或更大、約0.5℃/min或更大、約1℃/min或更大、約10℃/min或更小、約5℃/min或更小或約3℃/min或更小。在甚至其他態樣中，第二速率可在約0.1℃/min至約10℃/min、約0.1℃/min至約5℃/min、約0.5℃/min至約5℃/min、約0.5℃/min至約3℃/min、約1℃/min至約3℃/min範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，步驟1317可包括以第三速率提高壓力以達至表壓。在甚至其他態樣中，第三速率可為約3千帕/分鐘(kPa/min)或更大、約7 kPa/min或更大、約10 kPa/min或更大、約15 kPa/min或更大、約50 kPa/min或更小、約35 kPa/min或更小、約30 kPa/min或更小、約25 kPa/min或更小或約20 kPa/min或更小。在甚至其他態樣中，第三速率可在約3 kPa/min至約50 kPa/min、約3 kPa/min至約35 kPa/min、約7 kPa/min至約35 kPa/min、約7 kPa/min至約30 kPa/min、約10 kPa/min至約30 kPa/min、約10 kPa/min至約25 kPa/min、約15 kPa/min至約25 kPa/min、約15 kPa/min至約20 kPa/min範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。
在其他態樣中，步驟1317可包括以第四速率將作為積層之基板及薄膜自第二溫度冷卻至環境溫度(例如，約25℃)或另一預定溫度。在甚至其他態樣中，第四速率可為約0.5℃/min或更大、約1℃/min或更大、約2℃/min或更大、約4℃/min或更大、約20℃/min或更小、約10℃/min或更小、約8℃/min或更小或約6℃/min或更小。在甚至其他態樣中，第四速率可在約0.5℃/min至約20℃/min、約0.5℃/min至約10℃/min、約1℃/min至約10℃/min、約1℃/min至約8℃/min、約2℃/min至約8℃/min、約2℃/min至約6℃/min、約4℃/min至約6℃/min範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，步驟1317可包括以第五速率將壓力自表壓降低至環境壓力(例如0帕斯卡表壓)或另一預定壓力。在甚至其他態樣中，第五速率可為10 kPa/min或更大、約35 kPa或更大、約50 kPa/min或更大、約103 kPa/min或更小、約80 kPa/min或更小或約60 kPa/min或更小。在甚至其他態樣中，第五速率可在約10 kPa/min至約103 kPa/min、約35 kPa/min至約103 kPa/min、約35 kPa/min至約80 kPa/min、約50 kPa/min至約80 kPa/min、約50 kPa/min至約60 kPa/min範圍內，或其間任何範圍或子範圍內。在其他態樣中，步驟1317可包括自真空容器、一或多個支撐層及/或一或多個離型紙(若存在)移除由薄膜及基板形成之積層。
在態樣中，儘管未示出，在步驟1317之後，方法可進行至步驟1319。在其他態樣中，步驟1319包括組裝積層。在其他態樣中，步驟1319包括在電子裝置，例如第11圖至第12圖中所示之消費電子裝置中包括積層中之任一者。
在步驟1317或1319之後，方法可在步驟1321處完成，此時製造積層101、301及/或401之方法可完成。在態樣中，積層及/或薄膜可包含上文對於積層及/或薄膜所論述之色差、CIE L*值、CIE L*值之絕對差、CIE a*值，CIE a*值之絕對差、CIE b*值、CIE b*值之絕對差、剪切強度、透射率、霧度及/或折射率特性。
在態樣中，如上文參考第13圖中之流程圖所論述的，方法可在步驟1301處開始且隨後依序進行通過步驟1303、1305、1307、1309、1311、1313、1315、1317、1319及1321。如上文所論述的，在態樣中，可遵循箭頭1306、1310、1312、1318及/或1322。在態樣中，例如，若在步驟1301中提供薄膜，則可遵循箭頭1302自步驟1301至步驟1309。在態樣中，例如，若薄膜不包含離型紙及/或在方法之彼階段不需要移除離型紙，則可遵循箭頭1304自步驟1309至步驟1313，跳過步驟1311。在態樣中，例如，若在步驟1317結束時完成該積層，則可遵循箭頭1308自步驟1317至步驟1321。在態樣中，例如，若在步驟1315及1317中之熱層合製程之前，將額外材料(例如，顯示裝置、離型紙)佈置於薄膜及/或另一薄膜上，則可遵循箭頭1314自步驟1327至步驟1313。在態樣中，例如，若另一薄膜將佈置於基板上方，則可遵循箭頭1316或1320分別自步驟1311或1309至步驟1327。在態樣中，箭頭1322。可組合上述選項中之任一者以製造根據本揭示案之態樣的積層。
舉例而言，可在單一固化(例如步驟)中產生如第2圖中所示之積層101。如上文所描述，基於聚合物之部分251 (例如，基板1001)可佈置於基板201之第三中心表面區域211上方，接著將黏合層261 (例如，薄膜901)佈置於第三主表面203及基於聚合物之部分251的第二主表面257上方。此外，可將離型紙271佈置於黏合層261上方。在態樣中，基於聚合物之部分251可包含單獨或堆疊的一或多個薄膜(例如薄膜1001)以形成所需厚度259。在步驟1315及1317中加熱組裝的基板、薄膜及離型紙。與上述單步法相比，使用液體材料形成基於聚合物之部分及使用液體材料形成黏合層不能在單個步驟中產生積層。
在另一實例中，可在單一固化(例如步驟)中產生如第3圖中所示之積層301。基於聚合物之部分251 (例如，薄膜1001)可位於第一部分321與第二部分331之間。在態樣中，基於聚合物之部分251可包含單獨或堆疊的一或多個薄膜(例如薄膜1001)以形成所需厚度259。黏合層261可佈置於第一部分321、第二部分331及基於聚合物之部分251上方，接著將基板371佈置於黏合層261上方，將第三黏合層361佈置於基板371上方，且將顯示裝置307佈置於第三黏合層361上方。第二黏合層391可佈置於第一部分321、第二部分331及基於聚合物之部分251上方，接著將另一基板381佈置於第二黏合層391上方。在步驟1315及1317中加熱組裝的基板、薄膜及離型紙。與上述單步法相比，使用液體材料形成基於聚合物之部分及使用液體材料形成黏合層不能在單個步驟中產生積層。相反，使用液體材料形成基於聚合物之部分及使用液體材料形成黏合層將需要四個固化步驟。
在另一實例中，可在單一固化(例如步驟)中產生如第4圖中所示之積層401。如上文所描述，可將基於聚合物之部分251 (例如，薄膜1001)佈置於基板201之第三中心表面區域211上方。在態樣中，位於凹部219中之基於聚合物之部分251的第二部分257b可包含與基於聚合物之部分251之第一部分257a不同的薄膜(例如，薄膜1001、另一薄膜)。在態樣中，第一部分257a之第二主表面256b可在將第二部分257b佈置於凹槽部219中之前或之後與第二部分257b之第六主表面258b接觸。舉例而言，第二部分257b可包含薄膜(例如薄膜1001)，且第一部分257a可包含另一薄膜，其中第二部分257b之薄膜(例如薄膜1001)可包含具有接枝於第一部分257a之薄膜(例如薄膜1001)之第一嵌段上的第一官能基的相同嵌段共聚物。在甚至其他態樣中，位於凹部219中之基於聚合物之部分251的第二部分257b可包含單獨或堆疊的一或多個薄膜(例如薄膜1001)以形成所需厚度259。在其他態樣中，如所示，第一部分257a之第二主表面256b可接觸第四主表面205。此外，可將離型紙271佈置於基於聚合物之部分251上方。在步驟1315及1317中加熱組裝的基板、薄膜及離型紙。與上述單步法相比，使用液體材料形成基於聚合物之部分及使用液體材料形成黏合層不能在單個步驟中產生積層。 實例
將藉由以下實例進一步闡明各個態樣。表2-6提供了有關薄膜之態樣的資訊，該等薄膜可用於形成積層。表7-12呈現了有關積層之態樣的資訊。除非另外指明，否則用於量測表7-12中所報導之特性的基板為具有30 μm之基板厚度的基於玻璃之基板(具有名義上以mol%計之組成1：69.1 SiO 2；10.2 Al 2O 3；15.1 Na 2O；0.01 K 2O；5.5 MgO；0.09 SnO 2)。
實例A-P包括包含三嵌段共聚物之薄膜。特定言之，實例A-O係使用一或多種可自Kraton獲得的三嵌段共聚物，即FG 1901、FG 1924及/或025 (不可商購)產生的。FG 1901含有1.4 wt%至2 wt%之接枝於三嵌段共聚物(亦即聚苯乙烯-(乙烯-共-丁烯)-聚苯乙烯三嵌段共聚物)上之順丁烯二酸酐。FG 1924含有0.7 wt%至1.3 wt%之接枝於三嵌段共聚物(亦即聚苯乙烯-(乙烯-共-丁烯)-聚苯乙烯三嵌段共聚物)上之順丁烯二酸酐。025含有1.0 wt%至1.2 wt%之接枝於三嵌段共聚物(亦即聚苯乙烯-(乙烯-共-丁烯)-聚苯乙烯三嵌段共聚物)上之順丁烯二酸酐。實例A由025組成，025包含接枝有順丁烯二酸酐之聚苯乙烯-(乙烯-共-丁烯)-聚苯乙烯三嵌段共聚物及7wt%之聚苯乙烯-(乙烯-共-丁烯)二嵌段共聚物。實例B由58.5 wt% FG 1901及41.5 wt% FG 1924組成，FG 1901及FG 1924均為接枝有順丁烯二酸酐之聚苯乙烯-(乙烯-共-丁烯)-聚苯乙烯三嵌段共聚物。實例P由2.0 wt%之接枝於三嵌段共聚物(亦即聚苯乙烯-(乙烯-共聚-丁烯)-聚苯乙烯三嵌段共聚物)上之矽烷(亦即三乙氧基矽烷)組成。實例Z包含在2020年10月12日申請之美國非臨時專利申請17/068,272中所揭露之胺甲酸乙酯-丙烯酸酯聚合物。
實例A-N之薄膜係藉由佈置於離型紙上方之20 wt%的三嵌段共聚物溶液製備，且使用施加棒設定250 μm之厚度並且在60℃之第一溫度下加熱3小時，隨後在100℃下加熱3小時。對於藉由使用對應三嵌段共聚物擠出250 μm薄膜製備的薄膜亦表現出可比較的特性。實例A-N及Z之薄膜包含200 μm至400 μm之所得薄膜厚度，實例O及AA-CC之薄膜包含30 μm之薄膜厚度。實例P之薄膜係藉由佈置於離型紙上方之30 wt%的三嵌段共聚物溶液製備，且使用施加棒設定50 μm之厚度並且在60℃之第一溫度下加熱3小時，隨後在100℃下加熱3小時以獲得厚度為30 μm之薄膜。
表2顯示了對於在不同條件下量測的實例A-B在搭接剪切試驗中所量測的剪切強度。如本文所用，「RT」係指實例在25℃之室溫及50%相對濕度(RH)下保持指定時段(例如，1天、5天、10天)的條件。實例A-B在室溫(例如，25℃，50%相對濕度(RH))下保持1天以及10天後具有3.3 MPa或更高的剪切強度。然而，在65℃，70% RH環境中保持10天後，實例A-B之剪切強度分別下降低至1.25 MPa及1.02 MPa。相反，實例P之剪切強度在室溫下保持1天至10天後自3.10 Mpa提高且在65℃、70% RH環境下保持10天後更加顯著。鑑於實例A-B之剪切強度在相同條件下降低60%至70%，出乎意料地，在65℃、70% RH的環境中保持10天後，實例P之剪切強度會增加。 表2：實例A-B之搭接剪切試驗中的剪切強度
實例 A B P
RT，1天(MPa) 3.36 3.44 3.10
Rt，10天(MPa) 3.35 3.32 3.12
65℃，70% RH，10天(MPa) 1.25 1.02 3.38
表3：實例C-H及Z之搭接剪切試驗中的剪切強度
實例 C D E F G H Z
65℃，70% RH，10天(MPa) 1.06 1.17 2.41 0.90 1.36 3.24 3.06
表3顯示了在實例C-H及Z之搭接剪切試驗中所量測之剪切強度。實例C-E包含來自實例A至薄膜，但使用矽烷偶合劑來促進薄膜於基板之間的黏附。實例F-H包含來自實例B之薄膜，但使用矽烷偶合劑來促進薄膜與基板之間的黏附。在實例C及F中，矽烷偶合劑為(3-縮水甘油醚基氧基丙基)三甲氧基矽烷。在實例D及G中，矽烷偶合劑為(3-縮水甘油醚基氧基丙基)三乙氧基矽烷。在實例E及H中，矽烷偶合劑為(3-胺丙基)三甲氧基矽烷。實例Z不包含矽烷偶合劑，但在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後具有3.06 MPa之剪切強度。對於實例C-D，剪切強度相對於實例A降低。同樣，實例F之剪切強度相對於實例B降低。然而，實例E之剪切強度相對於實例A增加了1.16 Mpa (增加了93%)。同樣，實例H之剪切強度相對於實例B增加了2.22 Mpa (增加了217%)。實例G之剪切強度相對於實例B增加了0.36 Mpa (增加了35%)。實例E及H (使用(3-縮水甘油醚基氧基丙基)三甲氧基矽烷)之剪切強度的增加分別比無矽烷偶合劑之實例A及B以及分別與實例C-D及E-F相比提供了出乎意料的剪切強度增加。不希望受理論所束縛，由於縮水甘油醚基與接枝至三嵌段共聚物上之順丁烯二酸酐之間的相似性，預期使用縮水甘油醚基官能化之矽烷偶合劑的剪切強度會更大。然而，相對於無矽烷偶合劑之薄膜，使用胺官能化之矽烷偶合劑使剪切強度增加約90%或更多(例如，實例E為93%，實例H為217%)，且與其他所測試之矽烷偶合劑相比甚至增加更多。
表4顯示了實例I-N之組成以及折射率、抗拉強度及極限伸度。貫穿本揭示案，基於聚合物之部分及彈性體之抗拉強度、極限伸度(例如，失效應變)及屈服點係使用ASTM D412A使用拉伸試驗機，例如Instron 3400或Instron 6800在23℃下及50%相對濕度下，用I型狗骨形樣品測定。「折射率(平均)」係指在400 nm至700 nm之光波長內的平均折射率，該折射率係使用大致均勻間隔的6個不同的光波長之量測折射率來計算的。實例I-N包含13 wt%至30 wt%之聚苯乙烯(PS)含量，該含量係指兩種第二嵌段(聚苯乙烯)之總重量。對於實例I-N，589 nm處之折射率在1.4897至1.5075之間變化，且對於實例I、J及N，折射率在1.493至約 1.512之間變化。為了比較，在589nm處包含組成1之非化學強化基板之折射率為1.5002，其與實例L基本相同。實例I、L及N之抗拉強度在約2.3MPa與約5.5MPa之間，其中實例L表現出最低的抗拉強度。實例I、L及N之極限伸度在約400%與約530%之間。如表4中所示，藉由改變兩種第二嵌段之總重量(例如自13 wt%至30 wt%聚苯乙烯)，可獲得預定折射率(例如，約1.49至約1.508)，同時保持約1 Mpa或更大(例如，約2 MPa或更大)之抗拉強度及約400%或更大的極限伸度。 表4：實例I-N之組成、光學及機械特性
實例 PS (wt%) FG 1901 (wt%) FG 1924 (wt%) 折射率(589 nm) 折射率(平均) 抗拉強度(MPa) 極限伸度(%)
I 13.0 0 100 1.4897 1.4931 4.19 530
J 19.8 40 60 1.4965 1.5009    
K 22.35 55 45 1.4995      
L 22.95 58.5 41.5 1.5002   2.31 485
M 23.54 62 38 1.5006      
N 30 100 0 1.5075 1.5116 5.43 408
表5：實例A之CIE值
實例A CIE L* CIE a* CIE b*
原樣 91.4 0.26 2.1
熱休克，5天 91.42 0.29 1.8
熱休克，10天 91.2 0.26 2.2
65℃，90% RH，5天 91.42 0.24 2.2
65℃，90% RH，10天 90.9 0.25 2.5
85℃，5天 91.6 0.18 2.3
85℃，10天 91.42 0.13 2.6
-25℃，5天 91 0.18 2.6
-25℃，10天 91.02 0.25 2.9
表6：實例A之CIE值之差
實例A CIE L*之絕對差 CIE a*之絕對差 CIE b*之絕對差 色差
熱休克，5天 0.02 0.03 0.3 0.3
熱休克，10天 0.2 0 0.1 0.25
65℃，90% RH，5天 0.22 0.02 0.1 0.41
65℃，90% RH，10天 0.5 0.01 0.4 0.45
85℃，5天 0.2 0.08 0.2 0.44
85℃，10天 0.02 0.13 0.5 0.81
-25℃，5天 0.4 0.08 0.5 0.81
-25℃，10天 0.38 0.01 0.8 0.93
表5-6顯示了實例A之CIE值及不同條件之間的彼等值之差。在表6中，絕對差及色差係基於經特定處理之薄膜的原樣值計算的。如本文所用，「熱休克」條件係指在將薄膜在規定時段內每30分鐘在-25℃與105℃環境之間循環。「原樣」值為在各種環境中經受5天及/或10天之樣品的初始量測平均值。如表5中所示，CIE L*值自91.4開始，且在所有條件下均保持在90.9與91.6之間。CIE a*值自0.26開始，且在所有條件下均保持在0.13與0.29之間。CIE b*值自2.1開始，且在所有條件下均保持在1.8與2.9之間。如表6中所示，CIE L*值之絕對差在所有條件下均為約0.5或更小。CIE a*值之絕對差在所有條件下均為約0.13或更小。CIE b*值之絕對差在所有條件下均為約0.8或更小。使用特定樣品之初始及最終CIE值計算色差，而個別CIE值之絕對差使用在相同時段內處於相同環境的所有樣品的平均值。如表6中所示，色差在所有條件下均為約1或更小。對於熱休克及65℃、90% RH 5天或10天，色差均為約0.5或更小。
表7-8顯示了實例O之CIE值及不同條件之間的彼等值之差。實例O包含使用實例A之薄膜及兩個包含組成1且基板厚度為30 μm的基於玻璃之基板形成的積層。使用PTFE薄膜及2 mm厚之包含基於玻璃之材料的支撐層固定薄膜及基板，且置放於OBSJ真空袋(Simtech)中。隨後在65℃的第一溫度下以0.7℃/min之加熱速率加熱基板及薄膜且維持第一溫度30分鐘。隨後，在150℃之第二溫度下以1.5℃/min之加熱速率及在藉由以20 kPa/min增加壓力達成之1.2 MPa表壓下加熱基板及薄膜，且維持第二溫度及表壓40分鐘以形成積層。隨後，以3℃/min之溫度降低及20 kPa/min增加壓力至至少50℃及0.08MPa的表壓來將積層冷卻。
如表7中所示，CIE L*值自91.0開始，且在所有條件下均保持在90.2與91.0之間。CIE a*值自0.21開始，且在所有條件下均保持在0.16與0.22之間。CIE b*值自2.85開始，且在所有條件下均保持在2.8與3.2之間。如表8中所示，CIE L*值之絕對差在所有條件下均為約1.1或更小。CIE a*值之絕對差在所有條件下均為約0.10或更小及約0.05或更小。CIE b*值之絕對差在所有條件下均為約0.5或更小及約0.35或更小。如表8中所示，色差在所有條件下均為約2或更小。對於熱休克及65℃、90% RH 5天或10天，色差均為約1或更小及約0.6或更小。對於熱休克5天或10天，色差均為約0.5或更小。 表7：實例O之CIE值
實例O CIE L* CIE a* CIE b*
原樣 91.0 0.21 2.85
熱休克，5天 90.5 0.18 3.0
熱休克，10天 90.2 0.22 3.2
65℃，90% RH，5天 90.5 0.21 2.83
65℃，90% RH，10天 90.9 0.18 2.9
85℃，5天 90.4 0.20 3.0
85℃，10天 89.9 0.21 3.08
-25℃，5天 90.4 0.18 3.18
-25℃，10天 90.2 0.16 3.18
表8：實例O之CIE值之差
實例O CIE L*之絕對差 CIE a*之絕對差 CIE b*之絕對差 色差
熱休克，5天 0.5 0.03 0.15 0.04
熱休克，10天 0.8 0.01 0.35 0.45
65℃，90% RH，5天 0.5 0 0.02 0.25
65℃，90% RH，10天 0.1 0.03 0.05 0.56
85℃，5天 0.6 0.01 0.15 1.34
85℃，10天 1.1 0 0.23 1.81
-25℃，5天 0.6 0.03 0.33 0.38
-25℃，10天 0.8 0.05 0.33 0.56
表8及表11-12顯示了CIE L*、CIE a*及CIE b*值之差，即不同條件下實例O及AA-CC之最終值減去初始值。在表8中，絕對差及色差係基於經特定處理之薄膜的原樣值計算的。CIE L*值之增加與更亮的薄膜及/或積層相關。正CIE a*值之減小與沿紅-綠軸之顏色減小相關，對應於更紅顏色之正值愈多，則對應於更綠顏色之負值愈多。正CIE b*值之減小與沿黃-藍軸之顏色減小相關，對應於更黃顏色之正值愈多，則對應於更藍顏色之負值愈多。實例AA包含與實例O相同的薄膜，但添加了0.1 wt%之Irganox 1010及0.1 wt%之Ultranox 168。實例BB包含與實例O相同的薄膜，但添加了0.1 wt%之Irganox 1010及0.2 wt%之Ultranox 168。實例CC包含與實例O相同的薄膜，但添加了0.1 wt%之Irganox 1010及0.2 wt%之Irgafos。 表9：實例P之CIE值
實例P CIE L* CIE a* CIE b*
原樣 90.4 0.23 2.98
65℃，90% RH，5天 — 0.23 3.06
65℃，90% RH，10天 90.8 0.25 3.24
表10：實例P之CIE值之差
實例P CIE L*之絕對差 CIE a*之絕對差 CIE b*之絕對差 色差
65℃，90% RH，5天 -- 0 0.08 --
65℃，90% RH，10天 0.4 0.02 0.26 0.48
表9-10顯示了實例P之CIE值及在不同條件下彼等值之差。使用PTFE薄膜及2 mm厚之包含基於玻璃之材料的支撐層固定薄膜及基板，且置放於OBSJ真空袋(Simtech)中。隨後在65℃的第一溫度下以0.7℃/min之加熱速率加熱基板及薄膜且維持第一溫度30分鐘。隨後，在150℃之第二溫度下以1.5℃/min之加熱速率及在藉由以20 kPa/min增加壓力達成之1.2 MPa表壓下加熱基板及薄膜，且維持第二溫度及表壓40分鐘以形成積層。隨後，以3℃/min之溫度降低及20 kPa/min增加壓力至至少50℃及0.08MPa的表壓來將積層冷卻。
如表9中所示，CIE L*值自90.4開始，且在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後增加至90.8。CIE a*值自0.23開始，且在所有條件下均保持在0.23與0.25之間。CIE b*值自2.98開始，且在所有條件下均保持在2.98與3.24之間。如表10中所示，在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後，CIE L*值之絕對差為約0.4。CIE a*值之絕對差在所有條件下均為約0.10或更小、約0.05或更小及約0.02或更小。CIE b*值之絕對差在所有條件下均為約0.5或更小、約0.35或更小及約0.26或更小。如表10中所示，在65℃、70%相對濕度環境中保持10天後，色差為約0.5或更小。
如表11中所示，實例O及AA-CC之CIE L*值減小，但實例AA之減小最小。實例O及AA之CIE a*值減小，比實例P增大，但實例BB-CC之CIE a*值保持不變。實例BB之CIE b*值減小，但實例O-P、AA及CC之CIE b*值增大。因此，實例AA及BB包含與實例O相同或更少的黃色。與實例O相比，實例AA之亮度增加，具有相同的顏色變化。 表11：在65℃、90% RH下10天後之CIE值之差
65℃，90% RH，10天 CIE L*之差 CIE a*之差 CIE b*之差
實例O -0.15 -0.01 0.09
實例P 0.4 0.02 0.26
實例AA -0.10 -0.01 0.09
實例BB -0.52 0 -0.04
實例CC -0.08 0 0.14
表12：在85℃下10天後之CIE值之差
65℃，90% RH，10天 CIE L*之差 CIE a*之差 CIE b*之差
實例O 0.07 0 0.15
實例AA 1.51 -0.06 -0.13
實例BB 0.53 -0.02 0.07
實例CC 0.43 -0.01 0.02
如表12中所示，實例O及AA-CC之CIE L*值增大，但實例AA之增大最大。實例AA-CC之CIE a*值減小，但實例O之CIE a*值保持不變。實例AA之CIE b*值減小，但實例O及BB-CC之CIE b*值增大。因此，實例AA-CC與實例O一樣包含較少的黃色，表明抗氧化劑可減少薄膜及/或積層變黃。與具有較低顏色積層之實例O相比，實例AA之亮度增加。因此，添加抗氧化劑可提高薄膜及/或積層之CIE L*、CIE a*及/或CIE b*值。
可組合上述觀測結果以提供包含聚合物材料之薄膜及積層以及製造該等薄膜及積層的方法。提供包含低霧度之聚合物材料可實現通過薄膜及/或積層之良好可見性。在態樣中，薄膜之聚合物材料的折射率可包含與基板之折射率的較小(例如，約0.01或更小)絕對差。此外，在各種環境中保持5天或更長時間或10天或更長時間後，薄膜及/或積層可基本保持其光學特性(例如CIE值、色差)。
在態樣中，聚合物材料可包含三嵌段材料。提供三嵌段材料可改良薄膜及/或積層之抗衝擊性，例如藉由吸收及消散衝擊能量。提供超過一種類型之三嵌段共聚物可實現對所得層(例如薄膜)之折射率的微調。提供具有在操作範圍(例如約0℃至約40℃、約-20℃至約60℃)之外(例如低於)的第一玻璃轉移溫度(Tg1)之三嵌段共聚物之第一嵌段可在製品(例如薄膜、積層)之整個操作範圍內實現一致特性。提供具有在操作範圍(例如約0℃至約40℃、約-20℃至約60℃)之外(例如高於)的第二玻璃轉移溫度之三嵌段共聚物之第二嵌段可在製品(例如薄膜、積層)之整個操作範圍內實現一致特性。提供與三嵌段共聚物組合之二嵌段共聚物可增加所得層(例如薄膜、積層)之可撓性及/或抗衝擊性。提供包含對應於第一嵌段及兩種第二嵌段中之一者或兩者的材料的二嵌段共聚物可實現增加的可撓性，而不會實質上改變層(例如薄膜、積層)之光學特性。提供抗氧化劑可改良薄膜及/或積層之顏色，例如藉由減少隨著薄膜及/或積層老化而變黃。
薄膜可包含對基板(例如基於玻璃之基板及/或基於陶瓷之基板)之良好黏附性。提供包含接枝有第一官能基之第一嵌段的三嵌段共聚物可改良薄膜(例如三嵌段共聚物)與基板(例如基於玻璃之基板、基於陶瓷之基板)的黏附性。提供矽烷偶合劑可增加層(例如薄膜)對基板(例如，基於玻璃之基板、基於陶瓷之基板、積層之其餘部分)之黏附性且改良薄膜及/或積層之耐久性。提供包含矽烷之第一官能基可增加薄膜(例如三嵌段共聚物)之黏附性而不需要單獨的矽烷偶合劑，從而降低加工複雜性及時間。提供包含矽烷之第一官能基可在膜老化時保持及/或增加薄膜(例如三嵌段共聚物)之黏附性，例如當矽烷形成及/或再形成時，與基板、矽倍半氧烷及/或其他矽烷相互作用。提供薄膜可使薄膜在例如藉由具有良好的尺寸穩定性併入積層中時具有基本均勻的厚度。提供薄膜可易於處理、儲存及/或處理成積層。
揭露可由薄膜及基板形成積層之方法。舉例而言，可藉由加熱包含黏合劑材料及/或聚合物材料之液體及/或藉由將黏合劑材料及/或聚合物材料擠出成薄膜來由該黏合劑材料及/或聚合物材料形成薄膜。提供薄膜可減少組裝積層之處理步驟。舉例而言，可使用本揭示案之方法組裝積層，使用單個加熱循環以結合積層之一或多個薄膜、基板及/或其他組分。因此，可減少製造基材之處理時間及成本。提供薄膜可減少能源使用、減少材料浪費且以其他方式改進積層之形成。可堆疊多個薄膜以形成經配置以對應於基板(例如凹部)及/或第一部分及第二部分之形狀的形狀及/或厚度。
如本文所用之方向性術語—例如上、下、右、左、前、後、頂部、底部—僅參考所繪製之圖式圖而作出，且不旨在暗示絕對方向。
應瞭解，各種所揭露態樣可涉及結合該態樣描述之特徵、元件或步驟。亦應瞭解，特徵、元件或步驟，儘管係關於一個態樣描述的，但可以各種未示出之組合或排列與替代態樣互換或組合。
應理解，如本文所用，術語「該」、「一(a/an)」意謂「至少一個(種)」且不應限於「僅一個(種)」，除非明確相反地指示。舉例而言，除非上下文另有明確指示，否則提及「一組分」包含具有兩種或更多種此類組分之態樣。同樣，「複數個(種)」旨在表示「不止一個(種)」。
如本文所用，術語「約」意謂量、尺寸、配方、參數及其他數量及特性並非且不需要係確切的，而可按需要為近似的及/或較大或較小的，從而反映容限、轉換因子、捨位、量測誤差等等，及熟習此項技術者已知的其他因子。範圍在本文中可表示為自「約」一個特定值及/或至「約」另一特定值。當表示此範圍時，態樣包括自一個特定值及/或至另一特定值。類似地，當值表示為近似值時，藉由使用先行詞「約」，應理解特定值形成另一態樣。不論說明書中之數值或範圍之端點是否敘述「約」，數值或範圍之端點旨在包括兩個態樣：一個由「約」修飾，另一個不由「約」修飾。應進一步理解，範圍中之每一者之端點相對於另一端點及獨立於另一端點均係重要的。
如本文所用之術語「基本上(substantial/substantially)」及其變體旨在指示所描述之特徵等於或近似等於值或描述。舉例而言，「基本上平坦的」旨在指示平坦或近似平坦的表面。此外，如上文所定義，「基本上類似」旨在指示兩個值相等或近似相等。在態樣中，「基本上類似」可指示彼此相差約10%之內的值，例如彼此相差約5%或彼此相差約2%之內的值。
除非另外明確說明，否則本文所闡述之任何方法均不旨在解釋為要求其步驟以特定次序執行。因此，在方法申請專利範圍實際上並未敘述其步驟所遵循之次序，或在申請專利範圍或說明書中並未另外明確說明該等步驟將被限制為特定次序之情況下，則決不意欲推斷任何特定次序。
儘管可使用過渡片語「包含」來揭露特定態樣之各種特徵、元件或步驟，但應理解，暗示包括可使用過渡片語「由……組成」或「基本上由……組成」來描述的彼等替代特徵、元件或步驟的態樣。因此，例如包含A+B+C之設備的暗示替代態樣包括設備由A+B+C組成之態樣及設備基本上由A+B+C組成之態樣。如本文所用，除非另外說明，否則術語「包含」及「包括」以及其變體應解釋為同義的且為開放式的。
上述態樣及彼等態樣之特徵為歷史性的且可單獨提供或與本文所提供之其他態樣中之任一或多個特徵的任何組合提供而不背離本揭示案之範疇。
事實上，熟習此項技術者將明白，在不背離本揭示案之精神及範疇的情況下，可對本揭示案做出修改及變化。因此，預期本揭示案涵蓋本文中之態樣之修改及變化，只要該等修改及變化屬於隨附申請專利範圍及其等效物之範疇內。
101,301,401,501,601,801:積層 102:折疊軸 201,371,381:基板 104,106,111,202:方向 105:長度 107:中心軸 109:折疊平面 2-2,7-7:線 203,373,713:第三主表面 204a:第一平面 204b:第二平面 204c:第三平面 205,375,715:第四主表面 211:第三中心表面區域 213:第四中心表面區域 217:中心厚度 219:凹部 223,323,2219:第一表面區域 225,325:第二表面區域 227,377:基板厚度 233,333:第三表面區域 235,335:第四表面區域 241:中心部分 251:基於聚合物之部分 103,252:寬度 259,709,719:厚度 261:黏合層 267:黏合劑厚度 271:離型紙 258a,273,383,723,2303:第五主表面 258b,275,303,363,385,393,725,2305:第六主表面 221,257a,321:第一部分 231,257b,331:第二部分 305,365,395,2403:第七主表面 307:顯示裝置 309,337:曲率 315:中心區域 317:中心區域 319a-c,313a-c:虛線部分 327:部分厚度 329:第一邊緣表面區域 339:第二邊緣表面區域 343:最小距離 345,347:外圍部分 361:第三黏合層 367:第三厚度 387:另一厚度 391:第二黏合層 397:第二厚度 417:聚合物厚度 419:最小厚度 701:平行板設備 703:第一剛性不銹鋼板 705:第二剛性不銹鋼板 707:聚對酞酸乙二酯片材 711:平行板距離 717基於玻璃之基板 901,1001,2301,2401:薄膜 255,256a,263,903,1003,2229:第一主表面 256b,257,265,905,1005:第二主表面 907,1007,2307:層 919,1019:薄膜厚度 1301,1303,1305,1307,1309,1311,1313,1315,1317,1319,1321,1323,1325,1327:步驟 1100:消費電子裝置 1102:外殼 1104:前表面 1106:後表面 1108:側表面 1110:顯示器 1112:覆蓋基板 1302,1304,1306,1310,1312,1314,1316,1318,1320,1322:箭頭 1401:液體 1403:容器 1501:游離表面 1503:施加器 1505:方向 1507:均勻厚度 1601,2201:烘箱 2203:真空容器 2211:第一支撐件 2215,2223:第三表面 2217:第一離型紙 2221:第二支撐件 2227:第二離型紙 2311:另一離型紙 2405:第八主表面 2407:第二另一層 2411:第二另一離型紙 2413:釋放表面 2601:落筆測試 2603:圓珠筆 2605:碳化鎢圓珠筆尖 2609:預定高度
當參照附圖閱讀以下詳細描述時，可更好地理解本揭示案之上述及其他特徵及優點，其中：
第1圖為根據本揭示案之態樣的呈平面組態之例示性積層的示意性透視圖，其中折疊組態之示意性透視圖可如第6圖中所示；
第2圖至第4圖為根據本揭示案之態樣的沿第1圖之線2-2之積層的橫截面圖；
第5圖為根據本揭示案之態樣的用於決定平行板距離之測試設備的橫截面圖；
第6圖為根據本揭示案之態樣的呈折疊組態之另一例示性積層的示意性透視圖，其中平坦組態之示意性透視圖可如第1圖中所示；
第7圖至第8圖為根據本揭示案之態樣的沿第6圖之線7-7的呈折疊組態之例示性積層的橫截面圖；
第9-10圖為根據本揭示案之態樣的薄膜之橫截面圖；
第11圖為根據本揭示案之態樣的例示性消費電子裝置之示意性平面圖；
第12圖為第11圖之例示性消費電子裝置之示意性透視圖；
第13圖為說明根據本揭示案之態樣製造積層之例示性方法的流程圖；
第14圖至第25圖示意性說明了製造積層之方法中之步驟；以及
第26圖為落筆設備之示意性透視圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
101,301,401:積層
102:折疊軸
103:寬度
104,106,111:方向
105:長度
107:中心軸
109:折疊平面
2-2:線

Claims (20)

  1. 一種積層，其包含： 一薄膜，該薄膜包含一第一主表面及與該第一主表面相對的一第二主表面，界定於該第一主表面與該第二主表面之間的一薄膜厚度，該薄膜厚度在約5微米至約400微米之一範圍內，該薄膜包含有包含位於兩種第二嵌段之間的一第一嵌段的一三嵌段共聚物，該第一嵌段接枝有一第一官能基，該第一嵌段包含約0℃或更低之一第一玻璃轉移溫度Tg1，該兩種第二嵌段各自包含約50℃或更高之一玻璃轉移溫度Tg，該兩種第二嵌段之一組合重量在該三嵌段共聚物之約10重量%至約50重量%的一範圍內，且在589奈米下該薄膜包含在約1.48至約1.55之一範圍內的一折射率；以及 一基板，該基板包含一第三主表面及與該第三主表面相對的一第四主表面，界定於該第三主表面與該第四主表面之間的一基板厚度，且將該薄膜佈置於該基板上方。
  2. 如請求項1所述之積層，其進一步包含將該薄膜之該第二主表面附著至該基板之該第三主表面的一矽烷偶合劑。
  3. 如請求項1所述之積層，其中在589奈米下該薄膜之該折射率在約1.498至約1.502之一範圍內。
  4. 如請求項1所述之積層，其中該兩種第二嵌段之該組合重量在該三嵌段共聚物之約13重量%至約30重量%的一範圍內。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之積層，其中該等第二嵌段中之一者或兩者選自由以下組成之群：聚苯乙烯、聚(乙烯基吡啶)、聚(乙烯基苯酚)、聚(對酞酸乙二酯)、聚碸、聚對二甲苯、聚苯醚、聚芳酯、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚甲基丙烯酸、聚(丙烯酸)、聚甲基丙烯醯胺、聚丙烯醯胺、聚丙烯腈及其衍生物。
  6. 如請求項1至4中任一項所述之積層，其中該第一嵌段選自由以下組成之群：聚丁二烯、聚丁烯、聚異丁烯、聚異戊二烯、聚(乙烯-共-丁烯)、聚(乙烯-共-丁烯-共-苯乙烯)、聚(乙烯-共-丙烯)及其組合。
  7. 如請求項1至4中任一項所述之積層，其中該第一官能基選自由以下組成之群：酸酐、丙烯酸酯、異氰酸酯、順丁烯二酸酯及矽烷。
  8. 如請求項1至4中任一項所述之積層，其中該第一官能基之一重量在該三嵌段共聚物之約0.5重量%至約2重量%的一範圍內。
  9. 如請求項1至4中任一項所述之積層，其中該三嵌段共聚物包含複數種三嵌段共聚物，該複數種三嵌段共聚物之一第一三嵌段共聚物包含大於該複數種三嵌段共聚物之一第二三嵌段共聚物之該兩種第二嵌段的一第二組合重量的該兩種第二嵌段之一第一組合重量。
  10. 如請求項1至4中任一項所述之積層，其中該薄膜在一60℃、90%相對濕度環境中保持120小時後具有約0.5或更低的一色差。
  11. 如請求項1至4中任一項所述之積層，其中形成時之薄膜與在一60℃、90%相對濕度環境中保持240小時後之該薄膜之間的一CIE L*值之一絕對差為約1或更低。
  12. 如請求項1至4中任一項所述之積層，其中該薄膜在一65℃、70%相對濕度環境中保持10天後，在一搭接剪切試驗中具有約1兆帕或更高之一剪切強度。
  13. 如請求項1至4中任一項所述之積層，其中該薄膜進一步包含一抗氧化劑。
  14. 一種由一薄膜形成一積層的方法，該薄膜包含一第一主表面及與該第一主表面相對的一第二主表面、界定於該第一主表面與該第二主表面之間的在約5微米至約400微米之一範圍內的一薄膜厚度，該方法包括以下步驟： 將該薄膜之該第二主表面佈置於一基板之一第三主表面上方，該基板包含與該第三主表面相對的一第四主表面及界定於該第三主表面與該第四主表面之間的一基板厚度； 將一第一釋放層施加於該薄膜之該第一主表面上方且將一第二釋放層施加於該基板之該第四主表面上方； 將該薄膜及該基板置放於一真空容器中； 將該薄膜及該基板在約40℃至約100℃之一範圍內的一第一溫度下加熱約10分鐘至約8小時之一範圍內的一時間；並且 將該薄膜及該基板在約150℃至約250℃之一範圍內的一第二溫度及約1.0兆帕至約1.5兆帕之一範圍內的一表壓下加熱約30分鐘至約2小時之一範圍內的一時間以形成該積層。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該薄膜包含有包含位於兩種第二嵌段之間的一第一嵌段的一三嵌段共聚物，該第一嵌段接枝有一第一官能基，該第一嵌段包含約0℃或更低之一第一玻璃轉移溫度Tg1，該兩種第二嵌段各自包含約50℃或更高之一玻璃轉移溫度Tg，且該兩種第二嵌段之一組合重量在該三嵌段共聚物之約10重量%至約50重量%的一範圍內。
  16. 如請求項14所述之方法，其中該等第二嵌段中之一者或兩者選自由以下組成之群：聚苯乙烯、聚(乙烯基吡啶)、聚(乙烯基苯酚)、聚(對酞酸乙二酯)、聚碸、聚對二甲苯、聚苯醚、聚芳酯、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚甲基丙烯酸、聚(丙烯酸)、聚甲基丙烯醯胺、聚丙烯醯胺、聚丙烯腈及其衍生物。
  17. 如請求項14所述之方法，其中該第一嵌段選自由以下組成之群：聚丁二烯、聚丁烯、聚異丁烯、聚異戊二烯、聚(乙烯-共-丁烯)、聚(乙烯-共-丁烯-共-苯乙烯)、聚(乙烯-共-丙烯)及其組合。
  18. 如請求項14至17中任一項所述之方法，其中該第一官能基選自由以下組成之群：酸酐、丙烯酸酯、異氰酸酯、順丁烯二酸酯及矽烷。
  19. 如請求項14至17中任一項所述之方法，其中該第一官能基之一重量在該三嵌段共聚物之約0.5重量%至約2重量%的一範圍內。
  20. 如請求項14至17中任一項所述之方法，其中該基板包含一基於玻璃之基板及/或一基於陶瓷之基板。
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