TW202239297A - 超密度低輪廓的邊緣卡連接器 - Google Patents

Abstract

本發明藉由使用與產業當前所使用（衝壓及模製）的方案不同的技術方案來增加互連密度。藉由使用一基於MEMS的技術方案，可進行更佳的幾何結構及阻抗控制以減小阻抗不連續性及特徵尺寸。額外概念包括低連接器插入力、無接觸擦拭及連接器觸點與配對基板上之連接器觸點之間的精確對準機構。

Description

超密度低輪廓的邊緣卡連接器

本申請案係關於一種超密度低輪廓且高頻寬的邊緣卡連接器。

本申請案主張2018年9月4日申請之美國專利申請案第62/726,833號、2018年9月5日申請之美國專利申請案第62/727,227號及2019年3月1日申請之美國專利申請案第62/812,492號之優先權，這些申請案中之每一者之揭示內容如其全文在本文中闡述一般以引用之方式併入本文中。

在網路流量成長之無止境的需求中，特殊應用積體電路（application specific integrated circuit；ASIC）開關、場可程式閘陣列（Field programmable gate array；FPGA）或微處理器正提昇其輸入/輸出（input/output；IO）頻寬能力及頻道計數。同時，電晶體大小變得愈來愈小，其中目前先進技術節點處理自12 nm下降至7 nm。因此，ASIC晶粒大小保持幾乎恆定，但其IO密度大幅度增加。隨後，難題變為產生電氣（亦即，雙軸電纜）或光學介面，該等電氣或光學介面足夠緻密（＜0.5 mm電接觸間距，＜2 mm頻道密度）以諸如每頻道112 Gbps之超高速攜載所有此等頻道（512個頻道）。

需要能夠進行配對及不配對之連接器，其可支持高頻寬電信號且在個別信號頻道之間具有高密度，亦即小間隔。連接器需要為緊密的，使得其佔據空間之最小值，從而允許與其他電子組件及輔助元件（諸如可為系統操作期間之冷卻所需的散熱片）簡單整合。

在本發明之一個態樣中，高密度的邊緣卡電連接器可包括順應電路，該順應電路具有形成於可撓性基板之表面上之導電跡線。電連接器可進一步具有壓縮板，該壓縮板被配置以使順應電路抵靠基板上之電接觸墊以形成電接觸與順應電路之間的電連接，由此定義電連接器與基板之間的可分離介面。

在本發明之另一態樣中，一種互連系統可被配置以使得延伸卡與ASIC封裝基板電連通，該互連系統包括延伸卡之延伸卡基板與ASIC封裝基板之間的可分離介面。

在本發明之另一態樣中，一種電連接器可包括具有接觸墊之順應電路，該等接觸墊以小於約0.5 mm之接觸間距沿一列方向彼此間隔開。

在本發明之另一態樣中，一種用於互連系統之鎖定機構，該互連系統可包括安裝於印刷電路板之邊緣上之電連接器。互連系統可進一步包括支撐基板之主體印刷電路板，其中基板可與連接器配對及不配對。鎖定機構可安裝於主體印刷電路板上，且可允許在連接器至基板之插入方向上之自由運動，但禁止在回縮方向上之運動，其中鎖定機構並不限制印刷電路板在至少一個方向上之位置。

在本發明之另一態樣中，一種互連系統包括：延伸卡基板，其定義沿橫向方向之頂部表面及與該頂部表面相對之底部表面；及電接觸墊，其沿延伸卡基板之在頂部及底部表面兩者上之邊緣安置且沿一列方向配置。互連系統可進一步包括安裝至頂部表面之頂部對準塊，其中頂部對準塊沿延伸卡基板之在頂部表面上之邊緣，其中頂部對準塊在延伸卡基板之頂部表面上與接觸墊機械對準。互連系統可進一步包括底部對準塊，該底部對準塊沿延伸卡基板之在底部表面上之邊緣安裝，其中底部對準塊在延伸卡基板之底部表面上與接觸墊機械對準。

在本發明之另一態樣中，互連系統可包括安裝至第一印刷電路板之電連接器，該第一印刷電路板具有厚度。互連系統可進一步包括頂部及底部順應電路，其安裝至印刷電路板且分別安置於第一印刷電路板之頂部及第一印刷電路板之底部上，其中該兩個順應電路之前邊緣之間的開口大於或等於第一印刷電路板之厚度。

在本發明之另一態樣中，一種電互連系統可包括IC封裝，該IC封裝具有IC基板及安裝至該IC基板之IC晶粒，其中該IC基板定義相對之頂部及底部表面，且該IC封裝安裝至主體基板。互連系統可進一步包括電連接器，該電連接器具有與IC基板之相對之頂部及底部表面電連通之電導體，以便在無需首先將電氣路徑佈線穿過主體基板的情況下在電連接器與IC封裝之間建立該路徑。

在本發明之另一態樣中，一種光學收發器可包括：插入件，其定義頂部表面及底部表面；及光學纖維，其藉由頂部表面及底部表面中之一者支撐。光學收發器可進一步包括光學引擎，其藉由頂部表面及底部表面中之另一者支撐，該光學引擎包含至少一個光源、至少一個光源驅動器、至少一個光偵測器及電流電壓轉換器。

在本發明之另一態樣中，且IC封裝可包括：IC晶粒；IC封裝基板，其具有在其上安裝有IC晶粒之頂部表面、相對底部表面及定義IC封裝之周長之四個邊緣，其中該IC封裝基板之至少一個邊緣具有鄰近於IC封裝基板之頂部或底部表面中之至少一者上之至少一個邊緣分佈的電觸點列。

在本發明之另一態樣中，一種IC封裝可包括：IC晶粒；矩形IC封裝基板，其具有在其上安裝有IC晶粒之頂部表面及相對底部表面，及定義IC封裝之周長之四個邊緣。IC封裝可進一步包括電連接器，該電連接器鄰近於IC封裝基板之邊緣安裝。

本發明係關於一種超密度（＜0.3 mm間距）低輪廓且高頻寬的邊緣卡連接器。另外，此互連方案允許邊緣卡連接器與低插入力、墊與觸點之間的減少的或無擦拭影響以及極低短線影響（其使信號完整性不連續性及劣化最小化）的連接。代表性但非限制性的電接觸間距可具有小於或等於約0.5 mm電接觸間距從而導致小於2 mm之頻道密度的電接觸間距。可存在進入及來自ASIC封裝體之512個頻道，每一頻道以超高速操作，諸如在不超過6%異步最差狀況多作用串話之情況下每頻道112 Gbps。

首先參看圖1至2，資料通信系統20可包括積體電路（integrated circuit；IC）封裝22、與IC封裝22電連通之至少一個資料通信裝置24，及主體基板25。主體基板25可被配置為主體印刷電路板（printed circuit board；PCB）。至少一個資料通信裝置24可被配置為至少一個延伸卡27。如將在下文更詳細地描述，至少一個延伸卡27可與IC封裝22直接配對。亦即，當延伸卡27與IC封裝22配對時，電氣路徑在延伸卡27與IC封裝22之間建立而無需首先行進經過主體基板25。IC封裝22可安裝至主體基板25，以便使得IC封裝與主體基板25電連通。特定而言，資料通信系統20可包括插口30，其安裝至底層主體基板25。插口30可被配置為平台柵格陣列（land grid array；LGA）插口。IC封裝22可安裝至插口30，以便因此將IC封裝22安裝至主體基板25。

IC封裝22可包括IC封裝基板32及安裝於IC封裝基板32上之IC晶粒34。IC封裝22可進一步包括複數個串聯器/解串器（serializer/deserializer；SerDes）晶粒23。IC封裝22可進一步包括IC封裝蓋21，其與IC晶粒34熱接觸且在操作期間促進自IC晶粒34之熱傳遞。當IC封裝22安裝至插口30時，IC晶粒34與主體基板25電連通。在一些實例中，（IC）封裝22可被配置為特殊應用積體電路（ASIC）封裝22。因此，IC晶粒34可被配置為ASIC晶粒34，且IC封裝基板32可稱為ASIC封裝基板32。儘管在下文參考包括ASIC晶粒34及ASIC封裝基板32之ASIC封裝22，但應認識到，ASIC封裝22及其ASIC組件可另外稱為IC封裝及其IC組件。ASIC封裝基板32可定義複數個邊緣28。邊緣28可包括沿縱向方向L彼此相對之第一縱向邊緣29a及第二縱向邊緣29b。邊緣28可進一步包括沿垂直於縱向方向L之側向方向A彼此相對之第一側向邊緣31a及第二側向邊緣31b。側向邊緣31a及31b可自第一縱向邊緣29a延伸至第二縱向邊緣29b。側向邊緣31a至31b可垂直於縱向邊緣29a至29b定向，使得ASIC封裝基板32可定義一矩形形狀。

ASIC封裝基板32可定義沿橫向方向T彼此相對之第一表面33a及第二表面33b，該橫向方向T垂直於縱向方向L及側向方向A中之每一者。第一表面33a可安置於第二表面33b上方，且因此可稱為頂部表面。第二表面33b可被配置為底部表面33b。本文中所揭示之所有基板可類似地定義沿橫向方向T之頂部表面及與該頂部表面相對之底部表面。主體基板25之頂部表面可面向ASIC封裝基板32之底部表面33b。主體基板25之頂部表面可面向延伸卡27之底部表面。此外，本文中所揭示之所有基板可包括沿縱向方向L彼此相對之縱向邊緣，及沿側向方向A彼此相對之側向邊緣。

ASIC晶粒34可因此經由LGA插口30與主體基板25電連通。ASIC封裝22可包括複數個電導體，該複數個電導體被配置以與互補電組件之互補電導體配對。在一個實例中，電導體被配置為藉由第一表面33a及第二表面33b中之一者或兩者攜載之電接觸墊38。舉例而言，接觸墊38可安置於ASIC封裝基板32之邊緣29a至29b及31a至31b中之一或多者至所有處。互補電組件可被配置為至少一個電連接器26。至少一個電連接器26可安裝至延伸卡27。電連接器26可被配置為邊緣卡連接器。

電連接器26包括電絕緣連接器外殼40及藉由連接器外殼40支撐之複數個電觸點。如在下文將瞭解，電連接器26之電觸點可由至少一個順應電路68（參看圖5）定義。連接器外殼40可定義插座42（參看圖3），其被配置以容納邊緣29a至29b及31a至31b中之一者，以便使電觸點與ASIC封裝基板32之邊緣中之一者處的電接觸墊38中之各別者配對，由此亦將各別延伸卡27配對至ASIC封裝。因此，應瞭解，電連接器26可與IC封裝22直接配對。亦即，當電連接器26與IC封裝22（且特定言之與IC封裝基板32）配對時，在無需首先將電氣路徑佈線穿過主體基板25的情況下在電連接器與IC封裝22之間建立該路徑。

安裝至複數個不同延伸卡27之電連接器26可配對至ASIC封裝基板32之不同邊緣28。舉例而言，安裝至三個不同延伸卡27之電連接器26可分別配對至ASIC封裝基板32之三個邊緣。一或多個電連接器26可安裝至每一延伸卡27且與ASIC封裝基板32之邊緣中之一各別者配對。視需要，ASIC封裝基板32之第四邊緣可為不連接的。LGA插口30可攜載電力供應及低速控制信號至ASIC封裝22。電連接器26可支持高速信號。如上文所描述，電連接器可安裝至支持不同高速電子組件以及支持不同類型之傳輸介質的各別延伸卡27，該等不同高速電子組件諸如記憶體、微處理器、場可程式閘陣列（FPGA）、圖形處理單元（graphics processing unit；GPU）。

延伸卡27可採用諸多形式，該等形式包括（但不限於）：1）電延伸卡27a，其中電力電纜44（諸如雙軸電纜）安裝至該電延伸卡；2）光學多模（multi-mode；MM）延伸卡27b，其中具有多模光學引擎46之一或多個光學收發器116安裝至該光學多模延伸卡；及3）光學單模（optical single-mode；SM）延伸卡27c，其中具有單模光學引擎48之一或多個光學收發器117安裝至該光學單模延伸卡。此等光學引擎可為基於矽光子之光學引擎。電力電纜44及光學收發器116及117可稱為資料通信裝置之實例。然而，藉由延伸卡27支撐之資料通信裝置不限於所展示的電力電纜44及光學收發器116及117。

可將電延伸卡27a視為被動延伸卡，然而可將光學MM延伸卡27a及光學SM延伸卡27b視為主動延伸卡。被動與主動延伸卡之間的差異為主動延伸卡通常包括用於電力供應及控制信號之額外電觸點，且主動延伸卡可進一步包括增強或清除高速信號之電子晶片。此等連接可藉由安裝於PCB上之次級低速連接器供應。主動延伸卡亦可包括光至電轉換元件或電至光轉換元件。

可經由主體基板25上之次級低速連接器50作出對延伸卡27之低速電連接，該次級低速連接器與延伸卡27之底部表面上之電連接器配對。可取決於延伸卡27之組態而自主體基板25移除此低速連接器。延伸卡27a可包括沿延伸卡之頂部及底部表面中之一者或兩者延伸之電力電纜。當電力電纜沿延伸卡27a之底部延伸時，電力電纜可干擾應存在於主體基板25上之次級低速連接器。因此，在一些實例中，若電子驅動器安裝至延伸卡27a以便延伸其範圍，則電延伸卡27a可被配置為主動延伸卡。

現參看圖3，且如上文所描述，ASIC封裝基板32可包括沿邊緣28中之一或多者支撐於第一表面33a及第二表面33b中之一者或兩者上的複數個接觸墊38。接觸墊38可為緻密的。舉例而言，接觸墊38可沿各別列方向37配置，該各別列方向具有介於約0.2 mm至約0.3 mm範圍內之接觸間距。延伸卡27支撐電連接器26，該電連接器定向為使得電連接器26之電觸點沿平行於延伸卡27之邊緣的列方向配置。延伸卡27之邊緣可鄰近於ASIC封裝基板32之各別邊緣28安置。如本文中所使用之術語「約」及「實質」以及其衍生詞應認識到，所參考之尺寸、大小、形狀、方向或其他參數可包括所陳述之尺寸、大小、形狀、方向或其他參數以及所陳述之尺寸、大小、形狀、方向或其他參數之至多達±20%，包括±10%、±5%及±2%。

根據本發明之一個態樣，電連接器26可維持沿橫向方向T之低輪廓，亦稱為高度。在一個實例中，電連接器26之高度可為約4 mm。在配對至ASIC封裝基板時在ASIC封裝基板32上方延伸之電連接器26之高度可小於或等於約1.5 mm。因此，在一個實例中，在配對至ASIC封裝基板時在ASIC封裝基板32上方延伸之電連接器26之高度可小於或等於約電連接器26之高度的一半。因此，電連接器26並不阻礙對ASIC封裝22之頂部之接入。資料通信系統20可包括熱耗散構件52（參看圖20B），該熱耗散構件可包括待安置於ASIC封裝22之頂部上的經空氣冷卻散熱片或經流體冷卻塊中之一者或兩者，從而促進ASIC封裝22之冷卻。資料通信系統20可進一步使對ASIC之封裝之任何技術干擾降至最低且維持矽晶粒供應商之當前生產方案。

繼續參看圖1至3，資料通信系統20可進一步包括可附接至延伸卡27之至少一個鎖定機構54。鎖定機構54可進一步安裝至主體基板25，由此相對於沿遠離ASIC封裝基板32之方向移動一距離而緊固延伸卡27，該距離在該延伸卡與該ASIC封裝基板配對後足以使延伸卡27與ASIC封裝基板32不配對。在一個實例中，鎖定機構54可實質上防止延伸卡27相對於主體基板25且因此相對於ASIC封裝基板32移動，如下文更詳細地描述。在一個實例中，鎖定機構54並不機械地限制延伸卡27，使得延伸卡27之定位由與電連接器26中之對準特徵配對的延伸卡27上之對準塊56（參看圖4）控制，如下文更詳細地描述。

現參看圖3至4，延伸卡27可被配置為具有前邊緣60的延伸卡基板58。延伸卡基板58可被配置為延伸卡PCB。延伸卡27可包括沿延伸卡基板58之前邊緣60延伸的複數個電接觸墊57。基板58可為有機材料、玻璃、陶瓷或其他絕緣材料。電接觸墊57可配置成沿列方向延伸之一或多個列之群組，且可定位於延伸卡27之頂部及底部表面兩者上。延伸卡27可進一步包括沿前邊緣60之對準構件62。對準構件62可被配置為延伸卡基板58中之對準凹口63。對準構件62可實質上相對於延伸卡基板58之前邊緣60集中。此外，對準凹口63可大於對準塊56中之狹槽。對準塊56可接近於延伸卡基板58之前邊緣60安裝。延伸卡27可包括延伸卡基板58之頂部表面上及延伸卡基板58之底部表面上之至少一個對準塊56。類似地，ASIC封裝基板32可包括至少一個對準塊56。ASIC封裝可包括ASIC封裝基板32之頂部表面33a上之至少一個對準塊56以及ASIC封裝基板32之下部表面33b上之至少一個對準塊。

用於對準塊56之對準墊64可安置於延伸卡基板58之頂部及底部兩者上之接觸墊57之相鄰群組之間。可在相同處理步驟期間在延伸卡基板58上製造對準墊64及接觸墊57，因此其相對於彼此精確地定位。處理步驟可為光微影處理步驟。在光微影處理步驟期間應可得到小於約10微米之尺寸容差。接觸墊57可被配置為適合於進行焊料連接之回流焊墊，或可被配置以用於超音波、熱超音或任何合適之其他類型的結合，其在順應電路68（參看圖5）上在接觸墊57與導電跡線66之間產生低阻抗電氣路徑及機械結合。

至少一個順應電路68可因此機械地且電力地附接至延伸卡基板58。舉例而言，至少一個順應電路68可機械地且電力地附接至延伸卡基板58之頂部表面。在一個實例中，一對順應電路68可以並列配置機械地且電力地附接至延伸卡基板58之頂部表面。此外，至少一個順應電路68可機械地且電力地附接至延伸卡基板58之底部表面。在一個實例中，一對順應電路68可以並列配置機械地且電力地附接至延伸卡基板58之底部表面。

對準塊56可緊固至對準墊64，由此將對準塊56安裝至延伸卡基板58。舉例而言，可使用表面安裝技術（surface mount technology；SMT）組裝製程將對準塊56緊固至對準墊64，該表面安裝技術組裝製程可具有介於約10微米至約50微米，諸如自約30微米至約35微米範圍內之精確度。可替代地，可使用晶粒結合製程將對準塊56緊固至對準墊64，該晶粒結合製程可具有介於約1微米至約5微米範圍內之精確度。應瞭解，任何合適之替代方法可用於將對準塊56緊固至延伸卡基板58。對準塊56與延伸卡27之接觸墊57的對準可在一容差內，該容差在接觸墊寬度之5%、10%或20%內。此對準容差可為約若干微米至數十微米。因此，對準塊可與接觸墊57精確地對準，此以及本發明之其他態樣可允許沿一各別列之複數個接觸墊57中之接觸墊57之間的小於約0.3 mm之小接觸間距，該各別列沿列方向定向。延伸卡基板58可進一步包括至少一個固持器構件，該至少一個固持器構件可被配置為固持器凹口70，其被配置以容納安裝至延伸卡27之電連接器26的互補固持器構件。舉例而言，延伸卡基板58可包括在延伸卡基板58之相對邊緣中之每一者中的固持器凹口70。具有接觸墊57之延伸卡基板58之前邊緣可在延伸卡基板58之相對邊緣之間延伸。

現參看圖5，順應電路68可經焊接或永久地附接至延伸卡基板58，由此將延伸卡27安裝至電連接器26。順應電路68可包括薄介電基板72，諸如有機或玻璃基板。基板72且因此順應電路68可為可撓性的，且可在其未撓曲條件下為實質上平面的。可替代地，基板72可具有某一設定之捲曲或其他非平面形狀。順應電路68可經金屬化，以便定義基板72之第一主表面76a上的導電跡線74。導電跡線74可橫跨可撓性基板72之實質上整個長度。在一個實例中，導電跡線74之長度可為約6 mm，但應瞭解，可使用更長或更短跡線長度。沿橫向方向T之與第一主表面76a相對的第二主表面76b可經金屬化以形成接地平面。導電跡線74可包括信號跡線S，其可成對配置以形成適合於傳輸高頻寬電信號之差分信號對79。差分信號對79可經配置為共平面電波導結構。導電跡線可包括安置於信號跡線之相鄰者之間的至少一個接地跡線G。

順應電路68之可撓性允許在ASIC封裝基板32插入至電連接器26中時順應電路68接觸ASIC封裝基板32之電接觸墊38，且順應電路68藉由下文描述之電連接器26之結構向內彎曲。此外，當順應電路68與ASIC封裝基板32之間進行電連接時，沿順應電路68之邊緣的個別導電跡線74可沿橫向方向T位置上變化以符合ASIC封裝基板32之高度或直度中的變化。此亦允許具有不同厚度之基板在電連接器26之相對側面上彼此電連通。

導電跡線74可在適合於焊接至如上文所描述之延伸卡基板58之回流墊的第一電接觸墊75處沿順應電路68之一個邊緣端接。視需要，焊料遮罩可在焊接製程期間覆蓋順應電路68。隨後可移除遮罩。焊接為可用於提供順應電路68與延伸卡基板58之間的永久電及機械連接之若干方法中之一者。可使用金錫焊料來形成此連接，但可使用其他類型之焊料，諸如（但不限於）SnAgCu。導電跡線74之相對末端可在適合於與ASIC封裝基板32之配對導電接觸墊38電連接的第二電接觸墊77處端接。電接觸墊75及77可為順應的，或可為具有30至50微米之高度的延性導電凸塊。此允許進一步適應ASIC封裝基板接觸墊38中之任何高度變化。在一些實施例中，接觸墊77並不具有可與電跡線區分之幾何結構，且由電跡線之各別末端定義。因此應瞭解，電連接器26可包括複數個電導體。電導體可由導電跡線、電接觸墊75及電接觸墊77中之一或多者定義。電接觸墊75可稱為第一電接觸墊，且電接觸墊77可稱為第二電接觸墊。當然，應瞭解，電連接器26可視需要包括任何合適之替代經建構電導體，該等電導體被配置以使得ASIC基板32與延伸卡基板58電連通。

應瞭解，在一個實例中，個別接觸墊75及77可皆藉由可撓性基板72彼此機械連接。此消除可另外致使電連接器26不可操作的單一彎曲指狀件之問題。由於順應電路接觸墊75及77在可撓性電路上，因此接觸墊75及77不必在與另一基板配對時以直線配置。順應電路68可撓曲以適應配對基板中之彎曲或變形。

現參看圖6，邊緣卡連接器26可包括至少一個順應電路68、至少一個壓縮板78、芯體80及閂鎖體82。順應電路68可包括與如上文所描述之延伸卡27之導電墊57電連通的導電跡線74（圖5）。至少一個順應電路68可安裝至延伸卡基板58。舉例而言，至少一個順應電路68可安裝至延伸卡基板58之頂部表面，且至少一個順應電路68可安裝至延伸卡基板58之底部表面。在一個實例中，第一對順應電路68可安裝至延伸卡基板58之頂部表面，且第二對順應電路68可安裝至延伸卡基板58之底部表面。為清晰起見，未展示其他電元件安裝至延伸卡基板58，但實際上可安裝各種電元件。亦即，延伸卡27可經預組裝，且可包括具有已藉由焊接或適合之替代附接安裝於卡上之各種電子組件的基板。

芯體80可由可撓性電絕緣材料形成，該可撓性電絕緣材料諸如塑膠。芯體80可裝配於順應電路68及延伸卡基板58上方。芯體80可進一步包括一或多個固持器構件，該一或多個固持器構件被配置以耦接至延伸卡基板58之固持器構件。舉例而言，芯體80可包括容納於延伸卡基板58之固持器凹口70（參看圖4）中的固持器凸出部，由此將芯體80閂鎖至延伸卡基板58。至少一個壓縮板78可包括：至少一個頂部壓縮板，諸如一對頂部壓縮板；及至少一個底部壓縮板，諸如一對底部壓縮板。壓縮板78可由任何合適之順應材料形成，該柔性材料諸如金屬。壓縮板78中之每一者可定義前部末端及與該前部末端相對之後部末端。壓縮板78中之每一者可包括在其前部末端處之複數個彈簧84。壓縮板78中之每一者亦可包括在其後部末端處之接合瓣71。頂部凹口88可定義於頂部壓縮板78之間，且底部凹口可定義於底部壓縮板78之間。壓縮板78被配置以裝配於芯體80及順應電路68上方，使得每一順應電路68具有其自身壓縮板78。閂鎖體82被配置以裝配於壓縮板78上方。接合瓣71被配置以在閂鎖體82已裝配於壓縮板78上方時防止閂鎖體82與連接器26之其餘部分脫離。

用於將電連接器26安裝至延伸卡27之方法可包括將順應電路68附接至延伸卡27。舉例而言，順應電路68可焊接至鄰近於前部末端之延伸卡27的頂部及底部表面，使得順應電路68之接觸墊75（參看圖5）安裝至延伸卡27之接觸墊57（參看圖4）中之各別者。壓縮板78可安裝至芯體80。具有焊接至其中之順應電路68的延伸卡27可插入至芯體80中，由此定義子總成。閂鎖體82可隨後安裝至子總成，由此完成延伸卡27之總成。特定而言，閂鎖體82安裝於壓縮板78及芯體80上方。

因此，如圖7中所說明，閂鎖體82形成電連接器26之大部分之外部表面。閂鎖體82可定義插座42，ASIC封裝基板32可插入至該插座中。然而，應認識到任何所需基板可插入至插座42中。閂鎖體82亦可包括延伸穿過閂鎖體82之頂部及底部的脫離孔81（參看圖6），其允許視需要自芯體80移除閂鎖體82。脫離孔81可與位於閂鎖體82內部之接合瓣71中之各別者對準。

接合瓣71可安置於壓縮板78之各別向外表面上。接合瓣71可經由閂鎖體82（參看圖6）中之脫離孔81接入。當ASIC封裝基板32插入於連接器26中且連接器26處於其閉合或夾持位置中時，壓縮板78對順應電路68（參看圖6）施加壓縮力，由此按壓順應電路68抵靠ASIC封裝基板32。壓縮力可為實質上均一的。

由壓縮板78定義之凹口88被配置以容納芯體80之各別突起92，以便限制芯體選擇性地朝向及遠離ASIC封裝基板32（亦參看圖3）之移動。特定而言，凹口88可各自定義軌道91，突起92隨著芯體選擇性地朝向及遠離ASIC封裝基板32平移而沿該軌道平移。突起92接觸壓縮板之表面，其在芯體80已朝向ASIC封裝基板32達至行進界限時定義軌道91之第一末端。突起92接觸壓縮板之表面，其在芯體80已遠離ASIC封裝基板32達至行進界限時定義軌道91之相對第二末端。儘管在一個實例中，壓縮板78定義凹口88及對應軌道91，且芯體80定義突起92，但在其他實例中，壓縮板78可定義突起92且芯體80可定義軌道91。

現參看圖8A至8B，展示延伸卡基板58與ASIC封裝基板32之間的電連接之截面圖。至少一個頂部順應電路68機械地且電力地連接至延伸卡基板58之頂部表面。舉例而言，一對頂部順應電路機械地且電力地連接至延伸卡基板58之頂部表面。至少一個底部順應電路68電力地連接至延伸卡基板58之底部表面。舉例而言，一對底部順應電路機械地且電力地連接至延伸卡基板58之底部表面。

在圖8A中所展示之斷開位置中，頂部及底部順應電路68可定向為實質上分別平行於延伸卡基板58之頂部及底部表面。可替代地，頂部及底部順應電路68可分別遠離ASIC封裝基板32之頂部及底部表面略微捲曲。因此，順應電路68沿橫向方向之前邊緣之間的間隙大於ASIC封裝基板32之厚度。在圖8B中所展示之閉合位置中，每一順應電路68朝向ASIC封裝基板32沿橫向方向向內偏轉。在閉合位置中，順應電路68之電跡線74（參看圖5）置於與ASIC封裝基板32之接觸墊38電接觸之電連通中，由此將電連接器26配對至ASIC封裝基板32。特定而言，電跡線74（參看圖5）之電接觸墊與ASIC封裝基板32之接觸墊38電連通。因此，在閉合或夾持位置中，順應電路68在ASIC封裝基板32上之接觸墊38與延伸卡基板58之接觸墊57之間形成連續電氣路徑。

電連接器26之各種組件，諸如壓縮板78及閂鎖體82可促進相對於ASIC封裝基板32之順應電路68之斷開及夾持。特定而言，壓縮板78之彈簧84（參看圖6）被配置以偏置順應電路68抵靠ASIC封裝基板32。彈簧84可定形以便在延伸卡基板58與ASIC封裝基板32之間的位置處彎曲順應電路68，且使順應電路68抵靠ASIC封裝基板32。在一個實例中，延伸卡27與ASIC封裝基板系統之電連接可被配置以不具有導電短線，由此改良信號完整性，其在高頻寬資料傳輸速度下可尤其適用。

此外，ASIC封裝基板32之接觸墊38及延伸卡基板58之接觸墊57在其與順應電路68電連通時不經歷擦拭。當順應電路68安裝至延伸卡基板58時，延伸卡基板58之接觸墊57並不針對順應電路68擦拭。此外，當順應電路68配對至ASIC封裝基板32時，ASIC封裝基板32之接觸墊38並不針對順應電路68擦拭。在一些實例中，此減少配對及不配對操作期間之觸點的磨損。此外，在一些實例中，接觸墊38及57在配對/不配對方向上不經歷機械負載。此允許接觸墊38及57大小設定為更小且比習知觸點更緊密地置放在一起，此係由於其並不需要承受與擦拭相關聯之機械負載。安裝至延伸卡基板58且與ASIC封裝基板32配對之順應電路68可定義所得連接系統，該所得連接系統可稱為「零插入力」連接系統。

現參看圖9A至9C，電連接器被配置以使得延伸卡基板58與ASIC封裝基板32電連通。特定而言，延伸卡基板58在各別插入方向上插入至電連接器26中。延伸卡基板58之前邊緣60相對於插入方向定義前邊緣。

如上文所描述，電連接器26可包括閂鎖體82、可定義具有插座42之連接器外殼的芯體80、壓縮板78及順應電路68。插座42被配置以在ASIC封裝基板32配對至電連接器26時容納ASIC封裝基板32。就此而言，插座42可稱為配對插座。儘管在一個實例中，配對插座42容納ASIC封裝基板32且延伸卡基板58安裝至電連接器26，但在另一實例中，配對插座42可容納延伸卡基板58且ASIC封裝基板32可安裝至電連接器26。因此，電連接器26可安裝至ASIC封裝基板32及延伸卡基板58中之一者，且電連接器可配對至ASIC封裝基板32及延伸卡基板58中之另一者。

如圖9A至9B中所說明，閂鎖體82展示為處於其「斷開」位置中，此允許ASIC封裝基板58待平移至連接器26（參看圖7）中。在閂鎖體82之斷開位置中，順應電路68可自延伸卡27實質上筆直地延伸出，使得ASIC封裝基板32可在不接觸順應電路68的情況下插入至電連接器26中（參看圖9D）。可替代地，順應電路68可經製造為具有略微彎曲，使得頂部及底部順應電路68之間的開口大於延伸卡基板58之厚度。因此，ASIC封裝基板58可插入至電連接器26中，而不鄰接可另外防止ASIC封裝基板58之插入的順應電路68的前邊緣。

接著，電連接器26可移動至其閉合或夾持位置。特定而言，閂鎖體82可朝向延伸卡基板58平移以便將ASIC封裝基板32及電連接器26同時閂鎖在一起且將ASIC封裝基板32之接觸墊38夾持於順應電路68之間，由此將順應電路68配對至ASIC封裝基板32。就此而言，電連接器26可插入至插座42中且支撐為接近於延伸卡基板32之前邊緣60。ASIC封裝基板32具有電接觸墊，該等電接觸墊在ASIC封裝基板32之頂部及底部表面中之一者或兩者上沿ASIC封裝基板32之邊緣28中之一或多者延伸。如將在下文更詳細地描述，可防止自電連接器26移除延伸卡基板58。

在夾持製程中，閂鎖體82可朝向延伸卡基板58向後推動壓縮板78，由此使壓縮板78沿橫向方向T朝向彼此彈開，如圖9C及9E中所說明。沿壓縮板78之前邊緣的彈簧84可被配置以符合ASIC封裝基板32之頂部及底部表面之輪廓線。在一些實例中，彈簧84可被配置以ASIC封裝基板32之平坦度變化。因此，彈簧84按壓至順應電路68中，從而朝向ASIC封裝基板32沿橫向方向T使該等彈簧彼此向內。因此，順應電路68經夾持至ASIC封裝基板32，如圖8及9E中所展示。順應電路68及ASIC封裝基板32定義使得延伸卡27與ASIC封裝基板32且因此ASIC晶粒電連通之可分離介面。

ASIC封裝22、延伸卡27及電連接器26可定義互連系統，該互連系統允許具有沿橫向方向T之不同厚度之基板經由電連接器26彼此電連通。舉例而言，當ASIC封裝基板32具有沿橫向方向T的厚度時，順應電路68可連接至ASIC封裝基板32及延伸卡基板58，該厚度可在自大於沿橫向方向T之延伸卡基板58的厚度的約10%至小於沿橫向方向T之延伸卡基板58的厚度的約50%範圍內變化。在一個特定非限制性實例中，延伸卡基板58之厚度可為約1.6 mm，且ASIC封裝基板32之厚度可為約1.2 mm。因此，在一些實例中，ASIC封裝基板32之厚度可為約延伸卡基板58之厚度的75%。

如上文所描述，沿列方向之封裝基板32之接觸墊38、延伸卡27之接觸墊57及電連接器26之接觸墊75及77的接觸間距可小於約0.5 mm。舉例而言，接觸間距可在約0.2 mm至約0.5 mm範圍內變化。在一個實例中，接觸間距可在約0.2 mm至約0.3 mm範圍內變化。應認識到，當接觸間距小於約0.5 mm時，對於接觸墊之間的介面處之接觸墊對準提出新的難題。此類介面可定義於封裝基板之接觸墊38與順應電路68之（且因此電連接器26之）接觸墊77之間。此類介面亦可定義於延伸卡27之接觸墊57與順應電路68之（且因此電連接器26之）接觸墊75之間。

接觸墊之對準習知地通常取決於基板之佔據面積、基板頂部至底部金屬化層配準及延伸卡之附接機構。對準容差相對於接觸寬度或觸點至觸點間距必須較小，以確保互連系統之兩側上的觸點之間的穩固電連接。現參看圖10A至10B，本發明互連系統且因此資料通信系統20包括對準塊56，其精確地置放在ASIC封裝基板32及延伸卡基板58上。對準塊56可經由標準SMT生產工具精確地晶粒結合或回流焊接至ASIC封裝基板32及延伸卡基板58。基板32及58中之每一者可包括至少一個對準塊56。舉例而言，基板32及58中之每一者可包括其底部表面上之至少一個對準塊56及其頂部表面上之至少一個對準塊56。在一個實例中，基板32及58中之每一者可包括其頂部表面上之各別單一對準塊56及其底部表面上之各別單一對準塊56。如將自以下描述瞭解，頂部及底部表面兩者上之對準塊56可有助於補償基板32及58之頂部及底部表面上之金屬化層之間的可能偏移。

亦參看圖10A及10B，電連接器26被配置以使ASIC封裝基板32之接觸墊38與順應電路68之接觸墊75及77對準至延伸卡基板58之接觸墊57。特定而言，對於ASIC封裝基板32之頂部表面處之接觸墊38中之每一者與至少一個頂部順應電路68之接觸墊77之間的介面，且進一步對於ASIC封裝基板32之底部表面處之接觸墊38中之每一者與至少一個底部順應電路68之接觸墊77之間的介面，芯體80之至少一個順應對準結構被配置以沿列方向使ASIC封裝基板及延伸卡基板兩者上之頂部及底部金屬化之位置平均化，由此減少未對準幅度。

如上文所描述，對準塊56可安裝至ASIC封裝基板32及延伸卡基板58中之一者或兩者之頂部及底部表面兩者。對準塊56可包括對準特徵93，諸如狹槽94，其被配置以容納諸如芯體80之可撓性壁96的順應對準特徵95。舉例而言，可撓性壁96可自芯體80之表面延伸。可撓性壁96之末端可容納於對準塊56中之對準者之狹槽94中。就對準塊56並不與可撓性壁96極佳地對準而言，可撓性壁可彈性地變形或彎曲以便容納於狹槽94中，由此適應未對準。ASIC封裝基板32及延伸卡基板58將因此藉由由可撓性壁96賦予至對準塊56（且因此至延伸卡27）之彎曲力及由對準塊56施加至可撓性壁96之反作用力沿列方向經推動至各別位置。因此，可撓性壁96之彎曲力（且因此相關聯的彎曲）經平均化。因此，ASIC封裝基板32及延伸卡基板58沿列方向之相對於彼此之移動亦經平均化以使延伸卡基板58之接觸墊57與順應電路68之接觸墊75的未對準降至最低。此亦使ASIC封裝基板32之接觸墊38與延伸卡基板58之接觸墊57之間的總體未對準降至最低。

當然，應瞭解，芯體80之對準特徵可替代地被配置為狹槽，且對準塊56之對準特徵可被配置為可撓性壁，該可撓性壁被配置以容納於凹槽中。

在圖10B中所展示之一個實例中，沿列方向之第一未對準距離R _h存在於ASIC封裝基板32之頂部及底部接觸墊38之間。亦即，底部表面上之接觸墊38並不與頂部表面上之接觸墊38觸點極佳地對準，且不對準未對準距離R _h。類似地，延伸卡基板58之頂部表面上之頂部接觸墊57與延伸卡基板58之底部表面上之底部接觸墊57之間存在沿列方向之第二未對準距離R _p。包括ASIC封裝基板32之可分離介面之第一側面上的對準特徵及包括延伸卡27之可分離介面之第二側面上的對準特徵在兩個未對準距離R _h及R _p之間沿列方向以芯體80為中心。ASIC封裝基板32及延伸卡基板58之各別接觸墊之間的總未對準因此為未配準或R _總= (R _h+R _p)/2之平均值。ASIC封裝基板58及延伸卡基板32兩者上之頂部及底部接觸墊之間的最大未配準之典型值可為約37.5微米。設想若未配準具有相對的定向，則將出現非限制性最差狀況未對準。亦即，底部接觸墊朝向ASIC封裝基板58上之右或左方向中之一者位移，且延伸卡基板58之接觸墊在右或左方向中之相對一者上位移。在此情況下，沿列方向之ASIC封裝基板32之接觸墊38與延伸卡基板58之接觸墊57之間的未對準將亦為約37.5微米，此係由於ASIC封裝基板及延伸卡基板兩者具有此量之未配準。針對介於約200微米至300微米範圍內之接觸間距，藉由互連系統提供之所得未對準將不嚴重地影響電連接器26之電氣性能。

現參看圖10C，延伸卡基板58之頂部接觸墊57及延伸卡基板58之底部接觸墊57在第一相對方向上不對準。圖10C進一步展示頂部接觸墊57之左邊緣與底部接觸墊57之間的平均位置97。圖10D展示ASIC封裝基板32之頂部接觸墊38及ASIC封裝基板32之底部接觸墊38，其在第一相對方向上相對於彼此不對準與延伸卡基板58之接觸墊57相同的第一距離。因此，圖10D之頂部及底部接觸墊38之間的平均位置98與圖10C之頂部及底部接觸墊57之平均位置97相同。因此，當未對準在ASIC封裝基板32及延伸卡基板58兩者上具有相同定向及距離時，ASIC封裝基板32之頂部及底部接觸墊38兩者將與延伸卡27之對應頂部及底部接觸墊57極佳地對準，該等對應頂部及底部接觸墊經由電連接器26分別與頂部及底部接觸墊38電連通。參看圖10E，ASIC封裝基板32之頂部及底部接觸墊38不對準與頂部及底部接觸墊57相同的距離，但其在與第一相對方向相對之第二相對方向上不對準。在此實例中，平均位置將為在第一相對定向上之第一距離與在第二相對定向上之第一距離之間的中間位置。

現參看圖11A至11B，芯體80可包括頂部區段81、中心區段83及底部區段85。中心區段83沿橫向方向T安置於頂部區段81與底部區段85之間。芯體80可定義頂部區段81與中心區段83之間的上部狹槽87。芯體80可定義底部區段85與中心區段83之間的下部狹槽89。如上文所描述，芯體80可包括順應對準特徵95。舉例而言，中心區段83可包括順應對準特徵95。然而，應瞭解，順應對準特徵95可視需要攜載在芯體80之任何合適之替代位置處。當芯體80容納如上文所描述之延伸卡基板58時，頂部順應電路68延伸穿過上部狹槽87，且底部順應電路68延伸穿過下部狹槽89。狹槽87及89可沿著沿列方向之延伸卡基板58之全寬延伸，且可沿著沿列方向之ASIC封裝基板32之全寬進一步延伸。

現參看圖11B，特定而言，芯體80之順應對準特徵95可包括至少一個可撓性壁96，該至少一個可撓性壁沿橫向方向T在中心區段83之上方及下方兩者延伸。至少一個可撓性壁96可延伸至頂部區段81及底部區段85。至少一個可撓性壁96可在朝向及遠離延伸卡基板58之方向上自中心區段83進一步突起。至少一個可撓性壁96可具有鄰近於延伸卡基板58之第一壁部分，該第一壁部分以上文所描述之方式容納於延伸卡基板58之頂部及底部表面上之接合塊56中。第一壁部分可安置於至少一個壁96之第一末端處。至少一個壁96可定義與延伸卡基板相對之第二壁部分，其如上文所描述在電連接器26配對至ASIC封裝22時與ASIC封裝基板32之頂部及底部表面上之對準塊56接合。如先前所描述，至少一個壁可撓曲、彎曲及扭曲，使得芯體80使延伸卡基板58上之接觸墊57與ASIC封裝基板32上之接觸墊38之間的未對準平均化。在一個實例中，至少一個可撓性壁96可包括沿列方向彼此間隔開之第一及第二可撓性壁96。列方向可垂直於電連接器26至ASIC封裝基板32之配對方向，且因此垂直於自ASIC封裝基板32至延伸卡27之方向。

現參看圖12，且如上文所描述，在電連接器26與ASIC封裝基板32配對時，延伸卡27可相對於ASIC封裝基板32鎖定於適當位置中。舉例而言，如上文相對於圖1至3所描述，鎖定機構54可附接至延伸卡27且安裝至主體基板25，以便相對於沿遠離ASIC封裝基板32之方向移動一距離而緊固延伸卡27，該距離足以自電連接器26卸下延伸卡27，此將在該延伸卡與該ASIC封裝基板配對後移除延伸卡27與ASIC封裝基板32之間電連接。鎖定機構54可允許延伸卡27之朝向電連接器26（且因此朝向ASIC封裝基板32）之移動，以便使得延伸卡27安裝至電連接器26。鎖定機構54可准許延伸卡27之單向移動，使得鎖定機構54防止延伸卡27之回縮/脫離。因此，鎖定機構54可允許延伸卡基板58自由運動至電連接器26中，但防止延伸卡27之回縮。

延伸卡27可藉由致動釋放構件99而與電連接器26斷連。釋放構件99可被配置為釋放按鈕，該釋放按鈕可經按壓以便允許延伸卡27回縮一足夠距離以自電連接器26移除延伸卡27。鎖定機構54可包括具有開口104之鎖定體102，該開口經大小設定以容納延伸卡基板58，使得延伸卡基板58可相對於鎖定體102沿橫向方向T移動。鎖定機構54可進一步包括延伸卡基板58上方及下方之至少一個接合構件，其被配置以防止延伸卡基板58移動遠離電連接器26。接合構件可被配置為安置於延伸卡基板58上方及下方之圓筒106，其被配置以在釋放構件99與鎖定體102之間自由旋轉。圓筒106可藉由鎖定體102之各別楔形物109之楔形表面108而驅動至延伸卡基板58中，由此有效地夾持延伸卡基板58於適當位置中。舉例而言，當將向後力施加至延伸卡27以自電連接器26移除延伸卡27時，延伸卡27使得圓筒106沿楔形表面108旋轉，此由此使得圓筒相抵於延伸卡27行進直至該等圓筒有效地夾持延伸卡27且防止延伸卡27移動遠離電連接器26。此外，鎖定機構54可包括推動楔形物109朝向圓筒106之彈簧構件105，由此使得楔形表面108推動圓筒106抵靠延伸卡基板58及因此延伸卡基板58。當致動釋放構件99時，自與楔形構件99之接合中移除彈簧構件105。有利地，在一些實例中，鎖定機構54並不需要相對於鎖定機構54之沿延伸卡27之列方向的任何精確高度或位置。因此，可以上文所描述之方式如藉由連接器26中之對準塊56所定義而定位延伸卡27，與由鎖定機構54所定義相反。因此，可經由電連接器26之所有接觸墊維持電連接性。此外，鎖定機構54可並不需要沿橫向方向T相對於主體基板25精確定位延伸卡基板58。鎖定系統可如上文所描述在允許延伸卡基板58裝配經過開口104之任何定位下起作用。

現參看圖13，互連系統101可定義電傳輸線110，該電傳輸線被配置以支持上文所描述之類型之在ASIC封裝基板32與延伸卡基板58之間的高頻寬信號。舉例而言，高頻寬信號可自ASIC封裝基板32行進至延伸卡基板52。替代地或另外，高頻寬信號可自延伸卡基板58行進至ASIC封裝基板32。如相對於圖2先前所描述，LGA插口30可安裝至主體基板25。具有ASIC晶粒34之ASIC封裝22可安裝於ASIC封裝基板32上。此外，視需要，串聯器/解串器（SerDes）晶粒23可安裝於ASIC封裝基板32上。ASIC封裝基板32可至少部分地定義複數個差分對傳輸線110，該複數個差分對傳輸線可將高頻寬信號自SerDes晶粒23佈線至沿ASIC封裝基板32之各別邊緣28安置的接觸墊38。ASIC封裝基板32可包括自ASIC封裝基板32之頂部表面延伸至底部表面之導電通路114，且可因此自ASIC封裝基板32之頂部及底部表面佈線電信號及將電信號佈線至該ASIC封裝基板之該等頂部及底部表面。

如上文所描述，電連接器26可裝配於ASIC封裝基板32之邊緣28中之一各別者上方，以使得ASIC封裝基板32（且因此ASIC晶粒34）與延伸卡27電連通。電連接器26之順應電路68可與電接觸墊一起建立可分離介面，該電連接器26配對至該等電接觸墊。在一個實例中，電連接器26可與ASIC封裝基板32配對。因此，順應電路68可在ASIC封裝基板32之接觸墊38之間處於可移除的電連通。ASIC封裝基板32之接觸墊38與順應電路68之間的電連通可定義可分離介面，且可視需要經配對及不配對。亦即，互連總成並不防止ASIC封裝基板32自電連接器移動以便使ASIC封裝基板32與順應電路68不配對。順應電路68被配置以與接觸墊永久電接觸，電連接器26安裝至該等接觸墊。在一個實例中，電連接器26可安裝至延伸卡27。因此，順應電路68可被配置以與延伸卡基板58之接觸墊57永久電連接。亦即，在不致動上文相對於圖12所描述之釋放構件99的情況下防止延伸卡27自電連接器移除。複數個差分對傳輸線110可將高速電信號佈線至延伸卡基板28之接觸墊57及自該等接觸墊佈線至延伸卡27之其他區。

現參看圖14，示意性地說明互連系統，其展示經由至少一個順應電路68與ASIC封裝基板32電連通之延伸卡基板58。特定而言，傳輸線110（參看圖13）被配置以定義穿過ASIC封裝基板32及延伸卡基板58且在該ASIC封裝基板與該延伸卡基板之間的連續傳輸線。

儘管已大體上在建立延伸卡基板58與ASIC封裝基板32之間的可分離介面（亦即，可配對且可不配對電連接）之情形下描述本發明，但應理解，本文中所描述之電連接器26及相關聯電連接方法可用於任何情形中，其中高頻寬電信號沿各別邊緣在具有接觸墊之兩個實質上平坦的基板之間傳送。在某些實例中，各別邊緣可面向彼此。當跨電連接需要高整體資料傳送速率時，本發明之態樣可尤其有利。在相鄰接觸墊具有高密度時提供高整體資料傳送速率，該高密度由沿列方向之相鄰接觸墊之間的較小接觸間距及具有最小阻抗不連續性之電傳輸路徑之連續性質定義。

如圖15中所說明，光學引擎118可包括於光學收發器116中。收發器116之光學引擎118被配置以接收來自ASIC封裝22之電傳輸信號、將電傳輸信號轉換成光學傳輸信號及將經轉換光學傳輸信號輸出至第二組件。光學引擎118可經進一步被配置以接收來自第三組件之光學接收信號、將光學接收信號轉換成電接收信號及輸出經轉換電接收信號以供傳輸至ASIC封裝22。光學收發器116可包括複數個光學纖維120，包括光學傳輸纖維122及光學接收纖維124中之一者或兩者。光學傳輸信號可沿光學傳輸纖維122傳輸至第二組件。光學接收信號可沿光學接收纖維124自第三組件接收。

光學收發器116包括光學傳輸器126及光學接收器128。在延伸卡27與ASIC封裝基板32電連通時，光學傳輸器126及光學接收器128可各自耦接於ASIC封裝22與第二組件之間。光學傳輸器126可被配置以接收來自ASIC封裝22之電傳輸信號、將電傳輸信號轉換成光學傳輸信號及輸出經轉換光學傳輸信號以供傳輸至第二組件。光學接收器128可被配置以接收來自第三組件之光學接收信號、將光學接收信號轉換成電接收信號及輸出經轉換電接收信號以供傳輸至ASIC封裝22。電信號可沿延伸卡基板58傳輸至ASIC封裝基板32及光學收發器116且自該ASIC封裝基板及該光學收發器傳輸。如圖16中所說明，展示傳輸器126，應理解，圖16之裝置可替代地被配置為接收器128。

光學收發器116可包括光學傳輸器126及光學接收器128中之一者或兩者之光學引擎118。光學引擎118可藉由光學插入件130支撐，該光學插入件提供穿過其之光學傳輸。插入件130繼而可藉由延伸卡27支撐。此外，插入件130可安裝至延伸卡27，例如至延伸卡27之頂部表面。在一個實例中，焊球133可將插入件130安裝至延伸卡27。然而，應瞭解，插入件130可以任何合適之替代方式安裝至延伸卡27。

在一個實例中，插入件130可為玻璃插入件130。光學收發器116可包括光學耦合器132，其被配置以支撐光學纖維120。光學收發器116可進一步包括支撐光學耦合器132之框架134。框架134可安裝至插入件130。舉例而言，框架134可安裝至插入件130之頂部表面。因此，在一個實例中，框架134（且因此光學耦合器132及光學纖維120）可支撐於插入件130之頂部表面上。光學引擎118可支撐於插入件130之與頂部表面相對的底部表面上。因此，光學纖維120可支撐於插入件130之第一表面上，且光學引擎118可支撐於沿橫向方向T之插入件130之與第一表面相對的第二表面上。

光學傳輸器126之光學引擎118可進一步包括至少一個光源136，諸如發射導引至光學傳輸纖維122之光的複數個光源136。在一個實例中，光源136可被配置為任何合適之二極體雷射。舉例而言，光源136可被配置為雷射，其較佳地發射約760奈米（nm）至約1600 nm之間的波長。雷射可被配置為垂直共振腔表面發光雷射（vertical-cavity surface-emitting laser；VCSEL）138、分佈回饋（distributed feedback；DFB）雷射或法布立-培若（Fabry-Perot；FP）雷射。光學傳輸器126可包括至少一個驅動器131，其將電壓調變轉換成電流調變以便基於自ASIC封裝22接收之電信號調變來自光源136之光。

光學傳輸器126可包括與光傳輸器126之光學引擎118光學對準且特定言之與光源136光學對準之複數個光學傳輸纖維122。因此，光學傳輸纖維122被配置以接收由傳輸器126之光學引擎118輸出的光學傳輸信號中之各別者，且將光學傳輸信號攜載至第二組件。光學纖維耦合器132被配置以支撐光學傳輸纖維122，使得光學傳輸纖維122之輸入末端與自傳輸器126之光學引擎且特定言之自光源136輸出之光光學對準。因此，光學傳輸纖維122之輸入末端被配置以接收來自傳輸器126之光學引擎118的光學傳輸信號。在一些實施例中，光學耦合器132可包括傳輸反射器141。自光源136輸出之光學傳輸信號可沿第一傳輸方向導引至傳輸反射器141，且沿相對於第一方向成角度地偏移之第二傳輸方向導引至光學傳輸纖維122之輸入末端中。第一傳輸方向可實質上沿橫向方向T定向。傳輸反射器141可為金屬、多層介電塗層、未經塗佈之全內反射表面或視需要由任何合適之替代反射材料或介面製成。

可能需要使得光學傳輸信號之光束在光學傳輸纖維122之輸入末端附近會聚，使得光學傳輸信號與光學傳輸纖維122模式匹配。在一個實例中，一或多個光學傳輸元件可安置於光源136與光學傳輸纖維122之間。此等介入光學傳輸元件可包括反射鏡、透鏡、透明基板及光學透明耦合器中之一或多者，其共同地用以提供光源136與光學傳輸纖維122之間的光學路徑。

舉例而言，傳輸器126可包括光學傳輸信號穿過以便控制光學傳輸信號之束大小的一或多個透鏡。舉例而言，第一光學傳輸透鏡140可支撐於與光源136對準之插入件130之頂部表面上。因此，光學傳輸信號穿過第一光學傳輸透鏡140。第二光學傳輸透鏡142可藉由與第一光學傳輸透鏡140對準之框架134支撐。可替代地，光學收發器116可包括第一光學傳輸透鏡140及第二光學傳輸透鏡142中之一者，且不包括第一光學傳輸透鏡140及第二光學傳輸透鏡142中之另一者。

在一個實例中，第一傳輸透鏡140可被配置為準直透鏡。因此，光學傳輸信號可自第一光學傳輸透鏡140至第二光學傳輸透鏡準直。此可放寬光學傳輸纖維122與光源136之間的對準容差。第二傳輸透鏡142可被配置為聚焦透鏡。因此，光學傳輸信號可在自至少一個光學傳輸透鏡140行進之方向上會聚至光學傳輸纖維122之輸入末端。在一個實例中，第二光學傳輸透鏡142可支撐於框架134之面向插入件130之頂部表面的底部表面上。準直透鏡及會聚透鏡可視需要定位於任何位置。在其他實例中，光學傳輸器126可包括藉由框架134支撐之傳輸透鏡142，但不包括藉由插入件130支撐之傳輸透鏡140。在此實例中，藉由框架134支撐之傳輸透鏡142可被配置為聚焦透鏡。應瞭解，光學傳輸器126可視需要包括任何數目的透鏡。

藉由框架134支撐之第二光學傳輸透鏡142可被配置為傳輸光學透鏡陣列144，其包括光學塊143及藉由光學塊143支撐之複數個傳輸透鏡142。就此而言，應理解，透鏡陣列144之透鏡142（參看圖17C）可被配置以定形自多個光源136發射之光學傳輸信號。光學傳輸器126可進一步包括一或多個監視光電二極體（monitor photo diode；MPD）129，該一或多個監視光電二極體可接收由光源136產生之光之一部分以監視光輸出。如將在下文更詳細地描述，插入件130可包括對準構件，該等對準構件被配置以沿垂直於橫向方向T之方向使傳輸光學塊與光源136對準。

繼續參看圖15，光學接收器128被配置以接收來自第三組件之光學接收信號、將光學接收信號轉換成電接收信號及在延伸卡27與ASIC封裝22電連通時將電接收信號輸出至ASIC封裝基板32。接收器128之光學引擎118可包括與對應至少一個光學接收纖維124光學對準之至少一個光偵測器146，及與至少一個光偵測器146電連通之電流電壓轉換器148。舉例而言，接收器128之光學引擎118可包括複數個光偵測器146，該複數個光偵測器各自與複數個光學接收纖維124中之一各別者光學對準。因此，可據稱光偵測器146使得光學接收纖維124與電流電壓轉換器148資料通信。

光學接收器128且特定言之光學耦合器132可包括與光學接收纖維124之輸出末端對準之至少一個光學接收反射器150。因此，光學接收信號沿第一接收方向自光學接收纖維124之輸出末端發射、自光學接收反射器150反射及沿第二接收方向行進至光偵測器146，該第二接收方向自第一方向成角度地偏移。第二接收方向可實質上沿橫向方向T定向。光學接收反射器150可為金屬、多層介電塗層、未經塗佈之全內反射表面或視需要由任何合適之替代反射材料或介面製成。

在一個實例中，一或多個光學元件可安置於光學接收纖維與光偵測器146之間。此等介入光學元件可包括反射鏡、透鏡、透明基板及光學透明耦合器中之一或多者，其共同地用以提供光學接收纖維124與光偵測器146之間的光學路徑。光學元件可將光學接收信號束之大小與光偵測器146之光敏區域之大小匹配，且可放寬光學接收纖維124與光偵測器146之間的對準容差。可將高耦合效率有利地維持在較大工作溫度範圍。

在一些實施例中，光學接收器128可包括可藉由框架134支撐之第一接收透鏡152。舉例而言，第一接收透鏡152可支撐於框架134之面向插入件130之底部表面上。光學接收器128可包括第二接收透鏡154，該第二接收透鏡可支撐於插入件130之面向框架134之頂部表面上。第一接收透鏡152可為準直透鏡。因此，光學接收信號可自第一光學接收透鏡152至第二光學接收透鏡154準直。應認識到，使光學接收器128信號之束準直可包括放寬光學接收器128信號與光偵測器146之主動光敏區之間的對準容差。第二接收透鏡154可為聚焦透鏡。因此，光學接收信號可自第二接收透鏡154會聚至光偵測器146。可替代地，光學接收器128可包括第一接收透鏡152及第二接收透鏡154中之一者，且不包括第一接收透鏡152及第二接收透鏡154中之另一者。舉例而言，光學接收器128可包括第一接收透鏡152，但不包括第二接收透鏡154。在此實例中，第一接收透鏡152可被配置為聚焦透鏡。準直透鏡及會聚透鏡可視需要定位於任何位置。插入件130可包括對準構件，該等對準構件被配置以使光偵測器146與第一光學接收透鏡對準。

光偵測器146被配置以將光學接收信號轉換成對應電接收信號。電接收信號可具有與所接收光學接收信號之光學光子之數量成比例的電流位準。大體而言，光電產生電流隨著傳入光學接收信號之強度的增大而增大，且隨著傳入光學接收信號之強度的降低而降低。應認識到，電接收信號之電流位準未必與所接收光學接收信號之光學光子之數量成線性比例，且通常該比例為非線性的。因此，具有每單位時間更高強度或入射光學光子之數目的光學接收信號將轉換成比具有更低數目之光學光子的光學接收信號具有更高電流位準的電信號。資料可藉由此調制之光學及電信號傳輸。

電流電壓轉換器148可被配置以接收來自光偵測器146之電接收信號、調節該電氣接收信號及輸出經調節電接收信號。在一個實例中，電流電壓轉換器148為跨阻抗放大器（transimpedance amplifier；TIA），該跨阻抗放大器將電接收信號放大至可用於與第一電組件連通之電壓位準。光偵測器146可為PIN光電二極體（以其P摻雜、本質及N摻雜接面結構命名），該PIN光電二極體繼而耦接至將所接收光電二極體電流修改成電相容之電壓輸出的超低雜訊、極高增益反阻抗放大器。在一個實例中，電壓輸出可為差分電壓輸出。TIA輸出通常可併有限制放大器（limiting amplifier；LA）級及均衡電路。亦實施進階的功能性，諸如光學信號偵測（optical signal detection；LOS）之損失、所接收光功率及靜噪。

因此，藉由電流電壓轉換器148輸出之電接收信號為藉由光偵測器146接收之光學信號的電子等效物。因此，該電流電壓轉換器148輸出之電接收信號可模擬電信號中之所接收光學圖形的數位圖形。電流電壓轉換器148將來自各別頻道之經調節電傳輸信號輸出至延伸卡基板58之電接觸墊57中之對應者。

如圖15中所說明，光學傳輸器126之光學引擎可安置於插入件130之第一側面上，且光學接收器128之光學引擎可安置於插入件130之相對的第二側面上。插入件130之第一及第二側面可由插入件130之相同表面定義。在一個實例中，表面可由沿橫向方向T之與插入件130之頂部表面相對的插入件130之底部表面定義。可替代地，表面可由插入件130之頂部表面定義。第一及第二側面可沿實質上垂直於橫向方向T之方向彼此相對。

光偵測器146及光源136中之每一者、驅動器131及電流電壓轉換器148可支撐於插入件130之底部表面上。

如上文所描述，且現參看圖17A，插入件130可包括對準構件156，該等對準構件被配置以使光偵測器146與藉由框架134支撐之第一光學接收透鏡152對準。特定而言，插入件130可包括插入件130之外部表面上之複數個標記158。標記158可定向為處於垂直於橫向方向T之平面中的各別圓圈。圓圈可配置於在給定陣列中彼此對準之各別複數個圓圈陣列中，該給定陣列經安置以使得圓圈之中心軸線彼此線性對準。中心軸線可沿垂直於橫向方向之方向上定向的直線彼此線性對準。因此，當沿橫向方向T檢視圓形標記158時，可見圓圈之完整直徑。第一複數個對準構件156（其可定義輪廓之圓形輪廓或任何其他適合之幾何結構）可與VCSEL 138或替代光源之互補對準構件137對準，以確保VCSEL 138或替代光源在垂直於如圖17B中所展示之橫向方向T的平面中相對於插入件130安置於預定位置中。VCSEL 138或替代光源之互補對準構件可由VCSEL 138或替代光源之光發射孔口139定義。此外，第二複數個對準構件156（其可被配置為圓圈或任何合適之替代幾何結構）可與光偵測器146之互補對準構件145對準，以確保光偵測器146在垂直於橫向方向T的平面中相對於插入件130安置於預定位置中。

現參看圖17C至17D，插入件130可包括光學塊對準構件157，該光學塊對準構件被配置以實質上沿橫向方向T使傳輸光學塊143之透鏡142與光源136對準。因此，實質上沿橫向方向T行進之各別直線可與透鏡陣列143中之透鏡142及各別光源136兩者相交。傳輸光學塊143可包括至少一個互補對準構件147，該至少一個互補對準構件被配置以與光學塊對準構件157對準，以便使光學塊143與VCSEL或其他光源136對準。因此，藉由框架134支撐之第二光學傳輸透鏡142可沿橫向方向T與VCSEL或其他光源之光發射孔口139光學對準。如上文所描述，光學塊143面向插入件130之頂部表面。由於光學塊143藉由框架134支撐，因此光學塊143與第一複數個對準構件156之對準亦沿垂直於橫向方向T之平面相對於插入件130定位框架134。就此而言，光學塊143可提供框架134之對準構件147。然而，應瞭解，框架134可視需要具有任何合適之替代對準構件。因此，藉由框架134支撐之第一光學接收透鏡152可因此沿橫向方向T與光偵測器146對準。

現參看圖15及18至19E，光學收發器116可包括熱耗散系統160，該熱耗散系統可被配置以耗散來自電流電壓轉換器148、光源136及驅動器131之熱量。如圖19A至19E中所說明，來自電流電壓轉換器148、光源及驅動器131中之每一者之熱量可經導引向上且遠離插入件130之頂部表面，或向下且遠離插入件130之底部表面。舉例而言，如圖19A至19B中所說明，熱散播器135可安裝至插入件130之頂部表面，以便使藉由電流電壓轉換器148、光源136及驅動器131產生之熱量經導引向上且遠離插入件130之頂部表面。插入件130可包括熱通路，該熱通路建立自電流電壓轉換器148、光源136及驅動器131至熱散播器之導熱路徑。

熱散播器162可為如圖19A中所說明之單一單體結構。可替代地，如圖19B中所說明，散熱片162可經分段，使得熱散播器135之第一區段135a與電流電壓轉換器148熱連通。熱散播器135之第二區段135b與光源136熱連通，且熱散播器135之第三區段135c與驅動器131熱連通。第一、第二及第三區段135a至135c中之一或多者至所有可彼此間隔開，且因此相對於熱傳導彼此隔離。因此，由一或多個驅動器131產生的熱量相對於熱傳導經由熱散播器135與光源134及電流電壓轉換器148隔離。應理解，熱散播器135可被配置以將熱量傳導至頂部散熱片（參看圖18中的散熱片170）。無論如何，散熱片及熱散播器中之一者或兩者可相對於光學引擎118沿橫向方向安置於插入件130之相對表面上。散熱片或熱散播器可支撐於插入件130之頂部表面處，且光學引擎138可支撐於插入件之底部表面處。應瞭解，散熱片或熱散播器可替代地支撐於插入件130之底部表面處，且光學引擎138可支撐於插入件之頂部表面處。

如圖19C中所說明，藉由電流電壓轉換器148及驅動器131產生之熱量可經導引向上且遠離插入件130之頂部表面。藉由光源136產生之熱量可經導引向下且遠離插入件130之下部表面。因此，藉由電流電壓轉換器148及驅動器131產生之熱量可在第一方向上經導引，且藉由光源136產生之熱量可在與第一方向相對之第二方向上經導引。另外可替代地，如圖19D中所說明，藉由電流電壓轉換器148及驅動器131產生之熱量可經導引向下且遠離插入件130之底部表面。藉由光源136產生之熱量可經導引向下且遠離插入件130之頂部表面。因此，藉由電流電壓轉換器148及驅動器131產生之熱量可在第一方向上經導引，且藉由光源136產生之熱量可在與第一方向相對之第二方向上經導引。此外，光源136可沿插入件130之底部表面安置於電流電壓轉換器148與驅動器131之間。最後，如現將參考圖15及19E描述，來自電流電壓轉換器148、光源136及驅動器131中之每一者的熱量可經導引向下且遠離插入件130之底部表面。

就此而言且如現將描述，應瞭解，熱耗散系統160可經設計以使得來自電流電壓轉換器148、光源136及驅動器131中之任何一或多者至所有的熱量可選擇性地經導引向上且遠離插入件130之頂部表面。替代地或另外，熱耗散系統160可經設計以使得來自電流電壓轉換器148、光源136及驅動器131中之任何一或多者至所有的熱量可選擇性地經導引向下遠離插入件130之底部表面。

現參看圖15，收發器116可包括底部散熱片164，該底部散熱片抵靠電流電壓轉換器148、光源136及驅動器131支撐。舉例而言，底部散熱片164可抵靠電流電壓轉換器148、光源136及驅動器131之各別底部表面支撐。在一個實例中，底部散熱片164可沿橫向方向T延伸穿過延伸卡27。底部散熱片164可被配置以接收由電流電壓轉換器148、光源136及驅動器131產生的熱量，且將所接收熱量導引向下且遠離插入件130之底部表面。收發器116可進一步包括熱散播器166，該熱散播器沿散熱片164之底部表面延伸、可接收來自散熱片164之熱量及導引熱量，且可沿垂直於橫向方向T之平面導引熱量遠離光學引擎。熱散播器166可沿垂直於橫向方向T之至少一個方向延伸超出散熱片。

在一個實例中，散熱片164可為單一單體結構。可替代地，如圖15中所說明，散熱片164可經分段以使得頂部散熱片164之第一區段164a與電流電壓轉換器148熱連通。頂部散熱片164之第二區段164b與光源136熱連通，且散熱片164之第三區段164c與驅動器131熱連通。第一、第二及第三區段162a至162c中之一或多者至所有可彼此間隔開一氣隙，且因此相對於熱傳導彼此隔離。因此，由一或多個驅動器131產生的熱量相對於熱傳導經由散熱片162與光源134及電流電壓轉換器148隔離。熱散播器166可與區段162a至162c中之每一者熱接觸。熱散播器166可定義單一單體結構。可替代地，熱散播器166可定義與區段164a至164c中之各別者接觸且彼此隔離開一氣隙之獨立區段。藉由電流電壓轉換器148及至少一個驅動器131耗散的熱量可在第一及第二相對方向上耗散，該等第一及第二相對方向各自實質上垂直於橫向方向T。藉由光源136耗散的熱量可沿第三方向耗散，該第三方向實質上垂直於第一及第二相對方向中之每一者且實質上垂直於橫向方向T。

如圖15中所說明，來自電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之任何一或多者至所有的熱量可藉由將散熱片或散熱片之區段置放於電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之任何一或多者至所有下方而經導引向下，使得散熱片與電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之任何一或多者至所有熱傳導。

現參看圖18，來自電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之任何一或多者至所有的熱量可藉由將散熱片或散熱片之區段置放於電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之任何一或多者至所有下方而經導引向下，使得散熱片與電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之任何一或多者至所有熱傳導。

如圖18中所說明，第一熱散播器168可至少部分地嵌入於延伸卡基板58中。因此，第一熱散播器168可由延伸卡基板58之一或多個金屬化層定義。第一熱散播器168之頂部表面可與電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之一或多者至所有之底部表面熱接觸。舉例而言，第一熱散播器168之頂部表面可與電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之一或多者至所有之底部表面直接接觸。可替代地，延伸卡基板58可定義一或多個熱通路，該等熱通路自第一熱散播器168之頂部表面朝向電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之各別者向上延伸。熱通路可與電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之各別者接觸。可替代地，熱通路可與熱板之底部表面接觸，繼而與電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之各別至少一或多者至所有接觸。

熱耗散系統160可進一步包括外部散熱片170，該外部散熱片自插入件130之頂部表面向上延伸。第一熱散播器168可與外部散熱片170熱連通。舉例而言，熱耗散系統160可包括熱介面172，該熱介面可被配置為自第一熱散播器168之頂部表面延伸至插入件130之底部表面的導熱塊。插入件130可包括複數個導熱通路173，該複數個導熱通路自外部散熱片170延伸至熱介面172。因此，熱介面172與外部散熱片170導熱連通。

第一熱散播器168可經分段以使得第一熱散播器168之第一區段168a與電流電壓轉換器148熱連通。第一熱散播器168之第二區段168b與光源136熱連通。第一熱散播器168之第三區段168c與驅動器131熱連通。第一、第二及第三區段168a至168c中之一或多者至所有可彼此間隔開一間隙，且因此相對於熱傳導彼此隔離。因此，由一或多個驅動器131產生的熱量相對於熱傳導經由散熱片162與光源136及電流電壓轉換器148隔離。由電流電壓轉換器148及至少一個驅動器131產生的熱量可在第一及第二相對方向上耗散，該等第一及第二相對方向各自實質上垂直於橫向方向T。由光源136產生的熱量可沿第三方向耗散，該第三方向實質上垂直於第一及第二相對方向中之每一者且實質上垂直於橫向方向T。在另一實例中，第一熱散播器168可為單一單體結構。

就此而言，儘管各種散熱片已描述為分段成三個區段，但應瞭解，散熱片可視需要經分段成多個區段。舉例而言，散熱片可經分段成兩個區段，其中第一區段與至少一個驅動器131導熱連通，且第二區段與電流電壓轉換器148及光源136導熱連通。

因此，熱耗散系統160可包括第一熱散播器168，該第一熱散播器與電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之至少一或多者至所有熱連通。熱耗散系統160可進一步包括第二熱散播器135，該第二熱散播器亦與電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之至少一或多者至所有熱連通。第一熱散播器168可與電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之至少一或多者至所有之第一表面（諸如底部表面）熱連通。第二熱散播器168可與電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之至少一或多者至所有之相對第二表面（諸如頂部表面）熱連通。因此，相對的第一及第二表面可沿橫向方向T彼此相對。

在一個實例中，第二熱散播器135可安置於插入件130之頂部表面上。插入件130可包括如上文相對於熱通路173所描述之第二複數個熱通路，該第二複數個熱通路自第二熱散播器135延伸至電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之一各別者。舉例而言，第二熱通路可延伸至第二熱散播器135之底部表面。就此而言，熱通路173可稱為第一複數個熱通路。散熱片170可安裝至第二熱散播器135之頂部表面。因此，熱量可經由插入件130、第二熱散播器135及散熱片170之第二複數個熱通路自電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之至少一或多者至所有耗散至散熱片170。就此而言，熱量可在插入件130之頂部表面向上耗散。

圖15及18表明由電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136產生的熱量可選擇性地經導引向上至外部散熱片170或向下至熱散播器166。因此，可瞭解，可藉由配置熱耗散系統160以自電流電壓轉換器148、至少一個驅動器131及光源136中之各別者選擇性地向上及向下導引熱量來判定圖19A至19E中所說明的熱耗散系統。舉例而言，與圖18中所說明的第一熱散播器168之導熱連通可導引熱量朝上，然而與圖15中所說明的底部散熱片164之導熱連通可導引熱量朝下。

現參看圖20A至20B，且如上文所描述，光學收發器116或其他資料通信裝置可安裝於延伸卡27上。延伸卡27可經由可分離介面與ASIC封裝基板32電連通。可分離介面可經定義於順應電路60與延伸卡基板58之間。舉例而言，電連接器26可安裝至延伸卡基板58，且可與順應電路69配對至延伸卡基板58，以使得順應電路69與ASIC封裝基板32及延伸卡基板58中之每一者電連通。順應電路69可自ASIC封裝基板32直接延伸且可機械地且電力地連接至ASIC封裝基板32之電跡線。順應電路69中之每一者定義自由末端，該自由末端攜帶被配置以與延伸卡基板58配對之電接觸墊103。電連接器26可藉由延伸卡基板58支撐。以上文所描述之方式，電連接器26可壓縮順應電路69之電接觸墊103至延伸卡基板58之各別接觸墊。可替代地，電連接器26可包括連接器外殼及電觸點，該等電觸點藉由連接器外殼支撐且被配置以與順應電路69之電接觸墊103配對，該等電接觸墊容納於電連接器26之插座中。就此而言，應瞭解，電連接器26可視需要以任何適合之方式組態，以便安裝至延伸卡基板58且與順應電路69配對以使得順應電路69與延伸卡基板電連通。可分離介面可因此由順應電路69及電連接器26定義。

在另一實例中，順應電路69可以上文相對於以上如圖1至3中所展示的延伸卡基板58所描述的方式安裝至ASIC封裝基板32，而非自ASIC封裝基板32直接延伸出。電連接器26可以上文參考圖1至3相對於ASIC封裝基板32所描述之方式與延伸基板基板58配對。因此，順應電路69之電跡線可經由可分離介面與ASIC封裝基板32及延伸卡基板58中之每一者電連通。應瞭解，順應電路69可適應沿橫向方向之ASIC封裝基板32與延伸卡基板58之間的高度變化，同時維持延伸卡基板58與ASIC封裝基板32之間的電連通。

可替代地，參看圖21A至21B，光學收發器116或其他資料通信裝置可安裝於延伸卡27上。延伸卡27可如上文所描述經由可分離介面與ASIC封裝基板32電連通。可分離介面可定義於順應電路69與延伸卡基板58之間。舉例而言，電連接器26可安裝於ASIC封裝基板32上且分別與自延伸卡基板58延伸出之順應電路69配對。因此，電連接器26可將順應電路69配對至ASIC封裝基板32，以使得順應電路69與ASIC封裝基板32及延伸卡基板58中之每一者電連通。順應電路69可自延伸卡基板58直接延伸至各別自由末端，該各別自由末端攜載被配置以與安裝至ASIC封裝基板32之電連接器26配對的電接觸墊。就此而言，可稱電接觸墊與ASIC封裝基板32配對。電連接器26可進一步藉由ASIC封裝基板32支撐且可電力地連接至ASIC封裝基板32之電跡線。舉例而言，電連接器26可以上文參考圖1至3相對於延伸卡基板所描述之方式壓縮順應電路68之電接觸墊至ASIC封裝基板32之各別接觸墊。可替代地，電連接器26可包括連接器外殼及藉由連接器外殼支撐之電觸點，該等電觸點安裝至ASIC基板32之接觸墊以便將電連接器安裝至ASIC基板32。電連接器26可容納順應電路69之自由末端，以便使接觸墊與電連接器之電觸點之各別配對末端配對。因此，將瞭解，電連接器可建構為任何合適之電連接器以安裝至ASIC基板32且配對至順應電路69（由此使得ASIC基板與順應電路69電連通），且因此配對至延伸卡基板58。因此，延伸卡27與ASIC封裝22之間的可分離介面可定義於順應電路68與ASIC封裝基板32之間。

在另一實例中，順應電路68可以上文參考圖1至3所描述之方式安裝至延伸封裝基板58，而非自延伸卡基板58直接延伸出。因此，順應電路68之電跡線可經由可分離介面與ASIC封裝基板32及延伸卡基板58中之每一者電連通。

圖20A至21B說明可由順應電路68之第一末端及延伸卡27定義可分離介面。順應電路68之與第一末端相對的第二末端可自ASIC封裝基板32直接延伸出。可替代地，順應電路之第二末端可安裝至ASIC封裝基板32。可替代地，可由順應電路68之第一末端及ASIC封裝基板32定義可分離介面。順應電路68之與第一末端相對的第二末端可自延伸卡基板58直接延伸出。可替代地，順應電路68之第二末端可安裝至延伸卡基板58。因此，電連接器26可將至少一個順應電路68配對至ASIC封裝基板32及延伸卡基板58中之一者。

仍參看圖20A至21B，光學纖維120可在可限制光學纖維120與主體基板25之間的機械干擾的方向上自光學纖維耦合器132延伸出。舉例而言，自沿橫向方向T之資料通信系統20查看，光學纖維120可沿不垂直於主體基板25之各別外部邊緣的方向延伸，包括光學纖維120之各別光學收發器116沿該方向配置。以其他方式陳述，選擇光學收發器116可沿主體基板25之外部邊緣中之一選擇者安置。此外，選擇光學收發器116可安置為相較於主體基板25之邊緣中之任何其他者最接近於外部邊緣中之一選擇者。自沿橫向方向之主體基板25查看，選擇光學收發器116之光學纖維120可沿不垂直於外部邊緣中之一選擇者之方向自光學耦合器132延伸。在一個實例中，選擇光學收發器116之光學纖維120可沿實質上平行於外部邊緣中之一選擇者之方向自光學耦合器132延伸。此外，複數個光學收發器116可沿外部邊緣中之一選擇者定位，使得複數個光學收發器之各別光學纖維120沿該方向自光學耦合器132延伸出。因此，沿外部邊緣中之一選擇者定位的光學收發器116中之至少一者之光學纖維120可在其沿該方向延伸時於光學收發器116中之一相鄰者之光學纖維120上方延伸。

此外，自沿橫向方向T之資料通信系統20查看，光學纖維120可沿不垂直於延伸卡基板58之各別外部邊緣的方向延伸，包括光學纖維120之各別光學收發器116沿該方向配置。以其他方式陳述，選擇光學收發器116可沿延伸卡基板58之外部邊緣中之一選擇者安置。延伸卡基板之外部邊緣可與IC封裝22電連通。舉例而言，延伸卡基板58可定義沿外部邊緣配置之接觸墊，該等接觸墊與IC封裝22電連通。在一個實例中，外部邊緣可以上文所描述之方式安裝至電連接器26。

自沿橫向方向T之ASIC封裝基板32查看，選擇光學收發器116之光學纖維120可沿不垂直於ASIC封裝基板32之外部邊緣28中之一選擇者的方向自光學耦合器132延伸。在一個實例中，選擇光學收發器116之光學纖維120可沿實質上平行於外部邊緣28中之一選擇者的方向自光學耦合器132延伸。此外，複數個光學收發器116可沿外部邊緣28中之一選擇者定位，使得複數個光學收發器之各別光學纖維120沿該方向自光學耦合器132延伸出。因此，沿外部邊緣中之一選擇者定位的光學收發器116中之至少一者之光學纖維120可在其沿該方向延伸時於光學收發器116中之一相鄰者之光學纖維120上方延伸。

仍參看圖20A至21B，延伸卡27可支撐於主體基板25上。此外，資料通信系統20可進一步包括安置於主體基板25與至少一個插入件之間的底部散熱片164，該至少一個插入件諸如支撐各別至少一個光學收發器116之第一及第二插入件30。舉例而言，第一及第二插入件30中之每一者可支撐複數個光學收發器。底部散熱片可與如上文所描述之電流電壓轉換器、光源及光源驅動器中之至少一或多者至所有熱連通。

應注意，諸圖中展示之具體實例之說明及論述係僅出於例示性目的，且不應解釋為限制本發明。熟習此項技術者將瞭解，本發明涵蓋各種具體實例。另外，應理解，上文關於上述具體實例描述的概念可單獨或與其他上述具體實例中之任一者組合地使用。應進一步瞭解，除非以其他方式指示，否則上文相對於一個所說明具體實例描述的各種替代性具體實例可應用至如本文中所描述之所有具體實例。

20:資料通信系統 21:IC封裝蓋 22:積體電路封裝 23:串列器/解串器晶粒 24:資料通信裝置 25:主體基板 26:電連接器 27:延伸卡 27a:電延伸卡 27b:光學多模延伸卡 27c:光學單模延伸卡 28:邊緣 29a:第一縱向邊緣 29b:第二縱向邊緣 30:插口 31a:第一側向邊緣 31b:第二側向邊緣 32:IC封裝基板 33a:第一表面 33b:第二表面 34:IC晶粒 37:列方向 38:電接觸墊 40:連接器外殼 42:插座 44:電力電纜 46:多模光學引擎 48:單模光學引擎 50:次級低速連接器 52:熱耗散構件 54:鎖定機構 56:對準塊 57:電接觸墊 58:延伸卡基板 60:前邊緣 62:對準構件 63:對準凹口 64:對準墊 66:導電跡線 68:順應電路 69:順應電路 70:固持器凹口 71:接合瓣 72:薄介電基板 74:導電跡線 75:第一電接觸墊 76a:第一主表面 76b:第二主表面 77:第二電接觸墊 78:壓縮板 79:差分信號對 80:芯體 81:脫離孔/頂部區段 82:閂鎖體 83:中心區段 84:彈簧 85:底部區段 87:上部狹槽 88:頂部凹口 89:下部狹槽 91:軌道 92:突起 93:對準特徵 94:狹槽 95:對準特徵 96:可撓性壁 97:平均位置 98:平均位置 99:釋放構件 101:互連系統 102:鎖定體 103:電接觸墊 104:開口 105:彈簧構件 106:圓筒 108:楔形表面 109:楔形物 110:電傳輸線 114:導電通路 116:光學收發器 117:光學收發器 118:光學引擎 120:光學纖維 122:光學傳輸纖維 124:光學接收纖維 126:光學傳輸器 128:光學接收器 129:監視光電二極體 130:光學插入件 131:驅動器 132:光學耦合器 133:焊球 134:框架 135:熱散播器 135a:第一區段 135b:第二區段 135c:第三區段 136:光源 137:互補對準構件 138:垂直共振腔表面發光雷射 139:光發射孔口 140:光學傳輸透鏡 141:傳輸反射器 142:光學傳輸透鏡 143:光學塊 144:傳輸光學透鏡陣列 145:互補對準構件 146:光偵測器 147:對準構件 148:電流電壓轉換器 150:光學接收反射器 152:接收透鏡 154:接收透鏡 156:對準構件 157:光學塊對準構件 158:標記 160:熱耗散系統 162:散熱片 164:底部散熱片 164a:第一區段 164b:第二區段 164c:第三區段 166:熱散播器 168:熱散播器 168a:第一區段 168b:第二區段 168c:第三區段 170:散熱片 172:熱介面 173:熱通路 A:側向方向 G:接地跡線 L:縱向方向 R _h:未對準距離 R _p:未對準距離 S:信號跡線 T:橫向方向

以下實施方式在結合附圖閱讀時將得到更佳理解，出於說明之目的而在圖式中展示實例具體實例。然而，應理解本發明並不限於所展示之精確配置及工具。在圖式中： [圖1]展示安放在插口中之ASIC封裝，其具有經封裝晶粒之每一側上之邊緣卡介面及三個不同互連介面：電力電纜、多模光學引擎及單模式單模光學引擎； [圖2]展示一分解圖，其中部分剖視安裝於插口上之ASIC晶粒以及適用於配對至超緻密的邊緣卡連接器之ASIC封裝之全部四個側面上之接觸墊； [圖3]展示超密度的邊緣卡連接器之簡化實施； [圖4]展示邊緣卡連接器之一部分的分解圖； [圖5]展示在一個末端（右側）上具有焊料附接及在另一末端（左側）上具有用於增強接觸能力之導電延性凸塊之順應電路； [圖6]展示具有四個順應電路及一個對準塊之預組裝延伸卡之分解圖； [圖7]展示超密度的邊緣卡連接器之部分剖視圖； [圖8A]展示處於斷開或鬆開位置中之電連接器之示意性橫截面； [圖8B]展示閉合或夾持位置中所展示之圖8A之電連接器之示意性橫截面； [圖9A]展示將超密度的電連接器配對至ASIC封裝基板之第一步驟； [圖9B]展示將超密度的電連接器配對至ASIC封裝基板之第二步驟； [圖9C]展示將超密度的電連接器配對至ASIC封裝基板之第三步驟； [圖9D]展示斷開位置中所展示之圖9A至9C中所說明的電連接器之各種組件的細節； [圖9E]展示閉合位置中所展示之圖9D中所說明的電連接器之各種組件的細節； [圖10A]展示ASIC封裝基板及延伸卡對準原理之部分俯視圖； [圖10B]為用於補償針對ASIC封裝基板及延伸卡之頂部至底部金屬化配準偏移之對準原理之圖解； [圖10C]為延伸卡之示意性截面圖，其具有沿第一方向不對準之頂部及底部接觸墊及在頂部接觸墊與底部接觸墊之間的平均位置； [圖10D]為ASIC封裝基板之示意性截面圖，其具有沿第一方向不對準之頂部及底部接觸墊及在頂部接觸墊與底部接觸墊之間的平均位置； [圖10E]為ASIC封裝基板之示意性截面圖，其具有沿與第一方向相對之第二方向不對準之頂部及底部接觸墊及在頂部接觸墊與底部接觸墊之間的平均位置； [圖11A]為具有順應對準特徵之芯體之側視圖； [圖11B]為展示順應對準特徵之芯體之一部分之放大透視圖； [圖12]展示防止延伸卡回縮/脫離之鎖定機構； [圖13]為展示自ASIC封裝至延伸卡之高速電佈線之互連系統的截面側視圖； [圖14]展示ASIC封裝基板與穿過電超密度的電連接器之順應電路之延伸卡之間的導電路徑的示意性透視圖； [圖15]為一個實例中之光學收發器之截面圖； [圖16]為另一實例之光學收發器之分解透視圖； [圖17A]為光學收發器之插入件、被配置以與插入件對準之複數個光源及被配置以與插入件對準之複數個光偵測器的分解圖； [圖17B]為圖17A之插入件之平面圖，其展示與插入件對準之光源； [圖17C]為圖17B之插入件及被配置以與插入件對準之光學塊之平面圖； [圖17D]為在與插入件對準之位置處支撐圖17D之光學塊之框架的透視圖； [圖18]為具有替代熱耗散系統之光學收發器之截面側視圖； [圖19A]為一個實例中之光學收發器之熱耗散系統的示意性正視圖； [圖19B]為另一實例中之光學收發器之熱耗散系統的示意性正視圖； [圖19C]為又一實例中之光學收發器之熱耗散系統的示意性正視圖； [圖19D]為又另一實例中之光學收發器之熱耗散系統的示意性正視圖； [圖19E]為又另一實例中之光學收發器之熱耗散系統的示意性正視圖； [圖20A]為一個實例中之具有直接連接至其中之順應電路之ASIC封裝的透視圖； [圖20B]為包括圖20A中所說明的ASIC封裝之資料通信系統的透視圖； [圖21A]為一個實例中之具有安裝於其中之電連接器之ASIC封裝的透視圖；及 [圖21B]為包括圖21A中所說明的ASIC封裝之資料通信系統的透視圖。

20:資料通信系統

21:IC封裝蓋

22:積體電路封裝

24:資料通信裝置

25:主體基板

26:電連接器

27:延伸卡

27a:電延伸卡

27b:光學多模延伸卡

27c:光學單模延伸卡

30:插口

40:連接器外殼

44:電力電纜

46:多模光學引擎

48:單模光學引擎

116:光學收發器

117:光學收發器

A:側向方向

L:縱向方向

T:橫向方向

Claims (118)

1. 一種互連系統，其包含： 一IC封裝，其包括一IC封裝基板及安裝在該IC封裝基板上的一IC晶粒； 一順應電路，其安裝至該IC封裝基板；以及 一延伸卡，其安裝至該順應電路。
2. 如請求項1所述之互連系統，其中該IC封裝被配置以安裝至一主體基板，使得該IC封裝與該主體基板電連通。
3. 如請求項2所述之互連系統，其中一電氣路徑在無需先穿過該主體基板的情況下建立於該延伸卡與該IC封裝之間。
4. 如請求項3所述之互連系統，其進一步包含該主體基板。
5. 如請求項1所述之互連系統，其中該IC封裝基板是一ASIC封裝基板。
6. 如請求項1至5中任一項所述之互連系統，其進一步包含安裝至該延伸卡的電纜。
7. 如請求項1至5中任一項所述之互連系統，其進一步包含安裝至該延伸卡的一光學收發器。
8. 一種互連系統，其包含： 一IC封裝，其包括一IC封裝基板及安裝在該IC封裝基板上的一IC晶粒，其中該IC封裝基板定義彼此相對之第一表面和第二表面； 一延伸卡；以及 一電連接器，其被配置以與由該第一表面及該第二表面中之一者或二者所攜載的電接觸墊配對。
9. 如請求項8所述之互連系統，其中該IC封裝被配置以安裝至一主體基板，使得該IC封裝與該主體基板電連通。
10. 如請求項9所述之互連系統，其中一電氣路徑在無需先穿過該主體基板的情況下建立於該延伸卡與該IC封裝之間。
11. 如請求項8所述之互連系統，其中該IC晶粒是一ASIC晶粒。
12. 如請求項8所述之互連系統，其中該電連接器是一邊緣卡連接器。
13. 如請求項8所述之互連系統，其中該些電接觸墊具有介於約0.2 mm至約0.5 mm範圍內的接觸間距。
14. 如請求項8至13中任一項所述之互連系統，其進一步包含安裝至該延伸卡的電纜。
15. 如請求項8至13中任一項所述之互連系統，其進一步包含附接至該延伸卡的一順應電路。
16. 如請求項8至13中任一項所述之互連系統，其進一步包含安裝至該延伸卡的一光學收發器。
17. 如請求項8至13中任一項所述之互連系統，其進一步包含配對在該IC封裝基板的不同各別側上之複數個電連接器。
18. 如請求項17所述之互連系統，其中該些電連接器分別與該IC封裝基板的所有四個側配對。
19. 一種互連系統，其包含： 一IC封裝，其包括一IC封裝基板及安裝在該IC封裝基板上的一IC晶粒； 一順應電路，其與該IC封裝基板電連通；以及 一電連接器，其被配置以與該順應電路配對。
20. 如請求項19所述之互連系統，其中該電連接器將該順應電路配對至一延伸卡。
21. 如請求項19所述之互連系統，其中該IC封裝被配置以安裝至一主體基板，使得該IC封裝與該主體基板電連通。
22. 如請求項19所述之互連系統，其中該IC封裝基板是一ASIC封裝基板。
23. 如請求項19至22中任一項所述之互連系統，其中該順應電路安裝至該IC封裝基板。
24. 一種互連系統，其包含： 一ASIC封裝，其包括一ASIC封裝基板及安裝在該ASIC封裝基板上的一ASIC晶粒； 一延伸卡，其與該ASIC封裝基板電連通；以及 一順應電路，其安置在該ASIC封裝基板和該延伸卡之間； 其中當該ASIC封裝安裝至一主體基板的時候，一電氣路徑在無需先穿過該主體基板的情況下建立於該延伸卡與該ASIC封裝之間。
25. 如請求項24所述之互連系統，其中該延伸卡和該ASIC封裝基板定義一可分離介面。
26. 如請求項24所述之互連系統，其中一電連接器使得該順應電路與該延伸卡基板電連通。
27. 如請求項24所述之互連系統，其中該順應電路自該延伸卡基板直接延伸而出。
28. 如請求項24所述之互連系統，其中一電連接器使得該順應電路與該ASIC封裝基板電連通。
29. 如請求項24所述之互連系統，其進一步包含安裝至該延伸卡的電纜。
30. 如請求項24至29中任一項所述之互連系統，其進一步包含該主體基板。
31. 一種互連系統，其包含： 一ASIC封裝，其包括一ASIC封裝基板及安裝在該ASIC封裝基板上的一ASIC晶粒；以及 一順應電路，其安置在該ASIC封裝基板和一電連接器之間，該電連接器與該順應電路配對； 其中當該ASIC封裝安裝至一主體基板的時候，一電氣路徑在無需先穿過該主體基板的情況下建立於該電連接器與該ASIC封裝之間。
32. 如請求項31所述之互連系統，其中該順應電路安裝至該ASIC封裝基板。
33. 如請求項31所述之互連系統，其中該電連接器使得該順應電路與一延伸卡基板電連通。
34. 如請求項31所述之互連系統，其進一步包含安裝至該延伸卡的電纜。
35. 如請求項31至34中任一項所述之互連系統，其進一步包含該主體基板。
36. 一種互連系統，其包含： 一IC封裝，其包括一IC封裝基板及安裝在該IC封裝基板上的一IC晶粒； 一順應電路；以及 一電連接器，其安裝至該IC封裝基板且被配置以與該順應電路配對，以便建立該順應電路和該電連接器之間的一可分離介面。
37. 如請求項36所述之互連系統，其中該IC封裝被配置以安裝至一主體基板，使得該IC封裝與該主體基板電連通。
38. 如請求項37所述之互連系統，其中一電氣路徑在無需先穿過該主體基板的情況下建立於該順應電路與該IC封裝之間。
39. 如請求項36所述之互連系統，其中該IC晶粒是一ASIC晶粒。
40. 如請求項36所述之互連系統，其中該順應電路自一延伸卡延伸而出。
41. 如請求項36所述之互連系統，其進一步包含安裝至該延伸卡的一插入件、安裝至該插入件的一光學收發器、以及安裝至該光學收發器的光學纖維。
42. 如請求項41所述之互連系統，其中該光學收發器沿著該延伸卡的外部邊緣安置。
43. 如請求項42所述之互連系統，其中該些光學纖維沿著非垂直於該延伸卡的該外部邊緣的方向延伸。
44. 如請求項36至43中任一項所述之互連系統，其中該順應電路容納於該電連接器的一插座中，以便將該電連接器與該順應電路配對。
45. 一種互連系統，其包含： 一IC封裝，其包括一IC封裝基板及安裝在該IC封裝基板上的一IC晶粒； 一延伸卡；以及 一電連接器，其具有安裝至該延伸卡的一順應電路，其中該電連接器被配置以和該IC封裝基板配對。
46. 如請求項45所述之互連系統，其中該順應電路安裝至該延伸卡的頂部表面，所述互連系統進一步包含安裝至該延伸卡的底部表面之一第二順應電路。
47. 如請求項45所述之互連系統，其中該IC封裝被配置以安裝至一主體基板，使得該IC封裝與該主體基板電連通。
48. 如請求項47所述之互連系統，其中一電氣路徑在無需先穿過該主體基板的情況下建立於該順應電路與該IC封裝之間。
49. 如請求項45所述之互連系統，其中該IC封裝基板是一ASIC封裝基板。
50. 一種互連系統，其包含： 一IC封裝，其包括一IC封裝基板及安裝在該IC封裝基板上的一IC晶粒； 一延伸卡，其與該IC封裝電連通； 一電氣路徑，其在該IC封裝安裝至一主體基板的時候，在無需先穿過該主體基板的情況下，建立於該延伸卡與該IC封裝之間；以及 一電連接器，其安裝至該延伸卡。
51. 如請求項50所述之互連系統，其中該IC封裝基板具有彼此相對的一頂部表面及一底部表面，且該IC封裝進一步包括在該頂部表面上的複數個接觸墊。
52. 如請求項51所述之互連系統，其中該IC封裝基板定義複數個邊緣，且該些接觸墊沿著該IC封裝基板的所有邊緣來配置。
53. 如請求項51或52所述之互連系統，其中該延伸卡定義沿著該延伸卡的外部邊緣配置的接觸墊，該延伸卡的該些接觸墊被配置以與該IC封裝電連通。
54. 如請求項53所述之互連系統，其中該IC封裝基板的電接觸墊和該延伸卡的電接觸墊具有介於約0.2 mm至約0.5 mm範圍內的接觸間距。
55. 如請求項50至52中任一項所述之互連系統，其進一步包括安裝至該延伸卡的複數個電纜。
56. 如請求項50至52中任一項所述之互連系統，其中該延伸卡的邊緣鄰近於該IC封裝基板的各別邊緣而安置。
57. 如請求項50至52中任一項所述之互連系統，其中該延伸卡和該IC封裝基板之電連接不具有導電短線。
58. 如請求項50至52中任一項所述之互連系統，其中該電連接器電性連接至該IC封裝基板的電跡線。
59. 如請求項50至52中任一項所述之互連系統，其進一步包括電傳輸線，其支持該IC封裝基板和該延伸卡之間在不超過6%異步最差狀況多作用串話之情況下每秒112 Gb的信號。
60. 一種用於一互連系統之鎖定機構，包含： 一連接器，其安裝於一印刷電路板之一邊緣上； 一主體印刷電路板，其支撐一基板，其中該基板可與該連接器配對及不配對；以及 一鎖定機構，其安裝於該主體印刷電路板上； 其中該鎖定機構允許在該連接器至該基板之插入方向上之自由運動，但禁止在一回縮方向上之運動，其中該鎖定機構並不限制該印刷電路板在至少一個方向上之位置。
61. 一種延伸卡，其被配置以與一ASIC封裝電連通，該延伸卡具有安裝至其一表面上之複數個光學引擎。
62. 一種互連系統，包含： 一延伸卡基板，其定義沿一橫向方向之一頂部表面及與該頂部表面相對之一底部表面；及電接觸墊，其沿著該延伸卡基板之在該頂部表面及該底部表面兩者上之邊緣安置且沿著一列方向配置； 一頂部對準塊，其安裝至該頂部表面，其中該頂部對準塊沿著該延伸卡基板之在該頂部表面上之邊緣安裝，其中該頂部對準塊在該延伸卡基板之該頂部表面上與該些接觸墊機械對準；及 一底部對準塊，其沿著該延伸卡基板之在該底部表面上之邊緣安裝，其中該底部對準塊在該延伸卡基板之該底部表面上與該些觸墊機械對準。
63. 如請求項62所述之互連系統，其進一步包含安裝至該延伸卡基板之邊緣之一電連接器。
64. 如請求項62或63所述之互連系統，其中該頂部對準塊及該底部對準塊的對準容差處於該些接觸墊的寬度之5%、10%或20%內。
65. 如請求項62所述之互連系統，其中被配置以與該連接器選擇性地配對及不配對之一IC封裝基板包含： 一頂部對準塊，其與沿著與該IC封裝基板之邊緣相鄰之一頂部表面配置之接觸墊機械對準，藉以沿著該IC封裝基板之邊緣安裝於該頂部表面上；及 一底部對準塊，其與沿著與該IC封裝基板之邊緣相鄰之一底部表面配置之接觸墊機械對準，藉以沿著該IC封裝基板之邊緣安裝於該底部表面上。
66. 一種互連系統，其包含： 一電連接器，其安裝至一第一印刷電路板，該第一印刷電路板具有一厚度； 頂部順應電路及底部順應電路，其安裝至該第一印刷電路板且分別安置於該第一印刷電路板之頂部及該第一印刷電路板之底部上，其中這兩個順應電路之前邊緣之間的開口大於或等於該第一印刷電路板之厚度。
67. 如請求項66所述之互連系統，其進一步包含具有等於或小於該第一印刷電路板之厚度的一第二印刷電路板；其中該第二印刷電路板的厚度至多小於該第一印刷電路板的厚度50%，且當該第二印刷電路板在該電連接器中配對時，該些順應電路與該第二印刷電路板電接觸。
68. 一種互連系統，其包含： 一IC封裝，其具有一IC基板及安裝至該IC基板之一IC晶粒，其中該IC基板定義相對之頂部及底部表面，且該IC封裝安裝至一主體基板；以及 一電連接器，其具有與該IC基板之所述相對之頂部及底部表面電連通之電導體，以便在無需先將一電氣路徑佈線穿過該主體基板的情況下在該電連接器與該IC封裝之間建立該電氣路徑。
69. 如請求項68所述之互連系統，其進一步包含一延伸卡基板，其具有沿一橫向方向之一頂部表面及與該頂部表面相對之一底部表面，其中該電連接器安裝至該延伸卡基板，使得該延伸卡基板與該IC封裝電連通。
70. 如請求項69所述之互連系統，其中該延伸卡基板支撐於該主體基板上，其中該延伸卡基板支撐具有一光學耦合器及藉由該光學耦合器支撐之複數個光學纖維的至少一個光學收發器。
71. 如請求項70所述之互連系統，其中該些光學纖維相對於沿一橫向方向之該互連系統之一視角定向為實質上平行於該延伸卡基板之一邊緣，其中該延伸卡基板定義與該IC封裝電連通之電接觸墊。
72. 如請求項71所述之互連系統，其中該延伸卡基板之該邊緣安裝至該電連接器。
73. 如請求項71或72所述之互連系統，其中該至少一個光學收發器由該延伸卡基板之該頂部表面支撐。
74. 如請求項71或72所述之互連系統，其中該至少一個光學收發器包含沿該主體基板之一邊緣配置之複數個光學收發器，其中該些光學纖維相對於沿該橫向方向之該互連系統之一視角定向為實質上平行於該主體基板之該邊緣。
75. 如請求項74所述之互連系統，其中該些光學纖維相對於沿該橫向方向之該互連系統之該視角定向為實質上平行於該IC基板之一邊緣，該延伸卡基板具有沿該橫向方向之彼此相對的上部及下部表面。
76. 如請求項75所述之互連系統，其中該至少一個光學收發器包含沿該IC基板之一邊緣配置之複數個光學收發器，其中該些光學收發器之該些光學纖維相對於沿該橫向方向之該互連系統之該視角定向為實質上平行於該IC基板之該邊緣。
77. 如請求項69所述之互連系統，其中該光學收發器包含藉由該延伸卡基板支撐之一插入件、支撐於該插入件之一第一表面上之光學纖維、及支撐於該插入件之沿一橫向方向與該第一表面相對之一第二表面上之一光學引擎。
78. 如請求項77所述之互連系統，其中該光學收發器包含一光學傳輸器及一光學接收器，其中該光學傳輸器之該光學引擎安置於該插入件之一第一側面上，且該光學接收器之該光學引擎沿垂直於該橫向方向之一方向安置於該插入件之一相對第二側面上。
79. 如請求項76所述之互連系統，其中該光學引擎包含光源及至少一個光源驅動器及一電流電壓轉換器，且該光學收發器進一步包含至少一個散熱片，該至少一個散熱片被配置以耗散來自所述光源、所述至少一個光源驅動器、及跨阻抗放大器中之至少一者或多者或所有者之熱量。
80. 如請求項79所述之互連系統，其中該至少一個散熱片被配置以在一向上方向及一向下方向中之一各別者上耗散來自所述電流電壓轉換器、所述光源、及所述至少一個光源驅動器之熱量。
81. 如請求項79所述之互連系統，其包含自所述電流電壓轉換器、所述光源、及所述至少一個光源驅動器中之至少一者經過該插入件至該插入件之一頂部表面之一熱耗散路徑。
82. 如請求項79所述之互連系統，其進一步包含沿該橫向方向之在相對於該插入件之該延伸卡基板之一相對表面上的一散熱片。
83. 如請求項79所述之互連系統，其進一步包含： 一熱散播器，其至少部分地嵌入於該延伸卡基板中且與所述電流電壓轉換器、所述光源、及所述至少一個光源驅動器中之至少一者熱連通；及 一熱介面，其自該熱散播器之一頂部表面延伸至該插入件之一底部表面。
84. 如請求項83所述之互連系統，其進一步包含自該熱介面延伸穿過該插入件至一外部散熱片之至少一個熱通路，該外部散熱片支撐於該插入件之一頂部表面上。
85. 如請求項68至72中任一項所述之互連系統，其中該IC封裝包含一ASIC封裝，該IC基板包含一ASIC基板，且該IC晶粒包含一ASIC晶粒。
86. 一種光學收發器，其包含： 一插入件，其定義一頂部表面及一底部表面； 光學纖維，其藉由該頂部表面及該底部表面中之一者支撐；以及 一光學引擎，其藉由該頂部表面及該底部表面中之另一者支撐，該光學引擎包含至少一個光源、至少一個光源驅動器、至少一個光偵測器、及至少一個電流電壓轉換器。
87. 如請求項86所述之光學收發器，其進一步包含一熱耗散系統，該熱耗散系統包含被配置以將熱量自該光源及該光源驅動器耗散出之至少一個散熱片。
88. 如請求項87所述之光學收發器，其中該散熱片包含彼此間隔開之第一散熱片區段及第二散熱片區段，該第一散熱片區段與該光源驅動器熱連通，且該第二散熱片區段與該光源熱連通。
89. 如請求項86至88中任一項所述之光學收發器，其中該光學引擎藉由該插入件之該底部表面支撐，且該熱耗散系統包含安置於該插入件之該頂部表面上之一熱散播器。
90. 如請求項87所述之光學收發器，其中該至少一個散熱片被配置以在一向上方向及一向下方向中之一各別者上耗散來自所述電流電壓轉換器、所述光源、及所述至少一個光源驅動器之熱量。
91. 如請求項90所述之光學收發器，其中該插入件安裝於一延伸卡上，該熱耗散系統進一步包含： 一熱散播器，其至少部分地嵌入於該延伸卡基板中且與所述光偵測器、所述光源、及所述至少一個光源驅動器中之至少一者熱連通；及 一熱介面，其自該熱散播器之一頂部表面延伸至該插入件之一底部表面。
92. 如請求項91所述之光學收發器，其進一步包含自該熱介面延伸穿過該插入件至一外部散熱片之至少一個熱通路，該外部散熱片支撐於該插入件之一頂部表面上。
93. 如請求項87及91至92中任一項所述之光學收發器，其進一步包含一底部散熱片，該底部散熱片設置於所述光偵測器、所述光源、及所述至少一個光源驅動器中之至少一者的各別處之下方，其中該底部散熱片導引經耗散熱量向下。
94. 如請求項93所述之光學收發器，其進一步包含與該底部散熱片之一底部表面熱連通之一熱散播器，其中該熱散播器沿垂直於一橫向方向之一方向自該散熱片延伸而出，其中該頂部表面及該底部表面沿該橫向方向彼此相對。
95. 如請求項86至88中任一項所述之光學收發器，其中該插入件包含第一複數個對準構件，該第一複數個對準構件被配置以與該至少一個光源之一互補對準構件對準。
96. 如請求項95所述之光學收發器，其中該至少一個光源包含至少一個VCSEL，且該至少一個VCSEL之互補對準構件包含該至少一個VCSEL之一光發射孔口。
97. 如請求項95所述之光學收發器，其中該插入件包含第二複數個對準構件，該第二複數個對準構件被配置以與該至少一個光偵測器之一互補對準構件對準。
98. 如請求項97所述之光學收發器，其中該插入件包含第三複數個對準構件，該第三複數個對準構件被配置以與藉由一框架支撐之一光學塊對準，使得該光學塊與該至少一個光源對準。
99. 一種IC封裝，其包含： 一IC晶粒； 一IC封裝基板，其具有在其上安裝有該IC晶粒之一頂部表面、相對的一底部表面、及定義該IC封裝之周圍之四個邊緣，其中該IC封裝基板之至少一個邊緣具有鄰近於該IC封裝基板之該頂部表面或該底部表面中之至少一者上之該至少一個邊緣分佈的一電觸點列。
100. 如請求項99所述之IC封裝，其中該IC封裝基板具有鄰近於該IC封裝基板之該頂部表面及該底部表面兩者上之該至少一個邊緣分佈的一電觸點列。
101. 如請求項99所述之IC封裝，其中該IC封裝基板具有鄰近於該IC封裝基板之該頂部表面或該底部表面中之至少一者上之該IC封裝基板之全部四個邊緣分佈的一電觸點列。
102. 如請求項99所述之IC封裝，其中該IC封裝基板具有鄰近於該IC封裝基板之該頂部表面及該底部表面兩者上之該IC封裝基板之全部四個邊緣分佈的一電觸點列。
103. 如請求項99所述之IC封裝，其進一步包含與該電觸點列電連通之一順應電路。
104. 一種可分離電互連系統，其包含： 如請求項99所述之IC封裝；及 一延伸卡，其中該延伸卡具有沿該延伸卡之一邊緣安裝之一邊緣卡連接器，該延伸卡之該邊緣被配置以與具有該電觸點列之該IC封裝基板之邊緣接合。
105. 一種IC封裝，其包含： 一IC晶粒； 一矩形IC封裝基板，其具有在其上安裝有該IC晶粒之一頂部表面、一相對底部表面及定義該IC封裝之周圍之四個邊緣；及 一電連接器，其鄰近於該IC封裝基板之一邊緣安裝。
106. 一種互連系統，其包含： 一主體基板； 一IC封裝，由該主體基板支撐，該IC封裝包含一IC封裝基板及安裝在該IC封裝基板上的一IC晶粒； 一延伸卡，其與該IC封裝電連通； 一電氣路徑，其在無需先穿過該主體基板的情況下，建立於該延伸卡與該IC封裝之間；及 一電連接器，其安裝至該延伸卡。
107. 如請求項106所述之互連系統，其中該IC封裝基板具有彼此相對的一頂部表面及一底部表面，且該IC封裝進一步包括在該頂部表面上的複數個接觸墊。
108. 如請求項107所述之互連系統，其中該IC封裝基板定義複數個邊緣，且所述接觸墊沿著該IC封裝基板的所有邊緣來配置。
109. 如請求項107或108所述之互連系統，其中該延伸卡定義沿著該延伸卡的外部邊緣配置的接觸墊，該些接觸墊被配置以與該IC封裝電連通。
110. 如請求項109所述之互連系統，其中該IC封裝基板的電接觸墊和該延伸卡的電接觸墊具有介於約0.2 mm至約0.5 mm範圍內的接觸間距。
111. 如請求項106至108中任一項所述之互連系統，其中該主體基板的頂部表面朝向該延伸卡的底部表面。
112. 如請求項106至108中任一項所述之互連系統，其進一步包括安裝至該延伸卡的複數個電纜。
113. 如請求項106至108中任一項所述之互連系統，其中該延伸卡的邊緣鄰近於該IC封裝基板的各別邊緣而安置。
114. 如請求項106至108中任一項所述之互連系統，其中該延伸卡和該IC封裝基板之電連接不具有導電短線。
115. 如請求項106至108中任一項所述之互連系統，其中該電連接器電性連接至該IC封裝基板的電跡線。
116. 如請求項106至108中任一項所述之互連系統，其進一步包括電傳輸線，其支持該IC封裝基板和該延伸卡之間在不超過6%異步最差狀況多作用串話之情況下每秒112 Gb的信號。
117. 如請求項106至108中任一項所述之互連系統，其中該延伸卡被支撐在該主體基板上。
118. 如請求項106至108中任一項所述之互連系統，其中該主體基板被配置為一印刷電路板。

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