TW202238264A - 清潔極紫外線遮罩的系統 - Google Patents
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Abstract
一種極紫外(EUV)微影系統包含掃描器。微影系統用掃描器中的倍縮光罩執行EUV微影製程。掃描器包含倍縮光罩儲存腔室、倍縮光罩背側檢查腔室及倍縮光罩清潔腔室。倍縮光罩清潔腔室對掃描器中的倍縮光罩的背側的碎屑進行清潔。
Description
無
對提高包含智慧型手機、平板電腦、桌上電腦、膝上型電腦及許多其他類型電子裝置的電子裝置的計算能力的需求一直存在。積體電路為這些電子裝置提供計算能力。提高積體電路的計算能力的一種方法為增加半導體基板的給定面積可以包含的電晶體及其他積體電路特徵的數目。
積體電路中的特徵部分在微影術的幫助下產生。傳統微影技術包含產生遮罩，該遮罩描繪將在積體電路晶粒上形成的特徵圖案的輪廓。微影光源通過遮罩輻照積體電路晶粒。可以經由積體電路晶粒的微影術產生的特徵的大小在下端上部分地受到由微影光源產生的光的波長的限制。較小波長的光可以產生較小的特徵大小。
極紫外(Extreme ultraviolet，EUV)光歸因於EUV光的相對短的波長而用於產生特別小的特徵。例如，EUV光通常藉由用雷射束輻照選擇的材料的液滴來產生。來自雷射束的能量使液滴進入電漿狀態。在電漿狀態下，液滴發射EUV光。EUV光朝向具有橢圓或抛物線表面的收集器行進。收集器將EUV光反射至掃描器。掃描器經由倍縮光罩用EUV光照射靶材。然而，歸因於將自倍縮光罩轉移至積體電路的特徵大小很小，若即使極小的粒子或碎屑落在倍縮光罩的面上，則亦可能破壞微影製程，且所得的積體電路將不為功能性的。
無
以下揭露內容提供了用於實施所提供的主題的不同特徵的許多不同的實施例或實例。下文描述元件及配置的特定實例以簡化本揭露。當然，這些特定實例僅為實例，而不旨在進行限制。例如，在以下描述中第一特徵在第二特徵上方或上的形成可以包含第一特徵及第二特徵直接接觸地形成的實施例，且亦可以包含額外特徵可以形成於第一特徵與第二特徵之間以使得第一特徵及第二特徵可以不直接接觸的實施例。另外，本揭露可以在各種實例中重複附圖標記及/或字母。此重複係出於簡單及清楚的目的，且其本身並不指示所論述的各種實施例及/或組態之間的關係。
另外，為了便於描述，本文中可以使用空間相對術語(諸如「在...之下」、「在...下方」、「底部」、「在...上方」、「上部」及其類似者)，以描述如圖式中所說明的一個部件或特徵與另一部件或特徵的關係。除了在圖式中所描繪的定向之外，空間相對術語亦旨在涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設備可以以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)，且因此可以相應地解釋本文中所使用的空間相對描述詞。
在以下描述中，闡述了某些特定細節以便提供對本揭露的各種實施例的透徹理解。然而，熟習此項技術者將理解，可以在沒有這些特定細節的情況下實踐本揭露。在其他情況下，未詳細描述與電子元件及製造技術相關聯的眾所周知的結構以避免不必要地模糊本揭露的實施例的描述。
除非上下文以其他方式要求，否則貫穿說明書及以下申請專利範圍，詞語「包括(comprise)」及其變體(諸如「包括(comprises)」及「包括(comprising)」)應以開放的包含性的意義來解釋，亦即，解釋為「包含但不限於」。
序數(諸如第一、第二及第三)的使用不一定意味著排序的順序含義，而係可以僅區分行為或結構的多個示例。
貫穿本說明書對「一些實施例」或「實施例」的引用意謂結合實施例所描述的特定特徵、結構或特性包含在至少一些實施例中。因此，貫穿本說明書在各個地方出現的片語「在一些實施例中」或「在實施例中」不一定皆指示相同的實施例。此外，可以在一個或多個實施例中以任何合適的方式組合特定特徵、結構或特性。
如在本說明書及所附申請專利範圍中所使用，除非內容以其他方式明確規定，否則單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包含複數參考物。亦應注意，除非內容以其他方式明確規定，否則術語「或」通常以其包含「及/或」的含義採用。
本揭露的實施例有效且高效地自EUV倍縮光罩移除粒子及其他污染物。在微影製程之前，倍縮光罩由背側檢查模組檢查。若背側檢查模組偵測到倍縮光罩上的碎屑粒子，則倍縮光罩轉移至定位於掃描器中的倍縮光罩清潔系統。倍縮光罩清潔系統自倍縮光罩對粒子進行清潔或移除。隨後倍縮光罩轉移回背側檢查模組。若背側檢查模組確定不存在碎屑粒子，則將倍縮光罩裝載至卡盤中以進行EUV微影製程。
本揭露的實施例為EUV微影系統提供許多益處。因為倍縮光罩清潔系統有利地定位在掃描器中，所以倍縮光罩不需要自掃描器環境移除以便對倍縮光罩進行清潔。自掃描器移除倍縮光罩以對倍縮光罩進行清潔為極昂貴且耗時的製程。倍縮光罩在極長一段時間內不能用於EUV製程。因此，定位在掃描器環境中的倍縮光罩清潔系統節省大量的時間及資源。當倍縮光罩被檢查模組拒絕時，倍縮光罩清潔系統在掃描器環境中快速清潔倍縮光罩。結果為快速執行清潔製程，且在極短的時間內EUV倍縮光罩可用於EUV微影製程。此外，清潔製程極有效，因此EUV微影製程將不會因碎屑在倍縮光罩上的存在而中斷或損壞。
第1圖為根據一些實施例的EUV微影系統100的方塊圖。EUV微影系統100的元件協作以產生EUV光且執行微影製程。如下文將更詳細地闡述，微影系統利用定位在掃描器中的倍縮光罩清潔系統來自微影倍縮光罩快速且高效地清潔粒子。如本文中所使用，術語「EUV光」及「EUV輻射」可以互換地利用。
EUV微影系統100包含EUV光產生腔室102及掃描器104。EUV光106在EUV光產生腔室102中產生。EUV光106自EUV光產生腔室102進入掃描器104。掃描器104包含倍縮光罩108及掃描器光學器件109。EUV光106由掃描器光學器件109引導至倍縮光罩108上。EUV光106自倍縮光罩108反射且由掃描器光學器件109引導至晶圓110上。倍縮光罩108包含微影遮罩圖案。當EUV光106自倍縮光罩108反射時，EUV光106攜載倍縮光罩圖案。EUV光106根據倍縮光罩108的圖案在晶圓110上圖案化一層。下文更詳細地描述這些製程中的每一者。
EUV微影系統100包含液滴產生器112及液滴接收器114。液滴產生器112產生且輸出液滴流。液滴可以包含錫，但在不脫離本揭露的範疇的情況下可以利用其他材料的液滴。液滴以高速朝向液滴接收器114移動。液滴具有介於60 m/s至200 m/s之間的初始速度。液滴具有介於10 μm與200 μm之間的直徑。產生器每秒可輸出1000個液滴與100000個液滴之間。在不脫離本揭露的範疇的情況下，液滴產生器112可以產生具有與上文所描述那些初始速度及直徑不同的初始速度及直徑的液滴。
在一些實施例中，EUV光產生腔器104為雷射產生電漿(laser produced plasma，LPP) EUV光產生系統。當液滴行經液滴產生器112與液滴接收器114之間的EUV光產生腔室104時，液滴由雷射116輻照。當液滴由雷射116輻照時，來自雷射116的能量使液滴形成電漿。電漿化的液滴產生EUV光106。該EUV光106由收集器117收集且傳遞至倍縮光罩108，且隨後傳遞至晶圓110上。
在一些實施例中，雷射116定位於EUV光產生腔室104的外部。在操作期間，雷射116將雷射光脈衝輸出至EUV光產生腔室104中。雷射光脈衝聚焦在液滴自液滴產生器112至液滴接收器114的途中經過的點上。每一雷射光脈衝由液滴接收。當液滴接收雷射光脈衝時，來自雷射脈衝的能量自液滴產生高能電漿。高能電漿輸出EUV光106。
在一些實施例中，雷射116用兩個脈衝輻照液滴。第一脈衝使液滴平坦化成碟狀形狀。第二脈衝使液滴形成高溫電漿。第二脈衝明顯比第一脈衝更強大。雷射116及液滴產生器112被校準，以使得雷射發射成對的脈衝，以使得用一對脈衝輻照液滴。在不脫離本揭露的範疇的情況下，雷射可以以不同於上文所描述的方式輻照液滴。例如，雷射116可以用單個脈衝或多於兩個的脈衝輻照每一液滴。在一些實施例中，存在兩個單獨的雷射。第一雷射遞送平坦化脈衝。第二雷射遞送電漿化的脈衝。
在一些實施例中，由液滴輸出的光在許多方向上隨機散射。微影系統100利用收集器117來收集來自電漿的散射的EUV光106且朝向掃描器108引導或輸出EUV光106。
掃描器108包含掃描器光學器件109。掃描器光學器件109包含一系列光學調節裝置以將EUV光106引導至倍縮光罩。掃描器光學器件109可以包含折射光學器件，諸如透鏡或具有多個透鏡(波帶片)的透鏡系統。掃描器光學器件109可以包含反射光學器件，諸如單個鏡或具有多個鏡的鏡系統。掃描器光學器件109將來自EUV光產生腔室104的極紫外光引導至倍縮光罩。
EUV光106自倍縮光罩108反射回掃描器光學器件109的其他光學特徵。在一些實施例中，掃描器光學器件109包含投影光學器件盒。投影光學器件盒可以具有折射光學器件、反射光學器件或折射光學器件與反射光學器件的組合。投影光學器件盒可以包含小於1的放大率，從而減少自倍縮光罩反射的EUV光106中所包含的圖案化影像。投影光學器件盒將EUV光106引導至晶圓110上，例如引導至半導體晶圓上。
EUV光106包含來自倍縮光罩108的圖案。特定而言，倍縮光罩108包含將限定在晶圓110中的圖案。在EUV光106自倍縮光罩108反射之後，EUV光106含有倍縮光罩108的圖案。光阻劑層通常在極紫外微影輻照期間覆蓋靶材。光阻劑輔助根據倍縮光罩108的圖案對半導體晶圓的表面進行圖案化。
微影製程的有效性取決於產生的EUV光的量、EUV光到達倍縮光罩108的數目及EUV光106在自倍縮光罩108反射之後攜載倍縮光罩108的圖案的有效性。若微影製程的這些方面中的任一者受到負面影響，則微影製程自身可能不太有效或無效。
如上文所闡述，EUV光106在自倍縮光罩108反射之後攜載倍縮光罩108的圖案。然而，若在倍縮光罩108的表面上存在碎屑粒子，則自EUV光106可能不能恰當地將倍縮光罩108的圖案攜載至晶圓110。相反，EUV光106將攜載包含存在於倍縮光罩108的暴露表面上的碎屑粒子的形狀的圖案。
倍縮光罩108包含暴露側及背側。在第1圖的實例中，暴露側面向下。EUV光106在倍縮光罩108的暴露側處被接收。晶圓110的圖案化可能對碎屑粒子在倍縮光罩108的暴露側上的存在特別敏感。倍縮光罩108的暴露側上的碎屑粒子可以阻止EUV光106恰當地攜載倍縮光罩108的圖案。
微影製程亦對倍縮光罩108的背側上的碎屑粒子敏感。在微影製程期間，倍縮光罩108由卡盤118固持在掃描器中。當將倍縮光罩108裝載至掃描器104中以進行微影製程時，卡盤118固持倍縮光罩108的背側，以使得倍縮光罩108的暴露側面向下。卡盤118可以通過靜電力、夾具或其他機構或力來固持倍縮光罩108。倍縮光罩108的背側可以與卡盤118的底表面直接接觸。若在將倍縮光罩108裝載至卡盤118中時倍縮光罩108的背側上存在碎屑粒子，則倍縮光罩108可能不會完全平靠卡盤118的底表面。倍縮光罩108因此可以以不同於垂直於垂直的角度定向。這可以導致EUV光106以不會導致恰當圖案被賦予至晶圓110的角度被引導至晶圓110上。此外，由EUV光106攜載的圖案亦可能受到存在於倍縮光罩108的背側上的碎屑粒子的影響。雖然圖式的描述主要涉及解決倍縮光罩108的背側上的碎屑粒子的標識及移除，但本揭露的原理亦擴展至倍縮光罩108的暴露側上的碎屑粒子的標識及移除。
在繼續論述自倍縮光罩108偵測及移除碎屑粒子之前，論述在微影製程之間儲存及處置倍縮光罩108為有益的。EUV系統104包含倍縮光罩儲存器120。倍縮光罩儲存器120亦可以被稱為倍縮光罩處置腔室。倍縮光罩儲存器120定位於掃描器104中。將倍縮光罩儲存器120定位在掃描器104中的一個原因為藉由在微影製程之間將倍縮光罩108移入及移出掃描器104來避免使倍縮光罩108受到可能的污染。
在一些實施例中，雖然倍縮光罩108儲存在倍縮光罩儲存器120中，但倍縮光罩108封閉在EUV艙中。EUV艙為儲存及保護艙，其在不使用倍縮光罩108時封閉且保護倍縮光罩108。在最初製造倍縮光罩108之後，倍縮光罩108可以立即封閉在EUV艙中。在自製造位點運輸至晶圓處理位點期間，倍縮光罩108保留在EUV艙中。倍縮光罩108保留在倍縮光罩儲存器120中的EUV艙中，直至倍縮光罩108將用於EUV微影製程為止。此時，倍縮光罩108自EUV艙轉移至掃描器104中。EUV艙或EUV艙的部分可以被攜載至掃描器104中。隨後，倍縮光罩108自EUV艙卸載至卡盤118上。在EUV製程期間，卡盤固持倍縮光罩108。在EUV製程之後，倍縮光罩108自卡盤卸載至EUV艙。EUV艙被設計成確保在不使用倍縮光罩108時沒有粒子可以污染倍縮光罩108。
EUV微影系統100包含定位於掃描器104中的倍縮光罩背側檢查模組122。在可以在微影製程中利用倍縮光罩108之前，倍縮光罩108被傳遞至倍縮光罩背側檢查模組122。倍縮光罩背側檢查模組122檢查倍縮光罩108的背側以確定在倍縮光罩108的背側上是否存在碎屑粒子。若在倍縮光罩108的背側上存在碎屑粒子，則倍縮光罩背側檢查模組122拒絕倍縮光罩108。倍縮光罩108的拒絕意謂倍縮光罩108不會被裝載至卡盤118中，直至碎屑粒子已經自倍縮光罩108的背側移除為止。因此，若在倍縮光罩108的背側上存在碎屑粒子，倍縮光罩背側檢查模組122用作安全檢查以確保倍縮光罩108沒有裝載至卡盤118中以進行微影製程。
倍縮光罩背側檢查模組122定位於掃描器104中的倍縮光罩儲存器120附近。因為倍縮光罩背側檢查模組122定位於掃描器104中，所以可以快速完成背側檢查，而無需將倍縮光罩108轉移至掃描器104的外部。倍縮光罩背側檢查模組122定位在倍縮光罩儲存器120的定位促進倍縮光罩108的背側的安全且高效的檢查。
在倍縮光罩108的背側上標識碎屑之後，一種用於移除碎屑的可能解決方案為將倍縮光罩108轉移至掃描器104外部的清潔站。在外部清潔站處，碎屑粒子自倍縮光罩108的背側移除。雖然該解決方案可以有效地自倍縮光罩108的背側清潔碎屑粒子，但該解決方案亦包含一些嚴重的缺陷。例如，將倍縮光罩108轉移出掃描器環境104為極昂貴且耗時的製程。雖然倍縮光罩108處於掃描器環境104的外部，但不能在掃描器104中執行微影製程，直至倍縮光罩108已經返回至掃描器104為止。此外，將倍縮光罩108轉移至掃描器104的外部會使倍縮光罩108遭受歸因於在運輸期間碰撞、掉落或以其他方式擠壓倍縮光罩108而損壞倍縮光罩108的顯著增加的風險。此外，存在額外的碎屑粒子在運輸期間會落在倍縮光罩108的背側上的風險。
本揭露的原理藉由在掃描器104中包含倍縮光罩清潔系統124來克服其他解決方案的缺點。倍縮光罩清潔系統124定位於掃描器104中的倍縮光罩儲存器120附近。倍縮光罩清潔系統124用以有效且高效地自倍縮光罩108的背側清潔碎屑粒子，而無需將倍縮光罩108轉移至掃描器104的外部。倍縮光罩清潔系統124亦可以稱為倍縮光罩清潔模組，此係因為在一些實施例中，倍縮光罩清潔系統124為可以耦接至倍縮光罩儲存器120的模組化元件。
在微影製程之前，倍縮光罩108被轉移至倍縮光罩背側檢查模組122。若倍縮光罩背側檢查模組122拒絕倍縮光罩，則倍縮光罩108被快速運輸至掃描器104中附近的倍縮光罩清潔系統124。倍縮光罩清潔系統124清潔倍縮光罩108的背側。隨後倍縮光罩108運輸回倍縮光罩背側檢查模組122。若倍縮光罩背側檢查模組122指示倍縮光罩108的背側上沒有碎屑，則倍縮光罩108被裝載至卡盤118上以進行EUV微影製程。
在一些實施例中，倍縮光罩清潔系統124在倍縮光罩108的背側上執行分析製程。分析製程標識碎屑粒子在倍縮光罩108的背側上的地點。分析製程亦標識碎屑粒子在倍縮光罩108的背側上的高度。
在一些實施例中，倍縮光罩清潔系統124包含清潔構件。清潔構件具有清潔尖端。在分析製程之後，清潔構件定位在每一碎屑粒子上方且降低直至清潔尖端接觸碎屑粒子為止。碎屑粒子黏著至清潔尖端。隨後升高清潔尖端且自倍縮光罩108的背側移除碎屑粒子。對每一碎屑粒子重複該製程。因為分析製程標識每一碎屑粒子的高度，所以可以小心地降低清潔構件，以使得清潔尖端處於碎屑粒子的高度。這確保清潔尖端不會藉由將清潔構件降低太過而接觸倍縮光罩108的背面。
倍縮光罩清潔系統124可以為附接或耦接至倍縮光罩儲存器120的模組。倍縮光罩清潔系統124及倍縮光罩儲存器120可以包含孔，這些孔可以被打開以使得倍縮光罩能夠直接自倍縮光罩儲存器120運輸至倍縮光罩清潔系統124。倍縮光罩背側檢查模組122亦可以以此方式直接耦接至倍縮光罩儲存器120。以此方式，倍縮光罩108可以快速且安全地自倍縮光罩儲存器120傳遞至倍縮光罩背側檢查模組122且傳回倍縮光罩清潔系統124而無需退出掃描器環境104。這可以節省大量的時間及資源。
掃描器104亦可包含機械臂126。機械臂126可以在倍縮光罩儲存器120、倍縮光罩背側檢查模組122、倍縮光罩清潔系統124及卡盤118之間轉移倍縮光罩108。實務上，掃描器104可以包含多個機械臂126，以用於在掃描器104中的各個地點之間轉移倍縮光罩108。
第2A圖至第2D圖為根據一些實施例的倍縮光罩清潔系統124的圖示。第2A圖至第2D圖的倍縮光罩清潔系統124為第1圖的倍縮光罩清潔系統124的一個實例。倍縮光罩清潔系統124為可以安裝在EUV微影系統100的掃描器104中以能夠清潔倍縮光罩108而無需自掃描器104移除倍縮光罩108的模組。
倍縮光罩清潔系統124包含由一個或多個壁132限定的腔室。倍縮光罩清潔系統124包含內部容積130。在操作期間，內部容積130保持在真空條件下以防止當倍縮光罩108定位在內部容積130中時倍縮光罩108的污染。
在第2A圖至第2D圖的視圖中，倍縮光罩108定位於內部容積130中的基底板140上。基底板140可以對應於EUV艙的基底板。倍縮光罩具有背側134及暴露側136。倍縮光罩108的暴露側136擱置在自基底板140的表面突出的支撐銷142上。基底板140為EUV艙的一個元件。
如前所述，當倍縮光罩108定位於倍縮光罩儲存器120中時，倍縮光罩108定位於EUV艙中。在一些實施例中，無論何時將倍縮光罩108自倍縮光罩儲存器120運輸至卡盤118、倍縮光罩背側檢查模組122或倍縮光罩清潔系統124，倍縮光罩108攜載在EUV艙的基底板140上。因此，機械臂126在運輸期間不直接接觸倍縮光罩108。相反，機械臂126接觸基底板140，倍縮光罩108定位在該基底板140上。關於基底板及EUV艙的進一步細節關於第4圖提供。
倍縮光罩清潔系統124包含光學量測系統127及碎屑移除構件129。光學量測系統127用以標識碎屑粒子在倍縮光罩108的背側134上的位置。光學量測系統127亦用以量測碎屑粒子在倍縮光罩108的背側134上的高度。
在一些實施例中，光學量測系統127記錄每一碎屑粒子在倍縮光罩108的背側134上的位置坐標。位置坐標可以包含橫向坐標。在一個實例中，倍縮光罩108的背側134的水平面由X方向及Y方向限定。X及Y為正交的橫向方向。垂直方向為Z方向。Z方向垂直於X方向及Y方向兩者。當光學量測系統127標識倍縮光罩108的背側134上的碎屑粒子時，光學量測記錄碎屑粒子在X及Y坐標中的位置。在不脫離本揭露的範疇的情況下，可以利用其他類型的坐標來記錄碎屑粒子在倍縮光罩108的背側134上的位置。
光學量測系統127亦量測每一碎屑粒子的高度。碎屑粒子的高度為粒子在倍縮光罩108的背側134上方延伸的垂直或Z方向上的距離。當光學量測系統127標識碎屑粒子的X-Y坐標時，光學量測系統127亦記錄碎屑粒子的Z分量或高度。因此，光學量測系統可以為每一碎屑粒子分配X、Y及Z位置，其中Z位置對應於碎屑粒子的高度。
倍縮光罩清潔系統124包含一個或多個光源128。光源128可以用光輻照倍縮光罩108的背側134。隨後，光學量測系統127偵測自碎屑粒子散射的光。自碎屑粒子散射的光可用於確定每一碎屑粒子的位置及高度。光學量測系統127可以包含用於放大及偵測自碎屑粒子散射的光的光感測器及放大透鏡。
在一些實施例中，光源128經由腔室的壁132中的視窗將光照射至倍縮光罩108的背側134上。光源可以通過腔室的側壁中的視窗發光。光自碎屑粒子反射且由光學量測系統的光感測器接收。光源128可以包含以一系列特定角度將光引導至背側134上的雷射。取決於碎屑粒子的位置，雷射將僅以特定角度撞擊碎屑粒子。當光源128以那些特定角度輸出光時，光學量測系統127的光感測器將僅接收自碎屑粒子散射的光。因此，可以基於雷射光被碎屑粒子散射的角度來確定碎屑粒子的位置。亦可以以此方式獲得碎屑粒子的高度。在不脫離本揭露的範疇的情況下，可以利用光源及光感測器及透鏡的其他系統及組態。此外，在不脫離本揭露的範疇的情況下，可以利用不同於光學量測系統的量測系統來確定碎屑粒子的位置高度。
在一些實施例中，倍縮光罩清潔系統124可以具有介於0.75 m與1.25 m之間的高度。高度可以對應於光學量測系統127在Z方向上的尺寸。倍縮光罩清潔系統124可以具有介於0.5 m與1.1 m之間的寬度。寬度可以對應於倍縮光罩清潔系統124在X方向上的尺寸。倍縮光罩清潔系統124可以具有介於0.5 m與1.1 m之間的深度。深度可以對應於倍縮光罩清潔系統124在Y方向上的尺寸。Y方向可以對應於延伸進入或延伸出圖紙的方向。在不脫離本揭露的範疇的情況下，倍縮光罩清潔系統124可以具有其他高度、寬度及厚度。
在第2A圖中，第一碎屑粒子144定位於倍縮光罩108的背側134上。第二碎屑粒子146亦定位於倍縮光罩108的背側134上。光學量測系統127已經偵測到第一碎屑粒子144具有高度H1。光學量測系統127已經偵測到第二碎屑粒子146具有高度H2。
倍縮光罩清潔系統124包含清潔構件129。清潔構件129包含清潔尖端131。在第2A圖的圖示中，清潔構件129為桿的一般形狀。然而，在不脫離本揭露的範疇的情況下，清潔構件129可以具有其他形狀。
清潔尖端131可以包含黏著材料。當清潔尖端131與碎屑粒子接觸時，選擇黏著材料以黏著至碎屑粒子。黏著劑可以包含膠帶、膠水或可黏著至碎屑粒子的其他物質。在一些實施例中，清潔尖端131包含可替換的尖端。在一定數目的碎屑粒子已經黏著至清潔尖端131之後，可以替換資料。在一些實施例中，清潔尖端131包含可以經由靜電力吸引及固持碎屑粒子的電極。
儘管未在第2A圖中示出，但倍縮光罩清潔系統124可以包含用於操縱清潔構件129的機構。這些機構可以在X及Y方向上將清潔構件移動至碎屑粒子的X及Y坐標。移動機構可以在Z方向上向下移動清潔構件，以使得清潔尖端131處於清潔粒子的高度。
在第2B圖中，清潔構件129已經被操縱至如由光學量測系統127記錄的碎屑粒子144的X-Y位置。清潔構件129已經降低，以使得清潔尖端131處於碎屑粒子144的高度H1處。清潔尖端131接觸碎屑粒子144。碎屑粒子144黏著至清潔尖端131。儘管第2B圖中未示出，但清潔構件129隨後向上移動，從而將碎屑粒子144自倍縮光罩108的背側134攜載離開。因為光學量測系統127已經量測碎屑粒子144的高度，所以清潔尖端131可以與碎屑粒子144接觸，而不會在壓力上接觸倍縮光罩108的背側134或飛散至倍縮光罩108的背側134。
在第2C圖中，清潔構件129已經被操縱至如由光學量測系統127記錄的碎屑粒子146的X-Y位置。清潔構件129已經降低，以使得清潔尖端131處於碎屑粒子146的高度H2處。清潔尖端131接觸碎屑粒子146。碎屑粒子146黏著至清潔尖端131。儘管第2B圖中未示出，但清潔構件129隨後向上移動，從而將碎屑粒子146自倍縮光罩108的背側134攜載離開。因為光學量測系統127已經量測碎屑粒子146的高度，所以清潔尖端可以與碎屑粒子146接觸，而不會在壓力上接觸倍縮光罩108的背側134或飛散至倍縮光罩108的背側134。
在第2D圖中，所有碎屑粒子已經自倍縮光罩108的背側134移除。光學量測系統127可以執行最終檢查以確保在倍縮光罩108的背側134上沒有剩餘的碎屑粒子。隨後，機械臂126可以將具有倍縮光罩108的基底板140轉移至倍縮光罩背側檢查模組122。倍縮光罩背側檢查模組122可以檢查倍縮光罩108的背側134以確保在倍縮光罩108的背側134上存在碎屑粒子。隨後，可以將倍縮光罩108裝載至掃描器104中的卡盤118中。
倍縮光罩清潔系統124可以具有不同於清潔構件129的清潔機構。例如，倍縮光罩清潔系統124可以使一種或多種流體流至倍縮光罩108的背側134上。流體可以幫助移除碎屑粒子。在一些情況下，可以利用與碎屑粒子發生化學反應以溶解這些碎屑粒子的流體。在一些情況下，流體可以包含惰性氣體，這些惰性氣體流入倍縮光罩清潔系統124的真空腔室中以便經由一個或多個排氣通道帶走碎屑粒子。可以利用各種類型的氣體或液體清潔流體來自倍縮光罩108的背側134移除碎屑粒子。在不脫離本揭露的範疇的情況下，可以將各種其他類型的清潔機構用於倍縮光罩清潔系統124。
第3圖為根據一些實施例的倍縮光罩背側檢查模組122的圖示。第3圖的倍縮光罩背側檢查模組122為第1圖的倍縮光罩背側檢查模組122的一個實例。
倍縮光罩背側檢查模組122包含由一個或多個壁152限定的腔室。倍縮光罩背側檢查模組122包含內部容積150。在操作期間，內部容積150保持在真空條件下以防止當倍縮光罩108定位在內部容積150中時倍縮光罩108的污染。
在第2A圖至第2D圖的視圖中，倍縮光罩108定位於內部容積150中的基底板140上。基底板140可以對應於EUV艙的基底板。倍縮光罩具有背側134及暴露側136。倍縮光罩108的暴露側136擱置在自基底板140的表面突出的支撐銷142上。基底板140為EUV艙的一個元件。
如前所述，當倍縮光罩定位於倍縮光罩儲存器120中時，倍縮光罩108定位於EUV艙中。在一些實施例中，無論何時將倍縮光罩自倍縮光罩儲存器120運輸至卡盤118、倍縮光罩背側檢查模組122或倍縮光罩清潔系統124，倍縮光罩108攜載在EUV艙的基底板140上。因此，機械臂126在運輸期間不直接接觸倍縮光罩108。相反，機械臂126接觸基底板140，倍縮光罩108定位在該基底板140上。關於基底板及EUV艙的進一步細節關於第4圖提供。
倍縮光罩背側檢查模組122包含光學量測系統158。光學量測系統158用以標識碎屑粒子在倍縮光罩108的背側134上的位置。光學量測系統158亦用以量測碎屑粒子在倍縮光罩108的背側134上的高度。
在一些實施例中，光學量測系統158記錄每一碎屑粒子在倍縮光罩108的背側134上的位置坐標。位置坐標可以包含橫向坐標。在一個實例中，倍縮光罩108的背側134的水平面由X方向及Y方向限定。X及Y為正交的橫向方向。垂直方向為Z方向。Z方向垂直於X方向及Y方向兩者。當光學量測系統158標識倍縮光罩108的背側134上的碎屑粒子時，光學量測記錄碎屑粒子在X及Y坐標中的位置。在不脫離本揭露的範疇的情況下，可以利用其他類型的坐標來記錄碎屑粒子在倍縮光罩108的背側134上的位置。
光學量測系統158亦量測每一碎屑粒子的高度。碎屑粒子的高度為粒子在倍縮光罩108的背側134上方延伸的垂直或Z方向上的距離。當光學量測系統158標識碎屑粒子的X-Y坐標時，光學量測系統127亦記錄碎屑粒子的Z分量或高度。因此，光學量測系統可以為每一碎屑粒子分配X、Y及Z位置，其中Z位置對應於碎屑粒子的高度。
在一些實施例中，若一個或多個水流粒子具有大於臨限值高度的高度，則倍縮光罩背側檢查模組122的光學量測系統158拒絕倍縮光罩108。因此，若沒有任何碎屑粒子具有大於臨限值高度的高度，則倍縮光罩背側檢查模組122可以容忍一些碎屑粒子在倍縮光罩108的背側134上的存在。若倍縮光罩背側檢查模組122拒絕倍縮光罩108，則機械臂126將攜載倍縮光罩108的基底板140轉移至倍縮光罩清潔系統124。
倍縮光罩背側檢查模組122包含壁152中的橫向視窗154。倍縮光罩背側檢查模組122亦包含上部視窗156。倍縮光罩背側檢查模組122包含照明器160。照明器160經由視窗154用光輻照倍縮光罩108的背側134。照明器160可以包含雷射、LED或其他合適的光源。若光撞擊背側134上的碎屑粒子，則光將散射而非自倍縮光罩108的背側134平滑反射。一些散射光將穿過上部視窗156進入光學量測系統158。以此方式，光學量測系統158與照明器160協作以偵測碎屑粒子在倍縮光罩108的背側134上的高度的位置。倍縮光罩清潔系統124可以包含與倍縮光罩背側檢查模組122中所示出相同類型的照明器及視窗。
光學量測系統158可以包含一個或多個透鏡、鏡、濾光器及影像捕獲裝置。這些元件可以聚焦反射、過濾及偵測自碎屑粒子散射的光。影像捕獲裝置可以包含電荷耦合裝置光電二極體或其他類型的影像捕獲裝置。
在一些實施例中，倍縮光罩清潔系統124不量測碎屑粒子的高度的位置。相反，倍縮光罩背側檢查模組122如前所述記錄碎屑粒子的X、Y及Z坐標且將這些碎屑粒子傳遞至倍縮光罩清潔系統124。隨後，倍縮光罩清潔系統124使用這些坐標來操縱清潔構件129以自倍縮光罩108的背側134移除碎屑粒子。
第4圖為根據一些實施例的組裝的EUV艙170的圖示。如第2D圖中所示出，在將倍縮光罩108定位在基底板140上之後，機械臂126 (未示出)或多個機械裝置將蓋板174置放在倍縮光罩108上方。蓋板174擱置在基底板140上。蓋板174及基底板140共同封閉倍縮光罩108。機械臂126或多個機械裝置將基底板140置放在底部外殼172上。隨後，將頂部外殼176置放在底部外殼172上。頂部外殼176及底部外殼172共同封閉基底板140及蓋板174。EUV艙170包含底部外殼172、頂部外殼176、蓋板174及基底板140。
在組裝的EUV艙170中移位的倍縮光罩108處於倍縮光罩儲存器120中。當倍縮光罩108將被發送給倍縮光罩背側檢查模組122、卡盤118或倍縮光罩清潔系統124時，EUV艙170被拆卸且倍縮光罩108被攜載在基底板140至特定目的地上。在不脫離本揭露的範疇的情況下，EUV艙170可以具有其他組態。
第5圖為根據一些實施例的倍縮光罩108的圖示。倍縮光罩108為根據第1圖至第4圖的倍縮光罩的一個實例。倍縮光罩108包含基板180、定位於基板180上的反射多層182、定位於反射多層182上的緩衝層184及定位於緩衝層184上的吸收層186。基板180包含背側134。背側134可以被視為倍縮光罩108的與暴露側136相對的表面。倍縮光罩108的製造製程最終使得倍縮光罩108在吸收層186中具有選擇的圖案。在第5圖的實例中，圖案由吸收層186中的溝槽192指示。暴露側136可以對應於吸收層186的暴露表面、緩衝層184的暴露表面或吸收層186的暴露表面的頂表面與緩衝層184的暴露表面的組合。在不脫離本揭露的範疇的情況下，倍縮光罩108可以包含其他結構及配置。
基板180包含低熱膨脹材料。低熱膨脹材料基板180用於最小化歸因於倍縮光罩108的加熱而引起的影像失真。低熱膨脹材料基板180可以包含具有低缺陷程度及光滑表面的材料。
在一些實施例中，基板180可以包含SiO
2。基板180可以摻雜有二氧化鈦。在不脫離本揭露的範疇的情況下，基板180可以包含除上文所描述的那些材料之外的其他低熱膨脹材料。
儘管本文中未示出，但在一些實施例中，基板180可以定位於導電層上。在製造及使用倍縮光罩108期間，導電層可以輔助靜電夾持倍縮光罩108。在一些實施例中，導電層包含氮化鉻。在不脫離本揭露的範疇的情況下，導電層可以包含其他材料。
倍縮光罩108包含反射多層182。反射多層182定位於基板180上。反射多層182用以在使用倍縮光罩108的微影製程期間反射極紫外光。下文更詳細地描述反射多層182的反射性質。
在一些實施例中，反射多層182根據兩種材料之間的界面的反射性質進行操作。特定而言，當光入射在具有不同折射率的兩種材料之間的界面處時，將發生光的反射。當折射率差異較大時，光的更大部分被反射。
反射多層182包含複數對層。每對層包含第一材料層及第二材料層。選擇層的材料及厚度以促進極紫外光的反射及相長干涉。在一些實施例中，每對層包含鉬層及矽層。在一個實例中，鉬層的厚度介於2 nm與4 nm之間。在一個實例中，矽層的厚度介於3 nm與5 nm之間。反射多層182中的層的厚度係基於微影製程中所使用的極紫外光的預期波長及微影製程期間極紫外光的預期入射角來選擇的。根據一些實施例，層對的數目介於20對層與60對層之間。在不脫離本揭露的範疇的情況下，可以利用反射多層182中的其他材料、厚度、對數及層組態。在不脫離本揭露的範疇的情況下，可以使用其他波長的極紫外光。
在一些實施例中，緩衝層184定位於反射多層182上。緩衝層184的一個目的為在吸收層186的蝕刻製程期間保護反射多層。因此，緩衝層184包含抗蝕刻吸收層186的蝕刻製程蝕刻的材料。下文將更詳細地描述吸收層的蝕刻製程及材料。
在一些實施例中，緩衝層184包含釕。緩衝層184可以包含釕的化合物，包含硼化釕及矽化釕。緩衝層可以包含鉻、氧化鉻或氮化鉻。緩衝層184可以由低溫沈積製程沈積以防止緩衝層184擴散至反射多層182中。在一些實施例中，緩衝層184具有介於2 nm與4 nm之間的厚度。在不脫離本揭露的範疇的情況下，可以將其他材料、沈積製程及厚度用於緩衝層184。
吸收層186定位於緩衝層184上。吸收層186的材料被選擇為針對將在微影製程中與倍縮光罩108一起使用的極紫外光的波長具有高吸收係數。換言之，吸收層186的材料被選擇為吸收極紫外光。
在一些實施例中，吸收層186的厚度介於40 nm與100 nm之間。在一些實施例中，吸收層186包含選自包含鉻、氧化鉻、氮化鈦、氮化鉭、鉭、鈦、鋁銅、鈀、氮化硼鉭、氧化硼鉭、氧化鋁、鉬或其他合適的材料的群組的材料。在不脫離本揭露的範疇的情況下，可以將其他材料及厚度用於吸收層186。
在一些實施例中，吸收層186包含第一吸收層188及第二吸收層190。第一吸收層188定位於緩衝層184上。第二吸收層190定位於第一吸收層188上。
在一些實施例中，第一吸收層188包含氮化硼鉭。第二吸收層190包含氧化硼鉭。第一吸收層188的厚度介於30 nm與80 nm之間。第二吸收層190的厚度介於1 nm與40 nm之間。在不脫離本揭露的範疇的情況下，吸收層186可以包含與上文所描述的那些材料、厚度及層數不同的材料、厚度及層數。在一些實施例中，吸收層186僅包含單個吸收層。因此，吸收層186可以為吸收層。
第5圖中所示出的倍縮光罩108的層可以由各種薄膜沈積製程形成。薄膜沈積製程可包含：物理氣相沈積製程，諸如蒸發及DC磁控濺射；鍍覆製程，諸如無電電鍍或電鍍；化學氣相沈積製程，諸如大氣壓化學氣相沈積、低壓化學氣相沈積、電漿增強化學氣相沈積、高密度電漿化學氣相沈積；離子束沈積；旋塗；金屬有機分解；及/或此項技術中已知的其他方法。
第6圖為根據一些實施例的倍縮光罩儲存器120、倍縮光罩背側檢查模組122及倍縮光罩清潔系統124的圖示。倍縮光罩儲存器120為倍縮光罩處置腔室，當不使用倍縮光罩108時，倍縮光罩108儲存在該倍縮光罩處置腔室中。如先前所闡述，可以將倍縮光罩108置放在倍縮光罩儲存器120中的EUV艙170中。倍縮光罩儲存器120通常處於真空狀態以減少碎屑粒子可能污染倍縮光罩108的機會。倍縮光罩儲存器120定位於掃描器104中。
倍縮光罩背側檢查模組122耦接至倍縮光罩儲存器120。倍縮光罩背側檢查模組122保持在真空狀態下以減少碎屑粒子可能污染倍縮光罩108的機會。在將倍縮光罩108自倍縮光罩儲存器120轉移至卡盤118之前，倍縮光罩108自倍縮光罩儲存器120轉移至倍縮光罩背側檢查模組122。因為倍縮光罩背側檢查模組122直接耦接至掃描器104中的倍縮光罩儲存器120，所以倍縮光罩108可以快速且安全地自倍縮光罩儲存器120轉移至倍縮光罩背側檢查模組122。
倍縮光罩清潔系統124直接耦接至倍縮光罩儲存器120。倍縮光罩清潔系統124亦保持在真空狀態下以減少碎屑粒子可能污染倍縮光罩108的機會。若倍縮光罩108被倍縮光罩背側檢查模組122拒絕，則倍縮光罩108可以自倍縮光罩背側檢查模組122轉移至倍縮光罩儲存器120中且最終轉移至倍縮光罩清潔系統124。因為倍縮光罩清潔系統124直接耦接至掃描器104中的倍縮光罩儲存器120，所以倍縮光罩108可以在最小的污染風險及最少的時間的情況下快速且安全地自倍縮光罩背側檢查模組122轉移至倍縮光罩清潔系統124。與將倍縮光罩108轉移出掃描器104清潔的情況相比，這節省大量的時間及資源。
第7圖為根據一些實施例的用於操作EUV微影系統的方法700的流程圖。方法700可以利用關於第1圖至第6圖所描述的系統、元件及製程。在702處，方法包含將倍縮光罩儲存在EUV微影系統的掃描器中的倍縮光罩儲存器中。倍縮光罩的一個實例為第1圖的倍縮光罩108。倍縮光罩儲存器的一個實例為第1圖的倍縮光罩儲存器120。掃描器的一個實例為第1圖的掃描器104。EUV微影系統的一個實例為第1圖的EUV微影系統。在704處，方法700包含將倍縮光罩自倍縮光罩儲存器轉移至掃描器中的背側檢查模組。背側檢查模組的一個實例為第1圖的倍縮光罩背側檢查模組122。在706處，方法700包含用倍縮光罩背側檢查模組檢查倍縮光罩的背側。倍縮光罩的背側的一個實例為第5圖的倍縮光罩背側134。在708處，方法700包含將倍縮光罩自倍縮光罩背側檢查模組轉移至掃描器中的倍縮光罩清潔系統的真空腔室中。倍縮光罩清潔系統的一個實例為第1圖的倍縮光罩清潔系統124。在710處，方法700包含在倍縮光罩清潔系統的真空腔室中清潔倍縮光罩。
第8圖為根據一些實施例的用於操作極紫外微影系統的方法800的流程圖。方法800可以利用關於第1圖至第7圖所描述的系統、元件及製程。在802處，方法800包含藉由將極紫外光引導至極紫外掃描器中的倍縮光罩上來執行極紫外微影製程。倍縮光罩的一個實例為第1圖的倍縮光罩108。掃描器的一個實例為第1圖的掃描器104。在804處，方法800包含在執行極紫外微影製程之後，將倍縮光罩儲存在掃描器中的倍縮光罩儲存器中。倍縮光罩儲存器的一個實例為第1圖的倍縮光罩儲存器120。在806處，方法800包含在將倍縮光罩儲存在倍縮光罩儲存器中之後，用掃描器中的倍縮光罩背側檢查模組檢查倍縮光罩的背側。倍縮光罩側檢查模組的一個實例為第1圖的倍縮光罩背側檢查模組122。倍縮光罩的背側的一個實例為第5圖的倍縮光罩背側134。在808處，方法800包含在檢查倍縮光罩的背側之後，用掃描器中的倍縮光罩清潔系統清潔倍縮光罩的背側。倍縮光罩清潔系統的一個實例為第1圖的倍縮光罩清潔系統124。
本揭露的實施例有效且高效地自EUV倍縮光罩移除粒子及其他污染物。在微影製程之前，倍縮光罩由背側檢查模組檢查。若背側檢查模組偵測到倍縮光罩上的碎屑粒子，則倍縮光罩轉移至定位於掃描器中的倍縮光罩清潔系統。倍縮光罩清潔系統自倍縮光罩對粒子進行清潔或移除。隨後倍縮光罩轉移回背側檢查模組。若背側檢查模組確定不存在碎屑粒子，則將倍縮光罩裝載至卡盤中以進行EUV微影製程。
本揭露的實施例為EUV微影系統提供許多益處。因為倍縮光罩清潔系統有利地定位在掃描器中，所以倍縮光罩不需要自掃描器環境移除以便對倍縮光罩進行清潔。自掃描器移除倍縮光罩以對倍縮光罩進行清潔為極昂貴且耗時的製程。倍縮光罩在極長一段時間內不能用於EUV製程。因此，定位在掃描器環境中的倍縮光罩清潔系統節省大量的時間及資源。當倍縮光罩被檢查模組拒絕時，倍縮光罩清潔系統在掃描器環境中快速清潔倍縮光罩。結果為快速執行清潔製程，且在極短的時間內EUV倍縮光罩可用於EUV微影製程。此外，清潔製程極有效，因此EUV微影製程將不會因碎屑在倍縮光罩上的存在而中斷或損壞。
在一些實施例中，一種系統包含：EUV掃描器；及卡盤，處於EUV掃描器中且用以在EUV微影製程期間固持倍縮光罩。系統包含：倍縮光罩儲存器，處於EUV掃描器中且用以儲存倍縮光罩；及倍縮光罩清潔系統，處於EUV掃描器中且耦接至倍縮光罩儲存器。
在一些實施例中，一種系統包含掃描器，該掃描器用以接收EUV光，將EUV光引導至掃描器中的倍縮光罩上及將來自倍縮光罩的EUV光引導至晶圓。系統包含：倍縮光罩儲存器，處於掃描器中，用以儲存倍縮光罩；倍縮光罩背側檢查模組，處於掃描器中，用以檢查倍縮光罩的背側；倍縮光罩清潔系統，處於掃描器中且用以清潔倍縮光罩的背側；及機械臂，用以在倍縮光罩背側檢查模組與倍縮光罩清潔系統之間轉移倍縮光罩。
在一些實施例中，一種方法包含：將倍縮光罩儲存在EUV微影系統的掃描器中的倍縮光罩儲存器中；將倍縮光罩自倍縮光罩儲存器轉移至掃描器中的背側檢查模組；及用倍縮光罩背側檢查模組檢查倍縮光罩的背側。方法包含：將倍縮光罩自倍縮光罩背側檢查模組轉移至掃描器中的倍縮光罩清潔系統的真空腔室中；及在倍縮光罩清潔系統的真空腔室中清潔倍縮光罩。
在一些實施例中，一種方法包含：藉由將極紫外光引導至極紫外掃描器中的倍縮光罩上來執行極紫外微影製程；及在執行極紫外微影製程之後，將倍縮光罩儲存在極紫外掃描器中的倍縮光罩儲存器中。方法包含：在將倍縮光罩儲存在倍縮光罩儲存器中之後，用極紫外掃描器中的倍縮光罩背側檢查模組檢查倍縮光罩的背側；及在檢查倍縮光罩的背側之後，用極紫外掃描器中的倍縮光罩清潔系統清潔倍縮光罩的背側。
前述概述了若干實施例的特徵，以使得熟習此項技術者可以較佳地理解本揭露的態樣。熟習此項技術者應當瞭解，其可以容易地將本揭露用作設計或修改其他製程及結構的基礎，以供實現本文中所引入的實施例的相同目的及/或達成相同優點。熟習此項技術者亦應該認識到，這類等效構造不脫離本揭露的精神及範疇，且在不脫離本揭露的精神及範疇的情況下，熟習此項技術者可以進行各種改變、取代及變更。
100:EUV微影系統
102:EUV光產生腔室
104:掃描器
106:EUV光
108:倍縮光罩
109:掃描器光學器件
110:晶圓
112:液滴產生器
114:液滴接收器
116:雷射
117:收集器
118:卡盤
120:倍縮光罩儲存器
122:倍縮光罩背側檢查模組
124:倍縮光罩清潔系統
126:機械臂
127、158:光學量測系統
128:光源
129:碎屑移除構件
130、150:內部容積
131:清潔尖端
132、152:壁
134:背側
136:曝光側
140:基底板
142:支撐銷
144:第一碎屑粒子
146:第二碎屑粒子
154:橫向視窗
156:上部視窗
160:照明器
170:組裝的EUV艙
172:底部外殼
174:蓋板
176:頂部外殼
180:基板
182:反射多層
184:緩衝層
186:吸收層
188:第一吸收層
190:第二吸收層
192:溝槽
700、800:方法
702、704、706、708、710、802、804、806、808:步驟
H1、H2:高度
當結合隨附圖式閱讀時，根據以下詳細描述最佳地理解本揭露的態樣。應注意，根據行業中的標準實踐，未按比例繪製各種特徵。實務上，為論述清楚起見，各種特徵的尺寸可以任意增加或減小。
第1圖為根據一些實施例的EUV微影系統的方塊圖。
第2A圖至第2D圖為根據一些實施例的倍縮光罩清潔系統的圖示。
第3圖為根據一些實施例的倍縮光罩背側檢查模組的圖示。
第4圖為根據一些實施例的EUV艙的圖示。
第5圖為根據一些實施例的EUV倍縮光罩的圖示。
第6圖為根據一些實施例的倍縮光罩儲存器、倍縮光罩背側檢查模組及倍縮光罩清潔系統的圖示。
第7圖為根據一些實施例的用於操作EUV微影系統的方法的流程圖。
第8圖為根據一些實施例的用於操作EUV微影系統的方法的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:EUV微影系統
102:EUV光產生腔室
104:掃描器
106:EUV光
108:倍縮光罩
109:掃描器光學器件
110:晶圓
112:液滴產生器
114:液滴接收器
116:雷射
117:收集器
118:卡盤
120:倍縮光罩儲存器
122:倍縮光罩背側檢查模組
124:倍縮光罩清潔系統
126:機械臂
Claims (20)
- 一種系統，包括： 一極紫外掃描器； 一卡盤，處於該極紫外掃描器中且用以在一極紫外微影製程期間固持一倍縮光罩； 一倍縮光罩儲存器，處於該極紫外掃描器中且用以儲存該倍縮光罩；及 一倍縮光罩清潔系統，處於該極紫外掃描器中且耦接至該倍縮光罩儲存器。
- 如請求項1所述的系統，其中該倍縮光罩清潔系統用以清潔該倍縮光罩的一背側。
- 如請求項2所述的系統，其中該倍縮光罩清潔系統用以量測一碎屑粒子在該倍縮光罩的該背側上的一高度。
- 如請求項3所述的系統，其中該倍縮光罩清潔系統包含量測該碎屑粒子的該高度的一光學量測系統。
- 如請求項3所述的系統，其中該倍縮光罩清潔系統包含具有一清潔尖端的一清潔構件，該清潔尖端用以通藉由接觸該碎屑粒子自該倍縮光罩的該背側移除該碎屑粒子。
- 如請求項5所述的系統，其中該倍縮光罩清潔系統用以回應於量測該碎屑粒子的該高度而藉由將該清潔尖端操縱至該倍縮光罩的該背側上方的對應於該碎屑粒子的該高度的一距離來移除該碎屑粒子。
- 如請求項5所述的系統，其中該清潔尖端包含用以黏著至該碎屑粒子的一黏著材料。
- 如請求項1所述的系統，進一步包括耦接至該極紫外掃描器中的該倍縮光罩儲存器的一倍縮光罩背側檢查模組。
- 如請求項8所述的系統，其中該倍縮光罩背側檢查模組用以檢查該倍縮光罩的一背側，且若該倍縮光罩的該背側被污染，則防止該倍縮光罩被裝載至該卡盤中。
- 如請求項9所述的系統，進一步包括一機械臂，機械臂用以若該倍縮光罩的該背側被污染，則將該倍縮光罩自該倍縮光罩背側檢查模組運輸至該倍縮光罩清潔系統。
- 一種方法，包括以下步驟： 藉由將極紫外光引導至一極紫外掃描器中的一倍縮光罩上來執行一極紫外微影製程； 在執行該極紫外微影製程之後，將該倍縮光罩儲存在該極紫外掃描器中的一倍縮光罩儲存器中； 在將該倍縮光罩儲存在該倍縮光罩儲存器中之後，用該極紫外掃描器中的一倍縮光罩背側檢查模組檢查該倍縮光罩的一背側；及 在檢查該倍縮光罩的該背側之後，用該極紫外掃描器中的一倍縮光罩清潔系統清潔該倍縮光罩的該背側。
- 如請求項11所述的方法，進一步包括用一機械臂將該倍縮光罩自該倍縮光罩儲存器轉移至該倍縮光罩背側檢查模組。
- 如請求項12所述的方法，進一步包括以下步驟：回應於該倍縮光罩背側檢查模組偵測該倍縮光罩的該背側上的多個碎屑粒子，用該機械臂將該倍縮光罩自該倍縮光罩背側檢查模組轉移至該倍縮光罩清潔系統。
- 如請求項11所述的方法，進一步包括以下步驟： 將多個液滴輸出至一極紫外光產生腔室； 在該極紫外光產生腔室中用雷射光照射該些液滴來產生該極紫外光；及 用一收集器將來自該紫外光產生腔室的該極紫外光引導至該極紫外掃描器中。
- 如請求項11所述的方法，其中該倍縮光罩清潔系統物理耦接至該倍縮光罩儲存器。
- 一種方法，包括以下步驟： 將一倍縮光罩儲存在一極紫外微影系統的一掃描器中的一倍縮光罩儲存器中； 將該倍縮光罩自該倍縮光罩儲存器轉移至該掃描器中的一背側檢查模組； 用一倍縮光罩背側檢查模組檢查該倍縮光罩的一背側； 將該倍縮光罩自該倍縮光罩背側檢查模組轉移至該掃描器中的一倍縮光罩清潔系統的一真空腔室中；及 在該倍縮光罩清潔系統的該真空腔室中清潔該倍縮光罩。
- 如請求項16所述的方法，進一步包括以下步驟： 將該倍縮光罩裝載至該掃描器中的一卡盤上；及 在該倍縮光罩裝載至該卡盤上的同時用該倍縮光罩執行一極紫外微影製程。
- 如請求項16所述的方法，進一步包括以下步驟：回應於用該倍縮光罩背側檢查模組偵測該倍縮光罩的該背側上的一碎屑粒子，將該倍縮光罩自該倍縮光罩背側檢查模組轉移至該倍縮光罩清潔系統的該真空腔室中。
- 如請求項18所述的方法，進一步包括以下步驟：用該倍縮光罩清潔系統偵測該碎屑粒子在該倍縮光罩的該背側上的一高度。
- 如請求項19所述的方法，其中清潔該倍縮光罩的該背側之步驟包含以下步驟：藉由將一清潔尖端操縱至該倍縮光罩的該背側上方的該碎屑粒子的該高度來用該清潔尖端移除該碎屑粒子。
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