TW202104555A

TW202104555A - 液晶介質

Info

Publication number: TW202104555A
Application number: TW109116296A
Authority: TW
Inventors: 哈拉德賀奇曼; 瑪提娜威得侯斯特
Original assignee: 德商馬克專利公司
Priority date: 2014-11-25
Filing date: 2015-11-24
Publication date: 2021-02-01
Also published as: TWI828910B

Abstract

本發明係關於一種包含式I化合物之液晶介質，

Description

液晶介質

本發明係關於一種包含式I化合物之液晶介質，

此類介質可尤其用於基於ECB效應之具有主動矩陣定址之電光顯示器及IPS (共平面切換型)顯示器或FFS (邊緣場切換型)顯示器。

電控雙折射(ECB)效應或此外配向相之變形(DAP)效應之原理首次描述於1971年(M.F. Schieckel及K. Fahrenschon, 「Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields」, Appl. Phys. Lett. 19 (1971), 3912)。隨後描述於J.F.Kahn (Appl. Phys. Lett. 20 (1972), 1193)及G. Labrunie及J. Robert (J. Appl. Phys. 44 (1973), 4869)之論文中。 J. Robert及F. Clerc (SID 80 Digest Techn. Papers (1980), 30)、J. Duchene (Displays 7 (1986), 3)及H. Schad (SID 82 Digest Techn. Papers (1982), 244)之論文展示液晶相必須具有彈性常數K₃ /K₁ 之高比值、高光學各向異性Δn值及介電各向異性值Δε≤-0.5以適用於基於ECB效應之高資訊顯示元件。基於ECB效應之電光顯示元件具有垂直邊緣配向(VA技術=豎直配向)。介電負性液晶介質亦可用於使用所謂IPS或FFS效應之顯示器。除共平面轉換型(IPS)顯示器(例如：Yeo, S.D., 論文15.3: 「An LC Display for the TV Application」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第II冊, 第758及759頁)及很早已知的扭轉向列型(TN)顯示器之外，使用ECB效應之顯示器，如所謂豎直配向向列型(VAN)顯示器，例如利用多域豎直配向(MVA，例如：Yoshide, H.等人, 論文3.1: 「MVA LCD for Notebook or Mobile PCs ...」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第I冊, 第6至9頁, 及Liu, C.T.等人, 論文15.1: 「A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology ...」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第II冊, 第750至753頁)、圖案化豎直配向(PVA，例如：Kim, Sang Soo, 文件15.4: 「Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第II冊, 第760至763頁)、先進的超級視圖(ASV，例如：Shigeta, Mitzuhiro及Fukuoka, Hirofumi, 文件15.2: 「Development of High Quality LCDTV」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第II冊, 第754至757頁)模式之顯示器，本身已確立為當前最重要的三種較新型液晶顯示器(尤其用於電視應用)之一。該等技術在例如Souk, Jun, SID Seminar 2004, 研討會M-6: 「Recent Advances in LCD Technology」, Seminar Lecture Notes, M-6/1至M-6/26及Miller, Ian, SID Seminar 2004, 研討會M-7: 「LCD-Television」, Seminar Lecture Notes, M-7/1至M-7/32中以一般形式進行比較。儘管現代ECB顯示器之反應時間已藉由使用超速驅動之定址方法顯著改良，例如：Kim, Hyeon Kyeong等人, 論文9.1: 「A 57-in. Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第I冊, 第106頁至第109頁，但視訊相容性反應時間之達成，尤其關於灰度轉換仍為尚未得到圓滿解決之問題。此效應在電光顯示元件中之工業應用需要LC相，其必須滿足多種要求。在本文中，對濕氣、空氣之化學抗性及物理影響(諸如熱、紅外、可見光及紫外輻射以及直流及交流電場)尤其重要。此外，工業上可使用之LC相為在適合之溫度範圍內及低黏度下具有液晶中間相所必需。迄今揭示之具有液晶中間相之一系列化合物均不包括符合所有此等要求之單一化合物。因此一般製備兩種至25種、較佳三種至18種化合物之混合物以獲得可用作LC相之物質。然而，以此方式不可能容易地製備最佳相，因為迄今尚未獲得具有顯著負介電各向異性及足夠長期穩定性之液晶材料。已知矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)。可用於個別像素之個別轉換的非線性元件為例如主動元件(亦即電晶體)。隨後使用術語「主動矩陣」，其中可在兩種類型之間進行區分： 1.矽晶圓上之金屬氧化物半導體(MOS)電晶體作為基板 2.玻璃板上之薄膜電晶體(TFT)作為基板。在類型1之情形下，所用電光效應通常為動態散射或客體-主體效應。使用單晶矽作為基板材料限制了顯示器尺寸，因為即使模組組裝各種部分顯示器亦會在接合點處產生問題。在更有前景之類型2 (其為較佳)之情形下，使用電光效應通常為TN效應。在兩種技術之間進行區分：包含化合物半導體(諸如CdSe)之TFT或基於多晶或非晶矽之TFT。後一技術在全世界廣泛使用。將TFT矩陣塗覆於顯示器之一個玻璃板的內部，而另一玻璃板在其內部攜有透明相對電極。相較於像素電極之尺寸，TFT極小且對影像實際上無不良影響。此技術亦可沿用至全色能顯示器，其中以某種方式配置紅光、綠光及藍光濾光器之嵌合體以使得濾光器元件與各可切換像素相對。本文之術語MLC顯示器涵蓋具有整合之非線性元件的任何矩陣顯示器，亦即除主動矩陣以外，顯示器亦具有被動元件，諸如變阻器或二極體(MIM=金屬-絕緣體-金屬)。此類型之MLC顯示器尤其適用於TV應用(例如口袋型TV)或汽車或飛機構造中之高資訊顯示器。除關於對比度及反應時間之角度依賴性的問題以外，MLC顯示器中亦由於液晶混合物之不夠高之比電阻而產生困難[TOGASHI, S., SEKIGUCHI, K., TANABE, H., YAMAMOTO, E., SORIMACHI, K., TAJIMA, E., WATANABE, H., SHIMIZU, H., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月: A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings, 第141頁及以下, Paris；STROMER, M., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月: Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays, 第145頁及以下, Paris]。隨著電阻減小，MLC顯示器之對比度劣化。由於液晶混合物之比電阻一般由於與顯示器內表面相互作用而隨MLC顯示器之壽命下降，故對於必須在長操作時間段具有可接受之電阻值的顯示器，高(初始)電阻極其重要。因此，仍非常需要在大工作溫度範圍及低臨限電壓之同時具有快速反應時間的MLC顯示器，從而可產生各種灰度。常使用之MLC-TN顯示器的缺點係由於其相對較低的對比度、相對較高的視角依賴性及在此等顯示器中產生灰度之困難。 VA顯示器具有顯著較佳視角依賴性。因此主要用於電視及監視器。然而，此處仍需要改良反應時間，尤其考慮到用於圖框速率(影像變化頻率/刷新速率)大於60 Hz之電視。然而，同時必須不減弱諸如低溫穩定性之特性。

本發明係基於提供尤其用於監視器及TV應用，基於ECB效應或基於IPS或FFS效應之液晶混合物之目標，該等液晶混合物無上文指示之缺點，或僅具有降低程度之上文指示之缺點。詳言之，必須確保監視器及電視在極高及極低溫度下亦工作，且同時具有極短反應時間且同時具有改良之可靠性行為，尤其在長操作時間之後不展現影像殘留或展現顯著降低之影像殘留。意外地，若將式I化合物用於液晶混合物，尤其具有負介電各向異性之LC混合物，較佳用於VA、IPS及FFS顯示器，進一步用於PM (被動矩陣)-VA顯示器，則可降低旋轉黏度γ1與彈性常數K33之比率(γ1/K33)，因此改良反應時間。意外地，式I化合物同時具有極低旋轉黏度及介電各向異性之高絕對值。因此可能製備具有極短反應時間，同時具有優良相特性及優良低溫行為之液晶化合物，較佳VA、IPS及FFS混合物。因此，本發明係關於如技術方案1之液晶介質，其包含式I化合物。本發明之混合物較佳展現極寬向列相範圍，且清澈點≥68℃，較佳≥70℃，展現極有利之電容臨限值，相對高之保持率值，且同時在-20℃及-30℃下極優良之低溫穩定性以及低旋轉黏度及短反應時間。此外，除旋轉黏度γ₁ 改良之外，本發明之混合物藉由可觀察到用於改良反應時間之相對高的彈性常數K₃₃ 值而區分。本發明混合物之一些較佳實施例如下所指示。以混合物作為整體計，式I化合物較佳以≥1重量%、較佳≥3重量%之量用於液晶介質中。尤其較佳為包含5至30重量%、極尤其較佳5至15重量%式I化合物之液晶介質。本發明之液晶介質之較佳實施例如下所指示： a)另外包含一或多種選自式IIA、IIB及IIC之化合物之群的化合物的液晶介質，

	IIA

	IIB

	IIC

其中 R^2A 、R^2B 及R^2C 各彼此獨立地表示H；具有至多15個C原子之烷基或烯基，其未經取代、經CN或CF₃ 單取代或至少經鹵素單取代，其中，另外，此等基團中之一或多個CH₂ 基團可以使得O原子不直接彼此鍵聯之方式經-O-、-S-、

、-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-OC-O-或-O-CO-置換；或具有3至6個C原子之環烷基環， L^1-4 各獨立地表示F、Cl、CF₃ 或CHF₂ ， Z² 及Z^2' 各獨立地表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CHCH₂ O-， p表示1或2， q表示0或1，且 v表示1至6。在式IIA及IIB之化合物中，Z² 可具有相同或不同含義。在式IIB化合物中，Z² 及Z² ^' 可具有相同或不同含義。在式IIA、IIB及IIC之化合物中，R^2A 、R^2B 及R^2C 各較佳表示具有1至6個C原子之烷基，尤其CH₃ 、C₂ H₅ 、n-C₃ H₇ 、n-C₄ H₉ 、n-C₅ H₁₁ 。在式IIA及IIB之化合物中，L¹ 、L² 、L³ 及L⁴ 較佳表示L¹ = L² = F，且L³ = L⁴ = F，此外L¹ = F，且L² = Cl，L¹ = Cl，且L² = F，L³ = F，且L⁴ = Cl，L³ = Cl，且L⁴ = F。式IIA及IIB中之Z² 及Z² '較佳各彼此獨立地表示單鍵，此外表示-C₂ H₄ -或-CH₂ O-橋。若在式IIB中，Z² =-C₂ H₄ -或-CH₂ O-，則Z² ^' 較佳為單鍵，或若Z² ^' =-C₂ H₄ -或-CH₂ O-，則Z² 較佳為單鍵。在式IIA及IIB之化合物中，(O)C_v H_2v ₊ ₁ 較佳表示OC_v H_2v ₊ ₁ ，此外C_v H_2v ₊ ₁ 。在式IIC化合物中，(O)C_v H_2v ₊ ₁ 較佳表示C_v H_2v ₊ ₁ 。在式IIC化合物中，L³ 及L⁴ 較佳各表示F。較佳之式IIA、IIB及IIC之化合物如下所指示：

, 其中烷基及烷基*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。本發明之尤其較佳混合物包含一或多種式IIA-2、IIA-8、IIA-14、IIA-26、IIA-28、IIA-33、IIA-39、IIA-45、IIA-46、IIA-47、IIB-2、IIB-11、IIB-16及IIC-1之化合物。式IIA及/或IIB之化合物在整個混合物中之比例較佳為至少20重量%。本發明之尤其較佳介質包含至少一種式IIC-1之化合物，

，其中烷基及烷基*具有上文所指示之含義，其量較佳為＞3重量%，尤其＞5重量%且尤其較佳5至25重量%。 b)另外包含一或多種式III化合物之液晶介質，

III 其中 R³¹ 及R³² 各獨立地表示有至多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基，且

表示

、

、

、

或

Z³ 表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-C₄ H₈ -、-CF=CF-。較佳式III化合物如下所指示：

其中烷基及烷基*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。本發明之介質較佳包含至少一種式IIIa及/或式IIIb之化合物。式III化合物在整體混合物中之比例較佳為至少5重量%。 c)另外包含一或多種下式之四環化合物的液晶介質：

V-1

V-2

V-3

V-4

V-5

V-6

V-7

V-8

V-9 其中 R^7-10 各彼此獨立地具有技術方案2中對於R^2A 所指示之含義之一，且 w及x各獨立地表示1至6。尤其較佳為包含至少一種式V-9化合物之混合物。 d)另外包含一或多種式Y-1至Y-6之化合物的液晶介質，

Y-1

Y-2

Y-3

Y-4

Y-5

Y-6 其中R¹⁴ -R¹⁹ 各獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基；z及m各獨立地表示1至6；x表示0、1、2或3。本發明之介質尤其較佳包含一或多種式Y-1至Y-6之化合物，其量較佳為≥5重量%。 e)另外包含一或多種式T-1至T-21之氟化聯三苯的液晶介質，

T-1

T-2

T-3

T-4

T-5

T-6

T-7

T-8

T-9

T-10

T-11

T-12

T-13

T-14

T-15

T-16

T-17

T-18

T-19

T-20

T-21 其中 R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之烯基，且m = 0、1、2、3、4、5或6，且n表示0、1、2、3或4。 R較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。本發明之介質較佳包含式T-1至T-21之聯三苯，其量為2至30重量%，尤其5至20重量%。尤其較佳為式T-1、T-2、T-20及T-21之化合物。在此等化合物中，R較佳表示烷基，此外烷氧基，其各具有1至5個C原子。在式T-20化合物中，R較佳表示烷基或烯基，尤其烷基。在式T-21化合物中，R較佳表示烷基。若混合物之Δn值欲為≥0.1，則聯三苯較佳用於本發明之混合物中。較佳混合物包含2至20重量%的一或多種選自化合物T-1至T-21之群的聯三苯化合物。 f)另外包含一或多種式B-1至B-4之聯苯的液晶介質，

其中烷基及烷基*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，烯基及烯基*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且烷氧基表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基。式B-1至B-4之聯苯在整體混合物中之比例較佳為至少3重量%，尤其≥5重量%。在式B-1至B-4之化合物中哦和那個，式B-2化合物為尤其較佳。尤其較佳聯苯為

, 其中烷基*表示具有1至6個C原子之烷基。本發明之介質尤其較佳包含一或多種式B-1a及/或B-2c之化合物。 g)包含至少一種式Z-1至Z-7之化合物的液晶介質，

其中 R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之烯基，烷基表示具有1至6個C原子之烷基，且 (O)烷基表示烷基或O烷基。 h)包含至少一種式O-1至O-17之化合物的液晶介質，

	O-1
	O-2
	O-3
	O-4
	O-5
	O-6
	O-7
	O-8
	O-9
	O-10
	O-11
	O-12
	O-13
	O-14
	O-15
	O-16
	O-17

其中R¹ 及R² 具有對於R^2A 所指示之含義，且式O-17化合物與式I化合物不相同。R¹ 及R² 較佳各獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，或R¹ 表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且R² 表示具有2至6個C原子之烯基。較佳介質包含一或多種式O-1、O-3、O-4、O-5、O-9、O-12、O-14、O-15、O-16及/或O-17之化合物。本發明之混合物極尤其較佳包含式O-9、O-12、O-16及/或O-17之化合物，其量尤其為5至30%。較佳之式O-9及O-17之化合物如下所指示：

	O-9a

	O-9b

	O-17a

	O-17b

	O-17c

	O-17d

本發明之介質尤其較佳包含式O-9a及/或式O-9b之三環化合物以及一或多種式O-17a至O-17d之雙環化合物。式O-9a及/或O-9b之化合物以及一或多種選自式O-17a至O-17d之雙環化合物的化合物之總比例較佳為5至40%，極尤其較佳為15至35%。極尤其較佳混合物包含化合物O-9a及O-17a：

	O-9a

	O-17a。

以混合物作為整體計，化合物O-9a及O-17a較佳以15至35%、尤其較佳15至25%且特別較佳18至22%之濃度存在於混合物中。極尤其較佳混合物包含化合物O-9b及O-17a：

	O-9b
	O-17a。

以混合物作為整體計，化合物O-9b及O-17a較佳以15至35%、尤其較佳15至25%且尤其較佳18至22%之濃度存在於混合物中。極尤其較佳混合物包含以下三種化合物：

	O-9a

	O-9b

	O-17a。

以混合物作為整體計，化合物O-9a、O-9b及O-17a較佳以15至35%、尤其較佳15至25%且尤其較佳18至22%之濃度存在於混合物中。此外，較佳式O-17化合物為選自下式之化合物的群的化合物

	O-17e

	O-17f

	O-17g

	O-17h

	O-17i

,	O-17j

在各情形下，其量較佳為≥3重量%，尤其≥10重量%。 i)包含一或多種式BA化合物之液晶介質

其中烯基及烯基*各彼此獨立地表示具有2至12個C原子之直鏈烯基，

表示

、

或

， Z³ 表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-C₄ H₈ -、-CF=CF-。較佳式BA化合物如下所指示：

		BA-1

		BA-2

		BA-3

		BA-4

		BA-5。

較佳混合物包含5至60重量%、較佳10至55重量%、尤其20至50重量%式O-17e化合物

O-17e。

此外，較佳為包含化合物O-17e

及化合物O-17i

之液晶混合物，其總量較佳為3至60重量%。 j)本發明之較佳液晶介質包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之物質，諸如式N-1至N-5之化合物，

	N-1
	N-2
	N-3
	N-4
	N-5

其中R^1N 及R^2N 各彼此獨立地具有對於R^2A 所指示之含義，較佳表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基，且 Z¹ 及Z² 各獨立地表示-C₂ H₄ -、-CH=CH-、-(CH₂ )₄ -、-(CH₂ )₃ O-、-O(CH₂ )₃ -、-CH=CHCH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ CH=CH-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、‌-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ -或單鍵。 k)較佳混合物包含一或多種選自以下之群的化合物：式BC之二氟二苯并

烷化合物、式CR之

烷、式PH-1及PH-2之氟化菲、式BF-1及BF-2之氟化二苯并呋喃以及式BS-1及BS-2之氟化二苯并噻吩，

BC

CR

PH-1

PH-2

BF-1

BF-2

BS-1

BS-2 其中 R^B1 、R^B2 、R^CR1 、R^CR2 、R¹ 、R² 各彼此獨立地具有R^2A 之含義。c為0、1或2。d為1或2。R¹ 及R² 分別較佳彼此獨立地表示具有1至6或2至6個C原子之烷基、烷氧基、烯基或烯氧基。本發明之混合物較佳以3至20重量%之量、尤其以3至15重量%之量包含式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1及/或BS-2之化合物。尤其較佳之式BC、CR、BF及BS之化合物為化合物BC-1至BC-7及CR-1至CR-5，

其中烷基及烷基*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基及烯基*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且烯氧基表示具有2至6個C原子之直鏈烯氧基。極尤其較佳為包含一種、兩種或三種式BC-2及/或BF-1a之化合物的混合物。 l)較佳混合物包含一或多種式In之茚滿化合物，

In 其中 R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 各分別獨立地表示具有1至6個C原子或2至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基， R¹² 及R¹³ 另外表示鹵素，較佳F，

表示

、

， i表示0、1或2。較佳式In化合物為如下所指示之式In-1至In-16之化合物：

In-1

In-2

In-3

In-4

In-5

In-6

In-7

In-8

In-9

In-10

In-11

In-12

In-13

In-14

In-15

In-16 尤其較佳為式In-1、In-2、In-3及In-4之化合物。式In及次式In-1至In-16之化合物較佳以≥5重量%、尤其5至30重量%且極尤其較佳5至25重量%之濃度用於本發明之混合物。 m)較佳混合物另外包含一或多種式L-1至L-11之化合物，

其中 R、R¹ 及R² 各彼此獨立地具有技術方案2中對於R^2A 所指示之含義，且烷基表示具有1至6個C原子之烷基。s表示1或2。尤其較佳為式L-1及L-4、尤其L-4之化合物。式L-1至L-11之化合物較佳以5至50重量%、尤其5至40重量%及極尤其較佳10至40重量%之濃度使用。 n)介質另外包含一或多種式EY化合物

EY

其中 R¹ 及R¹ ^* 各彼此獨立地具有技術方案2中對於R^2A 所指示之含義，且 L¹ 及L² 各獨立地表示F、Cl、CF₃ 或CHF₂ 。在式EY化合物中，R¹ 及R¹ ^* 較佳表示具有≥2個C原子之烷氧基，且L¹ =L² =F。尤其較佳為下式之化合物

	EY-1

	EY-2

	EY-3

	EY-4

	EY-5

	EY-6

	EY-7

	EY-8

	EY-9

	EY-10

	EY-11

	EY-12

	EY-13

	EY-14

	EY-15

	EY-16

	EY-17

	EY-18

	EY-19

	EY-20

	EY-21

	EY-22

	EY-23

	EY-24

	EY-25

	EY-26。

o)介質另外包含一或多種選自下式之化合物：

	Q-1

	Q-2

	Q-3

	Q-4

	Q-5

	Q-6

	Q-7

	Q-8

	Q-9。

在式Q-1至Q-9之化合物中，R^Q 及X^Q 各彼此獨立地具有技術方案2中R^2A 之含義。R^Q 及X^Q 較佳表示具有1至6個C原子、尤其具有2至5個C原子之直鏈烷基。尤其較佳混合物概念如下所指示：(所用首字母縮寫詞於表1-3及表A中說明。本文之n及m各彼此獨立地表示1至6)。本發明之混合物較佳包含 -式I化合物以及一或多種式O-17化合物，較佳以及化合物CCH-23，及/或 -式I化合物以及CCH-25、CCH-34及/或CCH-35，及/或 -CPY-n-Om，尤其CPY-2-O2、CPY-3-O2及/或CPY-5-O2，以混合物作為整體計，其濃度較佳為＞5%，尤其10至30% ，及/或 -B-nO-Om，其濃度較佳為1至15，及/或 -CY-n-Om，較佳CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2及/或CY-5-O4，以混合物作為整體計，其濃度較佳為＞ 5%、尤其15-50%，及/或 -CCY-n-Om，較佳CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1及/或CCY-5-O2，以混合物作為整體計，其濃度較佳為＞ 5%、尤其10至30%，及/或 -CLY-n-Om，較佳CLY-2-O4、CLY-3-O2及/或CLY-3-O3，以混合物作為整體計，其濃度較佳為＞ 5%、尤其10至30%，及/或 - CK-n-F，較佳CK-3-F、CK-4-F及/或CK-5-F，以混合物作為整體計，較佳＞ 5%、尤其5至25%。此外，較佳為包含以下混合物概念之本發明混合物： (n及m各獨立地表示1至6。) - CPY-n-Om及CY-n-Om，以混合物作為整體計，其濃度較佳為10至80%，及/或 - CPY-n-Om及CK-n-F，以混合物作為整體計，其濃度較佳為10至70%，及/或 -CPY-n-Om及PY-n-Om，較佳CPY-2-O2及/或CPY-3-O2及PY-3-O2，以混合物作為整體計，其濃度較佳為10至40%，及/或 - CPY-n-Om及CLY-n-Om，以混合物作為整體計，其濃度較佳為10至80%，及/或 -CC-3-V1，其量較佳為3至15% 及/或 CC-V-V，其量較佳為5至60% 及/或 CC-3-V，其量較佳為5至60% 及/或 PGIY-n-Om，其量較佳為3至15%，及/或 CC-n-2V1，其量較佳為3至20%。此外，本發明係關於一種基於ECB、VA、PS-VA、PVA、PM-VA、SS-VA、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效應、尤其UB-FFS之具有主動矩陣定址的電光顯示器，其特徵在於其含有如技術方案1至14中之一或多者的液晶介質作為介電質。本發明之液晶介質較佳在≤-20℃至≥70℃、尤其較佳≤-30℃至≥80℃、極尤其較佳≤-40℃至≥90℃下具有向列相。

表述「具有向列相」在本文中意謂：一方面，在相應溫度下在低溫下未觀察到近晶相及結晶，且另一方面，在加熱時自向列相不會出現清澈現象。低溫下之研究在相應溫度下於流動黏度計中進行，且藉由儲存於層厚度對應於電光用途之測試單元中至少100小時來檢驗。若在-20℃之溫度下於相應測試單元中儲存穩定性為1000小時或1000小時以上，則介質稱為在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下，相應時間分別為500小時及250小時。在高溫下，藉由習知方法在毛細管中量測清澈點。液晶混合物較佳具有至少60 K之向列相範圍及在20℃下至多30 mm² ∙s^- ¹ 之流動黏度ν₂₀ 。在液晶混合物中雙折射值Δn一般為0.07至0.16，較佳0.08至0.13。本發明之液晶混合物的∆ε為-0.5至-8.0，尤其-2.5至-6.0，其中∆ε表示介電各向異性。在20℃下之旋轉黏度γ₁ 較佳為≤150 mPa∙s，尤其為≤130 mPa∙s。本發明之液晶介質具有相對小之臨限電壓(V₀ )值。其較佳在1.7 V至3.0 V範圍內，尤其較佳≤2.5 V且極尤其較佳≤2.3 V。對於本發明，除非另外明確指示，否則術語「臨限電壓」係關於電容臨限值(V₀ )，亦稱為弗雷德里克臨限值(Freedericks threshold)。另外，本發明之液晶介質在液晶單元中具有高電壓保持率值。一般而言，相較於具有較高定址電壓或臨限電壓之液晶介質，具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質展現較低電壓保持率，且反之亦然。對於本發明，術語「介電正性化合物」表示∆ε＞1.5之化合物，術語「介電中性化合物」表示-1.5≤∆ε≤1.5之化合物，且術語「介電負性化合物」表示∆ε＜-1.5之化合物。在本文中，化合物之介電各向異性藉由以下步驟測定：將10%化合物溶解於液晶主體中，且測定至少一個測試單元中所得混合物之電容，在各情形下該測試單元之層厚度為20 µm，且在1 kHz下具有垂直及均質表面配向。量測電壓通常為0.5 V至1.0 V，但總低於所研究之各別液晶混合物之電容臨限值。對於本發明所指示之所有溫度值以℃為單位。本發明之混合物適用於所有VA-TFT應用，諸如VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA (聚合物支撐型VA)、SS(表面穩定之)-VA及PS-VA (聚合物穩定型VA)。此外，其適用於具有負Δε之IPS (共平面切換型)及FFS (邊緣場切換型)，尤其UB-FFS。本發明之顯示器中的向列型液晶混合物一般包含兩種組分A及B，其自身由一或多種個別化合物組成。組分A具有顯著負性介電各向異性且賦予向列相≤-0.5之介電各向異性。除一或多種式I化合物以外，其較佳包含式IIA、IIB及/或IIC之化合物，此外式III化合物。組分A之比例較佳為45至100%，尤其60至100%。對於組分A，較佳選擇一種(或多種)Δε值≤-0.8之個別化合物。必定是，此值愈負，整體混合物中A之比例愈小。組分B具有明顯向列原基，且在20℃下，流動黏度不大於30 mm² ∙s^- ¹ ，較佳不大於25 mm² ∙s^- ¹ 。多種適合材料為熟習此項技術者由文獻已知。尤其較佳為式III化合物。組分B中之尤其較佳個別化合物為在20℃下流動黏度不大於18 mm² ∙ s^- ¹ ，較佳不大於12 mm² ∙ s^- ¹ 的極低黏度向列型液晶。組分B為單變性或互變性向列型，無近晶相且能夠在降至極低溫度時阻止液晶混合物中出現近晶相。舉例而言，若各種高向列原基材料在各情形下添加至近晶液晶混合物中，則此等材料之向列原基可經由達成之近晶相抑制程度比較。混合物亦可視情況包含組分C，其包含具有≥1.5之介電各向異性Δε之化合物。以負性介電各向異性之混合物作為整體計，此等所謂正性化合物一般以≤20重量%之量存在於該混合物中。若本發明之混合物包含一或多種介電各向異性∆ε≥1.5之化合物，則其較佳為一或多種式P-1及/或P-2之化合物，

	P-1

	P-2

其中 R表示直鏈烷基、烷氧基或烯基，其各分別具有1或2至6個C原子，且 X表示F、Cl、CF₃ 、OCF₃ 、OCHFCF₃ 或CCF₂ CHFCF₃ ，較佳F或OCF₃ 。式P-1及/或P-2之化合物較佳以0.5至10重量%、尤其0.5至8重量%之濃度用於本發明之混合物中。尤其較佳為下式之化合物

, 其較佳以0.5至3重量%之量使用。另外，此等液晶相亦可包含超過18種組分，較佳18至25種組分。除一或多種式I化合物以外，該等相較佳包含4至15種、尤其5至12種且尤其較佳＜10種式IIA、IIB及/或IIC及視情況存在之III之化合物。除式I化合物及式IIA、IIB及/或IIC及視情況存在之III之化合物以外，其他成分亦可例如以整體混合物的至多45%、但較佳至多35%、尤其至多10%之量存在。其他成分較佳選自向列型或向列原基物質，尤其以下之類別的已知物質：氧偶氮苯、苯亞甲基苯胺、聯苯、聯三苯、苯甲酸苯酯或苯甲酸環己酯、環己烷甲酸苯酯或環己烷甲酸環己酯、苯基環己烷、環己基聯苯、環己基環己烷、環己基萘、1,4-雙環己基聯苯或環己基嘧啶、苯基-或環己基二噁烷、視情況經鹵化之芪、苯甲基苯基醚、二苯乙炔及經取代之肉桂酸酯。適合作為此類型液晶相之成分的最重要化合物可由式IV表徵， R²⁰ -L-G-E-R²¹ IV 其中L及E各表示來自由1,4-二取代之苯及環己烷環、4,4'-二取代之聯苯、苯基環己烷及環己基環己烷系統、2,5-二取代之嘧啶及1,3-二噁烷環、2,6-二取代之萘、二氫萘及四氫萘、喹唑啉及四氫喹唑啉形成之群的碳環或雜環系統。 G表示 -CH=CH- -N(O)=N- -CH=CQ- -CH=N(O)- -C≡C- -CH₂ -CH₂ - -CO-O- -CH₂ -O- -CO-S- -CH₂ -S- -CH=N- -COO-Phe-COO- -CF₂ O- -CF=CF- -OCF₂ - -OCH₂ - -(CH₂ )₄ - -(CH₂ )₃ O- 或C-C單鍵，Q表示鹵素，較佳氯或-CN，且R²⁰ 及R²¹ 各表示具有至多18個、較佳至多8個碳原子之烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基，或者此等基團中之一者表示CN、NC、NO₂ 、NCS、CF₃ 、SF₅ 、OCF₃ 、F、Cl或Br。在大多數此等化合物中，R²⁰ 及R²¹ 彼此不同，此等基團中之一者通常為烷基或烷氧基。所提出之取代基的其他變體亦為常見的。多種此類物質或其混合物亦可購得。所有此等物質可藉由自文獻已知之方法製備。對於熟習此項技術者不言而喻，本發明之VA、IPS或FFS混合物亦可包含如下化合物，其中例如H、N、O、Cl及F已經相應同位素置換。此外，以本發明之混合物計，可將可聚合化合物(所謂反應性液晶原基(RM)，例如U.S. 6,861,107中所揭示)以較佳0.01至5重量%、尤其較佳0.2至2重量%之濃度添加至該混合物中。此等混合物可視情況亦包含引發劑，如例如U.S. 6,781,665所述。較佳將引發劑(例如來自BASF之Irganox-1076)以0至1%之量添加至包含可聚合化合物之混合物中。此類型之混合物可用於所謂聚合物穩定型VA模式(PS-VA)或PSA (聚合物支撐型VA)，其中意欲在液晶混合物中進行反應性液晶原基之聚合。其前提條件為液晶混合物自身不包含亦在式M化合物聚合之條件下聚合的可聚合組分。聚合較佳在以下條件下進行：使用具有規定強度之UV-A燈規定時段使可聚合組分在單元中聚合且施加電壓(通常10至30 V交流電壓，頻率在60 Hz至1 kHz範圍內)。所用UV-A光源通常為強度為50 mW/cm² 之金屬-鹵化物蒸氣燈或高壓汞燈。其為例如含有烯基或烯氧基側鏈之液晶化合物，諸如下式之化合物

其中n = 2、3、4、5或6，不聚合之條件。在本發明之一較佳實施例中，可聚合化合物係選自式M化合物 R^Ma -A^M1 -(Z^M1 -A^M2 )_m1 -R^Mb M 其中個別基團具有以下含義： R^Ma 及R^Mb 各獨立地表示P、P-Sp-、H、鹵素、SF₅ 、NO₂ 、烷基、烯基或炔基，其中基團R^Ma 及R^Mb 中之至少一者較佳表示或含有基團P或P-Sp-， P表示可聚合基團， Sp表示間隔基或單鍵， A^M1 及A^M2 各獨立地表示芳族基、雜芳族基、脂環族基或雜環基，其較佳具有4至25個環原子，較佳C原子，其亦包括或可含有環化環且其可視情況經L單取代或多取代， L表示P；P-Sp-；OH；CH₂ OH；F；Cl；Br；I；-CN；-NO₂ ；-NCO；-NCS；-OCN；-SCN；-C(=O)N(R^x )₂ ；-C(=O)Y¹ ；-C(=O)R^x ；-N(R^x )₂ ；視情況經取代之矽烷基；視情況經取代之具有6至20個C原子之芳基；或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中，另外，一或多個H原子可經以下置換：F、Cl、P或P-Sp-，較佳P、P-Sp-、H、OH、CH₂ OH、鹵素、SF₅ 、NO₂ 、烷基、烯基或炔基， Y¹ 表示鹵素， Z^M1 表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-(CH₂ )_n1 -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-(CF₂ )_n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-、-COO-、-OCO-CH=CH-、CR⁰ R⁰⁰ 或單鍵， R⁰ 及R⁰⁰ 各獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基， R^x 表示P；P-Sp-；H；鹵素；具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中，另外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可以使得O及/或S原子不彼此直接鍵聯之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中，另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換；、視情況經取代之具有6至40個C原子之芳基或芳氧基；或視情況經取代之具有2至40個C原子之雜芳基或雜芳氧基， m1表示0、1、2、3或4，且 n1表示1、2、3或4，其中所存在之基團R^Ma 、R^Mb 及取代基L中之至少一者、較佳一者、兩者或三者、尤其較佳一或兩者表示基團P或P-Sp-或含有至少一個基團P或P-Sp-。尤其較佳之式M化合物為如下化合物，其中 R^Ma 及R^Mb 各獨立地表示P；P-Sp-；H；F；Cl；Br；I；-CN；-NO₂ ；-NCO；-NCS；-OCN；-SCN；SF₅ ；或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中，另外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地以使得O及/或S原子不彼此直接鍵聯之方式經以下置換：-C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-，且其中，另外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-置換，其中基團R^Ma 及R^Mb 中之至少一者較佳表示或含有基團P或P-Sp-， A^M1 及A^M2 各獨立地表示1,4-伸苯基；萘-1,4-二基；萘-2,6-二基；菲-2,7-二基；蒽-2,7-二基；茀-2,7-二基；香豆素；黃酮，其中，另外，此等基團中之一或多個CH基團可經N置換；環己烷-1,4-二基，其中，另外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可經O及/或S置換；1,4-伸環己烯基；雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基；雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基；螺[3.3]庚烷-2,6-二基；哌啶-1,4-二基；十氫萘-2,6-二基；1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基；茚滿-2,5-二基；或八氫-4,7-亞甲基茚滿-2,5-二基，其中所有此等基團可未經取代或經L單取代或多取代， L表示P；P-Sp-；OH；CH₂ OH；F；Cl；Br；I；-CN；-NO₂ ；-NCO；-NCS；-OCN；-SCN；-C(=O)N(R^x )₂ ；-C(=O)Y¹ ；-C(=O)R^x ；-N(R^x )₂ ；視情況經取代之矽烷基；視情況經取代之具有6至20個C原子之芳基；或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中，另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換， p表示可聚合基團， Y¹ 表示鹵素， R^x 表示P；P-Sp-；H；鹵素；具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中，另外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可以使得O及/或S原子不彼此直接鍵聯之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中，另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換；視情況經取代之具有6至40個C原子之芳基或芳氧基；或視情況經取代之具有2至40個C原子之雜芳基或雜芳氧基。極尤其較佳為R^Ma 及R^Mb 中之一者或兩者表示P或P-Sp-之式M化合物。用於本發明之液晶介質及PS-VA顯示器或PSA顯示器之適合及較佳RM例如選自下式：

	M1

	M2

	M3

	M4

	M5

	M6

	M7

	M8

	M9

	M10

	M11

	M12

	M13

	M14

	M15

	M16

	M17

	M18

	M19

	M20

	M21

	M22

	M23
	M24

	M25

	M26

	M27

	M28

	M29

其中個別基團具有以下含義： P¹ 及P² 各彼此獨立地表示可聚合基團，其較佳具有上文及下文對於P所指示之含義中之一者，尤佳為丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氟丙烯酸酯、氧雜環丁烷、乙烯氧基或環氧基， Sp¹ 及Sp² 各獨立地表示單鍵或間隔基，其較佳具有上文及下文對於Sp所指示之含義中之一者，且尤其較佳為-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-或-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-，其中p1為1至12之整數，且其中在最後提及之基團中鍵聯至相鄰環經由O原子進行，其中基團P¹ -Sp¹ -及P² -Sp² -中之一者亦可表示R^aa ， R^aa 表示H；F；Cl；CN；或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中，另外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經-C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以使得O及/或S原子不彼此直接鍵聯之方式置換，且其中，另外，一或多個H原子可經F、Cl、CN或P¹ -Sp¹ -置換，尤其較佳為直鏈或分支鏈、視情況經單或多氟化之具有1至12個C原子烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基(其中烯基及炔基具有至少兩個C原子，且分支鏈基團具有至少三個C原子)， R⁰ 、R⁰⁰ 各彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基， R^y 及R^z 各彼此獨立地表示H、F、CH₃ 或CF₃ ， Z^M1 表示-O-、-CO-、-C(R^y R^z )-或-CF₂ CF₂ -， Z^M2 及Z^M3 各獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -或-(CH₂ )_n -，其中n為2、3或4， L在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN或直鏈或分支鏈、視情況經單或多氟化之具有1至12個C原子之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基，較佳F， L'及L''各彼此獨立地表示H、F或Cl， r表示0、1、2、3或4， s表示0、1、2或3， t表示0、1或2，且 x表示0或1。適合可聚合化合物列於例如表D中。本申請案之液晶介質較佳總共包含0.1至10%、較佳0.2至4.0%、尤其較佳0.2至2.0%之可聚合化合物。尤其較佳為式M及式RM-1至RM-102之可聚合化合物。此外，本發明之混合物可包含習知添加劑，諸如穩定劑、抗氧化劑、UV吸收劑、奈米粒子、微米粒子等。本發明之液晶顯示器之結構對應於如在例如EP-A 0 240 379中所述之常見幾何結構。以下實例意欲解釋本發明，而不對其進行限制。在上文及下文中，百分比資料表示重量百分比；所有溫度以攝氏度表示。在整個專利申請案中，1,4-伸環己基環及1,4-伸苯基環描繪如下：

伸環己基環為反-1,4-伸環己基環。在整個專利申請案中及實施例中，液晶化合物之結構藉助於首字母縮寫詞指示。除非另外指示，否則根據表1-3進行向化學式之轉化。所有基團C_n H_2n ₊ ₁ 、C_m H_2m ₊ ₁ 及C_m _' H_2m _'+ ₁ 或C_n H_2n 及C_m H_2m 均為直鏈烷基或伸烷基，在各情形下分別具有n、m、m'或z個C原子。n、m、m'及z各獨立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，較佳1、2、3、4、5或6。在表1中，將各別化合物之環要素編碼，在表2中，列出橋接成員，且在表3中，指示化合物之左側或右側側鏈之符號的含義。表 1 ：環要素


A		AI


B		B(S)


C


D		DI


F		FI


G		GI


K


L		LI


M		MI


N		NI


P


S


U		UI


Y


Y(F,Cl)		Y(Cl,F)

表 2 ：橋接成員

E	-CH₂ CH₂ -
V	-CH=CH-
T	-C≡C-
W	-CF₂ CF₂ -
Z	-COO-	ZI	-OCO-
O	-CH₂ O-	OI	-OCH₂ -
Q	-CF₂ O-	QI	-OCF₂ -

表 3 ：側鏈

左側側鏈	右側側鏈
n-	C_n H_2n+1 -	-n	-C_n H_2n+1
nO-	C_n H_2n+1 -O-	-On	-O-C_n H_2n+1
V-	CH₂ =CH-	-V	-CH=CH₂
nV-	C_n H_2n+1 -CH=CH-	-nV	-C_n H_2n -CH=CH₂
Vn-	CH₂ =CH-C_n H_2n -	-Vn	-CH=CH-C_n H_2n+1
nVm-	C_n H_2n+1 -CH=CH-C_m H_2m -	-nVm	-C_n H_2n -CH=CH-C_m H_2m+1
N-	N≡C-	-N	-C≡N
F-	F-	-F	-F
Cl-	Cl-	-Cl	-Cl
M-	CFH₂ -	-M	-CFH₂
D-	CF₂ H-	-D	-CF₂ H
T-	CF₃ -	-T	-CF₃
MO-	CFH₂ O-	-OM	-OCFH₂
DO-	CF₂ HO-	-OD	-OCF₂ H
TO-	CF₃ O-	-OT	-OCF₃
T-	CF₃ -	-T	-CF₃
A-	H-C≡C-	-A	-C≡C-H

除式IIA及/或IIB及/或IIC之化合物及一或多種式I化合物以外，本發明之混合物較佳亦包含一或多種來自下示表A之化合物。表 A 使用以下縮寫： (n、m、m'、z：各彼此獨立地為1、2、3、4、5或6；(O)C_m H_2m+1 意謂OC_m H_2m+1 或C_m H_2m+1 )

AIK-n-F

AIY-n-Om

AY-n-Om

B-nO-Om

B-n-Om

B(S)-nO-Om

B(S)-n-Om

CB(S)-n-(O)m

CB-n-m

CB-n-Om

PB-n-m

PB-n-Om

BCH-nm

BCH-nmF

CY(Cl,F)-n-Om

CCY-n-Om
CAIY-n-Om

CCY(F,Cl)-n-Om

CCY(Cl,F)-n-Om

CCY-n-m

CCY-V-m

CCY-Vn-m

CCY-n-OmV

CBC-nmF

CBC-nm

CCP-V-m

CCP-Vn-m

CCP-nV-m

CCP-n-m

CPYP-n-(O)m

CYYC-n-m

CCYY-n-(O)m

CCY-n-O2V

CCH-nOm

CY-n-m

CCH-nm

CC-n-V

CC-n-V1

CC-n-Vm

CC-2V-V2

CC-V-V

CC-V-V1

CVC-n-m

CC-n-mV

CCOC-n-m

CP-nOmFF

CH-nm

CEY-n-Om

CEY-V-n

CVY-V-n

CY-V-On

CY-n-O1V

CY-n-OC(CH₃ )=CH₂

CCN-nm

CY-n-OV

CCPC-nm

CCY-n-zOm

CPY-n-Om

CPY-n-m

CPY-V-Om

CQY-n-(O)m

CQIY-n-(O)m

CCQY-n-(O)m

CCQIY-n-(O)m

CPQY-n-(O)m

CPQIY-n-(O)m

CPYG-n-(O)m

CCY-V-Om

CCY-V2-(O)m

CCY-1V2-(O)m

CCY-3V-(O)m

CCVC-n-V

CPYG-n-(O)m

CPGP-n-m

CY-nV-(O)m

CENaph-n-Om

COChrom-n-Om

COChrom-n-m

CCOChrom-n-Om

CCOChrom-n-m

CONaph-n-Om

CCONaph-n-Om

CCNaph-n-Om

CNaph-n-Om

CETNaph-n-Om

CTNaph-n-Om

CK-n-F

CLY-n-Om

CLY-n-m

LYLI-n-m

CYLI-n-m

LY-n-(O)m

COYOICC-n-m

COYOIC-n-V

CCOY-V-O2V

CCOY-V-O3V

COY-n-Om

CCOY-n-Om

D-nOmFF

PCH-nm

PCH-nOm

PGIGI-n-F

PGP-n-m

PGIY-n-Om

PP-n-m

PP-n-Om

PP-n-2V1

PP-n-mVk

PPGU-n-F

PYP-n-mV

PYP-n-m

PYP-n-Om

PPYY-n-m

YPY-n-m

YPY-n-mV

PY-n-Om

PY-n-m

PY-V2-Om

C-DFDBF-n-(O)m

COY-1V-Om

COY-V-Om

CCOY-V-Om

CCOY-1V-Om

B-n-m

DFDBC-n(O)-(O)m

Y-nO-Om

Y-nO-OmV

Y-nO-OmVm'

YG-n-Om

YG-nO-Om

YGI-n-Om

YGI-nO-Om

YY-n-Om

YY-nO-Om

YG-VnO-Om

YG-nO-OmV

YY-VnO-Om

可根據本發明使用之液晶混合物以本身習知之方式製備。一般而言，宜在高溫下將以較少量使用之所要量之組分溶解於構成主要成分之組分中。亦可能將組分於有機溶劑中(例如丙酮、氯仿或甲醇中)之溶液混合，且例如藉由在充分混合之後蒸餾來再次移除溶劑。藉助於適合添加劑，本發明之液晶相可以一定方式改質以使得其可用於迄今已揭示之任何類型(例如ECB、VAN、IPS、GH或ASM-VA LCD)顯示器中。介電質亦可包含熟習此項技術者已知及文獻中所述之其他添加劑，諸如UV吸收劑、抗氧化劑、奈米粒子及自由基清除劑。舉例而言，可添加0至15%多色染料、穩定劑或對掌性摻雜劑。本發明混合物之適合穩定劑尤其為表B中所列之物質。舉例而言，可添加0至15%多色染料，此外導電鹽，較佳4-己氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基銨、四苯基氫硼化四丁基銨或冠醚之複合鹽(參見例如Haller等人, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 第24卷, 第249-258頁(1973))以改良導電性，或可添加物質以改良向列相之介電各向異性、黏度及/或配向。此類型之物質描述於例如DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。表 B 表B展示一般添加至本發明之混合物中的可能摻雜劑。混合物較佳包含0至10重量%、尤其0.01至5重量%且尤其較佳0.01至3重量%摻雜劑。若混合物僅包含一種摻雜劑，則其以0.01至4重量%、較佳0.1至1.0重量%之量使用。


C 15	CB 15

CM 21	R/S-811


CM 44	CM 45


CM 47	CN


R/S-2011	R/S-3011


R/S-4011	R/S-5011


R/S-1011

表 C 下文展示可例如以0至10重量%之量添加至本發明之混合物中的穩定劑。


	n = 1、2、3、4、5、6或7
n = 1、2、3、4、5、6或7
n = 1、2、3、4、5、6或7

本發明之介質尤其較佳包含Tinuvin^® 770 (雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯)，以液晶介質計，其量較佳為0.001至5重量%。表 D 表D展示可較佳作為反應性液晶原基化合物用於本發明之LC介質中的例示性化合物。若本發明之混合物包含一或多種反應性化合物，則其較佳以0.01至5重量%之量使用。亦可能需要添加引發劑或兩種或兩種以上引發劑之混合物以用於聚合。以混合物計，引發劑或引發劑混合物較佳以0.001至2重量%之量添加。適合引發劑為例如Irgacure (BASF)或Irganox (BASF)。

	RM-1
	RM-2
	RM-3
	RM-4
	RM-5
	RM-6
	RM-7
	RM-8
	RM-9
	RM-10
	RM-11
	RM-12
	RM-13
	RM-14
	RM-15
	RM-16
	RM-17
	RM-18
	RM-19
	RM-20
	RM-21
	RM-22
	RM-23
	RM-24
	RM-25
	RM-26
	RM-27
	RM-28
	RM-29
	RM-30
	RM-31
	RM-32
	RM-33
	RM-34
	RM-35
	RM-36
	RM-37
	RM-38
	RM-39
	RM-40
	RM-41
	RM-42
	RM-43
	RM-44
	RM-45
	RM-46
	RM-47
	RM-48
	RM-49
	RM-50
	RM-51
	RM-52
	RM-53
	RM-54
	RM-55
	RM-56
	RM-57
	RM-58
	RM-59
	RM-60
	RM-61
	RM-62
	RM-63
	RM-64
	RM-65
	RM-66
	RM-67
	RM-68
	RM-69
	RM-70
	RM-71
	RM-72
	RM-73
	RM-74
	RM-75
	RM-76
	RM-77
	RM-78
	RM-79
	RM-80
	RM-81
	RM-82
	RM-83
	RM-84
	RM-85
	RM-86
	RM-87
	RM-88
	RM-89
	RM-90
	RM-91
	RM-92
	RM-93
	RM-94
	RM-95
	RM-96
	RM-97
	RM-98
	RM-99
	RM-100
	RM-101
	RM-102

在一較佳實施例中，本發明之混合物包含一或多種可聚合化合物，其較佳選自式RM-1至RM-102之可聚合化合物。此類型之介質尤其適合於PS-FFS及PS-IPS應用。在表D中所示之反應性液晶原基中，化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-9、RM-17、RM-42、RM-48、RM-68、RM-87、RM-91、RM-98、RM-99及RM-101為尤其較佳。此外，式M及式RM-1至RM-102之反應性液晶原基或可聚合化合物適合作為穩定劑。在此情形下，可聚合化合物不聚合，而是以＞1%之濃度添加至液晶介質中。實施例： 以下實例意欲解釋本發明，而不對其進行限制。在實例中，m.p.表示液晶物質之熔點(攝氏度)且C表示液晶物質之清澈點(攝氏度)；沸騰溫度由b.p.表示。此外： C表示結晶固體狀態，S表示近晶相(指數表示相類型)，N表示向列狀態，Ch表示膽固醇相，I表示各向同性相，T_g 表示玻璃轉化溫度。兩個符號之間的數字表示轉化溫度(攝氏度)。用於測定式I化合物之光學各向異性Δn之主體混合物為市售混合物ZLI-4792 (Merck KGaA)。介電各向異性Δε係使用市售混合物ZLI-2857測定。待研究化合物之物理資料由在添加待研究化合物之後主體混合物之介電常數的變化及外推至100%所用化合物獲得。一般而言，視溶解性而定，將10%待研究化合物溶解於主體混合物中。除非另外指示，否則份數或百分比資料表示重量份或重量百分比。在上文及下文中，符號及縮寫具有以下含義： V₀ 在20℃下之臨限電壓，電容[V] Δn 在20℃及589 nm下量測之光學各向異性， Δε 在20℃及1 kHz下之介電各向異性， cl.p. 清澈點[℃] K₁ 彈性常數，在20℃下之「扇狀」變形[pN] K₃ 彈性常數，在20℃下之「彎曲」變形[pN] γ₁ 在20℃下量測之旋轉黏度[mPa·s]，其藉由磁場中之旋轉方法測定 LTS 在測試單元中測定之低溫穩定性(向列相)。用於量測臨限電壓之顯示器具有兩個分隔20 µm之平面平行之外部板及電極層，其中在外部板之內側的頂部上具有包含SE-1211 (Nissan Chemicals)之配向層，其實現液晶之垂直配向。除非另外明確指示，否則本申請案中之所有濃度與相應混合物或混合物組分有關。除非另外明確指示，否則所有物理特性根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, 1997年11月狀態, Merck KGaA, Germany測定，且適用於20℃之溫度。混合物實例 實例 M1

CY-3-O2	16.50%	清澈點[℃]：74.0
CCY-4-O2	10.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1069
CCY-5-O2	6.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CPY-2-O2	9.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CPY-3-O2	9.00%	K₁ [pN，20℃]：12.9
CCH-34	9.00%	K₃ [pN，20℃]：13.7
CCH-13	20.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：117
CCP-3-1	2.00%	V₀ [20℃，V]：2.18
PYP-2-3	6.50%
PYP-2-4	6.50%
PCH-301	5.00%

實例 M2

CY-3-O2	16.50%	清澈點[℃]：74.5
CCY-4-O2	9.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1070
CCY-5-O2	4.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CPY-2-O2	9.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CPY-3-O2	9.00%	K₁ [pN，20℃]：13.1
CCH-34	9.00%	K₃ [pN，20℃]：13.9
CCH-13	20.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：117
CCP-3-1	5.00%	V₀ [20℃，V]：2.19
PYP-2-3	4.00%
PYP-2-4	4.00%
PCH-301	5.00%
PGIY-2-O4	5.00%

實例 M3

CY-3-O2	16.00%	清澈點[℃]：75.0
CCY-3-O1	4.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1081
CCY-3-O2	10.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CPY-2-O2	8.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CPY-3-O2	10.50%	K₁ [pN，20℃]：13.3
CCH-23	9.00%	K₃ [pN，20℃]：14.6
CCH-13	20.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：118
CCP-3-1	6.00%	V₀ [20℃，V]：2.20
PYP-2-3	4.00%
PYP-2-4	4.00%
PCH-301	3.00%
PGIY-2-O4	5.00%

實例 M4

CY-3-O2	17.00%	清澈點[℃]：75.5
CCY-3-O2	11.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1082
CPY-2-O2	8.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.3
CPY-3-O2	11.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-23	20.00%	K₁ [pN，20℃]：13.2
CCH-13	10.00%	K₃ [pN，20℃]：14.5
CCP-3-1	6.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：115
PYP-2-3	4.00%	V₀ [20℃，V]：2.21
PYP-2-4	4.00%
PCH-301	3.00%
PGIY-2-O4	5.00%

實例 M5

BCH-32	4.25%	清澈點[℃]：75.1
CC-3-V1	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0975
CCH-13	12.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.6
CCH-35	3.75%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCP-3-1	10.00%	K₁ [pN，20℃]：14.4
CCY-3-O1	5.00%	K₃ [pN，20℃]：16.5
CCY-3-O2	3.25%	γ₁ [mPa·s，20℃]：127
CPY-2-O2	7.00%	V₀ [20℃，V]：2.26
CPY-3-O2	11.75%
CY-3-O2	15.50%
CY-3-O4	3.50%
CY-5-O2	14.00%

實例 M6

BCH-32	2.50%	清澈點[℃]：75.7
CCH-13	16.75%	Δn [589 nm，20℃]：0.0974
CCH-34	4.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCH-35	7.25%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCP-3-1	10.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCY-3-O1	11.50%	K₃ [pN，20℃]：16.1
CCY-3-O2	9.75%	γ₁ [mPa·s，20℃]：123
CPY-3-O2	9.25%	V₀ [20℃，V]：2.28
CY-3-O2	15.00%
PY-3-O2	13.50%

實例 M7

CC-3-V1	10.00%	清澈點[℃]：75.1
CCH-13	14.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0979
CCH-34	4.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCH-35	7.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCP-3-1	3.50%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCY-3-O1	12.00%	K₃ [pN，20℃]：16.0
CCY-3-O2	7.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：122
CPY-2-O2	4.25%	V₀ [20℃，V]：2.24
CPY-3-O2	12.50%
CY-3-O4	12.75%
PY-3-O2	12.50%

實例 M8 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M1之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M9 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M10 為製備PS-VA混合物，將99.8%實例M1之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 M11 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M12 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M13 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M14 為製備PS-VA混合物，將99.8%實例M1之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 M15 為製備PS-VA混合物，將99.8%實例M1之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 M16 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M2之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M17 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M18 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合_＜

。實例 M19 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M2之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M20 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M21 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M2之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M22 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M23 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M2之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M24 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M3之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M25 為製備PS-VA混合物，將99.8%實例M3之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 M26 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M3之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M27 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M3之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M28 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M3之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M29 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M3之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M30 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M4之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M31 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M4之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M32 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M4之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M33 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M4之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

實例 M34 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M4之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M35 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M4之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M36 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M5之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M37 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

實例 M38 為製備PS-VA混合物，將99.8%實例M5之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 M39 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M40 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M41 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M42 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M43 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M6之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M44 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M6之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M45 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M6之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M46 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M7之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M47 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M7之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M48 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M7之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M49 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M7之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M50

CC-3-V	15.00%	清澈點[℃]：74
CC-3-V1	9.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1085
CCH-23	8.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.3
CCH-13	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O2	12.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCY-5-O2	8.00%	K₁ [pN，20℃]：14.1
CPY-2-O2	3.00%	K₃ [pN，20℃]：15.8
CPY-3-O2	9.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：102
CY-3-O2	7.50%	V₀ [20℃，V]：2.31
PY-3-O2	14.00%
PYP-2-3	8.00%

實例 M51

CY-3-O2	16.50%	清澈點[℃]：74.5
CCY-3-O2	11.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1079
CPY-2-O2	3.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CPY-3-O2	11.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCH-34	10.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.1
CCH-13	20.00%	K₁ [pN，20℃]：13.9
CCP-3-1	9.00%	K₃ [pN，20℃]：15.2
PYP-2-3	7.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：115
PCH-301	3.00%	V₀ [20℃，V]：2.20
PGIY-2-04	5.00%
B-2O-O5	4.00%

實例 M52 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M51之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M53

CY-3-O2	18.00%	清澈點[℃]：75
CCY-3-O2	10.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1076
CPY-2-O2	1.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CPY-3-O2	11.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCH-23	20.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCH-13	8.00%	K₁ [pN，20℃]：13.7
CCP-3-1	12.00%	K₃ [pN，20℃]：15.1
PYP-2-3	7.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：113
PCH-301	3.00%	V₀ [20℃，V]：2.21
PGIY-2-04	5.00%	LTS [整體-20℃]：＞ 1000 h
B-2O-O5	4.00%

實例 M54

CY-3-O2	15.00%	清澈點[℃]：74.5
CY-5-O2	5.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1071
CCP-3-1	1.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.9
CCY-3-O2	11.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CPY-2-O2	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.4
CPY-3-O2	11.00%	K₁ [pN，20℃]：14.0
CC-5-V	19.00%	K₃ [pN，20℃]：15.6
CC-3-V1	8.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：103
CCH-13	11.00%	V₀ [20℃，V]：2.41
PYP-2-3	12.50%
PPGU-3-F	0.50%

實例 M55 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M54之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M56

CC-5-V	15.00%	清澈點[℃]：74.5
CC-3-V1	9.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1087
CCH-13	8.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.9
CCH-34	7.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O2	10.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.7
CCY-5-O2	8.00%	K₁ [pN，20℃]：14.9
CPY-2-O2	3.00%	K₃ [pN，20℃]：15.6
CPY-3-O2	8.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：105
CY-3-O2	7.00%	V₀ [20℃，V]：2.33
PY-3-O2	16.00%
PYP-2-3	8.00%

實例 M57

CC-5-V	20.00%	清澈點[℃]：75
CCH-13	14.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1078
CC-3-V1	8.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.9
CCP-3-1	2.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.4
CCY-3-01	6.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.3
CCY-3-O2	10.00%	K₁ [pN，20℃]：15.0
CPY-2-O2	5.50%	K₃ [pN，20℃]：15.6
CPY-3-O2	11.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：98
PY-3-O2	17.50%	V₀ [20℃，V]：2.45
PYP-2-3	5.00%	LTS [整體-20℃]：＞ 1000 h

實例 M58

CC-3-V1	9.00%	清澈點[℃]：74.5
CCH-13	18.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0987
CCH-34	9.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCP-3-1	5.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O1	3.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.9
CCY-3-O2	11.50%	K₁ [pN，20℃]：14.5
CPY-2-O2	9.00%	K₃ [pN，20℃]：16.1
CPY-3-O2	11.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：107
CY-3-O2	13.50%	V₀ [20℃，V]：2.28
PY-3-O2	10.00%

實例 M59 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M58之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M60

CC-3-V	25.50%	清澈點[℃]：66.5
CCH-13	12.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0879
PY-3-O2	9.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.6
CEY-3-O2	9.00%	K₁ [pN，20℃]：12.1
PY-5-O2	5.00%	K₃ [pN，20℃]：14.5
CCP-31	5.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：92
CCY-V-O1	5.00%	V₀ [20℃，V]：2.13
CCY-V-O2	11.00%
CCP-301	2.00%
CCP-33	2.00%
CAIY-3-O2	7.00%
CCY-V-O4	7.50%

實例 M61 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M60之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M62

CC-5-V	20.00%	清澈點[℃]：74.5
CCH-13	14.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1083
CC-3-V1	8.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.0
CCP-3-1	2.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.4
CCY-3-O1	4.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.4
CCY-3-O2	11.00%	K₁ [pN，20℃]：15.6
CPY-2-O2	7.50%	K₃ [pN，20℃]：15.9
CPY-3-O2	11.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：97
PY-3-O2	12.00%	V₀ [20℃，V]：2.44
PYP-2-3	1.00%
B-20-05	4.00%
PP-1-2V1	4.50%

實例 M63

CC-5-V	20.00%	清澈點[℃]：74.5
CC-3-V1	8.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1083
CCH-13	10.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.1
CCH-34	4.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O2	11.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.6
CCY-5-O2	3.00%	K₁ [pN，20℃]：14.9
CPY-2-O2	7.50%	K₃ [pN，20℃]：15.4
CPY-3-O2	11.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：102
CY-3-O2	3.50%	V₀ [20℃，V]：2.35
PY-3-O2	16.50%
PYP-2-3	5.00%

實例 M64

CC-5-V	20.00%	清澈點[℃]：74.5
CCH-13	14.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1080
CC-3-V1	8.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCY-3-O1	4.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O2	11.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.6
CPY-2-O2	3.50%	K₁ [pN，20℃]：15.8
CPY-3-O2	11.50%	K₃ [pN，20℃]：16.3
CLY-3-O2	5.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：99
PY-3-O2	13.00%	V₀ [20℃，V]：2.39
PYP-2-3	1.00%
B-2O-O5	4.00%
PP-1-2V1	4.50%

實例 M65 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M62之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M66

CC-5-V	20.00%	清澈點[℃]：75
CCH-13	14.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1083
CC-3-V1	8.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.1
CCY-3-O1	4.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O2	11.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.6
CPY-2-O2	3.50%	K₁ [pN，20℃]：15.8
CPY-3-O2	11.50%	K₃ [pN，20℃]：16.1
CLY-3-O2	5.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：98
PY-3-O2	13.00%	V₀ [20℃，V]：2.41
PYP-2-3	1.00%
B-2O-O5	4.00%
PP-1-2V1	4.50%

實例 M67

CC-4-V	16.00%	清澈點[℃]：75
CCH-13	12.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1080
CC-3-V1	8.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.1
CCP-3-1	12.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O1	3.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.7
CCY-3-O2	11.00%	K₁ [pN，20℃]：15.0
CPY-3-O2	10.50%	K₃ [pN，20℃]：15.8
PY-3-O2	20.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：98
PYP-2-3	2.50%	V₀ [20℃，V]：2.37
B-2O-O5	4.00%

實例 M68

CC-3-V	20.00%	清澈點[℃]：72.5
CC-3-V1	8.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1078
CCH-13	7.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.0
CCP-3-1	14.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCP-3-3	5.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.5
CCY-3-O2	10.00%	K₁ [pN，20℃]：15.0
CY-3-O2	4.00%	K₃ [pN，20℃]：15.8
PY-3-O2	16.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：83
PYP-2-3	5.00%	V₀ [20℃，V]：2.44
B-2O-O5	3.00%
B(S)-2O-O5	3.00%
B(S)-2O-O4	2.00%
B(S)-2O-O6	2.00%

實例 M69 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M68之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M70

CC-3-V1	10.00%	清澈點[℃]：74.6
CCH-13	16.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0985
CCH-34	6.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-35	2.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCOC-3-3	3.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.9
CCOC-4-3	3.50%	K₁ [pN，20℃]：14.8
CCP-3-1	1.00%	K₃ [pN，20℃]：16.2
CCY-3-O2	12.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：120
CPY-2-O2	6.50%	V₀ [20℃，V]：2.29
CPY-3-O2	13.00%
CY-3-O2	11.50%
PY-3-O2	14.00%

實例 M71 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.75%實例M70之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M72 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M70之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M73 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M70之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例M73之混合物較佳適用於PS-VA應用，尤其2D及3D TV應用。用於PS-VA應用之上述混合物實例當然亦適用於PS-IPS及PS-FFS應用。為改良可靠性，實例M1至M69之混合物可另外用一或兩種選自下述化合物a)至h)之群的穩定劑穩定： a)

b)

c)

d)

e)

f)

g)

h)

，其中以混合物計，在各情形下添加0.01至0.04%之量的穩定劑。實例 M74

CCY-3-O2	4.50%	清澈點[℃]：74.5
CPY-3-O2	11.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1284
PYP-2-3	9.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.0
PY-3-O2	15.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.4
Y-4O-O4	4.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：5.4
CCH-23	15.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCH-13	8.00%	K₃ [pN，20℃]：14.5
CCP-3-1	11.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：95
CCP-3-3	2.00%	V₀ [20℃，V]：2.81
BCH-32	15.00%	LTS [整體-20℃] ＞ 1000 h
PP-1-3	5.00%

實例 M75

CC-3-V1	8.50%	清澈點[℃]：74.5
CCH-13	7.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0998
CCH-23	16.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCP-3-1	16.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCY-3-O2	11.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCY-3-O1	6.00%	K₃ [pN，20℃]：16.0
CPY-3-O2	11.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：98
B-2O-O5	3.00%	V₀ [20℃，V]：2.30
Y-4O-O4	5.00%
PY-2-O2	8.00%
PY-1-O2	7.00%

實例 M76

CC-3-V1	4.00%	清澈點[℃]：73.5
CCH-23	14.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0977
CCH-34	3.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCH-35	4.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCH-13	4.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.1
CCP-3-1	14.00%	K₁ [pN，20℃]：14.6
CCY-3-O2	11.00%	K₃ [pN，20℃]：16.1
CCY-3-O1	5.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：107
CPY-3-O2	11.00%	V₀ [20℃，V]：2.26
CY-3-O2	12.00%
PY-3-O2	14.50%
Y-4O-O4	3.00%

實例 M77

BCH-32	4.25%	清澈點[℃]：75.1
CC-3-V1	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0975
CCH-13	12.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.6
CCH-35	3.75%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCP-3-1	10.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.1
CCY-3-O1	5.00%	K₁ [pN，20℃]：14.4
CCY-3-O2	3.25%	K₃ [pN，20℃]：16.5
CPY-2-O2	7.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：
CPY-3-O2	11.75%	V₀ [20℃，V]：2.26
CY-3-O2	15.50%
CY-3-O4	3.50%
CY-5-O2	14.00%

實例 M78

BCH-32	6.50%	清澈點[℃]：75.1
CC-3-V1	1.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0888
CCH-13	20.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.0
CCH-301	3.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.4
CCH-34	6.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.4
CCH-35	6.00%	K₁ [pN，20℃]：13.4
CCY-3-O2	5.00%	K₃ [pN，20℃]：13.6
CCY-3-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.22
CCY-4-O2	5.00%
CPY-2-O2	9.00%
CPY-3-O2	7.50%
CY-3-O2	12.00%
CY-5-O2	8.50%

實例 M79

BCH-52	1.50%	清澈點[℃]：74.8
CC-3-V	15.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0980
CC-3-V1	10.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-13	4.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-34	5.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.9
CCH-35	5.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCY-3-O1	10.00%	K₃ [pN，20℃]：15.4
CCY-3-O2	14.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：101
CCY-4-O2	8.50%	V₀ [20℃，V]：2.27
PY-1-O4	8.00%
PY-3-O2	17.00%
PYP-3-O2	1.50%

實例 M80 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M60之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M81

BCH-32	2.00%	清澈點[℃]：74.8
CC-3-V	16.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0980
CC-3-V1	9.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.3
CCH-13	2.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-301	3.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCH-34	6.00%	K₁ [pN，20℃]：14.4
CCH-35	4.00%	K₃ [pN，20℃]：15.0
CCY-3-O1	10.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：99
CCY-3-O2	13.50%	V₀ [20℃，V]：2.28
CCY-4-O2	8.00%
PY-1-O4	7.50%
PY-3-O2	17.00%
PYP-2-3	1.50%

實例 M82

BCH-52	2.00%	清澈點[℃]：75.1
CC-3-V	16.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0980
CC-3-V1	9.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.3
CCH-13	2.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-34	3.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCH-35	6.00%	K₁ [pN，20℃]：14.8
CCY-3-O1	4.00%	K₃ [pN，20℃]：15.5
CCY-3-O2	10.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：103
CCY-3-O3	13.50%	V₀ [20℃，V]：2.29
CCY-4-O2	8.00%
PY-1-O4	7.50%
PY-3-O2	17.00%
PYP-2-3	1.50%

實例 M83

CC-3-V1	10.00%	清澈點[℃]：74.6
CCH-13	16.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0985
CCH-34	6.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-35	2.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCOC-3-3	3.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.9
CCOC-4-3	3.50%	K₁ [pN，20℃]：14.8
CCP-3-1	1.00%	K₃ [pN，20℃]：16.2
CCY-3-O2	12.50%	V₀ [20℃，V]：2.29
CPY-2-O2	6.50%
CPY-3-O2	13.00%
CY-3-O2	11.50%
PY-3-O2	14.00%

實例 M84

BCH-52	1.00%	清澈點[℃]：74.9
CC-3-V	15.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0980
CC-3-V1	10.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-13	4.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCH-34	5.00%	K₁ [pN，20℃]：14.8
CCH-35	5.00%	K₃ [pN，20℃]：15.5
CCY-3-O1	8.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：104
CCY-3-O2	14.50%	V₀ [20℃，V]：2.25
CCY-3-O3	1.00%
CCY-4-O2	9.00%
PY-1-O4	8.50%
PY-3-O2	17.00%
PYP-2-3	1.00%

實例 M85

B-2O-O5	4.50%	清澈點[℃]：74.8
BCH-32	2.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0989
CC-3-V1	13.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-13	13.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.9
CCH-34	6.00%	K₁ [pN，20℃]：15.7
CCH-35	3.00%	K₃ [pN，20℃]：15.8
CCP-V2-1	2.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：105
CCY-3-O1	5.00%	V₀ [20℃，V]：2.29
CCY-3-O2	8.00%
CCY-3-O3	3.00%
CCY-4-O2	12.00%
PY-1-O4	5.50%
PY-3-O2	15.00%
PYP-2-3	1.00%

實例 M86

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：75
BCH-32	6.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1028
CC-3-V	22.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.3
CC-3-V1	9.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCH-13	7.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.9
CCY-3-O1	7.00%	K₁ [pN，20℃]：14.4
CCY-3-O2	12.50%	K₃ [pN，20℃]：15.0
CCY-4-O2	10.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：97
PY-1-O4	3.00%	V₀ [20℃，V]：2.27
PY-3-O2	16.00%
PYP-2-3	2.00%

實例 M87

B-2O-O5	4.50%	清澈點[℃]：74.5
BCH-32	2.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0978
CC-3-V1	18.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-13	13.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-34	6.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.9
CCH-35	4.00%	K₁ [pN，20℃]：15.6
CCP-V2-1	2.50%	K₃ [pN，20℃]：15.8
CCY-3-O1	6.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：106
CCY-3-O2	8.00%	V₀ [20℃，V]：2.29
CCY-3-O3	4.50%
CCY-4-O2	9.50%
PY-1-O4	5.50%
PY-3-O2	15.0%
PYP-2-3	0.50%

實例 M88 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M87之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M89

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：74.6
BCH-52	1.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0985
CC-3-V	15.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CC-3-V1	10.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCH-13	4.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.1
CCH-34	6.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCH-35	7.50%	K₃ [pN，20℃]：15.3
CCY-3-O1	9.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：100
CCY-3-O2	14.50%	V₀ [20℃，V]：2.22
CCY-4-O2	5.50%
PY-1-O4	5.00%
PY-3-O2	16.00%
PYP-2-3	2.0%

實例 M90 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M89之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M91 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M89之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M92

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：85.2
CC-3-V	31.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0976
CCH-13	6.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCH-34	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O1	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.9
CCY-3-O2	3.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCY-4-O2	4.00%	K₃ [pN，20℃]：15.1
CLY-2-O4	6.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：100
CLY-3-O2	4.00%	V₀ [20℃，V]：2.21
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	10.00%
CY-3-O2	7.00%
PGIY-2-O4	16.00%

實例 M93 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M6之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M94

CC-3-V	20.50%	清澈點[℃]：74.8
CC-3-V1	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1024
CCH-13	10.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCY-3-O1	7.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O2	13.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.7
CCY-4-O2	4.50%	K₁ [pN，20℃]：13.7
CPY-2-O2	5.00%	K₃ [pN，20℃]：15.4
CPY-3-O2	8.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：97
PY-3-O2	16.00%	V₀ [20℃，V]：2.31
PY-4-O2	3.50%
PYP-2-3	2.00%

實例 M95

CC-3-V	20.50%	清澈點[℃]：74.5
CC-3-V1	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1018
CCH-13	10.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCY-3-O1	7.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCY-3-O2	13.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCY-4-O2	4.50%	K₁ [pN，20℃]：14.0
CPY-2-O2	5.00%	K₃ [pN，20℃]：14.8
CPY-3-O2	8.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：95
PY-3-O2	16.00%	V₀ [20℃，V]：2.26
PY-4-O2	3.50%
PYP-2-3	2.00%

實例 M96 實例M95之混合物另外包含0.001%下式之化合物

。實例 M97

BCH-32	0.50%	清澈點[℃]：74.6
CC-3-V	22.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1032
CC-3-V1	9.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-13	1.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-34	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.7
CCH-35	4.00%	K₁ [pN，20℃]：14.2
CCY-3-O1	8.50%	K₃ [pN，20℃]：14.8
CCY-3-O2	12.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：95
CPY-2-O2	12.00%	V₀ [20℃，V]：2.28
CPY-3-O2	2.00%
PY-1-O4	3.00%
PY-3-O2	17.00%
PY-4-O2	1.50%
PYP-2-3	1.00%

實例 M98 實例M97之混合物另外用0.01%下式之化合物穩定

。實例 M99

BCH-52	0.50%	清澈點[℃]：75
CC-3-V	22.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1030
CC-3-V1	9.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-13	1.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-34	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCH-35	4.00%	K₁ [pN，20℃]：14.2
CCY-3-O1	9.50%	K₃ [pN，20℃]：15.0
CCY-3-O2	12.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：95
CPY-2-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.29
CPY-3-O2	2.00%
CY-3-O2	0.50%
PY-1-O4	4.50%
PY-3-O2	17.00%
PYP-2-3	1.50%

實例 M100 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M99之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M101 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M77之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M102

CC-3-V	22.50%	清澈點[℃]：74.8
CC-3-V1	9.75%	Δn [589 nm，20℃]：0.1027
CCH-13	0.75%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-34	5.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-35	4.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCY-3-O1	10.00%	K₁ [pN，20℃]：14.4
CCY-3-O2	12.00%	K₃ [pN，20℃]：15.2
CPY-2-O2	10.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：94
CPY-3-O2	2.00%	V₀ [20℃，V]：2.29
CY-3-O2	0.50%
PP-1-2V1	0.25%
PY-1-O4	4.25%
PY-3-O2	17.00%
PYP-2-3	1.50%

實例 M103 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M102之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M104

CC-3-V	0.50%	清澈點[℃]：75
CC-3-V1	22.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1023
CCH-13	9.75%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-34	0.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-35	5.75%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.7
CCY-3-O1	4.00%	K₁ [pN，20℃]：14.4
CCY-3-O2	10.00%	K₃ [pN，20℃]：15.8
CPY-2-O2	11.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：95
CPY-3-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.29
CY-3-O2	2.50%
PP-1-2V1	0.50%
PY-1-O4	4.40%
PY-3-O2	17.00%
PYP-2-3	1.00%

實例 M105 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M102之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M106 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M7之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M107

CC-3-V	22.50%	清澈點[℃]：74.8
CC-3-V1	9.75%	Δn [589 nm，20℃]：0.1031
CCH-13	0.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-34	5.75%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-35	4.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCY-3-O1	10.00%	K₁ [pN，20℃]：14.4
CCY-3-O2	11.00%	K₃ [pN，20℃]：15.0
CPY-2-O2	10.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：95
CPY-3-O2	3.00%	V₀ [20℃，V]：2.28
PY-1-O4	5.50%
PY-3-O2	16.50%
PYP-2-3	1.50%

實例 M108

BCH-52	0.75%	清澈點[℃]：74.5
CC-3-V	22.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1030
CC-3-V1	10.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-13	0.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCH-34	5.75%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.7
CCH-35	3.50%	K₁ [pN，20℃]：14.2
CCY-3-O1	9.50%	K₃ [pN，20℃]：14.9
CCY-3-O2	11.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：95
CPY-2-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.28
CPY-3-O2	2.50%
PY-1-O4	5.50%
PY-3-O2	17.00%
PYP-2-3	1.00%

實例 M109 實例M108之混合物另外包含0.001%下式之化合物

。實例 M110 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M109之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M111 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M108之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M112

CC-3-V	22.50%	清澈點[℃]：74.8
CC-3-V1	8.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1031
CCH-13	1.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-34	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-35	5.25%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCY-3-O1	6.00%	K₁ [pN，20℃]：14.5
CCY-3-O2	13.25%	K₃ [pN，20℃]：15.0
CPY-2-O2	11.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：96
CPY-3-O2	4.00%	V₀ [20℃，V]：2.28
CY-3-O2	1.00%
PY-1-O4	4.00%
PY-3-O2	17.00%
PYP-2-3	1.00%

實例 M113

CC-3-V	22.50%	清澈點[℃]：74.5
CC-3-V1	10.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1030
CCH-13	1.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-34	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-35	3.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.7
CCY-3-O1	7.00%	K₁ [pN，20℃]：14.2
CCY-3-O2	9.50%	K₃ [pN，20℃]：16.0
CPY-2-O2	12.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：94
CPY-3-O2	5.50%	V₀ [20℃，V]：2.30
CY-3-O2	2.50%
PY-1-O4	6.00%
PY-3-O2	12.50%
PYP-2-3	1.00%

實例 M114 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M113之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M115 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M70之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M116 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M113之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M117

BCH-32	3.50%	清澈點[℃]：75.1
CC-3-V1	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1122
CCH-13	15.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-34	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCOC-3-3	3.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCOC-3-4	3.50%	K₁ [pN，20℃]：15.0
CCY-3-O2	11.75%	K₃ [pN，20℃]：15.6
CPY-2-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.26
CPY-3-O2	11.00%
PY-1-O4	8.75%
PY-3-O2	14.00%
PY-4-O2	2.50%

實例 M118 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M117之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M119 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M117之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M120

BCH-32	7.00%	清澈點[℃]：74
CC-3-V1	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1118
CCH-13	15.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-34	3.25%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCOC-3-3	3.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCOC-4-3	3.50%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCY-3-O2	12.50%	K₃ [pN，20℃]：15.8
CPY-2-O2	4.50%	V₀ [20℃，V]：2.27
CPY-3-O2	12.00%
CY-3-O4	5.25%
PY-1-O4	9.50%
PY-3-O2	14.00%

實例 M121 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M120之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M122

BCH-32	5.00%	清澈點[℃]：74
CCH-13	17.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1355
CCH-34	6.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.1
CCH-35	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.7
CCY-3-O2	7.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.6
CPY-2-O2	10.00%	K₁ [pN，20℃]：14.1
CPY-3-O2	10.00%	K₃ [pN，20℃]：13.8
PY-1-O4	8.00%	V₀ [20℃，V]：2.24
PY-3-O2	11.00%
PYP-2-3	10.00%
PYP-2-4	9.50%

實例 M123 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M122之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M124 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M122之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M125

CC-3-V	15.00%
CC-3-V1	9.00%
CCH-23	8.00%
CCH-13	6.00%
CCOY-3-O2	12.00%
CCY-5-O2	8.00%
CPY-2-O2	3.00%
CPY-3-O2	9.50%
CY-3-O2	7.50%
PY-3-O2	14.00%
PYP-2-3	8.00%

實例 M126 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M125之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M127

BCH-32	5.00%	清澈點[℃]：74.2
CCH-13	17.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1349
CCH-34	7.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.8
CCH-35	5.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCP-3-1	6.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.2
CPY-2-O2	11.00%	K₁ [pN，20℃]：14.2
CPY-3-O2	11.00%	K₃ [pN，20℃]：13.8
PY-1-O4	7.50%	V₀ [20℃，V]：2.40
PY-3-O2	12.00%
PYP-2-3	9.00%
PYP-2-4	9.00%

實例 M128 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M127之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M129 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M127之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M130

BCH-32	8.00%	清澈點[℃]：74.3
BCH-52	2.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1116
CC-3-V1	10.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-13	15.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCOC-3-3	3.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCOC-4-3	3.50%	K₁ [pN，20℃]：14.1
CCY-3-O2	6.75%	K₃ [pN，20℃]：15.4
CPY-2-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.26
CPY-3-O2	11.00%
CY-3-O2	14.00%
CY-3-O4	1.25%
PY-3-O2	14.00%

實例 M131 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.99%實例M130之混合物與0.01%下式之可聚合化合物混合

。實例 M132

BCH-32	6.00%	清澈點[℃]：74.8
CC-3-V1	10.00%
CCH-13	15.50%
CCH-34	6.00%
CCY-3-O1	5.50%
CCOY-3-O2	10.00%
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	11.00%
CY-3-O4	9.00%
PP-1-2V1	2.00%
PY-3-O2	15.00%

實例 M133

BCH-32	6.50%	清澈點[℃]：75.5
CC-3-V1	9.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1120
CCH-13	15.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCOC-3-3	3.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCOC-4-3	3.50%	K₁ [pN，20℃]：14.4
CCY-3-O1	2.50%	K₃ [pN，20℃]：15.9
CCY-3-O2	9.00%	V₀ [20℃，V]：2.24
CPY-2-O2	11.00%
CPY-3-O2	11.00%
CY-3-O2	14.50%
PP-1-3	3.50%
PY-3-O2	11.00%

實例 M134

BCH-32	4.50%	清澈點[℃]：74.5
BCH-52	3.25%	Δn [589 nm，20℃]：0.1123
CC-3-V1	10.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-13	14.25%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCOC-3-3	3.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCOC-4-3	3.50%	K₁ [pN，20℃]：14.2
CCY-3-O1	2.50%	K₃ [pN，20℃]：15.6
CCY-3-O2	7.50%	V₀ [20℃，V]：2.26
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	11.00%
CY-3-O2	14.75%
PP-1-3	3.25%
PY-3-O2	12.00%

實例 M135 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M134之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M136

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：85.5
CC-3-V	32.00%
CCH-13	6.00%
CCH-34	5.00%
CCY-3-O1	7.00%
CCOY-3-O2	4.00%
CCOY-4-O2	1.50%
CLY-2-O4	5.50%
CLY-3-O2	4.00%
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	10.00%
CY-3-O2	7.00%
PGIY-2-O4	4.00%

實例 M137 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M136之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M138 為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M136之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M139 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M136之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M140

BCH-32	4.50%	清澈點[℃]：74.2
BCH-52	2.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1121
CC-3-V1	10.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-13	13.75%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.7
CCOC-3-3	3.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.1
CCOC-4-3	3.50%	K₁ [pN，20℃]：14.3
CCY-3-O1	2.50%	K₃ [pN，20℃]：15.7
CCY-3-O2	7.50%	V₀ [20℃，V]：2.26
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	11.00%
CY-3-O2	15.50%
PP-1-3	3.25%
PY-3-O2	12.00%
PPGU-3-F	0.50%

實例 M141 實例M140之混合物另外包含0.03%

。實例 M142

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：85.1
CC-3-V	32.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0998
CCH-13	6.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCH-34	5.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O1	7.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCY-3-O2	4.00%	K₁ [pN，20℃]：14.8
CCY-4-O2	1.50%	K₃ [pN，20℃]：15.2
CLY-2-O4	5.50%	V₀ [20℃，V]：2.20
CLY-3-O2	4.00%
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	10.00%
CY-3-O2	7.00%
PGIY-2-O4	4.00%

實例 M143

CC-3-V	22.50%	清澈點[℃]：74.7
CC-3-V1	10.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0984
CCH-13	1.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.1
CCH-34	6.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.7
CCY-3-O1	7.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.6
CCY-3-O2	13.00%	K₁ [pN，20℃]：14.0
CPY-2-O2	2.00%	K₃ [pN，20℃]：13.7
CPY-3-O2	10.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：98
CY-3-O2	12.00%	V₀ [20℃，V]：2.24
PCH-301	0.50%
PY-3-O2	11.50%
PYP-2-4	3.00%

實例 M144

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：84.9
BCH-32	4.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1066
CC-3-V	29.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-4.0
CCH-13	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCY-3-O1	6.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.6
CCY-4-O2	5.50%	K₁ [pN，20℃]：15.3
CLY-2-O4	6.00%	K₃ [pN，20℃]：15.6
CLY-3-O2	3.00%	V₀ [20℃，V]：2.09
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	10.00%
CY-3-O2	6.00%
CY-5-O2	6.00%
PGIY-2-O4	4.00%

實例 M145 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M144之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M146 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M144之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M147

CC-3-V1	10.00%	清澈點[℃]：75.5
CCH-13	16.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1110
CCP-3-1	6.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.7
CCY-3-O1	9.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCY-3-O2	9.50%
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	10.00%
CY-3-O4	10.50%
PP-1-2V1	3.50%
PY-V2-O2	14.50%

實例 M148 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M147之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M149

B-2O-O5	5.00%	清澈點[℃]：74.5
BCH-52	8.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1033
CC-3-V	22.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.0
CCH-13	9.40%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCH-34	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.6
CCY-3-O1	8.20%	K₁ [pN，20℃]：13.4
CCY-3-O2	8.80%	K₃ [pN，20℃]：13.5
CCY-3-O2	11.60%	γ₁ [mPa·s，20℃]：96
PP-1-2V1	2.00%	V₀ [20℃，V]：2.26
PY-3-O2	15.00%
PY-4-O2	1.00%
PYP-2-3	3.00%

實例 M150 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M149之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M151

B-2O-O5	5.00%	清澈點[℃]：74.5
BCH-52	7.25%	Δn [589 nm，20℃]：0.1033
CC-3-V	22.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.1
CCH-13	5.75%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-301	1.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.6
CCH-34	5.50%	K₁ [pN，20℃]：14.4
CCH-35	3.50%	K₃ [pN，20℃]：13.9
CCY-3-O1	8.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：95
CCY-3-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.26
CCY-4-O2	9.50%
PP-1-2V1	2.50%
PY-3-O2	11.00%
PY-4-O2	5.50%
PYP-2-3	3.00%

實例 M152

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：84.9
BCH-52	4.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1066
CC-3-V	28.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-4.1
CCH-13	5.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCY-3-O1	6.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.7
CCY-4-O2	5.50%	K₁ [pN，20℃]：14.9
CLY-2-O4	6.50%	K₃ [pN，20℃]：15.4
CLY-3-O2	3.00%	V₀ [20℃，V]：2.05
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	10.00%
CY-3-O2	6.50%
CY-5-O2	7.00%
PGIY-2-O4	3.50%

實例 M153 為製備PS-FFS混合物，將99.7%實例M152之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M154

CC-3-V1	10.00%	清澈點[℃]：75.1
CCH-13	16.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1109
CCP-3-1	6.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.8
CCY-3-O1	9.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCY-3-O2	9.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.4
CPY-2-O2	10.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CPY-3-O2	10.00%	K₃ [pN，20℃]：16.7
CY-3-O4	10.50%	V₀ [20℃，V]：2.21
PP-1-2V1	3.50%
PY-3-O2	14.50%

實例 M155 實例M152之混合物另外包含0.04%下式之化合物

及0.02%下式之化合物

。實例 M156

BCH-32	5.00%	清澈點[℃]：74.6
CC-3-V1	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1110
CCH-13	16.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.6
CCH-34	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCY-3-O1	6.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.2
CCY-3-O2	10.00%	K₁ [pN，20℃]：14.4
CPY-2-O2	10.00%	K₃ [pN，20℃]：15.8
CPY-3-O2	11.00%	V₀ [20℃，V]：2.21
CY-3-O2	9.00%
PP-1-2V1	1.50%
PY-3-O2	15.00%

實例 M157 實例M156之混合物另外包含0.03%下式之化合物

。實例 M158 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M156之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M159

CC-3-V1	8.50%	清澈點[℃]：74
CCH-13	15.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1052
CCH-34	7.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.8
CCP-3-1	13.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.3
CCY-3-O1	3.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.2
CCY-3-O2	10.00%	K₁ [pN，20℃]：15.7
CPY-3-O2	12.00%	K₃ [pN，20℃]：17.9
CY-3-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.66
PP-1-2V1	5.50%
PY-3-O2	14.50%

實例 M160

BCH-32	6.00%	清澈點[℃]：74.6
CC-3-V1	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1117
CCH-13	15.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCH-34	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O1	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCY-3-O2	10.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CPY-2-O2	10.00%	K₃ [pN，20℃]：15.7
CPY-3-O2	11.00%	V₀ [20℃，V]：2.23
CY-3-O4	9.00%
PP-1-2V1	2.00%
PY-3-O2	15.00%

實例 M161 實例M160之混合物另外包含0.03%下式之化合物

。實例 M162 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M160之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M163

BCH-32	6.00%	清澈點[℃]：74.6
CC-3-V1	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1117
CCH-13	15.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-34	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O1	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.9
CCY-3-O2	10.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CPY-2-O2	10.00%	K₃ [pN，20℃]：15.8
CPY-3-O2	11.00%	V₀ [20℃，V]：2.27
CY-3-O4	9.00%
PP-1-2V1	3.00%
PY-3-O2	14.00%

實例 M164 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M163之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M165 實例M163之混合物另外包含0.03%下式之化合物

。實例 M166

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：85.2
CC-3-V	31.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0976
CCH-13	6.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCH-34	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-O1	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.9
CCY-3-O2	3.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCY-4-O2	4.00%	K₃ [pN，20℃]：15.1
CLY-2-O4	6.00%	V₀ [20℃，V]：2.21
CLY-3-O2	4.00%
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	10.00%
CY-3-O2	7.00%
PGIY-2-O4	3.00%

實例 M167 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M166之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M168

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：85.3
CC-3-V	31.50%
CCH-13	6.00%
CCH-34	6.00%
CCY-3-O1	5.50%
CCOY-3-O2	3.00%
CCOY-4-O2	4.00%
CLY-2-O4	6.00%
CLY-3-O2	4.00%
CPY-2-O2	10.00%
CPY-3-O2	10.00%
CY-3-O2	7.00%
PGIY-2-O4	3.00%

實例 M169 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.99%實例M168之混合物與0.01%下式之可聚合化合物混合

。實例 M169 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M168之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M170

BCH-32	3.00%	清澈點[℃]：110.4
CCH-13	16.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0981
CCH-34	4.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.7
CCH-35	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.3
CCP-3-1	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCY-3-1	4.00%	K₁ [pN，20℃]：19.7
CCY-3-O1	11.00%	K₃ [pN，20℃]：20.5
CCY-3-O2	13.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：212
CCY-4-O2	11.00%	V₀ [20℃，V]：2.48
CPY-2-O2	5.50%
CPY-3-O2	11.50%
CY-3-O2	8.00%
CY-5-O2	0.50%

實例 M171

BCH-32	3.00%	清澈點[℃]：110.3
CCH-13	16.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0983
CCH-34	4.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.7
CCH-35	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.3
CCP-3-1	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCY-3-1	4.00%	K₁ [pN，20℃]：19.6
CCY-3-O1	11.00%	K₃ [pN，20℃]：20.5
CCY-3-O2	11.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：213
CCY-4-O2	11.00%	V₀ [20℃，V]：2.49
CCY-5-O2	1.50%
CPY-2-O2	5.50%
CPY-3-O2	11.50%
CY-3-O2	8.50%

實例 M172 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.9%實例M171之混合物與0.1%下式之可聚合化合物混合

。實例 M173

BCH-32	3.00%	清澈點[℃]：110.1
CCH-13	14.25%	Δn [589 nm，20℃]：0.0980
CCH-34	5.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.7
CCH-35	6.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.3
CCP-3-1	4.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCY-3-1	6.50%	K₁ [pN，20℃]：19.2
CCY-3-O1	9.00%	K₃ [pN，20℃]：20.3
CCY-3-O2	14.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：
CCY-4-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.48
CPY-2-O2	92.75%
CPY-3-O2	14.00%
CY-3-O4	9.50%

實例 M174

BCH-32	5.50%	清澈點[℃]：75.1
CC-3-V1	8.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.984
CCH-13	19.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.3
CCH-301	4.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-34	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCY-3-O1	9.00%	K₁ [pN，20℃]：14.1
CCY-3-O2	9.00%	K₃ [pN，20℃]：15.1
CPY-2-O2	10.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：
CPY-3-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.25
CY-3-O2	13.00%
PY-3-O2	6.50%

實例 M175

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：74.1
BCH-32	8.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1084
CC-3-V1	9.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-13	5.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCH-34	8.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCH-35	8.00%	K₁ [pN，20℃]：14.6
CCP-3-1	8.00%	K₃ [pN，20℃]：16.0
CCY-3-O2	4.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：
CLY-3-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.35
CY-3-O2	14.00%
PCH-301	5.00%
PGIY-2-O4	5.00%
PY-3-O2	11.50%

實例 M176

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：74.5
BCH-32	8.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1090
CC-3-V1	9.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.1
CCH-13	10.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-34	8.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.6
CCH-35	4.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCP-3-1	8.00%	K₃ [pN，20℃]：16.5
CCY-3-O2	11.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：
CCY-4-O2	3.00%	V₀ [20℃，V]：2.43
CPY-3-O2	7.00%
CY-3-O2	6.00%
PCH-301	4.00%
PY-3-O2	18.00%

實例 M177

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：74.5
BCH-32	8.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1089
CC-3-V1	9.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.1
CCH-13	6.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-34	8.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.6
CCH-35	7.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCP-3-1	8.00%	K₃ [pN，20℃]：16.6
CCY-3-O2	11.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：
CCY-4-O2	2.50%	V₀ [20℃，V]：2.42
CPY-3-O2	6.00%
CY-3-O2	7.50%
PCH-301	5.00%
PY-3-O2	18.00%

實例 M178

B-2O-O5	4.00%	清澈點[℃]：74.3
BCH-32	8.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1088
CC-3-V1	9.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-13	10.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-34	8.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.7
CCH-35	4.00%	K₁ [pN，20℃]：14.9
CCP-3-1	8.00%	K₃ [pN，20℃]：16.6
CCY-3-O2	11.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：102
CCY-4-O2	3.00%	V₀ [20℃，V]：2.39
CPY-3-O2	7.00%
CY-3-O2	7.50%
PCH-301	2.50%
PY-3-O2	18.00%

實例 M179 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M173之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M180

CC-5-V	20.00%	清澈點[℃]：75.0
CCH-13	14.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1078
CC-3-V1	8.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.9
CCP-3-1	2.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.4
CCY-3-O1	6.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.3
CCY-3-O2	10.00%	K₁ [pN，20℃]：15.0
CPY-2-O2	5.50%	K₃ [pN，20℃]：15.6
CCY-3-O2	11.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：98
PY-3-O2	17.50%	V₀ [20℃，V]：2.45
PYP-2-3	5.00%

實例 M181

CC-3-V1	8.50%	清澈點[℃]：74.5
CCH-13	11.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0983
CCH-35	7.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCH-34	5.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCP-3-1	13.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.1
CCY-3-O1	6.00%	K₁ [pN，20℃]：15.5
CCY-3-O2	9.00%	K₃ [pN，20℃]：16.5
CPY-3-O2	10.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：101
CY-3-O2	11.50%	V₀ [20℃，V]：2.30
Y-4O-O4	6.00%	LTS [整體-20℃]：＞ 1000 h
B(S)-2O-O5	4.00%
PP-1-3	5.00%
B(S)-2O-O4	3.00%

實例 M182

CC-V-V	10.00%	清澈點[℃]：73.5
CCH-13	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1067
CCP-V-1	10.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.8
CCY-2-1	10.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCY-3-1	10.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.2
CCY-3-O1	10.00%	K₁ [pN，20℃]：12.8
CCY-3-O2	7.00%	K₃ [pN，20℃]：14.5
CPY-2-O2	10.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：
CY-3-O2	4.00%	V₀ [20℃，V]：2.42
PP-1-3	10.00%
PY-3-O2	9.00%

實例 M183

CC-3-V1	11.00%	清澈點[℃]：75
CCH-13	9.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0983
CC-1-4	8.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.4
CCH-34	10.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.4
CCP-V-1	5.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.8
CCY-3-O1	1.50%	K₁ [pN，20℃]：14.8
CCY-3-O2	9.50%	K₃ [pN，20℃]：15.8
CLY-3-O2	5.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：104
CLY-3-O3	5.00%	V₀ [20℃，V]：2.29
CPY-3-O2	10.00%
CY-3-O2	11.50%
PGIY-2-O4	2.50%
PY-3-O2	12.00%

實例 M184

BCH-32	15.00%	清澈點[℃]：75.2
CCH-13	15.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1101
CCH-23	10.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.5
CCH-34	5.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCP-3-1	11.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.0
CLY-3-O2	8.00%	K₁ [pN，20℃]：14.6
CPY-2-O2	4.50%	K₃ [pN，20℃]：13.9
CPY-3-O2	10.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：
PGIY-2-O4	6.00%	V₀ [20℃，V]：2.39
PY-3-2	5.00%	LTS [整體-20℃]：＞ 1000 h
Y-4O-O4	10.00%

實例 M185

BCH-32	13.00%	清澈點[℃]：71.2
BCH-52	10.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1092
CCH-13	15.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.2
CCH-23	9.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCH-301	7.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：5.7
CCH-34	5.00%	K₁ [pN，20℃]：12.8
CLY-3-O2	8.00%	K₃ [pN，20℃]：11.9
CPY-2-O2	8.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：104
CPY-3-O2	6.50%	V₀ [20℃，V]：2.47
PGIY-2-O4	6.00%
PYP-2-4	2.50%
Y-4O-O4	10.00%

實例 M186

CC-3-V1	10.00%	清澈點[℃]：75.5
CCH-13	11.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.0984
CCH-34	5.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.5
CCH-35	9.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.5
CCP-3-1	5.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：7.0
CCY-3-O2	12.50%	K₁ [pN，20℃]：15.2
CPY-2-O2	8.00%	K₃ [pN，20℃]：16.9
CPY-3-O2	11.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：112
CY-3-O2	15.50%	V₀ [20℃，V]：2.31
PGIY-2-O4	2.00%
PY-3-O2	9.50%

實例 M187 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M186之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M188

BCH-32	2.50%	清澈點[℃]：75
CC-3-V1	8.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.01057
CCH-13	15.00%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.8
CCH-34	2.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.3
CCH-35	5.00%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.2
CCP-3-1	11.00%	K₁ [pN，20℃]：15.9
CCY-3-O1	6.00%	K₃ [pN，20℃]：18.2
CCY-3-O2	10.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：106
CPY-3-O2	10.00%	V₀ [20℃，V]：2.68
CPY-3-O2	10.00%
CY-3-O2	12.00%
PP-1-2V1	6.00%
PY-3-O2	12.00%

實例 M189

BCH-32	4.50%	清澈點[℃]：75
CC-3-V1	8.50%	Δn [589 nm，20℃]：0.1055
CCH-13	14.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-2.8
CCH-34	3.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.3
CCH-35	4.50%	ε_⊥ [1 kHz，20℃]：6.1
CCP-3-1	11.00%	K₁ [pN，20℃]：15.6
CCY-3-O1	4.50%	K₃ [pN，20℃]：17.6
CCY-3-O2	10.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：102
CPY-3-O2	9.00%	V₀ [20℃，V]：2.67
CY-3-O2	12.00%
PP-1-2V1	5.00%
PY-3-O2	11.00%
PY-4-O2	2.00%

實例 M190

B-2O-O5	5.00%	清澈點[℃]：74.5
BCH-52	8.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.1033
CC-3-V	22.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.0
CCH-13	9.40%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.6
CCH-34	5.50%	K₁ [pN，20℃]：13.4
CCY-3-O1	8.20%	K₃ [pN，20℃]：13.5
CCY-3-O2	8.80%	γ₁ [mPa·s，20℃]：96
CCY-4-O2	11.60%	V₀ [20℃，V]：2.26
PP-1-2V1	2.00%
PY-3-O2	15.00%
PY-4-O2	1.00%
PYP-2-3	3.00%

實例 M191 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M190之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M192

CC-3-V1	12.50%
CCH-13	19.00%
CCH-34	6.50%
CCY-3-O1	12.00%
CCY-3-O2	12.00%
CCY-4-O2	9.00%
CPY-3-O2	1.00%
CY-3-O2	7.00%
PY-3-O2	13.00%
PYP-2-3	5.50%
PYP-2-4	2.50%

實例 M193 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M192之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M194

CC-3-V1	11.25%
CCH-13	16.00%
CCH-301	0.75%
CCH-34	6.50%
CCH-35	5.00%
CCY-3-O1	11.50%
CCY-3-O2	13.50%
CCY-4-O2	6.25%
CPY-3-O2	0.50%
CY-3-O2	6.50%
PY-3-O2	14.50%
PYP-2-3	7.25%
PYP-2-4	0.50%

實例 M195 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M194之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M196 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.8%實例M194之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 M197

B-2O-O5	5.00%	清澈點[℃]：75
BCH-52	7.25%	Δn [589 nm，20℃]：0.1034
CC-3-V	22.50%
CCH-13	5.75%
CCH-301	1.00%
CCH-34	5.50%
CCH-35	3.50%
CCY-3-O1	8.00%
CCOY-3-O2	10.00%
CCOY-4-O2	9.50%
PP-1-2V1	2.50%
PY-V2-O2	11.00%
PY-4-O2	5.50%
PYP-2-3	3.00%

實例 M198 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M197之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M199 為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.8%實例M197之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 M200 實例M188之混合物另外包含0.03%下式之化合物

。實例 M201 實例M188之混合物另外包含0.04%下式之化合物

及0.02%下式之化合物

。實例 M202 實例M99之混合物另外包含0.03%下式之化合物

。實例 M203 實例M99之混合物另外包含0.04%下式之化合物

及0.02%下式之化合物

。實例 M204

CC-3-V1	9.00%	清澈點[℃]：74.8
CCH-13	18.00%
CCH-34	9.00%
CCP-3-1	5.50%
CCY-3-O1	3.50%
CCY-3-O2	11.50%
CPY-V-O2	9.00%
CPY-3-O2	11.00%
CY-3-O2	13.50%
PY-3-O2	10.00%

實例 M205 實例M204之混合物另外包含0.03%下式之化合物

。實例 M206

CC-3-V1	10.00%	清澈點[℃]：77
CCH-13	11.50%
CCH-34	5.50%
CCH-35	9.00%
CCP-3-1	5.50%
CCY-3-O2	12.50%
CPY-2-O2	8.00%
CPY-3-O2	11.00%
CY-3-O2	15.50%
CK-3-F	2.00%
PY-3-O2	9.50%

實例 M207

CC-3-V1	12.50%	清澈點[℃]：74.9
CCH-13	19.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0980
CCH-34	6.50%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.3
CCY-3-O1	12.00%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.4
CCY-3-O2	12.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCY-4-O2	9.00%	K₃ [pN，20℃]：15.6
CPY-3-O2	1.00%	γ₁ [mPa·s，20℃]：109
CY-3-O2	7.00%	V₀ [20℃，V]：2.29
PY-3-O2	13.00%
PYP-2-3	5.50%
PYP-2-4	2.50%

實例 M208 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M207之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M209

CC-3-V1	11.25%	清澈點[℃]：74.7
CCH-13	16.00%	Δn [589 nm，20℃]：0.0977
CCH-301	0.75%	∆ε [1 kHz，20℃]：-3.2
CCH-34	6.50%	ε_‖ [1 kHz，20℃]：3.4
CCH-35	5.00%	K₁ [pN，20℃]：14.7
CCY-3-O1	11.50%	K₃ [pN，20℃]：15.6
CCY-3-O2	13.50%	γ₁ [mPa·s，20℃]：106
CCY-4-O2	6.25%	V₀ [20℃，V]：2.33
CPY-3-O2	0.50%
CY-3-O2	6.50%
PY-3-O2	14.50%
PYP-2-3	7.25%
PYP-2-4	0.50%

實例 M210 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M209之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 M211 為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M151之混合物與0.3%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。

Claims

一種基於極性化合物之混合物的液晶介質，其特徵在於其包含式I化合物，
。
如請求項1之液晶介質，其中其另外包含一或多種選自式IIA、IIB及IIC之化合物之群的化合物，
IIA
IIB
IIC 其中 R^2A 、R^2B 及R^2C 各彼此獨立地表示H；具有至多15個C原子之烷基或烯基，其未經取代、經CN或CF₃ 單取代或至少經鹵素單取代，其中，另外，此等基團中之一或多個CH₂ 基團可以使得O原子不直接彼此鍵聯之方式經-O-、-S-、
、-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-OC-O-或-O-CO-置換， L^1-4 各獨立地表示F或Cl， Z² 及Z^2' 各獨立地表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CHCH₂ O-， p表示1或2， q表示0或1，且 v表示1至6。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式III化合物，
III 其中 R³¹ 及R³² 各獨立地表示具有至多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基，
表示
、
、
、
或
Z³ 表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-C₄ H₉ -、-CF=CF-。
如請求項1至3中任一項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式L-1至L-11之化合物，

其中 R、R¹ 及R² 各彼此獨立地具有請求項2中對於R^2A 所指示之含義，且烷基表示具有1至6個C原子之烷基，且 s表示1或2。
如請求項1至4中任一項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式T-1至T-21之聯三苯，
T-1
T-2
T-3
T-4
T-5
T-6
T-7
T-8
T-9
T-10
T-11
T-12
T-13
T-14
T-15
T-16
T-17
T-18
T-19
T-20
T-21 其中 R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之直鏈烯基，且 m表示1至6。
如請求項1至5中任一項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式O-1至O-17之化合物，
O-1
O-2
O-3
O-4
O-5
O-6
O-7
O-8
O-9
O-10
O-11
O-12
O-13
O-14
O-15
O-16
O-17

其中 R¹ 及R² 各彼此獨立地具有請求項2中對於R^2A 所指示之含義，且該(該等)式O-17化合物與該式I化合物不相同。
如請求項1至6中任一項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式In之茚滿化合物，
In 其中 R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 分別表示具有1至6或2至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基， R¹² 及R¹³ 另外亦表示鹵素，
表示
、
， i表示0、1或2。
如請求項1至7中任一項之液晶介質，其中該式I化合物在該整體混合物中之比例為1至30重量%。
如請求項1至8中任一項之液晶介質，其中其另外包含一或多種來自下式之化合物之群的化合物，








。
如請求項1至9中任一項之液晶介質，其中其另外包含選自以下之群的化合物
O-9a
O-9b
O-17a
O-17b
O-17c
O-17d.
如請求項1至10中任一項之液晶介質，其中其另外包含一或多種選自式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1及BS-2之化合物之群的化合物，
BC
CR
PH-1
PH-2
BF-1
BF-2
BS-1
BS-2 其中 R^B1 、R^B2 、R^CR1 、R^CR2 、R¹ 、R² 各彼此獨立地具有請求項2中R^2A 之含義， c表示0、1或2， d表示1或2， R¹ 及R² 各分別獨立地表示具有1至6或2至6個C原子之烷基、烷氧基、烯基或烯氧基。
如請求項1至11中任一項之液晶介質，其中該介質包含至少一種可聚合化合物(反應性液晶原基)。
如請求項1至12中任一項之液晶介質，其中該介質包含一或多種添加劑。
如請求項1至13中任一項之液晶介質，其中該添加劑係選自自由基清除劑、抗氧化劑及/或UV穩定劑之群。
一種製備如請求項1至14中任一項之液晶介質之方法，其特徵在於將至少式I化合物與至少另一種液晶化合物混合，且添加視情況存在之一或多種添加劑及視情況存在之至少一種可聚合化合物(反應性液晶原基)。
一種如請求項1至14中任一項之液晶介質之用途，其係用於電光顯示器中。
一種具有主動矩陣定址之電光顯示器，其特徵在於其含有如請求項1至14中任一項之液晶介質作為介電質。
如請求項17之電光顯示器，其中其為VA、PSA、PS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、SS-VA、PM-VA、FFS或PS-FFS顯示器。