TW202044453A - 半導體基板的處理方法及設備 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於適合用以修復或避免半導體基板上之高高寬比結構之摩擦的氣體輸送系統及方法。氣體輸送系統及方法經由經加熱之供給線(201)將鹵化氫、汽化的溶劑、及載氣的混合物輸送至基板，以避免在氣體混合物的運送期間形成液滴。氣體混合物供給線係較佳地固定於包含吹淨氣體供給線(204)的導管(202)內，使得經由氣體混合物供給線(201)所洩漏的任何鹵化氫可被導管內之吹淨氣體流帶走。在此類實施例中，吹淨氣體亦較佳地受到加熱並用來作為加熱氣體混合物供給線之分配出口的手段。

Description

半導體基板的處理方法及設備
本發明係關於基板處理方法，尤其是修復半導體基板上之高高寬比結構或避免其摩擦的方法。本發明亦關於進行此類方法的方法及設備，尤其是在表面處理中輸送鹵化氫的方法及設備。
基板處理系統可用以在基板如半導體晶圓上沉積薄膜或蝕刻、清理及/或以其他方式處理基板的表面。在某些處理中，基板可能會受到濕式處理。在此些處理中，基板會被固定至旋轉夾頭上。當旋轉夾頭旋轉時，流體噴嘴可用以分配流體如液體或氣體、及/或可施加熱以處理基板。
某些基板包含高高寬比(HAR)結構如奈米柱、溝槽、或通孔。HAR結構具有寬度(平行於基板表面)遠小於高度(垂直於基板表面)的結構。具有高寬比大於5:1(溝槽深度 : 溝槽寬度)的HAR結構是很常見的。許多先進的處理包含具有甚至更高高寬比的HAR結構。
當一或多個HAR結構倒塌、相對於基板表面橫向移動、及/或與相鄰HAR結構直接接觸時，發生圖案倒塌。圖案倒塌通常在濕式清理處理後的乾燥期間發生。尤其，乾燥沖洗液體之表面張力在HAR結構之間所產生的毛細力會造成相鄰結構之表面經歷摩擦–即黏附在一起。
當乾燥基板時使用數個處理減少圖案倒塌。例如，可利用超臨界CO2 乾燥基板。具有低表面張力的超臨界CO2 能置換沖洗流體並在加熱時昇華，避免可造成摩擦的毛細作用。然而，超臨界CO2 相對昂貴且具有執行上的問題。基板的表面可利用膜層修飾而避免摩擦。然而，由於表面修飾需要使用額外的化學品，因此通常是昂貴的。由於需要移除受到修飾的膜層，因此表面修飾亦會導致材料損失。亦可利用在接近異丙醇(IPA)之沸點的溫度下輸送至基板表面的IPA乾燥基板。然而，某些高寬比無法利用沸騰的IPA乾燥而不造成圖案倒塌。
在本發明之申請人的先前申請案WO 2019/083735中，發明人揭露一種涉及使用氣態氟化氫(HF)之HAR結構處理方法。尤其，該方法涉及：(a)利用第一沖洗液體旋轉沖洗基板的表面；(b)自基板表面旋轉去除第一沖洗液體；及(c)在分配第一沖洗液體之後將包含HF的氣體混合物導引至基板表面上。HF可藉由協助破壞HAR結構之間之橋接氧化物鍵結或避免其形成而解決摩擦問題。
然而，仍需要較佳的基板處理設備及方法，尤其需要能避免或修復圖案倒塌的設備及方法。
在先前申請案WO 2019/083735中所揭露的方法提供避免及修復HAR結構之圖案倒塌的尤其有效方法。然而，本發明之發明人發現，該方法可導致處理後基板表面各處的不勻性。尤其，在詳細檢視時發現，不勻處理可因在氣體輸送期間的HF液滴形成與聚結且後續隨機地沉積於基板表面上而發生。液滴的隨機輸送可因局部蝕刻而造成表面上的隨機斑點，這可能會對成品的品質造成嚴重影響。在極端的情況中，凝結可導致液滴形成在用以輸送HF氣體的噴嘴上，後續自噴嘴滴至基板上。
因此，本發明之發明人發展出能解決此問題的設備及方法。尤其，為了解決此問題，本發明提供一種基板處理方法，其包含： - 組合汽化的溶劑與鹵化氫而形成氣體混合物； - 使該氣體混合物流經氣體混合物供給線；及 - 將該氣體混合物分配至該基板的表面上； 其中該氣體混合物供給線係受到加熱以限制氣體混合物在運送期間的凝結。至關重要的，使用經加熱的供給線能藉著使鹵化氫維持氣相而限制或甚至避免將非所欲的液滴(如包含HF的液滴)輸送至基板表面上。這可藉著限制氣體混合物的凝結並選擇性地重新汽化任何已形成的液滴而達成。
氣體混合物供給線經加熱所達之溫度取決於所用之氣體混合物的類型。尤其，鹵化氫的類型、所用之鹵化氫的分壓、及整體壓力。然而一般而言，氣體混合物供給線被加熱至至少約40°C、或者至少約50°C，較佳地至少約60°C。溫度的上限並未受到特別限制，但可例如約為150°C、或約120°C、或約100°C。所述之溫度係對應至氣體混合物供給線之內表面的溫度。當加熱器與氣體混合物彼此鄰近時，加熱器的溫度可與氣體混合物供給線之內表面的溫度相同。
適合地，基板為半導體基板如矽基板如晶圓(即材料的切片或薄片(大致上是薄的))。例如，基板可為積體電路。基板可為平的。
適合地，基板為圖案化的基板。換言之，基板包含表面結構。表面結構可包含柱或由柱所構成。此外或或者，表面結構可包含溝槽或由溝槽所構成。此外或或者，表面結構可包含通孔或由通孔所構成。較佳地，將該方法施加至具有高高寬比(HAR)結構的半導體基板如具有至少約5：1、至少約8：1、或至少約10：1(溝槽深度：溝槽寬度)之高寬比之一或多個結構(選擇性地為所有結構)的基板。在本說明書中，「高寬比」係指高度對寬度的比值。有利地，本發明之方法尤其能有效修復及/或避免表面結構尤其是HAR結構的摩擦。
一或多個表面結構的寬度可例如為100 nm或更小、80 nm或更小、60 nm或更小、50 nm或更小、40 nm或更小、30 nm或更小、或20 nm或更小。特徵部之間的節距可例如為200 nm或更小、150 nm或更小、100 nm或更小、80 nm或更小、60 nm或更小、50 nm或更小、40 nm或更小、或30 nm或更小。高度可例如為100 nm或更大、200 nm或更大、300 nm或更大、400 nm或更大、500 nm或更大、600 nm或更大、700 nm或更大、800 nm或更大、或1000 nm或更大。對於包含表面結構(選擇性地為相同的表面結構)之陣列的基板而言，結構之間的節距(即結構之中央至中央之間的距離)可為500 nm或更小、400 nm或更小、300 nm或更小、200 nm或更小、100 nm或更小、50 nm或更小、40 nm或更小、或30 nm或更小。結構節距若被表示為結構高度的百分比，例如可為50%或更小、40%或更小、30%或更小、20%或更小、或10%或更小。結構節距若被表示為結構寬度的百分比，例如可為小於500%、小於400%、小於300%、或小於200%、或小於150%。
所用之鹵化氫較佳地為氟化氫(HF)、或氯化氫(HCl)，最佳地為HF。HF因其高反應性，尤其能有效地避免或修復圖案倒塌。然而，由於HF相對高的沸點(在大氣壓下純HF的沸點為19.5°C)，其亦最容易形成液滴，其高沸點係由於高度負電HF分子之間的互動及與其他氫鍵形成化合物(如水、醇)形成較高沸點範圍之混合物的傾向。此類具有氫鍵形成化合物的混合物(在某個程度上所有鹵化氫皆屬之)比純鹵化氫具有遠遠更高的沸點。是以，本發明之發明人發現，當將氣體混合物供給線加熱至至少40°C時利用HF能得到尤其佳的結果，特別是使用HF/醇類混合物如HF與異丙醇(IPA)之混合物時。
鹵化氫與汽化之溶劑的相對及絕對量係取決於氣體混合物欲使用的特定應用。
適合地，氣體混合物包含至少0.1體積%、至少0.5體積%、或至少1體積%的鹵化氫(較佳地為HF)。鹵化氫在氣體混合物中之量的上限例如是10體積%、或5體積%。例如，鹵化氫之量的範圍可介於自0.5體積%至5體積%。
汽化的溶劑可為水或較佳地可為醇類。例如，醇類可為甲醇或IPA，較佳地為IPA。有利地，IPA係以高純度的等級販售且在上述溫度下不會經歷嚴重的凝結。有利地，當在表面乾燥方法中使用IPA時，IPA置換來自表面的沖洗液體然後蒸發而得到無水氣表面。
溶劑藉由經加熱之液體安瓶、起泡器、或其他蒸發器而蒸發。適合地，氣體混合物包含至少0.1體積%、至少0.5體積%、或至少1體積%汽化的溶劑。汽化的溶劑在氣體混合物中之量的上限可例如為10體積%、5體積%、或2.5體積%。例如，汽化的溶劑之量的範圍可自0.5體積%至2.5體積%。
較佳地，氣體混合物包含載氣。載氣較佳地為惰性氣體，基於成本、普及性、及缺乏反應性的因素更較佳地為氮氣(N2 )。
鹵化氫、汽化的溶劑、及載氣的組合量可佔總氣體混合物的至少95體積%、至少98體積%、至少99體積%、或至少99.5體積%。選擇性地，氣體混合物係由鹵化氫、汽化的溶劑、及載氣所構成。
較佳地，氣體混合物包含0.5體積%至5體積%的鹵化氫(較佳地為HF)、0.5至2.5體積%的汽化的溶劑(較佳地為IPA)、及剩餘的載氣(較佳地為氮氣)。有利地，此混合物能修復或避免圖案倒塌但不會導致基板表面的過度蝕刻。
一般而言，氣體混合物實質上不包含任何氧化劑。例如，氣體混合物可具有不多於0.5體積%、或不多於0.1體積%的氧化劑。例如，氣體混合物中氧、臭氧、過氧化氫、硝酸、及硫酸的總量可不多於0.5體積%、或不多於0.1體積%、或氣體混合物可不包含任何此類化合物。
較佳地，利用一種氣體輸送系統進行該方法，此系統具有： - 鹵化氫(HH)供給線; - 汽化的溶劑(VS)供給線；及 - 載氣(CG)供給線，其中此些供給線係結合而形成HH/VS/CG混合物供給線，其中HH/VS/CG混合物供給線係受到加熱以限制氣體混合物在運送期間凝結。
該方法可包含例如： (i) 蒸發溶劑並使其與載氣結合而形成VS/CG混合物供給線(例如藉著結合VS與CG供給線)； (ii) 結合VS/CG混合物供給線與HH供給線而形成HH/VS/CG混合物供給線； (iii) 選擇性地，更以載氣較佳地以經預先加熱的載氣(例如將載氣加熱至與HH/VS/CG混合物相同的溫度)稀釋HH/VS/CG混合物供給線；及 (iv) 自HH/VS/CG混合物供給線分配HH/VS/CG混合物。
較佳地，HH供給線、VS供給線、CG供給線中的任何者或所有者亦受到加熱。較佳地，CG供給線係受到加熱。較佳地，VS/CG混合物供給線係受到加熱。在尤其較佳的方法中，HH供給線與VS/CG混合物供給線兩者係皆受到加熱。加熱個別的供給線更有助於限制凝結。尤其，在氣體混合物中之各別成分結合之前加熱各別成分有助於避免在成分混合之點處凝結。
雖然是選擇性的，但步驟(iii)與前述之稀釋步驟(i)一起使用時，可有助於將HH與VS精準稀釋至期望分壓。
上面對於加熱汽化的溶劑與鹵化氫之氣體混合物所討論的選擇性與較佳溫度亦可應用至上述的其他供給線。尤其，經加熱之供給線中的任何者或所有者可被加熱至至少約40°C、或者至少約50°C、較佳地至少約60°C。溫度的上限並未受到特定限制，但可例如為約150°C、約120°C、或約100°C。
本發明之方法可用以修復圖案化之半導體基板的結構倒塌，例如用以修復具有HAR結構(如上所定義的)之圖案化的半導體基板的結構倒塌。
選擇性地，氣體混合物係用來作為乾燥圖案化之半導體基板之方法的一部，例如乾燥具有HAR結構(如上所定義的)之圖案化之半導體基板之方法的一部。有利地，汽化的溶劑係用以乾燥基板而鹵化氫有助於避免結構倒塌(尤其，相鄰表面結構的黏附)。較佳地，此類方法涉及： a) 利用沖洗液體(例如水或醇類如IPA)沖洗(較佳地，旋轉沖洗)基板的表面； b) 選擇性地，自基板表面移除沖洗液體的至少一部(例如旋轉去除液體)；然後 c) 利用經加熱之氣體混合物供給線以上述之汽化的溶劑與鹵化氫之氣體混合物處理基板表面。
在此類修補與乾燥方法中，可調整條件俾使鹵化氫(較佳地為HF)足以助於「去黏附」或避免基板表面上之相鄰結構黏附卻不導致過度蝕刻。因此，可選擇條件以限制蝕刻率。例如，供給汽化的溶劑與鹵化氫之氣體混合物供給線較佳地被加熱至介於40°C至小於100°C之範圍內的溫度，以避免可能會造成非所欲蝕刻程度(因鹵化氫的反應性隨著溫度增加而增加)的過度高溫。類似地，可選擇鹵化氫的分壓俾以限制過度蝕刻。
選擇性地，步驟(c)與其先前步驟(步驟(a)或步驟(b))之間的時間例如是不多於60秒、不多於40秒、不多於30秒、不多於20秒、或不多於10秒。有利地，在輸送氣體混合物之前有短暫時間有助於達到有效率的乾燥但最少化倒塌結構的數目。
選擇性地，步驟(c)至少部分地與步驟(a)及/或步驟(b)交疊。換言之，在輸送沖洗液體及/或暫時乾燥(b)之相同時間處輸送氣體混合物。又，已發現此方案能達到有效率的乾燥但最少化倒塌結構的數目。
上面的沖洗步驟(a)之前可進行化學處理步驟如蝕刻步驟。例如，方法可包含： - 將蝕刻液體輸送至基板的表面； - 以水(例如去離子水)沖洗基板表面； - 以IPA沖洗基板表面以置換水； - 選擇性地，自基板表面移除IPA的至少一部分； - 利用經加熱之氣體混合物供給線以上述之汽化的溶劑與鹵化氫之氣體混合物處理基板的表面。
在本發明之方法中，氣體混合物可自分配出口如噴嘴或噴淋頭分配。適合地，在將氣體混合物分配至基板表面上期間出口之位置可鄰近基板。這允許氣體混合物有效地碰撞基板表面。在分配氣體混合物期間出口與基板表面之間的距離可例如為2至20 mm、2至15 mm、2至10 mm、或2至5 mm。較佳地，在輸送汽化的溶劑與鹵化氫之氣體混合物期間使分配出口移動(如掃描)橫跨基板表面。例如，分配出口可設置在可移動之臂上如可旋轉之臂上，臂掃描橫跨基板表面。這有助於確保橫跨基板表面之處理的均勻程度。
加熱供給線可利用任何適當的裝置進行。例如，加熱可利用沿著氣體供給線延伸之一或多個加熱器進行。加熱器(複數加熱器)可例如為置於輸送氣體之氣體輸送管上或附近的電加熱器(追蹤加熱器如電阻式加熱器)如加熱器條、加熱器纜線、加熱器帶、加熱器墊、加熱器線圈、或加熱器膠帶。設定加熱器的溫度以將氣體運送之氣體供給線(複數氣體供給線)加熱至期望溫度。
加熱器可沿著特定氣體供給線(例如上面指定之HH、VS、CG、VS/CG、 HH/VS/CG供給線)之長度的大部分延伸。例如，加熱器可沿著特定氣體供給線的至少50%、至少60%、至少70%、至少80%、至少90%、至少95%、或全部延伸。對於HH/VS/CG混合物供給線而言，上述的長度計算大體上不包含分配出口(如噴嘴)(分配出口大體上構成分離的部件)，氣體係自分配出口射出。有利地，加熱供給線的大部分長度有助於相關氣體之有效率與一致的加熱。
選擇性地，可在分配氣體混合物時同時加熱基板本身。例如，基板可被加熱至自20°C至400°C如介於50°C至150°C之間之範圍內的溫度。
各種氣體係藉由氣體輸送管輸送。較佳地，利用塑膠管如氟系之管如全氟烷氧基烷烴聚合物(PFA)管供給氣體(尤其是HF與含HF之氣體混合物)。一般而言，利用不銹鋼元件輸送HF。然而，HF與某些溶劑(包含IPA)的組合對於不銹鋼而言是有腐蝕性的，因此限制了設備的壽命且可導致非所欲之金屬污染物沉積至基板上。因此，在本發明中較佳地利用塑膠管供給鹵化氫與汽化的溶劑之氣體混合物。然而，使用塑膠管的缺點之一為管對於HF而言大致上並非完全氣密的。是以，雖然塑膠管本身並不會被HF所損傷，但管附近的環境可能會因洩漏的HF而退化。尤其，在本發明中，洩漏的HF可能會潛在性地損傷用以加熱氣體混合物供給線的加熱器(複數加熱器)。
有鑑於此問題，本發明之發明人已發展出一種能限制洩漏的HF之影響的系統。尤其，本發明之發明人已發現，經由氣體輸送管(較佳地由PFA所製成的輸送管)輸送HF與汽化的溶劑之氣體混合物及使吹淨氣體(較佳地為惰氣，最佳為氮氣)流過管的外表面以吹淨經由管壁洩漏之HF，能限制或避免與洩漏之HF相關的困境。此方法可藉由下列方式實施：將氣體輸送管(如PFA管)置於導管(管)內、使氣體流經管、及使吹淨氣體經由導管流過管之外表面上方。本發明之發明人將此法稱為「雙重限制」。導管大致上為直徑大於氣體混合物輸送管的另一管。
此雙重限制方案本身代表對現有技術的有用添加方案，因此本發明的另一態樣提供一種傳輸鹵化氫(如HF)的方法，其包含：使鹵化氫流經氣體輸送管(較佳地由塑膠如PFA所製成)；及使另一氣體流過氣體輸送管之外表面的上方以吹淨經氣體輸送管之壁所洩漏的任何鹵化氫。如上所述，這可較佳地藉由下列方式達成：將氣體輸送管置於導管內、建立通過氣體輸送管的鹵化氫流、及使另一氣體(較佳地為惰性氣體，最佳地為氮氣)經由導管而流過氣體輸送管之外表面上方。
吹淨氣體可受到加熱。例如，吹淨氣體可被用以加熱汽化的溶劑與鹵化氫之氣體混合物的相同加熱器所加熱。在此類實施例中，吹淨氣體本身可被用以加熱氣體輸送系統的額外部件。較佳地，經加熱之吹淨氣體係用以加熱輸送氣體混合物的分配出口，下面將更詳細地說明分配出口。
在另一態樣中，本發明提供一種適合進行上述方法的系統。大體而言，本發明提供一種氣體輸送系統，其包含連接至氣體混合物源的供給線，氣體混合物包含鹵化氫與汽化的溶劑、及用以加熱該使用中之供給線的裝置。尤其，本發明提供一種氣體輸送系統，其包含： - 鹵化氫(HH)供給線，係連接至HH源； - 汽化溶劑(VS)供給線，係連接至溶劑源；及 - 載氣(CG)供給線，係連接至載氣源； 其中： - VS供給線與CG供給線結合(如連接)以形成VS/CG混合物供給線； - VS/CG混合物供給線與HH供給線結合(如連接)以形成HH/VS/CG混合物供給線； - HH/VS/CG混合物供給線包含用以將HH/VS/CG混合物分配至基板上的分配出口；及 - 該系統包含用以加熱使用中之HH/VS/CG混合物供給線的加熱器。
較佳地，該系統亦包含一或多個加熱器以加熱使用中之HH供給線及/或VS/CG混合物供給線。
較佳地，加熱器(複數加熱器)沿著HH/VS/CG混合物供給線之大部分長度延伸(如上面針對方法所討論的)。
選擇性地，分配出口包含外殼，外殼包含延伸至噴嘴出口的噴嘴管，其中噴嘴管與噴嘴出口係用以將HH/VS/CG混合物分配至基板上。
在此類實施例中，用以加熱HH/VS/CG混合物供給線的加熱器可延伸進入該外殼中以更進一步限制液滴形成的可能性。
較佳地，分配出口包含氣體混合物控制閥件以控制流至噴嘴出口的HH/VS/CG混合物流。較佳地，氣體混合物控制閥件可在開位置與關位置之間切換。較佳地，氣體混合物控制閥件與噴嘴孔口之間的距離(沿著氣體流動路徑量測)係不多於20 cm、較佳地不多於15 cm、最佳地不多於10 cm。有利地，確保氣體混合物控制閥件與噴嘴孔口之間之相對短的距離能最小化開啟閥件與自噴嘴孔口輸送氣體之間的時間遲延。此外，其最小化氣體混合物控制閥件與噴嘴孔口之間的氣體體積，這可減少當閥件關閉時在該體積中累積污染物的可能性。另一方面，若氣體混合物控制閥件與噴嘴孔口之間的距離太小， 則這會因為產生紊流而打斷流經噴嘴的氣流。因此，較佳地，該距離係至少為2 cm、更較佳地至少為3 cm、更較佳地至少為4 cm、最佳地至少為5 cm。氣體混合物控制閥件與噴嘴孔口之間之距離的較佳範圍為2至20 cm、更較佳地為5至10 cm。
較佳地，分配出口亦包含沖洗線控制閥件所控制的沖洗線。沖洗線提供使HH/VS/CG混合物流轉向至排出件的裝置而非將其輸送至基板。沖洗線控制閥件係較佳地可在開位置與關位置之間切換。
氣體混合物控制閥件與沖洗線控制閥件係較佳地為氣體操作的(如空氣操作的)閥件。有利地，這可避免對於外部移動部件(即未被容納於閥件內之移動部件)或與閥件相關之金屬部件的需求，外部移動部件或與閥件相關之金屬部件可能會產生可能會污染及/或損傷設備及基板的碎屑。
尤其較佳地，氣體輸送系統包含氣體混合物控制閥件與沖洗線控制閥件兩者，以控制HH/VS/CG混合物輸送至基板或沖洗線。在此類實施例中，較佳地，鏈結氣體混合物控制閥件與沖洗線控制閥件的控制俾使一者開啟時另一者關閉。這確保總是對HH/VS/CG混合物提供流動路徑，因而避免在系統中的壓力累積。在此類系統中，較佳地在系統的休息狀態中，沖洗線控制閥件開啟而氣體混合物控制閥件關閉。例如，沖洗線控制閥件及氣體混合物控制閥件可為氣體操作的(如空氣操作的閥件)，沖洗線控制閥件在休息狀態時開啟(常開閥件)而氣體混合物控制閥件在休息狀態時關閉(常關閥件)，且當使用氣體致動閥件時沖洗線控制閥件關閉而氣體混合物控制閥件開啟。
在尤其較佳的實施例中，分配出口包含外殼，外殼包含： - 噴嘴管，延伸至噴嘴出口； - 如上所述之氣體混合物控制閥件；及 - 如上所述之沖洗線控制閥件所控制的沖洗線。 較佳地，當使用HH/VS/CG混合物時，連續供給HH/VS/CG混合物至分配出口且利用氣體混合物控制及沖洗線控制閥件控制HH/VS/CG混合物。提供HH/VS/CG混合物的連續供給有助於最小化供給的變異，供給變異可能會影響處理的一致性。
較佳地，根據上面討論的「雙重限制」策略，HH/VS/CG混合物供給線為固定於導管內的氣體輸送管，其中導管係連接至吹淨氣體供給線以吹淨經由使用中之管壁洩漏的任何HH，吹淨氣體供給線係用以使吹淨氣體經由導管流過氣體輸送管的外表面上方。有利地，如上所述，即便塑膠管對於HH可能是多孔性的，雙重限制方案能經由塑膠管供給HH/VS/CG混合物，因為經由管洩漏的任何HH可被吹淨氣體安全移除。有鑑於此，該氣體輸送管可為塑膠的例如全氟烷氧基烷烴聚合物。
在此類實施例中，系統可包含外罩，外罩至少容納HH供給線的一部分(選擇性地容納全部)及選擇性地至少容納VS供給線、CG供給線、VS/CG混合物供給線、及HH/VS/CG混合物供給線中的一或多者的部分，其中該導管在該外罩中開放。此外罩通常被稱為「氣體混合箱」。有利地，此方案意味著自HH供給線或HH/VS/CG混合物供給線洩漏的HH會被輸送至外罩，在外殼處HH可被安全移除。這限制了必須移除洩漏的HH的排出接口的數目，提供了安全性的優點。此外，以俾使洩漏的HH流至共同外罩(無論洩漏源於HH供給線或HH/VS/CG混合物供給線)的方式配置系統能促進且簡化HH洩漏的偵測。因此，系統可包含用以偵測外罩中之HH的HH偵測器。此偵測器可位於外罩本身內、或可配置用以偵測來自外罩之排出接口的HH。
選擇性地，導管的一端係被蓋住或受到密封。在此類實施例中，吹淨氣體供給線可具有靠近導管之覆蓋/密封端的出口，俾以在使用時令離開吹淨氣體供給線的吹淨氣體碰撞於覆蓋/密封端上並回吹導管。有利地，此方案以尤其簡單的方式實施「雙重限制」策略。尤其，可藉由導管的相同端導入吹淨氣體(利用吹淨氣體供給線)並移除吹淨氣體。當系統包含(至少部分)容納HH供給線之外罩時，導管可具有開放至外罩中的第一端、沿著且圍繞氣體輸送管延伸的中間段、及被蓋住或受到密封的第二端(例如，在氣體輸送管之周長附近受到密封之一端)。
有利地，此配置使自導管洩漏的鹵化氫被輸送至外罩中並自外罩排出。在此類實施例中，吹淨氣體供給線可自外殼經由導管延伸至被蓋住或受到密封的一端。這以尤其簡單且有效的方式實施「雙重限制」方案，藉由外罩達到吹淨氣體輸送及吹淨氣體移除。尤其，此方案不需要導管包含能導入吹淨氣體供給線的分離接口，這對於導管用之材料類型能提供更大的彈性(例如，可使用相對薄、具有彈性的材料)。
較佳地，在雙重限制的實施例中，用以加熱HH/VS/CG混合物供給線的加熱器被固定在該導管內。這使HH/VS/CG混合物供給線與加熱器之間密切靠近，因此促進有效率的熱傳。又，使氣體流經導管的能力有助於最小化對加熱器的損傷，若非如此可能會因為經由氣體輸送管的HH洩漏而損傷加熱器。
較佳地，在雙重限制的實施例中，分配出口包含該外殼，該外殼包含延伸至噴嘴出口(及較佳地延伸至沖洗線閥件所控制的氣體混合物控制閥件與沖洗線)的噴嘴管(氣體輸送管的連續、或管的分離元件)，其中該導管開口於外殼中以使吹淨氣體進入外殼。換言之，分配出口之外殼的內部係與導管流體溝通，使吹淨氣體能進入外殼。有利地，可使用此種配置加熱噴嘴管與噴嘴出口，因為受到HH/VS/CG混合物供給線加熱器所加熱的吹淨氣體可進入外殼中並加熱噴嘴管與噴嘴出口。利用經加熱的氣體加熱分配出口能以相對直觀的方式使分配出口之複數元件中的每一者可被加熱至相同的溫度，而毋須對每一分配出口元件(可具有小尺寸)提供電加熱元件。適合地，在此類實施例中外殼係受到密封的，因此藉由導管進入外殼的吹淨氣體亦藉由相同的導管離開。在此類情況中，外殼有效地「覆蓋」導管，俾使吹淨氣體必須回吹導管。
在此些實施例中，吹淨氣體供給線的出口較佳地在分配出口的外殼中開放或靠近分配出口的外殼開放(例如離外殼小於5 cm、小於4 cm、小於3 cm、小於2 cm、或小於1 cm)。以此方式，吹淨氣體被輸送至外殼中且可回流經過導管而不遭遇明顯的逆流。相對地，若吹淨氣體供給線的出口在距離外殼遙遠處開放，流至外殼及離開外殼的氣流將會因自外殼返回之氣體與自吹淨氣體供給線輸送之氣體的干擾而變得更複雜(較不層流)。在此類實施例中，吹淨氣體供給線較佳地沿著導管內的氣體輸送管延伸，且使用相同的加熱器加熱使用中之氣體輸送管與吹淨氣體供給線兩者。這不僅僅簡化了設備的建造，亦使吹淨氣體能在輸送通過導管時將外殼維持在與氣體輸送管相同的溫度處、或附近。
較佳地，分配出口係安裝至可移動臂上以使分配出口能移動/掃描橫跨使用中的基板表面。例如，氣體輸送系統可具有包含該外殼的分配出口，該外殼包含延伸至噴嘴出口(及較佳地至氣體混合物控制閥件及沖洗線閥件所控制之沖洗線)的噴嘴管，其中分配出口及其上述元件係安裝於可移動臂上。以此方式，噴嘴出口可掃描橫跨基板表面但卻不影響噴嘴出口相對於分配出口之其他部件的相對配置。
選擇性地，HH/VS/CG混合物供給線及用以加熱HH/VS/CG混合物供給線的加熱器係受到熱絕緣材料包圍。這有助於確保氣體混合物供給線的有效率加熱。
在一尤其較佳的實施例中，氣體輸送系統包含： - 鹵化氫(HH)供給線，係連接至HH源； - 汽化溶劑(VS)供給線，係連接至溶劑源；及 - 載氣(CG)供給線，係連接至載氣源； 其中： - VS供給線與CG供給線結合(如連接)以形成VS/CG混合物供給線； - VS/CG混合物供給線與HH供給線結合以形成HH/VS/CG混合物供給線； - HH/VS/CG混合物供給線包含用以將HH/VS/CG混合物分配至基板上的分配出口，分配出口包含外殼，外殼包含：噴嘴管，延伸至噴嘴出口(及氣體混合物控制閥件；及沖洗線控制閥件所控制之沖洗線)； - HH供給線的至少一部分(選擇性地為全部)(及選擇性地VS供給線、CG供給線、VS/CG混合物供給線、及HH/VS/CG混合物供給線中之一或多者的至少一部分)係容納於一外罩內； - HH/VS/CG混合物供給線為固定於導管內的氣體輸送管，其中導管係連接至吹淨氣體供給線以吹淨經由使用中之氣體輸送管之壁所洩漏之任何HH，吹淨氣體供給線係用以使吹淨氣體經由導管流過氣體輸送管之外表面上方，其中該導管在外罩及分配出口之外殼中開放；及 - 系統包含加熱器以加熱使用中的HH/VS/CG混合物供給線(較佳地，其中用以加熱HH/VS/CG混合物供給線的該加熱器係固定於該導管內)。
有鑑於上述「雙重限制策略」的優點，本發明的另一態樣提供一種可加熱之氣體分配器，其包含：氣體輸送管，延伸至包含外殼的分配出口，外殼包含：噴嘴管，延伸至噴嘴出口(及氣體混合物控制閥件；及上述沖洗線控制閥件所控制之沖洗線)，其中氣體輸送管係固定於在外殼內開放的導管內，其中導管更包含：用以加熱氣體輸送管及吹淨氣體供給線的加熱器，吹淨氣體供給線係用以使吹淨氣體經由導管流過氣體輸送管之外表面上方。如上所述，此分配器能加熱傳輸通過氣體輸送管與分配出口本身的氣體。
在另一態樣中，本發明提供一種根據本發明方法處理基板的處理設備。該設備較佳地包含： - 處理室； - 處理室中之基板支撐件； - 用以旋轉基板支撐件的裝置；及 - 氣體輸送系統，包含如上所述之分配出口。
選擇性地，該處理設備更可包含適合將液體分配至被支撐於基板支撐件上之基板上的液體輸送系統。此類設備能在使用氣體輸送系統乾燥或以其他方式處理基板之前及/或之後(選擇性地在之前)在基板上進行液體處理步驟如蝕刻及沖洗。當處理設備包含液體輸送系統時，設備較佳地具有液體處置系統如申請人之專利EP 1 609 172中所述者。
較佳地，氣體輸送系統之分配出口在使用時的位置俾使孔口距離基板表面2至20 mm如2至15 mm、2至10 mm、或2至5 mm，HH/VS/CG混合物係經由孔口供給。
分配出口的孔口可距離基板支撐件的上表面例如4至22 mm、如4 至17 mm、4至12 mm、或4至7 mm。基板支撐件的上表面被定義為基板支撐件的最上部，在其下為針對基板所提供的區域。
基板支撐件可為具有適合基板抓取裝置的可旋轉平台。可旋轉平台可藉由例如真空夾頭(或抓取裝置)、邊緣抓取夾頭、或白努力夾頭(或抓取裝置)支撐基板。本發明之處理設備之處理室可包含環狀液體收集器，其圍繞旋轉平台及基板以收集來自基板表面的液體。
在圖1A中，顯示在濕式處理及乾燥之前的基板1。基板1包含形成在下方層3上之高高寬比(HAR)之柱2a、2b、2c、及2d。特徵部具有約5：1(高對寬)之高寬比。圖1B顯示在濕式處理及乾燥後之基板1。在乾燥處理期間柱2b與2c之間之液體的毛細作用導致結構倒塌，迫使柱彼此接觸。一旦接觸後，在此情況中柱經由凡得瓦力與結構之間之橋接氧化物鍵結的組合而黏附在一起。橋接氧化物鍵結的類型取決於形成柱的材料類型，但可例如包含氧化矽(SiOx )、氮氧化矽(SiOx Ny )、及氧化鈦(TiOx )。在圖1C中已利用根據本發明方法之HF、IPA、及氮氣的氣體混合物處理結構，以打斷柱2b與2c之間的鍵結互動。
圖2A與2B顯示用以實施本發明方法的設備10的實例。設備包含容納旋轉夾頭12的室51。基板1係經由適當的機制在此情況中係經由使用抓取銷13附接至旋轉夾頭12的表面。抓取銷的適當實例係顯示及載於申請人的先前申請案US 2018/0047593中。旋轉夾頭12的表面14為透明的，且加熱器15係設置在表面14下方。在此實例中，加熱器15包含設置在一或多個徑向區域中的複數發光二極體(LED)以徑向加熱基板1。可操作加熱器以在旋轉夾頭12旋轉時提供自基板中央位置向外移動至基板徑向外邊的移動熱波。進行基板之徑向加熱的旋轉夾頭的適當實例係顯示及說明於US 2018/0047593中。
如所示，夾頭旋轉馬達16藉由軸17旋轉旋轉夾頭12。在其他實例中，馬達16包含轉子與定子，在毋須物理接觸的情況下磁驅動轉子。適合的實例係顯示於申請人的先前專利US 6,485,531中。
在第一步驟中，藉由液體輸送臂21與噴嘴22將第一沖洗液體輸送至旋轉的基板1。閥件24選擇性地將來自液體供給器20的沖洗液體供給至臂21。臂21與噴嘴22藉由臂馬達23掃描橫跨基板1，確保基板的所有區域皆受到處理。旋離基板1的液體係受到在圓周處圍繞夾頭12的第一液體收集器54收集，然後在該處藉由排洩裝置57移除。來自第一液體收集器54 之內部的氣體(尤其是旋轉液體衝擊液體收集器所產生的霧)係由排出裝置56移除。液體收集裝置的適當實例係顯示於申請人的先前專利EP 1 609 172 B中。
接下來，藉著夾頭舉升馬達18在外殼51內沿著夾頭12的旋轉軸舉升夾頭12至第二位置。接著利用第二液體進行沖洗程序，旋離而落入液體收集器55內的第二液體係由分離的液體排洩裝置及氣體排出裝置移除。
在完成沖洗後，臂馬達23將液體輸送臂21自基板1的表面旋轉至閒置位置中，臂馬達33將氣體輸送臂31旋轉至基板上的位置中。此係更詳細地顯示於圖2B中，在圖2B中液體輸送臂21已旋轉至閒置位置中且氣體輸送臂31已旋轉至基板上方的位置中。
接著根據本發明方法以氣體混合物處理基板1。氣體輸送系統(更詳細地顯示於圖3-5中)藉由控制閥件32及經加熱之供給線將來自氣體供給件30之HF、IPA及氮氣的氣體混合物輸送至噴嘴34。在此實施例中，以臂馬達33調整噴嘴34的水平位置，俾使噴嘴大致上自中央向外掃描橫跨旋轉基板1的表面。馬達及各種閥件的動作係受到控制器40的協調。
在處理期間，風扇52連續供給空氣至室51。為了避免壓力在室51中累積，經由風扇過濾單元進入的空氣係經由排出裝置56在較小程度上經由排放裝置53排出。
圖3至5顯示根據本發明之氣體輸送系統，其可被用來作為圖2中之氣體輸送系統30。在圖3中，異丙醇(IPA)及分子氮被供給至蒸發器102以產生汽化的溶劑。接著汽化的溶劑與HF結合、更利用分子氮(較佳地為經預先加熱的氮)稀釋、接著沿著受到加熱器103加熱之氣體輸送管前進。閥件104與105係用以分別控制流至噴嘴106及排出裝置之HF、IPA、及氮氣之混合物流。噴嘴具有向下的位向以將氣體供給至下方的基板(未顯示)。以此方式，可連續地製備及供給氣體混合物流，並依所需交替地輸送至基板或使其返回排出裝置。此連續流能確保所供給之氣體的一致性且更有助於最小化液滴形成的可能性。
閥件104與105為空氣操作的閥件，因此能避免在噴嘴附近設置移動部件的需求，在噴嘴附近設置移動部件可能會產生可能會污染及/或損傷設備及基板的碎屑。提供分離的氣體線以致動閥件(未顯示)。閥件係鏈結的因此當閥件104開啟時閥件105關閉，且反之亦然。在休息狀態(未有任何空氣供給至閥件)中，閥件105開啟而閥件104關閉，因此能最小化自噴嘴106無意供給氣體的可能性。換言之，預設位置係用以使氣體藉由沖洗線離開。
閥件105係位於噴嘴104之開口的附近大致上介於2-20 cm處，以減少閥件105開啟與自噴嘴106輸送氣體之間的時間延遲並最小化氣體輸送之前佔據噴嘴之氣體造成污染的可能性。
閥件104與105及噴嘴106被提供為圖2A與2B中所示之氣體輸送臂的部分。這使噴嘴106能掃描橫跨使用中的基板表面但不影響閥件相對於彼此的位置及其相對於噴嘴106的位置。
圖4之氣體輸送系統110係與圖3所示者相同，但包含額外的加熱器107與108。加熱器107加熱來自蒸發器的IPA及氮氣流，直到HF被導入混合物的點為止。加熱器108加熱HF，直到其與IPA和氮氣之混合物結合之點為止。
在圖5中，圖4的系統更改造以包含用以輸送HF/IPA/氮氣混合物的雙重限制系統200。在此系統(圖6與7更詳細顯示)中，經由受到加熱器203加熱之全氟烷氧基烷烴聚合物(PFA)氣體輸送管201供給HA/IPA/氮氣混合物。氣體輸送管201與加熱器203被圍繞於外管202內，外管202的開放端係密封至且內連接至氣體混合箱208及噴嘴外殼205。外管202亦容納吹淨氣體管204，吹淨氣體管204係與氣體輸送管201及加熱器203並列(如圖7中所示)且延伸進入噴嘴外殼205中。顯示吹淨氣體管204係經由外管202的側邊進入，但管204也同等地可能(且的確有利地)藉由氣體混合箱208導入。在此情況中，外管202是波浪狀的以維持彈性並促進各種元件的插入。當外殼205及閥件213與214及噴嘴212隨著氣體輸送臂31移動時，管的彈性是有利的。
在使用時，HF、IPA、及氮氣的氣體混合物流下氣體輸送管201。同時，在氮氣吹淨氣體被射至噴嘴外殼205之前，在氮氣吹淨氣體流經管204時同時以加熱器203加熱管204。當氮氣吹淨氣體被射至噴嘴外殼205中時，經加熱之氮氣吹淨氣體在外殼內循環(如圖6中所示)並將熱傳送至噴嘴元件(如噴嘴管、閥件213與214、及噴嘴212)，藉此最小化自噴嘴212所射出之HF/IPA/氮氣混合物中的液滴形成。噴嘴外殼205係受到密封，這意味著接著氮氣吹淨氣體必須經由管202回到氣體混合箱208中(如圖5中的箭頭209所示)，氮氣吹淨氣體自氣體混合箱208被排出裝置210所移除。以此方式，在氣體輸送管201之外表面上方建立回到氣體混合箱208中的氮氣流，以將經由氣體輸送管201之壁及/或噴嘴元件所洩漏的任何HF帶走。在此情況中，系統包含HF感測器206以偵測氣體混合箱208中之HF的位準。以此方式，感測器能偵測經由用以供給氣體混合物之氣體輸送管的HF洩漏及HF供給線的任何洩漏。
雖然未顯示於圖5-7中，但加熱器203亦可延伸至噴嘴外殼205中以提供額外的加熱。
圖8顯示雙重限制系統300的替代性實施例，其中外管302具有在氣體輸送管301附近受到密封的封閉端303。在此實施例中，氮氣吹淨氣體不會進入噴嘴設備而是被封閉端303引導回流外管302。 實例
在具有奈米柱(對應至具有直徑30 nm、節距90 nm、及高度600 nm的圓柱)之基板上進行WO 2019/083735中所揭露的修復處理。發現本發明之處理能修復90%的倒塌結構，造成小於10%的倒塌百分比。
前文中所揭露、或下列請求項中、或附圖中以特定形式、或針對用以進行所述功能的特徵、或用以獲得所述結果的方法或處理，在適當的情況下可分開使用或以任何組合的方式使用，以實現各種形式的本發明。
雖然上面已參考例示性實施例說明本發明，但熟知此項技藝者當明白，在參考本說明書時當能思及許多等效之修改及變化。因此，上列之本發明之例示性實施例應被視為是說明性而非限制性的。在不脫離本發明之精神與範疇的情況下可對上述實施例進行各種變化。
為了避免任何疑慮，文中所提供之任何理論解釋係基於改善讀者之瞭解的目的而提供。本發明不欲受到此些理論解釋中的任何者限制。
文中所用之任何段落的標題僅用以組織性的目的而不應被解讀為限制所述之標的。
在包含下列請求項的本說明書中，除非另外特別要求，否則「包含」及其變化詞如「具有」等應被理解為包含所述之整數或步驟或整數或步驟的群組但不排除任何其他的整數或步驟或整數或步驟的群組。
必須注意，除非明白指出並非如此，否則在說明書及請求項中所用之單數詞「一」、及「該」包含複數。在文中範圍可被表示為「約」一特定數值、及/或至「約」另一特定數值。當表示此類範圍時，另一實施例包含自一特定數值及/或至另一特定數值。類似地，當使用先前詞「約」將數值表示為近似值時，應瞭解，該特定數值形成另一實施例。和數值相關聯的「約」一詞為選擇性的且意味著例如+/-10%。
1:基板 2a、2b、2c、2d:柱 3:下方層 10:設備 12:旋轉夾頭 13:抓取銷 14:表面 15:加熱器 16:夾頭旋轉馬達 17:軸 18:夾頭舉升馬達 20:液體供給器 21:臂 22:噴嘴 23:臂馬達 24:閥件 30:氣體輸送系統 31:氣體輸送臂 32:控制閥件 33:臂馬達 34:噴嘴 51:室/外殼 52:風扇 53:排放裝置 54:第一液體收集器 55:液體收集器 56:排出裝置 57:排洩裝置 102:蒸發器 103:加熱器 104、105:閥件 106:噴嘴 107、108:加熱器 110:氣體輸送系統 200:雙重限制系統 201:氣體輸送管 202:外管 203:加熱器 204:吹淨氣體管 205:噴嘴外殼 206:HF感測器 208:氣體混合箱 210:排出裝置 212:噴嘴 213、214:閥件 300:雙重限制系統 301:氣體輸送管 302:外管 303:封閉端
現將參考附圖說明僅作為例示之本發明實施例，其中：
圖1A-1C顯示具有HAR特徵部之基板的橫剖面圖，其顯示在沖洗步驟之後HAR特徵部之間發展出摩擦及利用接續利用本發明方法修復摩擦；
圖2A與2B顯示根據本發明之用以進行沖洗處理然後接續根據本發明方法分配氣體混合物的處理設備；
圖3顯示圖2A與2B中所用的各種氣體輸送線，包含用以加熱HH/VS/CG混合物供給線的加熱器；
圖4係與圖3相同，但包含用以加熱VS/CG混合物供給線及HH供給線的額外加熱器；
圖5係與圖4相同，但根據上述之「雙重限制」方案經由本身固定在導管內之管供給HH/VS/CG混合物；
圖6為圖5之HH/VS/CG混合物供給線的縱向剖面圖，其更詳細地顯示雙重限制方案；
圖7為圖5之HH/VS/CG混合物供給線的橫剖面圖，其再次更詳細地顯示雙重限制方案；
圖8顯示「雙重限制」方案的替代性實施例。
200:雙重限制系統
201:氣體輸送管
202:外管
203:加熱器
204:吹淨氣體管
205:噴嘴外殼
206:HF感測器
208:氣體混合箱
210:排出裝置

Claims (28)

  1. 一種用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，包含： 一鹵化氫(HH)供給線，係連接至一HH源； 一汽化溶劑(VS)供給線，係連接至一溶劑源；及 一載氣(CG)供給線，係連接至一載氣源； 其中： 該VS供給線及該CG供給線結合以形成一VS/CG混合物供給線； 該VS/CG混合物供給線及該HH供給線結合以形成一HH/VS/CG混合物供給線； 該HH/VS/CG混合物供給線包含用以將該HH/VS/CG混合物分配至一基板上的一分配出口；及 該系統包含一加熱器以加熱使用中的該HH/VS/CG混合物供給線。
  2. 如請求項1之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中該HH/VS/CG混合物供給線為固定於一導管中的一氣體輸送管，且其中該導管包含一吹淨氣體供給線以吹淨透過使用中之該氣體輸送管之壁所洩漏之任何HH，該吹淨氣體供給線建構以允許一吹淨氣體經由該導管流過該氣體輸送管之一外表面上方。
  3. 如請求項2之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中該分配出口包含一外殼，該外殼包容延伸至一噴嘴出口的噴嘴管，其中該噴嘴管與該噴嘴出口係用以將該HH/VS/CG混合物分配至一基板，且其中該導管開通進該外殼以使吹淨氣體能夠進入使用中的該外殼中。
  4. 如請求項2或3之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中該吹淨氣體供給線係以沿著該HH/VS/CG供給線的該加熱器延伸以在該吹淨氣體離開該吹淨氣體供給線之前加熱使用中的該吹淨氣體。
  5. 如請求項1-3中任何一項之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中該分配出口包含分配出口外殼，其包容延伸至噴嘴出口的噴嘴管，且其中用以加熱該HH/VS/CG混合物供給線的該加熱器延伸進入該外殼中。
  6. 如請求項2或3之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中該系統包含一外罩容納該HH供給線之至少一部分及選擇性地容納該VS供給線、該CG供給線、該VS/CG混合物供給線、及該HH/VS/CG混合物供給線中之一或多者的至少一部分，且其中該導管開通進該外罩以使吹淨氣體能夠在流過該氣體輸送管之該外表面上方後進入使用中的該外罩。
  7. 如請求項6之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中該吹淨氣體供給線係自該外罩插入至該導管中。
  8. 如請求項6之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，更包含用以偵測該外罩中之HH的一HH偵測器。
  9. 如請求項2或3之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中該氣體輸送管係由塑膠所製成。
  10. 如請求項2或3之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中用以加熱該HH/VS/CG混合物供給線的該加熱器為固定該導管內的一電加熱器。
  11. 如請求項1-3中任何一項之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中該分配出口包含一氣體混合物控制閥件以控制流至具有一噴嘴孔口之噴嘴出口的該HH/VS/CG混合物的流動，且其中該氣體混合物控制閥件與該噴嘴孔口之間的距離係介於2至20 cm之間。
  12. 如請求項1-3中任何一項之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中該分配出口亦包含被一沖洗線控制閥件所控制的一沖洗線。
  13. 如請求項12之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中該分配出口包含該氣體混合物控制閥件及被沖洗線控制閥件所控制的該沖洗線。
  14. 如請求項1-3中任何一項之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，更包含一或多個加熱器以加熱使用中之該HH供給線及/或該 VS/CG混合物供給線。
  15. 如請求項1之用以將氣體混合物分配至基板上的氣體輸送系統，其中： 該HH/VS/CG混合物供給線包含用以將該HH/VS/CG混合物分配至該基板上的該分配出口，該分配出口包含一外殼，該外殼包容延伸至一噴嘴出口的噴嘴管； 該HH供給線的至少一部分係容納於一外罩內；及 該HH/VS/CG混合物供給線為固定於一導管內的一氣體輸送管，其中該導管係連接至一吹淨氣體供給線以吹淨經由使用中之該氣體輸送管之壁所洩漏之任何HH，該吹淨氣體供給線係用以使吹淨氣體經由該導管流過該氣體輸送管之外表面上方， 其中該導管開通進該外罩及該分配出口之該外殼。
  16. 一種以鹵化氫、汽化的溶劑、及載氣之混合物處理基板的處理設備，包含： 一處理室； 該處理室中的一基板支撐件，係用以支撐一基板； 用以旋轉該基板支撐件的一裝置；及 如請求項1至14中任一項之氣體輸送系統，適合用以將鹵化氫、汽化的溶劑、及載氣之混合物分配至被支撐於該基板支撐件上的基板上。
  17. 如申請項16之以鹵化氫、汽化的溶劑、及載氣之混合物處理基板的處理設備，更包含適合用以將一液體分配至被支撐於該基板支撐件上的基板上的一液體輸送系統。
  18. 一種基板處理方法，包含： 使一汽化的溶劑與鹵化氫結合以形成一氣體混合物； 使該氣體混合物流經一氣體混合物供給線；及 將該氣體混合物分配至一基板的一表面； 其中該氣體混合物供給線受到加熱以限制該氣體混合物在運送期間凝結。
  19. 如申請項18之基板處理方法，其中該氣體混合物供給線包含一氣體輸送管及具有一外殼的一分配出口，該外殼包容延伸至一噴嘴出口的噴嘴管； 其中該氣體輸送管係固定於一導管內，該導管係連接至該分配出口的該外殼且開通進該外殼，該導管包含一吹淨氣體供給線； 該方法涉及使一經加熱的吹淨氣體自該吹淨氣體供給線流至該分配出口的該外殼中以加熱該分配出口，然後使該經加熱之吹淨氣體經由該導管流回該氣體輸送管之外表面上方以吹淨經由該氣體輸送管之壁洩漏的任何該鹵化氫。
  20. 如申請項19之基板處理方法，其中該導管在一端係連接至該分配出口之該外殼並在另一端連接至一外罩，其中該吹淨氣體供給線的出口開通進該分配出口之該外殼或靠近該外殼，且吹淨氣體後續係自該外罩排出。
  21. 如申請項19或20之基板處理方法，其中該氣體輸送管與該吹淨氣體供給線並列延伸，且一相同之加熱器係用以加熱該氣體輸送管與該吹淨氣體供給線兩者。
  22. 如申請項18-20中任一項之基板處理方法，其中該氣體混合物供給線被加熱至至少40°C。
  23. 如申請項18-20中任一項之基板處理方法，其中： (i) 該汽化的溶劑為醇類；及/或 (ii) 該鹵化氫為氟化氫；及/或 (iii) 該氣體混合物包含一載氣。
  24. 如申請項18-20中任一項之基板處理方法，其中該基板為具有一或多個表面結構的一圖案化基板，該等表面結構： - 具有至少5：1的一高寬比；及/或 - 具有50 nm或更小的一寬度；及/或 - 係以一陣列形式設置，其中該等結構之間的一節距係小於該等結構之該寬度的400%。
  25. 如申請項18-20中任一項之基板處理方法，其中該方法係用以去黏附已黏附至該基板之一鄰部的一或多個表面結構。
  26. 如申請項18-20中任一項之基板處理方法，其中該方法係用以乾燥一圖案化基板。
  27. 如申請項18-20中任一項之基板處理方法，其中該方法係利用如申請項1-15中任一項之該氣體輸送系統加以執行。
  28. 一種可加熱之氣體分配器，其包含延伸至一分配出口的一氣體輸送管，該分配出口包含一外殼，該外殼包含延伸至一噴嘴出口的一噴嘴管， 其中該氣體輸送管係固定於開通進該外殼的一導管內，該導管更包容： 一加熱器，用以加熱該氣體輸送管；及 一吹淨氣體供給線，係用以允許一吹淨氣體經由該導管流過使用中之該氣體輸送管之一外表面上方。
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