TW202036249A - 發光二極體電路與觸碰偵測方法 - Google Patents
發光二極體電路與觸碰偵測方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202036249A TW202036249A TW108111207A TW108111207A TW202036249A TW 202036249 A TW202036249 A TW 202036249A TW 108111207 A TW108111207 A TW 108111207A TW 108111207 A TW108111207 A TW 108111207A TW 202036249 A TW202036249 A TW 202036249A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- less
- driving
- emitting diodes
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 91
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 102100036285 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Human genes 0.000 description 4
- 101000875403 Homo sapiens 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Proteins 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
- G06F3/0421—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means by interrupting or reflecting a light beam, e.g. optical touch-screen
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/029—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
- G09G2320/0295—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel by monitoring each display pixel
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2354/00—Aspects of interface with display user
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
- G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
- G09G2360/144—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
本發明提出一種發光二極體電路與觸碰偵測方法,所述觸碰偵測方法用於發光二極體陣列,發光二極體陣列具有多個發光二極體,所述觸碰偵測方法包含下列步驟。首先,提供驅動信號,驅動信號用以設定至少一個發光二極體為驅動狀態或偵測狀態。當發光二極體為偵測狀態時,由發光二極體接收環境光線。接著,判斷環境光線的強度是否小於第一門檻值。當環境光線的強度小於第一門檻值時,標示發光二極體對應的位置為觸碰位置。
Description
本發明係關於一種觸碰偵測的電路與方法,特別是關於一種使用發光二極體進行觸碰偵測的發光二極體電路與觸碰偵測方法。
隨著半導體技術的發展,發光二極體(LED)的尺寸已經可以達到微米等級,可以用來顯示更精細的畫面。因此,市面上有許多廠商開始製造各種尺寸的LED顯示器,並將LED顯示器使用於不同的電子產品中。舉例來說,穿戴式裝置或行動電話的螢幕可以使用小尺寸的LED顯示器。為了方便使用者使用手勢操作,廠商往往需要在螢幕上另外設計觸碰偵測的模組,例如螢幕可以整合傳統的電容式、電阻式、超音波或紅外線等觸碰偵測的模組。但是,上述各種觸碰偵測的方式皆須使用外加的感測元件進行物體或手指的偵測。
然而,外加的感測元件可能對LED顯示器產生負面的影響,例如影響出光率或增加整體厚度。另外,多數時候因為成本的考量,觸碰偵測的偵測點數量也會受到限制,不利於提升觸控的精準度。因此,業界需要一種新的發光二極體電路與觸碰偵測方法,以解決上述問題。
本發明提供一種發光二極體電路,可以利用發光二極體本身的元件特性進行觸碰偵測。從而,不需要其他的感測元件,不僅可以減少製造成本,也可以減少顯示器整體的體積。
本發明提出一種發光二極體電路,所述發光二極體電路具有發光二極體陣列、驅動模組、偵測模組以及處理模組。發光二極體陣列具有多個發光二極體。驅動模組耦接發光二極體陣列,受控於第一控制信號以提供第一電流路徑,所述多個發光二極體至少其中之一於第一電流路徑為驅動狀態。偵測模組耦接發光二極體陣列,受控於第二控制信號以提供第二電流路徑,所述多個發光二極體至少其中之一於第二電流路徑為偵測狀態。處理模組分別耦接驅動模組與偵測模組,用以選擇性地提供第一控制信號或第二控制信號。其中當所述多個發光二極體至少其中之一為偵測狀態時,偵測模組判斷環境光線的強度是否小於第一門檻值,當環境光線的強度小於第一門檻值時,標示所述多個發光二極體至少其中之一對應的位置為觸碰位置。
於一些實施例中,第一控制信號可以對應驅動信號的第一準位,第二控制信號可以對應驅動信號的第二準位。此外,所述多個發光二極體至少其中之一於驅動狀態可以為順向偏壓,於偵測狀態可以為逆向偏壓。另外,偵測模組更可以取得所述多個發光二極體至少其中之一依據環境光線所產生的光感應電流,並判斷光感應電流是否小於第二門檻值。當光感應電流小於第二門檻值時,偵測模組判斷環境光線的強度小於第一門檻值。
本發明提供一種觸碰偵測方法,可以利用發光二極體本身的元件特性進行觸碰偵測。從而,不需要其他的感測元件,不僅可以減少製造成本,也可以減少顯示器整體的體積。
本發明提出一種觸碰偵測方法,用於發光二極體陣列,發光二極體陣列具有多個發光二極體,所述觸碰偵測方法包含下列步驟。首先,提供驅動信號,驅動信號用以設定至少一個發光二極體為驅動狀態或偵測狀態。當發光二極體為偵測狀態時,由發光二極體接收環境光線。接著,判斷環境光線的強度是否小於第一門檻值。當環境光線的強度小於第一門檻值時,標示發光二極體對應的位置為觸碰位置。
於一些實施例中,於判斷環境光線的強度是否小於第一門檻值的步驟中,更可以包含以下步驟。首先,取得光感應電流,光感應電流係由發光二極體依據環境光線所產生。接著,判斷光感應電流是否小於第二門檻值。當光感應電流小於第二門檻值時,環境光線的強度小於第一門檻值。另外,當發光二極體為驅動狀態時,由發光二極體可以產生射出光線,其中環境光線的頻譜與射出光線的頻譜可以不相同。
綜上所述,本發明提供了發光二極體電路和觸碰偵測方法,可以應用於發光二極體陣列。在此,藉由發光二極體陣列中的多個發光二極體偵測環境光線,當環境光線變化時,可以判斷正在進行觸碰。從而,不需要其他的感測元件,不僅可以減少製造成本,也可以減少顯示器整體的體積。
下文將進一步揭露本發明之特徵、目的及功能。然而,以下所述者,僅為本發明之實施例,當不能以之限制本發明之範圍,即但凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化及修飾,仍將不失為本發明之要意所在,亦不脫離本發明之精神和範圍,故應將視為本發明的進一步實施態樣。
請參閱圖1,圖1係繪示依據本發明一實施例之發光二極體電路的功能方塊圖。如圖1所示,發光二極體電路1具有發光二極體陣列10、驅動模組12、偵測模組14以及處理模組16。發光二極體陣列10分別耦接驅動模組12與偵測模組14,且處理模組16同樣分別耦接驅動模組12與偵測模組14。實務上,發光二極體電路1可以整合於電子產品之中,例如發光二極體陣列10可以做為電子產品的顯示螢幕,所述電子產品例如可以是穿戴式裝置或行動電話。
發光二極體陣列10係由多個發光二極體100組成的陣列,本實施不限制發光二極體陣列10的尺寸,只要能夠符合電子產品的螢幕尺寸,即屬於本實施例發光二極體陣列10的範疇。在此,於發光二極體陣列10中,同一行的發光二極體100可以互相耦接,同一列的發光二極體100也可以互相耦接,本實施不加以限制。此外,本實施不限制多個發光二極體100所使用的材料,例如相鄰的發光二極體100可以使用不同的材料以對應發出不同顏色的光線。換句話說,多個發光二極體100可以包含數量不限的紅光發光二極體、綠光發光二極體、藍光發光二極體或白光發光二極體等。舉例來說,可以使用砷化鎵磷化物(GaAsP)、銦氮化鎵(InGaN)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、磷化銦鎵鋁(AlGaInP)或鋁磷化鎵(AlGaP)等材料,於一些例子中,發光二極體100也可以是一種有機發光二極體(OLED)。
驅動模組12受控於第一控制信號(未標示於圖1)以提供第一電流路徑,所述多個發光二極體100至少其中之一於第一電流路徑為驅動狀態。實務上,驅動模組12可以依據第一控制信號而導通或啟動,從而提供發光二極體100第一電流路徑。於第一電流路徑中,發光二極體100的正端電壓會高於負端的電壓,處於順向偏壓,而此時可定義發光二極體100為驅動狀態。於一個例子中,發光二極體100可以在所述驅動狀態發出光線(射出光線),驅動模組12也可以調整發光二極體100發出的光線強弱。當然,於所屬技術領域具有通常知識者應該可以明白,每個發光二極體100發出的光線強弱可以關聯於要顯示的畫面,本實施例在此不加以限制。
偵測模組14受控於第二控制信號(未標示於圖1)以提供第二電流路徑,所述多個發光二極體100至少其中之一於第二電流路徑為偵測狀態。實務上,偵測模組14可以依據第二控制信號而導通或啟動,從而提供發光二極體100第二電流路徑。於第二電流路徑中,發光二極體100的正端電壓會小於或等於負端的電壓,處於逆向偏壓,而此時可定義發光二極體100為偵測狀態。於一個例子中,發光二極體100可以在所述偵測狀態接收環境光線,從而偵測模組14可以依據環境光線的強弱判斷是否受到觸碰。在此,環境光線與發光二極體100發出的光線應該有所區別,環境光線是從發光二極體電路1外部進入的光線,例如燈光、陽光或其他電子設備產生的光線等。於一個例子中,可以定義環境光線的頻譜與發光二極體100發出的光線的頻譜不相同。
處理模組16用以提供第一控制信號或第二控制信號。實務上,處理模組16不會同時提供第一控制信號與第二控制信號。於一個例子中,第一控制信號對應驅動信號的第一準位(例如高準位),第二控制信號對應驅動信號的第二準位(例如低準位)。由於第一控制信號會讓發光二極體100操作於驅動狀態,亦即發光二極體100的驅動狀態對應驅動信號的第一準位。同樣的,由於第二控制信號會讓發光二極體100操作於偵測狀態,亦即發光二極體100的偵測狀態對應驅動信號的第二準位。以實際操作的例子來說,驅動信號在高準位時,可以看成發光二極體陣列10正在驅動狀態以顯示畫面,而驅動信號在低準位時,可以看成發光二極體陣列10正在偵測狀態並且不顯示畫面。
值得一提的是,本實施例不限制第一控制信號與第二控制信號分別對應是驅動信號的高、低準位,第一控制信號與第二控制信號也可以是兩個獨立的信號,只要第一控制信號與第二控制信號不同時由處理模組16產生,即屬本實施例之範疇。舉例來說,第二控制信號可以是顯示器常見的間隔信號(blank signal),從而在一個偵測時段中,發光二極體陣列10中的部分發光二極體100可以同時被設定為偵測狀態。另外,本實施例在此不限制發光二極體100操作於驅動狀態與偵測狀態的時間,於一個例子中,發光二極體100操作於偵測狀態的時間,可以與驅動信號的占空比(duty cycle)有關係,當驅動信號的占空比越大,則發光二極體100操作於偵測狀態的時間越短。另外,也可以於一偵測時段中,該發光二極體陣列中的該些發光二極體同時被設定為該偵測狀態
為了讓所屬技術領域具有通常知識者更容易了解本發明,請一併參考圖1與圖2,圖2係繪示依據本發明一實施例之發光二極體電路的電路示意圖。如圖所示,在此本實施例以控制發光二極體陣列10中的其中一個發光二極體100為示範,但所屬技術領域具有通常知識者可以明白,實際上可以控制一個或一個以上的發光二極體100。
在圖2的例子中,驅動模組12可以包含開關M1與驅動單元120。開關M1的一端耦接系統高電壓VDD1,開關M1的另一端耦接發光二極體100的正端,而驅動單元120耦接發光二極體100的負端。開關M1可以具有一個控制端,所述控制端可以耦接到處理模組16,並受到第一控制信號S1控制。以實際操作上來說,由於處理模組16不會同時給出第一控制信號S1與第二控制信號S2,因此當開關M1受到第一控制信號S1控制而導通時,發光二極體100的正端會電性連接至系統高電壓VDD1,發光二極體100的負端會電性連接至驅動單元120。在此,驅動單元120可以是一個可控制的電流源,可以依據不同的顯示畫面,調整流經發光二極體100的電流大小,從而達到調整發光二極體100亮度的目的。於一個例子中,第一電流路徑可以是由系統高電壓VDD1開始,經過開關M1、發光二極體100,到達驅動單元120的電流路徑。由於發光二極體100的正端電壓大於發光二極體100的負端電壓,因此發光二極體100會處於順向偏壓而操作於驅動狀態。
另一方面,偵測模組14可以包含開關M2、開關M3、電阻R、放大器140與偵測單元142。開關M2的一端耦接系統高電壓VDD2,開關M2的另一端耦接發光二極體100的負端。開關M3的一端耦接發光二極體100的正端,開關M3的另一端串連電阻R並電性連接至系統低電壓VSS。開關M2與開關M3可以各具有一個控制端耦接到處理模組16,並受到第二控制信號S2控制。放大器140用以擷取電阻R兩端的電壓差,並將所述電壓差傳送至偵測單元142。以實際操作上來說,當開關M2與開關M3受到第二控制信號S2控制而導通時,發光二極體100的負端會電性連接至系統高電壓VDD2,發光二極體100的正端會電性連接至系統低電壓VSS。於一個例子中,第二電流路徑可以是由系統高電壓VDD2開始,經過開關M2、發光二極體100、開關M3、電阻R,到達系統低電壓VSS的電流路徑。由於發光二極體100的正端電壓小於或等於發光二極體100的負端電壓,因此發光二極體100會處於逆向偏壓而操作於偵測狀態。
實務上,發光二極體100在偵測狀態不發出光線,但可以基於光伏(photovoltaic)效應,受到環境光線的刺激而產生微弱的光感應電流,即光感應電流會存在於第二電流路徑中,由系統高電壓VDD2流向系統低電壓VSS。於一個例子中,於電阻R兩端擷取的電壓差,即為光感應電流與電阻R的乘積,從而由電阻R兩端的電壓差即可以判斷光感應電流的大小。由於光感應電流的數量級較小,電阻R兩端的電壓差當然也會較小。在此,本實施例以放大器140放大所述電壓差,並將放大後的電壓差饋入偵測單元142,以利偵測單元142進行後續判讀。本實施例並不限制要使用放大器140,如果偵測單元142足夠靈敏,也可以由偵測單元142直接判讀電阻R兩端的電壓差,而不一定需要先將所述電壓差放大。
以下用發光二極體電路1裝設在行動電話為例,發光二極體陣列10可以當成行動電話的螢幕。當使用者用手指或用觸控筆在行動電話的螢幕(發光二極體陣列10)上滑動或按壓時,對發光二極體陣列10中的多個發光二極體100來說,部分的發光二極體100可能不位於手指或觸控筆的觸碰位置。由於這些不位觸碰位置的發光二極體100沒有受到遮蔽,可以不受到影響地接收環境光線。反之,另一部分的發光二極體100可能恰好位於手指或觸控筆的觸碰位置周圍,由於手指或觸控筆覆蓋或遮蔽了觸碰位置周圍的發光二極體100,從而這些發光二極體100不容易接收到環境光線,使得這些發光二極體100接收到的環境光線會顯著減少。此時,由於位於手指或觸控筆的觸碰位置周圍的發光二極體100沒有受到足夠的環境光線刺激,產生的光感應電流也同樣會顯著減少。
由於電阻R的電阻值已知,偵測單元142可以藉由偵測電阻R兩端的電壓差,計算出對應發光二極體100的光感應電流值。從而,偵測單元142可以判斷光感應電流是否小於第二門檻值。當偵測單元142判斷光感應電流小於第二門檻值,則可以知道在對應位置上的發光二極體100受到手指或觸控筆遮蔽,便可以發光二極體100對應的位置標示為手指或觸控筆的觸碰位置。反之,當偵測單元142判斷光感應電流沒有小於第二門檻值,則可以知道在對應位置上的發光二極體100沒有受到遮蔽,則發光二極體100對應的位置便不是手指或觸控筆的觸碰位置。另一方面,由於光感應電流和環境光線的強度有對應的關係,當偵測單元142判斷光感應電流小於第二門檻值,也可以換算出環境光線的強度小於一個亮度門檻值(第一門檻值)。
實務上,偵測單元142也可以不止判斷光感應電流是否小於第二門檻值,例如偵測單元142可以判斷光感應電流是否小於第三門檻值,第三門檻值大於第二門檻值。藉此,偵測單元142可以取得更多關於觸碰的資訊。舉例來說,一個被手指或觸控筆直接覆蓋的發光二極體100,幾乎不會產生光感應電流,此時偵測單元142幾乎可以確定所述發光二極體100的位置即為觸碰位置。但是,如果手指或觸控筆只是懸空地位於一個發光二極體100上方或周圍,使得所述發光二極體100位於手指或觸控筆的陰影中,偵測單元142不一定會認為所述發光二極體100的位置即為觸碰位置。原因在於,位於手指或觸控筆的陰影中的發光二極體100還是會接收到環境光線,從而產生光感應電流。只是相比於完全未被遮蔽其他發光二極體100,所述發光二極體100收到的環境光線較弱,產生的光感應電流可能較小。
換句話說,藉由適當設定第二門檻值與第三門檻值,可以分辨出哪一個發光二極體100被手指或觸控筆直接覆蓋,而哪一個發光二極體100位於手指或觸控筆的陰影中。藉此,可以減少誤判觸碰點的情況。另外,偵測模組14可以連接到發光二極體100的數量,不一定等於發光二極體陣列10中所有發光二極體100的數量。由於電子產品需要越來越高的螢幕解析度,發光二極體之間的間隔往往遠小於手指或觸控筆的接觸面積。因此,於一個例子中,發光二極體陣列10也可以被劃分為多個觸碰偵測區域,在每個觸碰偵測區域中選擇少量的發光二極體100連接到偵測模組14即可。當然,偵測模組14也可以連接發光二極體陣列10中所有發光二極體100,本實施例並不加以排除。
為了說明本發明的觸碰偵測方法,請一併參閱圖1、圖2與圖3,圖3係繪示依據本發明一實施例之觸碰偵測方法的步驟流程圖。如圖所示,在步驟S30中,處理模組16可以提供驅動信號,分別對應第一控制信號S1與第二控制信號S2,用以設定至少一個發光二極體100為驅動狀態或偵測狀態。在步驟S32中,當所述發光二極體100為偵測狀態時,由所述發光二極體100接收環境光線。在步驟S34中,偵測模組14可以判斷所述發光二極體100接收到的環境光線的強度是否小於第一門檻值。在步驟S36中,當偵測模組14判斷環境光線的強度小於第一門檻值時,標示所述發光二極體100對應的位置為觸碰位置。本實施例係方便讀者對應與閱讀,詳細內容已於前一實施例描述,在此不予贅述。
綜上所述,本發明提供了發光二極體電路和觸碰偵測方法,可以應用於發光二極體陣列。經由發光二極體陣列中的多個發光二極體接收環境光線,使得偵測模組可以藉由環境光線的變化,判斷特定位置的發光二極體是否受到觸碰。從而,不需要其他的感測元件,不僅可以減少製造成本,也可以減少顯示器整體的體積。
1:發光二極體電路
10:發光二極體陣列
100:發光二極體
12:驅動模組
120:驅動單元
14:偵測模組
140:放大器
142:偵測單元
16:處理模組
R:電阻
S1:第一控制信號
S2:第二控制信號
M1、M2、M3:開關
VDD1:系統高電壓
VDD2:系統高電壓
VSS:系統低電壓
S30~S36:步驟流程
圖1係繪示依據本發明一實施例之發光二極體電路的功能方塊圖。
圖2係繪示依據本發明一實施例之發光二極體電路的電路示意圖。
圖3係繪示依據本發明一實施例之觸碰偵測方法的步驟流程圖。
無
S30~S36:步驟流程
Claims (11)
- 一種觸碰偵測方法,用於一發光二極體陣列,該發光二極體陣列具有多個發光二極體,所述觸碰偵測方法包含: 提供一驅動信號,該驅動信號用以設定至少一該發光二極體為一驅動狀態或一偵測狀態; 當至少一該發光二極體為該偵測狀態時,由至少一該發光二極體接收一環境光線; 判斷該環境光線的強度是否小於一第一門檻值;以及 當該環境光線的強度小於該第一門檻值時,標示至少一該發光二極體對應的位置為一觸碰位置。
- 如請求項1所述之觸碰偵測方法,其中該驅動狀態對應該驅動信號的一第一準位,該偵測狀態對應該驅動信號的一第二準位。
- 如請求項1所述之觸碰偵測方法,其中於判斷該環境光線的強度是否小於該第一門檻值的步驟中,更包含: 取得一光感應電流,該光感應電流係由至少一該發光二極體依據該環境光線所產生;以及 判斷該光感應電流是否小於一第二門檻值; 其中當該光感應電流小於該第二門檻值時,該環境光線的強度小於該第一門檻值。
- 如請求項1所述之觸碰偵測方法,更包含 : 當至少一該發光二極體為該驅動狀態時,由至少一該發光二極體產生一射出光線。
- 如請求項4所述之觸碰偵測方法,其中該環境光線的頻譜與該射出光線的頻譜不相同。
- 如請求項4所述之觸碰偵測方法,更包含 : 於一偵測時段中,該發光二極體陣列中的該些發光二極體同時被設定為該偵測狀態。
- 一種發光二極體電路,包含: 一發光二極體陣列,具有多個發光二極體; 一驅動模組,耦接該發光二極體陣列,受控於一第一控制信號以提供一第一電流路徑,該些發光二極體至少其中之一於該第一電流路徑為一驅動狀態; 一偵測模組,耦接該發光二極體陣列,受控於一第二控制信號以提供一第二電流路徑,該些發光二極體至少其中之一於該第二電流路徑為一偵測狀態;以及 一處理模組,分別耦接該驅動模組與該偵測模組,用以選擇性地提供該第一控制信號或該第二控制信號; 其中當該些發光二極體至少其中之一為該偵測狀態時,該偵測模組判斷一環境光線的強度是否小於一第一門檻值,當該環境光線的強度小於該第一門檻值時,標示該些發光二極體至少其中之一對應的位置為一觸碰位置。
- 如請求項7所述之發光二極體電路,其中該第一控制信號對應一驅動信號的一第一準位,該第二控制信號對應該驅動信號的一第二準位。
- 如請求項7所述之發光二極體電路,其中該些發光二極體至少其中之一於該驅動狀態為順向偏壓,於該偵測狀態為逆向偏壓。
- 如請求項7所述之發光二極體電路,其中該偵測模組更取得該些發光二極體至少其中之一依據該環境光線所產生的一光感應電流,並判斷該光感應電流是否小於一第二門檻值。
- 如請求項10所述之發光二極體電路,其中當該光感應電流小於該第二門檻值時,該偵測模組判斷該環境光線的強度小於該第一門檻值。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW108111207A TW202036249A (zh) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 發光二極體電路與觸碰偵測方法 |
US16/593,979 US10860141B2 (en) | 2019-03-29 | 2019-10-05 | LED circuit and touch sensing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW108111207A TW202036249A (zh) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 發光二極體電路與觸碰偵測方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202036249A true TW202036249A (zh) | 2020-10-01 |
Family
ID=72607600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108111207A TW202036249A (zh) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 發光二極體電路與觸碰偵測方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10860141B2 (zh) |
TW (1) | TW202036249A (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10782276B2 (en) | 2018-06-14 | 2020-09-22 | Manufacturing Resources International, Inc. | System and method for detecting gas recirculation or airway occlusion |
US11526044B2 (en) | 2020-03-27 | 2022-12-13 | Manufacturing Resources International, Inc. | Display unit with orientation based operation |
EP4309347A1 (en) | 2021-03-15 | 2024-01-24 | Manufacturing Resources International, Inc. | Fan control for electronic display assemblies |
US12105370B2 (en) | 2021-03-15 | 2024-10-01 | Manufacturing Resources International, Inc. | Fan control for electronic display assemblies |
US12027132B1 (en) | 2023-06-27 | 2024-07-02 | Manufacturing Resources International, Inc. | Display units with automated power governing |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7348946B2 (en) * | 2001-12-31 | 2008-03-25 | Intel Corporation | Energy sensing light emitting diode display |
US9183779B2 (en) * | 2012-02-23 | 2015-11-10 | Broadcom Corporation | AMOLED light sensing |
US9741286B2 (en) * | 2014-06-03 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Interactive display panel with emitting and sensing diodes |
US9570002B2 (en) * | 2014-06-17 | 2017-02-14 | Apple Inc. | Interactive display panel with IR diodes |
-
2019
- 2019-03-29 TW TW108111207A patent/TW202036249A/zh unknown
- 2019-10-05 US US16/593,979 patent/US10860141B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10860141B2 (en) | 2020-12-08 |
US20200310567A1 (en) | 2020-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW202036249A (zh) | 發光二極體電路與觸碰偵測方法 | |
US10909916B2 (en) | OLED array substrate, OLED display panel, pixel circuit, driving method and method for fingerprint recognition using OLED display panel | |
CN107122759B (zh) | 一种指纹识别器件、方法和显示装置 | |
CN106959757B (zh) | 一种显示面板及显示设备 | |
CA2749607C (en) | Touch-sensitive display | |
KR101015883B1 (ko) | 터치 스크린 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법 | |
CN107526474B (zh) | 集成指纹识别功能的压力感应模组、驱动方法和显示装置 | |
JP5619521B2 (ja) | タッチセンサ | |
TW201403034A (zh) | 光感應式感測裝置 | |
US20100097352A1 (en) | Touch screen display and method of driving the same | |
US10622493B2 (en) | Light detecting device, light detecting method and display device | |
TWI665462B (zh) | 距離感測器及距離感測模組 | |
US11315990B2 (en) | AMOLED display panel having image scanning function | |
WO2018107682A1 (zh) | 一种光源亮度控制系统、光源系统及投影设备 | |
TWI751579B (zh) | 影像掃描裝置及影像掃描方法 | |
CN109814751B (zh) | 触控显示设备及获得触摸信号的方法 | |
TW201427418A (zh) | 感測裝置以及感測方法 | |
TWI779735B (zh) | 可調靈敏度之觸控裝置及其控制方法 | |
CN111833781A (zh) | 发光二极管电路与触碰侦测方法 | |
US20140118303A1 (en) | Light emitting diode blackboard | |
US11991464B2 (en) | Light detection element | |
JP6246011B2 (ja) | 位置検出装置及びタッチパネル装置 | |
KR101333216B1 (ko) | 컬러 영상 디스플레이, 터치 제어 시스템 및 터치 검출 제어방법 | |
KR20100049395A (ko) | 터치 인식 방법 및 장치 |