TW202036021A - 在磁共振成像期間用以將患者接地的系統和方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種磁共振成像(MRI)系統，其包括：一磁系統，其具有經組態以產生磁場以用於執行磁共振成像之複數個磁組件；電磁屏蔽物，其經提供以使該MRI系統之一操作環境中之至少某些電磁雜訊衰減；及一電導體，其耦合至該電磁屏蔽物且經組態以在藉由該MRI系統使一患者成像期間電耦合至該患者。該磁系統可包含經組態以產生用於該MRI系統之一成像區域之一B0 磁場之至少一個永久B0 磁體。B0 磁場強度可小於或等於大致0.2 T。

Description

在磁共振成像期間用以將患者接地的系統和方法
本發明係關於磁共振成像(MRI)，且更特定而言係關於一MRI系統及操作該MRI系統之一方法。
磁共振成像(MRI)為眾多應用提供一重要成像模態且在臨床與研究情景中被廣泛地利用以產生人體之內側之影像。MRI基於偵測磁共振(MR)信號，該等磁共振信號係由原子回應於因所施加電磁場產生之狀態改變而發射之電磁波。舉例而言，核磁共振(NMR)技術涉及偵測在重新對準或放鬆經成像之一物件中之原子(例如，人體之組織中之原子)之核自旋之後自經激發原子之核發射之MR信號。所偵測到之MR信號可經處理以產生影像，此在醫學應用之內容脈絡中允許調查身體內之內部結構及/或生物程序以用於診斷、治療及/或研究目的。
MRI由於在不具有其他模態之安全問題(例如，不需要將對象曝露於離子化輻射，例如，x射線，或將放射性材料引入至身體)之情況下產生具有相對高解析度及反差度之非侵入式影像之能力而提供對於生物成像具吸引力之一成像模態。另外，MRI尤其很好地適於提供軟組織反差度，此可用以使其他成像模態不能夠滿意地成像之標的物成像。此外，MR技術能夠擷取其他模態不能夠獲取之關於結構及/或生物程序之資訊。然而，MRI存在若干個缺點，對於一給定成像應用，該等缺點可涉及設備之相對高成本、獲得臨床MRI掃描器之使用權之有限可用性及/或困難及/或影像獲取程序之長度。
臨床MRI之趨勢一直係增加MRI掃描器之場強度以改良掃描時間、影像解析度及影像反差度中之一或多者，此又繼續抬高成本。絕大多數經裝設MRI掃描器以1.5或3特士拉(T)(其係指主磁場B0 之場強度)操作。一臨床MRI掃描器之一粗略成本估計係大致一百萬美元/特士拉，此未將操作此等MRI掃描器中所涉及之實質性操作、維修及維護成本納入。
另外，習用高場MRI系統通常需要大超導磁體及相關聯電子裝置來產生在其中使一物件(例如，一患者)成像之一強大均勻靜態磁場(B0 )。此等系統之大小係相當大的，其具有包含用於磁體、電子裝置、熱管理系統及控制台區之多個房間之一典型MRI裝設。MRI系統之大小及花費一般將其使用限於諸如醫院及學術研究中心(其具有充分空間及資源來購置且維護MRI系統)之設施。高場MRI系統之高成本及實質性空間要求導致MRI掃描器之有限可用性。
本文中所闡述之技術之某些態樣係關於一MRI系統，該MRI系統可包括：一磁系統，其具有經組態以產生磁場以用於執行磁共振成像之複數個磁組件；電磁屏蔽物，其經提供以使該MRI系統之一操作環境中之至少某些電磁雜訊衰減；及一電導體，其電耦合至該電磁屏蔽物且經組態以在藉由該MRI系統使一患者成像期間電耦合至該患者。
在某些實施例中，該磁系統可包括：至少一個永久B0 磁體，其經組態以產生用於該MRI系統之一成像區域之一B0 磁場；複數個梯度線圈，其經組態以在操作時產生磁場以提供所發射磁共振信號之空間編碼；及至少一個射頻線圈，其經組態以在操作時將射頻信號傳輸至該MRI之一視域且接收自該視域發射之磁共振信號。
在某些實施例中，該電磁屏蔽物之一第一部分可定位於該複數個梯度線圈與該MRI系統之一成像區域之間。在某些實施例中，該電磁屏蔽物之該第一部分可包括一頻率選擇網。在某些實施例中，該頻率選擇網可經組態以使具有介於1 KHz與10 KHz之間的一頻率之實質上所有電磁信號通過且使具有在或高於2.76 MHz之一頻率之實質上所有電磁信號往回反射。在某些實施例中，該頻率選擇網可包括具有介於50與150條線/英吋之間的一密度之一銅網。
在某些實施例中，該電磁屏蔽物可透過該MRI系統之一電力連接而接地。
在某些實施例中，該電導體可包括一導電薄片。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括用於在成像期間支撐該患者之一表面，其中該導電薄片之至少一部分安置於該表面上。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括安置於該導電薄片之至少一部分上之一電絕緣層。
在某些實施例中，該電導體可包括一導電墊。在某些實施例中，該電磁屏蔽物可包括定位於該複數個梯度線圈與該導電墊之間的一第一部分，其中該導電墊電耦合至該第一部分。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括位於該電磁屏蔽物與該導電墊之間的一絕緣層。在某些實施例中，該導電墊可包括安置於一或多個絕緣層內之一導電層。在某些實施例中，該導電墊之一外表面可包括一導電層。
在某些實施例中，該電導體可包括耦合至經組態以附接至一患者之一第一電連接器之一第一導線。在某些實施例中，該第一電連接器可包括一夾子。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括耦合至經組態以附接至該患者之一第二電連接器之一第二導線。在某些實施例中，該電導體可進一步包括經組態以可移除地附接至一互補插座之一第二電連接器。在某些實施例中，該第二電連接器可包括一香蕉插頭。
在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括電耦合於該電磁屏蔽物與該電導體之間的一突波保護電路。在某些實施例中，該突波保護電路可包括具有高於60 Hz之一截止頻率之一高通濾波器。在某些實施例中，該高通濾波器可包括一並聯電阻器-電容器(RC)電路及至少一個備用電容器。在某些實施例中，該RC電路具有在60 Hz下大於1 MΩ之一阻抗量值及在2.76 MHz下小於100 Ω之一阻抗量值。在某些實施例中，該突波保護電路可封圍於一殼體內。在某些實施例中，該殼體可電耦合至該電磁屏蔽物。
在某些實施例中，該B0 磁場可具有小於或等於大致0.2 T之一場強度。在某些實施例中，該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T且大於或等於大致0.1 T之一場強度。在某些實施例中，該B0 磁場可具有小於或等於大致0.1 T且大於或等於大致50 mT之一場強度。在某些實施例中，該至少一個B0 磁體可促成用於該MRI系統之該B0 磁場，該B0 磁場具有小於或等於大致50 mT且大於或等於大致20 mT之一場強度。
本文中所闡述之技術之某些態樣係關於一種操作一MRI系統之方法。該MRI系統可包括具有經組態以產生磁場以用於執行MRI之複數個磁組件之一磁系統及一電導體。該方法可包括使用該電導體將一患者耦合至該MRI系統之電磁屏蔽物，且使用該MRI系統使該患者成像。
在某些實施例中，使用該電導體將該患者耦合至該電磁屏蔽物可包括將該患者耦合至耦合於該電導體與該電磁屏蔽物之間的一突波保護電路。
在某些實施例中，該電導體可包括一導電薄片。使用該電導體將該患者耦合至該電磁屏蔽物可包括透過該導電薄片將該患者耦合至該電磁屏蔽物。在某些實施例中，使用該導電薄片將該患者耦合至該電磁屏蔽物可包括將該患者定位為與該導電薄片實體接觸。在某些實施例中，使用該導電薄片將該患者耦合至該電磁屏蔽物可包括將該患者定位於該導電薄片之一電容性耦合範圍內。
在某些實施例中，該電導體可包括一導電墊。使用該電導體將該患者耦合至該電磁屏蔽物可包括透過該導電墊將該患者耦合至該電磁屏蔽物。在某些實施例中，該導電墊可包括在一外表面上之一導電層。使用該導電墊將該患者耦合至該電磁屏蔽物可包括將該患者定位為與該導電層實體接觸。在某些實施例中，該導電墊可包括嵌入於一或多個電絕緣層內之一導電層。使用該導電墊將該患者耦合至該電磁屏蔽物可包括將該患者定位於該導電層之一電容性耦合範圍內。
在某些實施例中，使用該電導體將該患者耦合至該電磁屏蔽物可包括將該電導體之一第一端黏合至該患者，且將該電導體之一第二端連接至該電磁屏蔽物。
在某些實施例中，使用該MRI系統使該患者成像可包括至少部分地藉由根據一脈衝序列產生磁場而產生該患者之解剖結構之一磁共振影像，且使用至少一個射頻線圈偵測自該患者之解剖結構之部分發射之磁共振信號。
本文中所闡述之技術之某些態樣係關於一MRI系統。該MRI系統可包括一磁系統，該磁系統具有經組態以產生磁場以用於執行磁共振成像之複數個磁組件及經組態以在藉由該MR成像系統使一患者成像期間將該患者接地之一接地電導體。
在某些實施例中，該磁系統可包括：至少一個永久B0 磁體，其用以產生一磁場以促成用於該MR成像系統之B0 磁場；複數個梯度線圈，其經組態以在操作時產生磁場以提供所發射磁共振信號之空間編碼；及至少一個射頻線圈，其經組態以在操作時將射頻信號傳輸至該MR成像系統之一視域且接收自該視域發射之磁共振信號。在某些實施例中，該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T之一場強度。
在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括電磁屏蔽物，其中該電磁屏蔽物係接地的，且其中該接地電導體係透過該電磁屏蔽物而接地。在某些實施例中，該電磁屏蔽物之一第一部分可定位於該複數個梯度線圈與該磁共振成像系統之一成像區域之間。在某些實施例中，該電磁屏蔽物之該第一部分可包括一頻率選擇網。在某些實施例中，該頻率選擇網可經組態以使具有介於1 KHz與10 KHz之間的一頻率之實質上所有電磁信號通過且使具有在或高於2.76 MHz之一頻率之實質上所有電磁信號往回反射。在某些實施例中，該頻率選擇網可包括具有介於50與150條線/英吋之間的一密度之一銅網。在某些實施例中，該電磁屏蔽物可透過該MR成像系統之一電力連接而接地。
在某些實施例中，該接地電導體可包括一導電薄片。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括用於在成像期間支撐該患者之一表面，該導電薄片之至少一部分安置於該表面上。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括安置於該導電薄片之至少一部分上之一電絕緣層。
在某些實施例中，該接地電導體可包括一導電墊。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括位於該複數個梯度線圈與該導電墊之間的電磁屏蔽物，且其中該導電墊透過該電磁屏蔽物而接地。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括位於該電磁屏蔽物與該導電墊之間的一絕緣層。在某些實施例中，該導電墊可包括安置於一或多個電絕緣層內之一導電層。在某些實施例中，該導電墊之一外表面可包括一導電層。
在某些實施例中，該接地電導體可包括耦合至經組態以附接至一患者之一第一電連接器之一第一導線。在某些實施例中，該第一電連接器可包括一夾子。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括耦合至經組態以附接至一患者之一第二電連接器之一第二導線。在某些實施例中，該接地電導體可進一步包括經組態以可移除地附接至一互補插座之一第二電連接器。在某些實施例中，該第二電連接器可包括一香蕉插頭。
在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括一突波保護電路，該接地電導體透過該突波保護電路而接地。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括電磁屏蔽物。該突波保護電路可電耦合於該電磁屏蔽物與該接地電導體之間。該接地電導體及該突波保護電路可各自透過該電磁屏蔽物而接地。在某些實施例中，該突波保護電路可包括具有高於60 Hz之一截止頻率之一高通濾波器。在某些實施例中，該高通濾波器可包括一並聯電阻器-電容器(RC)電路及至少一個備用電容器。在某些實施例中，該RC電路具有在60 Hz下大於1 MΩ之一阻抗量值及在2.76 MHz下小於100 Ω之一阻抗量值。在某些實施例中，該突波保護電路可封圍於一殼體內。在某些實施例中，該殼體可包括端接在一帽蓋中之一圓柱體。
在某些實施例中，該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T且大於或等於大致0.1 T之一場強度。在某些實施例中，該B0 磁場可具有小於或等於大致0.1 T且大於或等於大致50 mT之一場強度。在某些實施例中，該B0 磁場可具有小於或等於大致50 mT且大於或等於大致20 mT之一場強度。
本文中所闡述之技術之某些態樣係關於一MRI系統。該MRI系統可包括：一磁系統，其具有經組態以產生磁場以用於執行磁共振成像之複數個磁組件；電磁屏蔽物，其經提供以使該MR成像系統之一操作環境中之至少某些電磁雜訊衰減，其中該電磁屏蔽物係接地的；及一電導體，其電耦合至該電磁屏蔽物且經組態以在藉由該MR成像系統使一患者成像期間將該患者接地。
在某些實施例中，該磁系統可包括：至少一個永久B0 磁體，其經組態以產生用於該MR成像系統之一成像區域之一B0 磁場；複數個梯度線圈，其經組態以在操作時產生磁場以提供所發射磁共振信號之空間編碼；及至少一個射頻線圈，其經組態以在操作時將射頻信號傳輸至該MR成像系統之一視域且接收自該視域發射之磁共振信號。在某些實施例中，該B0 磁場可具有小於或等於大致0.2 T之一場強度。
在某些實施例中，該電磁屏蔽物之一第一部分可定位於該複數個梯度線圈與該磁共振成像系統之一成像區域之間。在某些實施例中，該電磁屏蔽物之該第一部分可包括一頻率選擇網。在某些實施例中，該頻率選擇網可經組態以使具有介於1 KHz與10 KHz之間的一頻率之實質上所有電磁信號通過且使具有在或高於2.76 MHz之一頻率之實質上所有電磁信號往回反射。在某些實施例中，該頻率選擇網可包括具有介於50與150條線/英吋之間的一密度之一銅網。在某些實施例中，該電磁屏蔽物可透過該MR成像系統之一電力連接而接地。
在某些實施例中，該電導體可包括一導電薄片。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括用於在成像期間支撐該患者之一表面，該導電薄片之至少一部分安置於該表面上。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括安置於該導電薄片之至少一部分上之一電絕緣層。
在某些實施例中，該電導體可包括一導電墊。在某些實施例中，該電磁屏蔽物可包括位於該複數個梯度線圈與該導電墊之間的一第一部分。該導電墊可透過該第一部分而接地。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括位於該電磁屏蔽物與該導電墊之間的一絕緣層。在某些實施例中，該導電墊可包括安置於一或多個絕緣層內之一導電層。在某些實施例中，該導電墊之一外表面可包括一導電層。
在某些實施例中，該電導體可包括耦合至經組態以附接至一患者之一第一電連接器之一第一導線。在某些實施例中，該第一電連接器可包括一夾子。在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括耦合至經組態以附接至該患者之一第二電連接器之一第二導線。在某些實施例中，該電導體可進一步包括經組態以可移除地附接至一互補插座之一第二電連接器。在某些實施例中，該第二電連接器可包括一香蕉插頭。
在某些實施例中，該MRI系統可進一步包括電耦合於該電磁屏蔽物與該電導體之間的一突波保護電路。該電導體及該突波保護電路可各自透過該電磁屏蔽物而接地。在某些實施例中，該突波保護電路可包括具有高於60 Hz之一截止頻率之一高通濾波器。在某些實施例中，該高通濾波器可包括一並聯電阻器-電容器(RC)電路及至少一個備用電容器。在某些實施例中，該RC電路具有在60 Hz下大於1 MΩ之一阻抗量值及在2.76 MHz下小於100 Ω之一阻抗量值。在某些實施例中，該突波保護電路可封圍於一殼體內。在某些實施例中，該殼體可包括端接在一帽蓋中之一圓柱體。在某些實施例中，該電磁屏蔽物可電耦合至該殼體之至少一部分。
在某些實施例中，該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T且大於或等於大致0.1 T之一場強度。在某些實施例中，該B0 磁場可具有小於或等於大致0.1 T且大於或等於大致50 mT之一場強度。在某些實施例中，該B0 磁場可具有小於或等於大致50 mT且大於或等於大致20 mT之一場強度。
本文中所闡述之技術之某些態樣係關於操作一MRI系統之方法，該MRI系統包括具有經組態以產生磁場以用於執行MRI之複數個磁組件之一磁系統及一電導體。該方法可包括透過該電導體將一患者接地且使用該MRI系統使該患者成像。
在某些實施例中，透過該電導體將該患者接地可包括將該電導體耦合於該患者與該MRI系統之該電磁屏蔽物之間。在某些實施例中，將該電導體耦合於該患者與該電磁屏蔽物之間可包括將該患者耦合至一突波保護電路，該突波保護電路耦合至該電磁屏蔽物。
在某些實施例中，透過該電導體將該患者接地可包括透過一導電薄片將該患者耦合至接地。在某些實施例中，透過該導電薄片將該患者耦合至接地可包括將該患者定位為與該導電薄片實體接觸。
在某些實施例中，透過該導電薄片將該患者耦合至接地可包括將該患者定位於該導電薄片之一電容性耦合範圍內。
在某些實施例中，透過該電導體將該患者接地可包括透過一導電墊將該患者耦合至接地。在某些實施例中，該導電墊可包括在一外表面上之一導電層。透過該導電墊將該患者耦合至接地可包括將該患者定位為與該導電層實體接觸。在某些實施例中，該導電墊可包括嵌入於一或多個電絕緣層內之一導電層。透過該導電墊將該患者耦合至接地可包括將該患者定位於該導電層之一電容性耦合範圍內。
在某些實施例中，透過該電導體將該患者接地可包括將該電導體之一第一端黏合至該患者，且將該電導體之一第二端連接至該MRI系統之電磁屏蔽物。
在某些實施例中，使用該MRI系統使該患者成像可包括至少部分地藉由根據一脈衝序列產生磁場而產生該患者之解剖結構之一磁共振影像且使用至少一個射頻線圈偵測自該患者之解剖結構之部分發射之磁共振信號。
應瞭解，預期前述概念及下文更加詳細地闡述之額外概念之所有組合作為本文中所揭示之發明性標的物之一部分。特定而言，預期出現在本發明末尾處之所主張標的物之所有組合作為本文中所揭示之發明性標的物之一部分。
MRI掃描器市場壓倒性地由高場系統主導，且尤其對於醫學或臨床MRI應用。如上文所闡述，醫學成像之一般趨勢一直係產生具有愈來愈大場強度之MRI掃描器，其中絕大多數臨床MRI掃描器在1.5特士拉(T)或3 T下操作，其中在研究情景中使用7 T及9 T之較高場強度。如本文中所使用，「高場」一般係指目前在一臨床情景中使用之MRI系統，且更特定而言係指以在或高於1.5 T之一主磁場(亦即，一B0 場)操作之MRI系統，但在0.5 T與1.5 T之間操作之臨床系統通常亦表徵為「高場」。介於大致0.2 T與0.5 T之間的場強度已表徵為「中場」，且隨著高場形態中之場強度已繼續增加，在介於0.5 T與1.0 T之間的範圍中之場強度亦已表徵為中場。藉由對比，「低場」一般係指以小於或等於大致0.2 T之一B0 場操作之MRI系統，但具有介於0.2 T與大致0.3 T之間的一B0 場之系統有時已由於在高場形態之高端處之經增加場強度而表徵為低場。在低場形態內，以小於0.1 T之一B0 場操作之低場MRI系統在本文中稱為「極低場」且以小於10豪特士拉(mT)之一B0 場操作之低場MRI系統在本文中稱為「超低場」。
如上文所闡述，習用MRI系統需要專業化設施。MRI系統操作需要一經電磁屏蔽房間且必須在結構上加強房間之地板。必須提供額外房間以用於高功率電子裝置及掃描技師之控制區。亦必須提供對位點之安全接達。另外，必須裝設一專門三相電連接以為電子裝置提供電力，該等電子裝置又由一冷凍水供應器冷卻。通常亦必須提供額外HVAC容量。此等位點要求不僅成本高，而且顯著限制其中可部署MRI系統之位置。習用臨床MRI掃描器亦需要大量專業知識來操作且維護。此等經高度訓練之技師及維修工程師增添操作一MRI系統之大量持續操作成本。因此，習用MRI常常成本高昂且在可接達性方面嚴重受限，從而阻止MRI成為能夠實現寬廣範圍之臨床成像解決方案(無論何地及何時需要)之一廣泛可用診斷工具。通常，患者必須在提前安排之一時間及地點處參觀有限數目個設施中之一者，從而阻止MRI在眾多醫療應用中使用，此乃因其在輔助診斷、外科手術、患者監測及諸如此類中係唯一地有效的。
如上文所闡述，高場MRI系統需要經特殊調適設施來適應此等系統之大小、重量、電力消耗及屏蔽要求。舉例而言，一1.5 T MRI系統通常重量介於4噸與10噸之間且一3 T MRI系統通常重量介於8噸與20噸之間。另外，高場MRI系統一般需要顯著量之沉重且昂貴屏蔽物。為適應此沉重設備，房間(其通常具有30至50平方米之一最小大小)必須以經加強地板(例如，混凝土地板)來建構，且必須經特殊屏蔽以阻止電磁輻射干擾MRI系統之操作。因此，可用臨床MRI系統係不動的且需要一醫院或設施內之一大的專門空間之顯著開銷，且除為操作準備空間之相當大成本之外亦需要操作且維護系統之專業知識之進一步額外持續成本。部署習用臨床MRI系統之諸多實體要求形成一顯著可用性問題，且嚴重地限定其中可利用MRI之臨床應用。
因此，低場MRI系統對於臨床使用可係合意的。然而，在低場形態中存在開發一臨床MRI系統之眾多挑戰。如本文中所使用，術語臨床MRI系統係指產生臨床可用影像之一MRI系統，該等臨床可用影像係指具有充分解析度及充足獲取時間以對於一內科醫師或臨床醫師可用以達成其既定目的(給定一特定成像應用)之影像。如此，臨床可用影像之解析度/獲取時間將取決於獲取影像之目的。在低場形態中獲得臨床可用影像之眾多挑戰當中存在相對低信雜比(SNR)。具體而言，SNR與B0 場強度之間的關係在高於0.2 T之場強度下係大致B0 5/4 且在低於0.1 T之場強度下係大致B0 3/2 。如此，SNR隨著場強度之減小而顯著下降，其中在非常低場強度下經歷SNR之甚至更顯著下降。因減小場強度而引起之SNR之此實質性下降係已阻止在極低場形態中開發臨床MRI系統之一顯著因素。特定而言，在極低場強度下之低SNR之挑戰已阻止開發在極低場形態中操作之一臨床MRI系統。因此，力圖在較低場強度下操作之臨床MRI系統已習用地達成大致0.2 T範圍及高於0.2 T範圍之場強度。此等MRI系統仍係大的、沉重的且高成本的，從而一般需要固定專門空間(或經屏蔽帳篷)及專門電源。
發明人已開發了用於產生經改良品質、可攜式及/或較低成本低場MRI系統之技術，該等MRI系統可改良MRI技術在超出醫院及研究設施處之大MRI裝設之各種環境中之大規模可部署性。如此，低場MRI呈現一具吸引力成像解決方案，從而提供高場MRI之一相對低成本且高可用性替代方案。特定而言，低場MRI系統可實施為可部署在各種臨床情景中之獨立式系統，其中高場MRI系統無法(舉例而言)在需要之情況下藉助於係可運輸、帶背帶或以其他方式一般可移動而係可部署的。因此，此等低場MRI系統可預期在一般未遮蔽或部分地經遮蔽環境中(例如，在經特殊屏蔽房間或包容籠外部)操作且處置其中部署該等低場MRI系統之特定雜訊環境。
發明人之貢獻之某些態樣源自其如下認識：一撓性低場MRI系統(例如，一大體可移動、可運輸或帶背帶系統及/或可裝設於各種情景中、諸如裝設於一急診室、辦公室或醫務室中之一系統)之效能可尤其易受諸如RF干擾之雜訊影響，諸多習用高場MRI系統由於裝設於具有廣泛屏蔽物之專業化房間中而很大程度上對雜訊係免疫的。特定而言，可需要在未遮蔽或部分遮蔽環境中而且在可具有不同及/或可變雜訊源要對付之多個環境中操作此等系統。高位準之雜訊可致使系統之SNR進一步下降，從而使所獲得之影像之品質折衷。因此，本文中所闡述之技術之態樣係關於在其中所存在之雜訊(諸如RF干擾)可不利地影響此等系統之效能之環境中改良低場MRI系統之效能。
發明人已認識到，一患者之身體可將電磁雜訊自周圍環境引入至一低場MRI系統中。舉例而言，在一低場MRI系統之一操作頻率範圍下，患者之身體可用作一天線且捕獲存在於低場MRI系統之環境中之電磁雜訊。繼而，患者之身體可將所捕獲雜訊傳導至低場MRI系統之一部分中，其中該所捕獲雜訊可影響低場MRI系統之操作。舉例而言，患者之身體可將電磁雜訊傳導至其中將由經組態以偵測MR信號之一或多個RF接收線圈偵測雜訊之一區域(例如，成像區域)中。由患者將雜訊引入至MRI系統中未發生在習用高場MRI系統中，此乃因在經特殊屏蔽環境中操作該等MRI系統，且其專業化屏蔽物阻止電磁雜訊到達患者之身體且由患者之身體傳導。相比之下，在經特殊屏蔽環境以外操作低場MRI系統。在此等情景中，患者之身體可曝露於電磁雜訊(例如，環境電磁雜訊、由低場MRI系統之環境中之其它裝置產生之雜訊)，該雜訊不存在於習用高場MRI系統之經特殊屏蔽環境中。此雜訊降低低場MRI系統之SNR，此又不利地影響由低場MRI系統獲得之影像之品質。
應瞭解，低場MRI系統之操作頻率範圍可包含電磁雜訊可影響及/或降級MRI系統激發及偵測一MR回應之能力之頻率。一般而言，一MRI系統之操作頻率範圍對應於在接收系統經組態以或能夠偵測之一給定B0 磁場強度下在一標稱操作頻率(亦即，拉莫頻率)周圍之一頻率範圍。此頻率範圍在本文中稱為用於MRI系統之一操作頻率範圍。舉例而言，對於0.1 T之一B0 磁場強度，該標稱操作頻率可係大致4MHz，且該MRI系統之操作頻率範圍可係2 KHz至10 MHz。
發明人已開發了供與低場MRI系統一起使用之雜訊隔離技術以消除或緩解由患者之身體捕獲及傳導之電磁雜訊，因此消除或減少其對低場MRI系統之操作之影響。藉由隔離由患者之身體傳導之雜訊(藉由將患者耦合至MRI系統之電磁屏蔽物、將患者接地或藉由任何其他適合技術)，阻止雜訊進入成像區域及/或影響一低場MRI系統之操作。由發明人開發以用於在藉由低場MRI系統成像期間隔離由患者傳導之電磁雜訊之技術藉此促進藉由在未經屏蔽或經部分屏蔽環境中操作低場MRI系統而改良低場MRI技術。
本文中所闡述之雜訊隔離技術包含將一患者電耦合至該MRI系統之電磁屏蔽物。舉例而言，該電磁屏蔽物可定位於該MRI系統之一成像區域周圍。藉由將患者電耦合至電磁屏蔽物(例如，經由一電導體、經由電容或電感耦合或以任何其他適合方式)，可將由患者捕獲之電磁雜訊汲取至電磁屏蔽物且汲取遠離MRI系統之成像區域，藉此隔離雜訊與成像區域。發明人認識到，在一外邊緣處耦合至電磁屏蔽物之電磁雜訊由於皮膚效應而與成像區域隔離。已知皮膚效應導致諸如在一同軸電纜中之一導體之外表面中之經增加電流密度及該導體之內深度處之經減小電流密度，其中阻止在該同軸電纜之一外導體上之電磁雜訊到達該同軸電纜之中心導體。因此，耦合至電磁屏蔽物之電磁雜訊可係實質上好似未完全被阻止到達成像區域。在某些實施例中，該電磁屏蔽物可經接地。然而，應瞭解，將一患者電耦合至MRI系統之電磁屏蔽物會甚至在電磁屏蔽物未接地之情況下隔離由患者之身體捕獲之電磁雜訊。舉例而言，甚至當具有大約1 mH之一電感之一阻抗變壓器耦合於電磁屏蔽物與接地之間從而致使電磁屏蔽物在一頻率範圍內在接地上面浮動時，自患者至電磁屏蔽物之一低電抗路徑仍在電磁屏蔽物浮動之頻率範圍內自患者汲取電磁雜訊，且皮膚效應致使電磁屏蔽物隔離雜訊與成像區域。
本文中所闡述之雜訊隔離技術進一步包含將由患者之身體捕獲之電磁雜訊耦合至接地使得其透過接地連接繞過成像區域。舉例而言，MRI系統之電磁屏蔽物可經接地(例如，透過MRI系統之一電力連接或以任何其他適合方式)，使得透過電磁屏蔽物將電磁雜訊傳導至接地。作為另一實例，患者可在不電耦合至電磁屏蔽物(例如，直接耦合至MRI系統之一電力連接或透過除電磁屏蔽物以外的MRI系統之一組件耦合)之情況下接地。在任一情形中，患者之身體處之電磁雜訊與接地之間的一電壓電位可將電磁雜訊汲取至接地。
發明人不僅認識到，低場MRI系統在成像期間藉由隔離由患者傳導之電磁雜訊而改良，而且已克服作為開發用於達成雜訊隔離之特定技術及系統之一部分之技術挑戰。舉例而言，發明人已認識到，建立用於將電磁雜訊傳導遠離患者之一路徑由於在低場MRI系統之操作頻率範圍下特定類型之電導體及電磁屏蔽物中之高阻抗而係困難的。舉例而言，長導線及/或大電磁屏蔽物結構在操作頻率範圍下具有一高電抗，此產生不自患者吸引實質上量之電磁雜訊之一高阻抗。由發明人開發之用於隔離由一患者傳導之雜訊之技術藉由實施一低電抗路徑(例如，透過專業化電磁屏蔽物)而解決此挑戰，如本文中所闡述。
作為另一實例，藉由將一患者電耦合至電磁屏蔽物而隔離由該患者傳導之雜訊可在一電力突波之事件中危及患者，該電力突波可致使患者將大量能量傳導至屏蔽物。舉例而言，在低場MRI系統之操作環境中之一周邊裝置可在耦合至患者時經歷一電故障且一大電壓及/或電流可在耦合至屏蔽物時施加至患者。由發明人開發之用於隔離由一患者傳導之雜訊之技術藉由使用經組態以將電磁雜訊耦合至屏蔽物之突波保護電路系統而解決此挑戰同時阻止大電壓及/或電流使患者受電刑，如下文更詳細地闡述。
本文中所闡述之雜訊隔離技術可與部署在實際上任何設施中之任何適合低場或高場MRI系統(包含可攜式及有背帶MRI系統)一起使用。雖然本文中所闡述之雜訊隔離之態樣在其中廣泛屏蔽物可係不可用或以其他方式未提供之低場內容脈絡中可係尤其有益的，但應瞭解，本文中所闡述之技術在高場內容脈絡中亦係適合的且不限於與任何特定類型之MRI系統一起使用。
根據某些實施例，一MRI系統可包含產生磁場以用於使一患者成像之一磁系統。該MRI系統之成像區域之全部或一部分可由一電磁屏蔽物環繞，該電磁屏蔽物由一導電材料形成且經組態以在該MRI系統之環境中使至少某些電磁雜訊衰減。
該MRI系統亦可包含一電導體(例如，一導線、一導電薄片、一導電墊或任何其他適合電導體)以用於在成像期間將患者耦合至電磁屏蔽物。替代地或另外，該電導體可(例如，透過該MRI系統之電磁屏蔽物間接、透過該MRI系統之一電力連接直接或以任何其他適合方式)接地。使用該電導體將該患者耦合至該電磁屏蔽物或將該患者接地可在使該患者成像之同時減少環境雜訊對該MRI系統之影響。
在某些實施例中，該磁系統可包含用於產生一B0 磁場之一或多個永久磁體。該磁系統可包含一或多個梯度線圈以提供磁共振信號之空間編碼。該磁系統可包含一或多個射頻(RF)線圈以將RF信號傳輸至其中使患者成像之成像區域及/或自該成像區域接收RF信號。在某些實施例中，該B0 磁場可具有小於或等於0.2 T之一強度。在某些實施例中，該B0 磁場可具有介於0.1 T與0.2 T之間、介於50 mT與0.1 T之間或介於20 mT與50 mT之間的一強度。
在某些實施例中，該電磁屏蔽物之一部分可定位於該等梯度線圈與該成像區域之間。該部分可係頻率選擇性的以便阻擋由該等RF線圈產生之實質上所有電磁輻射穿過網，但不阻擋由該等梯度線圈產生之實質上任何電磁輻射穿過網。舉例而言，該部分可具有阻擋在或高於2.76 MHz之電磁輻射穿過網但不阻擋介於1 KHz與10 KHz之間的電磁輻射穿過網之一銅網。該銅網可具有介於50與150 (例如，大致100)條線/英吋之間的一網密度。
在某些實施例中，該電導體包括將由患者自周圍環境捕獲之電磁雜訊耦合至電磁屏蔽物之一導電薄片。在某些實施例中，該導電薄片可安置於該患者下面及支撐該患者的該MRI系統之一表面上面，使得該導電薄片安置於該患者與該表面之間。在某些實施例中，該導電薄片可在將雜訊自該患者耦合至該電磁屏蔽物(例如，使用一導線)之同時實體上接觸該患者。另外或替代地，諸如一緩衝墊之一絕緣層可定位於該患者與該導電薄片之間，使得該導電薄片將雜訊自該患者電容性地至屏蔽物。在某些實施例中，該導電薄片可位於該患者上面且可實體上接觸該患者。在任一情形中，該導電薄片可耦合至該屏蔽物或經接地(例如，透過該MRI系統之電磁屏蔽物間接或透過該MRI系統之該電力連接直接)。
在某些實施例中，該電導體可包含一導電墊。該導電墊可定位於該患者上面或下面。該導電墊可具有與一或多個絕緣層嵌入在一起之一導電層(例如，以用於電容性地耦合至該患者)。替代地或另外，該導電墊可具有一導電外表面(例如，以用於實體地接觸該患者)。該導電墊可耦合至該電磁屏蔽物或經接地(例如，透過電磁屏蔽物間接、透過該電力連接直接或以任何其他適合方式)。例如，該導電墊可耦合至定位於該等梯度線圈與該導電墊之間的該電磁屏蔽物之一部分。在某些實施例中，一導線可將該導電墊耦合至該電磁屏蔽物之該部分。在某些實施例中，一絕緣層可將該導電墊與該電磁屏蔽物之該部分分開。
在某些實施例中，該電導體可包含用於將該患者耦合至該電磁屏蔽物之一導線。該導線之一個端可具有用於附接至該患者之一電連接器(例如，可附接至黏合至該患者之一電極之一夾子)，且該導線之第二端可耦合至該電磁屏蔽物(例如，連接至該MRI系統之該電力連接)。在某些實施例中，該導線可透過該電磁屏蔽物而接地。該第二端可具有一電連接器(例如，一香蕉插頭)。
在某些實施例中，該電導體可耦合至該電磁屏蔽物或透過一突波保護電路接地。該突波保護電路可經組態以在一電突波之事件中保護該患者免受電刑。該突波保護電路可耦合於該電導體與該電磁屏蔽物之間或經接地(例如，透過電磁屏蔽物間接、透過該電力連接直接或以任何其他適合方式)。例如，該突波保護電路可具有一高通濾波器，該高通濾波器具有高於60 Hz之一截止頻率。該高通濾波器可包含具有一或多個備用電容器之一電阻器-電容器(RC)電路。該RC電路可在60 Hz下產生至少1 MΩ之一阻抗，同時在2.76 MHz下產生小於100 Ω之一阻抗。因此，自該患者耦合之雜訊可傳遞至該電磁屏蔽物或接地，但可隔離歸因於電突波之高電壓及電流。在某些實施例中，該突波保護電路可在耦合至該患者之一周邊裝置(例如，一脈搏血氧計、一EKG或者接近於MRI系統或與MRI系統在同一房間中之任何其他醫療設備或裝置)經歷一電突波時阻止該患者免受電刑。該突波保護電路可封圍於一殼體內，諸如端接在一帽蓋中之一圓柱體。在某些實施例中，該殼體可(舉例而言)透過在該殼體及該屏蔽物中之每一者上之互補電連接器(例如，一香蕉插頭及一互補插座)可移除地附接至該MRI系統之該電磁屏蔽物。
下文係與在MR成像期間隔離由一患者傳導之雜訊有關之各種概念及在MR成像期間隔離由一患者傳導之雜訊之實施例之更詳細說明。應瞭解，可以眾多方式中之任一者實施本文中所闡述之各種態樣。在本文中僅出於說明性目的而提供特定實施方案之實例。另外，下文在實施例中所闡述之各種態樣可單獨地或以任何組合來使用，且不限於本文中所明確闡述之組合。
圖1A係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之說明性MRI系統100A之一圖式。MRI系統100A包含電力系統110、磁系統120、雜訊減少系統130、電磁屏蔽物140、突波保護電路160及電導體180。MRI系統100A可係任何適合類型之MRI系統，且在某些實施例中，可係一低場MRI系統。舉例而言，MRI系統100A可與一B0 磁場一起操作，該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T、小於或等於大致0.1 T及/或在0.5至0.1 T之範圍中之一場強度。
在圖1A之說明性實施例中，MRI系統100A經組態以在使用電導體180成像期間隔離由一患者傳導之電磁雜訊，電導體180可經組態以電容性地及/或導電地耦合至一患者。舉例而言，在圖1A之說明性實施例中，電導體180電耦合至電磁屏蔽物140，以便將由患者傳導之電磁雜訊耦合至電磁屏蔽物140。在某些實施例中，電導體180可係接地的。舉例而言，電導體180可直接或透過突波保護電路160及電磁屏蔽物140間接耦合至電力系統110之一電力連接，突波保護電路160及電磁屏蔽物140又可透過電力系統110之該電力連接而接地。在成像期間藉由將一患者耦合至電磁屏蔽物140及/或接地而隔離由該患者捕獲之電磁雜訊會阻止該雜訊影響MRI系統100A之操作。
在圖1A之說明性實施例中，電力系統110可包含經組態以提供操作MRI系統100A之電力之一或多個電力組件。舉例而言，電力系統110包含一或多個電源供應器、一或多個放大器、一或多個傳輸/接收開關及/或一或多個熱管理組件。該電源供應器可包含一患者可透過其接地之一電力連接。在本文中(包含參考圖1B)闡述電力系統110之組件。
在圖1A之說明性實施例中，磁系統120可包含經組態以提供磁場以用於使一患者成像之一或多個磁組件。舉例而言，磁系統120可包含一或多個磁體以產生用於MRI系統100A之一B0 磁場。磁系統120可包含經組態以產生磁場以提供所發射磁共振信號之空間編碼之一或多個梯度線圈。磁系統120可包含經組態以將RF信號傳輸至MRI系統100A之一視域且接收自該視域發射之MRI信號的一或多個射頻(RF)線圈。磁系統120可包含經組態以改良B0 場之均質性之一或多個勻場線圈。本文中(包含參考圖1B)闡述磁系統120之組件。
在圖1A之說明性實施例中，雜訊減少系統130可經組態以偵測自經成像之一患者之經激發原子發射之MR信號，且表徵環境中之雜訊以抑制該經表徵雜訊或自該等所偵測到之MR信號移除該經表徵雜訊。雜訊減少系統130可包含一主要RF接收線圈(例如，磁系統120之一或多個RF線圈中之一者)、調諧電路、一獲取系統及/或一或多個輔助感測器。雜訊減少系統130可係為任何適合類型，包含(舉例而言)本文中(包含參考圖11)所闡述之類型。
在圖1A之說明性實施例中，電磁屏蔽物140可包含至少部分地環繞MRI系統100A之一成像區域之一或多個導電表面。如本文中所使用，術語電磁屏蔽物係指經組態以在MRI系統之操作頻率範圍下使電磁雜訊衰減且經定位或經配置以屏蔽一所關注空間、物件及/或組件的導電或磁性材料。在一MRI系統之內容脈絡中，電磁屏蔽物可用於屏蔽該MRI系統之成像區域(例如，視域)。舉例而言，在圖1A之說明性實施例中，電磁屏蔽物140包含於可打開及關閉且定位於各種組態中之可移動滑塊中。在該各種組態中之每一者中，電磁屏蔽物140可經配置或經定位以針對成像區域之至少一部分使至少在MRI系統100A之操作頻率範圍內之頻率衰減。在以其全文引用方式併入本文中之標題為「用於磁共振成像方法及設備之電磁屏蔽物」之第2018/0164390號美國專利申請案中闡述供在低場MRI系統中使用之電磁屏蔽物之額外態樣(諸如MRI系統100A之電磁屏蔽物140)。
在某些實施例中，電磁屏蔽物140之一屏蔽部分可包含一頻率選擇網，該頻率選擇網經組態以吸收及/或反射由一或多個RF線圈產生之電磁輻射且不吸收及/或反射由梯度線圈產生之電磁輻射。電導體180可耦合至電磁屏蔽物140之此部分，如本文中(包含參考圖7)所闡述。
在某些實施例中，電磁屏蔽物140可透過電力系統110之一電力連接而接地，使得一患者可透過電磁屏蔽物140間接接地。
在圖1A之說明性實施例中，電導體180經組態以在藉由MRI系統100A使一患者成像期間隔離由該患者傳導之雜訊。在某些實施例中，電導體180可包含經組態以將由患者捕獲之雜訊自周圍環境導電地耦合至電磁屏蔽物140之一導線，如本文中(包含參考圖2A、圖2B及圖5)所闡述。在某些實施例中，電導體180可包含經組態以將由患者捕獲之雜訊自周圍環境電容性地及/或導電地耦合至電磁屏蔽物140之一導電薄片，如本文中(包含參考圖3A、圖3B及圖6)所闡述。在某些實施例中，電導體180可包含經組態以將由患者捕獲之雜訊自周圍環境電容性地及/或導電地耦合至電磁屏蔽物140之一導電墊，如本文中(包含參考圖4A、圖4B、圖4C及圖7)所闡述。
如上文所闡述，發明人已認識到，在一電力突波之事件或其他電過電壓事件中，患者可曝露於危險量之電能。為解決此問題，MRI系統100A包含經設計以阻止患者受電刑之突波保護電路160。如圖1A中所展示，突波保護電路160可耦合於電導體180與電磁屏蔽物140之間。在其他實施例中，突波保護電路系統160可耦合於電導體180與電力系統110之電力連接之間。在本文中(包含參考圖8A、圖8B及圖9)闡述突波保護電路160。
應瞭解，MRI系統100A係一說明性實施例，且可實施關於所圖解說明實施例之變化形式。舉例而言，磁系統120及雜訊減少系統130在圖1A中經圖解說明為由電磁屏蔽物140環繞。然而，在某些實施例中，磁系統120及/或雜訊減少系統130可透過電磁屏蔽物140經部分地曝露。另外，電導體180在圖1A中經圖解說明為透過突波保護電路160耦合至電磁屏蔽物140。然而，應瞭解，某些實施例不包含電磁屏蔽物140及/或突波保護電路160。舉例而言，在某些實施例中，電導體180透過電力系統110直接接地。
圖1B係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之說明性MRI系統100B之一圖式。在圖1B之說明性實施例中，MRI系統100B包含控制組件、電力系統110及磁系統120。
如圖1B中所圖解說明，磁組件120包含B0 磁體122、勻場線圈124、RF傳輸與接收線圈126及梯度線圈128。B0 磁體122可產生主磁場B0 。B0 磁體122可係可產生一所要主B0 磁場之任何適合類型或組合之磁組件。舉例而言，B0 磁體122可係一永久磁體、一電磁體或包括至少一個永久磁體及至少一個電磁體之一混合磁體。在某些實施例中，B0 磁體122可包含由鐵磁性材料形成之一或多個永久磁體。舉例而言，B0 磁體122可包含配置成一圓形圖案(例如，如本文中參考圖10所闡述)之永久磁體環。在某些實施例中，B0 磁體122可包含定位於一成像區域之相對側上之一雙平面磁體結構。在某些實施例中，B0 磁體122可包含具有以電磁信號驅動之永久磁體及線圈之一混合磁體。在本文中(包含參考圖10)闡述B0 磁體122。
在某些實施例中，勻場線圈124可包含以電磁信號驅動之一或多個永久磁體勻場及/或線圈，該一或多個永久磁體勻場及/或線圈經組態以改良由B0 磁體122產生之B0 磁場之量變曲線，藉此解決低場形態之相對低SNR特性。一般而言，一B0 磁體需要某一位準之勻場來產生具有對於在MRI中使用令人滿意之一量變曲線之一B0 磁場(例如，在所要場強度及/或均質性下之一B0 磁場)。特定而言，諸如設計、製造容差、不精確生產程序、環境等之生產因素導致在組裝/製造之後產生具有令人不滿意量變曲線之一B0 場之場變化。舉例而言，在生產之後，上文所闡述之B0 磁體122可產生具有一令人不滿意量變曲線(例如，不適合用於成像之B0 場中之不均質性)之一B0 場，該B0 場需要通常藉由勻場來改良或以其他方式經校正，以產生臨床上有用之影像。
勻場係指用於調整、校正及/或改良一磁場(通常為一磁共振成像裝置之B0 磁場)之各種技術中之任一者。類似地，一勻場係指執行勻場(例如，藉由產生一磁場)之某事物(例如，一物件、組件、裝置、系統或其組合)。在以其全文引用方式併入本文中之標題為「用於磁共振成像方法及設備之電磁屏蔽物」之第2018/0164390號美國專利申請案中闡述供在低場MRI系統中使用之勻場線圈之額外態樣，諸如MRI系統100A之勻場線圈124。
在某些實施例中，RF傳輸與接收線圈126經組態以傳輸MR信號。藉由分別使用傳輸與接收線圈(通常稱為射頻(RF)線圈)激發且偵測所發射MR信號而執行MRI。傳輸/接收線圈可包含用於傳輸及接收之單獨線圈、用於傳輸及/或接收之多個線圈或用於傳輸及接收之相同RF線圈。因此，一傳輸/接收組件可包含用於傳輸之一或多個線圈、用於接收之一或多個線圈及/或用於傳輸及接收之一或多個線圈。傳輸/接收線圈亦通常稱為Tx/Rx或Tx/Rx線圈以一般係指用於一MRI系統之傳輸及接收磁組件之各種組態。此等術語在本文中可互換地使用。
在圖1B中，RF傳輸與接收線圈126包含可用於產生RF脈衝以引發一振盪磁場B1 之一或多個傳輸線圈。該(等) RF傳輸線圈可經組態以產生任何適合類型之RF脈衝。在以其全文引用方式併入本文中之標題為「用於磁共振成像方法及設備之電磁屏蔽物」之第2018/0164390號美國專利申請案中闡述供在低場系統中使用之RF傳輸及/或接收線圈之額外態樣，諸如MRI系統100A之RF傳輸與接收線圈126。
在某些實施例中，梯度線圈128可經配置以提供梯度場，且(舉例而言)可經配置以在B0 場中在三個實質上正交方向(X、Y、Z)上產生梯度。梯度線圈128可經組態以藉由系統地使B0 場 (由磁體122及/或勻場線圈124產生之B0 場)變化而編碼所發射MR信號以將所接收MR信號之空間位置編碼為隨頻率及/或相位而變。舉例而言，梯度線圈128可經組態以使頻率及/或相位沿著一特定方向作為空間位置之一線性函數而變化，儘管亦可藉由使用非線性梯度線圈而提供更複雜空間編碼量變曲線。舉例而言，一第一梯度線圈可經組態以選擇性地使B0 場在一第一(X)方向上變化以在彼方向上執行頻率編碼，一第二梯度線圈可經組態以選擇性地使B0 場在實質上正交於該第一方向之一第二(Y)方向上變化以執行相位編碼，且一第三梯度線圈可經組態以選擇性地使B0 場在實質上正交於該第一方向及該第二方向之一第三(Z)方向上變化以達成切片選擇以用於體積成像應用。在以其全文引用方式併入本文中之標題為「用於磁共振成像方法及設備之電磁屏蔽物」之第2018/0164390號美國專利申請案中闡述供在低場系統中使用之梯度線圈之額外態樣，諸如MRI系統100A之梯度線圈128。
在某些實施例中，電力系統110包含電子裝置以將操作功率提供至低場MRI系統100B之一或多個組件。如圖1B中所圖解說明，電力系統110包含電源供應器112、電力組件114、傳輸/接收開關116及熱管理組件118 (例如，用於超導磁體之低溫冷卻設備)。電源供應器112包含電子裝置以將操作功率提供至MRI系統100B之磁性組件120。舉例而言，電源供應器112可包含電子裝置以將操作功率提供至一或多個B0 線圈(例如，B0 磁體122)以產生用於低場MRI系統之主磁場。傳輸/接收開關116可用於選擇操作RF傳輸線圈還是RF接收線圈。
電力組件114可包含放大由一或多個RF接收線圈(例如，線圈126)偵測之MR信號之一或多個RF接收(Rx)前置放大器、經組態以將電力提供至一或多個RF傳輸線圈(例如，線圈126)之一或多個RF傳輸(Tx)電力組件、經組態以將電力提供至一或多個梯度線圈(例如，梯度線圈128)之一或多個梯度電力組件及/或經組態以將電力提供至一或多個勻場線圈(例如，勻場線圈124)之一或多個勻場電力組件。
如圖1B中所圖解說明，MRI系統100B之控制組件包含具有控制電子裝置以將指令發送至電力系統110且自電力系統110接收資訊之控制器106。控制器106可經組態以實施一或多個脈衝序列，該一或多個脈衝序列用於判定發送至電力系統110從而以一所要序列操作磁性組件120之指令。舉例而言，在MRI系統100B中，控制器106可經組態以控制電力系統110根據一平衡穩態自由進動(bSSFP)脈衝序列、一低場梯度回波脈衝序列、一低場自旋回波脈衝序列、一低場反轉回復脈衝序列及/或任何其他適合脈衝序列來操作磁性組件120。控制器106可實施為硬體、軟體或硬體與軟體之任何適合組合，此乃因本文中所提供之揭示內容之態樣在此方面不受限制。
在某些實施例中，控制器106可經組態以藉由自脈衝序列儲存庫108獲取關於脈衝序列之資訊而實施一脈衝序列，脈衝序列儲存庫108儲存用於一或多個脈衝序列中之每一者之資訊。由脈衝序列儲存庫108針對一特定脈衝序列儲存之資訊可係允許控制器106實施該特定脈衝序列之任何適合資訊。舉例而言，針對一脈衝序列儲存於脈衝序列儲存庫108中之資訊可包含用於根據該脈衝序列操作磁組件120之一或多個參數(例如，用於操作RF傳輸與接收線圈126之參數、用於操作梯度線圈128之參數等)、用於根據該脈衝序列操作電力系統110之一或多個參數、包含在由控制器106執行時致使控制器106控制MRI系統100B根據該脈衝序列來操作之指令之一或多個程式及/或任何其他適合資訊。儲存於脈衝序列儲存庫108中之資訊可儲存於一或多個非暫時性儲存媒體上。
如圖1B中所圖解說明，控制器106亦與經程式化以處理所接收MR資料之計算裝置104互動。舉例而言，計算裝置104可處理所接收MR資料以使用任何適合影像重建程序產生一或多個MR影像。控制器106可將關於一或多個脈衝序列之資訊提供至計算裝置104以用於由該計算裝置處理資料。舉例而言，控制器106可將關於一或多個脈衝序列之資訊提供至計算裝置104且該計算裝置可至少部分地基於該所提供資訊而執行一影像重建程序。
在某些實施例中，計算裝置104可處理所獲取MR資料且產生經成像之對象之一或多個影像。在某些實施例中，計算裝置104可係可經組態以處理MR資料且產生經成像之對象之一或多個影像之一固定電子裝置，諸如一桌上型電腦、一伺服器、一機架安裝式電腦或任何其他適合固定電子裝置。替代地，在某些實施例中，計算裝置104可係可經組態以處理MR資料且產生經成像之對象之一或多個影像之一可攜式裝置，諸如一智慧型電話、一個人數位助理、一膝上型電腦、一平板電腦或任何其他可攜式裝置。在某些實施例中，計算裝置104可包含任何適合類型之多個計算裝置，此乃因態樣在此方面不受限制。一使用者102可與工作站104互動以控制MRI系統100B之態樣(例如，將MRI系統100B程式化以根據一特定脈衝序列來操作、調整MRI系統100B之一或多個參數等)及/或觀看由MRI系統100B獲得之影像。
圖2A及圖2B係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之說明性MRI系統200之圖式。MRI系統200包含一電力系統(未展示)、磁系統220、電磁屏蔽物240、突波保護電路260及一或多個電導體280。MRI系統200經組態以透過一或多個電導體280將一患者耦合至電磁屏蔽物240。在圖2A及圖2B之所圖解說明實施例中，電導體280包含耦合至電連接器之導線以用於經由電極288 (或任何其他適合裝置，諸如導電帶)附接至一患者。
在圖2A之說明性實施例中，MRI系統200可經由運送機構271經運輸至用於成像之一患者。運送機構271可具有經組態以促進MRI系統200移動至(舉例而言)需要MRI之一位置之一或多個組件。在某些實施例中，運送機構271包含耦合至驅動輪之一馬達。可提供未耦合至馬達之額外輪以達成經改良穩定性。因此，運送機構271可在將MRI系統200運輸至所要位置中提供機動化輔助。在某些實施例中，可使用一控制器(例如，可由一人操縱之一操縱桿或其他控制器)控制機動化輔助以在運輸至所要位置期間導引可攜式MRI系統。
在圖2A及圖2B之說明性實施例中，患者在成像期間由一床之表面270支撐。電磁屏蔽物240可包含於可打開或關閉之可移動屏蔽物中，舉例而言以促進將患者定位於MRI系統200之成像區域中。磁系統220之組件可定位於成像區域上面及/或下面且經組態以執行患者之MR成像。舉例而言，定位於患者上面及下面之一雙平面B0 磁體可產生用於成像區域之一B0 磁場。諸如梯度線圈、RF線圈及勻場線圈之其他組件亦可定位於成像區域上面及/或下面以執行患者之MR成像。
在圖2A及圖2B之說明性實施例中，電磁屏蔽物240定位在MRI系統200之一成像區域周圍且經組態以隔離由患者捕獲之電磁雜訊與該成像區域。自患者耦合至電磁屏蔽物240之一外表面之電磁雜訊可由於皮膚效應而不擴散至成像區域。舉例而言，皮膚效應致使在電磁屏蔽物240之外表面上流動之雜訊電流具有一高電流密度且致使在電磁屏蔽物240之內表面上流動之雜訊電流具有實質上零電流密度。因此，在成像區域內由在電磁屏蔽物240之內表面上流動之雜訊電流激發實質上零電或磁場。因此，減少或消除耦合至電磁屏蔽物240之電磁雜訊對成像區域之一效應，從而促進MRI系統200之操作。
在圖2A及圖2B之說明性實施例中，患者在成像期間藉由電導體280耦合至電磁屏蔽物240。電導體280經由電極288附接至患者且透過突波保護電路260耦合至電磁屏蔽物240。應瞭解，在其他實施例中，電導體280可透過電力系統110直接或透過電磁屏蔽物240間接接地。突波保護電路260可耦合或可未耦合於電導體280與電磁屏蔽物240之間。另外，可替代電極288而使用或除電極288之外亦可使用諸如導電帶之其他適合附接裝置。
圖2A展示經組態以在患者之頭部之成像期間藉由將電導體280附接至患者之手臂(其定位於MRI系統200之成像區域外側)而隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統200之一說明性實施例。圖2B展示經組態以在患者之腿之成像期間藉由將電導體280附接至患者之腳(其定位於MRI系統200之成像區域外側)而隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統200之一說明性實施例。然而，圖解說明僅僅係例示性的。應瞭解，本文中所闡述之MRI系統(諸如MRI系統200)可經組態以在患者之任何或所有部位之成像期間隔離由一患者傳導之電磁雜訊。舉例而言，電導體280可經組態以在自MRI系統200之成像區域突出的患者之身體之一部分處隔離由患者傳導之電磁雜訊。
在圖2A中，兩個導線經展示為隔離由患者傳導之電磁雜訊，而在圖2B中，使用一單個導線達成隔離。應瞭解，任一數目個電導體可用於隔離由一患者傳導之電磁雜訊。在某些實施例中，一個或多個電導體280 (例如，導線、導電薄片、導電墊等)可經組態以耦合至一患者之不同部位。舉例而言，電導體280中之一第一電連接器可經組態以附接至患者之一手臂，且電導體280中之一第二電連接器可經組態以附接至患者之一腿。在本文中(包含參考圖5)闡述包含如圖2A及圖2B中所展示之導線之電導體280。
圖3A及圖3B係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之說明性MRI系統300之圖式。在圖3A及圖3B之說明性實施例中，MRI系統300包含一電力系統(未展示)、磁系統320、電磁屏蔽物340、突波保護電路360及電導體380。MRI系統300經組態以透過電導體380將一患者耦合至電磁屏蔽物340。電磁屏蔽物340可經組態而以結合圖2A及圖2B所闡述之方式操作。
在圖3A及圖3B之說明性實施例中，電導體180包含安置於表面370上之導電薄片380，其中表面370在成像期間用作患者之一支撐件。電絕緣層350安置於導電薄片380上，從而為患者提供緩衝支撐。電絕緣層350可由諸如發泡體或塑膠之任何適合絕緣材料形成，且可係軟或硬的，其中柔軟度具有為患者提供額外舒適之益處。
在圖3A及圖3B之說明性實施例中，導電薄片380經組態以透過電絕緣層350將患者電容性地耦合至電磁屏蔽物340。舉例而言，導電薄片380沿著患者之身體之一長度安置，使得在MRI系統300之操作頻率下建立患者與導電薄片380之間的電容性耦合。導線382透過突波保護電路360將導電薄片380間接耦合至電磁屏蔽物340。
在圖3A中，導電薄片380在MRI系統300之一第一側上(例如，在床邊)耦合至導線382，然而在圖3B中，導電薄片380在MRI系統300之一第二端處(例如，與床相對)耦合至導線382。應瞭解，導電薄片380可在沿著其長度之任一點處耦合至導線382。在某些實施例中，導電薄片380透過多個路徑(諸如多個導線382)耦合至電磁屏蔽物340。在某些實施例中，一個以上導電薄片380可用於將一患者耦合至電磁屏蔽物340。應瞭解，在某些實施例中，導電薄片380可透過電力系統直接或透過電磁屏蔽物340間接接地。突波保護電路360可耦合或可未耦合於導電薄片380與電磁屏蔽物340之間。舉例而言，某些實施例不包含突波保護電路360。應瞭解，導電薄片380可經組態以將患者導電地耦合至電磁屏蔽物340。舉例而言，某些實施例不包含電絕緣層350，使得導電薄片380可實體上接觸患者。
圖4A、圖4B及圖4C係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之說明性MRI系統400之圖式。在圖4A、圖4B及圖4C之說明性實施例中，MRI系統400包含一電力系統(未展示)、磁系統420、電磁屏蔽物440、突波保護電路460及電導體480。MRI系統400經組態以透過電導體480將一患者耦合至電磁屏蔽物440。電磁屏蔽物440可經組態而以結合圖2A及圖2B所闡述之方式操作。圖4C展示MRI系統400之一部分地剖開視圖以更佳地圖解說明電導體480。
在圖4A、圖4B及圖4C之說明性實施例中，電導體480包含導電墊480。在某些實施例中，導電墊480可包含在一外表面上及/或嵌入於一或多個電絕緣層內之一或多個導電層。應瞭解，導電墊480可包含以組合形式既在外表面上又嵌入於電絕緣層內以將患者接地之導電層。導電墊480可透過突波保護電路460(舉例而言，藉由導線482)耦合至電磁屏蔽物440。
在某些實施例中，導電墊480可經組態以在與患者實體接觸時透過外表面上之導電層導電地耦合至患者。在某些實施例中，導電墊480可經組態以在放置於患者上面、下面或毗鄰患者時以類似於導電薄片380之一方式透過嵌入於電絕緣層內之導電層電容性地耦合至患者。在本文中(包含參考圖7)闡述導電墊480。
應瞭解，在某些實施例中，導電墊480可透過電力系統直接或透過電磁屏蔽物440間接接地。突波保護電路460可耦合或可未耦合於導電墊480與電磁屏蔽物440之間。舉例而言，某些實施例不包含突波保護電路460。
圖5係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之說明性電導體580之一圖式。在圖5之說明性實施例中，電導體580包含在一第一端處耦合至第一電連接器584且在一第二端處耦合至第二電連接器586之導線582。電導體580經組態以導電地耦合至一患者，使得由患者自周圍環境捕獲之電磁雜訊可耦合至電磁屏蔽物140或接地。
在圖5之說明性實施例中，導線582包含在一絕緣包覆材料中之一金屬導線。舉例而言，導線582可由在一塑膠套中之一銅導線形成。然而，圖5中之實施例係說明性，且應瞭解，導線582可係包含一內導電部分及一外絕緣部分之任何適合導線或導線組合。舉例而言，導線582可包含一電纜線及/或一波導結構。
在圖5之所圖解說明實施例中，第一電連接器584包含經組態以可移除地耦合至一患者之夾子584。舉例而言，夾子584經展示為連接至電極588，電極588經組態以黏合至一患者。然而，應瞭解，第一電連接器584可包含經組態以用於藉由實體接觸直接、透過諸如電極588之一附接裝置間接或以任何其他適合方式耦合至一患者之任何電連接器。
在某些實施例中，電導體580可經組態以用於經由第二電連接器586可移除地耦合至電磁屏蔽物540。在圖5之說明性實施例中，舉例而言，第二電連接器586包含經組態以用於可移除地耦合至一互補香蕉插頭之一香蕉插頭。在某些實施例中，第二電連接器586可經組態以用於連接至電磁屏蔽物140之一互補電連接器。然而，應瞭解，在某些實施例中，第二電連接器586可經組態以用於連接至突波保護電路160之一互補電連接器，突波保護電路160可耦合至電磁屏蔽物140。在某些實施例中，第二電連接器586可透過電力系統110之一電力連接直接(舉例而言藉由可移除地耦合至電力系統110之一互補插座)或透過電磁屏蔽物140間接(舉例而言藉由可移除地耦合至電磁屏蔽物140之一互補插座)接地。在某些實施例中，第二電連接器586可透過突波保護電路160(舉例而言藉由可移除地耦合至突波保護電路160之一互補插座)間接接地。
應瞭解，第二電連接器586可包含其他類型之電連接器，諸如夾子，且可包含諸如導電帶之額外導電附接裝置。發明人已認識到，電導體580與患者之間的一可移除連接可在強制地將電導體斷開連接之事件中阻止對MRI系統之損壞。舉例而言，若對電導體580加過應力(例如，由於在耦合至電磁屏蔽物140時一患者移動遠離MRI系統)，則第一電連接器584及/或第二電連接器584可經組態以與患者或電磁屏蔽物140斷開連接以阻止對MRI系統之損壞。應瞭解，在某些實施例中，第二電連接器586可固定地而非可移除地附接至電磁屏蔽物140，或附接至電力系統110或突波保護電路160。舉例而言，第一電連接器584可經組態以用於可移除地附接至電極588，使得可藉由將第一電連接器584斷開連接同時第二電連接器586保持連接至電磁屏蔽物140而阻止對MRI系統之損壞。
圖6係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之說明性導電薄片680之一圖式。在圖6之說明性實施例中，導電薄片680經組態以電容性地耦合至一患者，使得由該患者自周圍環境捕獲之電磁雜訊可耦合至電磁屏蔽物140或接地。導電薄片680包含耦合至電連接器686之導線682。
在說明性實施例中，導電薄片680定位於患者下面。舉例而言，導電薄片680可定位於患者與自下面支撐患者之一表面之間。導電薄片680可由諸如銅或鋁之任何適合導電材料形成。
在圖6之所圖解說明實施例中，電絕緣層650定位於導電薄片680上面，使得導電薄片680經組態以電容性地耦合至患者。在某些實施例中，電絕緣層650可改良導電薄片680與患者之間的電容性耦合。在某些實施例中，電絕緣層650可提供舒適支撐給患者。在某些實施例中，電絕緣層650可由可既改良導電薄片680與患者之間的電容性耦合又為患者提供舒適支撐之一緩衝介電材料形成。應瞭解，導電薄片680可定位於患者上面、下面或毗鄰患者，且電絕緣層650可因此定位於導電薄片680與患者之間。替代地，在某些實施例中，導電薄片680可定位於電絕緣層650與患者之間。在某些實施例中，一個以上電絕緣層650可安置於導電薄片680上面、下面或以其他方式毗鄰於導電薄片680。
在某些實施例中，導電薄片680可經組態以用於經由端接在電連接器686中之導線682可移除地連接至電磁屏蔽物140或接地。在圖6之說明性實施例中，電連接器686包含經組態以用於以結合圖5針對第二電連接器586所闡述之方式可移除地連接至一互補香蕉插頭之一香蕉插頭。在某些實施例中，電連接器686可連接至電磁屏蔽物140之一互補插座，及/或透過電力系統110或突波保護電路160接地。應瞭解，電連接器686可包含其他類型之電連接器，諸如夾子，且可包含諸如導電帶之額外導電附接裝置。
應瞭解，在某些實施例中，導電薄片680可經組態以透過實體接觸導電地耦合至患者。舉例而言，某些實施例不包含電絕緣層650。
圖7係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之說明性導電墊780之一圖式。在圖7之說明性實施例中，導電墊780毗鄰磁系統120之組件720而安置，其中電磁屏蔽物140之屏蔽部分724安置於導電墊780與組件720之間。電絕緣層726安置於屏蔽部分724與導電墊780之間。導電墊780經由穿過電絕緣層726之導電部件728耦合至電磁屏蔽物724。
在圖7之說明性實施例中，導電墊780包含用於電容性地且導電地耦合至患者之導電層788a及788b。舉例而言，導電層788a安置於導電墊780之一外表面上且經組態以用於透過實體接觸導電地耦合至一患者。另外，導電層788b經展示為安置於一或多個電絕緣層784內，且經組態以用於電容性地耦合至患者。應瞭解，導電墊780可包含導電層788a及788b，或可包含僅導電層788a或僅導電層788b。
在說明性實施例中，導電墊780包含電絕緣層784。在某些實施例中，導電層788a安置於電絕緣層784周圍。舉例而言，在導電墊780之外表面上之導電層788a導電地耦合至患者之同時，電絕緣層784可為患者提供舒適支撐。在某些實施例中，導電層788b安置於電絕緣層784內。舉例而言，在導電層788b電容性地耦合至患者之同時，電絕緣層784可提供舒適支撐且實體地接觸患者。然而，應瞭解，某些實施例不包含電絕緣層784。
在某些實施例中，導電墊780經組態以用於經由端接在電連接器786中之導線782可移除地耦合至電磁屏蔽物140或接地。在圖7之說明性實施例中，電連接器786包含經組態以用於以結合圖5及圖6針對第二電連接器586及電連接器686所闡述之方式可移除地連接至一互補香蕉插頭之一香蕉插頭。在某些實施例中，電連接器786可耦合至電磁屏蔽物140、電力系統110或突波保護電路160之一互補插座。應瞭解，電連接器786可包含其他類型之電連接器，諸如夾子，且可包含諸如導電帶之額外導電附接裝置。
在某些實施例中，導電墊780可透過導電部件728耦合至電磁屏蔽物140。在圖7之說明性實施例中，導電部件728耦合於導電墊780與電磁屏蔽物140之屏蔽部分724之間。導電部件728可由諸如銅或鋁之任何適合導電材料形成。在某些實施例中，導電部件728可包含經組態以在放置於導電墊780下面時朝向患者延伸且朝向屏蔽部分724壓縮之一柔順銅突片。在某些實施例中，導電部件728可透過電絕緣層726將導電墊780耦合至屏蔽部分724。電絕緣層726可由諸如塑膠之任何適合電絕緣材料形成。
在某些實施例中，導電墊780可耦合至屏蔽部分724。在圖7之說明性實施例中，屏蔽部分724定位於導電墊780與磁系統120之組件720之間。在某些實施例中，電磁屏蔽物140之部分724可定位於組件720 (諸如磁系統120之B0 磁體122、勻場線圈124、RF傳輸及/或接收線圈126及/或梯度線圈128)與其中可安置有導電墊780之成像區域之間。在某些實施例中，屏蔽部分724可包含一頻率選擇網，該頻率選擇網經組態以阻擋由磁系統120之RF線圈產生之實質上所有電磁輻射且不阻擋由組件720之梯度線圈產生之實質上任何電磁輻射。
電磁屏蔽物之頻率選擇性特性取決於若干個因素，包含所使用之材料類型、材料厚度、電磁屏蔽物中之孔隙之大小及形狀(例如，一導電網中之空間之大小、未屏蔽部分或屏蔽物中之間隙之大小等)及/或孔隙相對於一入射電磁場之定向。此等特性可經選擇使得頻率選擇網經組態以阻擋在一第一頻率範圍中之實質上所有電磁輻射且經組態以不阻擋在一第二頻率範圍中之實質上任何電磁輻射。
在某些實施例中，RF線圈可經組態以產生在或高於2.76 MHz之電磁輻射，且梯度線圈可經組態以產生介於大致1 KHz與大致10 KHz之間的電磁輻射。因此，在某些實施例中，屏蔽部分724可包含具有介於50與150條線/英吋之間、介於75與125條線/英吋之間、介於85與115條線/英吋之間、介於90與110條線/英吋之間的一密度或在此等範圍中之任何其他適合密度範圍中之一密度之一銅網。因此，屏蔽部分724可經組態以吸收及/或反射具有在或高於大致2.76 MHz之一頻率之實質上所有電磁輻射，且不吸收及/或反射具有介於大致1 KHz與大致10 KHz之間的一頻率之實質上任何電磁輻射。
發明人已認識到，電磁屏蔽物140之部分724為MRI系統100A提供一低電抗路徑。在圖1A之說明性實施例中，一患者可耦合至電磁屏蔽物140之屏蔽部分724，舉例而言藉由直接(或透過突波保護電路160間接)耦合至屏蔽部分724之導電墊780。在某些實施例中，患者可耦合至屏蔽部分742。在某些實施例中，患者可替代地或另外透過屏蔽部分724接地。舉例而言，屏蔽部分724可耦合至電力系統110之一電力連接。在某些實施例中，導電墊780可透過導線782及電連接器786中之每一者耦合至屏蔽部分724。
圖8A係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之說明性突波保護電路860a之一圖式。在圖8A之說明性實施例中，突波保護電路860a包含殼體862a、電路板864及電連接器866。在某些實施例中，突波保護電路860a可耦合於一患者與電磁屏蔽物840之間。舉例而言，突波保護電路860a經展示為連接於電導體180之導線882與電磁屏蔽物840之間。在某些實施例中，突波保護電路860a可連接於導線882與電力系統110之一電力連接之間。
在圖8A之說明性實施例中，突波保護電路860a容納於殼體862a中。殼體862a可使用諸如鋁之任何適合導電材料形成，使得突波保護電路860a可透過殼體862a耦合至電磁屏蔽物840。替代地，殼體862a可使用諸如塑膠之一電絕緣材料形成。舉例而言，突波保護電路860a可包含經組態以耦合至電磁屏蔽物840之一互補電連接器之一電連接器。儘管殼體862a經展示為具有一敞開門，使得可看到電路板864，但應瞭解，在某些實施例中，殼體862a可不包含一門。另外，某些實施例不包含殼體862a。
在某些實施例中，突波保護電路860a可經組態以用於可移除地耦合至電導體180。在圖8A之說明性實施例中，突波保護電路860a經由電連接器866耦合至電導體180之導線882。導線882包含一香蕉插頭且電連接器866包含經組態以接納導線882之香蕉插頭之一互補香蕉插頭。在某些實施例中，突波保護電路860a包含經組態以接納電導體180之多個電連接器866。應瞭解，電連接器866可包含經組態以用於可移除地耦合至諸如一夾子之一電導體及/或諸如導電帶之一附接裝置之任何適合類型之電連接器。
突波保護電路860a經組態以在一電突波之事件或其他過電壓事件(例如，靜電放電)中透過電磁屏蔽物840或透過一接地連接保護一患者免受電刑。舉例而言，突波保護電路860a之電路板864可包含經組態以隔離在電力傳輸頻率(例如，50至60 Hz)下之電突波能量與電磁屏蔽物840且將在操作頻率(例如，2.76 MHz)下之電磁雜訊耦合至電磁屏蔽物840之一高通濾波器。該高通濾波器可提供在電力傳輸頻率下之一高阻抗(例如，在大致50至60 Hz下之大致1 MΩ)及在操作頻率下之一低阻抗(例如，在2.76 MHz下之100 Ω)。在本文中(包含參考圖9)闡述該高通濾波器。
圖8B係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之說明性突波保護電路860b之一圖式。在圖8B之說明性實施例中，突波保護電路860b包含殼體862b、電路板864 (自視圖隱藏)及電連接器866。與殼體862a不同，殼體862b包含端接在一帽蓋中之一圓柱體。另外，在圖8B中，殼體862b經展示為關閉的，使得自視圖隱藏電路板864。突波保護電路860b經組態以保護一患者在耦合至電磁屏蔽物840及/或接地時因一電突波或其他過電壓事件而受電刑。舉例而言，突波保護電路860a可經組態以用於以結合圖8A所闡述之方式耦合於一患者與電磁屏蔽物840之間及/或耦合至接地。
在圖8B之說明性實施例中，突波保護電路860b容納於殼體862b中。殼體862b包含端接在帽蓋863中之圓柱體861。在某些實施例中，導線882可纏繞在圓柱體861周圍且藉由帽蓋863固持於適當位置中。殼體862b可使用諸如鋁之任何適合導電材料形成，使得突波保護電路860b可透過殼體862b耦合至電磁屏蔽物840。替代地，殼體862b可使用諸如塑膠之一電絕緣材料形成。舉例而言，突波保護電路860b可包含經組態以耦合至電磁屏蔽物840之一互補電連接器之一電連接器。應瞭解，在某些實施例中，殼體862b可包含一門。另外，某些實施例不包含殼體862b。
殼體862b之態樣(諸如端接在帽蓋863中之圓柱體861)允許在MRI系統之一操作環境中耦合至一或多個周邊裝置之電導體耦合至電磁屏蔽物840，使得來自周邊裝置之電磁雜訊可與MRI系統之成像區域隔離。舉例而言，連接至患者之周邊裝置可在MRI系統之操作頻率下引入額外電磁雜訊。連接至該等周邊裝置之電導體可包裹在圓柱體861周圍且藉由帽蓋863保持穩定，使得由電導體傳導之電磁雜訊可感應地耦合至電磁屏蔽物840。因此，可阻止來自該等周邊裝置之電磁雜訊到達成像區域且影響MRI系統之操作。
應瞭解，突波保護電路860b包含可以結合圖8A所闡述之方式操作之電路板864及電連接器866。
圖9係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者耦合之電磁雜訊之一MRI系統之說明性突波保護電路960之一電路圖式。在圖9之說明性實施例中，突波保護電路960包含電路板964，電路板964包含輸入節點972及諸如電阻器974及電容器976之電路組件。另外，電路板964包含可耦合至電磁屏蔽物140及/或透過電力系統110接地之外部連接912。
在某些實施例中，輸入節點972可耦合至電導體180。舉例而言，電導體180之一電連接器可耦合至輸入節點972。因此，突波保護電路960可在輸入節點972處自患者接收電磁雜訊。另外，在一電突波事件中，可在輸入節點972處接收電突波能量。
在圖9之說明性實施例中，電路板964包含經組態以將在輸入節點972處接收之電磁雜訊耦合至外部連接912且隔離在輸入節點972處接收之電突波能量與外部連接912之一高通濾波器。該高通濾波器可經組態以隔離低於一截止頻率之電能且將高於該截止頻率之電能耦合至外部連接912。舉例而言，電阻器974及電容器976包含判定高通濾波器之截止頻率之一並聯電阻器-電容器(RC)電路。低於截止頻率，RC電路之一阻抗足夠大以隔離電能。高於截止頻率，RC電路之阻抗足夠小以不再隔離電能。在某些實施例中，高通濾波器經組態以在電力傳輸頻率(例如，大致50至60 Hz)下提供一高阻抗(例如，大致2.6 MΩ)且在操作頻率(例如，2.76 MHz)下提供一低阻抗(例如，100 Ω)。因此，在電力傳輸頻率下之電突波能量可與外部連接912隔離，且在操作頻率下之電磁雜訊可耦合至外部連接912。
應瞭解，高通濾波器可經組態以提供除上文規定之阻抗以外之所要阻抗。在某些實施例中，高通濾波器可經組態以提供介於1 MΩ與5 MΩ之間、介於5 MΩ與10 MΩ之間、介於10 MΩ與20 MΩ之間的一阻抗或在電力傳輸頻率下之任何其他適合高阻抗。在某些實施例中，高通濾波器可經組態以提供介於25 Ω與75 Ω之間、介於50 Ω與100 Ω之間、介於100 Ω與250 Ω之間的一阻抗或在操作頻率下之任何其他適合低阻抗。
突波保護電路960經組態以將在輸入節點972處接收之電磁雜訊耦合至外部連接912。在圖9之說明性實施例中，高通濾波器可在外部連接912處透過電力系統110耦合至電磁屏蔽物140及/或接地。舉例而言，高通濾波器可在電力系統110之一電力連接處耦合至接地。
圖10圖解說明根據本文中所闡述之技術之某些實施例之永久B0 磁體1020。特定而言，B0 磁體1020由配置成一雙平面幾何結構之永久磁體及捕獲由該等永久磁體產生之電磁通量之軛1090形成且將通量轉移至對置永久磁體以增加永久磁體之間的通量密度。該等永久磁體中之每一者由複數個同心永久磁體形成。特定而言，如圖10中可見，每一永久磁體包括一外永久磁體環1022a、一中間永久磁體環1022b、一內永久磁體環1022c及在中心之一永久磁體盤1022d。每一永久磁體可包括相同組永久磁體元件作為所圖解說明底部永久磁體。
可取決於系統之系統要求而選擇所使用之永久磁體材料。舉例而言，根據某些實施例，永久磁體(或其某一部分)可由NdFeB製成，一旦經磁化，NdFeB便產生具有一相對高磁場/單元材料體積之一磁場。根據某些實施例，SmCo材料用於形成永久磁體或其某一部分。雖然NdFeB產生較高場強度(且一般不如SmCo昂貴)，但SmCo展現較少熱漂移且因此面對溫度波動而提供一更穩定磁場。亦可使用其他類型之永久磁體材料，此乃因態樣在此方面不受限制。一般而言，所利用之一或若干永久磁體材料類型將至少部分地取決於一給定B0 磁體實施方案之場強度、溫度穩定性、重量、成本及/或使用容易度要求。
永久磁體環經定大小且經配置以在永久磁體之間的中央區域(視域)中產生一所要強度之一均質場。在圖10中所圖解說明之例示性實施例中，每一永久磁體環包括複數個節段，每一節段使用在徑向方向上堆疊且在周邊周圍毗鄰於彼此而定位以形成各別環之複數個區塊形成。發明人已瞭解，藉由使每一永久磁體之寬度變化(在與環相切之方向上)，可在使用較少材料之同時達成可用空間之較少浪費。舉例而言，堆疊之間不產生可用磁場之空間可藉由使區塊之寬度(舉例而言)作為區塊之徑向位置之函數而變化來減少，從而允許一更緊密擬合以減少浪費空間且最大化可在一給定空間中產生之磁場量。亦可以任一所要方式使區塊之尺寸變化以促進產生所要強度及均質性之一磁場，如下文進一步詳細地闡述。
B0 磁體1020進一步包括軛1090，軛1090經組態且經配置以捕獲由永久磁體產生之磁通量且將其引導至B0 磁體之對置側以增加永久磁體之間的通量密度，從而增加B0 磁體之視域內之場強度。藉由捕獲磁通量且將其引導至永久磁體之間的區域，較少永久磁體材料可用於達成一所要場強度，因此減小B0 磁體之大小、重量及成本。替代地或另外，對於給定永久磁體，可增加場強度，因此在不必須使用經增加量之永久磁體材料之情況下改良系統之SNR。對於例示性B0 磁體1020，軛1090包括一框架1092以及板1094a及1094b。板1094a及1094b捕獲由永久磁體產生之磁通量且將其引導至框架1092以經由軛之磁性返迴路徑循環從而增加B0 磁體之視域中之通量密度。軛1090可由任何所要鐵磁材料(舉例而言，低碳鋼、CoFe及/或矽鋼等)構造以提供軛之所要磁性性質。根據某些實施例，板1094a及1094b (及/或框架1092或其部分)可在其中梯度線圈可幾乎普遍地感應渦電流之區中由矽鋼或諸如此類構造。
例示性框架1092包括分別附接至板1094a及1094b之臂，且支援為由永久磁體產生之通量提供磁性返迴路徑。該等臂一般經設計以減少支撐永久磁體所需要之材料量同時為由永久磁體產生之磁通量之返迴路徑提供充足剖面。每一臂在由B0 磁體產生之B0 場之一磁性返迴路徑內具有兩個支撐件。該等支撐件製作為其間形成有一間隙，從而為框架提供一定程度的穩定性及/或為結構提供輕巧性，同時為由永久磁體產生之磁通量提供充分剖面。舉例而言，磁通量之返迴路徑所需要之剖面可在兩個支撐結構之間經劃分，因此提供一充分返迴路徑同時增加框架之結構完整性。應瞭解，額外支撐件可添加至結構，此乃因技術不限於與僅兩個支撐件及任一特定數目之多個支撐件結構一起使用。
如上文所闡述，例示性永久磁體包括與在中心之一永久磁體盤同心地配置之複數個永久磁性材料環。每一環可包括複數個鐵磁性材料堆疊以形成各別環，且每一堆疊可包含一或多個區塊，其可具有任一數目(在某些實施例中及/或在某些環中包含一單個區塊)。形成每一環之區塊可經定尺寸且經配置以產生一所要磁場。發明人已認識到，根據某些實施例，區塊可以若干種方式經定尺寸以降低成本、減少重量及/或改良所產生之磁場之均質性。在以其全文引用方式併入本文中之標題為「用於磁共振成像方法及設備之電磁屏蔽物」之第2018/0164390號美國專利申請案中闡述B0 磁體之額外態樣，諸如B0 磁體1020。
圖11係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之說明性雜訊減少系統1130之一圖式。在圖11之說明性實施例中，雜訊減少系統1130經組態以偵測自經成像之一對象1132之經激發原子發射之MR信號，且表徵環境中之雜訊以抑制經表徵雜訊或自所偵測到之MR信號移除經表徵雜訊，如下文進一步詳細地闡述。
在圖11之說明性實施例中，雜訊減少系統1130包含主要RF接收線圈1126，主要RF接收線圈1126經組態以量測由對象1132回應於一激發脈衝序列(例如，選自脈衝序列儲存庫108且由控制器106執行之一脈衝序列)而激發之MR信號。該激發脈衝序列可由主要RF接收線圈1126及/或由一或多個其他傳輸RF線圈產生，該等其他傳輸RF線圈接近對象1132而配置且經組態以在操作時產生適合MR脈衝序列。主要接收線圈1126可係一單個線圈或可係複數個線圈，在後一情形中該複數個線圈可用於執行並行MRI。調諧電路1136促進主要接收線圈1126之操作且由RF線圈1126偵測到之信號經提供至獲取系統1138，獲取系統1138可放大該等所偵測到之信號，將該等所偵測到之信號數位化，及/或執行任何其他適合類型之處理。
雜訊減少系統1130亦包含輔助感測器1134，輔助感測器1134可包含經組態以偵測或以其他方式量測環境中之雜訊源及/或由MRI系統自身產生之環境雜訊之任一數目或類型之感測器。由輔助感測器1134量測之雜訊可經表徵且用於抑制由主要RF線圈1126使用下文進一步詳細闡述之技術偵測到之MR信號中之雜訊。在獲取系統1138處理由RF線圈1126及輔助感測器1134偵測到之信號之後，獲取系統1138可將該等經處理信號提供至MRI系統之一或多個其他組件以用於進一步處理(例如，以在形成對象1132之一或多個MR影像中使用)。獲取系統1138可包含任何適合電路系統且可包含(舉例而言)經組態以控制MRI系統執行雜訊抑制之一或多個控制器及/或處理器。
發明人已瞭解，藉由將一或多個輔助感測器耦合至系統之一或多個EMI屏蔽物(例如，一或多個組件之一法拉第籠或諸如此類)，由一或多個EMI屏蔽物吸收之雜訊可經量測、經表徵且用於抑制雜訊及/或自所偵測到之MR信號消除雜訊。根據某些實施例，輔助感測器包含耦合於患者與電磁屏蔽物140之間及/或接地之一或多個感測器以量測由患者自周圍環境捕獲之雜訊(此可用於促進雜訊抑制)。舉例而言，自電導體180、電磁屏蔽物140及/或突波保護電路160偵測到之雜訊可用於至少部分地計算可在抑制雜訊及/或自所偵測到之MR信號消除雜訊中利用之一變換。因此，一或多個輔助感測器可耦合至以下各項中之每一者或耦合於以下各項之間：電導體180、電磁屏蔽物140 (包含屏蔽部分724)及突波保護電路160。應瞭解，輔助感測器可包含能夠偵測雜訊之任何其他類型之感測器，此乃因態樣在此方面不受限制。
在某些實施例中，輔助感測器1134可包含經組態以量測來自在其中操作MRI系統之環境中之一或多個雜訊源之雜訊之一或多個輔助線圈。在某些例項中，輔助RF線圈可經構造以對周圍雜訊比對由線圈自身產生之任何雜訊實質上更敏感。舉例而言，輔助RF線圈可具有一充分大孔隙及/或一定匝數，使得輔助線圈對來自環境之雜訊比對由輔助線圈自身產生之雜訊更敏感。在某些實施例中，與主要RF線圈1126相比，輔助RF線圈可具有一較大孔隙及/或一較大匝數。然而，輔助RF線圈可在此方面與主要RF線圈相同及/或可在其他方面不同於主要RF線圈1126，此乃因本文中所闡述之技術不限於任何特定線圈選擇。舉例而言，在某些實施例中，替代一RF線圈類型感測器而使用一不同類型之一輔助感測器。在以其全文引用方式併入本文中之標題為「雜訊抑制方法及設備」之第9,797,971號美國專利中闡述雜訊減少系統之額外態樣，諸如雜訊減少系統1130。
圖12係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之用於操作經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之說明性方法1200之一圖式。方法1200包含：在步驟1202處透過MRI系統之電導體180將患者耦合至電磁屏蔽物140；及在步驟1204處使用MRI系統使患者成像。在某些實施例中，可藉由使用本文中所闡述之MRI系統中之任一者且由MRI系統之一或多個操作者(例如，可包含一技師、護士、臨床醫生或任何其他適合操作者之使用者102)執行方法1200。操作者可在藉助MRI系統使患者成像或執行任何其他操作之前將患者耦合至電磁屏蔽物140。替代地，可在將患者耦合至電磁屏蔽物140之前執行MRI系統之某一成像或其他操作(例如，初始化、由減少系統進行之雜訊偵測或任何其他適合操作)。
在某些實施例中，在步驟1202處透過電導體180將患者耦合至電磁屏蔽物140可包含MRI系統之操作者將電導體180附接至患者或將電導體180放置於患者之一電容性耦合範圍內。舉例而言，操作者可將耦合至電磁屏蔽物140之一或多個導線黏合至患者。在某些例項中，操作者可將導電帶之一或多個電極或條帶黏合至患者，且將導線夾緊(或將任何其他適合電連接器連接)至電極或條帶。替代地或另外，操作者可將患者定位為與一導電薄片或墊之一導電部分實體接觸，或可將患者放置為足夠靠近於導電薄片或墊，由患者捕獲之雜訊透過該導電薄片或墊電容性地耦合至電磁屏蔽物140。該導電薄片或墊可接線或以其他方式耦合至電磁屏蔽物140。
本文中所闡述之電容性耦合範圍係指電能可在兩個或兩個以上導電物件之間有效地耦合之一範圍。一般而言，電容性耦合取決於多個因素。通常，兩個或兩個以上導電物件(例如，板、薄片或任何其他適合物件)取決於導電物件當中之電容而在一頻率範圍下將電能電容性地耦合至彼此。基於每一物件之一表面積、將物件分開之材料之一介電常數及物件當中之間距而判定電容。物件之較大表面積、將物件分開之具有一較高介電常數之材料及物件當中之較靠近間距可增加電容。給定一電容，電能可由於在一特定頻率範圍下之非常小阻抗而高效地電容性地耦合且電能可由於在另一頻率範圍下之大阻抗而不高效地電容性地耦合。舉例而言，兩個物件之間的1 nF之一電容可產生在2.6 MHz下之一低阻抗(例如，大致60 Ω)及在60 Hz下之一高阻抗(例如大致2.6 MΩ)。可針對一特定電容在其中阻抗低於250 Ω之一頻率範圍中發生如本文中所闡述之高效電容性耦合。
應瞭解，在步驟1202處透過電導體180將患者耦合至電磁屏蔽物140可包含透過電力系統110之一電力連接直接或(舉例而言)透過電磁屏蔽物140、突波保護電路160間接或以任何其他適合方式將患者接地。
在某些實施例中，將電導體180耦合於患者與電磁屏蔽物140之間包含將患者耦合至突波保護電路160，突波保護電路160耦合至電磁屏蔽物140。舉例而言，突波保護電路160可安裝且連接至屏蔽物140之一外表面。操作者可在黏合至患者或連接至導電薄片或墊之一導線之端處將一電連接器插塞至突波保護電路160上之一互補連接器中。
在某些實施例中，在步驟1202處透過電導體180將患者耦合至電磁屏蔽物140可包含透過導電薄片680將患者耦合至電磁屏蔽物140。在某些實施例中，透過導電薄片680將患者耦合至電磁屏蔽物140可包含操作者將患者定位於導電薄片680上、下面或以其他方式毗鄰導電薄片680以便進行實體接觸或在導電薄片680之電容性耦合範圍內。
在某些實施例中，在步驟1202處透過電導體180將患者耦合至電磁屏蔽物140可包含透過導電墊780將患者耦合至電磁屏蔽物140。在某些實施例中，透過導電墊780將患者耦合至電磁屏蔽物140可包含操作者將患者定位於導電墊780上、下面或以其他方式毗鄰導電墊780以便進行實體接觸或在導電墊780之導電層之電容性耦合範圍內。
在步驟1204處，使用MRI系統使患者成像。舉例而言，操作者可將患者之解剖結構之一部分定位於MRI系統之成像區域中，且操作MRI系統以使患者成像。在某些實施例中，在步驟1204處使用MRI系統使患者成像可包含至少部分地藉由根據一脈衝序列產生磁場而產生患者之解剖結構之一磁共振影像且使用至少一個射頻線圈偵測自患者之解剖結構之部分發射之磁共振信號。舉例而言，操作者可操作MRI系統(例如，使用計算裝置104)以使患者成像。控制器106可經組態以控制電力系統110根據各種脈衝序列操作磁性組件120 (例如，B0 磁體、勻場線圈、梯度線圈及射頻線圈)。因此，可由B0 磁體122、勻場線圈124、RF傳輸及/或接收線圈126及梯度線圈128產生及/或傳輸磁場及磁共振信號以用於使患者成像。
在如此闡述本發明中所陳述之技術之數個態樣及實施例之後，應瞭解，熟習此項技術者將容易地想到各種變更、修改及改良。此等變更、修改及改良意欲在本文中所闡述之技術之精神及範疇內。舉例而言，熟習此項技術者將容易地想像用於執行本文中所闡述之功能及/或獲得本文中所闡述之結果及/或優點中之一或多者之各種其他構件及/或結構，且此等變化及/或修改中之每一者皆被認為係在本文中所闡述之實施例之範疇內。熟習此項技術者將認識到或能夠不僅使用常規實驗來確定本文中所闡述之特定實施例之諸多等效內容。因此，應理解，前述實施例僅係以實例方式呈現且在隨附申請專利範圍及其等效內容之範疇內，可以不同於所特定闡述之方式來實踐發明性實施例。另外，若兩個或兩個以上特徵、系統、物件、材料及/或方法不相互矛盾，則此等特徵、系統、物件、材料及/或方法之任何組合皆包含在本發明之範疇內。
可以眾多方式中之任一者實施上文所闡述之實施例。涉及程序或方法之執行之本發明之一或多個態樣及實施例可利用可由一裝置(例如，一電腦、一處理器或其他裝置)執行以執行程序或方法或者控制程序或方法之執行之程式指令。在此方面，各種發明性概念可體現為一電腦可讀儲存媒體(或多個電腦可讀儲存媒體) (例如，一電腦記憶體、一或多個軟碟、緊湊光碟、光碟、磁帶、快閃記憶體、場可程式化閘極陣列或其他半導體裝置中之電路組態或者其他有形電腦儲存媒體)，該電腦可讀媒體編碼有在於一或多個電腦或其他處理器上執行時執行實施上文所闡述之各種實施例中之一或多者之方法之一或多個程式。該一或若干電腦可讀媒體可係可運輸的，使得儲存於其上之該一或若干程式可載入至一或多個不同電腦或其他處理器上以實施上文所闡述之態樣中之各種態樣。在某些實施例中，電腦可讀媒體可係非暫時性媒體。
在本文中以一般意義來使用術語「程式」或「軟體」以係指任何類型之電腦程式碼或電腦可執行指令集，可採用該電腦程式碼或電腦可執行指令集來程式化一電腦或其他處理器以實施如上文所闡述之各種態樣。另外，應瞭解，根據一項態樣，在經執行時執行本發明之方法之一或多個電腦程式不需要駐存於一單個電腦或處理器上，而是可以一模組化方式分佈在若干個不同電腦或處理器當中以實施本發明之各種態樣。
電腦可執行指令可呈諸多形式，諸如由一或多個電腦或其他裝置執行之程式模組。一般而言，程式模組包含執行特定任務或實施特定抽象資料類型之常式、程式、物件、組件、資料結構等。通常，程式模組之功能性可在各種實施例中視期望而經組合或分佈。
而且，資料結構可以任何適合形式儲存於電腦可讀媒體中。為了圖解說明簡單，資料結構可經展示以具有透過資料結構中之位置相關之域。此等關係可同樣地藉由為具有在一電腦可讀媒體中傳達域之間的關係之位置之域指派儲存區而達成。然而，任何適合機制可用於在一資料結構之域中之資訊之間建立一關係，包含透過使用建立資料元素之間的關係之指標、標籤或其他機制。
可以眾多方式中之任一者實施本發明之上文所闡述之實施例。舉例而言，實施例可使用硬體、軟體或其一組合來實施。當以軟體來實施時，可在任何適合處理器或處理器集合(無論設置於一單個電腦中還是分佈在多個電腦當中)上執行軟體程式碼。應瞭解，執行上文所闡述之功能之任何組件或組件集合可一般被視為控制上文所闡述之功能之一控制器。一控制器可以眾多方式、諸如以專用硬體或以使用微程式碼或軟體來程式化以執行上文所述之功能之一般用途硬體(例如，一或多個處理器)來實施，且可在該控制器對應於一系統之多個組件時以若干方式之一組合來實施。
此外，應瞭解，一電腦可以若干種形式中之任一者來體現，諸如一機架安裝式電腦、一桌上型電腦、一膝上型電腦或一平板電腦(作為非限制性實例)。另外，一電腦可嵌入於一般不被視為一電腦但具有適合處理能力之一裝置(包含一個人數位助理(PDA)、一智慧型電話或者任何其他適合可攜式或固定電子裝置)中。
而且，一電腦可具有一或多個輸入及輸出裝置。除其他事物外，亦可使用此等裝置來呈現一使用者介面。可用於提供一使用者介面之輸出裝置之實例包含用於輸出之視覺呈現之列印機或顯示螢幕及用於輸出之聽覺呈現之揚聲器或其他聲音產生裝置。可用於一使用者介面之輸入裝置之實例包含鍵盤及指向裝置，諸如滑鼠、觸控板及數位化輸入板。作為另一實例，一電腦可透過語音辨識或以其他聽覺格式接收輸入資訊。
此等電腦可藉由呈任何適合形式之一或多個網路(包含一區域網或一廣域網，諸如一企業網路及智慧型網路(IN)或網際網路)互連。此等網路可基於任何適合技術且可根據任何適合協定來操作，而且可包含無線網路、有線網路或光纖網路。
而且，如所闡述，某些態樣可體現為一或多個方法。作為方法之一部分執行之行動可以任一適合方式排序。因此，實施例可經構造，其中以不同於所圖解說明之一次序執行行動，其可包含同時實施某些行動，即使在說明性實施例中經展示為順序行動。
如本文中所定義及使用之所有定義應理解為控制在辭典定義、以引用方式併入之文檔中之定義及/或所定義術語之普遍意義以內。
除非清楚地指示為相反，否則如本文中在說明書中及在申請專利範圍中所使用之不定冠詞「一(a及an)」應理解為意指「至少一個」。
如本文中在說明書中及在申請專利範圍中所使用，片語「及/或」應理解為意指如此結合之元件中之「任一者或兩者」，即，在某些情形下以結合方式存在且在其他情形下以分離方式存在之元件。以「及/或」列示之多個元件應視為呈相同方式，亦即，如此結合之元件中之「一或多者」。可視情況存在除由「及/或」從句特定識別之元件以外之其他元件，無論與特定識別之彼等元件相關還是不相關。因此，作為一非限制性實例，當結合諸如「包括」之開放式語言使用時，對「A及/或B」之一提及在一項實施例中可係指僅A (視情況包含除B以外之元件)；在另一實施例中，係指僅B (視情況包括除A以外之元件)；在再一實施例中，係指A及B兩者(視情況包含其他元件)；等等。
如本文中在說明書中及在申請專利範圍中所使用，參考一或多個要素之一清單，片語「至少一個」應理解為意指選自該要素清單中之任何一或多個要素之至少一個要素，但未必包含該要素清單內特定列出之各自及每一要素中之至少一者，且不排除該要素清單中之要素之任何組合。此定義亦允許可視情況存在除片語「至少一個」所指之要素清單內特定識別之要素以外之要素，無論與特定識別之彼等要素相關還是不相關。因此，作為一非限制性實例，在一項實施例中，「A及B中之至少一者」(或等效地，「A或B中之至少一者」，或等效地，「A及/或B中之至少一者」)可係指至少一個(視情況包含一個以上) A，而不存在B (且視情況包含除B以外之元件)；在另一實施例中，係指至少一個(視情況包含一個以上) B，而不存在A (且視情況包含除A以外之元件)；在又一實施例中，係指至少一個(視情況包含一個以上) A及至少一個(視情況包含一個以上) B (且視情況包含其他元件)；等等。
而且，本文中所使用之措辭及術語係出於闡述目的且不應視為具限制性。本文中使用「包含(including)」、「包括(comprising)」、「具有(having)」、「含有(containing)」、「涉及(involving)」及其變化形式意指囊括其後所列示之項目及其等效物以及額外項目。
在申請專利範圍中以及在上文說明書中，所有過渡性片語(諸如「包括」、「包含」、「攜載」、「具有」、「含有」、「涉及」、「固持」、「由…構成」及諸如此類)應理解為係開放式的，亦即，意指包含但不限於。僅過渡性片語「由…構成」及「基本上由…構成」應分別係閉合或半閉合過渡性片語。
術語「大致」、「實質上」及「大約」可用於在某些實施例中意味在一目標值之±20%內，在某些實施例中意味在一目標值之±10%內，在某些實施例中意味在一目標值之±5%內，且在某些實施例中意味又在一目標值之±2%內。術語「大致」及「大約」可包含該目標值。
100A:磁共振成像系統 100B:磁共振成像系統/低場磁共振成像系統 102:使用者 104:計算裝置/工作站 106:控制器 108:脈衝序列儲存庫 110:電力系統 112:電源供應器 114:電力組件 116:傳輸/接收開關 118:熱管理組件 120:磁系統/磁性系統 122:B0磁體/磁體 124:勻場線圈 126:射頻傳輸與接收線圈/線圈 128:梯度線圈 130:雜訊減少系統 140:電磁屏蔽物/屏蔽物 160:突波保護電路/突波保護電路系統 180:電導體 200:磁共振成像系統 220:磁系統 240:電磁屏蔽物 260:突波保護電路 270:表面 271:運送機構 280:電導體 288:電極 300:磁共振成像系統 320:磁系統 340:電磁屏蔽物 350:電絕緣層 360:突波保護電路 370:表面 380:電導體/導電薄片 382:導線 400:磁共振成像系統 420:磁系統 440:電磁屏蔽物 460:突波保護電路 480:電導體/導電墊 482:導線 540:電磁屏蔽物 580:電導體 582:導線 584:第一電連接器/夾子 586:第二電連接器 588:電極 650:電絕緣層 680:導電薄片 682:導線 686:電連接器 720:組件 724:屏蔽部分/電磁屏蔽部分/部分 726:電絕緣層 728:導電部件 780:導電墊 782:導線 784:電絕緣層 786:電連接器 788a:導電層 788b:導電層 840:電磁屏蔽物 860a:突波保護電路 860b:突波保護電路 861:圓柱體 862a:殼體 862b:殼體 863:帽蓋 864:電路板 866:電連接器 882:導線 912:外部連接 960:突波保護電路 964:電路板 972:輸入節點 974:電阻器 976:電容器 1020:B0磁體 1022a:外永久磁體環 1022b:中間永久磁體環 1022c:內永久磁體環 1022d:永久磁體環 1090:軛 1092:框架 1094a:板 1094b:板 1126:主要射頻接收線圈/主要接收線圈/射頻線圈/主要射頻線圈 1130:雜訊減少系統 1132:對象 1134:輔助感測器 1136:調諧電路 1138:獲取系統 1200:方法 1202:步驟 1204:步驟
將參考附圖闡述所揭示技術之各種態樣及實施例。應瞭解，各圖未必按比例繪製。
圖1A係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一說明性磁共振成像(MRI)系統之一圖式。
圖1B係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之一說明性磁系統、一電力系統及一控制系統之一圖式。
圖2A及圖2B係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一說明性MRI系統之圖式。
圖3A及圖3B係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一說明性MRI系統之圖式。
圖4A、圖4B及圖4C係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一說明性MRI系統之圖式。
圖5係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者耦合之電磁雜訊之一MRI系統之一說明性電導體之一圖式。
圖6係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之一說明性導電薄片之一圖式。
圖7係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之一說明性導電墊之一圖式。
圖8A係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之一說明性突波保護電路之一圖式。
圖8B係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之一說明性突波保護電路之一圖式。
圖9係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之一說明性突波保護電路之一圖式。
圖10係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之一說明性B0 磁體之一圖式。
圖11係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之一說明性雜訊減少系統之一圖式。
圖12係根據本文中所闡述之技術之某些實施例之用於操作經組態以隔離由一患者傳導之電磁雜訊之一MRI系統之一說明性方法之一圖式。
100A:磁共振成像系統
110:電力系統
120:磁系統/磁性系統
130:雜訊減少系統
140:電磁屏蔽物/屏蔽物
160:突波保護電路/突波保護電路系統
180:電導體

Claims (114)

  1. 一種磁共振(MR)成像系統，其包括： 一磁系統，其具有經組態以產生磁場以用於執行磁共振成像之複數個磁組件； 電磁屏蔽物，其經提供以使該MR成像系統之一操作環境中之至少某些電磁雜訊衰減；及 一電導體，其電耦合至該電磁屏蔽物且經組態以在藉由該MR成像系統使一患者成像期間電耦合至該患者。
  2. 如請求項1之磁共振成像系統，其中該磁系統包括： 至少一個永久B0 磁體，其經組態以產生用於該MR成像系統之一成像區域之一B0 磁場； 複數個梯度線圈，其經組態以在操作時產生磁場以提供所發射磁共振信號之空間編碼；及 至少一個射頻線圈，其經組態以在操作時將射頻信號傳輸至該MR成像系統之一視域且接收自該視域發射之磁共振信號。
  3. 如請求項2之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物之一第一部分定位於該複數個梯度線圈與該MR成像系統之一成像區域之間。
  4. 如請求項3之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物之該第一部分包括一頻率選擇網。
  5. 如請求項4之磁共振成像系統，其中該頻率選擇網經組態以使具有介於1 KHz與10 KHz之間的一頻率之實質上所有電磁信號通過且使具有在或高於2.76 MHz之一頻率之實質上所有電磁信號往回反射。
  6. 如請求項5之磁共振成像系統，其中該頻率選擇網包括具有介於50與150條線/英吋之間的一密度之一銅網。
  7. 如請求項1之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物透過該MR成像系統之一電力連接而接地。
  8. 如請求項1之磁共振成像系統，其中該電導體包括一導電薄片。
  9. 如請求項8之磁共振成像系統，其進一步包括用於在成像期間支撐該患者之一表面，其中該導電薄片之至少一部分安置於該表面上。
  10. 如請求項9之磁共振成像系統，其進一步包括安置於該導電薄片之至少一部分上之一電絕緣層。
  11. 如請求項2之磁共振成像系統，其中該電導體包括一導電墊。
  12. 如請求項11之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物包括定位於該複數個梯度線圈與該導電墊之間的一第一部分，且其中該導電墊電耦合至該第一部分。
  13. 如請求項11之磁共振成像系統，其進一步包括位於該電磁屏蔽物與該導電墊之間的一絕緣層。
  14. 如請求項11之磁共振成像系統，其中該導電墊包括安置於一或多個絕緣層內之一導電層。
  15. 如請求項11之磁共振成像系統，其中該導電墊之一外表面包括一導電層。
  16. 如請求項2之磁共振成像系統，其中該電導體包括耦合至經組態以附接至一患者之一第一電連接器之一第一導線。
  17. 如請求項16之磁共振成像系統，其中該第一電連接器包括一夾子。
  18. 如請求項17之磁共振成像系統，其進一步包括耦合至經組態以附接至該患者之一第二電連接器之一第二導線。
  19. 如請求項16之磁共振成像系統，其中該電導體進一步包括經組態以可移除地附接至一互補插座之一第二電連接器。
  20. 如請求項19之磁共振成像系統，其中該第二電連接器包括一香蕉插頭。
  21. 如請求項2之磁共振成像系統，其進一步包括電耦合於該電磁屏蔽物與該電導體之間的一突波保護電路。
  22. 如請求項21之磁共振成像系統，其中該突波保護電路包括具有高於60 Hz之一截止頻率之一高通濾波器。
  23. 如請求項22之磁共振成像系統，其中該高通濾波器包括一並聯電阻器-電容器(RC)電路及至少一個備用電容器。
  24. 如請求項23之磁共振成像系統，其中該RC電路具有在60 Hz下大於1 MΩ之一阻抗量值及在2.76 MHz下小於100 Ω之一阻抗量值。
  25. 如請求項21之磁共振成像系統，其中該突波保護電路封圍於一殼體內。
  26. 如請求項25之磁共振成像系統，其中該殼體電耦合至該電磁屏蔽物。
  27. 如請求項2之磁共振成像系統，其中該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T之一場強度。
  28. 如請求項27之磁共振成像系統， 其中該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T且大於或等於大致0.1 T之一場強度。
  29. 如請求項27之磁共振成像系統， 其中該B0 磁場具有小於或等於大致0.1 T且大於或等於大致50 mT之一場強度。
  30. 如請求項27之磁共振成像系統， 其中該B0 磁場具有小於或等於大致50 mT且大於或等於大致20 mT之一場強度。
  31. 一種操作一磁共振成像(MRI)系統之方法，該MRI系統包括具有經組態以產生磁場以用於執行MRI之複數個磁組件之一磁系統及一電導體，該方法包括： 使用該電導體將一患者耦合至該MRI系統之電磁屏蔽物；及 使用該MRI系統使該患者成像。
  32. 如請求項31之方法，其中使用該電導體將該患者耦合至該電磁屏蔽物包括將該患者耦合至耦合於該電導體與該電磁屏蔽物之間的一突波保護電路。
  33. 如請求項31之方法，其中該電導體包括一導電薄片，且其中使用該電導體將該患者耦合至該電磁屏蔽物包括透過該導電薄片將該患者耦合至該電磁屏蔽物。
  34. 如請求項33之方法，其中使用該導電薄片將該患者耦合至該電磁屏蔽物包括將該患者定位為與該導電薄片實體接觸。
  35. 如請求項33之方法，其中使用該導電薄片將該患者耦合至該電磁屏蔽物包括將該患者定位於該導電薄片之一電容性耦合範圍內。
  36. 如請求項31之方法，其中該電導體包括一導電墊，且其中使用該電導體將該患者耦合至該電磁屏蔽物包括透過該導電墊將該患者耦合至該電磁屏蔽物。
  37. 如請求項36之方法，其中該導電墊包括在一外表面上之一導電層，且其中使用該導電墊將該患者耦合至該電磁屏蔽物包括將該患者定位為與該導電層實體接觸。
  38. 如請求項36之方法，其中該導電墊包括嵌入於一或多個電絕緣層內之一導電層，且其中使用該導電墊將該患者耦合至該電磁屏蔽物包括將該患者定位於該導電層之一電容性耦合範圍內。
  39. 如請求項31之方法，其中使用該電導體將該患者耦合至該電磁屏蔽物包括：將該電導體之一第一端黏合至該患者，及將該電導體之一第二端連接至該電磁屏蔽物。
  40. 如請求項31之方法，其中使用該MRI系統使該患者成像包括：至少部分地藉由根據一脈衝序列產生磁場而產生該患者之解剖結構之一磁共振影像，及使用至少一個射頻線圈偵測自該患者之解剖結構之部分發射之磁共振信號。
  41. 一種磁共振(MR)成像系統，其包括： 一磁系統，其具有經組態以產生磁場以用於執行磁共振成像之複數個磁組件；及 一接地電導體，其經組態以在藉由該MR成像系統使一患者成像期間將該患者接地。
  42. 如請求項41之磁共振成像系統，其中該磁系統包括： 至少一個永久B0 磁體，其用以產生一磁場以促成用於該MR成像系統之B0 磁場； 複數個梯度線圈，其經組態以在操作時產生磁場以提供所發射磁共振信號之空間編碼；及 至少一個射頻線圈，其經組態以在操作時將射頻信號傳輸至該MR成像系統之一視域且接收自該視域發射之磁共振信號。
  43. 如請求項42之磁共振成像系統，其中該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T之一場強度。
  44. 如請求項41之磁共振成像系統，其進一步包括電磁屏蔽物，其中該電磁屏蔽物係接地的，且其中該接地電導體係透過該電磁屏蔽物而接地。
  45. 如請求項44之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物之一第一部分定位於該複數個梯度線圈與該磁共振成像系統之一成像區域之間。
  46. 如請求項45之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物之該第一部分包括一頻率選擇網。
  47. 如請求項46之磁共振成像系統，其中該頻率選擇網經組態以使具有介於1 KHz與10 KHz之間的一頻率之實質上所有電磁信號通過且使具有在或高於2.76 MHz之一頻率之實質上所有電磁信號往回反射。
  48. 如請求項47之磁共振成像系統，其中該頻率選擇網包括具有介於50與150條線/英吋之間的一密度之一銅網。
  49. 如請求項44之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物透過該MR成像系統之一電力連接而接地。
  50. 如請求項41之磁共振成像系統，其中該接地電導體包括一導電薄片。
  51. 如請求項50之磁共振成像系統，其進一步包括用於在成像期間支撐該患者之一表面，其中該導電薄片之至少一部分安置於該表面上。
  52. 如請求項51之磁共振成像系統，其進一步包括安置於該導電薄片之至少一部分上之一電絕緣層。
  53. 如請求項52之磁共振成像系統，其中該接地電導體包括一導電墊。
  54. 如請求項53之磁共振成像系統，其進一步包括位於該複數個梯度線圈與該導電墊之間的電磁屏蔽物，且其中該導電墊透過該電磁屏蔽物而接地。
  55. 如請求項54之磁共振成像系統，其進一步包括位於該電磁屏蔽物與該導電墊之間的一絕緣層。
  56. 如請求項53之磁共振成像系統，其中該導電墊包括安置於一或多個電絕緣層內之一導電層。
  57. 如請求項53之磁共振成像系統，其中該導電墊之一外表面包括一導電層。
  58. 如請求項52之磁共振成像系統，其中該接地電導體包括耦合至經組態以附接至一患者之一第一電連接器之一第一導線。
  59. 如請求項58之磁共振成像系統，其中該第一電連接器包括一夾子。
  60. 如請求項59之磁共振成像系統，其進一步包括耦合至經組態以附接至一患者之一第二電連接器之一第二導線。
  61. 如請求項58之磁共振成像系統，其中該接地電導體進一步包括經組態以可移除地附接至一互補插座之一第二電連接器。
  62. 如請求項61之磁共振成像系統，其中該第二電連接器包括一香蕉插頭。
  63. 如請求項62之磁共振成像系統，其進一步包括一突波保護電路，該接地電導體係透過該突波保護電路而接地。
  64. 如請求項63之磁共振成像系統，其進一步包括電磁屏蔽物，其中該突波保護電路電耦合於該電磁屏蔽物與該接地電導體之間，且其中該接地電導體及該突波保護電路各自透過該電磁屏蔽物而接地。
  65. 如請求項63之磁共振成像系統，其中該突波保護電路包括具有高於60 Hz之一截止頻率之一高通濾波器。
  66. 如請求項65之磁共振成像系統，其中該高通濾波器包括一並聯電阻器-電容器(RC)電路及至少一個備用電容器。
  67. 如請求項66之磁共振成像系統，其中該RC電路具有在60 Hz下大於1 MΩ之一阻抗量值及在2.76 MHz下小於100 Ω之一阻抗量值。
  68. 如請求項67之磁共振成像系統，其中該突波保護電路封圍於一殼體內。
  69. 如請求項68之磁共振成像系統，其中該殼體包括端接在一帽蓋中之一圓柱體。
  70. 如請求項42之磁共振成像系統， 其中該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T且大於或等於大致0.1 T之一場強度。
  71. 如請求項42之磁共振成像系統， 其中該B0 磁場具有小於或等於大致0.1 T且大於或等於大致50 mT之一場強度。
  72. 如請求項42之磁共振成像系統， 其中該B0 磁場具有小於或等於大致50 mT且大於或等於大致20 mT之一場強度。
  73. 一種磁共振(MR)成像系統，其包括： 一磁系統，其具有經組態以產生磁場以用於執行磁共振成像之複數個磁組件； 電磁屏蔽物，其經提供以使該MR成像系統之一操作環境中之至少某些電磁雜訊衰減，其中該電磁屏蔽物係接地的；及 一電導體，其電耦合至該電磁屏蔽物且經組態以在藉由該MR成像系統使一患者成像期間將該患者接地。
  74. 如請求項73之磁共振成像系統，其中該磁系統包括： 至少一個永久B0 磁體，其經組態以產生用於該MR成像系統之一成像區域之一B0 磁場； 複數個梯度線圈，其經組態以在操作時產生磁場以提供所發射磁共振信號之空間編碼；及 至少一個射頻線圈，其經組態以在操作時將射頻信號傳輸至該MR成像系統之一視域且接收自該視域發射之磁共振信號。
  75. 如請求項74之磁共振成像系統，其中該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T之一場強度。
  76. 如請求項74之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物之一第一部分定位於該複數個梯度線圈與該磁共振成像系統之一成像區域之間。
  77. 如請求項76之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物之該第一部分包括一頻率選擇網。
  78. 如請求項77之磁共振成像系統，其中該頻率選擇網經組態以使具有介於1 KHz與10 KHz之間的一頻率之實質上所有電磁信號通過且使具有在或高於2.76 MHz之一頻率之實質上所有電磁信號往回反射。
  79. 如請求項78之磁共振成像系統，其中該頻率選擇網包括具有介於50與150條線/英吋之間的一密度之一銅網。
  80. 如請求項73之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物透過該MR成像系統之一電力連接而接地。
  81. 如請求項73之磁共振成像系統，其中該電導體包括一導電薄片。
  82. 如請求項81之磁共振成像系統，其進一步包括用於在成像期間支撐該患者之一表面，其中該導電薄片之至少一部分安置於該表面上。
  83. 如請求項82之磁共振成像系統，其進一步包括安置於該導電薄片之至少一部分上之一電絕緣層。
  84. 如請求項74之磁共振成像系統，其中該電導體包括一導電墊。
  85. 如請求項84之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物包括位於該複數個梯度線圈與該導電墊之間的一第一部分，且其中該導電墊透過該第一部分而接地。
  86. 如請求項85之磁共振成像系統，其進一步包括位於該電磁屏蔽物與該導電墊之間的一絕緣層。
  87. 如請求項84之磁共振成像系統，其中該導電墊包括安置於一或多個絕緣層內之一導電層。
  88. 如請求項84之磁共振成像系統，其中該導電墊之一外表面包括一導電層。
  89. 如請求項74之磁共振成像系統，其中該電導體包括耦合至經組態以附接至一患者之一第一電連接器之一第一導線。
  90. 如請求項89之磁共振成像系統，其中該第一電連接器包括一夾子。
  91. 如請求項90之磁共振成像系統，其進一步包括耦合至經組態以附接至該患者之一第二電連接器之一第二導線。
  92. 如請求項88之磁共振成像系統，其中該電導體進一步包括經組態以可移除地附接至一互補插座之一第二電連接器。
  93. 如請求項92之磁共振成像系統，其中該第二電連接器包括一香蕉插頭。
  94. 如請求項74之磁共振成像系統，其進一步包括電耦合於該電磁屏蔽物與該電導體之間的一突波保護電路，且其中該電導體及該突波保護電路各自透過該電磁屏蔽物而接地。
  95. 如請求項94之磁共振成像系統，其中該突波保護電路包括具有高於60 Hz之一截止頻率之一高通濾波器。
  96. 如請求項95之磁共振成像系統，其中該高通濾波器包括一並聯電阻器-電容器(RC)電路及至少一個備用電容器。
  97. 如請求項96之磁共振成像系統，其中該RC電路具有在60 Hz下大於1 MΩ之一阻抗量值及在2.76 MHz下小於100 Ω之一阻抗量值。
  98. 如請求項94之磁共振成像系統，其中該突波保護電路封圍於一殼體內。
  99. 如請求項98之磁共振成像系統，其中該殼體包括端接在一帽蓋中之一圓柱體。
  100. 如請求項98之磁共振成像系統，其中該電磁屏蔽物電耦合至該殼體之至少一部分。
  101. 如請求項75之磁共振成像系統， 其中該B0 磁場具有小於或等於大致0.2 T且大於或等於大致0.1 T之一場強度。
  102. 如請求項75之磁共振成像系統， 其中該B0 磁場具有小於或等於大致0.1 T且大於或等於大致50 mT之一場強度。
  103. 如請求項75之磁共振成像系統， 其中該B0 磁場具有小於或等於大致50 mT且大於或等於大致20 mT之一場強度。
  104. 一種操作一磁共振成像(MRI)系統之方法，該MRI系統包括具有經組態以產生磁場以用於執行MRI之複數個磁組件之一磁系統及一電導體，該方法包括： 透過該電導體將一患者接地；及 使用該MRI系統使該患者成像。
  105. 如請求項104之方法，其中透過該電導體將該患者接地包括將該電導體耦合於該患者與該MRI系統之電磁屏蔽物之間。
  106. 如請求項105之方法，其中將該電導體耦合於該患者與該電磁屏蔽物之間包括將該患者耦合至一突波保護電路，該突波保護電路耦合至該電磁屏蔽物。
  107. 如請求項104之方法，其中透過該電導體將該患者接地包括透過一導電薄片將該患者耦合至接地。
  108. 如請求項107之方法，其中透過該導電薄片將該患者耦合至接地包括將該患者定位為與該導電薄片實體接觸。
  109. 如請求項108之方法，其中透過該導電薄片將該患者耦合至接地包括將該患者定位於該導電薄片之一電容性耦合範圍內。
  110. 如請求項104之方法，其中透過該電導體將該患者接地包括透過一導電墊將該患者耦合至接地。
  111. 如請求項110之方法，其中該導電墊包括在一外表面上之一導電層，且其中透過該導電墊將該患者耦合至接地包括將該患者定位為與該導電層實體接觸。
  112. 如請求項110之方法，其中該導電墊包括嵌入於一或多個電絕緣層內之一導電層，且其中透過該導電墊將該患者耦合至接地包括將該患者定位於該導電層之一電容性耦合範圍內。
  113. 如請求項104之方法，其中透過該電導體將該患者接地包括：將該電導體之一第一端黏合至該患者，及將該電導體之一第二端連接至該MRI系統之電磁屏蔽物。
  114. 如請求項104之方法，其中使用該MRI系統使該患者成像包括：至少部分地藉由根據一脈衝序列產生磁場而產生該患者之解剖結構之一磁共振影像，及使用至少一個射頻線圈偵測自該患者之解剖結構之部分發射之磁共振信號。
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