TW202029629A - 直流電源供應裝置 - Google Patents

Abstract

本發明直流電源供應裝置包括：第一半導體、第二半導體、第三半導體、電壓比較器及時延產生器，構成一個具有調整電流供電於負載及當負載發生過載或短路保護之功能，可以達到所需電流供電於負載及避免負載兩端發生過載或短路所造成之損害。

Description

直流電源供應裝置

本發明直流電源供應裝置，具有在直流電源供應負載時能調整其供應負載的電流量及在供應負載的過程中負載兩端發生過載或短路之保護功能，其包括有第一半導體、第二半導體、第三半導體、電壓比較器及時延產生器之電子技術領域。

如圖1所示，為電池放電保護裝置之實施例，係為台灣發明專利，專利字號：發明第I583089號，為一種安全性的手動運作裝置，其特徵如下：

1.若負載100發生短路時，其第一半導體12開路，電流供電停止而保護電池11。

2.若要恢復正常的電路功能，必需將負載100兩端之短路原因排除，再重新將電池11送電。

本發明的目的：

本發明應用第一半導體、第二半導體、第三半導體、電壓比較器及時延產生器，能達到調整電流大小供電於負載及在供電負載的過程中負載兩端發 生過載或短路時使能直流電源得到保護的功能。

當負載發生短路時，本發明應用第二半導體能在極短之時間內執行第一半導體開路動作，達到保護直流電源電路之功能及避免因負載短路而引起之各種災害。

本發明應用第三半導體及時延產生器，執行第二半導體延時動作及重置(Reset)時間控制之功能，達到短路原因排除時不必重新再送直流電源的動作。

本發明應用第一半導體的汲源極導通電阻(Static Drain-Source On-State Resistance)為負載電流量的檢測器(Senser)，其檢測器兩端所得的電壓值與電壓比較器所設定電壓值比較後，執行第一半導體的導通(On)與開路(Off)動作，而達到調整電流大小供電於負載之目的。

本發明應用第一半導體、第二半導體、第三半導體、電壓比較器、時延產生器、第一光電耦合器及第二光電耦合器能達到調整其電壓高低供電於負載及供電負載的過程中負載兩端發生過載或短路時能使直流電源得到保護的功能。

本發明有下列之特徵：

1.本發明之第一半導體其負責直流電源之開路與導通供電於負載。

2.以本發明之第一半導體的汲源極導通電阻做為負載電流量的檢測器，提供電壓比較器做電壓之比較。

3.本發明之電壓比較器具有正電輸入端、負電輸入端及電壓輸出端，其負電輸入端連接第一半導體的汲極，正電輸入端連接第二電阻器的中點端，其中點端的電壓即為設定電壓端，經正電輸入端電壓與 負電輸入端電壓的兩電壓比較後，其電壓輸出端將有一電壓供電於第一半導體的閘極或無電壓供電於第一半導體的閘極。

4.本發明之第二半導體，其負責控制第一半導體之開路與導通動作，以達到負載兩端發生過載或短路時保護直流電源電路的目的。

5.本發明之第三半導體，其負責控制第二半導體之開路與導通動作。

6.本發明之時延產生器，負責控制第三半導體之開路與導通動作時間，以達到控制第一半導體順利執行開路與導通動作之時間。

7.本發明之第一半導體為N通道金屬氧化半導體場效電晶體(N Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,N Channel MOSFET)。

8.本發明之第二半導體包括N型電晶體或N通道金屬氧化半導體場效電晶體二者可以根據需求自行選用。

9.本發明之第三半導體為N型電晶體或N通道金屬氧化半導體場效電晶體兩者可以根據需求自行選用。

10.本發明之時延產生器(Time Delay Generator)為一單時間(Single Timer)積體電路或其他時延控制積體電路。

11.本發明之電壓比較器(Voltage Comparators)可以採用各種具有電壓比較功能的積體電路，而不自限。

12.本發明應用於電壓調整功能時，以第一光電耦合器與第二光電耦合器做為時延產生器及電壓比較器與其第一半導體電路及第二半導體電路隔離， 以達到控制電壓調整的功能。

13.本發明之調整電流效率與調整電壓效率甚高，己超過現代廠商所設計的調整電流效率與調整電壓效率，本發明具有技術構思不同於現有技術，而得突出的實質性特點，由於其調整電流效率與調整電壓效率高而符合節約能源之技術效果。

10‧‧‧時延產生器

11‧‧‧第一半導體

12‧‧‧第二半導體

13‧‧‧第三半導體

20‧‧‧電壓比較器

21‧‧‧第一電阻器

22‧‧‧第二電阻器(可變電阻器)

23‧‧‧第一二極體

30‧‧‧第一開關

40‧‧‧第二開關

51‧‧‧第一光電耦合器

52‧‧‧第二光電耦合器

100‧‧‧負載

200‧‧‧第一直流電源

300‧‧‧第二直流電源

圖1為習知電池放電保護裝置之實施例。

圖2為本發明直流電源供應裝置第一實施例。

圖3為本發明直流電源供應裝置第二實施例。

如圖2所示，為本發明直流電源供應裝置第一實施例，自圖中可知，其包括時延產生器10、電壓比較器20、第一半導體11、第二半導體12、第三半導體13、第一電阻器21(First Resistor,21)、第二電阻器22及第一二極體23(First Diode,23)，其中第二電阻器22為可變電阻器；對外連接有第一開關30(First Switch,30)、第二開關40(Second Switch,40)、負載100(Load,100)、第一直流電源200(First DC Power Source,200)及第二直流電源300(Second DC Power Source,300)。

如圖2所示，第一半導體11的閘極G(Gate,G)連接第二半導體12的集極C(Collector,C)、電壓比較器20的電壓輸出端VO及第一二極體23的陰極端。

如圖2所示，第二半導體12的基極B(Base,B)連 接第三半導體13的集極C及第一電阻器21的另一端。

如圖2所示，第一半導體11的源極S(Source,S)連接第二半導體12的射極E(Emitter,E)、第三半導體13的射極E、第二電阻器22的另一端、時延產生器10的負電端VG及電壓比較器20的負電端VG，而形成一共用接地端。

如圖2所示，第一二極體23的陽極端連接第三半導體13的基極B及時延產生器10的電壓輸出端VO，時延產生器10的正電端VD連接電壓比較器20的正電端VD及第二電阻器22的一端。

如圖2所示，負載100的另一端連接電壓比較器20的負電輸入端VI(Inverting Input,VI)、第一半導體11的汲極D及第一電阻器21的一端。

如圖2所示，電壓比較器20的正電輸入端VC(Non-Inverting Input,VC)連第二電阻器22的中點端，其第二電阻器22的中點端為第二電阻器22的電壓輸出端成為設定電壓端。

如圖2所示，負載100的一端連接第一開關30的另一端，第一開關30的一端連接第一直流電源200的正電端，第一直流電源200的負電端連接共用接地端。

如圖2所示，第二開關40的另一端連接第二電阻器22的一端、時延產生器10的正電端VD及電壓比較器20的正電端VD，第二開關40的一端連接第二直流電源300的正電端，第二直流電源300的負電端連接共用接地端。

如圖2所示，時延產生器10為一單時間積體電路或其他時延控制積體電路，電壓比較器20採用各 種具有電壓比較功能的積體電路，第一半導體11為N通道金屬氧化半導體場效電晶體，第二半導體12為N型電晶體，第三半導體13為N型電晶體。

如圖2所示，首先將第一開關30的轉向導通，第一直流電源200的供電電流經過負載100到電壓比較器20的負電輸入端VI及經過第一電阻器21到第二半導體12的基極B及第三半導體13的集極C，此時第二半導體12導通，亦就是第二半導體12的集極C及射極E導通，第一半導體11因為第二半導體12的集極C及射極E導通，所以第一半導體11的汲極D與源極S開路，因此第一直流電源200不供電於負載100。

如圖2所示，當第一開關30的轉向導通後，再將第二開關40轉向導通，此時第二直流電源300的正電端供電於第二電阻器22的一端、時延產生器10的正電端VD及電壓比較器20的正電端VD，由於電壓比較器20的負電輸入端VI先有電壓，其電壓比較器20的負電輸入端VI可能大於電壓比較器20的正電輸入端VC電壓，因此電壓比較器20的電壓輸出端VO無電壓輸出不供電於第一半導體11的閘極G及第二半導體12的集極C，但是同時時延產生器10的電壓輸出端VO輸出一時延正電壓供電於第三半導體13的基極B及第一二極體23的陽極端，首先第三半導體13的集極C與射極E導通，致使第二半導體12的集極C與射極E開路，使第一半導體11的閘極G與源極S解除鎖住，此動作視同解鎖之功能，同時第一二極體23供電於第一半導體11的閘極G，第一半導體11的汲極D與源極S導通，第一直流電源200供電於負 載100，電壓比較器20開始啟動電壓比較動作，此動作具有開機與啟動之功能，其開機是指第一半導體11的汲極D與源極S導通，第一直流電源200供電於負載100，啟動是指電壓比較器20進入執行正電輸入端VC與負電輸入端VI兩端電壓進行比較之動作，由上述可知，本發明的延時產生器10具有解鎖、開機及啟動的功能；本發明的時延產生器10的時延正電壓供電時間的長短，其隨負載100的需求及第一半導體11導通時間而定，而不予自限。

如圖2所示，當第一直流電源200供電於負載100時，其負載100電流經過第一半導體11，在第一半導體11的汲極D與源極S之間因汲源極導通電阻的關係，在第一半導體11的汲極D與源極S之間產生一電壓降，其電壓降的大小與負載100所通過的電流成正比例，負載100電流越大在第一半導體11的汲極D與源極S之間的電壓降越大，負載100電流越小在第一半導體11的汲極D與源極S之間的電壓降越小，第一半導體11的汲極D與源極S之間的電壓降即為電壓比較器20的負電輸入端VI的輸入電壓；當電壓比較器20的正電輸入端VC己有設定電壓，此時若設定電壓大於第一半導體11的汲極D與源極S之間的電壓降，此時電壓比較器20的電壓輸出端VO輸出正電壓供電於第一半導體11的閘極G，其第一半導體11的汲極D與源極S為導通狀態，第一直流電源200供電於負載100；當電壓比較器20的正電輸入端VC己有設定電壓，此時若設定電壓小於第一半導體11的汲極D與源極S之間的電壓降，此時電壓比較器20的電壓輸出端VO無輸出電壓供電於第一半導體11的 閘極G，其第一半導體11的汲極D與源極S為開路狀態，第一直流電源200不供電於負載100；其電壓比較器20的電壓輸出端VO的輸出電壓在第一半導體11的汲極D與源極S之間的電壓降與設定電壓比較大或小之狀態下快速變動，而達到負載100電流穩定供電的功效；由上述可知，負載100電流的大小即為由設定電壓所控制，而達到可調整電流大小供電於負載100的目的。

如圖2所示，時延產生器10的時延正電壓供電於第三半導體13的基極B及經過第一二極體23供電於第一半導體11的閘極G，其時延產生器10的時延正電壓供電後即停上供電，因為有第一二極體23的設置，其電壓比較器20的電壓輸出端VO的輸出電壓不影響時延產生器10的時延正電壓供電的正常動作。

如圖2所示，當第一開關30的轉向導通，再將第二開關40轉向導通，第一直流電源200供電於負載100兩端，若將負載100兩端短路，其等同將第一直流電源200直接加於第一半導體11的汲極D與源極S兩端，此時第一半導體11的汲極D與源極S兩端電壓降上升，第二半導體12的基極B與射極E達到導通電壓時，第二半導體12的集極C與射極E導通，第一半導體11的閘極G與源極S兩端電壓低，於是第一半導體11的汲極D與源極S開路，第一直流電源200不供電於負載100，而達到短路保護第一直流電源200的目的。

如圖2所示，當第一開關30的轉向導通，再將第二開關40轉向導通，第一直流電源200供電於負載100兩端，若將負載100加大亦就是增大負載 100的電流量，此時雖然電壓比較器20的電壓輸出端VO無輸出電壓，但其第一半導體11的汲極D與源極S之電壓降值大於第二半導體12的基射極導通電壓時，第二半導體12的集極C與射極E導通，第一半導體11的閘極G與源極S兩端電壓低，於是第一半導體11的汲極D與源極S開路，第一直流電源200不供電於負載100，而達到過載保護第一直流電源200的目的。

如圖3所示，為本發明直流電源供應裝置第二實施例，自圖中可知，其包括時延產生器10、電壓比較器20、第一半導體11、第二半導體12、第一電阻器21、第二電阻器22、第一二極體23、第一光電耦合器51(First Photocoupler,51)及第二光電耦合器52(Second Photocoupler,52)，其中第二電阻器22為可變電阻器；對外連接有第一開關30、第二開關40、負載100、第一直流電源200及第二直流電源300。

如圖3所示，第一半導體11的閘極G連接第二半導體12的集極C及第一光電耦合器51的射極E，第一光電耦合器51的集極C連接第一開關30的另一端及電壓比較器20的負電輸入端VI，電壓比較器20電壓輸出端VO連接第一光電耦合器51之發光二極體的陽極端及第一二極體23的陰極端。

如圖3所示，其第一光電耦合器51之發光二極體的陰極端、第二光電耦合器52之發光二極體的陰極端、時延產生器10的負電端VG及電壓比較器20的負電端VG連接在一起成為第一共用接地端。

如圖3所示，第二半導體12的基極B連接第二光電耦合器52的集極C，第二光電耦合器52的射 極E連接第一半導體11的射極E及第二半導體12的射極E。

如圖3所示，第二光電耦合器52的射極E、第一半導體11的射極E及第二半導體12的射極E連接在一起成為第二共用接地端，其第二共用接地端與前述的第一共用接地端不連接兩者互相隔離，而且其接地符號亦不相同，以資區別。

如圖3所示，第一二極體23的陽極端連接第二光電耦合器52之發光二極體的陽極端及時延產生器10的電壓輸出端VO。

如圖3所示，第二電阻器22的一端連接電壓比較器20的正電端VD、時延產生器10的正電端VD及第二開關40的另一端，第二電阻器22的另一端連接第一共用接地端，第二電阻器22的中點端連接電壓比較器20的正電輸入端VC。

如圖3所示，負載100的一端連接第一開關30的另一端及電壓比較器20的負電輸入端VI，負載100的另一端連接第一半導體的11的汲極D及第一共用接地端。

如圖3所示，電壓比較器20的正電輸入端VC連第二電阻器22的中點端，其第二電阻器22的中點端為電壓輸出端成為設定電壓端。

如圖3所示，第一開關30的一端連接第一直流電源200的正電端，第一直流電源200的負電端連接第二共用接地端。

如圖3所示，第二開關40的另一端連接第一電阻器22的一端、時延產生器10的正電端VD及電壓比較器20的正電端VD，第二開關40的一端連接第二直流電源300的正電端，第二直流電源300的 負電端連接第一共用接地端。

如圖3所示，時延產生器10為一單時間積體電路或其他時延控制積體電路，電壓比較器20採用各種具有電壓比較功能的積體電路，第一半導體11為N通道金屬氧化半導體場效電晶體，第二半導體12為N型電晶體。

如圖3所示，當第一開關30的轉向導通，第一直流電源200的電流經過負載100的一端、電壓比較器20的負電輸入端VI及第一光電耦合器51的集極C，再經過負載100的另一端、第一共用接地端、第一半導體11的汲極D及第一電阻器21，經過第一電阻器21的電流到第二半導體12的基極B及第二光電耦合器52的集極C，此時第二半導體12的集極C與射極E導通，第一半導體11的汲極D及源極S開路，第一直流電源200不供電於負載100。

如圖3所示，當第一開關30的轉向導通後，再將第二開關40轉向導通，此時第二直流電源300的正電端供電於第二電阻器22的一端、時延產生器10的正電端VD及電壓比較器20的正電端VD，由於電壓比較器20的負電輸入端VI先有電壓，其電壓比較器20的負電輸入端VI可能大於電壓比較器20的正電輸入端VC電壓，因此電壓比較器20的電壓輸出端VO無電壓輸出不供電於第一光電耦合器51的陽極端，致使第一光電耦合器51的集極C與射極E開路，無電壓供電於第一半導體11的閘極G及第二半導體12的集極C，因此第一半導體11的汲極D與源極S開路，但是同時時延產生器10的電壓輸出端VO輸出一時延正電壓供電於 第二光電耦合器52及經過第一二極體23供電於第一光電耦合器51，首先第二光電耦合器52的集極C與射極E導通，因此第二半導體12的集極C與射E開路，使第一半導體11的閘極G與源極S解除鎖住，此動作視同解鎖的功能，同時第一光電耦合器51的集極C與射極E導通，第一直流電源200供電於第一半導體11的閘極G，因而第一半導體11的汲極D與源極S導通，第一直流電源200供電於負載100，電壓比較器20開始啟動電壓比較動作，此動作具有開機與啟動之功能，其開機是指第一半導體11的汲極D與源極S導通，第一直流電源200供電於負載100，啟動是指電壓比較器20進入執行正電輸入端VC與負電輸入端VI兩端電壓進行比較之動作，由上述可知，本發明的時延產生器10具有解鎖、開機及啟動的功能；本發明的時延產生器10的時延正電壓供電時間的長短，其隨負載100的需求及第一半導體11導通時間而定，而不予自限。

如圖3所示，當第一直流電源200供電於負載100時，其負載100電流經過第一半導體11，在負載100兩端得一電壓，其負載100電壓即為電壓比較器20的負電輸入端VI的輸入電壓；當電壓比較器20的正電輸入端VC己有設定電壓，此時若設定電壓大於負載100電壓，此時電壓比較器20的電壓輸出端VO輸出正電壓經過第一光電耦合器51的陽極端及陰極端，此時第一直流電源200的正電端供電於第一光電耦合器51的集極C與射極E，再供電於第一半導體11的閘極G，致使第一半導體11的汲極D與源極S為導通狀態，第一直流電源200繼續供 電於負載100；當電壓比較器20的正電輸入端VC己有設定電壓，此時若設定電壓小於負載100兩端的電壓，此時電壓比較器20的電壓輸出端VO無輸出電壓供電於第一半導體11的閘極G，致使第一半導體11的汲極D與源極S為開路狀態，第一直流電源200不供電於負載100；其電壓比較器20的電壓輸出端VO的輸出電壓在負載100電壓與設定電壓比較大或小之狀態下快速變動，而達到負載100電壓穩定的功效；由上述可知，負載100電壓的大小即為由設定電壓所控制，而達到可調整電壓大小供電於負載100的目的。

如圖3所示，其時延產生器10的時延正電壓供電於第二光電耦合器52及經過第一二極體23供電於第一光電耦合器51，致使第一直流電源200供電於第一半導體11的閘極G，其時延產生器10的時延正電壓供電後即停止供電，因為有第一二極體23的設置，其電壓比較器20的電壓輸出端VO的輸出電壓不影響時延產生器10的時延正電壓供電正常動作。

如圖3所示，當第一開關30的轉向導通，同時第二開關40轉向導通，第一直流電源200供電於負載100兩端，若將負載100兩端短路，其等同將第一直流電源200直接加於第一半導體11的汲極D與源極S兩端，此時第一半導體11的汲極D與源極S兩端電壓降上升，第二半導體12的基極B與射極E達到導通電壓時，第二半導體12的集極C與射極E導通，第一半導體11的閘極G與源極S兩端電壓低，於是第一半導體11的汲極D與源極S開路，第一直流電源200不供電於負載100，而達到 短路保護第一直流電源200的目的。

如圖3所示，當第一開關30的轉向導通，同時第二開關40轉向導通，第一直流電源200供電於負載100兩端，若將負載100加大亦就是增大負載100的電流量，此時雖然電壓比較器20的電壓輸出端VO無輸出電壓，但其第一半導體11的汲極D與源極S之電壓降值大於第二半導體12的基射極導通電壓時，第二半導體12的集極C與射極E導通，第一半導體11的閘極G與源極S兩端電壓低，於是第一半導體11的汲極D與源極S開路，第一直流電源200不供電於負載100，而達到過載保護第一直流電源200的目的。

如圖3所示，依負載100所需求之電壓及電流，可將第一半導體11以絕緣閘極雙極電晶體(Insulate Gate Bipolar Transistor,IGBT)替代，其第二半導體12可以N通道金屬氧化半導體或絕緣閘極雙極電晶體替代，因其動作原理相同而不自限。

如圖2及圖3所示，為第一半導體11的執行調整電流供電於負載100與調整電壓供電於負載100之圖式，其第一半導體11的汲源極導通電阻甚小，目前低壓功率型N通道金屬氧化半導體的汲源極導通電阻甚小約在5毫歐與1毫歐之間，因為第一半導體11功耗甚小所以其調整效率甚高，例如採用NCE Power Semiconductor Co.,Ltd之NCE85T35T功率半導體為例：在Vgs=10V，ID=175A時，其汲源極導通電阻約為Rds=1.4mΩ，此時調整電流效率為：先設定直流電源電壓VDC=12V，其功率半導體的功耗為：175(A)×175(A)×0.0014(Ω)=42.875(W)，功率半導體的電壓降Vds=175(A)×0.0014(Ω)=0.245(V)， 負載電壓=12V-0.245V=11.755V，其負載功耗為：11.755(V)×175(A)=2,057.125(W)，直流電源總功耗為：12(V)×175(A)=2,100(W)，其調整效率為：2,057.125(W)÷2,100(W)

0.98，其調整效率甚高於現代任何廠商所設計的調整電流效率，其調整電壓效率亦相同，而不贅述。

發明人從事電子科技研究有50多年，本發明所提的實施例皆經過實驗及實作證明其成功，並且可據予實施，以上所述實施例僅是為充分說明本發明所舉的較佳的實施例，本發明的保護範圍不限於此，包括本技術領域的技術人員，在本發明基礎上所作的等同替代或變換，皆在本發明的保護範圍內。本發明的保護範圍以申請專利範圍書為準。

10‧‧‧時延產生器

11‧‧‧第一半導體

12‧‧‧第二半導體

13‧‧‧第三半導體

20‧‧‧電壓比較器

21‧‧‧第一電阻器

22‧‧‧第二電阻器(可變電阻器)

23‧‧‧第一二極體

30‧‧‧第一開關

40‧‧‧第二開關

100‧‧‧負載

200‧‧‧第一直流電源

300‧‧‧第二直流電源

Claims (10)

1. 一種直流電源供應裝置，具有調整電流供電於負載及當該負載發生過載或短路時得到保護的功能，該直流電源供應裝置包括：一第一半導體，具有一汲極、一源極及一閘極；一第二半導體，具有一集極、一射極及一基極，該集極連接該第一半導體的閘極，該射極連接該第一半導體的源極；一第三半導體，具有一集極、一射極及一基極，該射極連接該第二半導體的射極，該集極連接該第二半導體的基極；一第一電阻器，具有二連接端，其一端連接該第一半導體的汲極，另一端連接該第二半導體的基極及該第三半導體的集極；一第一二極體，具有一陽極端及一陰極端，其陰極端連接該第一半導體的閘極及該第二半導體的集極，該陽極端連接該第三半導體的基極；一時延產生器，具有正電端、電壓輸出端及負電端，該電壓輸出端連接該第三半導體的基極及該第一二極體的陽極端，有解鎖、開機及啟動的功能；一電壓比較器，具有正電端、電壓輸出端、負電端、正電輸入端及負電輸入端，該正電端連接該時延產生器的正電端，該負電端連接該時延產生器的負電端，該電壓輸出端連接該第一二極體的陰極端、該第一半導體的閘極及該第二半導體的集極，該負電輸入端連接該第一半導體的汲極；及一第二電阻器，具有三連接端，其一端連接該時延產生器的正電端及該電壓比較器的正電端，另一端連接該時延產生器的負電端及該電壓比較器的負電 端，其中點端連接該電壓比較器的正電輸入端。
2. 如申請專利範圍第1項所述的直流電源供應裝置，其中該第一半導體的汲極連接負載的另一端，該負載的一端連接第一開關的另一端，該第一開關的一端連接第一直流電源的正電端，該第一直流電源的負電端連接該第一半導體的源極。
3. 如申請專利範圍第1項所述的直流電源供應裝置，其中該電壓比較器的正電端連接第二開關的另一端，該第二開關的一端連接第二直流電源的正電端，該第二直流電源的負電端連接該電壓比較器的負電端。
4. 如申請專利範圍第1項所述的直流電源供應裝置，其中該第一半導體為N通道金屬氧化半導體場效電晶體，該第二半導體及該第三半導體為N型電晶體。
5. 一種直流電源供應裝置，具有調整電壓供電於負載及當該負載發生過載或短路時得到保護的功能，該直流電源供應裝置包括：一第一半導體，具有一汲極、一源極及一閘極；一第二半導體，具有一集極、一射極及一基極，該集極連接該第一半導體的閘極，該射極連接該第一半導體的源極；一第一電阻器，具有二連接端，其一端連接該第一半導體的汲極，另一端連接該第二半導體的基極；一第一光電耦合器，具有陽極端、陰極端、集極及射極，該射極連接該第一半導體的閘極及該第二半導體的集極；一第二光電耦合器，具有陽極端、陰極端、集極及射極，該射極連接該第一半導體的源極及該第二半導體的射極，該陰極端連接該第一光電耦合器的陰極端； 一第一二極體，具有一陽極端及一陰極端，該陰極端連接該第一光電耦合器的陽極端，該陽極端連接該第二光電耦合器的陽極端；一時延產生器，具有正電端、電壓輸出端及負電端，該電壓輸出端連接該第一二極體的陽極端及該第二光電耦合器的陽極端，該負電端連接該第二光電耦合器的陰極端，有解鎖、開機及啟動的功能；一電壓比較器，具有正電端、電壓輸出端、負電端、正電輸入端及負電輸入端，該正電端連接該時延產生器的正電端，該負電端連接該第一光電耦合器的陰極端，該電壓輸出端連接該第一二極體的陰極端及該第一光電耦合器的陽極端，該負電輸入端連接該第一光電耦合器的集極；及一第二電阻器，具有三連接端，其一端連接該時延產生器的正電端及該電壓比較器的正電端，其另一端連接該時延產生器的負電端及該電壓比較器的負電端，其中點端連接該電壓比較器的正電輸入端。
6. 如申請專利範圍第5項所述的直流電源供應裝置，其中該第一光電耦合器的陰極端、該第二光電耦合器的陰極端、該電壓比較器的負電端、該時延產生器的負電端及該第二電阻器的另一端連接在一起成為第一共用接地端。
7. 如申請專利範圍第5及6項所述的直流電源供應裝置，其中該第一半導體的源極、該第二半導體的射極及該第二光電耦合器的射極連接在一起成為第二共用接地端，其該第二共用接地端與該第一共用接地端不連接在一起互相隔離。
8. 如申請專利範圍第5、6及7項所述的直流電源供應裝置，其中該第一半導體的汲極連接負載的另一端及 該第一共用接地端，該負載的一端連接第一開關的另一端及該電壓比較器的負電輸入端，該第一開關的一端連接第一直流電源的正電端，該第一直流電源的負電端連接該第二共用接地端。
9. 如申請專利範圍第5及6項所述的直流電源供應裝置，其中該時延產生器的正電端、該電壓比較器的正電端及該第二電阻器的一端連接第二開關的另一端，該第二開關的一端連接第二直流電源的正電端，該第二直流電源的負電端連接該第一共用接地端。
10. 如申請專利範圍第5項所述的直流電源供應裝置，其中該第一半導體為N通道金屬氧化半導體場效電晶體或絕緣閘極雙極電晶體，該第二半導體為N型電晶體、N通道金屬氧化半導體場效電晶體或絕緣閘極雙極電晶體。

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