TW202026735A - 具有用於電連接組態之不對稱窗格偏移之隱私保護玻璃窗結構 - Google Patents

Abstract

一種隱私保護玻璃窗結構可包含一可電控光學活性材料，其提供一隱私保護或散射狀態與一可見或透射狀態之間的受控轉變。為了與控制所述光學活性材料的電極層進行電連接，所述隱私保護玻璃窗結構可以包含一偏移窗格配置。所述結構可包含含有一光學活性材料之第一及第二窗格。所述兩個窗格可以由兩個層壓外窗格包夾。在一些實例中，所述第一及第二窗格沿著它們的側邊緣相對於所述層壓外窗格凹入以限定凹槽，電連接特徵位於所述凹槽中。儘管所述側邊緣可以凹入，但是所有所述窗格的底邊緣可以彼此齊平定位。

Description

具有用於電連接組態之不對稱窗格偏移之隱私保護玻璃窗結構

本揭示案係關於包含可電控光學活性材料之結構，並且更特定而言，係關於用於包含可電控光學活性材料之玻璃窗結構之電連接組態。

具有可控光調變之窗戶、門、隔板及其他結構在市場上愈來愈受歡迎。此等結構通常被稱為「智慧型」結構或「隱私保護」結構，因為它們能夠自使用者可以經由結構看到的透明狀態變換至經由所述結構防止檢視的隱私保護狀態。例如，智慧型窗戶正用於高端汽車及家庭中，且智慧型隔板正用作辦公空間中的牆壁，以提供受控的隱私保護及視覺變暗。

可以使用各種不同的技術來為智慧型結構提供受控光透射。例如，電致變色技術、光致變色技術、熱致變色技術、懸浮顆粒技術及液晶技術都被用於不同的智慧型結構應用中以提供可控的隱私保護。此等技術通常使用能源（諸如電力）自透明狀態變換為隱私保護狀態，或反之亦然。

在藉由施加或移除電能提供受控傳輸之情況下，光透射結構可包含電極接點，在接點處電配線與控制光學可控介質之電極層介接。電極接點可以在光透射結構之電極層與自所述結構延伸至電源之配線之間提供實體及電連接。

一般而言，本揭示案係關於隱私保護結構，其併有提供可控隱私保護之可電控光學活性材料。術語隱私保護結構包含隱私保護單元、隱私保護玻璃窗結構、智慧型單元、智慧型玻璃窗結構以及提供可控光學活動及因此通過所述結構之可見性之相關裝置。這種結構可以提供可切換的光學活動，其提供可控的變暗、可控的光散射，或者可控的變暗與可控的光散射兩者。可控變暗係指光學活性材料藉由控制應用於光學活性材料之外部能源在高可見光透射狀態（亮狀態）、低可見光透射暗狀態及視需要為中間狀態之間轉變的能力，且反之亦然。可控光散射係指光學活性材料藉由控制外部能源在低可見霧度狀態、高可見霧度狀態及視需要為中間狀態之間轉變的能力，且反之亦然。因此，在本揭示案中對術語「隱私保護」及「隱私保護狀態」之引用不一定需要完全遮蔽經由所述結構之可見性（除非另有說明）。相反，經由所述結構之不同程度之隱私保護或遮蔽可以根據例如所使用之光學活性材料之類型及應用於光學活性材料之外部能量源之條件來實現。

根據本揭示案之隱私保護結構可以以窗戶、門、天窗、內部隔板或其他需要可控可見光透射率之結構的形式實施。在任何情況下，隱私保護結構可以由多個透明材料窗格製成，所述透明材料窗格包含窗格之間的可電控介質。每個透明材料窗格可以承載電極層，所述電極層可以實施為沈積在窗格上之導電及光學透明材料層。可以藉由控制向光學活性材料施加及/或移除電能來控制光學活性材料，例如經由可通信地耦接至電極層之電驅動器。例如，自光學活性材料施加及/或移除電能可以使光學活性材料自散射狀態轉變為透明狀態，在散射狀態下，經由結構之可見性被抑制，在透明狀態下，經由所述結構之可見性相對清晰。

為了在電源與電極層之間建立電通路，所述結構可以包含接合至每個電極層之一或多個電極。每個電極可以由導電材料形成，所述導電材料在與電極附接之電極層與細長電導體（諸如電配線）之間提供實體及/或電介接。細長電導體可以自電極橫穿至電源，諸如驅動器，其可以與隱私保護結構整合或在隱私保護結構外部。

在根據本揭示案之一些組態中，隱私保護結構經組態有偏移窗格，以便於結構之各種電連接組件之定位及/或佈線。例如，隱私保護結構可以包含兩個窗格，其承載電極層並且對可電控光學活性材料進行限界。兩個窗格可以在一或多個維度上彼此偏移，以在偏移區域中形成凹槽。例如，第一窗格可以在一側側向地突出超過第二窗格之邊緣，而第二窗格可以在相對側側向地突出超過第一窗格之邊緣。每個各別窗格之突出部分可以提供承載在窗格表面上之電極層之曝露區段。因此，一或多個電極可以附接至窗格之突出區域中之電極層。

在一些組態中，將對可電控光學活性材料進行限界之窗格各自層壓至外窗格，從而產生包含至少四個材料窗格之包夾結構。當如此組態時，其中窗格突出以曝露電極層之一區段的一或多個凹入區段可以在一側由相對的外窗格界定。界定凹入區段之相對的外窗格可以為位於凹入空間中之一或多個電連接特徵提供實體保護。

根據本揭示案之一些實例組態之隱私保護結構可以具有窗格，此等窗格在不同維度上相對於彼此不對稱地定位，諸如定位在不同邊緣面上。例如，界定可電控光學活性材料之窗格可相對於一或多個外包夾窗格側向偏移及/或相對於彼此偏移以限定凹入區段。然而，界定可電控光學活性材料之窗格之底邊緣可以彼此齊平及/或與一或多個外包夾窗格齊平。使隱私保護結構組態有底邊緣彼此齊平定位之窗格對於在延長的使用壽命期間保持單元之強度及結構完整性可能有用，在門窗之情況下所述強度及結構完整性可以持續數十年。

當隱私保護玻璃窗結構以直立組態（其中重力向量在自結構之頂部朝向底部之方向上延伸）安裝時，作用在結構上之重力可能傾向於致使窗格豎直移位或未對準。藉由使隱私保護玻璃窗結構組態有底邊緣彼此齊平定位之窗格，可以均勻地支撐窗格之底邊緣以抵抗重力。例如，窗格之底邊緣可以定位在窗戶或門之框格及/或其他平面支撐表面中並由其支撐，所述平面支撐表面跨越框格之底邊緣延伸並與窗格之底邊緣接觸。這種組態可以防止窗格在結構之延長的使用壽命期間例如由於重力而在豎直方向上移動。

儘管隱私保護玻璃窗結構可具有如本文所述之各種不同設計及特徵，但在一些組態中，隱私保護玻璃窗結構包含頂部凹槽。例如，界定可電控光學活性材料之窗格之頂邊緣可以相對於彼此及/或相對於一或多個外包夾窗格偏移，以限定頂部凹入區段。頂部凹入區段可以提供空間以用於將引導一或多個細長電導體佈線，所述電導體在側向凹槽中自界定至電極層之一或多個電極延伸。頂部凹槽之深度可以與側凹槽之深度相同或不同。例如，側凹槽可以比頂部凹槽深。限制頂部凹槽之深度在一些組態中可例如用以最小化可能聚集水分或其他向下下落污染物的空間量。

與隱私保護結構之窗格相對於彼此之特定定位無關，在一些組態中，窗格上之電極層經組態以在進水情況下減少或消除潛在的電短路情況。為此，電極層可以定位在每個窗格之內表面上，偏離窗格之周邊邊緣。例如，電極層可以偏離窗格之周邊邊緣一段距離，而非使電極層直接延伸跨越窗格之整個表面直至窗格之周邊邊緣。例如，可以藉由沈積偏離窗格之周邊邊緣之電極層及/或藉由將電極層沈積至窗格之周邊邊緣並且之後移除圍繞周邊邊緣之電極層區域來進行偏移。可以例如使用雷射剝蝕及/或機械研磨移除電極層。使電極層偏離上面沈積有電極層之窗格之周邊邊緣一段距離可以幫助減少或消除在水分繞過窗格之周邊邊緣處之邊緣密封時發生電短路的可能性。

儘管電極層可以圍繞窗格之一部分偏離窗格之周邊邊緣，但實際上，電極層可能需要在電極與電極層接合之區域中延伸得較接近於（並且視需要延伸至）窗格之周邊邊緣。否則，電極可能需要在觀察者可以經由所述結構看到的電極層區域中與電極層接合。電極層中延伸得較接近於周邊邊緣之此區域可以限定電極接觸墊，電極接合至所述電極接觸墊。在一些實例中，電極接觸墊定位在窗格之除底側之外的一側上。例如，電極接觸墊可以定位在窗格之頂側或外側上，與窗格之底邊緣隔開一段距離。因此，電極層可以沿著底邊緣自窗格之周邊邊緣偏移，並且沿著窗格之側邊緣至少部分地自底邊緣向上偏移，同時仍然容納電極接觸墊。由於水可能具有沿著隱私保護結構之底部聚集及集中（例如，在框格中）之趨勢，因此將電極接觸墊定位成與底邊緣隔開一段距離並且使電極層自所述區域中之周邊邊緣偏移可提供額外的防潮保護。

在一個實例中，描述了包含第一、第二、第三及第四透明材料窗格與第一及第二層壓層以及可電控光學活性材料之隱私保護玻璃窗結構。所述第一透明材料窗格具有內表面、外表面、頂邊緣、底邊緣、第一側邊緣及第二側邊緣。第二透明材料窗格具有內表面、外表面、頂邊緣、底邊緣、第一側邊緣及第二側邊緣。第三透明材料窗格具有頂邊緣、底邊緣、第一側邊緣及第二側邊緣。第四透明材料窗格具有頂邊緣、底邊緣、第一側邊緣及第二側邊緣。所述實例指定第一層壓層將第一透明材料窗格之外表面接合至第三透明材料窗格，且第二層壓層將第二透明材料窗格之外表面接合至第四透明材料窗格。可電控光學活性材料位於第一透明材料窗格與第二透明材料窗格之間。所述實例指出，第一透明材料窗格之第一側邊緣相對於第三透明材料窗格之第一側邊緣及第四透明材料窗格之第一側邊緣凹入。另外，第二透明材料窗格之第二側邊緣相對於第三透明材料窗格之第二側邊緣及第四透明材料窗格之第二側邊緣凹入。此外，第一透明材料窗格之底邊緣與第二透明材料窗格之底邊緣、第三透明材料窗格之底邊緣，及第四透明材料窗格之底邊緣齊平。

在附圖及以下描述中闡述了一或多個實例之細節。根據說明書及附圖以及申請專利範圍，其他特徵、目的及優點將顯而易見。

本申請案主張2018年8月17日提交的美國臨時專利申請案第62/719,306號之權益，所述美國臨時專利申請案之全部內容以引用方式併入本文中。

一般而言，本揭示案一般係關於用於隱私保護結構的隱私保護結構組態及電連接組態。隱私保護結構可為光學結構，其包含提供隱私保護或散射狀態與可見或透射狀態之間的受控轉變的可電控光學活性材料。為了與控制光學活性材料的電極層進行電連接，光學結構可以包含電極接合區域。在一些實例中，電極接合區域藉由使承載電極層的窗格相對於彼此及/或相對於外包夾窗格偏移而形成。這可以提供曝露電極層的電極接合區域的側凹槽，一或多個電極可以實體地及/或電耦接至所述電極接合區域。儘管承載電極層的窗格可以側向偏移，但窗格的底邊緣可以彼此齊平及/或與外包夾窗格的底邊緣齊平。例如，不同窗格的底邊緣可以彼此齊平並且定位成與框格接觸，所述框格支撐窗格以防止由於重力之豎直移動。如本文所用，術語「齊平」係指限定窗格厚度的邊緣的表面為共面的（在X-Y平面中，其中Z方向為重力作用的豎直維度）。例如，當齊平時，邊緣可以置放在平坦表面上（例如，傳送輥或處理設備件，框格的底表面），而不會導致結構由於齊平邊緣的不平而向一側或另一側傾斜。如本文所用，術語「邊緣」係指作為兩個平面的相交處的線或線段，並且包含涵蓋所述邊緣的表面。例如，參考窗格的頂邊緣意謂直至邊緣但不包含窗格的內表面、外表面或側表面的窗格的頂表面。

圖1為實例隱私保護玻璃窗結構12的側視圖，其被示出為具有齊平邊緣表面的窗格，但是可以用偏移窗格實現，如關於圖4至圖6更詳細地描述。在圖1中，隱私保護玻璃窗結構12包含第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16，其中一層光學活性材料18限於兩個透明材料窗格之間。隱私保護玻璃窗結構12亦包含第一電極層20及第二電極層22。第一電極層20由第一透明材料窗格14承載，而第二電極層22由第二透明材料窗格承載。在操作中，經由第一電極層20及第二電極層22供應的電力可以控制光學活性材料18以控制經由隱私保護玻璃窗結構的可見度。

第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16均可以使用層壓窗格來實施，所述層壓窗格包含具有外包夾窗格的層壓層。例如，在圖1中，隱私保護玻璃窗結構12包含第三透明材料窗格24及第四透明材料窗格26。第一層壓層28將第一透明材料窗格14接合至第三透明材料窗格24上。第二層壓層30將第二透明材料窗格16接合至第四透明材料窗格26上。詳言之，第一透明材料窗格14可以在面向光學活性材料18的窗格的側面上限定內表面，並且在窗格的相對側上限定外表面。類似地，第二透明材料窗格16可以在面向光學活性材料18的窗格的側面上限定內表面，並且在窗格的相對側上限定外表面。第一層壓層28可以接觸第一透明材料窗格14的外表面或沈積在其上的塗層，及第三透明材料窗格24的相對面，以將兩個窗格接合在一起。第二層壓層30可以接觸第二透明材料窗格16的外表面或沈積在其上的塗層，及第四透明材料窗格26的相對面，以將兩個窗格接合在一起。

在一些組態中，隱私保護玻璃窗結構12被實施為隱私保護單元，其中結構的窗格被接合在一起而無中介間隔件，以限定窗格間空間。然而，在其他組態中，包含圖1的組態，隱私保護玻璃窗結構12包含藉由間隔件34與隱私保護單元間隔開以限定窗格間空間36的第五材料窗格32。可以填充有絕緣氣體的一或多個窗格間空間的添加可用於增強隱私保護玻璃窗結構的熱效能。這對窗戶、門及天窗應用可有益。

如下文更詳細描述，隱私保護玻璃窗結構12中的一或多個透明材料窗格可以相對於所述結構的一或多個其他窗格偏移。這可以提供一或多個凹槽，其中結構的電連接特徵可經接合及/或佈線。窗格相對於彼此的定位沿著結構的不同邊緣表面可不同。另外或替代地，第一電極層20及/或第二電極層22可以相對於結構的一或多個周邊邊緣偏移地定位。與透明材料窗格相對於彼此的定位無關，一個或兩個電極層相對於一或多個邊緣的定位可有助於在使用期間建立及保持隱私保護玻璃窗結構的電氣完整性。隱私保護玻璃窗結構12可具有附加或替代特徵及組態，如本文所述。

隱私保護玻璃窗結構12可利用任何合適的隱私保護材料以用於光學活性材料18的層。此外，儘管光學活性材料18通常被說明並描述為單層材料，但應當理解，根據本揭示案的結構可具有具有相同或不同厚度的一層或多層光學活性材料。一般而言，光學活性材料18經組態以提供可控且可逆的光學遮蔽及增亮。光學活性材料18可為可電控光學活性材料，其回應於施加至材料上的電能的變化而改變直接可見光透射率。

在一個實例中，光學活性材料18由電致變色材料形成，所述電致變色材料回應於施加至材料的電壓變化而改變不透明度並因此改變光透射性質。電致變色材料的典型實例為WO₃ 及MoO₃ ，當以薄層形式施加至基板上時，所述材料通常為無色的。電致變色層可藉由氧化或還原過程改變其光學性質。例如，在氧化鎢的情況下，質子可以回應於電壓的變化而在電致變色層中移動，從而將氧化鎢還原成藍鎢青銅。著色強度隨施加在層上的電荷量而變化。

在另一個實例中，光學活性材料18由液晶材料形成。可用作光學活性材料18的不同類型的液晶材料包含聚合物分散液晶（polymer dispersed liquid crystal；PDLC）材料及聚合物穩定膽甾型織構（polymer stabilized cholesteric texture；PSCT）材料。聚合物分散液晶通常涉及包夾在電極層20與22之間的向列液晶與含有一定量聚合物的均勻液晶的相分離。當電場關閉時，液晶可以隨機散射。這會使進入液晶的光散射，並使透射光漫射通過材料。當在兩個電極層之間施加一定電壓時，液晶可垂直配向並且液晶的光學透明度提高，從而允許光透過晶體。

在聚合物穩定膽甾型織構（PSCT）材料的情況下，所述材料可為正常模式聚合物穩定膽甾型織構材料或反向模式聚合物穩定膽甾型織構材料。在正常的聚合物穩定膽甾型織構材料中，當無電場施加至材料上時，光被散射。若對液晶施加電場，則其變為垂直狀態，從而使液晶在電場方向上重新定向為平行。這使得液晶的光學透明度提高並允許光透過液晶層。在反向模式聚合物穩定膽甾型織構材料中，液晶在無電場（例如，零電場）的情況下為透明的，但是在施加電場後使光散射。

在使用液晶實現光學活性材料層18的一個實例中，光學活性材料包含液晶及二色性染料，以提供客體-主體型液晶操作模式。當如此組態時，二色性染料可以在液晶主體內起到客體化合物的作用。可以選擇二色性染料，使得染料分子的定向遵循液晶分子的定向。在一些實例中，當電場施加至光學活性材料18時，在染料分子的短軸上幾乎沒有吸收，並且當自光學活性材料中移除電場時，染料分子在長軸上吸收。因此，當光學活性材料轉變為散射狀態時，二色性染料分子可以吸收光。當如此組態時，光學活性材料可以吸收照射在材料上的光，以防止觀察者於隱私保護玻璃窗結構12的一側清楚地觀察到在結構的相對側發生的活動。

當使用液晶實現光學活性材料18時，光學活性材料可包含聚合物基質內的液晶分子。聚合物基質可以固化或不固化，從而產生圍繞液晶分子的固體或液體聚合物介質。另外，在一些實例中，光學活性材料18可以含有間隔珠（例如，微球），例如具有3微米至40微米的平均直徑，以保持第一透明材料窗格14與第二透明材料窗格16之間的間隔。

在使用液晶材料實現光學活性材料層18的另一個實例中，液晶材料在轉變為隱私保護狀態時變模糊。這種材料可以使照射在材料上的光散射，以防止觀察者於隱私保護玻璃窗結構12的一側清楚地觀察到在結構的相對側發生的活動。這種材料可以顯著降低通過材料的常規可見光透射率（其亦可以被稱為直接可見光透射率），而在隱私保護狀態下僅最小程度地降低總體可見光透射率，與處於透光狀態時相比。當使用此等材料時，與透光狀態相比，透過材料的散射可見光的量在隱私保護狀態下可增加，從而補償通過材料的降低的常規可見光透射率。常規或直接可見光透射率可以被視為未被光學活性材料18散射或改變方向的透射可見光。

可用作光學活性材料層18的另一種材料為懸浮顆粒材料。懸浮顆粒材料在非活性狀態下通常為暗的或不透明的，但在施加電壓時變得透明。其他類型的可電控光學活性材料可用作光學活性材料18，並且本揭示案在此方面不限於此。

與用於光學活性材料層18的一或多種特定類型的材料無關，材料可以自隱私保護玻璃窗結構12旨在透明的透光狀態變為旨在降低透過絕緣玻璃窗單元的可見性的隱私保護狀態。當自最大透光狀態轉變為最大隱私保護狀態時，光學活性材料18可呈現逐漸降低的直接可見光透射率。類似地，當自最大隱私保護狀態轉變為最大透射狀態時，光學活性材料18可呈現逐漸提高的直接可見光透射率。光學活性材料18自大體透明的透射狀態轉變為大體不透明的隱私保護狀態的速度可由多種因素決定，包含為光學活性材料18選擇的材料的特定類型、材料的溫度、施加至材料上的電壓等。

取決於用於光學活性材料18的材料的類型，所述材料可呈現可控的變暗。如上所述，可控的變暗係指光學活性材料藉由控制施加至光學活性材料的外部能量源而在高可見光透射狀態（亮狀態）、低可見光透射暗狀態及視需要為中間狀態之間轉變的能力，且反之亦然。當如此組態光學活性材料18時，通過含有光學活性材料18的單元的可見光透射率（例如，除了界定光學活性材料及形成單元的其他基板及/或層壓層之外）可以大於40%，當光學活性材料18轉變為高可見光透射狀態明亮狀態，諸如大於60%時。與此相反，通過單元的可見光透射率可以小於5%，當光學活性材料18轉變為低可見光透射暗狀態，諸如小於1%時。可見光透射率可根據ASTM D1003-13量測。

另外或替代地，光學活性材料18可呈現可控的光散射。如上所述，可控光散射係指光學活性材料藉由控制外部能源在低可見霧度狀態、高可見霧度狀態及視需要為中間狀態之間轉變的能力，且反之亦然。當如此組態光學活性材料18時，當光學活性材料18轉變為低可見霧度狀態，諸如小於2%時，通過含有光學活性材料18的單元的透射霧度可小於10%。相反地，當光學活性材料18轉變為高可見霧度狀態並且清晰度值低於50%，諸如透射霧度大於95%且清晰度值低於30%時，通過單元的透射霧度可大於85%。透射霧度可根據ASTM D1003-13量測。可以使用BYK Gardener Haze-Gard計量儀量測清晰度，所述儀可自BYK-GARDNER GMBH商購獲得。

為了電控制光學活性材料18，圖1的實例中的隱私保護玻璃窗結構12包含第一電極層20及第二電極層22。每個電極層均可呈導電塗層的形式，所述塗層沈積在面向光學活性材料18的每個各別窗格的表面上或上方。第一電極層20可以沈積在第一透明材料窗格的內表面上，而第二電極層22可以沈積在第二透明材料窗格的內表面上。第一電極層20及第二電極層22可以直接沈積在各別窗格的內表面上，或者可以沈積在一或多個中間層上，諸如位於窗格的內表面與電極層之間的阻擋層。

每個電極層20、22可為導電塗層，其為透明導電氧化物（「transparent conductive oxide；TCO」）塗層，諸如摻雜鋁的氧化鋅及/或摻雜錫的氧化銦。透明導電氧化物塗層可以經由電極電連接至電源，如下文更詳細描述。在一些實例中，形成電極層20、22的透明導電塗層限定了第一透明材料窗格14與第二透明材料窗格16之間的空腔的壁表面，光學活性材料18接觸所述透明材料窗格。在其他實例中，一或多個其他塗層可以上覆於第一電極層20及/或第二電極層22，諸如電介質保護層（例如，氮氧化矽）。在任一情況下，第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16以及窗格內表面上的任何塗層可形成含有光學活性材料18的空腔或腔室。

例如，界定光學活性材料的透明材料窗格14、16中之一者或兩者可具有界定並與光學活性材料18接觸的配向層。配向層可以沈積在由窗格承載的任何下伏層上，諸如電極層、下伏透明電介質阻擋層（例如，氧化矽）及/或透明電介質保護層。配向層可以幫助減少或消除Mura（瑕疵）缺陷，例如藉由改變光學活性材料18與接觸光學活性材料的窗格表面之間的表面能及/或表面相互作用。在一個實例中，配向層由含有聚醯亞胺的層實現（例如藉由用含有聚醯亞胺的塗層塗佈表面而形成）。可以摩擦或不摩擦聚醯亞胺層以改變層的性質及與光學活性層18的對應相互作用。

在一些實例中，隱私保護玻璃窗結構12包含一或多個功能塗層，其增強隱私保護玻璃窗結構的效能、光學特性及/或可靠性。可以包含在隱私保護玻璃窗結構上的一種功能塗層為低發射率塗層。一般而言，低發射率塗層為被設計成允許近紅外光及可見光通過窗格，同時基本上防止中紅外及遠紅外輻射通過窗格的塗層。低發射率塗層可包含插入在兩層或更多層透明電介質膜之間的一層或多層紅外反射膜。紅外反射膜可包含導電金屬，如銀、金或銅。透明電介質膜可包含一或多種金屬氧化物，諸如鋅、錫、銦、鉍、鈦、鉿、鋯的氧化物，以及它們的合金及組合及/或氮化矽及/或氮氧化矽。有利的低發射率塗層包含LoE-180^TM 、LoE-272^TM 及LoE-366^TM 塗層，可自美國威斯康星州Spring Green的Cardinal CG公司購得。有關可用於隱私保護玻璃窗結構12的低發射率塗層結構的其他細節可以在US 7,906,203中找到，其全部內容以引用方式併入本文中。

在不同的實例中，低發射率塗層可包含由中介透明電介質膜層隔開的一層、兩層、三層或更多層紅外反射膜。一般而言，低發射率塗層中的紅外反射膜層愈多，塗層愈能夠更好地拒絕不希望的波長的光，諸如紫外光譜內的光通過。在一些組態中，隱私保護玻璃窗結構12包含具有至少兩層紅外反射膜，諸如兩層或三層紅外反射膜的低發射率塗層。每層可包含至少10奈米的金屬（例如，金、銀），諸如至少20奈米的金屬。

當隱私保護玻璃窗結構12包含低發射率塗層時，塗層可以置放在玻璃窗單元的任何所需表面上。一般而言，隱私保護玻璃窗結構12的表面以面向外部（例如，外部環境）的玻璃表面開始按順序編號。當圖1的實例中的隱私保護玻璃窗結構12被定位成使得第五透明材料窗格32曝露於外部環境並且第三透明材料窗格24曝露於內部環境時，曝露於外部環境的第五透明材料窗格32的表面可以被指定為#1表面，而面向窗格間空間36的窗格的相對表面可以被指定為#2表面。繼續所述實例，面向窗格間空間36的第四透明材料窗格26的表面可以被指定為#3表面，而與第二層壓層30接觸的第四透明材料窗格的相對表面可以被指定為#4表面。窗格表面的編號可以以這種方式按順序繼續。

當使用低發射率塗層時，低發射率塗層可以定位在隱私保護玻璃窗結構12的任何透明窗格的任何表面上，包含定位在絕緣玻璃單元的相同或不同透明窗格的多個表面上。在隱私保護玻璃窗結構12包含例如一個低發射率塗層的情況下，塗層可以位於單元的#1、#2或#3表面上。例如，圖1說明沈積在單元的#2表面上的低發射率塗層40，其為曝露於窗格間空間36的第五透明材料窗格32的表面。在隱私保護玻璃窗結構12包含塗有低發射率塗層的兩個表面（其可為相同或不同組態）的一些實例中，低發射率塗層可以位於#1及#2表面上、#2及#3表面上、#1及#3表面上，或任何其他所需的表面組合上。

形成隱私保護玻璃窗結構12的透明材料窗格，包含第一窗格14、第二窗格16、第三窗格24、第四窗格26及第五窗格32可由任何合適的材料形成。每個透明材料窗格可以由相同材料形成，或者透明材料窗格中之至少一個窗格可以由與透明材料窗格中之至少另一窗格不同的材料形成。在一些實例中，隱私保護玻璃窗結構12的至少一個（並且視需要為全部）窗格由玻璃形成。在其他實例中，隱私保護玻璃窗結構12中之至少一者（並且視需要為全部）由塑膠形成，諸如碳氟化合物塑膠、聚丙烯、聚乙烯或聚酯。當使用玻璃時，玻璃可為硼矽酸鋁玻璃、鈉-石灰（例如，鈉-石灰-矽酸鹽）玻璃，或另一類型的玻璃。另外，取決於應用，玻璃可為透明的或玻璃可為有色的。儘管可以使用不同的技術製造玻璃，但是在一些實例中，在浮浴線上製造玻璃，其中熔融玻璃沈積在熔融錫浴上以使玻璃成形並凝固。這種實例玻璃可以被稱為浮法玻璃。

當隱私保護玻璃窗結構12的一或多個窗格由玻璃製成時，一或多個窗格（以及視需要為所有窗格）可由熱強化玻璃製成。熱強化玻璃的一個實例為鋼化玻璃。鋼化玻璃通常藉由加熱玻璃單元，玻璃達至應力釋放點溫度（可以被稱為退火溫度），然後快速冷卻玻璃以在玻璃表面中引起壓縮應力來製造。如根據ASTM C1048-04所測定，鋼化玻璃可呈現大於10,000磅/平方吋（psi）的表面壓縮。熱強化玻璃的另一實例為半鋼化玻璃，其可呈現在鋼化玻璃與退火玻璃之間的強度。退火玻璃通常藉由加熱玻璃直至玻璃達至應力釋放點溫度（亦可被稱為退火溫度），然後緩慢冷卻玻璃以減輕內應力來製造。在一些實例中，如根據ASTM C1048-04所測定，半鋼化玻璃呈現約5,000 psi的表面壓縮。

在各種實例中，第一層壓層28及第二層壓層30可由聚乙烯醇縮丁醛（PVB）、乙烯-乙酸乙烯酯（EVA）、熱塑性聚胺脂（TPU）、諸如購自DuPont®的SentryGlas®材料的離聚物膜，或其他合適的聚合材料形成。每個層壓層可以由相同的材料形成，或者兩個層壓層可以由不同材料形成。在一些組態中，第一層壓層28及/或第二層壓層30之厚度範圍可為0.005吋（0.127毫米）至0.25吋（6.35毫米），諸如為0.01吋（0.254毫米）至0.1吋（2.54 mm）或0.015吋（0.381 mm）至0.09吋（2.286 mm）。在一些實例中，第一層壓層28及/或第二層壓層30之厚度大於0.03吋（0.762毫米）且小於0.1吋（2.54毫米）。在其他實例中，第一層壓層28及/或第二層壓層30之厚度大於0.01吋（0.254毫米）且小於0.04吋（1.08毫米）。第一層壓層28的厚度可以與第二層壓層30的厚度相同或不同。

在一些實例中，形成隱私保護玻璃窗結構12的透明材料窗格的厚度大於第一及/或第二層壓層的厚度。例如，每個透明材料窗格的厚度可以在0.5 mm至8 mm之範圍內，諸如1 mm至6 mm、2 mm至4 mm。

隱私保護玻璃窗結構12可具有各種不同的窗格構造及組態。例如，各種層壓玻璃配置可用於賦予隱私保護玻璃窗結構不同的結構及/或功能性質。關於可以在本揭示案中使用的隱私保護玻璃窗基板配置的其他細節可以在2018年4月20日提交的標題為《高效能隱私保護玻璃窗結構（HIGH PERFORMANCE PRIVACY GLAZING STRUCTURES）》的美國公開專利申請案第2018/0307111中找到，所述美國公開專利申請案的全部內容以引用方式併入本文中。

在圖1的實例中，隱私保護玻璃窗結構12包含由間隔件34形成的窗格間空間36。間隔件34可以圍繞多窗格隱私保護玻璃窗結構的整個周邊延伸以氣密密封窗格間空間36而不與周圍環境進行氣體交換。為了最小化跨越結構的熱交換，窗格間空間36可填充有絕緣氣體或甚至抽空氣體。例如，窗格間空間36可以填充有絕緣氣體，諸如氬氣、氪氣或氙氣。在此等應用中，絕緣氣體可與乾燥空氣混合，以提供所需的空氣與絕緣氣體的比率，諸如10%空氣與90%絕緣氣體。在其他實例中，窗格間空間36可以被抽空，使得窗格間空間相對於環繞隱私保護玻璃窗結構12的環境的壓力處於真空壓力下。

間隔件34可為如下任何結構：在隱私保護玻璃窗結構12的使用壽命期間使相對基板保持間隔開的關係且密封相對材料窗格之間的窗格間空間36，例如以便抑制或消除窗格間空間與單元周圍的環境之間的氣體交換。可用作間隔件34的間隔件的一個實例為位於第五透明材料窗格32與第四透明材料窗格26之間的管狀間隔件。管狀間隔件可以限定中空內腔或管，在一些實例中，所述中空內腔或管填充有乾燥劑。管狀間隔件可具有（藉由第一密封劑珠滴）黏附至第五透明材料窗格32的表面的第一側表面及（藉由第二密封劑珠滴）黏附至第四透明材料窗格26的第二側表面。管狀間隔件的頂表面可以曝露於窗格間空間36，並且在一些實例中，包含允許窗格間空間內的氣體與間隔件內部的乾燥材料連通的開口。這種間隔件可由鋁、不鏽鋼、熱塑性塑膠或任何其他合適的材料製成。有利的玻璃窗間隔件可自美國伊利諾斯州伊塔斯卡的Allmetal公司商購獲得。

可用作間隔件34的間隔件的另一實例為由密封劑組合物環繞的波紋金屬加強板形成的間隔件。波紋金屬加強板可為剛性結構組件，其使第五透明材料窗格32與第四透明材料窗格26保持間隔開。這種間隔件在商業環境中通常被稱為swiggle間隔件。在另一實例中，間隔件34可以由泡沫材料形成，所述泡沫材料環繞在除了面向具有金屬箔的窗格間空間的一側之外的所有側面上。這種間隔件可自Edgetech以商品名Super Spacer®購得。作為另一實例，間隔件34可為熱塑性間隔件（TPS）間隔件，其藉由將主密封劑（例如，黏合劑）定位在第五透明材料窗格32與第四透明材料窗格26之間，然後視需要圍繞基板與主密封劑之間限定的周邊施加輔助密封劑來形成。間隔件34可以具有其他組態，如本領域中一般熟習此項技術者將瞭解。

隱私保護玻璃窗結構12可用於任何期望的應用，包含門、窗戶、牆壁（例如，牆壁隔板）、住宅或商業建築物中的天窗，或其他應用中。為了有助於安裝隱私保護玻璃窗結構12，所述結構可包含環繞結構的外周邊的框架或框格。在不同的實例中，框架或框格可以由木材、金屬或諸如乙烯樹脂的塑膠材料製成。框架或框格可以限定接納並固持結構的外周邊緣的通道。

圖2為隱私保護玻璃窗結構12的實例組態的分解透視圖，其中相同的附圖標記指代上文關於圖1所論述之相同元件。如圖2所示，隱私保護玻璃窗結構12包含先前描述之第一透明材料窗格14、第二透明材料窗格16及光學活性材料18。隱私保護玻璃窗結構12亦包含藉由第一層壓層28接合至第一透明材料窗格14的第三透明材料窗格24及藉由第二層壓層30接合至第二透明材料窗格16的第四透明材料窗格26。圖2中的隱私保護玻璃窗結構12亦被示出為具有環繞光學活性材料18並將光學活性材料圍封在第一與第二透明材料窗格之間的密封件42。另外，隱私保護玻璃窗結構12包含用於將第一電極層20（圖1）及第二電極層22（圖1）連接至電源的至少一個電極。在圖2中，至少一個電極被示出為使用兩個電極實現：第一電極44及第二電極46。

隱私保護玻璃窗結構12的每個窗格均可具有限定窗格邊界的多個邊緣。例如，第一透明材料窗格14被示出為具有頂邊緣14A、底邊緣14B、第一側邊緣14C及第二側邊緣14D。第二透明材料窗格16被示出為具有頂邊緣16A、底邊緣16B、第一側邊緣16C及第二側邊緣16D。類似地，第三透明材料窗格24被示出為具有頂邊緣24A、底邊緣24B、第一側邊緣24C及第二側邊緣24D。最後，在圖2中，第四透明材料窗格26被示出為具有頂邊緣26A、底邊緣26B、第一側邊緣26C及第二側邊緣26D。應瞭解，對頂部、底部及側面的參考係相對於重力及使用中的隱私保護玻璃窗結構12的典型定向的相對位置參考，然而，根據本揭示案的結構不限於任何特定定向。

一般而言，隱私保護玻璃窗結構12中的每個透明材料窗格均可以限定任何期望的形狀，包含多邊形形狀（例如，正方形、矩形、六邊形、梯形），弓形形狀（例如，圓形、橢圓形）或者多邊形與弓形形狀之組合（例如，矩形轉變為半圓形）。通常，隱私保護玻璃窗結構12中的每個透明材料窗格均將具有相同的形狀（例如，正方形、矩形），但是可以具有或不具有如本文所論述之不同尺寸。

為了藉由兩個窗格之間的光學活性材料18將第一透明材料窗格14接合及/或密封至第二透明材料窗格16，密封件42可以定位在兩個窗格之間。可以使用一或多種聚合密封劑來實施密封，所述聚合密封劑定位成圍繞第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16的周邊延伸，例如鄰近於及/或接觸窗格之周邊邊緣表面。一或多種密封劑可以圍繞周邊將第一透明材料窗格14接合至第二透明材料窗格16，例如以防止液體自由一或多種密封劑界定的區域進入或流出。例如，密封劑可以在由一或多種密封劑限定的區域內將液體光學活性材料18保持於窗格之間及/或抑制外部水分到達光學活性材料。

如上文簡要提及，形成隱私保護玻璃窗結構12的透明材料窗格，無論單獨實施為單元抑或呈具有窗格間空間的多窗格結構的形式，均可以配置成提供電連接區域以有助於與第一電極層20及第二電極層22進行電連接。在一些實例中，窗格的位置相對於彼此進行協調以實現穩固而緊湊的電連接。

在一種組態中，第一透明材料窗格14的側邊緣相對於第三透明材料窗格24的對應側邊緣凹入。這可以提供第一凹槽，其中第二透明材料窗格16上的電極接觸墊被曝露以用於接合第一電極44。另外，第二透明材料窗格16的側邊緣可相對於第四透明材料窗格26的對應側邊緣凹入。這可以提供第二凹槽，其中第一透明材料窗格14上的電極接觸墊被曝露以用於接合第二電極46。與組態具有側凹槽的隱私保護玻璃窗結構12相結合，第一透明材料窗格14的底邊緣及第二透明材料窗格16的底邊緣可彼此齊平。另外，此等窗格的底邊緣亦可以與第三透明材料窗格24及第四透明材料窗格26的底邊緣齊平。以這種方式，界定光學活性材料18的窗格的邊緣可以相對於外包夾或層壓窗格的相應邊緣不對稱地定位。

圖3為自第四透明材料窗格26之角度的來自圖1的隱私保護玻璃窗結構12的側視圖。圖3示出了下面將參考圖4至圖7更詳細描述的四個剖視圖。圖4為沿著圖3中所指示的B-B剖面線截取的隱私保護玻璃窗結構12的第一側視圖。圖5為沿著圖3中所指示的C-C剖面線截取的隱私保護玻璃窗結構12的第二側視圖。圖6為沿著圖3中所指示的A-A剖面線截取的隱私保護玻璃窗結構12的俯視圖。此外，圖7為沿著圖3中所指示的D-D剖面線截取的隱私保護玻璃窗結構12的仰視圖。

參考圖4，隱私保護玻璃窗結構12的第一側剖視圖分別示出了第一、第二、第三及第四透明材料窗格的第一側邊緣14C、16C、24C及26C。如所示，第一透明材料窗格14的第一側邊緣14C相對於第三透明材料窗格24的第一側邊緣24C凹入。第一透明材料窗格14的側邊緣14C相對於第三透明材料窗格24的第一側邊緣24C凹入，因為它向內（例如，朝向結構的中心）偏移。這可以提供由第一透明材料窗格的第一側邊緣14C、第二透明材料窗格16的內表面及第三透明材料窗格24共同限定的第一凹入空間。第一電極44可以部分或完全地定位在所述第一凹入空間中並且與所述空間內的第二電極層22接合（例如，機械及/或電耦接）。

在各種組態中，第二透明材料窗格16的第一側邊緣16C相對於第三透明材料窗格24的第一側邊緣24C可凹入或不凹入。例如，在圖4中，第二透明材料窗格16的第一側邊緣16C被示出為相對於第一透明材料窗格的第一側邊緣24C以及第四透明材料窗格26的第一側邊緣26C凹入。在所示組態中，第一透明材料窗格14的第一側邊緣14C相對於第二透明材料窗格16的第一側邊緣16C凹入，並且兩個側邊緣均相對於外包夾第三及第四窗格凹入。當如此組態時，第一透明材料窗格14的第一側邊緣14C比第二透明材料窗格16的第一側邊緣16C凹入得更深。

第三透明材料窗格24及第四透明材料窗格26沿著隱私保護玻璃窗結構12的第一側可相對於彼此齊平或不齊平。在圖4中，第三透明材料窗格24的第一側邊緣24C被描繪為與第四透明材料窗格26的第一側邊緣26C齊平。例如，這可用以提供一對最外邊緣，其為隱私保護結構提供機械穩定性及/或實體保護。

參考圖5，隱私保護玻璃窗結構12的第二側剖視圖分別示出了第一、第二、第三及第四透明材料窗格的第二側邊緣14D、16D、24D及26D。如所示，第二透明材料窗格16的第二側邊緣16D相對於第四透明材料窗格26的第二側邊緣26D凹入。第二透明材料窗格的側邊緣16D相對於第四透明材料窗格的第二側邊緣26D凹入並且向內（例如，朝向結構的中心）偏移。這可以提供第二凹槽空間，其共同地由第二透明材料窗格的第二側邊緣16D、第一透明材料窗格14的內表面及第四透明材料窗格26限定。第二電極46可以部分或完全地定位在所述第二凹槽空間中，並且與所述空間內的第一電極層20接合（例如，機械及/或電耦接）。

在各種組態中，第一透明材料窗格14的第二側邊緣14D相對於第四透明材料窗格26的第二側邊緣26D可凹入或不凹入。例如，在圖4中，第一透明材料窗格14的第二側邊緣14D被示出為相對於第四透明材料窗格的第二側邊緣26D以及第三透明材料窗格24的第二側邊緣24D凹入。在所示組態中，第二透明材料窗格16的第二側邊緣16D相對於第一透明材料窗格14的第二側邊緣14D凹入，並且兩個側邊緣均相對於外包夾第三及第四窗格凹入。當如此組態時，第二透明材料窗格16的第二側邊緣16D比第一透明材料窗格14的第二側邊緣14D凹入得更深。

第三透明材料窗格24及第四透明材料窗格26沿著隱私保護玻璃窗結構12的第二側可相對於彼此齊平或不齊平。在圖5中，第三透明材料窗格24的第二側邊緣24D被描繪為與第四透明材料窗格26的第二側邊緣26D齊平。同樣，這可例如用以提供一對最外邊緣，其為隱私保護結構提供機械穩定性及/或實體保護。

第一透明材料窗格14在第一側相對於第三透明材料窗格24凹入的深度及第二透明材料窗格16在第二側相對於第四透明材料窗格26凹入的深度可以例如取決於待附接至對應曝露電極層的電極的尺寸及組態而變化。在一些組態中，隱私保護玻璃窗結構12限定第一側凹槽距離48（圖4）及第二側凹槽距離50（圖5），其小於12.5 mm，諸如小於10 mm、小於9 mm，或小於7 mm。例如，第一側凹槽距離48及/或第二側凹槽距離50可在約4 mm至約8 mm範圍內，諸如約6 mm。在其他實例中，第一側凹槽距離48及第二側凹槽距離50可小於約4 mm，諸如1 mm至4 mm。適當地設定第一側凹槽距離48及第二側凹槽距離50的尺寸可以提供足夠的空間以用於將每個電極與曝露的電極層接合，同時使凹槽的視線影響最小化。儘管第一側凹槽距離48及第二側凹槽距離50可相同，使得隱私保護玻璃窗結構12經組態有對稱的側凹槽，但在其他組態中，所述距離可以不同（第一側凹槽距離48大於或小於第二側凹槽距離50）。

當第二透明材料窗格16的第一側邊緣16C亦相對於第三透明窗格24及/或第四透明窗格26的第一側邊緣24C及/或26C凹入時，第二透明窗格凹入的距離可小於第一側凹槽距離48。例如，所述距離可以在第一側凹槽距離48的10%至90%範圍內，諸如小於第一側凹槽距離48的50%。在一些組態中，所述距離可足以允許電極44環繞與其接合的透明窗格的側邊緣，而不會突出超過第三及第四透明窗格的側邊緣。

類似地，當第一透明材料窗格14的第二側邊緣14D相對於第三透明窗格24及/或第四透明窗格26的第二側邊緣24D及/或26D凹入時，第一窗格凹入的距離可小於第二側凹槽距離50。例如，所述距離可以在第二側凹槽距離50的10%至90%範圍內，諸如小於第二側凹槽距離50的50%。在一些組態中，所述距離可足以允許電極46環繞與其接合的透明窗格的側邊緣，而不會突出超過第三及第四透明窗格的側邊緣。

應瞭解，儘管第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16如所示分別在第一及第二側凹入，以用於建立凹入空間以便於電極接合，但是窗格凹入方向可以顛倒。換言之，第一透明材料窗格14可以在其第二側凹入，而第二透明材料窗格16在其第一側凹入，以限定界定電極之凹入空間。因此，應瞭解，關於附圖描述的窗格及邊緣編號方案係出於說明的目的，並且本揭示案在此方面不限於此。

在一些組態中，第一透明材料窗格14的頂邊緣14A及/或第二透明材料窗格16的頂邊緣16A可相對於外部第三及第四透明窗格的一或多個頂邊緣凹入。所述頂部凹槽可以提供一空間或空腔，在離開隱私保護玻璃窗結構12以連接至外部電源之前，配線可以自電極44、46佈線於所述空間或空腔中。

圖6為沿著圖3中所示的A-A剖面線截取的頂部剖視圖，示出了隱私保護玻璃窗結構12中的窗格的頂邊緣的實例組態。在所述圖示中，第一透明材料窗格的頂邊緣14A相對於第三透明材料窗格24的頂邊緣凹入。此外，第二透明材料窗格16的頂邊緣16A相對於第四透明材料窗格26的頂邊緣凹入。這導致空腔或凹入的頂部空間的寬度等於第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16的厚度。相反地，第一側凹槽的寬度可以等於第一透明材料窗格14的厚度，且第二側凹槽的寬度可以等於第二透明材料窗格16的厚度。

儘管圖6示出了第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16兩者均凹入，但在其他組態中，兩個窗格中僅一個窗格凹入。例如，第一透明材料窗格14的頂邊緣14A可以與第三透明材料窗格的頂邊緣24A齊平地定位（例如，第二透明材料窗格16的頂邊緣16A相對於兩個基板凹入）。或者，第二透明材料窗格16的頂邊緣16A可以定位成與第四透明材料窗格的頂邊緣26A齊平（例如，第一透明材料窗格16的頂邊緣14A相對於兩個基板凹入）。

不管第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16的頂邊緣14A及16A是否凹入，第三透明材料窗格24及第四透明材料窗格26的頂邊緣24A及26A可以或可以不彼此齊平。在圖6中，第三透明材料窗格24的頂邊緣24A被描繪為與第四透明材料窗格26的頂邊緣26A齊平。這對於提供一對齊平邊緣表面可有用，例如以提供最外頂邊緣，其為隱私保護結構提供機械穩定性及/或實體保護。

沿著隱私保護玻璃窗結構12的頂部限定的凹槽可以具有最大深度52，其可以被稱為頂部凹槽距離。頂部凹槽距離52可小於12.5 mm，諸如小於10 mm、小於7 mm或小於5 mm。例如，頂部凹槽距離52可在約2 mm至約6 mm範圍內，諸如約3 mm。在實踐中，頂部凹槽距離52的尺寸可小於或可不小於第一側凹槽距離48及第二側凹槽距離50。頂部凹槽可以更小，此係由於凹槽可僅需要容納導線佈線而不需要容納電極接合。此外，最小化頂部凹槽之尺寸可以用於最小化可試圖聚集水分的空間量。

當頂部凹槽之尺寸小於第一及第二側凹槽之尺寸時，第一側凹槽距離48除以頂部凹槽距離52的比率以及第二側凹槽距離50除以頂部凹槽距離52的比率可以各自大於1。例如，所述比率可各自大於1.1，諸如大於1.2或大於1.5。例如，所述比率各自可以在1.1至2.5範圍內，諸如1.1至1.5或1.5至2.5。因此，頂部凹槽的深度可設定成與側凹槽的深度成比例，以引起可以定位在不同凹槽中的相關但不同的電連接特徵（例如，配線與電極）。

如上文簡要論述，隱私保護玻璃窗結構12的窗格的底邊緣可以彼此齊平地配置。圖7為沿著圖3中所示的D-D剖面線截取的底部剖視圖，示出了隱私保護玻璃窗結構12中的窗格的底邊緣的實例組態。在所述圖示中，第一透明材料窗格14的底邊緣14B與第二透明材料窗格16的底邊緣16B以及第三透明材料窗格24的底邊緣24B及第四透明材料窗格26的底邊緣26B齊平。因此，所有四個窗格的底邊緣彼此齊平。當實施為包含窗格間空間的絕緣單元的一部分時，在窗格間空間的相對側上的第五透明材料窗格的底邊緣亦可以與結構中的其他窗格齊平。儘管圖7示出了隱私保護玻璃窗結構12的窗格的底邊緣可以彼此齊平地配置，但在其他組態中，一或多個窗格可以相對於一或多個其他窗格偏移（例如，以限定底部凹槽）。

為了形成具有一或多個側凹槽及視需要為頂部凹槽的隱私保護玻璃窗結構12，可以將不同尺寸的窗格裝配在一起。在一種組態中，隱私保護玻璃窗結構12使用兩個不同尺寸的材料窗格製造。第三透明材料窗格24及第四透明材料窗格26可以具有相同尺寸（例如，長度及寬度），同時第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16亦可以具有相同尺寸（例如，長度及寬度），第一及第二窗格的尺寸不同於第三及第四窗格的尺寸。尤其，第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16的寬度（自一側量測至另一側）可以比第三透明材料窗格24及第四透明材料窗格26短。寬度可以短一定距離，例如在3 mm至25 mm範圍內，諸如6 mm至18 mm。另外，第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16的長度（自頂部量測至底部）可以比第三透明材料窗格24及第四透明材料窗格26短。一旦經裝配，長度可以短一定距離，與頂部凹槽的深度相對應。前述窗格尺寸組態僅僅為例示性的，並且應瞭解，除非另有說明，否則本揭示案在此方面不限於此。

為了在自外部電源進入隱私保護玻璃窗結構12的配線與每個電極層之間建立電連接，可以提供一或多個電極。每個電極可以接合至電極層20、22中之一者並且亦連接至配線。因此，電極可以形成配線的末端，可以連接至電極層。

進一步參考圖2、圖4及圖5，隱私保護玻璃窗結構12被示出為包含第一電極44及第二電極46。第一電極44可以定位在由第一透明材料窗格14的偏移區段限定的第一凹入凹口中。藉由偏移第一透明材料窗格14，承載在第二透明材料窗格的內表面上的第二電極層22的一部分可以曝露於凹入空間。第一電極44可以在凹槽內接合至第二電極層22。類似地，第二電極46可以定位在由第二透明材料窗格16的偏移區段限定的第二凹入凹口中。藉由偏移第二透明材料窗格16，承載在第一透明材料窗格的內表面上的第一電極層20的一部分可以曝露於凹入空間。因此，第二電極46可以在所述凹槽內接合至第一電極層20。

一般而言，每個電極44、46可由導電材料（例如，金屬）形成，並且所述電極的橫截面面積可大於與所述電極附接的導線的橫截面面積。可以使用任何合適的電極結構來實現每個電極44、46。

在一種組態中，藉由在各別電極層的表面上沈積焊料之區段來形成每個電極44、46。例如，每個電極44、46可以藉由在各別電極層上及/或上方經由超聲波沈積製程沈積一定長度的焊料材料而形成。第一電極44可為沈積在第二電極層22上的一定長度的焊料，所述第二電極層承載在界定第一側凹槽的第二基板16的內表面上。第二電極46可為沈積在第一電極層20上的一定長度的焊料，所述第一電極層承載在界定第二側凹槽的第一窗格14的內表面上。由超聲波沈積焊料形成的每個電極的長度可以取決於隱私保護玻璃窗結構12的尺寸而變化，並且在一些實例中，可為至少50 mm長及2 mm寬，諸如至少100 mm長及2 mm寬。當電極層包含非導電保護層，諸如金屬氧化物、金屬氮化物及/或金屬氮氧化物塗層時，焊料材料可以穿透非導電保護層以在沈積電極與下伏電極層之間實現電氣通信。

作為另一實例，電極44、46可以實現為環繞各別窗格的側邊緣的機械結構，電極電耦接至窗格承載的電極層。圖8為實例電極60的透視圖，所述實例電極可用作具有環繞式組態的隱私保護玻璃窗結構12中的電極44及/或46。如所述實例中所示，電極60具有基座62，第一支腿64及第二支腿66自所述基座延伸。第一支腿64及第二支腿66被示出為自基座62大體垂直地延伸以限定U形橫截面，但是可以以不同角度延伸。在使用中，電極60的基座62可以定位成與承載電極層的窗格的側邊緣接觸，電極將連接至所述電極層。第一支腿64可以平行於窗格的外表面延伸，並且視需要與外表面接觸。第二支腿66可以平行於承載電極層的窗格的內表面延伸。

為了將電極60固定至窗格，第一支腿64可以嵌入於層壓層中，所述層壓層將承載電極層的窗格接合至相鄰的窗格。在一個實例中，第一支腿64可以藉由將兩個窗格層壓在一起並且然後將電極60推到將與其附接的窗格的側邊緣上而嵌入於層壓層中，從而使得第一支腿64在層壓層中形成開口。在另一實例中，電極60可以附接至窗格的側邊緣，然後窗格層壓至相鄰的窗格。在所述實例中，將兩個窗格接合在一起的層壓材料可以緊靠並圍繞第一支腿64熔融流動，從而使得第一支腿嵌入於層壓層中。在任一應用中，電極60的第一支腿64可包含複數個間隔開的指形件，視需要具有通孔68，所述通孔可提供層壓材料可在其中流動以接合電極的間隙空間。

電極60的第二支腿66可以與電極所接合的下伏電極層實體接觸，以建立自電極層至電極的電通路。電極60的第二支腿66可以具有複數個間隔開的指形件，此等指形件成角度或經偏置，從而藉由偏置力使得指形件壓靠在窗格的內表面上，指形件抵靠所述內表面定位。這可以幫助保持電極與下伏電極層的接觸。在一些實例中，第二支腿66的每個指形件包含齒70。齒70可以用以刺穿沈積在電極60所附接的電極層上的任選保護層，從而允許電極建立穿過保護層的電氣通信通路。

與第一電極44及第二電極46的特定組態無關，電極可各自附接至電配線，所述電配線自各別電極延伸出隱私保護玻璃窗結構12。進一步參考圖3，示出了實例導線佈線。如所示，第一電極44連接至電配線80的第一區段。此外，第二電極46連接至電配線82的第二區段。電配線80的第一區段可以定位在由偏移窗格限定的第一凹槽空間中，並且沿著隱私保護玻璃窗結構的長度（自頂部至底部及/或反之亦然）的至少一部分延伸。電配線82的第二區段可以定位在由偏移窗格限定的第二凹槽空間中，並且沿著隱私保護玻璃窗結構的長度（自頂部至底部及/或反之亦然）的至少一部分延伸。在一些組態中，電配線的一個或兩個區段自結構的側邊緣離開隱私保護玻璃窗結構12。在其他組態中，亦如圖3中所示，電配線的一個或兩個區段自結構的頂邊緣離開隱私保護玻璃窗結構12。在所述另一種組態中，電配線可以定位於由偏移窗格限定的頂部凹槽定位中並沿著所述頂部凹槽。一般而言，術語配線係指任何撓性或非撓性電導體，諸如視需要覆蓋有絕緣塗層、撓性印刷電路、匯流條，或其他電連接器的金屬線。

為了幫助將電配線80、82固定在所述配線被佈線所在之一或多個凹槽中並且亦提供環境屏障，可以在將期望的電連接特徵附接及佈線之後填充由偏移窗格限定之隱私保護玻璃窗結構的凹槽。例如，隱私保護玻璃窗結構12之側面及/或頂部凹槽可以填充有聚合材料，例如直至聚合材料與第三及第四透明材料窗格之邊緣表面齊平。聚合填充材料可以將電連接特徵封裝在凹槽內。可使用之實例聚合填充材料包含矽樹脂、環氧樹脂及聚胺酯材料。

除了如上所述組態具有偏移窗格之隱私保護玻璃窗結構12之外或代替組態所述隱私保護玻璃窗結構，隱私保護玻璃窗結構的電極層20、22可以配置成有助於在結構的使用壽命期間促進穩固且可靠的電操作。在一些實例中，每個電極層沿著其上沈積有電極層的窗格之內表面偏移，從而使得電極層與窗格之周邊邊緣間隔開。在水分繞過一或多個密封件並開始穿透結構之周邊邊緣之情況下，窗格之周邊邊緣與電極層之間的這種偏移或間隔可用於幫助防止電短路。在實踐中，沿著隱私保護玻璃窗結構12之底部區域的進水風險可能最高。例如，若環境降水或來自其他來源之水分進入環繞隱私保護玻璃窗結構12之框格或框架，則水分可沿著框格或框架之底表面聚集，隱私保護玻璃窗結構12的底邊緣定位在所述底表面上。因此，儘管電極層可以沿著窗格之周邊（並且視需要圍繞窗格的整個周邊）在任一點自周邊邊緣偏移，但是在一些組態中，電極層至少沿著窗格的底邊緣偏移。例如，電極層可以沿著底邊緣及自底邊緣向上朝向頂邊緣延伸之距離之至少一部分偏移。

當隱私保護玻璃窗結構12組態有偏移電極層時，可以使用各種不同技術建立偏移。例如，電極層在期望偏移區域上可以被移除（例如經由研磨或雷射剝蝕）及/或在所述區域中以其他方式被停用。或者，可以將電極層沈積在窗格上，使得電極層不在期望偏移區域上延伸。

圖9為透明材料窗格的實例內表面的前視圖，示出了可用於第一電極層20及/或第二電極層22的實例電極層偏移組態。如所述實例中所示，透明材料窗格100具有沈積在其內表面上的電極層102。電極層102自透明材料窗格100的周邊邊緣朝向窗格中心偏移。詳言之，電極層102沿著透明材料窗格之頂邊緣100A、底邊緣100B、第一側邊緣100C及第二側邊緣100D之至少一部分偏移。這在透明材料窗格100之內表面上鄰近於窗格之第一、第二、頂邊緣及底邊緣提供電隔離區域104。

電極層102自窗格之每個邊緣偏移的距離106可以基於各種因素而變化。例如，距離可以與窗格之不同邊緣不同，或者可以自所有邊緣圍繞窗格之周邊為均勻的。而且，距離106可以基於結構之尺寸及預期應用而變化。在一些實例中，距離106在1 mm至25 mm範圍內，諸如3 mm至13 mm。

儘管偏移一個或兩個電極層可以用於幫助防止進水情況下發生電短路，但是電極層仍然可以在一區域上延伸得更接近於及/或延伸直至周邊邊緣以促進電極44、46的接合。在圖9中，例如，電極層102被示出為在限定電極接觸墊之區域108上延伸至第一側邊緣100C。電極接觸墊108可以形成隱私保護玻璃窗結構12上之凹入空間的邊界壁，由此電極在凹入空間內接合至接觸墊。

在圖9中，偏移區域104被示出為圍繞透明窗格100之整個周邊延伸，惟限定電極接觸墊108之區域上除外。在其他實例中，偏移區域104不需要圍繞透明窗格之整個周邊延伸，惟限定電極接觸墊之區域除外。一般而言，偏移區域104可以沿著底邊緣100B（例如，沿著底邊緣之整個長度）自底邊緣向上延伸最小間隔距離110（例如，在第一側100C及第二側100D兩者上）。最小間隔距離110可為透明材料窗格100之底邊緣100B與限定電極接觸墊108之區域的最底邊緣之間的距離。在一些實例中，間隔距離110在50 mm至200 mm範圍內，但是所述距離可以取決於隱私保護玻璃窗結構12的尺寸及組態而變化。

當在隱私保護玻璃窗結構12上實施時，第一透明材料窗格14及第二透明材料窗格16可各自具有對應的電極層偏移區域。偏移區域之尺寸及組態對於每個窗格可相同，或者可不同。此外，儘管圖9示出了透明材料窗格之第一側100C上的電極接觸墊，但實際上，一個窗格可以在窗格之第一側上具有電極接觸墊，而另一個窗格可以在窗格之第二側上具有電極接觸墊。換言之，電極層及偏移區域可以僅僅為彼此之影像。

隱私保護玻璃窗結構12可以具有各種不同的導線佈線組態。在一些實施方案中，電連接至電極（例如，電極44、電極46）之配線穿過限定在玻璃窗結構之偏移窗格之間的一或多個凹槽進行佈線。一或多個凹槽可以提供配線所在的通道，從而允許配線相對於界定通道之窗格之側邊緣凹入。

延伸通過限定在隱私保護玻璃窗結構12之偏移窗格之間的一或多個凹槽的配線可以在任何期望位置離開凹槽，例如以用於連接至電源及/或電驅動器。圖3示出了配線80、82可以離開側凹槽及頂部凹槽的實例位置。在所述示出組態中，示出了配線80、82，其在隱私保護玻璃窗結構12之平面（X-Z平面）中彎曲，以離開配線延行所在之凹槽。在其他組態中，配線可以藉由穿過限定配線延行所在之通道的窗格之表面形成開口而離開凹槽，在凹槽中，配線自隱私保護玻璃窗結構12之平面中伸出。可以穿過界定並限定通道的材料窗格的平面（X-Y平面）形成開口，從而允許配線離開凹槽，配線經由所述凹槽延伸出隱私保護玻璃窗結構之平面。

圖10示出了隱私保護玻璃窗結構12之實例組態，其中配線在由偏移窗格限定之凹槽內佈線，並且經由限定凹槽之窗格之一的表面離開隱私保護玻璃窗結構。詳言之，圖10為隱私保護玻璃窗結構12的面向內部的前視圖，其中第三透明材料窗格24被示出為在圖的左側被移除，以用於示出位於窗格表面下方的電極44及配線80、82（例如，在第一側凹槽中）。藉由使第一透明材料窗格14的第一側邊緣及/或第二透明材料窗格16相對於第三透明材料窗格24及/或第四透明材料窗格26凹入，可以將此等組件定位在窗格表滿下方。在所示的實例中，配線80、82被示出為電連接至電極44並且在第一側凹槽內豎直向上（沿Z方向）延伸。在所示實例中的配線80、82自第一側凹槽變為頂部凹槽（在X方向上），例如藉由進行90度彎曲。然後，配線80、82經由開口150離開頂部凹槽，所述開口限定在限定頂部凹槽之第三透明材料窗格的一部分中。以這種方式，配線80、82可以完全定位在由隱私保護玻璃窗結構12限定之一或多個凹槽內，直至配線脫離隱私保護玻璃窗結構之平面並且經由形成在限定一個凹陷之側壁的透明材料窗格中之孔離開。

圖11為來自圖10之隱私保護玻璃窗結構12的頂視圖，示出了自所述角度之實例導線佈線組態。如所述視圖中所示，在經由形成在第三透明材料窗格24之表面中的開口150離開頂部凹槽之前，配線80、82延伸穿過頂部凹槽並平行於隱私保護玻璃窗結構12的窗格的主面延伸。開口150可以沿著隱私保護玻璃窗結構12之長度定位在任何期望位置，例如在結構之第一與第二側邊緣之間。這可以為製造商或設計者提供靈活性，以使導線沿著結構之長度在任何期望的位置佈線以進行電連接。

在一些實施方案中，開口150為形成於第三透明材料窗格24之表面中的孔，其完全被限定窗格的材料環繞及界定。因此，當配線80、82穿過開口150佈線時，配線可以在穿過開口時被限定窗格之材料完全環繞。在其他實施方案中，開口150可為自第三透明材料窗格24之邊緣（例如，頂邊緣）延伸至窗格中配線80、82期望離開凹槽之深度的凹口。當如此組態時，配線可以在所有側面上被環繞，惟在窗格中利用限定窗格的材料形成凹口的一側除外。在各種實例中，開口150可以藉由在窗格中形成孔（例如，經由機械或雷射鑽孔）或藉由在窗格中形成凹口而形成。一般而言，開口150可以定位在凹槽中比配線被佈線所處深度淺的位置。例如，當第一透明材料窗格14的邊緣及/或第二透明材料窗格16的邊緣相對於第三透明材料窗格24的邊緣偏移時，開口150可以定位在第三透明材料窗格24的邊緣與第一透明材料窗格14及/或第二透明材料窗格16的偏移邊緣之間。

開口150可具有任何合適的形狀，諸如圓形或其他弓形形狀及/或多邊形形狀，諸如正方形或矩形。開口150之尺寸通常可以設定成與意欲穿過開口佈線之配線80、82的尺寸緊密一致。例如，開口150之尺寸可以小於意欲穿過開口佈線之配線之尺寸（例如，寬度、長度或橫截面面積）的兩倍。作為實例，位於隱私保護玻璃窗結構12的凹槽及開口150中的配線可以具有小於4 mm之外徑，諸如1 mm至3 mm範圍內之外徑。開口150可為直徑小於6 mm，諸如2 mm至5 mm的圓孔。限定開口150的側壁與穿過開口佈線之配線之間的自由空間可視需要用灌封材料（例如，密封劑）填充。

圖10及11示出了一個實例導線佈線組態，其中配線經由限定頂部凹槽之窗格之側壁離開。上面參考圖10及圖11描述之導線佈線組態及技術可以在隱私保護玻璃窗結構12上的其他位置處複製及/或實施。作為一個實例，隱私保護玻璃窗結構12可以包含自電極46延伸之第二導線佈線（例如，在隱私保護玻璃窗結構的右側）。如上所述，第二配線可以在轉入頂部凹槽並自隱私保護玻璃窗結構之平面退出之前在第二側凹槽中豎直向上延伸。

作為另一實例，配線可以直接經由第一側凹槽及/或第二側凹槽離開，而無需延伸至由隱私保護玻璃窗結構12形成之頂部凹槽中。當如此組態時，一或多個孔150可定位在第三透明材料窗格24的一部分上，所述部分限定第一側凹槽及/或第二側凹槽。

作為又一實例，隱私保護玻璃窗結構12可包含底部凹槽，其中第一透明材料窗格14之底邊緣14B及/或第二透明材料窗格16之底邊緣16B相對於第三透明材料窗格24之底邊緣24B及/或第四透明材料窗格26之底邊緣26B凹入。這可以提供底部凹槽（類似於上面描述的頂部凹槽）。當如此組態時，限定隱私保護玻璃窗結構12之窗格的頂邊緣可以彼此齊平或者可以限定凹槽。在任一種情況下，連接至電極44及/或電極46之配線可以在隱私保護玻璃窗結構12之底部凹槽中延伸。配線可以經由形成在第三透明材料窗格24中限定並界定底部凹槽之部分中的一或多個開口150離開底部凹槽。

儘管前面描述的導線佈線組態利用延伸穿過限定隱私保護玻璃窗結構12之凹槽的一或多個窗格之表面的一或多個孔（如所述延伸穿過第三透明材料窗格24之一或多個孔150），但應瞭解，此等孔可以穿過結構的不同窗格形成。例如，一或多個孔150可以延伸穿過第四透明材料窗格26的表面。作為另一實例，一或多個孔150可以延伸穿過第三透明材料窗格24的表面，一或多個其他孔150可以延伸穿過第四透明材料窗格26的表面。在所述組態中，來自不同電極之配線可以自隱私保護玻璃窗結構12離開至結構的相對面。

如上文簡要提及，隱私保護玻璃窗結構12可以被框格環繞，例如以限定窗戶或門組件。框格可以由各種不同材料製成，諸如木材、金屬（例如鋁）及/或塑膠（例如乙烯樹脂）。框格可以限定插入有隱私保護玻璃窗結構12之通道，其中通道的側壁部分地在隱私保護玻璃窗結構12之表面上延伸。在實踐中，一或多個墊塊或其他硬件可以定位在通道基座上，其中隱私保護玻璃窗結構12置於此等特徵上。例如，與框格（例如，橡膠）具有不同材料的一或多個墊塊可以置放在隱私保護玻璃窗結構12中的通道基座上，所述隱私保護玻璃窗結構置放在墊塊上。

為了幫助使隱私保護玻璃窗結構12的視線最大化，當插入框格時，隱私保護玻璃窗結構12之一或多個組件可以在墊塊或其他硬件的區域中形成切口。這可以有助於將隱私保護玻璃窗結構12定位在框格中以使視線最大化。

圖12為隱私保護玻璃窗結構12之局部前視圖，示出定位在框格152中之玻璃窗的底表面。在這種組態中，隱私保護玻璃窗結構12置於墊塊154或位於框格152的基座與隱私保護玻璃窗結構的底表面之間的其他窗戶硬件上。如所示，凹槽156形成在隱私保護玻璃窗結構12之底邊緣中，其組態（例如，設定尺寸及/或成形）以接納墊塊154（或其他窗口硬件）。凹槽156可以以各種不同的方式形成，諸如相對於第三透明材料窗格24及/或第四透明材料窗格26偏移第一透明材料窗格14及/或第二透明材料窗格16之底邊緣；穿過第一透明材料窗格14、第二透明材料窗格16、第三透明材料窗格26、第四透明材料窗格28、第一層壓層28及/或第二層壓層30中之一或多者的橫截面切割凹口。圖13為插入框格152中之隱私保護玻璃窗12的實例組態的側視圖，示出配線80、82經由上述開口150經由框格側壁中之開口離開。

已經描述了各種實例。此等及其他實例在以下申請專利範圍之範疇內。

12:隱私保護玻璃窗結構 14:第一透明材料窗格/第一窗格 14A:頂邊緣 14B:底邊緣 14C:第一側邊緣 14D:第二側邊緣 16:第二透明材料窗格/第二窗格 16A:頂邊緣 16B:底邊緣 16C:第一側邊緣 16D:第二側邊緣 18:光學活性材料 20:第一電極層 22:第二電極層 24:第三透明材料窗格/第三窗格 24A:頂邊緣 24B:底邊緣 24C:第一側邊緣 24D:第二側邊緣 26:第四透明材料窗格/第四窗格 26A:頂邊緣 26B:底邊緣 26C:第一側邊緣 26D:第二側邊緣 28:第一層壓層 30:第二層壓層 32:第五透明材料窗格 34:間隔件 36:窗格間空間 40:低發射率塗層 42:密封件 44:第一電極 46:第二電極 48:第一側凹槽距離 50:第二側凹槽距離 52:最大深度/頂部凹槽距離 60:電極 62:基座 64:第一支腿 66:第二支腿 68:通孔 70:齒 80:配線/電配線 82:配線/電配線 100:透明材料窗格 100A:頂邊緣 100B:底邊緣 100C:第一側邊緣 100D:第二側邊緣 102:電極層 104:電隔離區域/偏移區域 106:距離 108:區域/電極接觸墊 110:最小間隔距離 150:開口 152:框格 154:墊塊 156:凹槽

圖1為根據本揭示案的可以用偏移窗格實現的實例隱私保護玻璃窗結構的側視圖。

圖2為圖1的隱私保護玻璃窗結構的實例組態的分解透視圖。

圖3為自結構中之第四透明材料窗格之角度的圖1的隱私保護玻璃窗結構的側視圖。

圖4為沿著圖3中所指示之B-B剖面線截取的隱私保護玻璃窗結構的第一側視圖。

圖5為沿著圖3中所指示的C-C剖面線截取的隱私保護玻璃窗結構的第二側視圖。

圖6為沿著圖3中所指示的A-A剖面線截取的隱私保護玻璃窗結構的俯視圖。

圖7為沿著圖3中所指示的D-D剖面線截取的隱私保護玻璃窗結構的仰視圖。

圖8為可以在圖1的隱私保護玻璃窗結構中使用的實例電極組態的透視圖。

圖9為示出可用於圖1的隱私保護玻璃窗結構中的實例電極層偏移組態的透明材料窗格的實例內表面的正視圖。

圖10說明隱私保護玻璃窗結構的實例組態，其中配線佈線於由偏移窗格限定之凹槽內，並且經由限定凹槽的窗格之一的表面離開隱私保護玻璃窗結構。

圖11為來自圖10的實例隱私保護玻璃窗結構導線佈線的俯視圖。

圖12為實例隱私保護玻璃窗結構的局部正視圖，示出定位於框格中之玻璃窗的底表面。

圖13為圖12的隱私保護玻璃窗的實例組態的側視圖。

12:隱私保護玻璃窗結構

14:第一透明材料窗格/第一窗格

16:第二透明材料窗格/第二窗格

18:光學活性材料

20:第一電極層

22:第二電極層

24:第三透明材料窗格/第三窗格

26:第四透明材料窗格/第四窗格

28:第一層壓層

30:第二層壓層

32:第五透明材料窗格

34:間隔件

36:窗格間空間

40:低發射率塗層

Claims (29)

1. 一種隱私保護玻璃窗結構，其包括： 一第一透明材料窗格，其具有一內表面及一外表面，所述第一透明材料窗格具有一頂邊緣、一底邊緣、一第一側邊緣及一第二側邊緣； 一第二透明材料窗格，其具有一內表面及一外表面，所述第二透明材料窗格具有一頂邊緣、一底邊緣、一第一側邊緣及一第二側邊緣； 一第三透明材料窗格，其具有一頂邊緣、一底邊緣、一第一側邊緣及一第二側邊緣； 一第四透明材料窗格，其具有一頂邊緣、一底邊緣、一第一側邊緣及一第二側邊緣； 一第一層壓層，其將所述第一透明材料窗格的所述外表面接合至所述第三透明材料窗格上； 一第二層壓層，其將所述第二透明材料窗格的所述外表面接合至所述第四透明材料窗格上； 一可電控光學活性材料，其位於所述第一透明材料窗格與所述第二透明材料窗格之間； 其中所述第一透明材料窗格之所述第一側邊緣相對於所述第三透明材料窗格之所述第一側邊緣及所述第四透明材料窗格之所述第一側邊緣凹入， 所述第二透明材料窗格之所述第二側邊緣相對於所述第三透明材料窗格之所述第二側邊緣及所述第四透明材料窗格之所述第二側邊緣凹入，並且 所述第一透明材料窗格之所述底邊緣與所述第二透明材料窗格之所述底邊緣、所述第三透明材料窗格之所述底邊緣及所述第四透明材料窗格之所述底邊緣齊平。
2. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中所述第二透明材料窗格之所述第一側邊緣亦相對於所述第三透明材料窗格之所述第一側邊緣及所述第四透明材料窗格之所述第一側邊緣凹入。
3. 如申請專利範圍第2項所述之結構，其中所述第一透明材料窗格之所述第一側邊緣相對於所述第二透明材料窗格之所述第一側邊緣凹入。
4. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中所述第一透明材料窗格之所述第二側邊緣亦相對於所述第三透明材料窗格之所述第二側邊緣及所述第四透明材料窗格之所述第二側邊緣凹入。
5. 如申請專利範圍第4項所述之結構，其中所述第二透明材料窗格之所述第二側邊緣相對於所述第一透明材料窗格之所述第二側邊緣凹入。
6. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中所述第三透明材料窗格之所述第一側邊緣與所述第四透明材料窗格之所述第一側邊緣齊平。
7. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中所述第三透明材料窗格之所述第二側邊緣與所述第四透明材料窗格之所述第二側邊緣齊平。
8. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中所述第一透明材料窗格之所述頂邊緣相對於所述第三透明材料窗格之所述頂邊緣凹入，並且所述第二透明材料窗格之所述頂邊緣相對於所述第四透明材料窗格之所述頂邊緣凹入。
9. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中所述第一透明材料窗格之所述頂邊緣與所述第三透明材料窗格之所述頂邊緣齊平。
10. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中所述第二透明材料窗格之所述頂邊緣與所述第四透明材料窗格之所述頂邊緣齊平。
11. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中所述第一透明材料窗格之所述頂邊緣與所述第二透明材料窗格之所述頂邊緣齊平，並且所述第三透明材料窗格之所述頂邊緣與所述第四透明材料窗格之所述頂邊緣齊平。
12. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中： 所述第一及第二透明材料窗格之所述頂邊緣凹入一頂部凹槽距離， 所述第一透明材料窗格之所述第一側邊緣相對於所述第三及第四透明材料窗格之所述第一側邊緣凹入一第一側凹槽距離， 所述第二透明材料窗格之所述第二側邊緣相對於所述第三及第四透明材料窗格之所述第二側邊緣凹入一第二側凹槽距離，並且 所述頂部凹槽距離小於所述第一側凹槽距離及所述第二側凹槽距離兩者。
13. 如申請專利範圍第12項所述之結構，其中所述第一側凹槽距離除以所述頂部凹槽距離之一比率及所述第二側凹槽距離除以所述頂部凹槽距離之一比率各自在1.5至2.5範圍內。
14. 如申請專利範圍第12項所述之結構，其中所述頂部凹槽距離、所述第一側凹槽距離及所述第二側凹槽距離各自小於9 mm。
15. 如申請專利範圍第12項所述之結構，其中所述頂部凹槽距離約為3 mm，並且所述第一及第二側凹槽距離各自約為6 mm。
16. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其進一步包括： 一第一電極層，其在所述第一透明材料窗格之所述內表面上； 一第二電極層，其在所述第二透明材料窗格之所述內表面上； 一第一電極，其在共同地由所述第一透明材料窗格之所述第一側邊緣、所述第二透明材料窗格及所述第三透明材料窗格限定之一第一凹入空間中連接至所述第二電極層，以及 一第二電極，其在共同地由所述第二透明材料窗格之所述第二側邊緣、所述第一透明材料窗格及所述第四透明材料窗格限定之一第二凹入空間中連接至所述第一電極層。
17. 如申請專利範圍第16項所述之結構，其中： 所述第一電極包括一細長本體，所述細長本體環繞所述第二透明材料窗格之所述第一側邊緣，並且 所述第二電極包括一細長本體，所述細長本體環繞所述第一透明材料窗格之所述第二側邊緣。
18. 如申請專利範圍第17項所述之結構，其中： 所述第一電極包含自一基座延伸之第一及第二支腿，所述第一支腿嵌入於所述第二層壓層中，所述基座與所述第二透明材料窗格之所述第一側邊緣接觸，且所述第二支腿與所述第二透明材料窗格上之所述第二電極層接觸，並且 所述第二電極包含自一基座延伸之第一及第二支腿，所述第一支腿嵌入於所述第一層壓層中，所述基座與所述第一透明材料窗格之所述第二側邊緣接觸，且所述第二支腿與所述第一透明材料窗格上之所述第一電極層接觸。
19. 如申請專利範圍第16項所述之結構，其中所述第一及第二電極各自由沈積焊料材料形成。
20. 如申請專利範圍第19項所述之結構，其進一步包括沈積在所述第一及第二電極層中之每一者上之一非導電保護層，其中所述沈積焊料材料穿透所述非導電保護層。
21. 如申請專利範圍第20項所述之結構，其中所述非導電保護層選自由金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧氮化物及其組合組成之群組。
22. 如申請專利範圍第16項所述之結構，其進一步包括： 電配線之一第一區段，其電連接至所述第一電極並位於所述第一凹入空間中，及 電配線之一第二區段，其電連接至所述第二電極並位於所述第二凹入空間中。
23. 如申請專利範圍第16項所述之結構，其進一步包括填充所述第一凹入空間及所述第二凹入空間之一聚合材料。
24. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中： 所述第一電極層在所述第一透明材料窗格之所述內表面上自所述第一透明材料窗格之所述第一側邊緣、所述第二側邊緣、所述頂邊緣及所述底邊緣偏移一距離以在所述內表面上提供鄰近於所述第一側邊緣、所述第二側邊緣、所述頂邊緣及所述底邊緣之一電隔離區域；且 所述第二電極層在所述第二透明材料窗格之所述內表面上自所述第二透明材料窗格之所述第一側邊緣、所述第二側邊緣、所述頂邊緣及所述底邊緣偏移一距離以在所述內表面上提供鄰近於所述第一側邊緣、所述第二側邊緣、所述頂邊緣及所述底邊緣之一電隔離區域。
25. 如申請專利範圍第24項所述之結構，其中： 所述第一電極層偏移之所述距離在3 mm至13 mm範圍內，且 所述第二電極層偏移之所述距離在3 mm至13 mm範圍內。
26. 如申請專利範圍第24項所述之結構，其中 所述第一電極層包含自所述第一透明材料窗格之所述第二側邊緣延伸至所述第一電極層之一其餘部分的一第一接觸部分，且 所述第二電極層包含自所述第二透明材料窗格之所述第一側邊緣延伸至所述第二電極層之一其餘部分的一第二接觸部分。
27. 如申請專利範圍第26項所述之結構，其中： 所述第一接觸部分之一最底邊緣與所述第一透明材料窗格之所述底邊緣隔開一第一間隔距離， 所述第二接觸部分之一最底邊緣與所述第二透明材料窗格之所述底邊緣隔開一第二間隔距離。
28. 如申請專利範圍第27項所述之結構，其中所述第一及第二間隔距離各自在50 mm至200 mm範圍內。
29. 如申請專利範圍第24項所述之結構，其中： 藉由移除偏移區域上之所述第一電極層，所述第一電極層在所述第一透明材料窗格之所述內表面上自所述第一側邊緣偏移，並且 藉由移除所述偏移區域上之所述第二電極層，所述第二電極層在所述第二透明材料窗格之所述內表面上自所述第一側邊緣偏移。

Images