TW201831742A - 鈣鈦礦複合結構 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種鈣鈦礦複合結構，其包括吸光層以及位於吸光層外圍的立體阻隔層。吸光層包括鈣鈦礦材料。立體阻隔層包括二維材料。

Description

鈣鈦礦複合結構
本發明是有關於一種複合結構，且特別是有關於一種鈣鈦礦複合結構。
有機-無機混成鈣鈦礦（organic-inorganic hybrids perovskite）材料由於具有高光吸收率與高電子遷移率，並可藉由其組成分的變化而改變光吸收波段，因此使用此有機-無機混成鈣鈦礦材料製造的太陽能電池具有高的效率。但有機-無機混成鈣鈦礦材料受限於(1)製程環境需隔絕水氣與氧氣、(2)成品在大氣環境下不穩定以及(3)無法順利成長連續晶體等技術問題。
因此，開發出適合在濕式製程中使用、在大氣環境下穩定且具有高電子遷移率的鈣鈦礦材料，是目前研究人員急欲解決的問題。
本發明提供一種鈣鈦礦複合結構，其在大氣環境下穩定且具有高電子遷移率。
本發明的鈣鈦礦複合結構，包括吸光層以及位於吸光層外圍的立體阻隔層。吸光層包括鈣鈦礦材料。立體阻隔層包括二維材料。
在本發明的一實施例中，上述的鈣鈦礦材料可具有如下式(1)的結構： ABX3 (1)， 其中A為氨（ammonia，NH3 ）、甲胺（methylamine，CH3 NH2 ）、乙酸甲脒（methanimidamide，CH4 N2 ）、 胺甲脒（aminomethanamidine，HNC(NH2 )2 ）、甲脒（formamidine， HC(NH)NH2 ）、乙二胺（ethylenediamine，C2 H4 (NH2 )2 ）、二甲胺（dimethylamine，(CH3 )2 NH）、咪唑（imidazole，C3 H4 N2 ）、乙脒（acetamidine，CH3 CNHNH2 ）、丙胺（propylamine，C3 H7 NH2 ）、異丙胺（isopropylamine，iso-C3 H7 NH2 ）、三甲烯二胺（Trimethylenediamine，(CH2 )3 (NH2 )2 ）、乙胺（ethylamine）、丁胺（butylamine，C4 H9 NH2 ）、異丁胺（isobutylamine，iso-C4 H9 NH2 ）、叔丁基胺（tert-Butylamine，(CH3 )3 CNH2 ）、二乙胺（diethylamine， (C2 H5 )2 NH）、5-氨基戊酸（5-Aminovaleric acid，NH2 (CH2 )4 COOH）、 2-噻吩甲胺（thiophenemethylamine C5 H7 NS）、己胺（hexylamine，C6 H13 NH2 ）、苯胺（aniline，C6 H5 NH2 ）、苄胺（benzylamine，C6 H5 CH2 NH2 ）、苯乙胺（phenylethylamine，C6 H5 C2 H4 NH2 ）、辛胺（octylamine，C8 H17 NH2 ）、癸胺（decylamine，C10 H21 NH2 ）、十二胺（dodecylamine，C12 H25 NH2 ）、十四胺（tetradecylamine，C14 H29 NH2 ）、十六胺（hexadecylamine，C16 H33 NH2 ）、油胺（oleylamine，C18 H35 NH2 ）、十八胺（octadecylamine，C18 H37 NH2 ）、二十胺（eicosylamine，C20 H41 NH2 ）、Li、Na、K、Rb、Cs或Cu；B為Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Ge、Pb或Sn；X為Cl、Br、I、氰（cyanide，CN）、氰酯（cyanate，NCO）、硫代氰酯（thiocyanate，NCS）、硒氰酸酯（selenocyanate，SeCN）或碲氰酸酯（tellurocyanate，TeCN）。
在本發明的一實施例中，上述的二維材料例如是硫化鉍（bismuth sulfide，Bi2 S3 ）、黑磷（black phosphorus）、六方氮化硼（hexagonal boron nitride，h-BN）、石墨烯（graphene）、石墨烯氧化物（graphene oxide，GO）、還原態石墨烯（reduced graphene oxide，rGO）、硒化銦（indium selenide，In2 Se3 ）、二硫錫鉛（lead tin disulfide，PbSnS2 ）、磷烯（phosphorene）、硫化砷（arsenic sulfide，As2 S3 ）、銻砷硫化物（antimony arsenic sulfide，SbAsS3 ）；單硫族化合物（monochalcogenides，MX），例如鉍鉈碲化物（bismuth thallium telluride，BiTlTe）、硫化銅（copper sulfide，CuS）、硒化鎵（gallium selenide，GaSe）、鎵硒碲化物（gallium selenide telluride，GaSeTe）、硫化鎵（gallium sulfide，GaS）、鎵硫硒化物（gallium sulfide selenide，GaSSe）、碲化鎵（gallium telluride，GaTe）、硒化鍺（germanium selenide，GeSe）、硫化鍺（germanium sulphide，GeS）、硒化銦（indium selenide，InSe）、碲化銦（indium telluride、InTe）、硒化鉈（thallium selenide，TlSe）、硒化錫（tin selenide，SnSe）、鉈鎵二硫化物（thallium gallium disulfide，TlGaS2 ）、鉈鎵二硒化物（thallium gallium diselenide，TlGaSe2 ）、鉈銦二硫化物（thallium indium disulfide，TlInS2 ）；二硫族化合物（dichalcogenides，MX2 ），例如二硒化鉿（hafnium diselenide，HfSe2 ）、二硫化鉿（hafnium disulfide，HfS2 ）、二硒化鉬（molybdenum diselenide，MoSe2 ）、二硫化鉬（molybdenum disulfide、MoS2 ）、鉬硫硒化物（molybdenum sulfide selenide，MoSSe）、鉬鎢二硒化物（molybdenum tungsten diselenide，MoWSe2 ）、鉬鎢二硫化物（molybdenum tungsten disulfide，MoWS2 ）、二硫化鎢（tungsten disulfide，WS2 ）、二硒化鎢（tungsten diselenide，WSe2 ）、二硒化錸（rhenium diselenide，ReSe2 ）、二硫化鉭（tantalum disulfide，TaS2 ）、二硒化錫（tin diselenide，SnSe2 ）、二硫化錫（tin disulfide，SnS2 ）、錸鉬二硫化物（rhenium molybdenum disulfide，ReMoS2 ）、錸鈮二硒化物（rhenium niobium diselenide，ReNbSe2 ）、錸鈮二硫化物（rhenium niobium disulfide，ReNbS2 ）、二碲化鎢（tungsten ditelluride，WTe2 ）、鎢硫硒化物（tungsten sulfide selenide，WSSe）、二硒化鋯（zirconium diselenide，ZrSe2 ）、二硫化鋯（zirconium disulfide，ZrS2 ）、二碲化鋯（zirconium ditelluride，ZrTe2 ）；三硫族化合物（trichalcogenides，MX3 ），例如三硫化鈦（titanium trisulfide，TiS3 ）；碘化物（iodides，MI2 ），例如二碘化鎘（cadmium diiodide，CdI2 ）、二碘化鉛（lead diiodide，PbI2 ）或其組合（含一種或兩種以上）。
在本發明的一實施例中，上述的吸光層可更包括二維材料。
在本發明的一實施例中，上述的立體阻隔層更包括有機胺。
在本發明的一實施例中，上述的有機胺例如是氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、 乙脒、丙胺、異丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、異丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、苄胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺或其組合（含一種或兩種以上）。
在本發明的一實施例中，上述的二維材料的長度例如是0.5μm至10μm。
基於上述，在本發明的鈣鈦礦複合結構中，位於具有鈣鈦礦材料的吸光層的外圍的立體阻隔層可隔絕水氣與空氣，因此在大氣環境下穩定。此外，由於本發明的鈣鈦礦複合結構的吸光層及/或立體阻隔層包括二維材料，因此有助於提升鈣鈦礦的電子傳輸能力。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依照本發明的實施例的鈣鈦礦複合結構的剖面示意圖。
請參照圖1，本實施例的鈣鈦礦複合結構100包括吸光層110以及立體阻隔層120。吸光層包括鈣鈦礦材料。在本發明中，「鈣鈦礦材料」是指具有「鈣鈦礦結構」的材料，而非特指鈣鈦氧化物（CaTiO3 ）。也就是說，「鈣鈦礦材料」包含具有與鈣鈦氧化物相同類型的晶體結構的任何材料。上述的鈣鈦礦材料具有如下式(1)的結構： ABX3 (1)， 其中A與B為陽離子，X為陰離子。所述A陽離子為一價，而B陽離子為二價。
舉例來說，在本實施例中，A例如是氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、 乙脒、丙胺、異丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、異丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、苄胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺、Li、Na、K、Rb、Cs或Cu；B為Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Ge、Pb或Sn；X為Cl、Br、I、氰、氰酯、硫代氰酯、硒氰酸酯或碲氰酸酯，但本發明不限於此。換言之，本實施例的鈣鈦礦材料為選擇一種無機材料搭配一種有機材料所構成的有機無機混成鈣鈦礦材料。
本發明的有機無機混成鈣鈦礦材料因為是混合而成的材料，所以同時具備有機化合物與無機晶體的特性。無機成分形成由共價與離子交互作用鍵結的骨架（framework），可提供高的載子遷移率（carrier mobility）。有機成分則有助於材料的自組裝機制。而且，能藉由降低有機成分維度（dimensionality）與無機片材之間的電性耦合（electronic coupling），來調整有機無機材料的電性。
在本實施例中，吸光層110可更包括二維材料。二維材料例如是硫化鉍、黑磷、六方氮化硼、石墨烯、石墨烯氧化物、還原態石墨烯、硒化銦、二硫錫鉛、磷烯、硫化砷、銻砷硫化物；單硫族化合物，例如鉍鉈碲化物、硫化銅、硒化鎵、鎵硒碲化物、硫化鎵、鎵硫硒化物、碲化鎵、硒化鍺、硫化鍺、硒化銦、碲化銦、硒化鉈、硒化錫、鉈鎵二硫化物、鉈鎵二硒化物、鉈銦二硫化物；二硫族化合物，例如二硒化鉿、二硫化鉿、二硒化鉬、二硫化鉬、鉬硫硒化物、鉬鎢二硒化物、鉬鎢二硫化物、二硫化鎢、二硒化鎢、二硒化錸、二硫化鉭、二硒化錫、二硫化錫、錸鉬二硫化物、錸鈮二硒化物、錸鈮二硫化物、二碲化鎢、鎢硫硒化物、二硒化鋯、二硫化鋯、二碲化鋯；三硫族化合物，例如三硫化鈦；碘化物，例如二碘化鎘、二碘化鉛或其組合（含一種或兩種以上），但本發明不限於此。二維材料的長度例如是0.2μm至20μm。在本實施例中，由於吸光層110包括具有高電子遷移率的二維材料，因此有助於提升鈣鈦礦的電子傳輸能力以及光轉換效率。
立體阻隔層120位於吸光層110的外圍。立體阻隔層120可包括二維材料。二維材料例如是硫化鉍、黑磷、六方氮化硼、石墨烯、石墨烯氧化物、還原態石墨烯、硒化銦、二硫錫鉛、磷烯、硫化砷、銻砷硫化物；單硫族化合物，例如鉍鉈碲化物、硫化銅、硒化鎵、鎵硒碲化物、硫化鎵、鎵硫硒化物、碲化鎵、硒化鍺、硫化鍺、硒化銦、碲化銦、硒化鉈、硒化錫、鉈鎵二硫化物、鉈鎵二硒化物、鉈銦二硫化物；二硫族化合物，例如二硒化鉿、二硫化鉿、二硒化鉬、二硫化鉬、鉬硫硒化物、鉬鎢二硒化物、鉬鎢二硫化物、二硫化鎢、二硒化鎢、二硒化錸、二硫化鉭、二硒化錫、二硫化錫、錸鉬二硫化物、錸鈮二硒化物、錸鈮二硫化物、二碲化鎢、鎢硫硒化物、二硒化鋯、二硫化鋯、二碲化鋯；三硫族化合物，例如三硫化鈦；碘化物，例如二碘化鎘、二碘化鉛或其組合（含一種或兩種以上），但本發明不限於此。二維材料的長度例如是0.2μm至20μm。在本實施例中，由於立體阻隔層120包括上述的二維材料且位於吸光層110的外圍，因此具有立體阻隔功能以隔絕水氣。也就是說，立體阻隔層120可防止水氣與空氣接觸吸光層110（尤其是吸光層110中的鈣鈦礦材料），因此本發明的鈣鈦礦複合結構在大氣環境下是相當穩定。
此外，在本實施例中，由於立體阻隔層120中的二維材料具有高電子遷移率，因此立體阻隔層120有助於提升鈣鈦礦的電子傳輸能力以及光轉換效率。
在本實施例中，立體阻隔層120可更包括有機胺。有機胺例如是氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、 乙脒、丙胺、異丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、異丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、苄胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺或其組合（含一種或兩種以上）。在本實施例中，立體阻隔層120中的有機胺具有類似「鈍化」的功能，可防止水氣與空氣接觸吸光層110（尤其是吸光層110中的鈣鈦礦材料），因此本發明的鈣鈦礦複合結構在大氣環境下是相當穩定。
綜上所述，在本發明的鈣鈦礦複合結構中，位於具有鈣鈦礦材料的吸光層的外圍的立體阻隔層可隔絕水氣與空氣，因此在大氣環境下穩定。此外，由於本發明的鈣鈦礦複合結構的吸光層及/或立體阻隔層包括二維材料，因此有助於提升鈣鈦礦的電子傳輸能力。由於本發明的鈣鈦礦複合結構具有在大氣環境穩定、具有高電子傳輸能力以及高光轉換效率等優點，因此適合用於高靈敏度的光感測器以及太陽能電池等。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧鈣鈦礦複合結構
110‧‧‧吸光層
120‧‧‧立體阻隔層
圖1是依照本發明的實施例的鈣鈦礦複合結構的剖面示意圖。

Claims (7)

  1. 一種鈣鈦礦複合結構，包括： 吸光層，包括鈣鈦礦材料；以及 立體阻隔層，位於所述吸光層的外圍， 其中所述立體阻隔層包括二維材料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的鈣鈦礦複合結構，其中所述鈣鈦礦材料具有如下式(1)的結構： ABX3 (1)， 其中A為氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、 乙脒、丙胺、異丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、異丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、苄胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺、Li、Na、K、Rb、Cs或Cu；B為Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Ge、Pb或Sn；X為Cl、Br、I、氰、氰酯、硫代氰酯、硒氰酸酯或碲氰酸酯。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的鈣鈦礦複合結構，其中所述二維材料包括硫化鉍、黑磷、六方氮化硼、石墨烯、石墨烯氧化物、還原態石墨烯、硒化銦、二硫錫鉛、磷烯、硫化砷、銻砷硫化物；單硫族化合物，所述單硫族化合物為鉍鉈碲化物、硫化銅、硒化鎵、鎵硒碲化物、硫化鎵、鎵硫硒化物、碲化鎵、硒化鍺、硫化鍺、硒化銦、碲化銦、硒化鉈、硒化錫、鉈鎵二硫化物、鉈鎵二硒化物或鉈銦二硫化物；二硫族化合物，所述二硫族化合物為二硒化鉿、二硫化鉿、二硒化鉬、二硫化鉬、鉬硫硒化物、鉬鎢二硒化物、鉬鎢二硫化物、二硫化鎢、二硒化鎢、二硒化錸、二硫化鉭、二硒化錫、二硫化錫、錸鉬二硫化物、錸鈮二硒化物、錸鈮二硫化物、二碲化鎢、鎢硫硒化物、二硒化鋯、二硫化鋯或二碲化鋯；三硫族化合物，所述三硫族化合物為三硫化鈦；碘化物，所述碘化物為二碘化鎘、二碘化鉛或其組合。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的鈣鈦礦複合結構，其中所述吸光層更包括所述二維材料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的鈣鈦礦複合結構，其中所述立體阻隔層更包括有機胺。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的鈣鈦礦複合結構，其中所述有機胺包括氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、乙脒、丙胺、異丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、異丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、苄胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺或其組合。
  7. 如申請專利範圍第1項或第4項所述的鈣鈦礦複合結構，其中二維材料的長度為0.2μm至20μm。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114335212A (zh) * 2021-11-18 2022-04-12 北京无线电计量测试研究所 一种复合材料及其制备方法和应用
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