TW201817057A - 有機發光二極體面板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明關於一種有機發光二極體面板及其製造方法，此有機發光二極體面板包括至少一像素。此像素包括一陽極層、一絕緣層、一發光材料層以及一透明導電層。陽極層配置於一透明基板上。絕緣層配置於陽極層上，具有一第一凹坑以及一第二凹坑，其中，第二凹坑的底部與陽極層具有一固定距離。第一凹坑內包括一電洞注入層以及一電洞傳輸層。電洞注入層配置於陽極層上。電洞傳輸層配置於電洞注入層上。第二凹坑內包括一陰極層、一電子注入層以及一電子傳輸層。陰極層配置於第二凹坑的底部上。電子注入層配置於陰極層上。電子傳輸層配置於該電子注入層上。透明導電層配置於該發光材料層上。

Description

有機發光二極體面板及其製造方法

本發明係關於一種有機發光二極體的技術，更進一步來說，本發明係關於一種有機發光二極體面板及其製造方法。

有機發光二極體，傳統的有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode，OLED)元件，其內部所蒸鍍的有機材料層是採用垂直堆疊的結構。如第1圖所示，第1圖繪示為先前技術的有機發光二極體元件的結構圖。請參考第1圖，此有機發光二極體元件包括一玻璃基底100、一陽極層101、電洞注入層102、一電洞傳輸層103、一有機發光材料層104、一電子傳輸層105與一電子注入層106以及一陰極層107。第1圖上還標注了這些層的厚度。

此先前技術中，存在了下列缺點：

(1)因為所有的有機材料厚度相當薄，約1000~2000Å，陽極與陰極之間容易短路，造成有機 發光二極體顯示器有點缺陷、異常大電流及生產良率降低等問題。

(2)若做成底部發光(Bottom Emission)結構，受限於薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)的玻璃基板的開口率低，有亮度不足問題。

(3)若做成頂部發光(Top Emission)必須找到陰極的材料要有高透明度及高導電度的限制。又，陰極材料一般是金屬，若做的太薄，造成阻抗過高，若做的過厚，造成發光效率不高。

第2圖繪示為先前技術的白光有機發光二極體元件的結構圖。請參考第2圖，標號201是白光有機發光二極體元件的等效電路圖。在先前技術中，白光有機發光二極體元件係利用紅色、綠色、藍色三個顏色的有機發光二極體元件垂直堆疊在一起。由於三個有機發光二極體201係串聯，因此，在應用時，所須的外加電壓也必須跟著提高數倍。

另外，現今的有機發光二極體材料之發光效率取決於流經發光材料層的大小，但是，往往不同顏色的發光材料層之材料最佳的發光效率所需的電流大小也不同，採用串聯結構(垂直堆疊)流經每層的電流大小是相同的，很難取得一個電流值是適用於所有顏色的最佳發光效率。故容易導致白光色偏。再者，在製造傳統串聯式有機發光二極體時，必須將所有有機材料一層一層的蒸鍍上去，如此，製造成本將隨堆疊層數增加而跟著提高。

本發明的一目的在於提供一種有機發光二極體面板及其製造方法，用以改變現有有機發光二極體的架構，達到發光效率高、提升生產良率，且減低電路複雜度等。

有鑒於此，本發明提供一種有機發光二極體面板，此有機發光二極體面板包括至少一像素。此像素包括一陽極層、一第一絕緣層(insulator)、第二絕緣層、一陰極層、一電洞注入層(Hole Injection Layer，HIL)、一電洞傳輸層(Hole Transport Layer，HTL)、一電子注入層(Electron Injection Layer，EIL)、一電子傳輸層(Electron Transport Layer，ETL)、一發光材料層(Emission Layer，EML)以及一透明導電層。陽極層配置於透明基板上。第一絕緣層配置於陽極層上。陰極層配置於第一絕緣層上。第二絕緣層配置於陽極層上，第二絕緣層具有第一凹坑以及第二凹坑，其中，第二凹坑的底部為陰極層，其中，第一凹坑的底部為陽極層。電洞注入層配置於第一凹坑內，且配置於陽極層上。電洞傳輸層配置於第一凹坑內，且配置於電洞注入層上。電子注入層配置於第二凹坑內，且配置於陰極層上。電子傳輸層配置於第二凹坑內，且配置於電子注入層上。發光材料層配置於第二絕緣層上。透明導電層配置於發光材料層上，其中，陰極層、陽極層以及透明導電層構成三端點有機發光二極體。

依照本發明較佳實施例所述之有機發光二極體面板，上述像素更包括一薄絕緣層，配置於透明導電層與發光材料層之間，使其運作較為接近金屬氧化物半導體場效應電晶體。在更進一步實施例，此像素更包括一薄膜電晶體以及一電容。此薄膜電晶體的閘極耦接一掃描線，薄膜電晶體的第一源汲極耦接一資料線，薄膜電晶體的第二源汲極耦接該透明導電層。電容的第一端耦接薄膜電晶體的第二源汲極，電容的第二端耦接一共接電壓。故此面板可作為主動矩陣有機發光二極體顯示面板。

依照本發明較佳實施例所述之有機發光二極體面板，上述透明導電層的電壓控制透過發光材料層由陽極層流向陰極層的一電流之大小與電流流過該發光材料層的電流路徑。另外，上述發光材料層包括一第一色發光材料區、一第二色發光材料區以及一第三色發光材料區。第二色發光材料區配置在第一色區的一側。第三色發光材料區配置在第二色區的一側。藉由上述第一色、第二色、第三色的混光，達到讓上述像素顯示白色光的效果。另一實施例中，發光材料層同樣包括一第一色發光材料區、一第二色發光材料區以及一第三色發光材料區。第二色發光材料區配置在第一色發光材料區之上。第三色發光材料區，配置在第二色發光材料區之上。在此實施例採用堆疊方式。另外，在上述兩較佳實施例中，發光材料層係混和可以發出兩種顏色以上的有機發光材料，例如混和紅色、綠色與藍色有機發光材料。又，上述陽極層層與透 明導電層可以採用係摻雜錫(Tin)之氧化銦(Indium Oxide)材料。

本發明另外提出一種有機發光二極體面板之製造方法，此有機發光二極體面板之製造方法包括下列步驟：在陽極層上，配置一第一絕緣層(insulator)；在上述第一絕緣層上，配置一陰極層；在第一絕緣層上，配置一第二絕緣層；對第一絕緣層以及第二絕緣層進行蝕刻，產生一第一凹坑以及一第二凹坑，其中，第二凹坑的底部接觸該陰極層；在第一凹坑內蒸鍍一電洞注入層，其中，電洞注入層配置於陽極層上；在電洞注入層上蒸鍍一電洞傳輸層；在陰極層上蒸鍍一電子注入層；在電子注入層上蒸鍍一電子傳輸層；在第二絕緣層與第一凹坑及第二凹坑上蒸鍍一發光材料層；以及在發光材料層上配置一透明導電層。

本發明的精神在於利用改變有機發光二極體面板的像素之架構，將原本堆疊製程的有機發光二極體像素，改為平面製程，增加開口率，並且在其有機發光層上，額外增加一層透明導電層，讓有機發光二極體像素可以達到類似三端元件的控制模式，藉此，若以此改良的有機發光二極體像素實施成為主動矩陣面板，每一個像素可以減少一個薄膜電晶體的使用。如此，將大大減少製程與電路控制複雜度，同時也降低了製造成本。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖 式，作詳細說明如下。

100‧‧‧玻璃基底

101、300、400、900、1000、1201、1401‧‧‧陽極層

102、303、801、903、1207、1402‧‧‧電洞注入層

103、304、802、904、1208、1403‧‧‧電洞傳輸層

104‧‧‧有機發光材料層

105‧‧‧電子傳輸層

106‧‧‧電子注入層

107、305、805、905、1203、1409‧‧‧陰極層

201‧‧‧白光有機發光二極體元件的等效電路圖

301、901、1202‧‧‧第一絕緣層

302、902、1204‧‧‧第二絕緣層

306、804、906、1209、1407‧‧‧電子注入層

307、803、907、1210、1408‧‧‧電子傳輸層

308、806-1、806-2、806-3、808-1、808-2、808-3、908-1、908-2、908-3、908-4、908-5、908-6、1211‧‧‧發光材料層

309、1205‧‧‧第一凹坑

310、1206‧‧‧第二凹坑

311‧‧‧第3圖的元件操作時的電流路徑

Vref‧‧‧參考電壓

401‧‧‧第4圖的陽極對陰極之電流的路徑

601、1101‧‧‧絕緣層

701‧‧‧薄膜電晶體

702‧‧‧本發明實施例的有機發光二極體像素

703‧‧‧電容

71‧‧‧陽極

72‧‧‧陰極

73‧‧‧參考電壓極

800‧‧‧陽極層

807、909、1501、1901‧‧‧混合發光材料層

911‧‧‧第9A圖的電流路徑

S1200~S1211‧‧‧本發明一較佳實施例的第4圖之有機發光二極體面板之像素的製作方法之流程步驟

1212、2001、2101、2201‧‧‧第一透明導電層

S1301‧‧‧本發明一較佳實施例的第6圖之有機發光二極體面板之像素的製作方法之流程步驟

1301、2301‧‧‧第三絕緣層

S1400~S1409‧‧‧本發明一較佳實施例的第8A圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程步驟

MSK1、MSK2、MSK141、MSK181‧‧‧金屬遮罩

1404、1601、1701、1801‧‧‧第一發光材料層

1405、1602、1702、1802‧‧‧第二發光材料層

1406、1603、1703、1803‧‧‧第三發光材料層

S1501‧‧‧本發明一較佳實施例的第8B圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程步驟

S1601~S1603‧‧‧本發明一較佳實施例的第8C圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程步驟

MSK161、MK171‧‧‧第二金屬遮罩

S1701~S1703‧‧‧本發明一較佳實施例的第9A圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程步驟

S1801~S1803‧‧‧本發明一較佳實施例的第9B圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程步驟

S1901‧‧‧本發明一較佳實施例的第9C圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程步驟

S2001‧‧‧本發明一較佳實施例的第10A圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程步驟

S2101‧‧‧本發明一較佳實施例的第10B圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程步驟

S2201‧‧‧本發明一較佳實施例的第10C圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程步驟

S2301‧‧‧本發明一較佳實施例的第11圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程步驟

第1圖繪示為先前技術的有機發光二極體元件的結構圖。

第2圖繪示為先前技術的白光有機發光二極體元件的結構圖。

第3圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之像素的結構圖。

第4圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之像素的結構圖。

第5圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之像素在陰極與陽極固定電壓時，改變透明導電層的參考電壓之亮度對參考電壓圖。

第6圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之像素的結構圖。

第7圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之像素的等效電路圖。

第8A圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。

第8B圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。

第8C圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。

第9A圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。

第9B圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。

第9C圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。

第10A圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。

第10B圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。

第10C圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。

第11圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。

第12圖繪示為本發明一較佳實施例的第4圖之有機發光二極體面板之像素的製作方法之流程圖。

第12A圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1201的示意圖。

第12B圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1202的示意圖。

第12C圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1203的示意圖。

第12D圖繪示為有機發光二極體面板 之像素的製作方法之步驟S1204的示意圖。

第12E圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1205的示意圖。

第12F圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1206的示意圖。

第12G圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1207的示意圖。

第12H圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1208的示意圖。

第12I圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1209的示意圖。

第12J圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1210的示意圖。

第12K圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1211的示意圖。

第13圖繪示為本發明一較佳實施例的第6圖之有機發光二極體面板之像素的製作方法之流程圖。

第13A圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1301的示意圖。

第14圖繪示為本發明一較佳實施例的第8A圖之有機發光二極體面板之像素的製作方法之流程圖。

第14A圖繪示為有機發光二極體面板 之白光像素的製作方法之步驟S1401的示意圖。

第14B圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1402的示意圖。

第14C圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1403的示意圖。

第14D圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1404的示意圖。

第14E圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1405的示意圖。

第14F圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1406的示意圖。

第14G圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1406的示意圖。

第14H圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1408的示意圖。

第14I圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1409的示意圖。

第15圖繪示為本發明一較佳實施例的第8B圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。

第15A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1501的示意圖。

第16圖繪示為本發明一較佳實施例的第8C圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之 流程圖。

第16A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1601的示意圖。

第16B圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1602的示意圖。

如第16C圖所示，第16C圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1603的示意圖。

第17圖繪示為本發明一較佳實施例的第9A圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。

第17A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1701的示意圖。

第17B圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1702的示意圖。

第17C圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1703的示意圖。

第18圖繪示為本發明一較佳實施例的第9B圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。

第18A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1801的示意圖。

第18B圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1802的示意圖。

第18C圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1803的示意圖。

第19圖繪示為本發明一較佳實施例的第9C圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。

第19A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1901的示意圖。

第20圖繪示為本發明一較佳實施例的第10A圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。

第20A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S2001的示意圖。

第21圖繪示為本發明一較佳實施例的第10B圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。

第21A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S2101的示意圖。

第22圖繪示為本發明一較佳實施例的第10C圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。

第22A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S2201的示意圖。

第23圖繪示為本發明一較佳實施例的第11圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之 流程圖。

第23A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S2301的示意圖。

在實施例與申請專利範圍中，空間相對術語，如“在...之下”，“以下”，“下”，“上方”，“上”等詞彙，可以在本文中用於便於描述，以描述一個元件或特徵的相對於另一元件(多個)或特徵(多個特徵)在圖所示中的對應關係。所屬技術領域具有通常知識者可以理解，除了在附圖中描述的方向，空間相對術語旨在涵蓋裝置在使用或操作不同方向。舉例來說，如果裝置在圖中被翻轉，則被描述為“下方”或“之下”的元件或特徵將被定向為“上方”，因此，“下方”示範性術語可以包括上方和下方的方位。若所述裝置可被另外定位(旋轉90度或在其它方位)，上述的空間相對術語在此則用以作為所使用的空間相對描述做出相應的解釋。

第3圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之像素的結構圖。請參考第3圖，此像素係以非堆疊的方式配置。此像素包括一陽極層300、一第一絕緣層301、第二絕緣層302、一電洞注入層(Hole Injection Layer，HIL)303、一電洞傳輸層(Hole Transport Layer，HTL)304、一陰極層305、一電子注入層(Electron Injection Layer，EIL)306、一電子傳輸層(Electron Transport Layer，ETL)307以及一發光材料層(Emission Layer，EML)308。陽極層300配置於一透明基板30上。第一絕緣層301，配置於陽極層300上，陰極層305配置在第一絕緣層301上，第二絕緣層302配置於第一絕緣層301與陰極層305上，第一絕緣層301與第二絕緣層302具有一第一凹坑309以及一第二凹坑310。又，在第一凹坑309內具有電洞注入層303與電洞傳輸層304。在第二凹坑310內，由下而上分別是陰極層305、電子注入層306以及電子傳輸層307。另外，在第二絕緣層302與第一凹坑309及第二凹坑310上配置了發光材料層308。

由此實施例可以看出，此技術利用將發光材料層配置於平面的方式達到頂部發光(Top emission)的發光方式。然而，此種像素的結構在發光時，電流會以最短路徑流動，如標號311所示，故電流會集中於發光材料層308的底部，長時間操作下，發光材料層308底部的材料將發生崩潰(Break Down)，造成元件的損壞。

第4圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之像素的結構圖。請參考第4圖，為了改善上述發光材料層308底部的材料發生崩潰(Break Down)的現象，在此實施例中，在發光材料層308的上方，額外配置了一個透明導電層400。此透明導電層400用來作為參考電壓電極(Reference Electrode)。在控制此像素時，在此透明導電層400上額外施加參考電壓Vref，此參考電壓Vref將引發此像素的發光材料層308上方產生更多 的少數載子電荷，因此，讓發光材料層308中的電子與電洞更容易結合而產生光子，所以可以用比較低的陽極對陰極之電壓，使像素發光。同時，也提高了像素的發光效率。

同樣地，外加一參考電壓Vref在此透明導電層400上，此參考電壓Vref將吸引相反極性的電荷載子遠離發光材料層308之底部，而往較為上層的透明導電層400的方向移動，如第4圖的陽極對陰極之電流的路徑401之示意圖所示，藉此，解決發光材料層308底部的崩潰發生。

第5圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之像素在陰極與陽極固定電壓時，改變透明導電層的參考電壓之亮度對參考電壓圖。請參考第5圖，在此實施例中，陰極與陽極的電壓約23V，而電洞傳輸層與電子傳輸層之間的最短距離是18.41um，所以陽極對陰極之驅動電壓才會如此高。在此實施例中，參考電壓Vref由0~-19V改變，亮度隨著電壓在40~55nits改變。在此實施例中，由於透明導電層400與發光材料層307並無隔離，因此，可能會有部分漏電流會從透明導電層400流出。

第6圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之像素的結構圖。請參考第4圖以及第6圖，在此實施例中，在透明導電層400與發光材料層308之間，額外增加了一層絕緣層601。絕緣層601的功效在於阻擋由發光材料層308流到透明導電層400的漏電流。 藉此，可更加擴大亮度的控制範圍。

第7圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之像素的等效電路圖。請參考第7圖，此有機發光二極體面板之像素的等效電路包括一薄膜電晶體701、電容703、以及一本發明實施例的有機發光二極體像素702。在此實施例中，有機發光二極體像素702包括一陽極71、一陰極72以及一參考電壓極73。

由上述實施例，可以看出，外加一參考電壓Vref於透明導電層400上可以增加少數載子的電荷注入。反之，若將外加的參考電壓Vref的電壓極性相反，將會抑制少數載子電荷注入，降低電子與電洞結合產生光子的效率，元件發光亮度下降，甚至無法發光。因此，透過參考電壓Vref之電壓極性以及電壓大小的調整，可以用來作為控制本發明實施例的有機發光二極體像素702是否發光的開關或是控制發光亮度大小等作用。基於此，每一個畫素只需1個薄膜電晶體701，相較於傳統的有機發光二極體面板之像素需要至少兩個薄膜電晶體，本發明可以用比較少的外部元件，達到相同的顯示的效果。另外，上述陽極層300及透明導電層400例如可以用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、摻雜氟氣的氧化錫(F2：SnO2，FTO)、摻雜鋁的氧化鋅(ZnO：Al，AZO)、摻雜鎵的氧化鋅(ZnO：Ga，GZO)等方式實施。本發明不以此為限。另外，值得一提的是，陽極層300也可以是使用非透明的導電材料。

第8A圖繪示為本發明一較佳實施例的 有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。請參考第8A圖，在此實施例中，是以堆疊的方式構成有機白光發光二極體。此有機白光發光二極體包括一陽極層800、一電洞注入層(Hole Injection Layer，HIL)801、一電洞傳輸層(Hole Transport Layer，HTL)802、一電子傳輸層(Electron Transport Layer，ETL)803、一電子注入層(Electron Injection Layer，EIL)804、一陰極層805以及至少可以發出兩種不同顏色的有機發光材料層(Emission Layer，EML)806-1、806-2以及806-3。在此實施例中，使用三種發光材料層806-1、806-2以及806-3分別是紅色發光材料、綠色發光材料以及藍色發光材料作為說明。當電流由陽極流向陰極，電流會通過三個發光材料層806-1、806-2以及806-3，藉由紅色、綠色與藍色的混光，發出白色光線。另外，由於紅色、綠色與藍色在電流固定時，發光效率不同，在此實施例，藉由改變三個發光材料層806-1、806-2以及806-3的面積，改變紅色、綠色與藍色的混光，藉此，調整所發射出的白光色溫。

同樣的道理，第8B圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。請參考第8A圖以及第8B圖，此兩圖的差異在於，將原本三個發光材料層806-1、806-2以及806-3改為同一層發光材料層807。然而，此發光材料層807係混和紅色發光材料、綠色發光材料以及藍色發光材料，故當電流流過此發光材料層807時，藉由紅色、綠色與藍色的混光，發 出白色光線。另外，藉由改變三個發光材料的比例，改變紅色、綠色與藍色的混光，藉此，調整所發射出的白光色溫。在另一實施例中，發光材料層807也可以是混合兩種可發出不同顏色的有機材料，例如黃色與藍色發光材料，以發出白光。也可以調整兩者的發光材料比例，藉此調整白光色溫。

第8C圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。請參考第8A圖以及第8C圖，此兩圖的差異在於，將原本三個發光材料層806-1、806-2以及806-3係採用堆疊的方式配置，在第8C圖中，三個發光材料層808-1、808-2以及808-3被改為放置在同一層的不同位置。當電流流過此發光材料層808-1、808-2以及808-3時，藉由紅色、綠色與藍色的混光，發出白色光線。另外，藉由改變三個發光材料層808-1、808-2以及808-3的大小比例，改變紅色、綠色與藍色的混光，藉此，調整所發射出的白色光之色溫。可以了解的是，在另一實施例中，也可以使用兩種發光材料層，例如黃色發光層及藍色發光層混光，以發出白光。

第9A圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。請參考第9A圖，此像素包括一陽極層900、一第一絕緣層901、一第二絕緣層902、一電洞注入層903、一電洞傳輸層904、一陰極層905、一電子注入層906、一電子傳輸層907以及三個發光材料層908-1、908-2以及908-3。比較第3圖以 及第9A圖的實施例，第9A圖的實施例的三個發光材料層908-1、908-2以及908-3分別是紅色發光材料、綠色發光材料以及藍色發光材料。當電流由陽極流向陰極，電流會通過三個發光材料層908-1、908-2以及908-3，藉由紅色、綠色與藍色的混光，發出白色光線。另外，由於紅色、綠色與藍色在電流固定時，發光效率不同，在此實施例，藉由改變三個發光材料層908-1、908-2以及908-3的面積，改變紅色、綠色與藍色的混光，藉此，調整所發射出的白色光之色溫。

第9B圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。請參考第9B圖，同樣的道理，在此實施例採用三個發光材料層908-4、908-5以及908-6，然而，此三個發光材料層908-4、908-5以及908-6係採用堆疊的方式。第9C圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。請參考第9C圖，同樣的道理，在此實施例中，三個發光材料層908-1、908-2以及908-3可以如第8B圖整合成同一個發光材料層909。如此，只需要調整各個發光材料的比例即可。故本發明不以此為限。再者，雖然上述實施例中皆以混合三種發光材料層的方式說明，然而，本發明也可以使用二種發光材料層混光，發出白光，例如上述的黃光發光材料與水藍光發光材料。因此，本發明不以此為限。

同樣的道理，第9A圖、第9B圖以及 第9C圖的實施例雖是利用將發光材料層配置於平面的方式達到頂部發光的發光方式。然而，此種像素的結構在發光時，電流會以最短路徑流動，如標號911所示，故電流會集中於發光材料層908-1、908-2以及908-3的底部，長時間操作下，發光材料層908-1、908-2以及908-3的底部將發生崩潰，造成元件的損壞。

第10A圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。請參考第9A圖以及第10A圖，為了改善上述發光材料層908-1、908-2以及908-3的底部發生崩潰的現象，在此實施例中，在發光材料層908-1、908-2以及908-3上方，額外配置了一個透明導電層1000。此透明導電層1000可用來作為參考電壓電極。在控制此像素時，在此透明導電層1000上額外施加參考電壓Vref，此參考電壓Vref將引發此像素的發光材料層908-1、908-2以及908-3上方產生更多的少數載子電荷，因此，讓發光材料層908-1、908-2以及908-3中的電子與電洞更容易結合而產生光子，所以可以用比較低的陽極對陰極之電壓，使此像素發光。同時，也提高像素的發光效率。由於第10A圖的實施例之結構與運作原理與第4圖的實施例之結構與運作原理相似，故在此不予贅述。

第10B圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。請參考第9B圖以及第10B圖，在透明導電層1000施加參考電壓Vref可以改變電流路徑，此原理與第10A圖的原理類似，故在 此不予贅述。第10C圖繪示為本發明一較佳實施例的有機白光發光二極體的結構圖。請參考第9C圖以及第10C圖，在透明導電層1000施加參考電壓Vref可以改變電流路徑，此原理與第10A圖的原理類似，故在此不予贅述。

第11圖繪示為本發明一較佳實施例的有機發光二極體面板之白光像素的結構圖。請參考第10A圖、第11圖以及第6圖，同樣地，在此實施例中，在透明導電層1000與發光材料層908-1、908-2以及908-3之間，額外增加了一層絕緣層1101。絕緣層1101的功效在於阻擋由發光材料層908-1、908-2以及908-3流到透明導電層1000的漏電流。藉此，可更加擴大亮度的控制範圍。同樣的絕緣層1101亦可以應用在第10B圖以及第10C圖，故在此不予贅述。

第12圖繪示為本發明一較佳實施例的第4圖之有機發光二極體面板之像素的製作方法之流程圖。請參考第12圖，此有機發光二極體面板之像素的製作方法包括下列步驟：

步驟S1200：開始。

步驟S1201：在一玻璃基板上，配置一陽極層1201。如第12A圖所示，第12A圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1201的示意圖。

步驟S1202：在陽極層1201上，配置一第一絕緣層1202。如第12B圖所示，第12B圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1202的示 意圖。

步驟S1203：在第一絕緣層上，配置一陰極層1203。如第12C圖所示，第12C圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1203的示意圖。

步驟S1204：在第一絕緣層1202上，配置一第二絕緣層1204。如第12D圖所示，第12D圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1204的示意圖。

步驟S1205：蝕刻上述第一絕緣層1202與第二絕緣層1204，產生一第一凹坑1205以及一第二凹坑1206。如第12E圖所示，第12E圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1205的示意圖。請參考第12E圖，在此圖式中，藉由蝕刻，產生第一凹坑1205以及第二凹坑1206，另外，由於第二凹坑1206的底部具有一陰極層1203，此陰極層1203一般是金屬材質，故不會被蝕刻。

步驟S1206：在第一凹坑1205內蒸鍍(evaporating)一電洞注入層1207。如第12F圖所示，第12F圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1206的示意圖。請參考第12F圖，在蒸鍍時，透過金屬遮罩MSK1，讓電洞注入層的材料準確的蒸鍍進入第一凹坑1205內。

步驟S1207：在電洞注入層上蒸鍍一電洞傳輸層1208。如第12G圖所示，第12G圖繪示為有機 發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1207的示意圖。請參考第12G圖，在蒸鍍時，透過金屬遮罩MSK1，讓電洞傳輸層的材料準確的蒸鍍進入第一凹坑1205內，並堆疊在電洞注入層1207上。

步驟S1208：在陰極層1203上蒸鍍一電子注入層1209。如第12H圖所示，第12H圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1208的示意圖。請參考第12H圖，在此步驟，金屬遮罩MSK1的開口被平移至第二凹坑1206上，之後，進行蒸鍍電子注入層，讓電子注入層的材料堆疊在陰極層1203上。

步驟S1209：在電子注入層1206上蒸鍍一電子傳輸層1210。如第12I圖所示，第12I圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1209的示意圖。請參考第12I圖，進行蒸鍍電子傳輸層1210，讓電子傳輸層1210的材料堆疊在電子注入層1209上。一般來說，電子傳輸層1210非常薄。此圖式僅為示意圖，並非真實比例。

步驟S1210：在第二絕緣層1204上蒸鍍一發光材料層1211，且此發光材料層1211可以是覆蓋在第一凹坑1205及第二凹坑1206上。如第12J圖所示，第12J圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1210的示意圖。請參考第12J圖，發光材料層1211同樣是採用蒸鍍的方式製作，故需要換另一金屬遮罩MSK2。一般來說，發光材料層1211是紅色、綠色或藍色 的有機發光材料。

步驟S1211：在發光材料層1211上，配置一透明導電層1212。如第12K圖所示，第12K圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1211的示意圖。請參考第12K圖，如此，便完成了如第4圖的可以施加外加電壓的三端點有機發光二極體面板的像素。

第13圖繪示為本發明一較佳實施例的第6圖之有機發光二極體面板之像素的製作方法之流程圖。請參考第12圖以及第13圖，此有機發光二極體面板之像素的製作方法，在步驟S1210與步驟S1211之間，額外包括下列步驟：步驟S1301：在發光材料層1211上配置一第三絕緣層1301。如第13A圖所示，第13A圖繪示為有機發光二極體面板之像素的製作方法之步驟S1301的示意圖。請參考第13A圖，此絕緣層係為一薄絕緣層。接下來，透過步驟S1211後，獲得如第6圖的有機發光二極體面板之像素。

第14圖繪示為本發明一較佳實施例的第8A圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。請參考第14圖，此有機發光二極體面板之白光像素的製作方法包括下列步驟：

步驟S1400：開始。

步驟S1401：在一玻璃基板上，配置一陽極層1401。如第14A圖所示，第14A圖繪示為有機發 光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1401的示意圖。此陽極層1401可以使用透明或不透明的導電材料。

步驟S1402：在陽極層1401上，透過金屬遮罩MSK141，蒸鍍一電洞注入層1402。如第14B圖所示，第14B圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1402的示意圖。

步驟S1403：在電洞注入層1402上，透過金屬遮罩MSK141，蒸鍍一電洞傳輸層1403。如第14C圖所示，第14C圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1403的示意圖。

步驟S1404：在電洞傳輸層1403上，透過金屬遮罩MSK141，蒸鍍一第一發光材料層1404。如第14D圖所示，第14D圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1404的示意圖。

步驟S1405：在第一發光材料層1404上，透過金屬遮罩MSK141，蒸鍍一第二發光材料層1405。如第14E圖所示，第14E圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1405的示意圖。

步驟S1406：在第二發光材料層1405上，透過金屬遮罩MSK141，蒸鍍一第三發光材料層1406。如第14F圖所示，第14F圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1406的示意圖。

步驟S1407：在第三發光材料層1406上，透過金屬遮罩MSK141，蒸鍍一電子傳輸層1407。 如第14G圖所示，第14G圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1407的示意圖。

步驟S1408：在電子傳輸層1407上，透過金屬遮罩MSK141，蒸鍍一電子注入層1408。如第14H圖所示，第14H圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1408的示意圖。

步驟S1409：在電子注入層1408上，配置一陰極層1409。如第14I圖所示，第14I圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1409的示意圖。一般來說，陰極層1409例如是一層薄金屬層。

第15圖繪示為本發明一較佳實施例的第8B圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。請參考第15圖，此有機發光二極體面板之白光像素的製作方法，在步驟S1403與步驟S1407之間，刪除步驟S1404~步驟S1406，並額外插入下列步驟：步驟S1501：蒸鍍一混和發光材料層1501。如第15A圖所示，第15A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1501的示意圖。請參考第15A圖，在此實施例中，混和發光材料例如是混和了紅光、綠光與藍光的有機發光材料。另外，若調整紅光、綠光與藍光的有機發光材料的比例，還可以調整白光色溫。同樣地，混合發光材料亦可以混合兩種發光材料，例如是黃光發光材料與水藍光發光材料。由於後續製程相同，故在此不予贅述。

第16圖繪示為本發明一較佳實施例的第8C圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。請參考第16圖，此有機發光二極體面板之像素的製作方法，在步驟S1403與步驟S1407之間，刪除步驟S1404~步驟S1406，並額外插入下列步驟：

步驟S1601：採用第二金屬遮罩MSK161，蒸鍍一第一發光材料層1601。如第16A圖所示，第16A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1601的示意圖。

步驟S1602：平移第二金屬遮罩MSK161後，蒸鍍一第二發光材料層1602。如第16B圖所示，第16B圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1602的示意圖。

步驟S1603：再次平移第二金屬遮罩MSK161後，蒸鍍一第三發光材料層1603。如第16C圖所示，第16C圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法步驟S1603的示意圖。

步驟S1603之後的蒸鍍電子傳輸層、電子注入層以及配置陰極層的步驟與前述相同，故在此不予贅述。

第17圖繪示為本發明一較佳實施例的第9A圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。請參考第12圖以及第17圖，由於第9A圖的有機發光二極體面板之白光像素的製作方法的前面的步驟 與第12圖的步驟S1201~步驟S1209相同，故請參考步驟S1201~步驟S1209以及其所對應之第12A圖~第12I圖。另外，接續步驟S1209，有機白光發光二極體的製作步驟還包括：

步驟S1701：採用第二金屬遮罩MSK171，蒸鍍一第一發光材料層1701。如第17A圖所示，第17A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1701的示意圖。請參考第17A圖，此示意圖為步驟S1209的第12I圖轉90度後，蒸鍍上述第一發光材料層1701的示意圖。

步驟S1702：平移第二金屬遮罩MSK171後，蒸鍍一第二發光材料層1702。如第17B圖所示，第17B圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1702的示意圖。

步驟S1703：再次平移第二金屬遮罩MSK171後，蒸鍍一第三發光材料層1703。如第17C圖所示，第17C圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1703的示意圖。上述第一發光材料層1701、第二發光材料層1702、第三發光材料層1703一般來說可以是紅光、綠光以及藍光的發光材料。

第18圖繪示為本發明一較佳實施例的第9B圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。請參考第12圖以及第18圖，由於第9B圖的有機發光二極體面板之像素的製作方法的前面的步驟與第 12圖的步驟S1201~步驟S1209相同，故請參考步驟S1201~步驟S1209以及其所對應之第12A圖~第12I圖。另外，接續步驟S1209，有機發光二極體面板之白光像素的製作步驟還包括：

步驟S1801：蒸鍍一第一發光材料層1801。如第18A圖所示，第18A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1801的示意圖。請參考第18A圖，由於發光材料層1801同樣是採用蒸鍍的方式製作，故需要換另一金屬遮罩MSK181。

步驟S1802：蒸鍍一第二發光材料層1802。如第18B圖所示，第18B圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1802的示意圖。

步驟S1803：蒸鍍一第三發光材料層1803。如第18C圖所示，第18C圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1803的示意圖。上述第一發光材料層1801、第二發光材料層1802、第三發光材料層1803一般來說可以是紅光、綠光以及藍光的發光材料。

第19圖繪示為本發明一較佳實施例的第9C圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。請參考第12圖以及第19圖，由於第9C圖的有機發光二極體面板之像素的製作方法的前面的步驟與第12圖的步驟S1201~步驟S1209相同，故請參考步驟S1201~步驟S1209以及其所對應之第12A圖~第12I圖。另外， 接續步驟S1209，有機發光二極體面板之白光像素的製作步驟還包括： 步驟S1901：蒸鍍一混和發光材料層1901。如第19A圖所示，第19A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S1901的示意圖。請參考第19A圖，由於發光材料層1901同樣是採用蒸鍍的方式製作，故需要換另一金屬遮罩MSK181。另外，混合發光材料層一般是混合紅光、綠光、藍光的發光材料。

第20圖繪示為本發明一較佳實施例的第10A圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。請參考第12圖、第17圖以及第20圖，由於第10A圖的有機發光二極體面板之白光像素的製作方法的前面的步驟與第12圖的步驟S1201~步驟S1209以及第17圖的步驟S1701~步驟S1703相同，故請參考步驟S1201~步驟S1209以及第17圖的步驟S1701~步驟S1703並且請參考其所對應之第12A圖~第12I圖以及第17A圖~第17C圖。另外，接續步驟S1703，有機發光二極體面板之白光像素的製作步驟還包括： 步驟S2001：配置一透明導電層2001。如第20A圖所示，第20A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S2001的示意圖。請參考第20A圖，為了改善上述發光材料層1701、1702以及1703底部的材料發生崩潰的現象，在此實施例中，在發光材料層1701、1702以及1703上方，額外配置了一層透明導電 層2001。此透明導電層2001用來作為參考電壓電極。由於前面已經敘述過原理，故在此不予贅述。

第21圖繪示為本發明一較佳實施例的第10B圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。請參考第12圖、第18圖以及第20圖，由於第10B圖的有機發光二極體面板之白光像素的製作方法的前面的步驟與第12圖的步驟S1201~步驟S1209以及第18圖的步驟S1801~步驟S1803相同，故請參考步驟S1201~步驟S1209以及第18圖的步驟S1801~步驟S1803並且請參考其所對應之第12A圖~第12I圖以及第18A圖~第18C圖。另外，接續步驟S1803，有機發光二極體面板之白光像素的製作步驟還包括： 步驟S2101：配置一透明導電層2101。如第21A圖所示，第21A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S2101的示意圖。請參考第21A圖，由於其原理與上述第20A圖的原理相同，故不予贅述。

第22圖繪示為本發明一較佳實施例的第10C圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。請參考第12圖、第19圖以及第20圖，由於第10C圖的有機發光二極體面板之白光像素的製作方法的前面的步驟與第12圖的步驟S1201~步驟S1209以及第19圖的步驟S1901相同，故請參考步驟S1201~步驟S1209以及第19圖的步驟S1901並且請參考其所對應之第12A 圖~第12I圖以及第19A圖。另外，接續步驟S1901，有機白光發光二極體的製作步驟還包括： 步驟S2201：配置一透明導電層2201。如第22A圖所示，第22A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S2201的示意圖。請參考第22A圖，由於其原理與上述第20A圖的原理相同，故不予贅述。

第23圖繪示為本發明一較佳實施例的第11圖之有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之流程圖。請參考第20圖以及第23圖，由於第11圖的有機發光二極體面板之白光像素的製作方法的前面的步驟與第20圖的步驟S1201~步驟S1209、步驟S1701~步驟S1703相同，故請參考步驟S1201~步驟S1209以及步驟S1701~步驟S1703並且請參考其所對應之第12A圖~第12I圖以及第17A圖~第17C圖。另外，接續步驟S1703，有機發光二極體面板之白光像素的製作步驟還包括： 步驟S2301：在第一發光材料層1701~第三發光材料層1703上配置一第三絕緣層2301。如第23A圖所示，第23A圖繪示為有機發光二極體面板之白光像素的製作方法之步驟S2301的示意圖。請參考第23A圖，此第三絕緣層2301係為一薄絕緣層。接下來，透過步驟S2001配置一透明導電層後，獲得如第11圖的有機白光發光二極體。

同樣地，第10B圖以及第10C圖亦可以 在透明導電層與發光材料層之間配置絕緣層，讓有機白光發光二極體變成三端元件型態的有機白光發光二極體。由於前面已經敘述過原理，故在此不予贅述。值得一提的是，雖然在上述實施例中皆以混合三種發光材料作為說明，然而，也可以是使用二種發光材料，例如黃光及水藍光發光材料，以發出白光。因此，上述實施例並不用以限制本發明。

綜上所述，本發明的精神在於利用改變有機發光二極體面板的像素之架構，將原本堆疊製程的有機發光二極體像素，改為平面製程，增加開口率，並且在其有機發光層上，額外增加一層透明導電層，讓機發光二極體像素可以達到類似三端元件的控制模式，藉此，若以此改良的有機發光二極體像素實施成為主動矩陣面板，每一個像素可以減少一個薄膜電晶體的使用。如此，將大大減少製程與電路控制複雜度。

另外，在有機白光發光二極體的部分，本發明將先前技術的有機白光發光二極體之堆疊串聯架構改為類似並聯架構。且提出方便於製造的平移金屬遮罩之製作方法。且其製造步驟跟傳統習知技術相比，較為精簡。

在較佳實施例之詳細說明中所提出之具體實施例僅用以方便說明本發明之技術內容，而非將本發明狹義地限制於上述實施例，在不超出本發明之精神及以下申請專利範圍之情況，所做之種種變化實施，皆屬於 本發明之範圍。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (20)

1. 一種有機發光二極體面板，包括：至少一像素；其中，該像素包括：一陽極層，配置於一透明基板上；一第一絕緣層(insulator)，配置於該陽極層上；一陰極層，配置於該第一絕緣層上；一第二絕緣層，配置於該陽極層上，具有一第一凹坑以及一第二凹坑，其中，該第二凹坑的底部為該陰極層，其中，該第一凹坑的底部為該陽極層；一電洞注入層，配置於該第一凹坑內，且配置於該陽極層上；一電洞傳輸層，配置於該第一凹坑內，且配置於該電洞注入層上；一電子注入層，配置於該第二凹坑內，且配置於該陰極層上；一電子傳輸層，配置於該第二凹坑內，且配置於該電子注入層上；一發光材料層，配置於該第二絕緣層上；以及一透明導電層，配置於該發光材料層上，其中，該陰極層、該陽極層以及該透明導電層構成三端點有機發光二極體。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之有機發光二極體 面板，其中，該像素更包括：一第三絕緣層，配置於該透明導電層與發光材料層之間。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之有機發光二極體面板，其中，該像素更包括：一薄膜電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該薄膜電晶體的閘極耦接一掃描線，該薄膜電晶體的第一源汲極耦接一資料線，該薄膜電晶體的第二源汲極耦接該透明導電層；以及一電容，包括一第一端以及一第二端，其中，該電容的第一端耦接該薄膜電晶體的第二源汲極，該電容的第二端耦接一共接電壓。
4. 如申請專利範圍第1項所記載之有機發光二極體面板，其中，該透明導電層的電壓控制透過該發光材料層由該陽極層流向該陰極層的一電流之大小與該電流流過該發光材料層的電流路徑。
5. 如申請專利範圍第1項所記載之有機發光二極體面板，其中，該發光材料層覆蓋該第一凹坑及該第二凹坑，且包括：一第一色發光材料區；一第二色發光材料區，配置在該第一色發光材料區的 一側；以及一第三色發光材料區，配置在該第二色發光材料區的一側，藉由上述第一色、第二色、第三色的混光，達到讓該像素顯示白色光的效果。
6. 如申請專利範圍第1項所記載之有機發光二極體面板，其中，該發光材料層覆蓋該第一凹坑及該第二凹坑，且包括：一第一色發光材料區；一第二色發光材料區，配置在該第一色發光材料區之上；以及一第三色發光材料區，配置在第二色發光材料區之上，藉由上述第一色發光材料區、第二色發光材料區、第三色發光材料區所發出的光線的混光，達到讓該像素顯示白色光的效果。
7. 如申請專利範圍第1項所記載之有機發光二極體面板，其中，該發光材料層係混和至少兩種不同色的有機發光材料。
8. 如申請專利範圍第7項所記載之有機發光二極體面板，其中該至少兩種不同色之有機發光材料係以水平地 位於同一層的方式擺設，並藉由混合該至少兩種不同色光的方式，發出白色光。
9. 如申請專利範圍第7項所記載之有機發光二極體面板，其中該至少兩種不同色之有機發光材料係以垂置地堆疊的方式擺設，並藉由混合該至少兩種不同色光的方式，發出白色光。
10. 如申請專利範圍第1項所記載之有機發光二極體面板，其中，該陽極層包含由摻雜錫之氧化銦的材料所構成。
11. 如申請專利範圍第1項所記載之有機發光二極體面板，其中，該透明導電層包含由摻雜錫之氧化銦的材料所構成。
12. 一種有機發光二極體面板之製造方法，包括：在一玻璃基板上，進行一濺鍍製程，產生一陽極層；在該陽極層上，配置一第一絕緣層；在該第一絕緣層上，配置一陰極層；在該第一絕緣層上，配置一第二絕緣層；對該第一絕緣層以及該第二絕緣層進行蝕刻，產生一第一凹坑以及一第二凹坑，其中，該第二凹坑的底部接觸該陰極層； 在該第一凹坑內蒸鍍一電洞注入層，其中，該電洞注入層配置於該陽極層上；在該電洞注入層上蒸鍍一電洞傳輸層；在該陰極層上蒸鍍一電子注入層；在該電子注入層上蒸鍍一電子傳輸層；在該絕緣層上蒸鍍一發光材料層；以及在該發光材料層上配置一透明導電層。
13. 如申請專利範圍第12項所記載之有機發光二極體面板之製造方法，其中，在該第一凹坑內蒸鍍該電洞注入層之前，更包括：配置一金屬遮罩，其中，該金屬遮罩的開口對準該第一凹坑。
14. 如申請專利範圍第12項所記載之有機發光二極體面板之製造方法，其中，在該陰極層上蒸鍍該電子注入層之前，更包括：配置一金屬遮罩，其中，該金屬遮罩的開口平移至對準該第二凹坑。
15. 如申請專利範圍第12項所記載之有機發光二極體面板之製造方法，其中，在該發光材料層上配置該透明導電層之前，更包括：在該發光材料層上，配置一第二絕緣層。
16. 如申請專利範圍第12項所記載之有機發光二極體面板之製造方法，其中，該發光材料層包括：一第一色發光材料區；一第二色發光材料區，配置在第一色區的一側；以及一第三色發光材料區，配置在第二色區的一側，藉由上述第一色、第二色、第三色的混光，達到顯示白色光的效果。
17. 如申請專利範圍第12項所記載之有機發光二極體面板之製造方法，其中，該發光材料層包括：一第一色發光材料區；一第二色發光材料區，配置在第一色發光材料區之上；以及一第三色發光材料區，配置在第二色發光材料區之上，藉由上述第一色發光材料區、第二色發光材料區、第三色發光材料區所發出的光線的混光，達到顯示白色光的效果。
18. 如申請專利範圍第12項所記載之有機發光二極體面板之製造方法，其中，該發光材料層係混和至少兩種不同顏色的有機發光材料。
19. 如申請專利範圍第12項所記載之有機發光二極體面板之製造方法，其中，該陽極層包含由摻雜錫之氧化銦的材料所構成。
20. 如申請專利範圍第12項所記載之有機發光二極體面板之製造方法，其中，該透明導電層包含由摻雜錫之氧化銦的材料所構成。