TW201620337A - 具備多級驅動階段和雙驅動模式之發光二極體照明裝置 - Google Patents

具備多級驅動階段和雙驅動模式之發光二極體照明裝置 Download PDF

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    • H05B45/40Details of LED load circuits
    • H05B45/44Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • H05B45/48Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs organised in strings and incorporating parallel shunting devices

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Abstract

發光二極體照明裝置包含第一和第二發光單元、第一和第二電流控制單元、線電壓偵測單元,及模式控制單元。第一電流控制單元依據感測電壓來選擇性地串聯於第一發光單元,可提供第一限流值,其中偵測電壓相關於整流交流電壓之範圍。第二電流控制單元串聯於第二發光單元,可提供第二限流值。線電壓偵測單元可提供感測電壓。當感測電壓代表整流交流電壓是在第一電壓範圍時,模式控制單元控制發光二極體照明裝置在第一驅動模式下運作。當感測電壓代表整流交流電壓是在第二電壓範圍時,模式控制單元控制發光二極體照明裝置在第二驅動模式下運作。

Description

具備多級驅動階段和雙驅動模式之發光二極體照明裝置
本發明相關於一種具備多級驅動階段之發光二極體照明裝置,尤指一種具備多級驅動階段和雙驅動模式之發光二極體照明裝置。
在整流交流(rectified alternative-current, AC)電壓直接驅動的照明應用中,由於發光二極體(light emitting diode, LED)係為一電流驅動元件,其發光亮度與驅動電流之大小成正比,為了達到高亮度和亮度均勻的要求,往往需要使用許多串接之發光二極體來提供足夠光源,並使用多級階段驅動的方式來增加發光二極體照明裝置之可操作電壓範圍。
家用電源規格會按地區而有不同,一般來說,電壓值通常在100V到240V之間,而最常見的頻率值是50Hz和60Hz。以世界上主要兩個基本的家用電源規格來說,北美地區採用110-120V和60Hz,而歐洲地區採用220-240V和50Hz。另一方面,商業或工廠用途的電源規格採用更高的電壓值,以提供大型設備使用,例如美國採用277 V。值得注意的是,上述電壓值僅為額定電壓,和電器設備實際使用電壓會有些許差異,且電壓供應在電器設備運作期間亦可能會有波動。
切換式(switching-type)發光二極體照明裝置能在大電壓範圍(例如85V〜265V)內運作,但線性(linear-type)發光二極體照明裝置只能在特定電壓下運作。更詳細地說,當線性發光二極體照明裝置採用110V驅動架構或220V驅動架構時,其能正常運作的條件是當整流交流電壓之值在小電壓範圍內時,例如110V10%或 220V10%。當在家用電源規格為220V的地區使用採用110V驅動架構之線性發光二極體照明裝置時,超出額定值的功率會造成系統失敗。當在家用電源規格為110V的地區使用採用220V驅動架構之線性發光二極體照明裝置時,可能無法提供足夠功率來點亮所有LED。因此,需要一種能夠增加可操作電壓範圍和提供雙驅動模式運作之發光二極體照明裝置。
本發明提供一種具備多級驅動階段和雙驅動模式之發光二極體照明裝置,其包含一第一發光單元、一第二發光單元、一第一電流控制單元、一第二電流控制單元,以及一模式控制單元。該第一發光單元包含複數個串聯之發光裝置,且由一整流交流電壓來驅動。該第二發光單元包含複數個串聯之發光裝置,且由該整流交流電壓來驅動。該第一電流控制單元依據一感測電壓選擇性地串聯於該第一發光單元,用來提供一第一限流值,其中該感測電壓相關於該整流交流電壓之範圍。該第二電流控制單元串聯於該第二發光單元,用來提供一第二限流值。該線電壓偵測單元用來提供該感測電壓。該感測電壓之值代表該整流交流電壓是在一第一電壓範圍時,該模式控制單元將該第一電流控制單元串聯於該第一發光單元,將該第一發光單元並聯於該第二發光單元,以使該發光二極體照明裝置在一第一驅動模式下運作。當該感測電壓之值代表該整流交流電壓是在一第二電壓範圍時,該模式控制單元將該第一電流控制單元和該第一發光單元電性分離,將該第一發光單元串聯於該第二發光單元,以使該發光二極體照明裝置在一第二驅動模式下運作。當該發光二極體照明裝置在該第一驅動模式下運作時,該第一電流控制單元調節流經該第一發光單元之一第一電流以使該第一電流之值不超過一第一限流值,而該第二電流控制單元調節流經該第二發光單元之一第二電流以使該第二電流之值不超過一第二限流值。當該發光二極體照明裝置在該第二驅動模式下運作時,該第一電流控制單元為關閉,而該第二電流控制單元調節流經該第一發光單元和該第二發光單元之一第三電流以使該第三電流之值不超過該第二限流值。
第1圖為本發明實施例中發光二極體照明裝置100之示意圖。發光二極體照明裝置100包含一電源供應電路110、包含N個發光裝置A1 〜AN 之一第一發光單元、包含N個發光裝置B1 〜BN 之一第二發光單元、N個電流控制單元CCA1 〜CCAN 、N個電流控制單元CCB1 〜CCBN 、一線電壓偵測單元30,以及一模式控制單元40,其中N為大於1之整數。為了說明目的,第1圖顯示了N=3之實施例,此時發光二極體照明裝置100以3級驅動階段來運作。然而,N之值並不限定本發明之範疇。
為了清楚地說明本發明,說明書全文和圖示中使用下列符號來表示發光二極體照明裝置100中各元件和相關運作。IA1 〜IA3 分別代表流經相對應發光裝置A1 〜A3 之電流。IB1 〜IB3 分別代表流經相對應發光裝置B1 〜B3 之電流。ILED 代表流經發光二極體照明裝置100之總電流。
電源供應電路110可接收一具正負週期之交流電壓VS,並利用一橋式整流器112來轉換交流電壓VS在負週期內之輸出電壓,因此可提供一整流交流電壓VAC 以驅動發光二極體照明裝置100,其中整流交流電壓VAC 之值隨著時間而有週期性變化。在其它實施例中,電源供應電路110可接收任何交流電壓VS,利用一交流-交流電壓轉換器來進行電壓轉換,並利用橋式整流器112來對轉換後之交流電壓VS進行整流,因此可提供整流交流電壓VAC 以驅動發光二極體照明裝置100,其中整流交流電壓VAC 之值隨著時間而有週期性變化。值得注意的是,電源供應電路110之結構並不限定本發明之範疇。
當整流交流電壓VAC 之值在一第一電壓範圍內時,發光二極體照明裝置100可在一第一驅動模式下運作﹔或者,當整流交流電壓VAC 之值在一第二電壓範圍內時,發光二極體照明裝置100可在一第二驅動模式下運作。在本發明中,第二電壓範圍之額定值(nominal value)大於第一電壓範圍之額定值。例如,第一電壓範圍之額定值可為110V,而第二電壓範圍之額定值可為220V。值得注意的是,第一電壓範圍或第二電壓範圍之額定值並不限定本發明之範疇。
在一實施例中,當整流交流電壓VAC 之值在一110V電壓範圍內時,發光二極體照明裝置100可在第一驅動模式下運作﹔或者,當整流交流電壓VAC 之值在一220V電壓範圍內時,發光二極體照明裝置100可在第二驅動模式下運作。110V電壓範圍包含額定值110V和其容許的誤差範圍,而220V電壓範圍包含額定值220V和其容許的誤差範圍。舉例來說,110V電壓範圍可介於110V*(1-A%)和110V*(1+B%)之間,而220V電壓範圍可介於220V*(1-C%)和220V*(1+D%)之間。110V電壓範圍和220V電壓範圍可包含對稱誤差範圍(A=B,C=D)或非對稱誤差範圍(A≠B,C≠D)。值得注意的是,A、B、C、D之值並不限定本發明之範疇。
在本發明實施例中,每一發光裝置A1 〜AN 和B1 〜BN 可包含一個發光二極體,或是複數個串接、並聯或組成陣列之發光二極體。第1圖顯示了採用複數個串接發光二極體之架構,其可包含複數個單介面發光二極體(single-junction LED)、複數個多介面高壓發光二極體(multi-junction high-voltage LED),或不同類型發光二極體之任意組合。然而,發光裝置A1 〜AN 和B1 〜BN 所採用的發光二極體種類或組態並不限定本發明之範疇。在一特定驅動階段中,導通一特定電流控制單元所需之壓差電壓(dropout voltage)小於導通相對應發光裝置所需之切入電壓(cut-in voltage)。當一特定發光裝置之跨壓大於其切入電壓時,此特定發光裝置會在導通的ON狀態﹔當一特定發光裝置之跨壓小於其切入電壓時,此特定發光裝置會在非導通的OFF狀態。切入電壓之值相關於相對應發光裝置所採用發光二極體之數目和類型,在不同應用中可具不同值,但不限定本發明之範疇。
在發光二極體照明裝置100中,提供限流值ISET_A1 之電流控制單元CCA1 是透過模式控制單元40選擇性地串聯至發光裝置A1 〜A3 ,提供限流值ISET_A2 之電流控制單元CCA2 並聯於發光裝置A2 ,提供限流值ISET_A3 之電流控制單元CCA3 並聯於發光裝置A3 ,提供限流值ISET_B1 之電流控制單元CCB1 串聯於發光裝置B1 〜B3 ,提供限流值ISET_B2 之電流控制單元CCB2 並聯於發光裝置B2 ,而提供限流值ISET_B3 之電流控制單元CCB3 並聯於發光裝置B3 。因此,發光裝置A1 〜A3 可由相對應電流控制單元CCA1 〜CCA3 來以3個階段驅動,發光裝置B1 〜B3 可由相對應電流控制單元CCB1 〜CCB3 來以3個階段驅動。更詳細地說,電流控制單元CCA2 〜CCA3 可分別調節流經發光裝置A2 〜A3 之電流,使得電流IA2 〜IA3 之值分別不超過電流控制單元CCA2 〜CCA3 之限流值ISET_A2 和ISET_A3 。電流控制單元CCB1 〜CCB3 可分別調節流經發光裝置B1 〜B3 之電流,使得電流IB1 〜IB3 之值分別不超過電流控制單元CCB1 〜CCB3 之限流值ISET_B1 〜ISET_B3 。當電流控制單元CCA1 串聯至發光裝置A1 〜A3 時,電流控制單元CCA1 可調節流經發光裝置A1 之電流,使得電流IA1 之值不超過電流控制單元CCA1 之限流值ISET_A1
在發光二極體照明裝置100中,線電壓偵測單元30可提供一感測電壓VS ,感測電壓VS 之值相關於整流交流電壓VAC 的範圍。例如,感測電壓VS 可為整流交流電壓VAC 之峰值,或為整流交流電壓VAC 之平均值。在一實施例中,線電壓偵測單元30可包含電阻R1〜R2和電容C1,其結構如第1圖所示。本發明可選定電阻R1〜R2和電容C1之值,使得當感測電壓VS 之值代表於整流交流電壓VAC 是在110V電壓範圍時,感測電壓VS 會開啟電流控制單元CCA1 ﹔而當電壓VS 之值代表於整流交流電壓VAC 是在220V電壓範圍時,電壓VS 會關閉電流控制單元CCA1 。值得注意的是,線電壓偵測單元30之結構並不限定本發明之範疇。
在發光二極體照明裝置100中,模式控制單元40包含一開關QP和兩路徑控制器D1〜D2。開關QP之第一端耦接於電源供應電路110,第二端耦接於發光裝置B1 〜B3 ,而控制端耦接於電流控制單元CCA3 。路徑控制器D1之第一端耦接於發光裝置A3 和路徑控制器D2之間,而第二端耦接於開關QP和發光裝置B1 之間。路徑控制器D2之第一端耦接於發光裝置A3 ,而第二端耦接於電流控制單元CCA1
在本發明實施例中,開關QP可為一P型金氧半導體場效電晶體(P-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor, P-MOSFET),或是其它具備類似功能之元件。路徑控制器D1〜D2中每一路徑控制器可包含一個或多個二極體、一個或多個發光二極體、一個或多個二極體形式(diode-connected)之場效電晶體(field effect transistor, FET) 、一個或多個二極體形式之雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor, BJT),或是一個或多個具備類似功能之元件。值得注意的是,模式控制單元40之實施方式並不限定本發明之範疇。
在本發明實施例中,模式控制單元40可另包含電阻R3〜R4和一齊納二極體(Zener diode)ZD。電阻R3和齊納二極體ZD耦接於開關QP之第一端和控制端之間。電阻R4耦接於開關QP之控制端和電流控制單元CCA3 之間。當開關QP以P-MOSFET來實作時,電阻R3〜R4和齊納二極體ZD可用來提供閘極-源極電壓(VGS )保護。然而,電阻R3〜R4和齊納二極體ZD之存在並非必要,且不限定本發明之範疇。
當一路徑控制器之跨壓大於其導通電壓時,此特定路徑控制器為順向偏壓(forward-biased)且會像短路元件般運作﹔當一路徑控制器之跨壓不大於其導通電壓時,此特定路徑控制器為反向偏壓(reverse-biased)且會像開路元件般運作。在本發明中,模式控制單元40可透過路徑控制器D1〜D2來將第一發光單元(發光裝置A1 〜A3 )串聯至第二發光單元(發光裝置B1 〜B3 ),或將第一發光單元並聯至第二發光單元。
第2圖為本發明發光二極體照明裝置100在110V驅動模式下運作時之等效電路示意圖。當偵測到整流交流電壓VAC 是在110V電壓範圍時,線電壓偵測單元30會開啟電流控制單元CCA1 ,進而將路徑控制器D2之第二端和開關QP之控制端拉至一較低電位。此時,開關QP呈開啟,路徑控制器D1為反向偏壓,而路徑控制器D2為順向偏壓。由於反向偏壓之路徑控制器D1會切斷串聯關係,發光裝置A1 〜A3 和發光裝置B1 〜B3 彼此並聯,且獨立地由相對應之電流控制單元分別加以調節(IA1 ≠IB1 )。透過順向偏壓之路徑控制器D2,電流控制單元CCA1 會串聯至發光裝置A1 〜A3 ,進而調節電流IA1 之值。更詳細地說,電流控制單元CCA1 可調節流經發光裝置A1 之電流,使得電流IA1 之值分別不超過電流控制單元CCA1 之限流值ISET_A1 ﹔電流控制單元CCA2 可調節流經發光裝置A2 之電流,使得電流IA2 之值分別不超過電流控制單元CCA2 之限流值ISET_A2 ﹔電流控制單元CCA3 可調節流經發光裝置A3 之電流,使得電流IA3 之值分別不超過電流控制單元CCA3 之限流值ISET_A3 。同理,電流控制單元CCB1 可調節流經發光裝置B1 之電流,使得電流IB1 之值分別不超過電流控制單元CCB1 之限流值ISET_B1 ﹔電流控制單元CCB2 可調節流經發光裝置B2 之電流,使得電流IB2 之值分別不超過電流控制單元CCB2 之限流值ISET_B2 ﹔電流控制單元CCB3 可調節流經發光裝置B3 之電流,使得電流IB3 之值分別不超過電流控制單元CCB3 之限流值ISET_B3
第3圖為本發明發光二極體照明裝置100在220V驅動模式下運作時之等效電路示意圖。當偵測到整流交流電壓VAC 是在220V電壓範圍時,線電壓偵測單元30會關閉電流控制單元CCA1 ,進而將開關QP之控制端拉至一較高電位。此時,開關QP呈關閉,路徑控制器D1為順向偏壓,而路徑控制器D2為反向偏壓。透過順向偏壓之路徑控制器D1,發光裝置A1 〜A3 會串聯至發光裝置B1 〜B3 。由於反向偏壓之路徑控制器D2會切斷耦接關係,電流控制單元CCA1 會和發光裝置A1 〜A3 電性分離。換句話說,發光裝置A1 和發光裝置B1 由同一電流控制單元CCB1 來調節。更詳細地說,電流控制單元CCA2 可調節流經發光裝置A2 之電流,使得電流IA2 之值分別不超過電流控制單元CCA2 之限流值ISET_A2 ﹔電流控制單元CCA3 可調節流經發光裝置A3 之電流,使得電流IA3 之值分別不超過電流控制單元CCA3 之限流值ISET_A3 ﹔電流控制單元CCB1 可調節電流ILED (ILED = IA1 = IB1 ),使得電流ILED 之值不超過電流控制單元CCB1 之限流值ISET_B1 ﹔電流控制單元CCB2 可調節流經發光裝置B2 之電流,使得電流IB2 之值分別不超過電流控制單元CCB2 之限流值ISET_B2 ﹔電流控制單元CCB3 可調節流經發光裝置B3 之電流,使得電流IB3 之值分別不超過電流控制單元CCB3 之限流值ISET_B3
第4圖為本發明發光二極體照明裝置100在110V驅動模式下運作時之電壓-電流特性圖。第5圖為本發明發光二極體照明裝置100在220V驅動模式下運作時之電壓-電流特性圖。如第4圖和第5圖所示,在110V驅動模式下電流ILED 之最大值大於在220V驅動模式下電流ILED 之最大值。在110V驅動模式下和在220V驅動模式下,電流IA1 和電流IB1 的特性相同,因此能維持恆定的光通量表現(flux performance),且發光二極體照明裝置100之系統功率(VAC 和ILED 的積分值)在兩種驅動模式下亦能維持不變。
在220V驅動模式下運作時,發光二極體照明裝置100是以5級驅動階段的方式來運作,各級驅動階段的最大電流值分別為ISET_A2 、ISET_B2 、ISET_A3 、ISET_B3 和ISET_B1 ,其中ISET_B1 之值最大。為了說明目的,在第5圖所示之實施例中, ISET_B1 之值和ISET_A1 之值相等,ISET_B2 之值和ISET_A2 之值相等,且ISET_B3 之值和ISET_A3 之值相等。值得注意的是, ISET_A2 、ISET_B2 、ISET_A3 和ISET_B3 之間的大小關係並不限定本發明之範疇。
雖然在說明書和圖示中以能在110V/220V雙驅動模式下運作之發光二極體照明裝置100來做說明,第一電壓範圍或第二電壓範圍之額定值並不限定本發明之範疇。在其他實施例中,本發明發光二極體照明裝置100亦可在100V/220V雙驅動模式、100V/230V雙驅動模式、100V/240V雙驅動模式、110V/230V雙驅動模式、110V/240V雙驅動模式、120V/230V雙驅動模式、120V/240V雙驅動模式、100V/277V雙驅動模式,或110V/277V雙驅動模式下,或120V/277V雙驅動模式下運作。
針對能在110V/277V雙驅動模式或120V/277V雙驅動模式下運作之發光二極體照明裝置100,路徑控制器D1可包含複數個二極體、複數個發光二極體、複數個二極體形式之場效電晶體、複數個二極體形式之雙載子接面電晶體,或是多個具備類似功能之元件。因此,當第二電壓範圍之額定值較高時,包含較多元件之路徑控制器D1可提供較高耐壓。
本發明之發光二極體照明裝置利用電流控制單元來彈性地導通複數個發光裝置,利用模式控制單元來依據整流交流電壓VAC 之範圍自動地切換發光二極體照明裝置之驅動模式。因此,本發明可提供一種具備多級驅動階段和雙驅動模式之發光二極體照明裝置。   以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
30‧‧‧線電壓偵測單元
40‧‧‧模式控制單元
100‧‧‧發光二極體照明裝置
110‧‧‧電源供應電路
112‧‧‧橋式整流器
VS‧‧‧交流電壓
QP‧‧‧開關
ZD‧‧‧齊納二極體
R1〜R4‧‧‧電阻
C1‧‧‧電容
CCA1〜CCA3、CCB1〜CCB3‧‧‧電流控制單元
D1〜D2‧‧‧路徑控制器
A1〜A3、B1〜B3‧‧‧發光裝置
第1圖為本發明實施例中發光二極體照明裝置之示意圖。 第2圖為本發明發光二極體照明裝置在110V驅動模式下運作時之等效電路示意圖。 第3圖為本發明發光二極體照明裝置在220V驅動模式下運作時之等效電路示意圖。 第4圖為本發明發光二極體照明裝置在110V驅動模式下運作時之電壓-電流特性圖。 第5圖為本發明發光二極體照明裝置在220V驅動模式下運作時之電壓-電流特性圖。
30‧‧‧線電壓偵測單元
40‧‧‧模式控制單元
100‧‧‧發光二極體照明裝置
110‧‧‧電源供應電路
112‧‧‧橋式整流器
VS‧‧‧交流電壓
QP‧‧‧開關
ZD‧‧‧齊納二極體
R1~R4‧‧‧電阻
C1‧‧‧電容
CCA1~CCA3、CCB1~CCB3‧‧‧電流控制單元
D1~D2‧‧‧路徑控制器
A1~A3、B1~B3‧‧‧發光裝置

Claims (9)

  1. 一種具備多級驅動階段和雙驅動模式之發光二極體照明裝置,其包含: 一第一發光單元,其包含複數個串聯之發光裝置,且由一整流交流電壓來驅動; 一第二發光單元,其包含複數個串聯之發光裝置,且由該整流交流電壓來驅動; 一第一電流控制單元,其依據一感測電壓選擇性地串聯於該第一發光單元,用來提供一第一限流值,其中該感測電壓相關於該整流交流電壓之範圍﹔ 一第二電流控制單元,串聯於該第二發光單元,用來提供一第二限流值﹔ 一線電壓偵測單元,用來提供該感測電壓﹔以及 一模式控制單元,用來﹕ 當該感測電壓之值代表該整流交流電壓是在一第一電壓範圍時,將該第一電流控制單元串聯於該第一發光單元,將該第一發光單元並聯於該第二發光單元,以使該發光二極體照明裝置在一第一驅動模式下運作﹔以及 當該感測電壓之值代表該整流交流電壓是在一第二電壓範圍時,將該第一電流控制單元和該第一發光單元電性分離,將該第一發光單元串聯於該第二發光單元,以使該發光二極體照明裝置在一第二驅動模式下運作,其中﹕ 當該發光二極體照明裝置在該第一驅動模式下運作時,該第一電流控制單元調節流經該第一發光單元之一第一電流以使該第一電流之值不超過一第一限流值,而該第二電流控制單元調節流經該第二發光單元之一第二電流以使該第二電流之值不超過一第二限流值﹔且 當該發光二極體照明裝置在該第二驅動模式下運作時,該第一電流控制單元為關閉,而該第二電流控制單元調節流經該第一發光單元和該第二發光單元之一第三電流以使該第三電流之值不超過該第二限流值。
  2. 如請求項1所述之發光二極體照明裝置,其中該模式控制單元包含﹕ 一開關,其包含﹕ 一第一端,耦接於該第一發光單元之一第一端﹔ 一第二端,耦接於該第二發光單元之一第一端﹔以及 一控制端,耦接於該第一電流控制單元﹔ 一第一路徑控制器,其包含﹕ 一第一端,耦接於該第一發光單元之一第二端﹔以及 一第二端,耦接於該第二發光單元之該第一端﹔以及 一第二路徑控制器,其包含﹕ 一第一端,耦接於該第一發光單元之該第二端﹔以及 一第二端,耦接於該開關之該控制端。
  3. 如請求項2所述之發光二極體照明裝置,其中該開關為一P型金氧半導體場效電晶體(P-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor, P-MOSFET)。
  4. 如請求項1所述之發光二極體照明裝置,其另包含﹕ 一第三電流控制單元,並聯於該第一發光單元中至少一發光裝置,用來調節流經該第一發光單元中該至少一發光裝置之一第四電流以使該第四電流之值不超過該第三電流控制單元之一第三限流值。
  5. 如請求項4所述之發光二極體照明裝置,其另包含﹕ 一第四電流控制單元,並聯於該第二發光單元中至少一發光裝置,用來調節流經該第二發光單元中該至少一發光裝置之一第五電流以使該第五電流之值不超過該第四電流控制單元之一第四限流值。
  6. 如請求項5所述之發光二極體照明裝置,其中該第三限流值小於該第一限流值,且該第四限流值小於該第二限流值。
  7. 如請求項1所述之發光二極體照明裝置,其中該第一電壓範圍之一第一額定值小於該第二電壓範圍之一第二額定值。
  8. 如請求項7所述之發光二極體照明裝置,其中﹕ 該第一額定值為100伏特、110伏特或120伏特﹔且 該第二額定值為220伏特、230伏特、240伏特或277伏特。
  9. 如請求項2所述之發光二極體照明裝置,其中該第一路徑控制器包含至少一二極體、一發光二極體、一二極體形式(diode-connected)之場效電晶體(field effect transistor, FET),或一二極體形式之雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor, BJT)。
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