TW201432028A

TW201432028A - 液晶組成物及使用其之液晶顯示元件

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Publication number: TW201432028A
Application number: TW102104518A
Authority: TW
Inventors: Yoshinori Iwashita; Jouji KAWAMURA; Makoto Negishi; Shinji Ogawa
Original assignee: Dainippon Ink & Chemicals
Priority date: 2013-02-06
Filing date: 2013-02-06
Publication date: 2014-08-16
Also published as: TWI504731B

Abstract

本發明係關於一種液晶顯示元件中使用之液晶組成物。本發明所欲解決之問題在於提供一種不使介電各向異性、塊體黏度、向列相上限溫度、旋轉黏度γ1、電壓保持率等作為液晶顯示元件之各特性及顯示元件之留痕特性變差，不易產生製造時之滴加痕跡，實現ODF步驟之穩定之液晶材料之噴出量，具有低溫下之良好之溶解性且適於液晶顯示元件的液晶組成物，並且提供一種使用該液晶組成物之液晶顯示元件。本發明係關於一種含有式(i)及式(XIII-1-2)或式(XIII-1-4)所表示之化合物且介電各向異性為負之液晶組成物及使用該液晶組成物之液晶顯示元件。

Description

液晶組成物及使用其之液晶顯示元件

本案發明係關於一種用作液晶顯示裝置等之構成構件之液晶組成物及液晶顯示元件。

液晶顯示元件係以時鐘、計算器為代表而使用於各種測定機器、汽車用面板、文字處理機、電子記事本、印表機、電腦、電視、時鐘、廣告顯示板等。作為液晶顯示方式，其代表者有TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、使用TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之VA(Vertical Aligned，垂直配向)型或IPS(In-Plane Switching，共平面切換)型等。該等液晶顯示元件中使用之液晶組成物要求對於水分、空氣、熱、光等外部主要原因較為穩定，又，以室溫為中心於儘可能較寬之溫度範圍內表現液晶相，為低黏性，且驅動電壓較低。進而，液晶組成物係為了將對於各顯示元件均最佳之介電各向異性(△ε)或/及折射率各向異性(△n)等設為最佳值，而由數種至數十種化合物構成。

於垂直配向型顯示器中，使用△ε為負之液晶組成物，於液晶TV(TeleVision，電視)等中廣泛使用。另一方面，於所有驅動方式中要求低電壓驅動、高速響應、寬動作溫度範圍。即，要求△ε為正且絕對值較大，黏度(η)較小，較高之向列相-各向同性液體相轉移溫度(T_ni)。又，必需根據△n與單元間隙(d)之積即△n×d之設定而將液晶組成物之△n與單元間隙一致地調節為適當之範圍。此外，於將液晶顯示元件應用於電視等之情形時，重視高速響應性，故而要求γ₁較小之液晶組成物。先前，為了構成γ₁較小之液晶組成物，一般情況下使用具有二烷基聯環己烷骨架之化合物(參照專利文獻1)。然而，雖聯環己烷系化合物對於γ₁之減小而言效果較高，但一般情況下蒸氣壓較高且烷基鏈長度較短之化合物之該傾向尤其顯著。又，由於具有T_ni亦較低之傾向，故而烷基聯環己烷系化合物大多使用側鏈長度之合計為碳原子數7以上之化合物，實際情況為並未對側鏈長度較短之化合物進行充分之研究。

另一方面，液晶顯示元件之用途擴大，其使用方法、製造方法亦發現較大之變化，為了應對於此，要求使如先前已知之基本之物性值以外之特性最佳化。即，使用液晶組成物之液晶顯示元件廣泛使用VA(垂直配向)型或IPS(共平面切換)型等，將其大小亦為50型以上之超大型尺寸之顯示元件實用化而使用。隨著基板尺寸之大型化，液晶組成物之向基板之注入方法亦自先前之真空注入法而轉成滴加注入(ODF：One Drop Fill)法從而成為注入方法之主流(參照專利文獻2)，將液晶組成物滴加至基板時之滴加痕跡導致顯示品質之降低而使問題表面化。進而，以使液晶顯示元件中之液晶材料之預傾角之生成具有高速響應性為目的，而開發出PS液晶顯示元件(polymer stabilized，聚合物穩定化)、PSA液晶顯示元件(polymer sustained alignment，聚合物維持配向)(參照專利文獻3)，該問題成為更大之問題。即，該等顯示元件於向液晶組成物中添加單體而使組成物中之單體硬化時具有特徵。主動矩陣用液晶組成物根據維持較高之電壓保持率之必要性而言，指定可使用之化合物，化合物中具有酯鍵之化合物之使用受到限制。PSA液晶顯示元件中使用之單體主要為丙烯酸酯系，通常為化合物中具有酯鍵者，此種化合物通常用作主動矩陣用液晶化合物(參照專利文獻3)。此種異物誘導滴加痕跡之產生，顯示不良引起之液晶顯示元件之良率變差成為問題。又，於向液晶組成物中添加抗氧化劑、光吸收劑等添加物時，良率之變差亦成為問題。

此處，所謂滴加痕跡，係定義為於顯示黑色之情形時滴加液晶組成物後之痕跡浮現白色之現象。

為了抑制滴加痕跡，開發出藉由液晶組成物中混合之聚合性化合物之聚合而於液晶層中形成聚合物層，藉此抑制因與配向控制膜之關係而產生之滴加痕跡之方法(專利文獻4)。然而，要求於並非藉由聚合性化合物之聚合而於液晶層中形成有聚合物層之顯示模式之垂直配向型顯示器中不易產生留痕或滴加痕跡之液晶顯示元件，又，於藉由上述聚合性化合物之聚合而於液晶層中形成有聚合物層之顯示模式中，亦存在因添加至液晶中之聚合性化合物而產生之顯示之留痕之問題，對於抑制滴加痕跡而言，其效果不充分，故要求開發維持作為液晶顯示元件之基本特性，並且不易產生留痕或滴加痕跡之液晶顯示元件。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特表2008-505235號公報

[專利文獻2]日本特開平6-235925號公報

[專利文獻3]日本特開2002-357830號公報

[專利文獻4]日本特開2006-058755號公報

本發明所欲解決之問題在於提供一種不使介電各向異性、黏度、向列相上限溫度、低溫下之向列相穩定性、γ₁等作為液晶顯示元件之各特性及顯示元件之留痕特性變差，不易產生製造時之滴加痕跡，實現ODF步驟之穩定之液晶材料之噴出量且適於液晶顯示元件的液晶組成物及使用其之液晶顯示元件。

本發明者等人為了解決上述問題，對最適合利用滴加法製作液晶顯示元件之各種液晶組成物之構成進行研究，發現藉由以特定之混合比例使用特定之液晶化合物而可抑制液晶顯示元件之滴加痕跡之產生，從而完成本案發明。

本案發明提供一種液晶組成物及使用該液晶組成物之液晶顯示元件，該液晶組成物之介電各向異性為負，且含有式(i)所表示之化合物、及式(XIII-1-2)或式(XIII-1-4)所表示之化合物之1種或2種，

本發明之液晶顯示元件具有高速響應性優異，且留痕之產生較少之特徵，由於具有因其製造所致之滴加痕跡產生較少之特徵，故而用於液晶TV、監視器等顯示元件。

1‧‧‧偏光板

2‧‧‧基板

3‧‧‧透明電極或伴有主動元件之透明電極

4‧‧‧配向膜

5‧‧‧液晶

11‧‧‧閘極電極

12‧‧‧陽極氧化皮膜

13‧‧‧閘極絕緣層

14‧‧‧透明電極

15‧‧‧汲極電極

16‧‧‧歐姆接觸層

17‧‧‧半導體層

18‧‧‧保護膜

19a‧‧‧源極電極1

19b‧‧‧源極電極2

100‧‧‧基板

101‧‧‧保護層

圖1係本發明之液晶顯示元件之結構之一例。

圖2係逆交錯型薄膜電晶體之構成例。

如上所述，滴加痕跡之產生之製程目前並不明確，然而，液晶化合物中之雜質與配向膜之相互作用、層析現象等存在相關關係之可能性較高。液晶化合物中之雜質受化合物之製造製程之影響較大，化合物之製造方法係即便僅側鏈之碳原子數不同，亦未必相同。即，液晶化合物係藉由精密之製造製程而製造，故而其成本於化學合成品中較高，強烈要求製造效率之提高。因此，為了使用少許之廉價原料，亦有即便僅側鏈之碳原子數中有一個不同亦完全由其他種原料進行製造之方法效率良好之情形。因此，有液晶原體之製造製程針對各原體而不同之情形，即便製程相同，大部分情況下原料亦不同，其結果，針對各原體而不同之雜質混入之情況較多。然而，即便極其微量之雜質亦可能產生滴加痕跡，僅藉由原體之精製抑制滴加痕跡之產生存在限度。

另一方面，通用之液晶原體之製造方法於製造製程確立後有針對各原體而決定為固定之傾向。即便於分析技術發展之當前，亦不容易完全明白何種雜質會混入，必需於針對各原體而決定之雜質混入之前提下進行組成物之設計。本案發明者等人對於液晶原體之雜質與滴加痕跡之關係進行研究，結果憑經驗明確有即便包含於組成物中亦不易產生滴加痕跡之雜質、與容易產生之雜質。因此，為了抑制滴加痕跡之產生，較為重要的是以特定之混合比例使用特定之化合物，尤其明確不易產生滴加痕跡之組成物之存在。以下所記載之較佳之實施態樣係根據上述觀點而發現者。

於本發明之液晶組成物中，作為第一成分，含有式(i)所表示之化合物，較佳為含有15~50質量%，更佳為含有20~45質量%，進而較佳為含有25~40質量%，更具體而言，於重視響應速度之情形時，較佳為含有25~50質量%，於更重視驅動電壓之情形時，較佳為含有20質量%~40質量%。

作為第二成分，含有式(XIII-1-2)或式(XIII-1-4)所表示之化合物，較佳為含有4~30質量%，更佳為含有7~25質量%，進而較佳為含有10~25質量%，尤佳為含有11~25質量%。

本發明之液晶組成物含有作為第一成分之式(i)所表示之化合物與作為第二成分之式(XIII-1-2)或式(XIII-1-4)所表示之化合物，其含量之合計較佳為29~61質量%，更佳為31~58質量%，進而較佳為33~50質量%，尤佳為35~47質量%。

進而，本發明之液晶組成物亦可含有1種或2種以上之通式(L)所表示之化合物作為第3成分。

(式中，R^L1及R^L2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1、B^L2及B^L3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(該基中存在之1個-CH₂-或未鄰接之2個以上之-CH₂-亦可經-O-取代)及(b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=亦可經-N=取代)

所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子中之任一個取代，L^L1及L^L2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於OL為2或3且L^L2存在複數個之情形時，該等可相同亦可不同，於OL為2或3且B^L3存在複數個之情形時，該等可相同亦可不同，其中，式(i)所表示之化合物除外)

R^L1及R^L2係於其鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二[口+咢]烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

於通式(L)所表示之化合物要求液晶組成物之化學穩定性之情形時，較佳為於其分子內不具有氯原子。

通式(L)所表示之化合物之介電各向異性(△ε)之下限值於一實施形態中為-3，於另一實施形態中為-2.5。進而於另一實施形態中為-2，進而於另一實施形態中為-1.5。又，進而於另一實施形態中為-1，又，進而於另一實施形態中為-0.5。又，另一方面，通式(L)所表示之化合物之介電各向異性(△ε)之上限值於一實施形態中為3，於另一實施形態中為2.5。進而於另一實施形態中為2，進而於另一實施形態中為1.5。又，進而於另一實施形態中為1，又，進而於另一實施形態中為0.5。

可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所期望之性能而適當組合使用。使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種。或於本發明之另一實施形態中為2種。又，於本發明之另一實施形態中為3種。進而，於本發明之另一實施形態中為4種。進而，於本發明之另一實施形態中為5種以上。

於本發明之液晶組成物中，通式(L)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴加痕跡、留痕、介電各向異性或揮發性等所要求之性能而適當調整。

較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為5%。又，於本發明之另一實施形態中為10%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為25%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為45%。進而，於本發明之另一實施形態中為40%。進而，於本發明之另一實施形態中為35%。進而，於本發明之另一實施形態中為30%。進而，於本發明之另一實施形態中為25%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為5~25%。或於本發明之另一實施形態中為10~30%。又，於本發明之另一實施形態中為15~35%。進而，於本發明之另一實施形態中為20~40%。進而，於本發明之另一實施形態中為25~45%。

於必需為較低地保持本發明之液晶組成物之黏度，且響應速度較快之液晶組成物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。進而，於必需為較高地保持本發明之液晶組成物之T_ni，且溫度穩定性良好之液晶組成物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。又，於為了較低地保持驅動電壓而欲增大介電各向異性時，較佳為降低上述下限值，且使上限值較低。

進而，通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(I)至通式(V)所表示之化合物群之化合物。

(式中，R⁹¹至R^9a分別獨立地表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至10之烷氧基或碳原子數2至10之烯基，但於通式(I)中，R⁹¹表示碳原子數3之烷基，R⁹²表示碳原子數2之烷基之化合物除外)

於含有選自通式(I)至通式(V)所表示之化合物群之化合物之情形時，較佳為含有1種~10種，尤佳為含有1種~5種，亦較佳為含有2種以上之化合物，此情形時之含量較佳為5~40質量%，進而較佳為8~35質量%，尤佳為10~30質量%。

R⁹¹至R^9a較佳為分別獨立地表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數2至10之烯基或碳原子數2至10之烷氧基，更佳為表示碳原子數1至5之烷基、碳原子數2至5之烯基或碳原子數2至5之烷氧基，作為烯基，較佳為以下所記載之式(Alkenyl-1)~式(Alkenyl-4)所表示之結構，

(式中，對環結構係以右端鍵結)

但於本案發明之液晶組成物含有反應性單體之情形時，較佳為式(Alkenyl-2)及式(Alkenyl-4)所表示之結構，更佳為式(Alkenyl-2)所表示之結構。

又，R⁹¹及R⁹²可相同亦可不同，但較佳為表示不同之取代基。

進而，通式(I)所表示之化合物較佳為選自通式(I-a)所表示之化合物群之化合物。

(式中，R¹³及¹⁴分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基，但成為R¹³及R¹⁴中表示碳原子數為3與2之烷基之組合之化合物除外)

可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種。或於本發明之另一實施形態中為2種。又，於本發明之另一實施形態中為3種以上。

於本發明之液晶組成物中，通式(I-a)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴加痕跡、留痕、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為3%。或於本發明之另一實施形態中為8%。又，於本發明之另一實施形態中為15%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為55%。進而，於本發明之另一實施形態中為45%。進而，於本發明之另一實施形態中為40%。進而，於本發明之另一實施形態中為30%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為3~15%。或於本發明之另一實施形態中為5~20%。又，於本發明之另一實施形態中為10~30%。進而，於本發明之另一實施形態中為15~40%。進而，於本發明之另一實施形態中為20~45%。式(I-a)所表示之化合物更具體而言較佳為以下所記載之化合物。

較佳為式(I-a-1)及式(I-a-2)所表示之化合物。於欲製作即便T_ni較高且高溫下亦可穩定地顯示之液晶顯示元件時，較佳為增加式(I-a-1)及式(I-a-2)所表示之化合物之含量。

進而，通式(I)所表示之化合物較佳為選自通式(I-b)所表示之化合物群之化合物。

(式中，R¹⁸分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~5之烷氧基)

於本發明之液晶組成物中，通式(I-b)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴加痕跡、留痕、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為2%。或於本發明之另一實施形態中為3%。又，於本發明之另一實施形態中為5%。進而，於本發明之另一實施形態中為8%。進而，於本發明之另一實施形態中為11%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為40%。進而，於本發明之另一實施形態中為35%。進而，於本發明之另一實施形態中為30%。進而，於本發明之另一實施形態中為25%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為2~15%。或於本發明之另一實施形態中為4~15%。又，於本發明之另一實施形態中為8~15%。進而，於本發明之另一實施形態中為11~20%。進而，於本發明之另一實施形態中為15~25%。進而，於本發明之另一實施形態中為20~30%。進而，於本發明之另一實施形態中為25~35%。進而，於本發明之另一實施形態中為30~40%。

式(I-b)所表示之化合物更具體而言較佳為以下所記載之化合物。

[化6]

較佳為式(I-b-2)或式(I-b-3)所表示之化合物，尤佳為式(I-b-3)所表示之化合物。

進而，通式(I)所表示之化合物較佳為選自通式(I-c)所表示之化合物群之化合物。

(式中，R¹³表示碳原子數1~5之烷基，R¹⁵表示碳原子數1~4之烷氧基)

於本發明之液晶組成物中，通式(I-c)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴加痕跡、留痕、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為2%。或於本發明之另一實施形態中為4%。又，於本發明之另一實施形態中為6%。進而，於本發明之另一實施形態中為10%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為25%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為2~15%。或於本發明之另一實施形態中為4~20%。又，於本發明之另一實施形態中為6~25%。

於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定得較多則效果較高，相反地，於重視響應速度之情形時，若將含量設定得較少則效果較高。進而，於改良滴加痕跡或留痕特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

式(I-c)所表示之化合物更具體而言較佳為以下所記載之化合物。

較佳為式(I-c-1)、式(I-c-2)或式(I-c-3)所表示之化合物。

本案發明之液晶組成物進而亦可含有具有與通式(I)所表示之化合物類似之結構之式(I-d-1)所表示之化合物。

較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能調整式(I-d-1)所表示之化合物之含量，較佳為相對於本發明之液晶組成物之總量含有該化合物5質量%以上且32質量%以下，進而較佳為含有8質量%以上且32質量%以下，進而較佳為含有12質量%以上且32質量%以下，尤佳為含有15質量%以上且32質量%以下。

進而，通式(I)所表示之化合物較佳為選自通式(I-e)所表示之化合物群之化合物。

(式中，R¹⁶及R¹⁷分別獨立地表示碳原子數2~5之烯基)

可組合之化合物之種類並無特別限制，但較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合1種至3種以上。通式(I-e)所表示之化合物之含量係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴加痕跡、留痕、介電各向異性等所要求之性能，相對於本發明之液晶組成物之總量較佳為5質量%以上，更佳為10質量%，更佳為15質量%以上，更佳為20質量%以上，更佳為25質量%以上，尤佳為30質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為50質量%以下，更佳為45質量%以下，尤佳為40質量%以下。

較佳之含量之範圍相對於本發明之液晶組成物之總量較佳為5質量%以上且25質量%以下，更佳為10質量%以上且30質量%以下，更佳為15質量%以上且35質量%以下，更佳為20質量%以上且40質量%以下，更佳為25質量%以上且45質量%以下。

進而，通式(I-e)所表示之化合物較佳為選自式(I-e-1)至式(I-e-10)所表示之化合物群之化合物，較佳為式(I-e-2)、式(I-e-4)及式(I-e-7)所表示之化合物。

進而，通式(II)所表示之化合物較佳為選自通式(II-a)所表示之化合物群之化合物。

(式中，R¹¹表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，R¹²表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)

可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種。或於本發明之另一實施形態中為2種。

於本發明之液晶組成物中，通式(II-a)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴加痕跡、留痕、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為1%。或於本發明之另一實施形態中為4%。又，於本發明之另一實施形態中為7%。進而，於本發明之另一實施形態中為12%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為25%。進而，於本發明之另一實施形態中為30%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為40%。進而，於本發明之另一實施形態中為35%。進而，於本發明之另一實施形態中為30%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。進而，於本發明之另一實施形態中為10%。進而，於本發明之另一實施形態中為8%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為3~8%。或於本發明之另一實施形態中為5~13%。又，於本發明之另一實施形態中為7~18%。進而，於本發明之另一實施形態中為11~20%。進而，於本發明之另一實施形態中為13~25%。進而，於本發明之另一實施形態中為15~30%。

式(II-a)所表示之化合物更具體而言較佳為以下所記載之化合物。

進而，較佳為式(II-a-1)、式(II-a-2)、式(II-a-3)或式(II-a-6) 所表示之化合物。

進而，本發明之液晶組成物亦可含有選自具有與通式(II)所表示之化合物類似之結構之通式(II-b)所表示之化合物群之化合物。

較佳為相對於本發明之液晶組成物之總量含有通式(II-b)所表示之化合物1質量%以上且6質量%以下，更佳為3質量%以上且8質量%以下，更佳為6質量%以上且15質量%以下，更佳為8質量%以上且20質量%以下，更佳為10質量%以上且25質量%以下。

進而，通式(II-b)所表示之化合物較佳為式(II-b-1)所表示之化合物。

進而，通式(III)所表示之化合物較佳為選自通式(III-a)所表示之化合物群之化合物。

可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種。或於本發明之另一實施形態中為2種以上。

於本發明之液晶組成物中，通式(III-a)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴加痕跡、留痕、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為3%。或於本發明之另一實施形態中為5%。又，於本發明之另一實施形態中為8%。進而，於本發明之另一實施形態中為10%。進而，於本發明之另一實施形態中為12%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為35%。進而，於本發明之另一實施形態中為30%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為3~15%。或於本發明之另一實施形態中為5~15%。進而，於本發明之另一實施形態中為12~25%。進而，於本發明之另一實施形態中為15~30%。進而，於本發明之另一實施形態中為20~35%。

於獲得較高之雙折射率之情形時，若將含量設定得較多則效果較高，相反地，於重視較高之T_ni之情形時，若將含量設定得較少則效果較高。進而，於改良滴加痕跡或留痕特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

式(III-a)所表示之化合物更具體而言較佳為以下所記載之化合物。

[化9]

較佳為式(III-a-2)、式(III-a-3)或式(III-a-4)所表示之化合物。

進而，可含有選自具有與通式(III)所表示之化合物類似之結構之通式(III-b)所表示之化合物群之化合物。

(式中，R¹¹表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，R¹²表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X¹¹及X¹²分別獨立地表示氟原子或氫原子，X¹¹或X¹²中之任一者均為氟原子)

較佳為通式(III-b)所表示之化合物相對於本發明之液晶組成物之總量為2質量%以上，更佳為4質量%，更佳為6質量%以上，更佳為9質量%以上，更佳為12質量%以上。

較佳之含量之範圍相對於本發明之液晶組成物之總量較佳為2質量%以上且15質量%以下，更佳為5質量%以上且18質量%以下，更佳為9質量%以上且25質量%以下。

進而，通式(III-b)所表示之化合物較佳為式(III-b-1)所表示之化合物。

進而，通式(IV)所表示之化合物例如較佳為選自通式(IV-a)所表示之化合物群之化合物。

(R²⁵表示碳原子數1~5之烷基，R²⁴表示碳原子數1~5之烷基)

於本發明之液晶組成物中，通式(IV-a)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴加痕跡、留痕、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為3%。或於本發明之另一實施形態中為5%。又，於本發明之另一實施形態中為7%。進而，於本發明之另一實施形態中為10%。進而，於本發明之另一實施形態中為14%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。進而，於本發明之另一實施形態中為10%。進而，於本發明之另一實施形態中為5%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為3~15%。或於本發明之另一實施形態中為5~15%。又，於本發明之另一實施形態中為7~15%。進而，於本發明之另一實施形態中為10~20%。

式(IV-a)所表示之化合物更具體而言較佳為以下所記載之化合物。

較佳為式(IV-a-2)所表示之化合物。

進而，通式(IV)所表示之化合物例如較佳為選自通式(IV-b)所表示之化合物群之化合物。

(R²⁵表示碳原子數1~5之烷基，R²⁶表示碳原子數1~4之烷氧基)

可組合之化合物之種類並無特別限制，但較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而含有該等化合物中之1種~3種。

通式(IV-b)所表示之化合物之含量較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而調整，較佳為1質量%以上，更佳為4質量%以上，進而較佳為8質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下，進而較佳為8質量%以下。

較佳之含量之範圍較佳為1質量%以上且10質量%以下，更佳為4質量%以上且12質量%以下，進而較佳為8質量%以上且15質量%以下。

進而，通式(IV-b)所表示之化合物例如亦較佳為式(IV-b-1)至式(IV-b-4)所表示之化合物，其中尤佳為式(IV-b-3)所表示之化合物。

進而，通式(IV)所表示之化合物例如亦可為選自通式(IV-c)所表示之化合物群之化合物。

(R²³表示碳原子數2~5之烯基，R²⁴表示碳原子數1~5之烷基)

於本發明之液晶組成物中，通式(IV-c)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴加痕跡、留痕、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為3%。或於本發明之另一實施形態中為5%。又，於本發明之另一實施形態中為5%。進而，於本發明之另一實施形態中為10%。進而，於本發明之另一實施形態中為14%。進而，於本發明之另一實施形態中為16%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為3~12%。或於本發明之另一實施形態中為5~12%。又，於本發明之另一實施形態中為7~15%。進而，於本發明之另一實施形態中為10~20%。

進而，通式(IV-c)所表示之化合物例如較佳為式(IV-c-1)至式(IV-c-3)所表示之化合物。

根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能可含有式(IV-c-1)所表示之化合物，亦可含有式(IV-c-2)所表示之化合物，亦可含有式(IV-c-1)所表示之化合物與式(IV-c-2)所表示之化合物之兩者，亦可全部含有式(IV-c-1)至式(IV-c-3)所表示之化合物。式(IV-c-1)或式(IV-c-2)所表示之化合物之含量相對於本發明之液晶組成物之總量較佳為3質量%，更佳為5質量%以上，更佳為7質量%以上，更佳為9質量%以上，更佳為11質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為13質量%以下。

進而，較佳之含量之範圍較佳為3質量%以上且15質量%以下，更佳為5質量%以上且15質量%以下，更佳為7質量%以上且15質量%以下，更佳為9質量%以上且18質量%以下。

又，式(IV-c-2)所表示之化合物之含量相對於本發明之液晶組成物之總量較佳為3質量%，更佳為5質量%以上，進而較佳為8質量%以上，進而較佳為10質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為12質量%以下。

於含有式(IV-c-1)所表示之化合物與式(IV-c-2)所表示之化合物之兩者之情形時，兩者之化合物之合計相對於本發明之液晶組成物之總量較佳為8質量%以上，進而較佳為13質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為25質量%以下，更佳為20質量%以下，進而較佳為15質量%以下。

進而，較佳之含量之範圍較佳為5質量%以上且20質量%以下，更佳為8質量%以上且18質量%以下，進而較佳為10質量%以上且18質量%以下。

進而，通式(V)所表示之化合物較佳為選自通式(V-a)所表示之化合物群之化合物。

(R³¹表示碳原子數1~5之烷基，R³²表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)

式(V-a)所表示之化合物更具體而言較佳為以下所記載之化合物。

進而，通式(V)所表示之化合物較佳為選自通式(V-b)所表示之化合物群之化合物。

(R³³表示碳原子數2~5之烯基，R³²分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)

較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能調整含量，較佳為4質量%以上，更佳為6質量%以上，進而較佳為10質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為10質量%以下。

進而，含量之較佳範圍較佳為4質量%以上且13質量%以下，更佳為6質量%以上且13質量%以下，進而較佳為8質量%以上且13質量%以下。

通式(V-b)所表示之化合物例如較佳為式(V-b-1)或式(V-b-2)所表示之化合物。

進而，通式(V)所表示之化合物較佳為選自通式(V-c)所表示之化合物群之化合物。

(R³¹表示碳原子數1~5之烷基，R³⁴表示碳原子數1~4之烷氧基)

通式(V-c)所表示之化合物之含量較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而調整，較佳為4質量%以上，更佳為6質量%以上，進而較佳為10質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為18質量%以下，更佳為13質量%以下，進而較佳為8質量%以下。

進而，含量之較佳範圍較佳為4質量%以上且10質量%以下，更佳為6質量%以上且10質量%以下。

進而，通式(V-c)所表示之化合物例如較佳為選自式(V-c-1)至式(V-c-3)所表示之化合物群之化合物，尤佳為式(V-c-3)所表示之化合物。

進而，通式(L)所表示之化合物例如較佳為選自通式(VI) 所表示之化合物群之化合物。

(R²¹及R²²分別獨立地表示碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)

通式(VI)所表示之化合物之含量較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而調整，較佳為4質量%以上，更佳為8質量%以上，進而較佳為12質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為18質量%以下，更佳為12質量%以下，進而較佳為8質量%以下。

進而，含量之較佳範圍較佳為4質量%以上且14質量%以下，更佳為8質量%以上且14質量%以下。

進而，通式(VI)所表示之化合物例如較佳為式(VI-1)及式(VI-2)所表示之化合物。

通式(VI)所表示之化合物之含量較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而調整，較佳為4質量%以上，更佳為8質量%以上，進而較佳為12質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為18質量%以下，進而較佳為14質量%以下。

進而，通式(L)所表示之化合物例如較佳為選自通式(VII) 所表示之化合物群之化合物。

(R²¹及R²²分別獨立地表示碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)

可僅含有該等化合物中之1種，亦可含有2種以上，但較佳為根據所要求之性能而適當組合。可組合之化合物之種類並無特別限制，但較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而含有該等化合物中之1種~2種，尤佳為含有1種~3種。

通式(VII)所表示之化合物之含量相對於本發明之液晶組成物之總量較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，更佳為3質量%以上，更佳為4質量%以上，尤佳為5質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為10質量%以下，更佳為8質量%以下。

進而，含量之較佳範圍較佳為1質量%以上且7質量%以下，更佳為2質量%以上且7質量%以下。

進而，通式(VII)所表示之化合物例如較佳為式(VII-1)至式(VII-5)所表示之化合物，尤佳為式(VII-2)或/及式(VII-5)所表示之化合物。

[化3]

進而，通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(VIII)所表示之群之化合物。

(式中，R⁵¹及R⁵²分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A⁵¹及A⁵²分別獨立地表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q⁵表示單鍵或-COO-，X⁵¹及X⁵²分別獨立地表示氟原子或氫原子。不存在X⁵¹及X⁵²同時為氟原子之情形)

可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種。或於本發明之另一實施形態中為2種。進而，於本發明之另一實施形態中為3種。進而，於本發明之另一實施形態中為4種。

較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於一實施形態中為2%。進而，於本發明之另一實施形態中為4%。進而，於本發明之另一實施形態中為7%。進而，於本發明之另一實施形態中為10%。進而，於本發明之另一實施形態中為12%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。

又，作為較佳之含量之上限值，例如於本發明之一實施形態中，於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。進而，於本發明之另一實施形態中為10%。進而，於本發明之另一實施形態中為5%。進而，於本發明之另一實施形態中為4%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於一實施形態中為2~15%。進而，於本發明之另一實施形態中為4~12%。進而，於本發明之另一實施形態中為6~12%。

進而，通式(VIII)所表示之化合物較佳為通式(VIII-a)所表示之化合物。

(式中，R⁵¹及R⁵²分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)

較佳為相對於本發明之液晶組成物之總量含有通式(VIII-a)所表示之化合物1質量%以上，進而較佳為含有2質量%以上，進而較佳為含有3質量%以上，尤佳為含有4質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下，進而較佳為8質量%以下。

進而，較佳之含量之範圍相對於本發明之液晶組成物之總量較佳為含有1質量%以上且15質量%以下，進而較佳為含有2質量%以上且10質量%以下，進而較佳為含有3質量%以上且8質量%以下，尤佳為含有4質量%以上且8質量%以下。

進而，通式(VIII-a)所表示之化合物較佳為式(VIII-a-1)至式(VIII-a-4)所表示之化合物，較佳為式(VIII-a-2)所表示之化合物。

進而，通式(VIII)所表示之化合物較佳為通式(VIII-b)所表示之化合物。

可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種。或於本發明之另一實施形態中為2種。進而，於本發明之另一實施形態中為3種以上。

較佳為相對於本發明之液晶組成物之總量含有通式(VIII-b)所表示之化合物2質量%以上，進而較佳為含有4質量%以上，進而較佳為含有7質量%以上，尤佳為含有8質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為15質量%以下，更佳為13質量%以下，進而較佳為11質量%以下。

較佳之含量之範圍較佳為含有2質量%以上且15質量%以下，進而較佳為含有4質量%以上且15質量%以下，進而較佳為含有7質量%以上且13質量%以下。

進而，通式(VIII-b)所表示之化合物較佳為式(VIII-b-1) 至式(VIII-b-3)所表示之化合物。

進而，通式(VIII)所表示之化合物較佳為通式(VIII-c)所表示之化合物。

(式中，R⁵¹及R⁵²分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁵¹及X⁵²分別獨立地表示氟原子或氫原子。X⁵¹及X⁵²中之至少一個為氟原子，不存在兩個同時均為氟原子之情形)

進而，通式(VIII-c)所表示之化合物較佳為通式(VIII-c-1)所表示之化合物。

較佳為相對於本發明之液晶組成物之總量含有通式 (VIII-c-1)所表示之化合物1質量%以上，進而較佳為含有2質量%以上，進而較佳為含有3質量%以上，尤佳為含有4質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為10質量%以下，進而較佳為8質量%以下。

進而，較佳之含量之範圍較佳為含有1質量%以上且10質量%以下，進而較佳為含有2質量%以上且8質量%以下，進而較佳為含有3質量%以上且8質量%以下。

進而，通式(VIII-c-1)所表示之化合物較佳為式(VIII-c-1-1)至式(VIII-c-1-3)所表示之化合物，較佳為式(VIII-c-1-1)所表示之化合物。

進而，通式(VIII-c)所表示之化合物較佳為通式(VIII-c-2)所表示之化合物。

較佳為相對於本發明之液晶組成物之總量含有通式(VIII-c-2)所表示之化合物1質量%以上，進而較佳為含有2質量%以上，進而較佳為含有3質量%以上，尤佳為含有4質量%以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為10質量%以下，進而較佳為8質量%以下。

進而，通式(VIII-c-2)所表示之化合物較佳為式(VIII-c-2-1)至式(VIII-c-2-3)所表示之化合物。較佳為式(VIII-c-2-1)所表示之化合物。

進而，通式(VIII)所表示之化合物較佳為通式(VIII-d)所表示之化合物。

(式中，R⁵¹及R⁵²分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁵¹及X⁵²分別獨立地表示氟原子或氫原子，不存在兩個同時均為氟原子之情形)

較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於一實施形態中為2%。進而，於本發明之另一實施形態中為4%。進而，於本發明之另一實施形態中為7%。進而，於本發明之另一實施形態中為10%。進而，於本發明之另一實施形態中為12%。

又，作為較佳之含量之上限值，例如於本發明之一實施形態中，於本發明之另一實施形態中為15%。進而，於本發明之另一實施形態中為10%。進而，於本發明之另一實施形態中為5%。進而，於本發明之另一實施形態中為4%。

進而，較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於一實施形態中為2~10%。進而，於本發明之另一實施形態中為4%~10%。

於期望本發明之液晶組成物為T_ni較高之實施形態之情形時，較佳為增加式(VIII-d)所表示之化合物之含量，於期望低黏度之實施形態之情形時，較佳為減少含量。

進而，通式(VIII-d)所表示之化合物較佳為通式(VIII-d-1)所表示之化合物。

(式中，R⁵¹及R⁵²分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5烯基或碳原子數1~4之烷氧基)

進而，通式(VIII-d-1)所表示之化合物較佳為式(VIII-d-1-1)至式(VIII-d-1-4)所表示之化合物，較佳為式(VIII-d-1-1)或/及式(VIII-d-1-2)所表示之化合物。

[化15]

進而，通式(VIII-d)所表示之化合物較佳為通式(VIII-d-2)所表示之化合物。

進而，通式(VIII-d-2)所表示之化合物較佳為式(VIII-d-2-1)至式(VIII-d-2-4)所表示之化合物，較佳為式(VIII-d-2-1)或/及式(VIII-d-2-2)所表示之化合物。

[化15]

本發明之液晶組成物進而亦可含有通式(IX-a)所表示之化合物之1種或2種以上。

(式中，R⁶¹及R⁶²分別獨立地表示碳原子數1至10之直鏈烷基、碳原子數1至10之直鏈烷氧基或碳原子數2至10之直鏈烯基)

可組合之化合物之種類並無特別限制，但較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而含有該等化合物中之1種~3種，進而較佳為含有1種~4種，尤佳為含有1種~5種以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為30質量%以下，更佳為25質量%以下，進而較佳為15質量%以下。

進而，較佳之含量之範圍較佳為5質量%以上且35質量%以下，更佳為10質量%以上且20質量%以下，進而較佳為5質量%以上且15質量%以下。

通式(IX-a)所表示之化合物具體而言可較佳使用以下所列舉之化合物。

[化4]

本案發明之液晶組成物進而可含有通式(IX-b)所表示之化合物之1種或2種以上。

(式中，R⁷¹及R⁷²分別獨立地表示碳原子數1至10之直鏈烷基、碳原子數1至10之直鏈烷氧基或碳原子數4至10之直鏈烯基)

可組合之化合物之種類並無特別限制，但較佳為根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而含有該等化合物中之1種~3種，進而較佳為含有1種~4種，尤佳為含有1種~5種以上。又，作為最大可含有之比率，較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下，進而較佳為15質量%以下。

進而，較佳之含量之範圍較佳為5質量%以上且30質量%以下，更佳為10質量%以上且20質量%以下，進而較佳為5質量%以上且15質量%以下。

通式(IX-b)所表示之化合物具體而言可較佳使用以下所列舉之化合物。

[化25]

本案之1,4-伸環己基較佳為反式-1,4-伸環己基。

本發明之液晶組成物較佳為含有選自通式(X)所表示之群中之1種或2種以上之化合物，

(式中，R^X1及R^X2相互獨立地表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至10之烷氧基或碳原子數2至10之烯基，該等基中存在之1個亞甲基或未鄰接之2個以上之亞甲基亦可經-O-或-S-取代，又，該等基中存在之1個或2個以上之氫原子亦可經氟原子或氯原子取代，u及v相互獨立地表示0、1或2，u+v為2以下，M^X1、M^X2及M^X3相互獨立地表示選自由(a)反式-1,4-伸環己基(該基中存在之1個亞甲基或未鄰接之2個以上之亞甲基亦可經-O-或-S-取代)、(b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=亦可經-N=取代)

所組成之群中之基，上述基(a)或基(b)中所含之氫原子亦可分別經氰基、氟原子、三氟甲基、三氟甲氧基或氯原子取代，但於M^X2及/或M^X3存在複數個之情形時，該等可相同亦可不同，L^X1、L^X2及L^X3相互獨立地表示單鍵、-COO-、-OCO-、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=CH-或-C≡C-，於L^X1及/或L^X2存在複數個之情形時，該等可相同亦可不同，X^X1及X^X2相互獨立地表示三氟甲基、三氟甲氧基或氟原子，但X³¹及X³²中之任一個均表示氟原子)。

R^X1及R^X2於其鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二[口+咢]烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

於重視顯示元件之響應速度之改善之情形時，較佳為烯基，於重視電壓保持率等之可靠性之情形時，較佳為烷基。作為烯基，較佳為以下所記載之式(Alkenyl-1)~式(Alkenyl-4)所表示之結構，

(式中，對環結構係以右端鍵結)

於通式(X)所表示之化合物要求液晶組成物之化學穩定性之情形時，較佳為於其分子內不具有硫原子、氮原子、酯基、氰基及氯原子。

可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所期望之性能而適當組合使用。使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種。或於本發明之另一實施形態中為2種。又，於本發明之另一實施形態中為3種。進而，於本發明之另一實施形態中為4種。進而，於本發明之另一實施形態中為5種。進而，於本發明之另一實施形態中為6種。進而，於本發明之另一實施形態中為7種。進而，於本發明之另一實施形態中為8種。進而，於本發明之另一實施形態中9種。進而，於本發明之另一實施形態中為10種以上。

於本發明之液晶組成物中，通式(X)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴加痕跡、留痕、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。

較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為15%。又，於本發明之另一實施形態中為25%。進而，於本發明之另一實施形態中為30%。進而，於本發明之另一實施形態中為40%。進而，於本發明之另一實施形態中為45%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為75%。進而，於本發明之另一實施形態中為65%。進而，於本發明之另一實施形態中為55%。進而，於本發明之另一實施形態中為50%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為10~65%。或於本發明之另一實施形態中為15~60%。又，於本發明之另一實施形態中為30~60%。進而，於本發明之另一實施形態中為40~55%。

進而，通式(X)所表示之化合物較佳為通式(XI)所表示之化合物。

(式中，R^X1表示與通式(X)中之R^X1相同之含義，M^X1表示與通式(X)中之M^X1相同之含義，R^X2表示與通式(X)中之R^X2相同之含義)

含有通式(XI)所表示之化合物之情形時之較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為3%。或於本發明之另一實施形態中為7%。或於本發明之另一實施形態中為10%。又，於本發明之另一實施形態中為11%。又，於本發明之另一實施形態中為14%。又，於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為30%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為55%。進而，於本發明之另一實施形態中為45%，進而，於本發明之另一實施形態中為35%.

於含有通式(XI)所表示之化合物之情形時，作為較佳之含量之範圍，較佳為含有5~35質量%，更佳為含有7~25質量%，進而較佳為含有11~21質量%，尤佳為含有13~16質量%。

於通式(XI)中，R^X1較佳為表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基，更佳為表示碳原子數1~8之烷基，進而較佳為表示碳原子數3~5之烷基，進而較佳為表示碳原子數3或5之烷基，較佳為直鏈，較佳為直鏈狀。

於通式(XI)中，R^X2較佳為表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基，更佳為表示碳原子數3~5之烷基或碳原子數2~4之烷氧基，更佳為表示碳原子數3或5之烷基或碳原子數2或4之烷氧基，進而較佳為表示碳原子數2或4之烷氧基，較佳為直鏈。

於重視顯示元件之響應速度之改善之情形時，較佳為烯基，於重視電壓保持率等之可靠性之情形時，較佳為烷基。

通式(XI)所表示之化合物亦可僅使用1種，但較佳為使用2種以上，較佳為使用3種以上。於使用通式(XI)所表示之化合物2種以上之情形時，較佳為組合使用R^X1表示碳原子數為3~5之烷基，R^X2表示碳原子數為2~4之烷氧基之通式(XI)之化合物，於與其他通式(XI)所表示之化合物組合使用之情形時，R^X1表示碳原子數為3~5之烷基，R^X2表示碳原子數為2~4之烷氧基之通式(XI)之化合物之含量較佳為通式(XI)所表示之化合物中之50質量%以上，更佳為70質量%以上，進而較佳為80質量%以上。較佳之範圍較佳為50質量%以上且70質量%以下，更佳為70質量%以上且80質量%以下，進而較佳為80質量%以上且100%以下。

於通式(XI)中，M^X1表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或四氫呋喃-2,5-二基，但於M^X1表示1,4-伸苯基之情形時，該1,4-伸苯基中之1個以上之氫原子亦可經氟原子取代，但較佳為1,4-伸環己基、或1,4-伸苯基，更具體而言，於在使用該發明之液晶組成物而製作之顯示元件及液晶顯示器中重視響應速度之情形時，較佳為表示1,4-伸苯基，於重視動作溫度範圍之情形即必需為較高之動作溫度範圍(T_ni較高)之情形時，較佳為表示1,4-伸環己基，於表示1,4-伸苯基之情形時，苯環中之1個以上之氫原子亦可經氟取代，但較佳為未經取代，1個經取代或2個經取代，更佳為未經取代。於2個經取代之情形時，較佳為表示2,3-二氟-1,4-伸苯基。

通式(XI)所表示之化合物具體而言較佳為選自以下所記載之通式(XI-1)及/或通式(XI-2)所表示之群之化合物，

(式中，R^X11、R^X21、R^X12及R^X22分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2 ~5之烯氧基)。

於R^X21、R^X12及R^X22為烯基之情形時，碳原子數較佳為4~5。R^X11較佳為烷基或烯基，進而較佳為烷基，R^X21及R^X22較佳為烷基或烷氧基，於增大△ε之絕對值之情形時，較佳為烷氧基或烯氧基，進而較佳為烷氧基，R^X12較佳為烷基或烯基，進而較佳為烷基。

通式(XI)所表示之化合物具體而言較佳為以下所記載之式(XI-1-1)~式(XI-2-4)所表示之化合物，

但更佳為式(XI-1-1)~式(XI-1-4)、式(XI-2-1)及式(XI-2-2)所表示之化合物，進而較佳為式(XI-1-1)、式(XI-1-3)、式(XI-1-2)及式(XI-2-2)所表示之化合物，尤佳為式(XI-1-1)、式(XI-1-3)及式(XI-2-1)所表示之化合物，若更具體地進行敍述，則於本案發明之液晶組成物所要求之折射率各向異性△n之值相對低之情形(大致未達0.100)時，最佳為式(XI-1-1)及式(XI-1-3)所表示之化合物，於所要求之折射率各向異性 △n之值相對高之情形(大致0.100以上)時，最佳為式(XI-2-1)所表示之化合物。於通式(XI)所表示之化合物具有烯基之情形時，具體而言較佳為選自以下所記載之式(XI-1-10)~式(XI-2-11)所表示之群之化合物，

(式中，R^X22表示與通式(XI-2)中之R^X22相同之含義)。

進而，通式(X)所表示之化合物較佳為通式(XII)所表示之化合物。

(式中，R^X1表示與通式(X)中之R^X1相同之含義，M^X2表示與通式(X)中之M^X2相同之含義，R^X2表示與通式(X)中之R^X2相同之含義)

含有通式(XII)所表示之化合物之情形時之較佳之含量之下限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為5%。或於本發明之另一實施形態中為10%。又，於本發明之另一實施形態中為15%。又，於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為30%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為55%。進而，於本發明之另一實施形態中為45%。進而，於本發明之另一實施形態中為35%。

進而，較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為5~55%。或於本發明之另一實施形態中為5~50%。或於本發明之另一實施形態中為10~45%。又，於本發明之另一實施形態中為15~40%。又，於本發明之另一實施形態中為20~40%，又，於本發明之另一實施形態中為25~40%。

於通式(XII)中，R^X1較佳為表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數2~8之烯基，更佳為表示碳原子數1~8之烷基，進而較佳為表示碳原子數2~5之烷基，尤佳為表示碳原子數3~5之烷基，較佳為直鏈。

於通式(XII)中，R^X2較佳為表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基，更佳為表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基，進而較佳為碳原子數1~4之烷氧基，尤佳為表示碳原子數2或3之烷氧基，較佳為直鏈。

通式(XII)所表示之化合物進而較佳為通式(XII-1)及通式(XII-2)所表示之化合物。

(式中，R^X1表示與通式(X)中之R^X1相同之含義，R^X2表示與通式(X)中之R^X2相同之含義)

通式(XII-1)所表示之化合物具體而言較佳為以下所記載之式(XII-1-1)~(XII-1-6)所表示之化合物，

但更佳為式(XII-1-1)~式(XII-1-4)所表示之化合物，進而較佳為式(XII-1-1)~式(XII-1-3)所表示之化合物，尤佳為式(XII-1-1)及式(XII-1-3)所表示之化合物。

於通式(XII-1)所表示之化合物具有烯基之情形時，具體而言較佳為以下所記載之式(XII-1-10)~(XII-1-13)所表示之化合物，[化22]

(式中，R^X2表示與通式(X)中之R^X2相同之含義)。

通式(XII-2)所表示之化合物具體而言較佳為以下所記載之式(XII-2-1)~(XII-2-6)所表示之化合物，

但更佳為式(XII-2-1)~式(XII-2-4)所表示之化合物，進而較佳為式(XII-2-1)~式(XII-2-3)所表示之化合物，尤佳為式(XII-2-1)及式(XII-2-3)所表示之化合物。

於通式(XII-2)所表示之化合物具有烯基之情形時，具體而言較佳為以下所記載之式(XII-2-10)~(XII-2-13)所表示之化合物，[化24]

(式中，R^X2表示與通式(X)中之R^X2相同之含義)。

可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所期望之性能而適當組合使用。使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種。或於本發明之另一實施形態中為2種。又，於本發明之另一實施形態中為3種。進而，於本發明之另一實施形態中為4種。進而，於本發明之另一實施形態中為5種。進而，於本發明之另一實施形態中為6種以上。

於使用通式(XII)所表示之化合物之4種以上之情形時，較佳為組合使用式(XII-2-1)~式(XII-2-4)所表示之化合物，式(XII-2-1)~式(XII-2-4)所表示之化合物之含量較佳為通式(XII)所表示之化合物中之40質量%以上，更佳為50質量%以上。

較佳之含量之範圍較佳為40質量%以上且70質量%以下。

於使用通式(XII)所表示之化合物之3種之情形時，較佳為組合使用式(XII-2-1)~式(XII-2-3)所表示之化合物，式(XII-2-1)~式(XII-2-3)所表示之化合物之含量較佳為通式(XII)所表示之化合物中之40質量%以上，更佳為50質量%以上。

較佳之含量之範圍較佳為40質量%以上且70質量%以下，更佳為50質量%以上且70質量%以下。

於使用通式(XII)所表示之化合物之2種之情形時，較佳為組合使用式(XII-2-1)~式(XII-2-2)所表示之化合物，式(XII-2-1)~式(XII-2-2)所表示之化合物之含量較佳為通式(XII)所表示之化合物中之40質量%以上，更佳為50質量%以上。

較佳之含量之範圍較佳為40質量%以上且70質量%以下，更佳為50質量%以上且80質量%以下。

進而，通式(X)所表示之化合物較佳為通式(XIII)所表示之化合物。

(式中，R^X1表示與通式(X)中之R^X1相同之含義，M^X31表示與通式(X)中之M^X1相同之含義，R^X2表示與通式(X)中之R^X2相同之含義，W表示0或1，X³¹~X³⁶表示氫原子或氟原子，X³¹及X³²之組合、X³³及X³⁴之組合、X³⁵及X³⁶之組合中之至少1組之組合均為氟原子。其中，式(XIII-1-2)或式(XIII-1-4)所表示之化合物除外)

關於含有通式(XIII)所表示之化合物之情形時之較佳之含量之下限值，於存在下限值之情形時，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為1%。或於本發明之另一實施形態中為3%。或於本發明之另一實施形態中為5%。又，於本發明之另一實施形態中為8%。又，於本發明之另一實施形態中為10%。另一方面，為不存在下限值之實施形態，即為0%。

進而，較佳之含量之上限值係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之另一實施形態中為28%。進而，於本發明之另一實施形態中為20%。進而，於本發明之另一實施形態中為15%。

較佳之含量之範圍係相對於本發明之液晶組成物之總量，例如於本發明之一實施形態中為1~25%。或於本發明之另一實施形態中為3~20%。或於本發明之另一實施形態中為5~15%。

於通式(XIII)中，R^X1及R^X2較佳為分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數2~8之烯基，更佳為表示碳原子數1~8之烷基，進而較佳為表示碳原子數2~5之烷基，尤佳為表示碳原子數3~5之烷基，R¹及R²之碳原子數最佳為各不同，較佳為直鏈。

於通式(XIII)中，X³¹~X³⁶較佳為分別獨立地表示氫原子或氟原子，較佳為2~5個表示氟原子，更佳為2~4個表示氟原子，更佳為2~3個表示氟原子，進而較佳為2個表示氟原子。

於此情形時，於氟原子為2個之情形時，較佳為X³³~X³⁶中之任2個表示氟原子，較佳為X³³及X³⁴之組合均表示氟原子，或X³⁵及X³⁶之組合均表示氟原子，進而較佳為X³³及X³⁴之組合均表示氟原子。於氟原子為3個以上之情形時，較佳為至少X³³及X³⁴之組合均表示氟原子，或至少X³⁵及X³⁶之組合均表示氟原子，進而較佳為至少X³³及X³⁴之組合均表示氟原子。

於通式(XIII)中，M^X31較佳為表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或四氫吡喃-2,5-二基，但於在使用該液晶組成物而製作之顯示元件及液晶顯示器中重視響應速度之情形時，較佳為表示1,4-伸苯基或四氫吡喃-2,5-二基，更佳為表示1,4-伸苯基。於重視驅動電壓之情形時，較佳為表示1,4-伸苯基或四氫吡喃-2,5-二基，更佳為表示四氫吡喃-2,5-二基。於重視動作溫度範圍之情形即必需為較高之動作溫度範圍之情形時，較佳為表示1,4-伸環己基或四氫吡喃-2,5-二基，更佳為表示1,4-伸環己基。於表示1,4-伸苯基之情形時，苯環中之1個以上之氫原子亦可經氟原子取代，但較佳為未經取代、1個經取代或2個經取代，於2個經取代之情形時，較佳為表示2,3-二氟苯-1,4-二基。

於通式(XIII)中，W表示0或1，但於重視響應速度之情形時，較佳為表示0，於重視動作溫度範圍之情形即必需為較高之動作溫度範圍之情形時，較佳為表示1。

通式(XIII)所表示之化合物較佳為以下所記載之通式(XIII-1)~(XIII-43)所表示之化合物，

[化27]

(式中，R^X1表示與通式(X)中之R^X1相同之含義，R^X2表示與通式(X)中之R^X2相同之含義)，較佳為通式(XIII-1)~(XIII-10)、(XIII-12)、(XIII-20)、(XIII-22)、(XIII-40)及(XIII-42)所表示之化合物，較佳為通式(XIII-1)、(XIII-2)、(XIII-10)、(XIII-12)、(XIII-20)、(XIII-22)、(XIII-40)及(XIII-42)所表示之化合物，較佳為通式(XIII-1)及(XIII-2)所表示之化合物，進而較佳為通式(XIII-1)所表示之化合物。

通式(XIII-1)所表示之化合物具體而言較佳為式(XIII-1-1)~式(XIII-1-16)所表示之化合物。

上述化合物之中，較佳為式(XIII-1-1)~式(XIII-1-6)所表示之化合物，較佳為式(XIII-1-1)所表示之化合物。

通式(XIII)中之R^X1及R^X2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，但較佳為表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數2~8之烯基，更佳為表示碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，進而較佳為表示碳原子數2~5之烷基，較佳為直鏈，於R^X1及R^X2均為烷基之情形時，較佳為各自之碳原子數不同。

若進一步進行詳細敍述，則較佳為R^X1表示丙基且R^X2表示乙基之化合物或R^X1表示丁基且R^X2表示乙基之化合物。

進而，可含有通式(C)所表示之化合物。

(式中，R¹⁰⁰表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~4之烷氧基，X¹⁰⁰~X¹⁰¹獨立地表示氫原子或氟原子，Y¹⁰⁰表示氟原子或-OCF₃)

R¹⁰⁰較佳為碳原子數3之烷基。X¹⁰⁰~X¹⁰¹較佳為氟原子。Y¹⁰⁰較佳為氟原子。

較佳之含量之範圍為0~10質量%，或為2~8質量%，為3~7質量%。

本發明之液晶組成物係可於寬範圍內使用向列相各向同性液體相轉移溫度(T_ni)者，但較佳為60~120℃，更佳為70~100℃，尤佳為70~90℃。

本發明之液晶組成物係以式(i)及、式(XIII-1-2)或式(XIII-1-4)之化合物為必需成分，作為更佳之態樣，可含有通式(L)、通式(X)所表示之化合物。於此情形時，含量較佳為以下所記載之含量。

於含有式(i)、式(XIII-1-2)、式(XIII-1-4)及通式(L)所表示之化合物之情形時，該等化合物之合計含量較佳為40質量%~80質量%，更佳為42~75質量%，進而較佳為45~70質量%，尤佳為50質量%~68質量%，最佳為50~65質量%。

於含有式(i)、式(XIII-1-2)、式(XIII-1-4)及通式(X)所表示之化合物之情形時，該等化合物之合計含量較佳為40~90質量%，更佳為45~90質量%，進而較佳為47質量%~88質量%，尤佳為50~85質量%，最佳為53~85質量%。

於含有式(i)、式(II-b)、通式(L)及通式(X)所表示之化合物之情形時，該等化合物之合計含量較佳為60~100質量%，更佳為63~100質量%，進而較佳為70~100質量%，尤佳為75~100質量%。

於通式(L)為通式(II-a)、或通式(I-a)所表示之化合物之情形時，較佳以下所記載之含量。

於含有式(i)、式(XIII-1-2)、式(XIII-1-4)、通式(II-a)、通式(I-a)及通式(X)所表示之化合物之情形時，該等化合物之合計含量較佳為80~100質量%，更佳為85~100質量%，進而較佳為90質量%~100質量%，尤佳為95~100質量%。

本案發明中使用之化合物於要求液晶組成物之化學穩定性之情形時，較佳為於其分子內不具有氯原子。進而，液晶組成物內具有氯原子之化合物較佳為5%以下，較佳為3%以下，較佳為1%以下，較佳為0.5%以下，較佳為實質上不含有。所謂實質上不含有，意指僅未意圖含有作為化合物製造時之雜質而生成之化合物等而含有氯原子之化合物混入至液晶組成物中。

本案發明中使用之化合物於分子內不具有過酸(-CO-OO-) 結構。又，於重視液晶組成物之可靠性及長期穩定性之情形時，較佳為不使用具有氰基或羰基之化合物。又，於重視利用UV(Ultraviolet，紫外線)照射之穩定性之情形時，較為理想的是不使用氯原子經取代之化合物。亦較佳為僅分子內之環結構全部為六員環之化合物。

本發明之液晶組成物之介電各向異性△ε之值於25℃下較佳為-2.0至-6.0，更佳為-2.5至-5.0，尤佳為-2.5至-4.0，若進一步進行詳細敍述，則於重視響應速度之情形時，較佳為-2.5~-3.4，於重視驅動電壓之情形時，較佳為-3.4~-4.0。

本發明之液晶組成物之折射率各向異性△n之值於25℃下較佳為0.08至0.13，更佳為0.09至0.12。若進一步進行詳細敍述，則於與較薄之單元間隙對應之情形時，較佳為0.10至0.12，於與較厚之單元間隙對應之情形時，較佳為0.08至0.10。

本發明之液晶組成物之旋轉黏度(γ₁)較佳為150以下，更佳為130以下，尤佳為120以下。

於本發明之液晶組成物中，較佳為作為旋轉黏度與折射率各向異性之函數Z表示特定之值。

(式中，γ₁表示旋轉黏度，△n表示折射率各向異性)

Z較佳為13000以下，更佳為12000以下，尤佳為11000以下。

本發明之液晶組成物於主動矩陣顯示元件中使用之情形時，必需具有10¹²(Ω．m)以上之比電阻，較佳為10¹³(Ω．m)，更佳為10¹⁴(Ω．m)以上。

本發明之液晶組成物除上述化合物以外，根據用途亦可含有通常之向列液晶、層列型液晶、膽固醇狀液晶、抗氧化劑、紫外線吸收劑、聚合性單體等。

作為聚合性單體，較佳為通式(P)所表示之官能單體，

(式中，X⁷及X⁸分別獨立地表示氫原子或甲基，Sp¹及Sp²分別獨立地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH₂)_s-(式中，s表示2至7之整數，設為氧原子鍵結於芳香環上者)，Z²表示-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH₂CH₂-、-OCO-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂-COO-、-CH₂CH₂-OCO-、-COO-CH₂-、-OCO-CH₂-、-CH₂-COO-、-CH₂-OCO-、-CY¹=CY²-(式中，Y¹及Y²分別獨立地表示氟原子或氫原子)、-C≡C-或單鍵，B表示1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，式中之所有1,4-伸苯基中，任意之氫原子亦可經氟原子取代)。

亦較佳為X⁷及X⁸中之任一者表示氫原子之二丙烯酸酯衍生物、任一者具有甲基之二甲基丙烯酸酯衍生物中之任一者，亦較佳為一者表示氫原子且另一者表示甲基之化合物。該等化合物之聚合速度係二丙烯酸酯衍生物最快，二甲基丙烯酸酯衍生物較慢，非對稱化合物位於其中間，可根據其用途而使用較佳之態樣。於PSA(Polymer sustained alignment，聚合物穩定配向)顯示元件中，尤佳為二甲基丙烯酸酯衍生物。

Sp¹及Sp²分別獨立地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH₂)_s-，但較佳為於PSA顯示元件中至少一者為單鍵，較佳為兩者均表示單鍵之化合物或一者表示單鍵且另一者表示碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH₂)_s-之態樣。於此情形時，較佳為1~4之烷基，s較佳為1~4。

Z¹較佳為-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-COO-、-OCO-或單鍵，尤佳為單鍵。

B表示任意之氫原子可經氟原子取代之1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，但較佳為1,4-伸苯基或單鍵。於C表示單鍵以外之環結構之情形時，Z²亦較佳為單鍵以外之連結基，於C為單鍵之情形時，Z¹較佳為單鍵。

就該等方面而言，於通式(P)中，Sp¹及Sp²間之環結構具體而言較佳為以下所記載之結構。

於通式(P)中，C表示單鍵，於環結構由兩個環形成之情形時，較佳為表示下式(Pa-1)至式(Pa-5)，

(式中，設為兩端鍵結於Sp¹或Sp²上者)

更佳為表示式(Pa-1)至式(Pa-3)，尤佳為表示式(Pa-1)。

包含該等骨架之聚合性化合物之聚合後之配向限制力對於PSA型液晶顯示元件而言最佳，可獲得良好之配向狀態，故而抑制顯示不均，或完全不產生顯示不均。

根據以上內容，作為聚合性單體，尤佳為通式(Pa-1-1)~通式(Pa-1-4)，其中最佳為通式(Pa-1-2)。

(式中，Sp²表示碳原子數2至5之伸烷基)

於向本發明之液晶組成物中添加單體之情形時，即便於不存在聚合起始劑之情形時亦推進聚合，但為了促進聚合，亦可含有聚合起始劑。作為聚合起始劑，可列舉：安息香醚類、二苯甲酮類、苯乙酮類、苄基縮酮類、醯基氧化膦類等。又，為了提昇保存穩定性，亦可添加穩定劑。作為可使用之穩定劑，例如可列舉：對苯二酚類、對苯二酚單烷基醚類、第三丁基鄰苯二酚類、鄰苯三酚類、苯硫酚類、硝基化合物類、β-萘胺類、β-萘酚類、亞硝基化合物等。

本發明之液晶組成物進而可含有通式(Q)所表示之化合物。

(式中，R^Q表示碳原子數1至22之直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中之1個或2個以上之CH₂基可以與氧原子不直接鄰接之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-取代，M^Q表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵)

R^Q表示碳原子數1至22之直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中之1個或2個以上之CH₂基可以與氧原子不直接鄰接之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-取代，但較佳為碳原子數1至10之直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個CH₂基經-OCO-或-COO-取代而成之直鏈烷基、支鏈烷基、分支烷氧基、1個CH₂基經-OCO-或-COO-取代而成之支鏈烷基，進而較佳為碳原子數1至20之直鏈烷基、1個CH₂基經-OCO-或-COO-取代而成之直鏈烷基、支鏈烷基、分支烷氧基、1個CH₂基經-OCO-或-COO-取代而成之支鏈烷基。M^Q表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵，但較佳為反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。

通式(Q)所表示之化合物更具體而言較佳為下述通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示之化合物。

[化5]

式中，R^Q1較佳為碳原子數1至10之直鏈烷基或支鏈烷基，R^Q2較佳為碳原子數1至20之直鏈烷基或支鏈烷基，R^Q3較佳為碳原子數1至8之直鏈烷基、支鏈烷基、直鏈烷氧基或支鏈烷氧基，L^Q較佳為碳原子數1至8之直鏈伸烷基或支鏈伸烷基。於通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示之化合物中，進而較佳為通式(Q-c)及通式(Q-d)所表示之化合物。於本案發明之液晶組成物中，較佳為含有通式(Q)所表示之化合物之1種或2種，進而較佳為含有1種至5種，其含量較佳為0.001至1質量%，進而較佳為0.001至0.1質量%，尤佳為0.001至0.05質量%。

本發明之含有聚合性化合物之液晶組成物對液晶顯示元件較為有用，尤其對主動矩陣驅動用液晶顯示元件較為有用，可用於PSA模式、PSVA(Polymer sustained Vertical alignment，聚合物穩定垂直配向)模式、VA模式、IPS模式或ECB(Electrically Controlled Birefringence，電控雙折射)模式用液晶顯示元件。

本發明之含有聚合性化合物之液晶組成物係藉由其所含有之聚合性化合物藉由紫外線照射而聚合而賦予液晶配向能，使用於利用液晶組成物之雙折射而控制光之透光量之液晶顯示元件。作為液晶顯示元件，對AM-LCD(Active Matrix-Liquid Crystal Display，主動矩陣液晶顯示元件)、TN(向列液晶顯示元件)、STN-LCD(超扭轉向列型液晶顯示元件)、OCB(Optically Compensated Bend-Liquid Crystal Display，光學補償彎曲液晶顯示元件)-LCD及IPS-LCD(共平面切換液晶顯示元件)較為有用，但對AM-LCD尤其有用，可使用於穿透型或反射型之液晶顯示元件。

液晶顯示元件中使用之液晶單元之2片基板可使用如玻璃或塑膠般具有柔軟性之透明材料，另一方面，亦可為矽等不透明之材料。具有透明電極層之透明基板例如可藉由於玻璃板等透明基板上對氧化銦錫(ITO，Indium Tin Oxide)進行濺鍍而獲得。

以透明電極層成為內側之方式使上述基板對向。此時，亦可經由間隔件調整基板之間隔。此時，較佳為以所獲得之調光層之厚度成為1~100μm之方式進行調整。進而較佳為1.5至10μm，於使用偏光板之情形時，較佳為以對比度成為最大之方式調整液晶之折射率各向異性△n與單元厚d之積。又，於具有兩片偏光板之情形時，亦可以調整各偏光板之偏光軸而使視野角或對比度變得良好之方式進行調整。進而，亦可使用用以擴大視野角之相位差膜。作為間隔件，例如可列舉玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、光阻劑材料等。其後，將環氧系熱硬化性組成物等密封劑以設有液晶注入口之形態絲網印刷於該基板上，將該基板彼此貼合，並進行加熱而使密封劑熱硬化。

於2片基板間夾持含有聚合性化合物之液晶組成物之方法可使用通常之真空注入法或ODF法等，於真空注入法中，不會產生滴加痕跡，但具有於注入後殘留之課題，於本案發明中，可利用使用ODF法製造之顯示元件而較佳地使用。

作為使聚合性化合物聚合之方法，由於為了獲得液晶之良好之配向性能而較為理想的是適度之聚合速度，故而較佳為藉由單一或併用或依序照射紫外線或電子束等活性能量線而聚合之方法。於使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，於以將含有聚合性化合物之液晶組成物夾持於2片基板間之狀態進行聚合之情形時，至少照射面側之基板必需對活性能量線賦予適當之透明性。又，亦可使用於光照射時使用遮罩僅使特定部分聚合後，藉由使電場或磁場或溫度等條件變化而使未聚合部分之配向狀態變化，進而照射活性能量線進行聚合之方法。尤其於進行紫外線曝光時，較佳為一面對含有聚合性化合物之液晶組成物施加交流電場一面進行紫外線曝光。施加之交流電場較佳為頻率10Hz至10kHz之交流，更佳為頻率60Hz至10kHz，電壓係依存於液晶顯示元件所需之預傾角而選擇。即，可藉由施加之電壓而控制液晶顯示元件之預傾角。於MVA(Multi-Domain Vertical Alignment，多域垂直配向)模式之液晶顯示元件中，就配向穩定性及對比度之觀點而言，較佳為將預傾角控制為80度至89.9度。

照射時之溫度較佳為保持本發明之液晶組成物之液晶狀態之溫度範圍內。較佳為以接近室溫之溫度即以典型為15~35℃之溫度進行聚合。作為產生紫外線之燈，可使用金屬鹵素燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射之紫外線之波長，較佳為照射並非液晶組成物之吸收波長區域之波長區域之紫外線，視需要較佳為將紫外線截止使用。照射之紫外線之強度較佳為0.1mW/cm²~100W/cm²，更佳為2mW/cm²~50W/cm²。照射之紫外線之能量可適當進行調整，但較佳為10mJ/cm²至500J/cm²，更佳為100mJ/cm²至200J/cm²。於照射紫外線時，亦可使強度變化。照射紫外線之時間係根據照射之紫外線強度而適當選擇，但較佳為10秒至3600秒，更佳為10秒至600秒。

本發明之液晶顯示元件之構成係如下之液晶顯示元件，即，如圖1所記載包括：第一基板，其具備由透明導電性材料所構成之共通電極；第二基板，其具備控制由透明導電性材料所構成之像素電極與各像素所具備之像素電極之薄膜電晶體；及液晶組成物，其夾持於上述第一基板與第二基板間；且該液晶組成物中之液晶分子之無電壓施加時之配向相對於上述基板大致垂直，其特徵在於：作為該液晶組成物，使用上述本發明之液晶組成物。

滴加痕跡之產生受注入之液晶材料之影響較大，由於顯示元件之構成，該影響亦無法避免。尤其，形成於液晶顯示元件中之彩色濾光片、薄膜電晶體等因僅具有薄配向膜、透明電極等而無隔開液晶組成物之構件，故藉由組合而對滴加痕跡之產生造成影響。

尤其於該薄膜電晶體為逆交錯型之情形時，以汲極電極覆蓋閘極電極之方式形成，故而有其面積增大之傾向。汲極電極係由銅、鋁、鉻、鈦、鉬、鉭等金屬材料形成，一般情況下，實施有鈍化處理為通常之形態。然而，保護膜一般較薄，配向膜亦較薄，不阻斷離子性物質之可能性較高，故而無法避免因金屬材料與液晶組成物之相互作用引起之滴加痕跡之產生。

於本案發明中，可較佳使用於如圖2所記載般薄膜電晶體為逆交錯型之液晶顯示元件，於使用鋁配線之情形時較佳。

使用本發明之液晶組成物之液晶顯示元件係兼具高速響應與顯示不良之抑制之有用者，尤其對主動矩陣驅動用液晶顯示元件較為有用，可應用於VA模式、PSVA模式、PSA模式、IPS模式或ECB模式用。

[實施例]

以下，列舉實施例對本發明進一步進行詳細敍述，但本發明並不限定於該等實施例。又，以下之實施例及比較例之組成物之「%」意指『質量%』。

實施例中測定之特性係如下所述。

T_ni：向列相-各向同性液體相轉移溫度(℃)

△n：20℃下之折射率各向異性

△ε：20℃下之介電各向異性

η：20℃下之黏度(m．Pas)

γ₁：20℃下之旋轉黏度(m．Pas)

VHR：頻率60Hz、施加電壓5V之條件下70℃下之電壓保持率(%)

耐熱試驗後之VHR：將注入有液晶組成物之VHR測定用TEG(Test Element Group，測試元件組)於120℃之恆溫槽中保持30分鐘後，以與上述VHR測定法相同之條件進行測定。

留痕(persistence)：液晶顯示元件之留痕評價係於顯示區域內顯示特定之固定圖案1200小時後，目視進行整個畫面均勻之顯示時之固定圖案之殘留圖像之級別並按照以下4個階梯評價進行。

◎無殘留圖像(非常良好之級別)

○有少許殘留圖像，亦可容許之級別(良好之級別)

△有殘留圖像，無法容許之級別(不良好之級別)

×有殘留圖像，相當粗劣(較差之級別)

滴加痕跡：液晶顯示裝置之滴加痕跡之評價係目視整個面顯示黑色之情形時之浮現白色之滴加痕跡並按照以下4個階梯評價進行。

◎無殘留圖像(非常良好之級別)

○有少許殘留圖像，亦可容許之級別(良好之級別)

△有殘留圖像，無法容許之級別(不良好之級別)

×有殘留圖像，相當粗劣(較差之級別)

製程適合性：製程適合性係於ODF製程中，使用定積計量泵於1次滴加液晶各25 pL，並將此過程進行100000次，按照以下4個階梯評價其次之「0~200次、201~400次、401~600次、…99801~100000次」之各200次逐次滴加之液晶量之變化。

◎變化極其小(可穩定地製造液晶顯示元件。非常良好之級別)

○有少許變化，亦可容許之級別(良好之級別)

△有變化，無法容許之級別(因產生斑點而導致良率變差。不良好之級別)

×有變化，相當粗劣(液晶洩漏或真空氣泡產生)(較差之級別)

低溫下之溶解性：低溫下之溶解性評價係於調製液晶組成物後，於1mL之樣品瓶中稱量液晶組成物0.5g，於溫度控制式試驗槽中，將次數設為1週期「-25℃(保持1小時)→升溫(0.1℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.1℃/每分鐘)→25℃(保持1小時)→降溫(-0.1℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.1℃/每分鐘)→-25℃」而對其持續賦予溫度變化，目視觀察來自液晶組成物之析出物之產生，進行以下4個階梯評價。

◎672小時以上未觀察到析出物。(非常良好之級別)

○336小時以上未觀察到析出物。(良好之級別)

△168小時以內觀察到析出物。(不良好之級別)

×84小時以內觀察到析出物。(較差之級別)

再者，於實施例中關於化合物之記載係使用以下之略號。

(側鏈結構及連結結構)

-n -C_nH_2n+1碳數n之直鏈狀之烷基

n- C_nH_2n+1-碳數n之直鏈狀之烷基

-On -OC_nH_2n+1碳數n之直鏈狀之烷氧基

nO- C_nH_2n+1O-碳數n之直鏈狀之烷氧基

-V -CH=CH₂

V- CH₂=CH-

-V1 -CH=CH-CH₃

1V- CH₃-CH=CH-

-2V -CH₂-CH₂-CH=CH₃

V2- CH₃=CH-CH₂-CH₂-

-2V1 -CH₂-CH₂-CH=CH-CH₃

1V2- CH₃-CH=CH-CH₂-CH₂

(環結構)

(比較例1及實施例1~3)

調製具有以下所示之組成之液晶組成物(LC1~4)，並測定其物性值。將其結果示於下表中。

使用各液晶組成物，製作圖1所示之VA液晶顯示元件。該液晶顯示元件具有逆交錯型之薄膜電晶體作為主動元件。液晶組成物之注入係利用滴加法進行，並進行留痕、滴加痕跡、製程適合性及低溫下之溶解性之評價。

再者，含量之左側之記號為上述化合物之略號之記載。

可知，實施例1~3之液晶組成物LC-2~4與不含有式(i)之化合物之比較例1之液晶組成物LC-1相比，黏度η及旋轉黏性γ₁較低，留痕評價、滴加痕跡評價、製程適合性、且低溫下之溶解性優異。

(實施例4~7)

調製具有以下所示之組成之液晶組成物(LC-5~8)，並測定其物性值。又，根據液晶顯示元件進行留痕、滴加痕跡、製程適合性及低溫下之溶解性之評價。將其結果示於以下。

於實施例4~7之液晶組成物LC-5~8中，於實施例4之液晶組成物LC-5中式(i)之化合物與式(XIII-1-2)之化合物之添加量之合計為26質量%，故而獲得雖略差但良好之結果。

(實施例8~12)

調製具有以下所示之組成之液晶組成物(LC-9~13)，並測定其物性值。又，根據液晶顯示元件進行留痕、滴加痕跡、製程適合性及低溫下之溶解性之評價。將其結果示於以下。

可知，實施例8~12之液晶組成物LC-9~13之黏度η及旋轉黏性γ₁較低，各種面板評價性能、製程適合性、且低溫下之溶解性優異。

(實施例13~16)

調製具有以下所示之組成之液晶組成物(LC-14~17)，並測定其物性值。又，根據液晶顯示元件進行留痕、滴加痕跡、製程適合性及低溫下之溶解性之評價。將其結果示於以下。

於實施例13~16之液晶組成物LC-14~17中獲得良好之結果。

(實施例17~20)

調製具有以下所示之組成之液晶組成物(LC-18~21)，並測定其物性值。又，根據液晶顯示元件進行留痕、滴加痕跡、製程適合性及低溫下之溶解性之評價。將其結果示於以下。

於實施例17~20之液晶組成物LC-18~21中獲得良好之結果。

(實施例21)

針對99.85%之實施例14所示之向列型液晶組成物LC-15，添加0.15% 之以下所示之聚合性化合物

並進行均勻地溶解，藉此調製聚合性液晶組成物CLC-A。CLC-A之物性與實施例27所示之向列型液晶組成物之物性幾乎無差異。利用真空注入法將CLC-A注入至單元間隙3.5μm之塗佈有誘發水平配向之聚醯亞胺配向膜之附ITO之單元中。一面對該單元施加頻率1kHz之矩形波一面經由截止320nm以下之紫外線之濾光片並藉由高壓水銀燈對液晶單元照射紫外線。以單元表面之照射強度成為10mW/cm²之方式進行調整並照射600秒鐘，而獲得使聚合性液晶組成物中之聚合性化合物聚合而成之垂直配向性液晶顯示元件。藉由使聚合性化合物聚合，而可確認產生對液晶化合物之配向限制力。

1‧‧‧偏光板

2‧‧‧基板

3‧‧‧透明電極或伴有主動元件之透明電極

4‧‧‧配向膜

5‧‧‧液晶

Claims

一種液晶組成物，其介電各向異性為負，且含有式(i)所表示之化合物、及式(XIII-1-2)或式(XIII-1-4)所表示之化合物之1種或2種，
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中式(i)、式(XIII-1-2)及式(XIII-1-4)所表示之化合物之含量之合計為29~61質量%。
如申請專利範圍第1項或第2項之液晶組成物，其含有通式(L)所表示之化合物之1種或2種以上， (式中，R^L1及R^L2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1、B^L2及B^L3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(該基中存在之1個-CH₂-或未鄰接之2個以上之-CH₂-亦可經-O-取代)及(b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=亦可經-N=取代) 所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子中之任一個取代，L^L1及L^L2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於OL為2或3且L^L2存在複數個之情形時，該等可相同亦可不同，於OL為2或3且B^L3存在複數個之情形時，該等可相同亦可不同，其中，式(i)所表示之化合物除外)。
如申請專利範圍第3項之液晶組成物，其中通式(L)所表示之化合物為通式(II-a)及通式(I-a)所表示之化合物， (式中，R¹¹表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，R¹²表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基) (式中，R¹³及R¹⁴分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基，但成為R¹³及R¹⁴中表示碳原子數為3與2之烷基之組合之化合物除外)，且含有通式(II-a)所表示之化合物之1種或2種以上。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之液晶組成物，其含有通式(X)所表示之化合物之1種或2種以上， (式中，R^X1及R^X2相互獨立地表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至10之烷氧基或碳原子數2至10之烯基，該等基中存在之1個亞甲基或未鄰接之2個以上之亞甲基亦可經-O-或-S-取代，又，該等基中存在之1個或2個以上之氫原子亦可經氟原子或氯原子取代，u及v相互獨立地表示0、1或2，u+v為2以下，M^X1、M^X2及M^X3相互獨立地表示選自由(a)反式-1,4-伸環己基(該基中存在之1個亞甲基或未鄰接之2個以上之亞甲基亦可經-O-或-S-取代)、(b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=亦可經-N=取代)所組成之群中之基，上述基(a)或基(b)中所含之氫原子亦可分別經氰基、氟原子、三氟甲基、三氟甲氧基或氯原子取代，但於M^X2及/或M^X3存在複數個之情形時，該等可相同亦可不同，L^X1、L^X2及L^X3相互獨立地表示單鍵、-COO-、-OCO-、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=CH-或-C≡C-，於L^X1及/或L^X3存在複數個之情形時，該等可相同亦可不同，X^X1及X^X2相互獨立地表示三氟甲基、三氟甲氧基或氟原子，任一個均表示氟原子)。
如申請專利範圍第5項之液晶組成物，其中通式(X)所表示之化合物為通式(XI-1)、通式(XII-1)、通式(XII-2)或通式(XIII)所表示之化合物， (式中，R^X11及R^X21分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯氧基) (式中，R^X1表示與通式(X)中之R^X1相同之含義，R^X2表示與通式(X)中之R^X2相同之含義) (式中，R^X1表示與通式(X)中之R^X1相同之含義，M^X31表示與通式(X)中之M^X1相同之含義，R^X2表示與通式(X)中之R^X2相同之含義，W表示0或1，X³¹~X³⁶表示氫原子或氟原子，但X³¹及X³²之組合、X³³及X³⁴之組合、X³⁵及X³⁶之組合中之至少1組之組合均為氟原子；其中，式(XIII-1-2)或式(XIII-1-4)所表示之化合物除外)。
如申請專利範圍第6項之液晶組成物，其中作為通式(XII-1)所表示之化合物，含有式(XII-1-2)或式(XII-1-7)所表示之化合物，
如申請專利範圍第7項之液晶組成物，其中式(XII-1-2)所表示之化合物之含量為7~22質量%，或式(XII-1-7)所表示之化合物之含量為9~24質量%。
如申請專利範圍第5項之液晶組成物，其含有式(i)、式(XIII-1-2)、式(XIII-1-4)、通式(II-a)、通式(I-a)或通式(X)所表示之化合物，且其含量之合計為90質量%至100質量%。
如申請專利範圍第1項或第2項之液晶組成物，其含有式(XIII-1-4)所表示之化合物。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其含有反應性單體。
一種液晶顯示元件，其係使用申請專利範圍第1項之液晶組成物。
一種液晶顯示元件，其係使用申請專利範圍第11項之液晶組成物。
一種液晶顯示器，其係使用申請專利範圍第12項或第13項之液晶顯示元件。