TW201347295A - 適用於無線射頻識別標籤的不連續迴圈天線，及相關的元件、系統以及方法 - Google Patents

適用於無線射頻識別標籤的不連續迴圈天線，及相關的元件、系統以及方法 Download PDF

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TW201347295A
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antenna
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Jeevan Kumar Vemagiri
Richard Edward Wagner
Matthew Scott Whiting
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Corning Inc
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Abstract

本發明揭示了不連續迴圈天線及相關的元件、無線射頻識別(RFID)標籤、系統以及方法。不連續迴圈天線係包括不連續部分之天線迴圈結構。不連續迴圈天線可耦接至RFID晶片以提供RFID標籤。不連續部分降低迴圈電感及標籤電容，因此賦能不連續迴圈天線在仍匹配晶片阻抗之同時具有明顯更大之迴圈面積，致使近場靈敏度顯著增加。增加之近場靈敏度在近場耦合期間提供經增強之功率獲取效率。作為一個非限制實例，具有不連續迴圈天線之RFID標籤可自RF信號取得比具有調諧至相同或類似共振頻率之連續迴圈天線的RFID標籤明顯更多之功率獲取。在製造後可修整不連續部分以允許調諧RFID標籤之共振頻率。

Description

適用於無線射頻識別標籤的不連續迴圈天線，及相關的 元件、系統以及方法 【優先權申請】
本申請案根據專利法主張2013年3月14日申請之標題為「Discontinuous Loop Antennas Suitable For Radio-Frequency Identification(RFID)Tags,And Related Components,Systems,and Methods」的美國申請案第13/826,407號之優先權益，該案根據專利法主張2012年5月1日申請之標題為「Discontinuous Loop Antennas Suitable for Radio-Frequency Identification(RFID)Tags,and Related Components,Systems,and Methods」的美國臨時專利申請案第61/640,800號之優先權益，該等申請案以引用全文之方式併入本文中。
本揭示案之技術係關於天線，該等天線可適用於無線射頻(RF)識別(RFID)天線、標籤或詢答機，包括被動RFID標籤。
使用無線射頻(RF)識別(RFID)詢答機來識別製品已為吾人所熟知。RFID詢答機常被稱為「RFID標籤」。舉例而言，第1圖為示例性RFID系統10之簡圖，該示例性RFID系統10包括被動RFID標籤12。被動RFID標籤12包括積體電路(IC)14，該積體電路14通信地耦接至天線16。IC 14亦可耦接至記憶體18。識別號碼或其他特徵係儲存於IC 14或耦接至IC 14的記憶體18中。被動RFID標籤12通常包括在主體20或其他外殼中。可將識別號碼提供至諸如RFID讀取器22之另一系統，以提供識別資訊用於各種目的。被動RFID標籤12不包括發射器。被動RFID標籤12之天線16自RFID讀取器22中之發射器26接收無線RF信號24，無線RF信號24亦稱為「詢問信號」。被動RFID標籤12自無線RF信號24之電磁場獲取能量以向IC 14供電用於被動RFID標籤12操作。例如，RFID標籤12可經由反向散射調變通信回應無線RF信號24之接收，包括提供識別資訊。
被動RFID系統之效能取決於系統中被動RFID標籤之效能。為了增加效能，被動RFID標籤應最大化自用於RFID標籤操作之詢問信號的功率獲取。至被動RFID標籤之臨限量的功率轉移對於被動RFID標籤之操作係必要的。轉移至被動RFID標籤之功率的量亦影響被動RFID標籤之通信範圍。一種最大化功率獲取之方法為最小化由於RFID標籤阻抗失配引起之功率轉移損耗。RFID標籤天線處理固有的阻抗(亦即，電阻及電抗)特性，以便在與RFID晶片阻抗(亦即，負載) 適當匹配時，可將由天線接收之信號能量有效地轉移至RFID積體電路(IC))晶片(「RFID晶片」)用於操作。阻抗失配將導致信號能量被RFID晶片反射(未吸收)達與失配量相當之程度。此外，若被動RFID標籤位於其他被動RFID標籤之陣列或群集中，則可調和RFID阻抗失配。可在群集中的多個被動RFID標籤之間共享來自詢問信號之能量，藉此為每一被動RFID標籤提供更少的功率轉移。為了進一步調和阻抗失配問題，RFID晶片阻抗基於由被動RFID標籤天線的接收到之信號的頻率而變更。
基於藉由輻射耦合模式之RFID標籤天線分類， RFID標籤天線可為近場耦合或遠場耦合。若需要短程RFID標籤通信能力(例如，遠離RFID讀取器小於一個波長)，則可使用經分類用於近場耦合之RFID標籤。近場耦合涉及主要經由信號的非輻射磁場(「H場」)誘導地耦合功率，且近場耦合具有用於功率獲取的強電抗效應。然而，近場效應之功率隨距離快速降低。因此，近場RFID標籤需要保持靠近RFID讀取器以自信號能量獲取功率用於有效的RFID標籤操作。若需要遠程RFID標籤通信能力(例如，遠離RFID讀取器大於兩個波長)，則可使用經分類用於遠場耦合之RFID標籤。遠場耦合涉及主要經由電場(「E場」)輻射的功率耦合，遠場耦合隨著距離降低得不如近場耦合快。因此，隨著選擇分類作為近場耦合或遠場耦合之RFID天線中之任一者，關於是否主要自信號功率的E場或H場獲取功率存在折衷方案。
詳細描述中所揭示之實施例包括不連續迴圈天 線。亦揭示了相關之元件、標籤、系統以及方法。不連續迴圈天線係包括不連續部分之天線迴圈結構。作為非限制實例，不連續迴圈天線可耦接至RFID晶片以提供RFID標籤。 不連續部分允許不連續迴圈天線在大於不連續迴圈天線的一個波長處具有磁場靈敏度。因此，較之其他天線，不連續迴圈天線顯著增加了近場靈敏度。增強的近場靈敏度在近場耦合期間提供增強之功率獲取效率。作為一個非限制實例，與具有調諧至相同或類似諧振頻率之連續迴圈天線的RFID標籤相比，具有不連續迴圈天線之RFID標籤可達成高多達一百(100)倍的來自RF信號之功率獲取。
就此而言，天線迴圈結構中提供之不連續部分將不 連續電容器引入天線迴圈結構中。不連續電容器之引入降低天線迴圈結構中之電感。因此，可根據藉由增加天線迴圈結構的迴圈面積而由不連續部分提供之降低的電感來增加天線迴圈結構之電感。此增加的迴圈面積的結果是：不連續迴圈天線為近場耦合期間增加的功率獲取效率提供增加的近場靈敏度。為近場耦合期間增加的功率獲取效率提供增加的近場靈敏度可允許RFID標籤在某些環境或媒體中不受影響，否則RFID標籤不大可能不受影響。亦藉由增加不連續迴圈天線之電感，可保持與RFID晶片之阻抗匹配，如用迴圈面積更小的連續迴圈天線結構應達成。
此外，因為經由迴圈天線結構中之不連續部分提供 電容，所以可將不連續電容調整成較低以調諧不連續迴圈天 線之諧振頻率。此舉由不連續電容器控制並降低RFID標籤的總體電容之特性達成，該不連續電容器為串聯的並小於RFID晶片之固定電容。因此，具有不連續迴圈天線之RFID標籤可經調諧以匹配不同頻帶及/或應用於為了效能而要求調諧之物品。
可使用若干方法來增加不連續迴圈天線之迴圈面 積。一種示例性方法包括增加天線迴圈結構之長度及/或寬度。另一示例性方法包括增加天線迴圈結構的重疊，以在不連續迴圈天線中形成不連續部分。可在不連續迴圈天線之設計階段期間提供此等方法。然而，因為不連續迴圈天線中提供之不連續部分，即便在天線製造完成之後，亦可變更不連續迴圈天線之電感及相應中心頻率。可視應用調諧不連續迴圈天線的諧振頻率。
就此而言，在一個實施例中，提供不連續迴圈天 線。不連續迴圈天線包含迴圈導體。不連續部分係佈置在迴圈導體中形成迴圈導體中之不連續電容器。在一個實施例中，不連續部分係藉由單個不連續形成。
在另一實施例中，提供了無線射頻識別(RFID)標 籤。RFID標籤係由經配置以接收RF功率的RFID積體電路(IC)晶片構成。RFID標籤亦由電性耦接至RFID IC晶片之不連續迴圈天線構成。不連續迴圈天線係經配置以自接收到的RF信號獲取RF功率，且將RF功率提供至RFID IC晶片以為RFID IC晶片供電。不連續迴圈天線可包含不連續部分，該不連續部分佈置在迴圈導體中形成該迴圈導體中之不連續 電容器。
在另一實施例中，提供一種藉由RFID標籤天線接 收無線射頻(RF)信號之方法。該方法包含經由不連續迴圈天線接收RF信號。該方法亦包含提供RF信號至RFID IC晶片。該方法亦包含用來自RF信號之RF能量為RFID IC晶片供電。該方法亦包含在RFID IC晶片中解調RF信號中之RF通信。不連續迴圈天線可包含不連續部分，該不連續部分佈置在迴圈導體中形成該迴圈導體中之不連續電容器。將在隨後的詳細描述中闡述額外的特徵及優點，且對於熟習此項技術者而言，額外的特徵及優點將在某種程度上自彼描述顯而易或藉由實踐如在本文中所述之本發明(包括隨後之具體實施方式、申請專利範圍以及隨附圖式)而認識到。
應瞭解，前述一般說明及隨後詳細說明呈現實施例，且意在提供用於理解本揭示案之本質及特徵的概述或框架。包括附隨圖式以提供進一步理解，且附隨圖式係併入說明書中並構成此說明書的一部分。圖式圖示各種實施例，且與描述一起用於解釋所揭示之概念的原理及操作。
10‧‧‧RFID系統
12‧‧‧被動RFID標籤
14‧‧‧積體電路(IC)
16‧‧‧天線
18‧‧‧記憶體
20‧‧‧主體
22‧‧‧RFID讀取器
24‧‧‧無線RFID信號
26‧‧‧發射器
30‧‧‧不連續迴圈天線
30'‧‧‧不連續迴圈天線
30(1)‧‧‧不連續迴圈天線
30(1)'‧‧‧不連續迴圈天線
30(2)‧‧‧不連續迴圈天線
30(3)‧‧‧不連續迴圈天線
30(4)‧‧‧不連續迴圈天線
30(5)‧‧‧不連續迴圈天線
30(5)‧‧‧不連續迴圈天線
30(6)‧‧‧不連續迴圈天線
32‧‧‧RFID標籤
32'‧‧‧RFID標籤
34‧‧‧迴圈導體
34'‧‧‧迴圈導體
34(1)‧‧‧迴圈導體
34(1)'‧‧‧迴圈導體
34(2)‧‧‧迴圈導體
34(3)‧‧‧迴圈導體
34(4)‧‧‧迴圈導體
34(5)‧‧‧迴圈導體
34(6)‧‧‧迴圈導體
36A(1)‧‧‧第一導體
36A(1)'‧‧‧第一導體
36A(2)‧‧‧第一導體
36A(3)‧‧‧第一導體
36A(4)‧‧‧第一導體
36A(5)‧‧‧第一導體
36A(6)‧‧‧第一導體
36B(1)‧‧‧第二導體
36B(1)'‧‧‧第二導體
36B(2)‧‧‧第二導體
36B(3)‧‧‧第二導體
36B(4)‧‧‧第二導體
36B(5)‧‧‧第二導體
36B(6)‧‧‧第二導體
36B‧‧‧第二導體
38‧‧‧迴圈導體區域
40‧‧‧不連續部分
40(1)‧‧‧不連續部分
40(2)‧‧‧不連續部分
40(3)‧‧‧不連續部分
40(4)‧‧‧不連續部分
40(4)‧‧‧不連續部分
40(5)‧‧‧不連續部分
40(5)‧‧‧不連續部分
40(6)‧‧‧不連續部分
41(1)‧‧‧不連續電容器
41(2)‧‧‧不連續電容器
41(3)‧‧‧不連續電容器
41(4)‧‧‧不連續電容器
41(5)‧‧‧不連續電容器
41(6)‧‧‧不連續電容器
42‧‧‧第一端
44A‧‧‧第一天線節點
44B‧‧‧第二天線節點
46‧‧‧RFID晶片
47‧‧‧資料表單
47(1)‧‧‧區域
47(2)‧‧‧區域
47(3)‧‧‧區域
48(1)‧‧‧第二端部分
48(2)‧‧‧端部分
48(3)‧‧‧端部分
48(4)‧‧‧端部分
48(5)‧‧‧端部分
48(6)‧‧‧端部分
49‧‧‧RFID標籤基底行
49(1)‧‧‧RFID標籤基底行
49(2)‧‧‧RFID標籤基底行
49(3)‧‧‧RFID標籤基底行
50‧‧‧第二端
51‧‧‧電容曲線
52‧‧‧第一端
53‧‧‧不連續電容
54(1)‧‧‧端部分
54(2)‧‧‧端部分
54(3)‧‧‧端部分
54(4)‧‧‧端部分
54(5)‧‧‧端部分
54(6)‧‧‧端部分
55‧‧‧總體RFID標籤電容
56‧‧‧第二端
57‧‧‧RFID晶片電容
58A‧‧‧轉向
58B‧‧‧轉向
60A‧‧‧平面部分
60B‧‧‧平面部分
62A‧‧‧分支部分
62B‧‧‧分支部分
64A‧‧‧分支部分
64B‧‧‧分支部分
66A‧‧‧分支部分
66B‧‧‧分支部分
68‧‧‧電感
70‧‧‧電容
72‧‧‧ESD分路
74‧‧‧電感部件
84‧‧‧連續迴圈天線
86‧‧‧不連續迴圈天線
88‧‧‧曲線圖
90‧‧‧不連續迴圈天線
92‧‧‧不連續迴圈天線
94‧‧‧曲線圖
96‧‧‧不連續迴圈天線
98‧‧‧不連續迴圈天線
100‧‧‧曲線圖
102‧‧‧不連續迴圈天線
104‧‧‧不連續迴圈天線
106‧‧‧曲線圖
108‧‧‧不連續迴圈天線
110‧‧‧不連續迴圈天線
111‧‧‧內部靜電放電(ESD)迴圈
112‧‧‧曲線圖
113‧‧‧外部靜電放電(ESD)迴圈
114‧‧‧不連續迴圈天線
116‧‧‧不連續迴圈天線
118‧‧‧曲線圖
120‧‧‧曲線圖
122‧‧‧不連續迴圈天線
124‧‧‧不連續迴圈天線
126‧‧‧不連續迴圈天線
128‧‧‧曲線圖
130‧‧‧不連續迴圈天線
132‧‧‧曲線圖
134‧‧‧不連續迴圈天線
136‧‧‧不連續迴圈天線
138‧‧‧不連續迴圈天線
140‧‧‧曲線圖
142‧‧‧不連續迴圈天線
144‧‧‧不連續迴圈天線
146‧‧‧不連續迴圈天線
148‧‧‧曲線圖
150‧‧‧不連續迴圈天線
152‧‧‧不連續迴圈天線
154‧‧‧曲線圖
156‧‧‧連續迴圈天線
158‧‧‧不連續迴圈天線
160‧‧‧曲線圖
162‧‧‧連續迴圈天線
164‧‧‧不連續迴圈天線
166‧‧‧曲線圖
168‧‧‧連續迴圈天線
169‧‧‧外部ESD跡線
170‧‧‧不連續迴圈天線
172‧‧‧曲線圖
174‧‧‧連續迴圈天線
176‧‧‧不連續迴圈天線
177‧‧‧內部ESD跡線
178‧‧‧曲線圖
1A‧‧‧標記
1B‧‧‧標記
1C‧‧‧標記
2A‧‧‧標記
2B‧‧‧標記
2C‧‧‧標記
3A‧‧‧標記
3B‧‧‧標記
3C‧‧‧標記
ADloop1‧‧‧迴圈導體面積
L1‧‧‧第一長度
L2‧‧‧第一長度
Ogap1‧‧‧間隙距離
Ogap2‧‧‧間隙距離
Ogap3‧‧‧間隙距離
Ogap4‧‧‧間隙距離
Olen1‧‧‧重疊長度
Olen2‧‧‧重疊長度
TWD‧‧‧不連續處跡線寬度
W1‧‧‧第一寬度
WD2‧‧‧不連續寬度
WD3‧‧‧不連續寬度
WD5‧‧‧不連續寬度
WD6‧‧‧不連續寬度
WD7‧‧‧不連續寬度
WL1‧‧‧跡線重疊長度
WL2‧‧‧跡線重疊長度
WL3‧‧‧跡線重疊長度
WL4‧‧‧跡線重疊長度
XL‧‧‧電感阻抗
XLP‧‧‧電感阻抗
第1圖為示例性RFID標籤之圖解，藉由來自RFID讀取器之詢問信號詢問該RFID標籤；第2圖為示例性不連續迴圈天線之圖解，該不連續迴圈天線具有藉由迴圈導體中提供之重疊形成的不連續部分；第3A圖為在RFID標籤中使用不連續迴圈天線時的 不連續電容、RFID晶片電容及總RFID標籤電容的示例性曲線圖；第3B圖及第3C圖分別為示例性不連續迴圈天線及用於該不連續迴圈天線之示例性調諧的圖表，該不連續迴圈天線具有用於調諧該不連續迴圈天線之諧振頻率之標記；第4圖為另一示例性不連續迴圈天線之圖解，該不連續迴圈天線具有藉由迴圈導體中提供之重疊形成的不連續部分；第5A圖及第5B圖為示例性不連續迴圈天線之圖解，該等不連續迴圈天線具有藉由迴圈導體中提供之端隙形成的不連續部分；第6A圖及第6B圖為其他示例性不連續迴圈天線之圖解，該等不連續迴圈天線具有藉由迴圈導體中提供的交叉指狀部分形成的不連續部分；第7A圖及第7B圖分別為耦接至不具有及具有靜電放電分路之RFID晶片的不連續迴圈天線之示例性表示的等效電路圖；第8A圖及第8B圖為示例性連續迴圈天線及示例性不連續迴圈天線之圖解；第8C圖為分別比較在第8A圖中的連續迴圈天線及第8B圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合的曲線圖；第9A圖及第9B圖為具有變化的不連續間隙之其他示例性不連續迴圈天線之圖解；第9C圖為比較分別在第9A圖及第9B圖中的不連 續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖；第10A圖及第10B圖為具有變化的天線迴圈導體寬度之其他示例性不連續迴圈天線之圖解；第10C圖為比較分別在第10A圖及第10B圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖；第11A圖及第11B圖為在不連續處具有變化的天線迴圈寬度之其他示例性不連續迴圈天線之圖解；第11C圖為比較分別在第11A圖及第11B圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖；第12A圖及第12B圖分別為具有內部及外部靜電放電(ESD)迴圈之其他示例性不連續迴圈天線之圖解；第12C圖為比較分別在第12A圖及第12B圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖；第13A圖及第13B圖為具有變化的形狀因子之其他示例性不連續迴圈天線之圖解；第13C圖為比較分別在第13A圖及第13B圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖；第13D圖為比較分別在第13A圖中的不連續迴圈天線及第13B圖中的不連續迴圈天線於電場中之功率耦合之示例性曲線圖；第14A圖至第14C圖為其他示例性不連續迴圈天線之圖解，該等不連續迴圈天線具有經調諧用於不同中心頻率之相同形狀因子天線迴圈尺寸；第14D圖為比較分別在第14A圖至第14C圖中的 不連續迴圈天線的作為頻率函數之功率耦合之示例性曲線圖；第15A圖為另一示例性不連續迴圈天線之圖解，該不連續迴圈天線經設定尺寸用於空間受限的應用，藉由重疊不連續迴圈導體及增加導體長度實現該不連續迴圈天線；第15B圖為圖示第15A圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖；第16A圖至第16C圖為其他示例性不連續迴圈天線之圖解，該等不連續迴圈天線具有經調諧用於不同中心頻率之與第15A圖中的不連續迴圈天線相同的形狀因子；第16D圖為比較分別在第16A圖至第16C圖中的不連續迴圈天線的作為頻率函數之功率耦合之示例性曲線圖；第17A圖至第17C圖為其他示例性不連續迴圈天線之圖解，該等不連續迴圈天線具有經設計用於示例性應用之與第17A圖中的不連續迴圈天線相同的形狀因子；第17D圖為比較分別在第17A圖至第17C圖中的不連續迴圈天線的作為頻率函數之功率耦合之示例性曲線圖；第18A圖為第15A圖中的不連續迴圈天線之圖解；第18B圖為另一示例性不連續迴圈天線之圖解，該不連續迴圈天線具有使用圓周導體之改良的功率耦合；第18C圖為比較分別在第18A圖及第18B圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖； 第19A圖及第19B圖分別為其他示例性小尺寸連續及不連續迴圈天線之圖解；第19C圖為比較第19A圖中的連續迴圈天線及第19B圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖；第20A圖及第20B圖分別為其他示例性小尺寸連續及不連續迴圈天線之圖解；第20C圖為比較分別在第20A圖中的連續迴圈天線及第20B圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖；第21A圖及第21B圖分別為具有外部ESD分路的其他例示性小尺寸連續迴圈天線及不連續迴圈天線之圖解；第21C圖為比較分別在第21A圖中的連續迴圈天線及第21B圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖；第22A圖及第22B圖分別為具有內部ESD分路的其他示例性小尺寸連續迴圈天線及不連續迴圈天線之圖解；及第22C圖為比較分別在第22A圖中的連續迴圈天線及第22B圖中的不連續迴圈天線於磁場中之功率耦合之示例性曲線圖。
現將詳細參考實施例，在隨附圖式中圖示該等實施例之實例，隨附圖式中圖示一些而非全部實施例。事實上， 概念可以諸多不同形式體現且不應被視為限制本文；相反，提供該等實施例以便本揭示案滿足適用的法律要求。在任何可能之情況下，相同元件符號將用於指代相同元件或部分。
RFID標籤之效能參數為RFID標籤之靈敏度或激活及回應所需之最小功率。典型的近場超高頻率(UHF)RFID標籤天線為單個迴圈結構，該單個迴圈結構之電感在標籤操作頻率下與晶片之電容匹配。然而，隨著迴圈天線之迴圈面積增加，自環境場耦合至RFID標籤中之功率亦增加。然而，迴圈天線之有用的迴圈面積受限於RFID晶片電容，原因在於迴圈天線之迴圈天線電感與RFID晶片電容匹配。因此，最大功率耦合及RFID標籤場靈敏度受限於RFID晶片電容。
就此而言，詳細描述中所揭示之實施例包括不連續迴圈天線。亦揭示了相關之元件、標籤、系統以及方法。不連續迴圈天線係包括不連續部分之天線迴圈結構。作為非限制實例，不連續迴圈天線可耦接至RFID晶片以提供RFID標籤。不連續部分允許不連續迴圈天線在大於不連續迴圈天線的一個波長處具有磁場靈敏度。因此，較之其他天線，不連續迴圈天線顯著增加了近場靈敏度。不連續迴圈天線顯著增強近場靈敏度。增強之近場靈敏度在近場耦合期間提供增強之功率獲取效率。作為一個非限制實例，與具有經調諧至相同或相似諧振頻率的連續迴圈天線之RFID相比，具有不連續迴圈天線之RFID標籤可達成高多達一百(100)倍的來自無線射頻(RF)信號之功率獲取。
就此而言，天線迴圈結構中提供之不連續部分將不 連續電容器引入天線迴圈結構。不連續電容器之引入降低天線迴圈結構中之電感。因此，可根據藉由增加天線迴圈結構的迴圈面積而由不連續部分提供之降低的電感來增加天線迴圈結構之電感。此增加的迴圈面積的結果是：不連續迴圈天線為近場耦合期間增加的功率獲取效率提供增加的近場靈敏度。為近場耦合期間增加的功率獲取效率提供增加的近場靈敏度可允許RFID標籤在某些環境或媒體中將不受影響，否則RFID標籤不大可能不受影響。亦藉由增加不連續迴圈天線之電感，可保持與RFID晶片之阻抗匹配，如用迴圈面積更小的連續迴圈天線結構應達成。
此外，因為經由迴圈天線結構中之不連續部分提供電容，所以可將不連續電容器調整成較低以調諧不連續迴圈天線之諧振頻率。此舉由不連續電容器控制並降低負載的總體電容之特性達成，該不連續電容器為串聯的且小於負載之固定電容。因此，具有不連續迴圈天線之負載可經調諧以匹配不同頻帶及/或應用於可為了效能而要求調諧之物品。
藉由使用如藉由實例於本文中所論述的不連續迴圈天線，可增加天線迴圈的迴圈面積之尺寸，以增加迴圈天線電感，並因此增加場靈敏度及功率耦合，超過由連續迴圈天線提供之迴圈天線電感、場靈敏度及功率耦合。作為非限制實例，可實現二十(20)dB功率耦合之改良。此外，使用如藉由實例於本文中所論述的不連續迴圈天線，可改良迴圈天線之迴圈模式耦合而不需增加天線之總體長度，因此允許以比其他傳統遠場耦合天線更小的形狀因子提供不連續迴圈 天線。
就此而言，第2圖為示例性不連續迴圈天線之圖解，該不連續迴圈天線包括迴圈導體中之不連續部分以提供迴圈導體中之不連續電容器。在第2圖之實例中，不連續部分具體由形成於迴圈導體中之重疊形成，但需注意，可以其他形式提供不連續部分，如將在本揭示案中藉由其他實例論述。如第2圖所示，提供了不連續迴圈天線30(1)。作為非限制實例，不連續迴圈天線30(1)經配置以電性耦接至RFID晶片以提供RFID標籤32。RFID標籤32可為被動RFID標籤，意謂自無線RF信號的電磁場之獲取能量以提供用於操作之功率。RFID標籤32亦可為主動RFID標籤，意謂提供能量源(諸如電池)以提供用於操作之功率。RFID標籤32亦可為半被動RFID標籤，意謂除具有自無線RF信號獲取功率之能力外，可提供能量源(諸如電池)以提供用於操作之功率。本文所揭示之不連續迴圈天線可用於顯著增加近場靈敏度及擴展被動、半被動及主動RFID標籤之通信範圍，該等被動、半被動及主動RFID標籤中之每一者可考慮為第2圖中之RFID標籤32。
繼續參考第2圖，不連續迴圈天線30(1)包括迴圈導體34(1)。在此實施例中，迴圈導體34(1)包括第一導體36A(1)及第二導體36B(1)。舉例而言，第一導體36A(1)及第二導體36B(1)可為電線。作為另一實例，若將RFID標籤32安裝至作為非限制實例之基底或印刷電路板(PCB)，則第一導體36A(1)及第二導體36B(1)可為基 底或PCB中之導電跡線。第一導體36A(1)及第二導體36B(1)係安置於封閉迴圈構造中(如第2圖所示)，以在具有迴圈導體電感之封閉迴圈導體34(1)內部形成迴圈導體區域38。不連續部分40(1)係佈置於迴圈導體34(1)中作為提供在第一導體36A(1)及第二導體36B(1)之間的不連續功能。不連續部分40(1)形成迴圈導體34(1)中的不連續電容器41(1)。如上所述，將不連續電容器41(1)引入迴圈導體34(1)中降低迴圈導體34(1)電感。
繼續參考第2圖，第一導體36A(1)具有第一長度L 1 且具有第一寬度W 1 。第一導體36A(1)具有第一端42，該第一端42經配置以電性耦接至RFID晶片46之第一天線節點44A用於天線耦接。第一導體36A(1)亦具有安置於第二端50處的第二長度O len1 之第二端部分48(1)。亦提供了迴圈導體34(1)之第二導體36B(1)。第二導體36B(1)亦具有第一長度L 2 及第一寬度W 1 。第二導體36B(1)具有第一端52，第一端52經配置以電性耦接至RFID晶片46之第二天線節點44B用於天線耦接。第二導體36B(1)具有安置於第二導體36B(1)的第二端56處的第二長度O len1 之第二端部分54(1)。
下文展示用於歸因於引入不連續部分40(1)至不連續迴圈天線30(1)的迴圈導體34(1)之電感「L」的公式，其中「Ldis」為電感校正因數。由於不連續部分40(1)之引入，迴圈導體34(1)之有效電感降低等於「Ldis」之量，且藉由分別增加第一導體36A(1)的第二端部分48(1)及 第二導體36B(1)的第二端部分54(1)之重疊長度O len1 ，可將此校正因數減少至零。在以下電感公式中，將重疊長度O len1 稱為「OlenC」，對於重疊長度O len1 ，不連續迴圈天線30(1)之電感等於同等尺寸的連續迴圈天線之電感。將重疊長度O len1 增加到超過「OlenC」後，可使不連續迴圈天線30(1)之電感增加到超出由同等尺寸的連續迴圈天線提供的電感。
L=2W1μ0μr/π[ln(W1/a)-0.77401]-Ldis(Olen1,Ogap1，其中Olen1<OlenC
L=2W1μ0μr/π[ln(W1/a)-0.77401]+Ldis(Olen1,Ogap1，其中Olen1>OlenC
Cdis=Cdis(Olen1,Ogap1)
隨著迴圈導體34(1)電感之減少，迴圈導體34(1)中的不連續部分40(1)在天線中產生固有電容「Cdis」，「Cdis」為重疊長度O len1 及第一導體36A(1)的第二端部分48(1)及第二導體36B(1)的第二端部分54(1)之間的間隙距離O gap1 之函數。已發現不連續迴圈天線30(1)之電容隨著重疊長度O len1 達到重疊長度O len1 之某一值而增加，並隨後維持實質上恆定。對於固定的重疊長度O len1 ，當重疊之第一導體36A(1)的第二端部分48(1)及第二導體36B(1)第二端部分54(1)的中心以沿著迴圈導體34(1)的圓周量測之距離位於離兩個天線節點44A、44B等距定位時，發現迴圈導體34(1)電容最大，且發現迴圈導體34(1)電感最小。
就此而言，迴圈導體34(1)電感之減少以及添加電容至迴圈導體34(1)使迴圈導體34(1)本質上更具電容 性，此舉將不再提供與電容性RFID晶片46之電感匹配，除非迴圈導體34(1)之面積A Dloop1 亦相應增加。藉由增加迴圈導體34(1)的寬度W 1 ，或增加迴圈導體34(1)的重疊長度O len1 ，可使當前電容性迴圈導體34(1)轉變為電感性的。或者增加不連續迴圈天線30(1)之磁場靈敏度，進而在近場耦合期間提供增強的功率耦合及通信範圍。舉例而言，增加迴圈導體34(1)的寬度W 1 可導致大尺寸(例如，>10cm2)不連續迴圈天線30(1)。增加O len1 可導致中等尺寸(例如，4cm2至10cm2)或小尺寸(例如，大約1cm2至4cm2)的不連續迴圈天線30(1)。
間隙距離O gap1 會輕微影響不連續迴圈天線30(1)的迴圈導體34(1)電感。然而，歸因於甚至針對調諧目的製造之後改變O len1 之能力以及迴圈導體34(1)的磁場靈敏度在較大O gap1 間隙距離處受到的影響較少，在決定迴圈導體34(1)電感方面，O gap1 參數不如O len1 突出。因此，影響第2圖中的不連續迴圈天線30(1)的電容抗及電感抗之兩個重要條件為寬度W 1 及O len1 。
總結第2圖，迴圈導體34(1)中提供的不連續部分40(1)將不連續電容器41(1)引入迴圈導體34(1)中。不連續電容器41(1)之引入降低迴圈導體34(1)中的電感。藉由在迴圈導體34(1)中引入不連續部分40(1)來增加不連續迴圈天線30(1)的電容並降低不連續迴圈天線30(1)的電感可導致阻抗變更，可以數種方式利用該阻抗變更以在維持與RFID標籤32中的RFID晶片46之阻抗匹配的同時提 供增強的近場靈敏度。為RFID標籤32增加近場靈敏度在近場耦合期間提供增加的功率獲取。
在參考第2圖之一個非限制實例中，可根據降低之電感增加不連續迴圈天線30(1)的電感，該降低之電感由不連續部分40(1)藉由增加迴圈導體34(1)的迴圈面積A Dloop1 提供。此增加的迴圈面積的結果為：不連續迴圈天線30(1)為近場耦合期間增加的功率獲取效率提供較高的磁場靈敏度。亦藉由增加不連續迴圈天線30(1)之電感，可保持與RFID晶片46之阻抗匹配，如使用迴圈面積較小的連續迴圈天線結構應達成。
此外，因為經由迴圈導體34(1)中的不連續部分40(1)將第2圖中的迴圈導體天線30(1)的電容提供在迴圈導體34(1)中，所以可調整不連續電容器41(1)的電容。 舉例而言，參考第3A圖中的示例性電容曲線51，藉由降低迴圈導體36A(1)及迴圈導體36B(1)的重疊長度O len1 (第2圖所示)可降低不連續電容器41(1)的不連續電容53。降低不連續電容器41(1)的不連續電容53降低使用不連續迴圈天線30(1)的RFID標籤32之總體RFID標籤電容55，原因在於不連續電容器41(1)為串聯的且小於耦接至不連續迴圈天線30(1)的RFID晶片46之RFID晶片電容57。因此，不連續電容器41(1)的不連續電容53控制並降低總RFID標籤電容55。此舉允許將使用不連續迴圈天線30(1)的RFID標籤32調諧至所需諧振頻率及/或應用於可為了效能而要求調諧之物品，該諧振頻率將與不同頻帶匹配。
不連續迴圈天線隨著少許E場靈敏度降低將對H場高度靈敏。將在以下表1中藉由實例說明此情況，表1說明不連續迴圈天線之優勢，包括本文中所述之彼等優勢。
在第2圖之不連續迴圈天線30(1)中，由迴圈導體34(1)中的單個不連續形成不連續部分40(1)。提供單個不連續可為有利的，因為使用兩個或兩個以上不連續，將隔離不連續迴圈天線中之至少一個導體。提供隔離的導體可降低或消除不連續迴圈天線的電感，並提供電容性不連續迴圈天線，電容性不連續迴圈天線將不允許與電容性負載(諸如RFID晶片)阻抗匹配。
基於所需的天線分類，不連續迴圈天線(包括不連續迴圈天線30(1))可設計成為低頻(LF)(例如，<125KHz)天線、中頻(MF)(例如，3MHz至30MHz)天線、超高頻(UHF)(例如，433MHz至960MHz)天線，或極高頻(SHF)(例如，3GHz至30GHz)天線。在本揭示案的以下剩餘內容中揭示之不連續迴圈天線的實施例係關於UHF RFID標籤 天線及歐洲(亦即，865MHz至868MHz)、美國(亦即，902MHz至928MHz)及日本(亦即，954MHz至957MHz)RFID頻帶。接收到的RF信號之頻率決定不連續迴圈天線之有效尺寸。較小的不連續迴圈天線具有較少的輻射耦合能力，且因此可能需要最大化不連續迴圈天線的尺寸以便達成最大輻射耦合及得到功率獲取效能之增加。
就此而言，第3B圖為類似於在第2圖中的不連續迴圈天線30(1)之示例性不連續迴圈天線30(1)'。第3B圖中的不連續迴圈天線30(1)'具有標記(圖示為1A、1B、1C、2A、2B、2C、3A、3B及3C)，該等標記佈置於迴圈導體34(1)'中，該等標記提供修整點，可在修整點處修整迴圈導體34(1)'的第二導體36B(1)'以調諧不連續迴圈天線30(1)'之諧振頻率。舉例而言，可由記號指示標記，若需要，該等記號可經顏色編碼。如上所述，藉由調整第一導體36A(1)'及第二導體36B(1)'之重疊長度，可調節不連續電容，由此調節使用不連續迴圈天線30(1)'的RFID標籤之總電容。藉由減少第一導體36A(1)'及第二導體36B(1)'之重疊長度，可降低不連續電容，由此降低使用不連續迴圈天線30(1)'的RFID標籤之總電容。
因此，可調整不連續迴圈天線30(1)'以便在世界不同區域(美國、歐洲及日本)不同的RFID頻帶下操作，為一個區域的極良好效能而最佳化之一個天線在另一區域中將不會具有相同程度的表現。就此而言，第3C圖為示例性資料表單47，技術人員可使用該資料表單47來調諧第3B圖中之 不連續迴圈天線30(1)'。資料表單47指示哪些標記對應於具有不同RFID操作頻率且進一步基於媒體的不同區域，該媒體中將使用不連續迴圈天線30(1)'。舉例而言，區域47(1)可為歐洲。例如，區域47(2)可為美國。例如，區域47(3)可為日本。如用於不同示例性區域47的RFID標籤基底行49中所指示，使用者可藉由僅使用一對剪刀或其他切割裝置將第二導體36B(1)'縮減(或調諧)至第3B圖中所示之調諧長度(亦即，1A、2A、3A、1B、2B、3B、1C、2C、3C)。舉例而言，RFID標籤基底行49(1)可用於具有較低介電常數k的紙箱RFID標籤基底。RFID標籤基底行49(2)可用於具有中等介電常數k的可撓性聚醯胺RFID標籤基底。RFID標籤基底行49(3)可用於具有較高介電常數k的玻璃或陶瓷RFID標籤基底。或者，此技術使該技術本身在製造時容易自動化而不需要設計若干天線設計。可製造並存放單個基底，且隨後自動化修整製程可為預期用途定製不連續迴圈天線。
此外，因為不連續迴圈天線對磁場極靈敏，所以當在使用連續迴圈天線的RFID標籤之效能以其他方式受到妨礙的環境中部署時，不連續迴圈天線可運轉。不連續迴圈天線可向終端使用者或技術人員提供基於實際應用環境的更佳效能而定製天線特性之可能性。不連續迴圈天線可允許標籤之簡易調諧並且克服苛刻的RF環境，諸如在高介電材料(諸如玻璃)上存在RFID標籤之部署，或極為貼近吸收性材料(諸如水)。水衰減E場傳播，但H場不受液體(諸如水)影響，由此允許不連續迴圈天線在水或其他液體中運轉。舉例而 言，當環繞、置放於水體(諸如一瓶水或其他商業飲料容器)上或置放於液體的RFID標籤通信範圍中時，不連續迴圈天線可具有比極靈敏遠場天線高出約7dB的靈敏度。
就此而言，與12cm長的極靈敏及寬頻帶UHF遠場單極天線比較，為4.8cm×4.3cm的不連續迴圈天線執行實驗性測試裝配。在實驗中，天線置放於氣密玻璃瓶中。氣密玻璃瓶置放於充滿水的罐中。天線與功率餘裕比較，該功率餘裕即以dB為單位的效能量度，該效能量度等於預定義或設定的最大RFID讀取器功率(例如，30dBm)減去讀取使用該等天線之RFID標籤之RFID讀取器功率(以dB為單位)。如以下於表2所示，已在此等模擬苛刻條件下觀察到，對於離RFID讀取器天線20吋的距離處之單極天線，功率餘裕可自自由空間效能降低高達19dB。然而，在該相同距離處，不連續迴圈天線之功率餘裕降低低出10dB。已觀察到，甚至與距饋以1W功率的2dBiRFID讀取器天線1m的遠場單極天線相比，不連續迴圈天線在至少高出6dB的功率耦合下運轉。
本揭示案之剩餘內容將論述改變不連續迴圈天線電感及/或電容以提供所需的耦合效能的方法、技術及實例。增加不連續迴圈天線的迴圈導體電感的一種方式為增加由迴圈導體封閉之迴圈面積。增加不連續迴圈天線的迴圈導體電感之替代方法為增加重疊導體部分之重疊，該等重疊導體部分形成迴圈導體中的不連續部分及不連續電容器。可藉由沿著迴圈導體的輪廓增加重疊導體部分之長度以環繞或部分圍繞迴圈導體之剩餘部分而實現此等方法。此等方法使甚至在完成不連續迴圈天線結構的製造之後改變不連續迴圈天線的迴圈導體電感(及相應中心頻率)並因此視應用環境調諧天線諧振頻率變得更可行。
可以其他形式在迴圈導體中提供不連續部分以便提供不連續迴圈天線。就此而言，第4圖為另一示例性不連續迴圈天線之圖解，該不連續迴圈天線具有不連續部分，該不連續部分由迴圈導線中提供的重疊形成。如第4圖所示，提供了藉由重疊導體提供的不連續迴圈天線30(2)之另一實例。不連續迴圈天線30(2)亦經配置以電性耦接至RFID晶片(諸如RFID晶片46)以提供RFID標籤。不連續迴圈天線30(2)包括迴圈導體34(2)。在此實施例中，迴圈導體34(2)包括第一導體36A(2)及第二導體36B(2)，第一導體36A(2)及第二導體36B(2)各自分別具有端部分48(2)、 54(2)，端部分48(2)、54(2)在間隙距離O gap2 處以重疊距離O len2 彼此重疊以形成不連續部分40(2)。第一導體36A(2)及第二導體36B(2)分別包括大約一百八十(180)度的轉彎58A及58B以在迴圈導體34(2)中提供不連續部分40(2)。不連續部分40(2)在迴圈導體34(2)中形成不連續電容器41(2)以將不連續電容器41(2)引入迴圈導體34(2)。如上所述，將不連續電容器41(2)引入迴圈導體34(2)中降低迴圈導體34(2)電感。
迴圈導體34(2)電感之減少連同將不連續電容器41(2)添加至迴圈導體34(2)使迴圈導體34(2)本質上更具電容性，此舉將不再提供與電容性RFID晶片之電感匹配，除非迴圈導體34(2)之電感亦相應地增加。增加迴圈導體34(2)之電感使得不連續迴圈天線30(2)的磁場靈敏度增加，此舉又在近場耦合期間提供增加的功率耦合及通信範圍。
如上所述，可在迴圈導體中提供不連續部分以便以除在迴圈導體中提供重疊之外的其他方式形成不連續迴圈天線。舉例而言，第5A圖與第5B圖為其他示例性不連續迴圈天線之圖解，該等不連續迴圈天線具有不連續部分，該不連續部分由迴圈導體中提供的端隙形成。如第5A圖所示，提供了包括迴圈導體34(3)的不連續迴圈天線30(3)。在此實施例中，迴圈導體34(3)包括第一導體36A(3)及第二導體36B(3)，第一導體36A(3)及第二導體36B(3)各自具有端部分48(3)、54(3)，端部分48(3)、54(3)不 重疊，但佈置為彼此相距一間隙距離O gap3 ，以形成不連續部分40(3)。不連續部分40(3)在迴圈導體34(3)中形成不連續電容器41(3)以將不連續電容器41(3)引入迴圈導體34(3)。如上所述，將不連續電容器41(3)引入迴圈導體34(3)降低迴圈導體34(3)電感以允許隨後增加電感以提供增加的磁場靈敏度及功率獲取。
如第5B圖所示，提供了包括迴圈導體34(4)的替代性不連續迴圈天線30(4)。在此實施例中，迴圈導體34(4)包括第一導體36A(4)及第二導體36B(4)，第一導體36A(4)及第二導體36B(4)各自具有端部分48(4)、端部分54(4)，端部分48(4)、54(4)不重疊，但佈置為彼此距離一間隙距離O gap4 ，以形成不連續部分40(4)。在此實施例中，端部分48(4)、54(4)含有平面部分60A、60B，平面部分60A、60B佈置為與迴圈導體36A(4)、36B(4)的縱軸正交。不連續部分40(4)在迴圈導體34(4)中形成不連續電容器41(4)以將不連續電容器41(4)引入迴圈導體34(4)。如上所述，將不連續電容器41(4)引入迴圈導體34(4)降低迴圈導體34(4)電感以允許隨後增加電感以提供增加的磁場靈敏度及功率獲取。
第6A圖及第6B圖為作為不連續迴圈天線的其他實例之其他示例性不連續迴圈天線之圖解，該等不連續迴圈天線具有不連續部分，該等不連續部分由迴圈導線中提供的交叉指狀部分形成。如第6A圖所示，提供了包括迴圈導體34(5)的替代性不連續迴圈天線30(5)。在此實施例中，迴 圈導體34(5)包括第一導體36A(5)及第二導體36B(5)，第一導體36A(5)及第二導體36B(5)各自具有端部分48(5)、54(5)，端部分48(5)、54(5)重疊以形成不連續部分40(5)。端部分54(5)佈置在端部分48(5)的兩個分支部分62A、62B之間。不連續部分40(5)在迴圈導體34(5)中形成不連續電容器41(5)以將不連續電容器41(5)引入迴圈導體34(5)。如上所述，將不連續電容器41(5)引入迴圈導體34(5)降低迴圈導體34(5)電感以允許隨後增加電感以提供增加的磁場靈敏度及功率獲取。
第6B圖提供了包括迴圈導體34(6)的替代性不連續迴圈天線30(6)。在此實施例中，迴圈導體34(6)包括第一導體36A(6)及第二導體36B(6)，第一導體36A(6)及第二導體36B(6)各自具有端部分48(6)、54(6)，端部分48(6)、54(6)重疊以形成不連續部分40(6)。端部分48(6)具有兩個分支部分64A、64B，且端部分54(6)具有兩個分支部分66A、66B。分支部分66A佈置在分支部分64A、64B之間，且分支部分64B佈置在分支部分66A、66B之間。不連續部分40(6)在迴圈導體34(6)中形成不連續電容器41(6)以將不連續電容器41(6)引入迴圈導體34(6)。如上所述，將不連續電容器41(6)引入迴圈導體34(6)降低迴圈導體34(6)電感以允許隨後增加電感以提供增加的磁場靈敏度及功率獲取。
第7A圖及第7B圖分別為耦接至不具有及具有靜電放電(ESD)分路的RFID晶片46之通用型不連續迴圈天線 30的示例性表示的等效電路圖。舉例而言，不連續迴圈天線30可為上述之任何不連續迴圈天線30(1)至30(6)。第7A圖中的不連續迴圈天線30具有串聯形成迴圈導體34的電感68及電容70，且不連續迴圈天線30不包括ESD分路。不連續迴圈天線30的電感阻抗(XL)與組合RFID晶片46及不連續迴圈天線30的總體串聯電容阻抗(XCchip+XC)匹配。第7B圖的不連續迴圈天線30'中包括ESD分路72，ESD分路72包括額外的電感部件74，額外的電感部件74佈置為與迴圈導體34'及RFID晶片46平行以提供電感阻抗(XLP)，可藉由改變封閉的迴圈面積來調諧電感阻抗(XLP)，藉由與RFID晶片46平行的ESD分路72封閉該封閉的迴圈面積。ESD分路72對於不連續迴圈天線30'運轉不是必需的。在迴圈導體34'中引入ESD分路72對不連續迴圈天線30'的阻抗具有可抵消的效應。然而，當發生ESD事件時，ESD分路72充當為RFID晶片46提供額外的ESD保護之直流(DC)分路。基於可行性，ESD分路72之位置或佈局可在迴圈導體34'的內部或外部。
第8A圖及第8B圖為示例性連續迴圈天線84及示例性不連續迴圈天線86之圖解。在此實例中，第8B圖中的不連續迴圈天線86具有三百(300)μm之不連續寬度W D1 。第8C圖為比較分別在第8A圖中的連續迴圈天線84及第8B圖中的不連續迴圈天線86於磁場中的模擬功率耦合之曲線圖88。自第8C圖的曲線圖88可注意，與由此實例中連續迴圈天線84於相同H場中提供之峰值為1.63mW的功率耦合對 照，不連續迴圈天線86在H場中提供峰值為150Mw的功率耦合(亦即，19.6dB差值)。如第8C圖所示，在-10dBA/m H場(或0.32A/m)中，不連續迴圈天線86超出連續迴圈天線84功率耦合改良約20dB。儘管多數功率耦合優勢係歸因於藉由不連續迴圈天線86封閉之較大的迴圈面積，但不連續迴圈天線86可包括增加功率耦合之其他內在因素。應注意，較小尺寸的連續迴圈天線84與較大尺寸的不連續迴圈天線86兩者經連接橫跨相同的RFID晶片，或25-j250之相同晶片阻抗。第8A圖與第8B圖中的模擬模型係基於將RFID晶片及不連續迴圈天線86置放於具有3.55的介電常數之100μm厚的聚醯亞胺基底材料上。
返回參考第2圖之不連續迴圈天線30(1)，藉由使O len1 保持最小值並增加迴圈導體34(1)之W 1 來實現大面積不連續迴圈天線。藉由使O len1 保持為零、不設計導體重疊，或設計具有藉由小間隙距離O gap1 對準並分隔之導體不連續性可實現用於固定跡線寬度(TW)及不連續處之跡線對跡線間隙(亦即導體對導體重疊)(TGD)之最大面積不連續迴圈天線。就此而言，第9A圖及第9B圖為具有變化的不連續間隙之其他示例性不連續迴圈天線90、92之圖解。第9C圖為比較第9A圖中的不連續迴圈天線90及第9B圖中的不連續迴圈天線92之功率耦合的示例性曲線圖94，例如，比較第9A圖中跡線對跡線間隙(TGD)較小之不連續迴圈天線90與第9B圖中TGD較大之不連續迴圈天線92在相同的-10dBA/m H場中的功率耦合的曲線圖。發現TGD為0.1mm之 不連續迴圈對比TGD為2.7mm之功率耦合優勢為0.3dB。
第10A圖及第10B圖分別為其他示例性不連續迴圈天線96、98之簡圖，該等不連續迴圈天線96、98具有不同的天線迴圈跡線寬度。可將大尺寸不連續迴圈天線96、98設計為具有不同跡線寬度。在此實例中，第10A圖及第10B圖中，不連續迴圈天線96、98各自具有不連續寬度W D2 及W D3 ，W D2 及W D3 二者為三百(300)μm。跡線之寬度越大，功率耦合越高。例如，自1mm至12mm之跡線寬度增加，發現功率耦合優勢為2.8dB。當用於標籤阻抗匹配之藉由第10A圖中的跡線寬度為1mm的不連續迴圈天線96封閉的非金屬迴圈面積為約20 sq cm時，發現用於標籤阻抗匹配之藉由第10B圖中的跡線寬度為12mm的不連續迴圈天線98封閉的非金屬迴圈面積約為12cm2。與不連續迴圈天線96中寬度為1mm的跡線比較，第10B圖中不連續迴圈天線98中的寬度為12mm的跡線之功率耦合優勢主要歸因於不連續處較大的跡線寬度(TWD)。例如，第10C圖為比較第10A圖中的不連續迴圈天線及第10B圖中的不連續迴圈天線分別於-10dBA/m H場/磁場中的功率耦合之示例性曲線圖100。
第11A圖與第11B圖為在不連續性部分處具有變化的天線迴圈跡線寬度之其他示例性不連續迴圈天線102、104之圖解。在此實例中，第11A圖及第11B圖中之不連續迴圈天線102、104各自具有三百(300)μm之不連續寬度W D5 。例如，第11C圖為對比分別在第11A圖及在第11B圖中的不連續迴圈天線分別於-10dBA/m H場/磁場中的功率耦合的示 例性曲線圖106。圖示不連續處跡線寬度(TWD)對於不連續迴圈天線102、104之功率耦合的效應。用於特定迴圈導體之TWD越大，天線電感越大，需要針對標籤阻抗匹配而減小迴圈尺寸。然而，較小面積不連續迴圈天線104之功率耦合可高於較大面積封閉的不連續迴圈天線102。在圖中，與TWD=5.2mm的20 sq cm迴圈之153mW相比，發現TWD為0.4mm的25 sq cm迴圈之功率耦合為141mW，耦合優勢為大約0.3dB。較高TWD之較高功率耦合係歸因於較低的天線電阻，較低的天線電阻在天線結構中引起較少的損耗，如可自第11A圖及第11B圖中所示的兩個天線102、104之阻抗推斷。保持TWD大於跡線寬度(TW)可在兩個方面有益。儘管保持TWD大於TW有助於改良功率耦合，但此舉亦允許藉由將TWD之寬度修整為接近TW來調諧不具有跡線重疊調諧特徵之最大面積不連續迴圈天線。
第12A圖及第12B圖分別為具有內部靜電放電(ESD)迴圈111及外部靜電放電(ESD)迴圈113之其他示例性不連續迴圈天線108、不連續迴圈天線110之圖解。例如，第12C圖為分別對比第12A圖中之不連續迴圈天線108及第12B圖中之不連續迴圈天線110相對於無ESD跡線(圖示為曲線109)之相同不連續迴圈天線在-10dBA/m H場/磁場中之功率耦合的示例性曲線圖112。在此實例中，第12A圖及第12B圖中之不連續迴圈天線108及不連續迴圈天線110各自具有三百(300)μm之不連續寬度W D6 。不連續迴圈天線108及不連續迴圈天線110中之兩個ESD跡線端以穿過電 容RFID晶片之分路部件之形式連接至兩個RFID晶片端子中之任意一者。儘管變更ESD跡線的位置會影響迴圈之電抗，然ESD跡線之併入主要用於ESD保護之目的，而非用於阻抗匹配。最佳化ESD跡線之位置以建立對不連續迴圈天線108及不連續迴圈天線110之RF阻抗的最小影響。在DC條件下，或在發生ESD之情況下，ESD分路跡線充當接地至高壓之短路。基於應用要求，可將ESD跡線放置在不連續迴圈天線108之面積內部，或放置在不連續迴圈天線110之最大面積外部。除ESD保護特徵外，經由無ESD之不連續迴圈天線實現將功率耦合增加約0.5dB。原因在於：與不連續迴圈天線110之外部ESD迴圈導體或無ESD之迴圈導體相比，由於不連續迴圈天線108之內部ESD迴圈導體的「迴圈套迴圈(loop in a loop)」設計，增強了H場功率耦合。
第13A圖及第13B圖為具有不同的形狀因子的其他示例性不連續迴圈天線114及不連續迴圈天線116之簡圖。在此實例中，第13A圖及第13B圖中之不連續迴圈天線114及不連續迴圈天線116各自具有三百(300)μm之不連續寬度W D7 。例如，第13C圖為對比第13A圖中之不連續迴圈天線114及第13B圖中之不連續迴圈天線116分別在-10dBA/m H場/磁場中的功率耦合的示例性曲線圖118。例如，第13D圖為對比第13A圖中之不連續迴圈天線114及第13B圖中之不連續迴圈天線116分別在-10V/m E場/電場中的功率耦合的示例性曲線圖120。形狀因子影響用於E場及H場激勵中之功率耦合之不連續迴圈天線114的最大面積。最大面積不 連續迴圈天線114之E場靈敏度可以不連續迴圈天線114之H場靈敏度為代價藉由增加不連續迴圈天線114的長寬(L/W)比而增加。在L/W比(2.3)較高之情況下，6.9cm長之不連續迴圈天線116的E場靈敏度比L/W比(1.06)較低之不連續迴圈天線高1.4dB。如第13D圖所示，為了達成高出1.4dB的E場靈敏度，損失了1.0dB的H場靈敏度。因此，可使用簡單的天線設計變化來定製不連續迴圈天線114、116之相對H場靈敏度及E場靈敏度。
為了經由跡線重疊縮減處理調諧優勢，可藉由保持小跡線重疊來設計大面積不連續迴圈天線而非最大面積不連續迴圈天線。就此而言，第14A圖至第14C圖分別為其他示例性不連續迴圈天線122、124、126之圖解，該等不連續迴圈天線具有經調諧用於不同中心頻率之相同形狀因子天線迴圈尺寸。例如，第14D圖為對比分別在第14A圖至第14C圖中的不連續迴圈天線在具有寬度為1mm之迴圈的-10dBA/m H場/磁場中所接收功率的功率耦合的示例性曲線圖128，功率耦合作為頻率之函數。在第14A圖中，提供2.53mm之跡線重疊長度W L1 以使不連續迴圈天線122在885MHz處諧振。藉由將跡線縮短約1mm，第14C圖中具有1.23mm W L3 之跡線重疊長度W L2 的不連續迴圈天線126可設計為在915MHz處諧振。藉由進一步將跡線縮短約1mm以提供0.03mmW L3 之跡線重疊長度W L2 ，可使第14B圖中的不連續迴圈天線124在945MHz處諧振。為了將不連續迴圈天線變更為大約866Mhz之歐洲頻帶，或變更為956MHz之日本頻帶，可 在對應於915MHz之縮減點的任意一側將縮減點延伸1.5mm。對於尺寸更小之不連續迴圈天線，縮減點之變更應更大。在此實例中，與小尺寸連續迴圈天線相比，此等大面積不連續迴圈天線122、124、126享有之功率耦合優勢可高達19dB。
為了使用於調諧目的之微縮減程序更輕鬆且促使天線之尺寸更小，可增加不連續迴圈天線之O len1 (第2圖)設計參數以實現中等尺寸(例如4 sq cm至10 sq cm)天線。就此而言，第15A圖為另一示例性不連續迴圈天線130的圖解，該不連續迴圈天線130經設定尺寸以用於間隔約束之應用，藉由重疊不連續迴圈天線跡線且增加跡線長度來實現該不連續迴圈天線130。在第15A圖中，提供300μm之跡線重疊長度W L4 以使不連續迴圈天線122在915MHz處諧振。例如，第15B圖為圖示第15A圖中不連續迴圈天線130在-10dBA/m H場/磁場中之功率耦合的示例性曲線圖132。
第16A圖至第16C圖分別為其他示例性不連續迴圈天線134、136、138之圖解，該等不連續迴圈天線134、136、138具有與第15A圖中不連續迴圈天線相同的形狀因子，該等不連續迴圈天線134、136、138經調諧分別用於885MHz、915MHz及945MHz之不同中心頻率(作為非限制實例)。在此實例中，不連續迴圈天線134、136、138中之每一者具有三百(300)μm之不連續寬度。例如，第16D圖為對比分別在第16A圖至第16C圖中的不連續迴圈天線134、136、138在-10dBA/m H場/磁場中接收到的功率的功率耦合的示例性 曲線圖140，該等功率耦合作為頻率之函數。在此實例中，不連續迴圈天線134、136、138中之縮減點可針對自885MHz至915MHz或自915MHz至945MHz的30MHz變化到4mm。除調諧不連續迴圈天線134、136、138之外，亦可在將不連續迴圈天線134、136、138用於不同應用的同時，將不連續迴圈天線134、136、138調諧至具有與彼地區頻譜中之中心頻率對應之峰值耦合回應。
第17A圖至第17C圖為其他示例性不連續迴圈天線142、144、146之圖解，該等不連續迴圈天線142、144、146具有與第15A圖中不連續迴圈天線130相同的形狀因子，第15A圖中不連續迴圈天線130經設計用於不同基底材料上之示例性應用。在此實例中，不連續迴圈天線142、144、146中之每一者具有三百(300)μm之不連續寬度。例如，第17D圖為對比分別在第17A圖至第17C圖中的連續迴圈天線142、144、146在-10dBA/m H場/磁場中接收到的功率方面的功率耦合的示例性曲線圖148，功率耦合作為頻率之函數。舉例而言，例如，在美國可將不連續迴圈天線142、144、146的峰值回應保持在915MHz(作為實例)，視RFID標籤之應用，可將該RFID標籤放置在紙盒上(例如第17A圖中之不連續迴圈天線142)、放置在可撓性電子板上(例如第17B圖中之不連續迴圈天線144)，或有損耗的玻璃基底上(例如第17C圖中之不連續迴圈天線146)。
第18A圖為另一示例性不連續迴圈天線150之圖解，該不連續迴圈天線150經調諧至915MHz，作為非限制 實例，該不連續迴圈天線150可為第15A圖中之不連續迴圈天線130，且提供該不連續迴圈天線150以用於與第18B圖中之不連續迴圈天線152進行對比。第18B圖為另一示例性不連續迴圈天線152之圖解，該不連續迴圈天線152具有使用隔離之圓周跡線改良之功率耦合。作為非限制實例，可將不連續迴圈天線152調諧至915MHz。例如，第18C圖為對比分別在第18A圖及第18B圖中的不連續迴圈天線150、152在-10dBA/m H場/磁場中接收到的功率方面的功率耦合的示例性曲線圖154。在此實例中，發現隔離圓周跡線之用途在於將功率耦合改良約0.8dB。原因在於在此實例中藉由「迴圈套迴圈」設計增強H場功率耦合。
另一類不連續迴圈天線為小面積不連續迴圈天線。由於一些RFID應用的苛刻尺寸約束，可能需要將不連續迴圈天線之形狀因子保持在較小之程度，例如，諸如接近1cm2。就此而言，第19A圖及第19B圖分別為另一示例性小尺寸連續迴圈天線156及不連續迴圈天線158之圖解。例如，第19C圖為對比第19A圖中之連續迴圈天線156及第19B圖中之不連續迴圈天線158在-10dBA/m H場/磁場接收到之功率方面的功率耦合的示例性曲線圖160。如第19C圖中所示，在此實例中，小尺寸不連續迴圈天線158之耦接峰值比相同尺寸連續迴圈天線156高4.5dB。原因在於由於多回轉迴圈結構引起的不連續迴圈天線158之經改良阻抗匹配以及更高的H場功率耦合能力。
第20A圖及第20B圖分別為另一示例性小尺寸連續 迴圈天線162及不連續迴圈天線164之圖解。例如，第20C圖為對比分別在第20A圖中之連續迴圈天線162及在第20B圖中之不連續迴圈天線164在-10dBA/m H場/磁場接收到之功率方面的功率耦合的示例性曲線圖166。可將不連續迴圈天線164減小至小於1cm2以得到較高的(2.4dB)峰值功率耦合。然而，不連續迴圈天線164之較低帶寬效應可通過操作之整個RFID頻帶產生類似平均功率。
在小尺寸不連續迴圈天線中亦可包括ESD跡線特徵。ESD特徵係用於ESD保護之目的，即便應注意ESD的可能性可能由於封閉間隔之相鄰跡線而最小化及剛好接觸單個跡線的可能性係最小的。在小尺寸不連續迴圈天線之情況下，若較佳的是具有ESD以及小尺寸約束，可在不連續迴圈天線中提供外部ESD跡線。就此而言，第21A圖與第21B圖分別為另一示例性小尺寸連續迴圈天線168及具有外部ESD跡線169之不連續迴圈天線170之圖解。例如，第21C圖為對比分別在第21A圖中之連續迴圈天線168及在第21B圖中之不連續迴圈天線170在-10dBA/m H場/磁場接收到之功率方面的功率耦合的示例性曲線圖172。如第21C圖中所示，該天線佔用之面積之輕微增加(1.67 sq cm)對應於比小尺寸連續迴圈天線高2.7dB之功率耦合。
第22A圖及第22B圖分別為另一示例性小尺寸連續迴圈天線174及具有內部ESD跡線177之不連續迴圈天線176之圖解。在此實例中，連續迴圈天線174為1.27cm2。在此實例中，不連續迴圈天線176為1.82cm×1.7cm。例如，第 22C圖為對比分別在第22A圖中之連續迴圈天線174及在第22B圖中之不連續迴圈天線176在-10dBA/m之H場/磁場接收到的功率方面的功率耦合的示例性曲線圖178。
可使用若干方法來增加不連續迴圈天線之迴圈面積。一種示例性方法包括增加天線迴圈結構之長度及/或寬度。另一示例性方法包括增加天線迴圈結構的重疊以在不連續迴圈天線中形成不連續。可在RFID標籤之設計階段期間提供此等方法。然而，因為不連續迴圈天線中提供之不連續，即便在天線製造完成之後，亦可變更不連續迴圈天線之電感及相應中心頻率。視應用可藉由修整不連續部分來調諧不連續迴圈天線諧振頻率。
本發明之實施例亦包括無線射頻識別(RFID)標籤，該RFID標籤包含經配置以接收RF功率之RFID積體電路(IC)晶片。RFID標籤亦包含電性耦接至RFID IC晶片之不連續迴圈天線。不連續迴圈天線係經配置以自接收到的RF信號獲取RF功率，且將RF功率提供至RFID IC晶片以為RFID IC晶片供電。RFID標籤可為被動或半被動RFID標籤。RFID標籤可為主動RFID標籤。不連續迴圈天線可與RFID IC晶片阻抗匹配。不連續迴圈天線可包含迴圈導體及不連續部分，該不連續部分佈置在迴圈導體中形成該迴圈導體中之不連續電容器。不連續電容器可具有小於RFID IC晶片之電容。RFID標籤可佈置在玻璃媒體、聚醯亞胺媒體及紙媒體中之至少一者上。RFID標籤可佈置在液體中或佈置在液體之RFID標籤通信範圍內。
不連續迴圈天線可經配置以調諧至諧振頻率，該諧振頻率作為調整不連續部分之函數。不連續迴圈天線可經配置以調諧至諧振頻率，該諧振頻率作為調整不連續電容器之不連續電容的函數。不連續迴圈天線可經配置以調諧至諧振頻率，該諧振頻率作為調整不連續部分以變更迴圈導體之電感的函數。不連續迴圈天線可具有經配置以藉由調整不連續部分來進行調整之可調整阻抗。不連續部分可藉由在迴圈導體中彼此遠離一重疊距離的重疊導體形成。不連續部分可藉由在迴圈導體中形成之具有間隙距離之間隙不連續形成。不連續部分可藉由迴圈導體中形成之寬度降低的區段形成，該寬度降低的區段具有第一寬度，該迴圈導體具有大於該第一寬度之第二寬度。
本揭示案之另一實施例亦包括一種藉由RFID標籤之RFID標籤天線接收無線射頻(RF)信號的方法。方法包含經由不連續迴圈天線接收RF信號，該不連續迴圈天線包含迴圈導體及不連續部分，該不連續部分佈置在迴圈導體中形成該迴圈導體中之不連續電容器。該方法亦包含提供RF信號至RFID IC晶片。該方法亦包含用來自RF信號之RF能量為RFID IC晶片供電。該方法亦包含在RFID IC晶片中解調用RF信號的RF通信。
該方法可進一步包含調諧不連續迴圈天線至諧振頻率，該諧振頻率作為調整不連續部分之函數。該方法可進一步包含調諧不連續迴圈天線至諧振頻率，該諧振頻率作為調整不連續電容器之不連續電容的函數。該方法可進一步包 含調諧不連續迴圈天線至諧振頻率，該諧振頻率作為調整不連續部分以變更迴圈導體之電感的函數。該方法可進一步包含調整不連續部分以調整迴圈導體之阻抗。該方法可進一步包含藉由在佈置於迴圈導體中之標記處修整迴圈導體來調整不連續部分以調諧不連續迴圈天線之諧振頻率。該方法可進一步包含藉由在佈置於迴圈導體中之標記處修整迴圈導體來調整基於基底材料之不連續部分以調諧諧振頻率。
該方法可進一步包含降低不連續部分之不連續電容之步驟，該步驟包含降低形成不連續部分之重疊導體之間的重疊距離。該方法可進一步包含降低不連續部分之不連續電容之步驟，該步驟包含增加形成不連續部分之間隙不連續中的間隙距離。該方法可進一步包含降低不連續部分之不連續電容之步驟，該步驟包含降低在迴圈導體中形成之寬度減少之區段的第一寬度，以形成不連續部分，其中該迴圈導體具有大於第一寬度之第二寬度。該方法可進一步包含藉由增加迴圈導體之迴圈面積來增加迴圈導體的電感。增加迴圈導體之電感可包含增加形成不連續部分之重疊導體之間的重疊距離。該方法可進一步包含調整迴圈導體之縱橫比以控制不連續迴圈天線之相關H場及E場的靈敏度。該方法可進一步包含藉由調整不連續部分來調整RFID標籤之阻抗。
可以適當之電路及/或裝置將任意實施例中揭示之任意功能併入或提供到任意其他實施例中。儘管所闡述之實施例係針對元件，其中元件之RFID允用版本(包括IC及IC晶片)使用被動RFID標籤，視所需之RFID標籤系統的特定 功能，進一步實施例包括一或更多半被動或主動RFID標籤。舉例而言，在裝置中可包括本文中所揭示之不連續迴圈天線，作為RFID標籤之部分或分離於RFID標籤，且可在RFID系統中包括或不包括該不連續迴圈天線，且該等裝置及RFID系統包括(不限於)機上盒、娛樂單元、導航裝置、通信裝置、個人數位助手(PDA)、固定位置資料單元、行動位置資料單元、行動電話、蜂巢電話、電腦、可攜式電腦、桌上電腦、基於處理器之裝置、基於控制器之裝置、監視器、電腦監視器、電視、調諧器、無線電設備、衛星無線電設備、音樂播放器、數位音樂播放器、可攜式音樂播放器、視訊播放器、數位視訊播放器、數位視訊光碟(DVD)播放器，及可攜式數位視訊播放器。
可在所需之任意應用中使用具有不連續迴圈天線之RFID標籤或其他負載裝置，該所需之任意應用包括但不限於：電連接器、醫療裝置、液力耦合器、飲料分配容器、工業控制器、環境監視裝置、消費型電子設備、電子設備總成及子總成、容器及蓋子、門及門框、窗及窗臺、醫藥容器、醫療裝置、飲料容器、服裝、信用卡，以及若干其他應用。
熟習該等實施例所屬技術者將聯想到本文中所闡述之實施例的諸多修改及其他實施例，修改及其他實施例得益於前述描述及相關圖式中所呈現之教示。因此，應瞭解描述及申請專利範圍並不限於所揭示之特定實施例，且意欲將修改及其他實施例涵蓋於隨附請求項之範疇之內。實施例意欲涵蓋在所附申請專利範圍及所附申請專利範圍之等效物範 圍內的實施例提供的修改及變化。儘管本文中使用了特定術語，然該等術語僅有通用及描述性意義，並非用於限制之目的。
10‧‧‧無線射頻識別(RFID)系統
12‧‧‧被動RFID標籤
14‧‧‧積體電路
16‧‧‧天線
18‧‧‧記憶體
20‧‧‧主體
22‧‧‧RFID讀取器
24‧‧‧無線RFID信號
26‧‧‧發射器

Claims (20)

  1. 一種不連續迴圈天線，包括：一迴圈導體；及一不連續部分，該不連續部分佈置在該迴圈導體中形成該迴圈導體中之一不連續電容器。
  2. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，該不連續迴圈天線包含該迴圈導體中之一單個不連續部分。
  3. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，其中該迴圈導體由一單個迴圈轉彎組成
  4. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，其中該迴圈導體由複數個迴圈轉彎組成。
  5. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，其中該迴圈導體由至少一個圓周跡線組成。
  6. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，該不連續迴圈天線經配置以調諧至一諧振頻率，該諧振頻率作為調整該不連續部分之一函數。
  7. 如請求項6所述之不連續迴圈天線，該不連續迴圈天線經配置以調諧至以下中心頻率中之至少一者：885MHz、915 MHz及945MHz。
  8. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，該不連續迴圈天線經配置以調諧至一諧振頻率，該諧振頻率作為調整該不連續電容器之不連續電容的一函數。
  9. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，該不連續迴圈天線經配置以調諧至一諧振頻率，該諧振頻率作為調整該不連續部分以變更該迴圈導體之電感的一函數。
  10. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，該不連續迴圈天線進一步包含至少一個標記，該至少一個標記佈置在該迴圈導體中，以引入該迴圈導體之至少一個修整點以調整該不連續部分，以調諧該迴圈導體之一諧振頻率。
  11. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，該不連續迴圈天線具有一可調整阻抗，該可調整阻抗經配置以藉由調整該不連續部分來調整。
  12. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，其中該不連續部分係由佈置在該迴圈導體中彼此遠離一重疊距離的重疊導體形成。
  13. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，其中該不連續部分 係由在該迴圈導體中形成之具有一間隙距離之間隙不連續形成。
  14. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，該不連續部分藉由在該迴圈導體中形成之一寬度降低的區段形成，該寬度降低的區段具有一第一寬度，該迴圈導體具有大於該第一寬度之一第二寬度。
  15. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，其中該不連續部分係由至少一個交叉指狀部分形成。
  16. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，其中該迴圈導體係由以下各者組成：一第一長度之一第一導體，該第一導體具有經配置以電性耦接至一第一天線節點的一第一端，及佈置在一第二端處的一第二長度的一第二端部分；一第一長度之一第二導體，該第二導體具有經配置以電性耦接至一第二天線節點的一第一端，及佈置在一第二端處的一第二長度的一第二端部分；且該第一導體及該第二導體係安置於一封閉迴圈構造中以在該封閉迴圈構造內部形成一迴圈導體，該迴圈導體具有一迴圈導體電感；且其中該不連續部分係由該第一導體之該第二端部分與該第二導體之該第二端部分之間的一不連續形成，該第一導體 之該第二端部分與該第二導體之該第二端部分以一間隙距離佈置以在該迴圈導體中形成該不連續電容器。
  17. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，該不連續迴圈天線進一步包含耦接至該迴圈導體之至少一個靜電放電(ESD)分路。
  18. 如請求項17所述之不連續迴圈天線，其中該至少一個ESD分路係由：佈置在該迴圈導體內部之一第一ESD分路，及佈置在該迴圈導體外部之一第二ESD分路中之至少一個組成。
  19. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，阻抗與另一電路匹配。
  20. 如請求項1所述之不連續迴圈天線，該不連續迴圈天線佈置在一玻璃媒體、一聚醯亞胺媒體及一紙媒體中之至少一者上。
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