TW201237705A - Method and associated apparatus for multi-touch control - Google Patents

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iwwatv\MY 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 別3ίΓΓ是有關於—種多指觸控方法與相關裝置，且特 疋有關於一種可以避免誤報多指 與相關裝置。 j/伯嗎佐万忐 【先前技術】 觸控，能實現友善、直覺、方便易用的使用者介 面，已成為現今最受歡迎的人機介 進行多指觸控辨識的觸 鉬其疋月b ，目技打。觸控技術是以觸控面板感 =:广吏用者的手指）的觸控座標位置 知 欲進行的操控動作。要進—步實現多指觸控，首 是判斷使用者的觸控係屬於單指觸控事件或多 =控事件，錢才能正確地依據單指觸控事件與多: ^事件所分別對應的處理規則分析出使用者欲進行的操 需要-種能正確辨識多指觸控的觸控技術。 【發明内容】 為實現觸控技術，觸控面板中埋 極，以提供複數個感應量（如 巧 =電 應的感應量會較大，·換句4 置附近，對 值感應量後，峰值感庫量之些感應量中比對出峰 里所對應的座標位置就是使用者縮 控的位置。若使用者以多指（多 夕相i夕個觸控物）進行觸控，複 201237705

1W7458PAMY 數個感應量中會對應地出現多個峰值。 因此’本發明係提出—種能降低多指觸控誤報的多指 觸控方法與相關裝置。 本發明提出一種多指觸控方法，包括：相關於一感測 面板’感測複數個分別對應不同座標位置的感應量，並在 這些感應量中辨識出兩峰值感應量；提供一臨界值，比較 兩峰值感應量間的各感應量是否低於臨界值以產生比較 結果’並依據比較結果決定是否回報一多指觸控事件。舉 例而言，若科值錢量fa1的各感應量均未低於該臨界 值，不回報多指觸控事件；若兩峰值感應量間的各感應量 有一個低於臨界值，則回報多指觸控事件。 較佳地’可依據兩峰值感應量的對應座標位置差異及 /或峰值感應量的大小決定臨界值。或者，可依據兩峰值 感應量與相鄰的各感應量分別計算出兩個群組感應量，並 據此決定臨界值的大小’使臨界值相關於兩蜂值感應量間 的座標位置差異及/或兩群組感應量的大小。在針對一峰 值感應量計算其對應的群組感應量時，可依據峰值感應量 與其相鄰各感應量間的變化情形（如斜率）料值感應量 與適當數目個相鄰感應量群組為一，代表在一觸控物（一 指^觸控區域中所涵蓋的各感應量；而依據這些感應量 計异出的群組感應量就可代表此觸控物在觸控面板上所 引發的總感應量。 臨界值可相關於觸控面板的特十生。例如，臨界值的大 小可以和觸控面板的堆疊結構相關，亦可和感測電極的形 狀與位置分佈相關。電容性觸控面板可以由覆鏡層（⑺资 201237705

i W/43»PAMY 基底層與共同電極層等堆疊而成； ^覆鏡層與基底層是不導電的，感測電靜应丘同電 =由Z形成，感測電極即分佈/形成二電 響二：:厚度、介電常數與各層間的間隔距離皆影 信可以利用電磁核擬來提供紮實可信的臨界 nr架構與一個具有預設尺寸的預定觸控物 物柱模擬—手指）來計算（模擬）預定觸控 I預期^=上導致的錢量’以剌對應的職感應量 分佈；預期感應量分佈即預期感應量隨座標 2改^的情形。依據預定觸控物與其對應的預期感應量 =，可推論兩個敢觸控物在各種輯下加成的感應量 /刀佈。若兩觸控物的距離太過接近，感應量分佈中只會出 現-_值；當兩觸控物間的距離變大，感應量分佈中才 會解析出兩個峰值。因此，根據預定觸控物的預期感應量 分佈，便可得到一觸控解析距離。 針對兩預定觸控物相距該觸控解析距離的情形，可依 =感測電，的形狀、位置分佈以及預定觸控物的預期感應 罝分佈求算出各感測電極上感測到的感應量；在此種情形 下’由於感應量分佈會解析出兩個峰值，故可得知兩峰值 ^應量間的谷值感應f ’並據此決定對應的預期谷值感應 里。也就是說，針對一個具有一定尺寸的預定觸控物，本 發明可得到-對應的預期谷值感應量。依據相同的原理， 本發明便可針對複數種尺寸不同的預定觸控物（例如半徑 不同的導電11柱）分卿擬對應的賴錢量、預期感應 201237705

1 W/4^5FAIVlY 量分佈，並求出對應的觸控解析距離與預期谷值感應量。 較佳地，可將觸控面板實際感測得到的兩峰值感應量 (及/或群組感應量）與各預定觸控物的預期感應量（及/ 或感應量分佈）進行比對；由於預定觸控物的尺寸已知， 若感測的峰值感應量/群組感應量符合某一預定觸控物的 預期感應量/感應量分佈（如相互間的誤差小於一容許 值），代表實際觸控物的尺寸接近該相符預定觸控物的尺 寸。依據相符預定觸控物所對應的預期谷值感應量，便可 決定臨界值。 較佳地，可依據不同預定觸控物的尺寸與對應的預期 谷值感應量進行曲線擬合（curve fitting)以提供一曲 線；在估算出實際觸控物的尺寸後，便可依據此曲線計算 出對應的預期谷值感應量，並據此來決定臨界值的大小。 曲線可簡化為一或多個區間，各區間對應一預期谷值 感應量（或一臨界值），也就是用查表方式來決定臨界值。 例如5本發明可提供一或多個感應量區間’各感應量區間 提供一對應的預期谷值感應量（或一對應的臨界值）；在 由實際感測的感應值中取得峰值感應量/群組感應量後， 可針對峰值感應量及/或群組感應量與各感應量區間進行 比對，以比對出與峰值感應量/群組感應量相符的感應量 區間，並依據相符感應量區間的對應預期谷值感應量（或 對應臨界值）求得臨界值的大小。 本發明亦提供一多指觸控裝置，耦接一觸控面板，包 括一峰值辨識模組、一臨界值模組、一比較模組與一回報 模組，以配合一觸控面板實施觸控技術。觸控面板進行感 201237705

1 W /^ookaMY 測並提供複數個感應量，峰值辨識模組則於感應量中辨識 出兩峰值感應量。臨界值模組提供臨界值，比較模組則將 兩峰值感應量間的各感應量與臨界值進行比較以產生一 比較結果。回報模組依據比較模組的比較結果決定是否回 報多指觸控事件。 為了對本發明有更佳的瞭解，下文以實施例並配合所 附圖式，作詳細說明如下： 【實施方式】 請參考第1圖，其所示意的是以一觸控面板1〇進行 觸控的情形。觸控面板10可進行觸控感測，並為平面 的，座標位置χ(1)、x(2)、. . ·、χ⑷至χ(Ν)分別提供感 應里ν(1)、ν(2)、...、ν(η)至V(N)。舉例而言，觸控面 板10可以疋電谷性觸控面板，在與平面垂直的方向上 由複數層的堆疊架構形成，此堆疊架構可以包括覆鏡層 (c〇ver^^)12a、感測電極層12b、基底層l2c與共同電極 層12d等等。由不導電介電材料形成的覆鏡層12&覆蓋於 導電的感測電極層12b之上’不導電的一或多個基底層他 則堆疊於感測電極層12b之下，覆於共同電極層⑶之 上’共同電極層12d可以是—個沿Xy平面延伸的導電平 面。 在感測電極们2b开)成有複數個感測電極，如感測電 極14a 14b與14c等等。當觸控物（如使用者的手指） 接近各感測電極時，會改變感測電極的等效電容’·等效電 合的改交里可被里測出來’各越位置心）的對應電容感 201237705 ，

I W/^DttKAlVlY 應量v(n)即是依據各感測電極的等效電容改變量所得到 的。舉例而言，在被觸控的座標位置附近，對應的感應量 會變得比較大。 θ理想地，若在感應量ν(1)至V(N)中比對出峰值感應 里為v(n_max)後，峰值感應量v(n—max)對應的座標位置 x(n—max)就對應使用者觸控的位置。若使用者以多指（多 個觸控物）進行觸控，感應量v(1)至v(N)中會對應地出 現多個峰值。然而，若感應量v(l)至V(N)中出現多個峰 值’並不一定代表使用者進行了多指觸控。請參考第2圖， 八所示思的就是單指觸控卻使感應量中出現多個峰值的 一個例子。舉例而言，若觸控面板1Q上有濕氣或水珠累 積㈤使用者的手指由座標位置χ(η—maxl)移動至座標位 置x(n_max2)而劃過水珠，水珠便會在觸控面板1〇上延 申由於延伸的水珠同樣會引發感測電極的等效電容改 二，故在觸控面板10所提供的各感應量v(l)至V(N)中便 會出現兩個峰值感應量v(n_maxl)與v(n_max2)，其值分 =dCmaxi與dCmax2。若只憑藉峰值感應量的辨識來判 件’第2圖中的單指觸控事件就會被誤報為 中辨二參：第3圖與第4圖’當要在感應量V⑴至V(N) 出兩峰時，於此實施例中，會在各感應量中辨識 感應置v(n』aXl)與v(n—max2)，再依據一臨界 比較兩峰值感應量間的各感應量（如感應量 比較至二(n』ax2—υ)是否低於臨界值L ’以依據 、、、、疋疋否回報多指觸控事件。舉例而言，若兩 201237705

1 w/H3〇rAiViY 應I v(n—maxl)與v(n_max2)間的各感應量均未低 ;α ,，L則判定並非多指觸控，不回報多指觸控事件。 反=，若兩峰值感應量v(n-maxD與v(n_max2)間的各感 應量有-或多個低於臨界值L，則判定為多指觸控，並回 報多指觸控事件。 舉例而s，在第3圖的例子a1中，峰值感應量 (一 aX〗）/、v(n_max2)間的各感應量均高於臨界值[，可 判疋，並非夕指觸控事件。相對地，在例子中，峰值 感應量v(n_maxl)與v(n—max2)間的各感應量有—個係低 於臨界值L，可判定其係多指觸控事件。 同理，在第4圖的例子B1中，峰值感應量ν(η_·υ 與v(n_max2)間的各感應量均高於臨界值[，故可判定里 並非多指觸控事件。相對地，在例子A2 +，峰值感應量 v(n_maxl)與v(n—max2)間的各感應量中有多個已低於臨 界值L，故可判定其係多指觸控事件。 第5圖係、依據本發明一實施例的多指觸控辨識流程 20，包括： 步驟22.在第1圖之觸控面板1〇提供的各感應量v⑴ 至v(N)中辨識出如第3或4圖之兩峰值感應量心—腦υ 與:（n—max2)。在辨識峰值感應量時，可依據斜率（即感 應量隨座標位置改變的情形）及/或各感應量是否大於一 峰值判斷位準等各種條件來判定峰值感應量的所在。 步驟24 .提供臨界值L。稍後將進一步說明本發明提 供臨界值L的原理。 v驟26 .比較峰值感應量v(n—抓乂丨）與v(n—max2)間 201237705 l W7458HAMY . t 的各感應量是否低於該臨界值，並 為多指觸控，...t . 據比車乂結果判定是否 η工，疋否要回報多指觸控事件。 隨者各感應量的週期性更新 進行，持續辨識在座標位置X⑴至週期重複 觸控。 Χ(Ν)間疋否發生多指 =具體實施例中，臨界似可以相關於峰值残 的大小以及對應座標位置的差異。 ϋ 量vCnmaxHife , x 况疋說，右峰值感應 U_maxl)與v(n一max2)的值分別為 且分別發生於座標位置x(n_maxl)與 ” dCmax2, 值L為峰值dCmax卜dCmax2與座標位置差=界 其中 D=|x(n_raaxl)-x(n_max2)h 、 ’ 數’ 於另-具體實施例中，亦可先為各峰值感應 對應的群組感應量，再參考群組感應量（與其他因1异 差異D)以決定臨界值L的大小。舉例而古，* 素’如 。右已辨識屮 —峰值感應量v(n_max)，則可依據其鄰近的各残 曰 "至v(n—max+n2)來計算一群組感應量：：： n2可由峰值感應量v(n一max)附近的斜率變化情步來 又。由於一觸控物可能涵蓋到多個不同的座標位署& I ItTJ對應 地反應至不同的感應量中’故可用群組感應量來代表觸二 物所涵蓋到的總感應量。而在決定臨界值L時，便可泉^ 各峰值感應量所對應的群組感應量。 第6圖顯示根據本發明的一實施例依據觸控面板1〇 的特性與觸控的特徵來決定臨界值L的流程30,步驟如下： 步驟32:模擬單一觸控物在觸控面板的堆疊結構中 所造成的感應量。依據觸控面板1〇的堆豐架構特性（例 201237705 I W /4^δΡΑΜΥ t各層的厚度與介電常數），可運用二維及/或三維的電磁 杈擬（例如有限兀素法）來為一個具有預定尺寸的預定觸 控物（例如以-直徑R的導電圓柱模擬一手指）計算其在 感測電極層12b所引發的感應量分佈。經由計算，可得知： ，感測電極層12b，感應量會在預定觸控物的正下方達到 最大值’並向外開始衰減。舉例而言，可為感應量分佈訂 出一範圍16a與16b，感應量會沿著範圍16a至範圍16b 的方向由内朝外衰減；在範圍16a外感應量會低於最大值 的30%，在範圍16b之外感應量則衰減至近於零的微小值。 卜步驟34 :依據預定觸控物與其對應的感應量分佈（如 範圍16b)’可推論兩個相同的預定觸控物在各種距離下加 成的感應量分佈。若兩觸控物的距離太過接近，感應量分 佈/、g出現一個峰值，當兩觸控物間的距離加大而拉開彼 此感應里刀佈中才會解析出兩個峰值。因此，根據預定 觸控物的預期感應量分佈，可得到一觸控解析距離d，代 表使感應量分佈出現雙峰值的最小距離。 步驟36 ··針對兩預定觸控物相距觸控解析距離d的 情形，進一步依據各感測電極（以14a至14c代表）的形 狀、位置分佈以及預定觸控物的預期感應量分佈求算出各 感測電極上感測到的感應量，並求算出各座標位置χ(1) 至Χ(Ν)所對應的感應量ν(1)至V(N)。在此種情形下，由 於感應量v(l)至V(N)的感應量分佈會解析出兩個峰值與 兩♦值感應量間的谷值感應量V(n-Valley)，並據此決定 對應的預期谷值感應量dCmin。也就是說，針對一個具有 一預定尺寸（直徑R)的預定觸控物’可經由步驟32至36 201237705

1 W/4)5PAMY 待到對應的預期谷值感應量dCmin。由步驟32至36可 知，此預期谷值感應量dCmin代表兩個觸控物（兩指）在 =理距#(即觸控解析距離）下應該呈現的合理谷值。在 感應里v(l)至V(N)中，若兩峰值感應量之間的各感應量 未低於此預期谷值感應量，即可準確地判斷其並非真正的 多指觸控事件。由步驟32至36亦可瞭解，此預期谷值感 應量會相關於觸控面板1〇的各種特性，包括堆疊結構中 各層的厚度與介電常數，以及感測電極的幾何形狀與分佈 情形。 、 步驟38 ·為因應各種尺寸的觸控物，可針對複數種 尺寸不同的預疋觸控物（例如直徑不同的導電圓柱）重複 步驟32至36，分別模擬對應的預期感應量、預期感應量 分佈，並求出對應的觸控解析距離與預期谷值感應量。舉 例而言，直徑R(l)的圓柱觸控物對應的觸控解析距離為 d(l) ’預期谷值感應量為dCmin(l);直徑R(k)的圓柱觸 控物對應觸控解析距離d(k)與預期谷值感應量 dCmin(k)，以此類推。將步驟32至36重複K次，可針對 直徑R(l)至R(K)的各種觸控物分別得到κ組數據。 步驟40 :整合步驟38得到的各種數據。舉例而言， 可針對預定觸控物的尺寸（直徑R(k))與預期谷值感應量 dCmin(k)進行曲線擬合；得到擬合的曲線後，就可據以決 定臨界值L。 請參考第7圖，其所示意的是對κ組數據 (R(k)，dCmin(k))進行曲線擬合的情形。曲線FC1是依據 二次多項式（quadratic polynomial)擬合所得的曲線，

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I w Wi^AlVlY 曲線FC2是依據三次多項式（cubic p〇lyn〇mial)擬合所 得的曲線，曲線FCO則是將K組數據擬合為一常數。 參照步驟40得到的曲線（如曲線fc〇至pc2的其中 之一）’就能在流程20 (第5圖）的步驟24中依據峰值感 應量v(n—maxi)與v(n_max2)及/或對應的群組感應量來決 定臨界值L。由峰值感應量/群組感應量可推知實際觸控物 尺寸，代入第7圖的曲線，便可求出該尺寸對應的預期谷 值感應量，以作為臨界值L。於此實施例中，由於預定觸 控物的尺寸已知，若感測的峰值感應量/群組感應量或形 狀符合或接近某尺寸預定觸控物的預期感應量/威 佈（如相互間的誤差小於-容許值），代表實際 尺寸接近該預定觸控物的尺寸。依據相符預定觸控物所對 應的預期谷值感應量，便可決定臨界值。 於一實施例中，也可將第7圖的數據組/曲線簡化為 一或多個感應量區間，分別對應至預期谷值感應量（或臨 界值L)’以利用查表方式來決定臨界值。舉例而言，第7 圖中的應對關係LUT將感應量區間^(1)至vr(3j分別對 應至L界值L(i)至l(3)。在由實際感測的感應值中取得 峰值感應量/群組感應量後，可針對峰值感應量及/或群組 感應量與各感應量區間¥1：*(1)至vr(3)進行比對，以比對 出與峰值感應量/群組感應量相符的感應量區間，進而查 出該相符感應量區間對應的預期谷值感應量或臨界值。舉 /而。，若峰值感應量及/或群組感應量落在感應量區間 Γ(2)，則可用感應量區間vr(2)對應的臨界值[(2)來作 為步驟24的臨界值卜於另一實施例中，應對關係u丁可 13 201237705 以只有一個感應量區間’也就是將臨界值L設為一常數’ 類似曲線FC0。 第8圖顯示依據本發明一實施例的觸控裝置50，觸 控裝置50可以是一觸控控制器。觸控裝置5〇中設有一峰 值辨識模組5 2、一 δ*界值模組5 4、一比較模組5 6以及一 回報模組58。峰值辨識模組52由觸控面板10接收感應量 ν(1)至ν(Ν)’並於感應量中辨識出兩峰值感應量v(njnaxl) 與v(n_max2)。臨界值模組54可運用第7圖的原理提供臨 界值L。比較模組56比較兩峰值感應量v(n_maxi)與 v(n—max2)間的各感應量是否低於臨界值[，使回報模組 58可依據比較模組56的比較結果決定是否回報多指觸控 事件。觸控裝置50可以實現於一微控制器（微處理器） 中，以韌體、軟體或硬體方式實現各模組的功能。 值L來辨識多指觸控事件 事件的誤認/誤報，提昇) 防水性。 總結來說，在進行多指觸控辨識時，本發明可依據觸 控面板的特性與觸控的特徵（如峰值感應量缚組感應量/ 由觸控感應量得出的觸控物尺寸等等）而提供可信賴的臨 界值L，並依據峰值感應量間的各感應量是否低於此臨界 昇觸彳工的正確性並提昇觸控技術的

更動與潤飾。因此，本發明’^利*固⑺1 ^乍各種之 利範園所界定者為準。* 保鹱範園當視後附之申請專 因此，本發明可降低多指觸控 綜J： ··… 其並非用以限定本發明 知識者，在不脫雜*欲 201237705

1 W /45»PAMY 【圖式簡單說明】 第1圖示意觸控面板及其提供的感應量。 第2圖示意一種易被誤認為多指觸控的單指觸控事 件。 第3圖與第4圖係依據本發明一實施例而進行多指觸 控辨識的示意圖。 第5圖係依據本發明一實施例的觸控流程。 第6圖係依據本發明一實施例的臨界值設定流程。 第7圖係依據本發明一實施例提供臨界值的示意圖。 第8圖係依據本發明一實施例的觸控裝置。 【主要元件符號說明】 10 :觸控面板 12a :覆鏡層 12b :感測電極層 12c :基底層 12d :共同電極層 14a-14b :感測電極 16a-16b :範圍 20、30 :流程 22-26、32_40 :步驟 50 :觸控裝置 52 :峰值辨識模組 54 :臨界值模組 15 201237705

TW7458PAMY 5 6 :比較模組 58 :回報模組 x(.):座標位置 ν(·):感應量 dCmaxl、dCmax2 :峰值感應量 L :臨界值

Al、A2、Bl、B2 :例子 D:座標位置差異 R、R(.):直徑 d、d(.):觸控解析距離 dCmin、dCmin(.):預期谷值感應量 FC0-FC2 :曲線 vr(.):感應量區間 16

Claims (1)

1. 201237705 TW745SPAMY 七 申請專利範圍： 1· 一種多指觸控方法，包含： 感測相關於—觸控面板之複數個感應量； 提供一臨界值； 於邊後數個感應量中辨識出兩峰值感應量； 將麵峰值感應量間的各感應量與該臨界值進行比 較以產生一比較結果；以及 依據。亥比較結果決定是否回報一多指觸控事件。 中，如申明專利1色圍第1項所述的多指觸控方法，其 則;兩峰值感應量間的各感應量均未低於該臨界值， 則不回報該多指觸控事件。 恨 中，\如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，其 右°χ兩峰值感應量間的各感應量有一個低於該臨 值，則回報該多指觸控事件。 $個低於抓界 中該二Sit:範圍第1項所述的多指觸控方法，其 —饮應1係分別對應複數個座標位置。 包含 臨界值 ^如申請專利範圍第4項所述的多指觸控方法，更 依據該兩輕感應量對應的座標位置的差異提供該 17 201237705 ,, TW7458PAMY 6. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，更 包含： 义 依據該兩峰值感應量的大小提供該臨界值。 7. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，更 包含： 、依據該兩峰值感應量與相鄰的複數個感應量分別提 供兩群組感應量；以及 依據该兩群組感應量的大小提供該臨界值。 8. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，其 中該觸控面板包含複數個感測電極，而該方法更包含： 依據該些感測電極的形狀與位置分佈提供該臨界 值。 9. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，其 中該觸控面板具有一堆疊架構，而該方法更包含： 依據該堆疊架構與一預定觸控物於該堆疊架構的感 應量提供該臨界值。 10. 如申請專利範圍第9項所述的多指觸控方法，其 中該觸控面板包含複數個感測電極，而該方法更包含： 依據該預定觸控物於該堆疊架構的感應量提供一預 期感應量分佈； 依據該預期感應量分佈提供一觸控解析距離；以及 201237705 依據該觸控解析距離、該預期感應量分佈以及該些 感測電極的形狀與位置分佈提供該臨界值。 11.如申明專利範圍第1項所述的多指觸控方法，其 中該觸控面板具有-堆叠架構，並包含複數個感測電極^ 而該方法更包含： 依據複數個預定觸控物各自於該堆疊架構的感應量 分別提供複數個預期感應量分佈； 依據各預期感應量分佈提供一對應的觸控解 離； 依據各預期感應量分佈、該對應的觸控解析距離以 及該些感測感測電極的形狀與位置分佈提供一對應的預 期谷值感應量；以及 依據該些預期感應量分佈以及該些對應的預期谷值 感應量提供該臨界值。 12. 如申請專利範圍第11項所述的多指觸控方法， 其中’該些預定觸控物具有不同的尺寸。 13. 如申請專利範圍第11項所述的多指觸控方法， 更包含： / 將該兩峰值感應量與該些預定觸控物各自於該觸控 面板上導致的感應量進行比對；以及 依據δ亥比對結果以及各預定觸控物對應的該預期穴 值感應量提供該臨界值。 19 201237705 1 W/4^»KAMY 14. 如申請專利範圍第11項所述的多指觸控方法， 更包含： 依據各預定觸控物的尺寸與各預定觸控物對應的該 預期谷值感應量進行曲線擬合（curve fitting)以提供一 曲線；以及 依據該曲線提供該臨界值。 15. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，更 包含： 提供預設數目個感應量區間； 為各感應量區間提供一對應的預期谷值感應量； 依據該兩峰值感應量與相鄰的各感應量分別提供兩 群組感應量； 針對該兩群組感應量與該預設數目個感應量區間進 行比對，以從該預設數目個感應量區間中比對出一相符感 應量區間；以及 依據該相符感應量區間所對應的該預期谷值感應量 提供該臨界值。 16. —種多指觸控裝置，耦接於一觸控面板，包含： 一峰值辨識模組，接收該觸控面板感測的複數個感 應量，並於該些感應量中辨識出兩峰值感應量； 一比較模組，將該兩峰值感應量間的各感應量與一 臨界值進行比較以產生一比較結果；以及 201237705 里 νν /ΗπίΆΜΥ 果決定是否回報一多指 一回報模組，依據該比較結 觸控事件。 ° 其中，若該6項所述的多指觸控裝置， 均未低於4二且比較出該兩峰值感應量間的各感應量 =未低於㈣界值’職回報模組不回報該多指觸控事 8.如申明專利範圍第16項所述的多指觸控裝置， 二中，若概較模組比較㈣兩峰值感應量_各感應量 有-個低於該臨界值’職回報模組回報該多指觸控事 件。 19.如申請專利範圍第16項所述的多指觸控裝置， 更包含一臨界值模組以提供該臨界值。 2^如申請專利範圍第16項所述的多指觸控裝 ί沾、t· 辨、識模組更可依據該兩峰值感應量與相 ，的複數個感應罝分別提供兩群組感應量；該臨界值模組 係可提供預設數目個感應量區間，並為各感應量區間提供 對應的預期谷值感應量；該臨界值模組更可對該兩群組 感應1，該預設數目個感應量區間進行比對，以從該預設 數目巧感應置區間中比對出一相符感應量區間，並依據該 相符感應量區間所對應的該預期谷值感應量提供該臨界 值0 21