TW201237704A - Touch panel and multi-points detecting method thereof - Google Patents

Description

201237704 * f f 1 WJ Z k 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 S本發明是錢於-卿控面板及其彳貞财法，且特 是有關於一種觸控面板及其多點偵測方法。 【先前技術】 隨著科技不斷的進步，各式電子裝置不斷推陳出新， 其中電子裝置的輸入方式也不斷的有創新技術出現。 來說’觸控面板即是-項重大突破的技術。透過觸控面 板，使^者可直接以觸控筆或手指在觸控面板上點選元 件、寫字或晝圖，而不需要鍵盤或滑鼠。 式，改變了電子裝置的發展模式。 ⑽入方 在觸控面板發展的過程中，觸控點的判斷精準度及 點、多點觸控判斷的正確性是觸控面板發展的關鍵=素。 有鑑於此’目前業界無不致力於發展各種技術來提高觸控 點的判斷精準度以及單、多點觸控判斷的正確性。 【發明内容】 本發明係有關於-種觸控面板及其多點偵測方法，其 2用判斷與分析步驟來分辨觸控面板被觸控之情況，以提 尚觸控面板在單點及多點偵測上的精準度。 根據本發明之一方面，提出一種觸控面板之多點備測 觸控面板包括具阻抗異向性的—導電層和數個感測 。其中導電層的一第一軸向的阻抗值低於導電層的一 第一軸向的阻抗值。此些感測接墊分佈於導電層沿第二軸 201237704 ,, 1 w /«*vor/\ 向的相對兩側邊以在該觸控面板形成數個感測區域。多點 偵測方法包括以下步驟。沿—第二軸向量測觸控面板之 感測曲線。感測曲線之—最大感測值位於此些感測區域之 -第-感測區域。此些感測區域之—第二感測區域及一第 三感測區域分別相鄰於第一感測區域之兩侧，感測曲線於 第二感測區域之-第一平均感測值大於第三感測區域之 一第二平均感測值。分析第—制區域之—第—觸控點座 標。分析第二感測區域之一第二觸控點座標。分析第一觸 控點座標及第二觸控點座標之一相對距離。若相對距離小 於-預，距離’則定義觸控面板在第—觸控點座標被觸 控，或定義觸控面板在第一觸控點座標與第二觸控點座標 之一中點被觸控。若相對距離大於或等於預定距離，則定 義觸控面板在第-觸控點座標及第二控點座標同時被觸 控。 根據本發明之另一方面，提出一種觸控面板。觸控面 板包括-導電層、數個感測元件、一量測單元、一分析單 元及疋義單元。導電層具阻抗異向性。導電層的一第一 軸向的阻抗值低於導電臈的一第二軸向的阻抗值。此些感 測接墊分佈於導電層沿第二軸向的相對兩側邊以在觸控 面板形成數個感測區域。量測單元用以沿一第二軸向量測 觸控面板之一感測曲線。感測曲線之一最大感測值位於此 些感測區域之一第一感測區域。此些感測區域之一第二感 /貝J區域及一第二感測區域分別相鄰於第一感測區域之兩 側。感測曲線於第二感測區域之一第一平均感測值大於第 三感測區域之一第二平均感測值。分析單元用以分析第一 201237704 感測區域之—第—觸控點座標及第二感測區域之一第二 觸f點座標’並分析第-觸控點座標及第二觸控點座標之 距離。若相對距離小於—預定距離，敎義單元定 ί觸控面板在第—觸控點座標被觸控，或定義觸控面板在 第-觸控點座標與第二觸控點座標之—巾點被觸控。若相 對距離大於或等於預定㈣，狀義單元定_控面板在 第-觸控點座標及第二控點座標同時被觸控。 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂，下文特舉較佳 實施例，並配合所附圖心作詳細說明如下： 【實施方式】 〃以下係提出實施例進行詳細說明，實施例僅用以作為 範例說明’並不會限縮本發明欲保護之範圍。此外，實施 例中之圖式係省略不必要之元件，以清楚顯示本發明 術特點。 本發明係利用判斷與分析步驟來分辨觸控面板被觸 控之情況’以提高觸控面板在單點及多點僧測上的精準 度。 第一實施例 一:參照第1圖，其繪示第一實施例之一觸控面板！⑽ 之不忍圖。觸控面板1〇〇具有複數個感測區域A〇。觸控面 板10 0匕括導電層110、複數個感測接塾15 0、一量測 單元120刀析單元130及一定義單元140。導電層11〇 具阻抗異向性。導電層11〇的-第-軸向D1的阻抗值低 201237704 ,, I w /πυυΓΛ 於導電膜110的一第二軸向D2❺阻抗值。此些感測接塾 150分佈於導電層110沿第二軸向的的相對兩側邊以在觸 控面板100形成複數個感測區域Α(^此導電層11〇例如是 (但不侷限）為奈米碳管膜。奈米碳管膜包含有數個奈米 碳管111。此些奈米碳管lu係為長條狀結構，且實質上 朝第一軸向D1排列。在奈米碳管膜的實施例中，相鄰之 四個感測接墊150在觸控面板100定義出一個感測區域 A0。如第1圖所示，相鄰之四個感測接墊15〇定義出一個 感測區域A0，所以相鄰之感測區域A〇將共用兩個感測接 墊150,且會部份相互重疊。在任一感測區域A〇中，第一 軸向D1的阻抗值較低，第二軸向D2 (例如是第丨圖之χ 轴方向）的阻抗值相對較高。 量測單元120用以沿第二軸向！)2量測觸控面板i 1〇 之一感測曲線ci。透過感測曲線ci的峰值可以感測出哪 一感測區域A 0被觸控。量測單元丨2 〇可再藉由四個感測 接墊150之電容值的量測可以分析出此一感測區域…在 第一軸向D1的哪一座標位置被觸控。 分析單元13 0則用以進行各種分析程序，例如是座桿 數值的分析程序。定義單元140則用以輪出或記錄觸控^ 板100被觸控之情況的分析結果。其中分析單元13〇及定 義單元140例如是一晶片、一韌體電路或儲存數組程式碼 之儲存媒體。 ^… 如上所述，量測單元120可從感測曲線C1之峰值感 測出哪一感測區域A0被觸控。請參照第2圖，其繪示觸 控面板100被兩個手指接觸之示意圖。當使用者以曰兩個手 201237704 ^觸觸控面板刚時，量測單元12〇可由感測曲線C2 八A 值來判斷出哪兩個感測區域A0被觸控，接著再 =分析出這兩個感測區域AQ分別在第一軸向W的哪一 座糕位置被觸控。 °月參f第3圖，其繪示觸控面板100被兩個手指接觸 示〜'圖‘使用者以兩個手指接觸觸控面板1 〇〇 時’兩個手指可能過於接近而使得感測曲線C3沒有明顯 的兩個峰值。此時’觸控面板1GG可藉由以下之多點债測 方法來進行判斷與分析，以做出精確的判斷。 凊參照第4及5A〜5D圖，第4圖繪示本實施例多點 偵2方法的流程圖’第5六〜5])圖繪示第4圖之各步驟的 不意圖。以下係以上述觸控面板100為例來說明本實施例 之多點偵測方法，然而本發明所屬技術領域中具有通常知 識者均可瞭解本發明之多點偵測方法並不侷限於上述觸 控面板100 °並且多點偵測方法也不侷限於流程圖上之步 驟順序與細部步驟。 首先’在步驟S101中，如第5A圖所示，沿第二軸向 D2量測觸控面板100之感測曲線C4。感測曲線C4之一最 大感測值Vmax位於此些感測區域A〇之一第一感測區域 A1。也就是說’觸控面板ι〇〇在第一感測區域A1 一定有 被一手指觸控。 此些感測區域A0之一第二感測區域A2及一第三感測 區域A3分別相鄰於第一感測區域A1之兩側。感測曲線C4 於第二感測區域A2之一第一平均感測值大於第三感測區 域A3之一第二平均感測值。也就是說，在一種情況中， 201237704 i w /Huor/\ 可旎疋第二感測區域A2被另一手指觸控，而造成第二感 測，域A2之第-平均感測值較高。在另—種情況中，; 能是較粗的手指橫跨第一感測區域A1及第二感測區域 A2’而造成第二感測區域心之第—平均制值較高。後 面的步驟將可分辨出這兩種情況。 接著，在步驟S102中，如第5B圖所示，分析單元 130刀析第一感測區域A1之一第一觸控點座標η。其中 第一觸控點座標p 1係為二維座標。 然後，在步驟S103中，如第5C圖所示，分析單元 130分析第二感測區域A2之一第二觸控點座標p2。其中 第一觸控點座標P2也是二維座標。 接著，在步驟S104中，如第5D圖所示，分析單元 130刀析第-觸控點座標ρι及第二觸控點座標之 對距離D12。 β然後，在步驟S105中，分析單元13〇判斷相對距離 D12疋否小於一預定距離。若相對距離βΐ2小於預定距離， 則進入步驟S106 ;若相對距離D12大於或等於預定距離， 則進入步驟S107。其中，預定距離係為0.5〜1.5公分。 _定距離係可依據實際情況作調整，—般絲據人類手 才曰之大小範圍來制訂此預定距離。

進入步驟S106時’表示第一觸控點座標與第二觸 控點座標P2相當接近，故可認定觸控面板1〇〇僅被一個 手指=控。故在此步驟中，定義單元刚定義觸控面板 100在第一觸控點座標P1被觸控’或定義觸控面板1〇〇在 第一觸控點座標P1與第二觸控點座標P2之—中點M 201237704 * »· · · >/ v & t Λ 控。 進入步驟S107時’表示第一觸控點座標ρι與第二觸 控點座標P2分離的較遠’故可認定觸控面板丨⑽是被兩 個手指所觸控。故在此步驟中，定義單元刚定義觸控面 板100在第-觸控點座標P1及第二控點座標P2同時被觸 控。 根據上述實施例，可以辨識出使用者是否以多個手指 來接觸觸控面板100。兩個手指過於接近時，也可以精準 地辨識出兩個手指_控點座標。而在使用者的手指較粗 時’也可以不會誤判為兩個手指。 第二實施例 _请參照第6圖’其繪示第二實施例之觸控面板200之 示意圖。本實施例之觸控面板20G與第-實施例之觸控面 板1〇〇不同之處在於導電層21Q，其餘相同之處 敘述。 灵 在本實施例中，導電層210包含複數個感測元件 211。此些感測元件2Π係為長條型金屬薄膜，且實質上 朝第-軸向D1排列。同樣地，導電層21〇的第一軸向w 的阻抗值低於導電膜210的第二軸向D2的阻抗值。 透過上述多點偵測方法，第二實施例同樣也可以辨識 出使用者是否Μ個手指來接觸觸控面板，。兩個手# 過於接近時，也同樣可以精準地辨識出兩個手指的觸控二 在使用者的手指較㈣，也同樣可以不會誤判為 201237704 1 w /*+υυΓ/Λ 第三實施例 請參照第7圖，其繪示第三實施例之觸控面板300之 示意圖。本實施例之觸控面板300與第一實施例之觸控面 板10 0不同之處在於導電層310 ’其餘相同之處不再重複 欽述。 在本實施例中，導電層310包含複數個感測元件 311。此些感測元件311係為長條型銦錫氧化物（I nd i um Tin Oxide，ITO)或長條型銦鋅氧化物（Indium Zinc Oxide，IZO)，且實質上朝第一軸向D1排列。本實施例之 感測元件310實質上為梯形結構。同樣地，導電層310的 第一軸向D1的阻抗值低於導電膜310的第二軸向D2的阻 抗值。 透過上述多點偵測方法，第三實施例同樣也可以辨識 出使用者是否以多個手指來接觸觸控面板300。兩個手指 過於接近時，也同樣可以精準地辨識出兩個手指的觸控點 座標。而在使用者的手指較粗時，也同樣可以不會誤判為 兩個手指。 綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然 其並非用以限定本發明。.本發明所屬技術領域中具有通常 知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之 更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專 利範圍所界定者為準。 201237704 1 ττ /~τνν»« 【圖式簡單說明】 第1圖繪示第一實施例之一觸控面板之示意圖。 第2圖繪不觸控面板被兩個手指接觸之示意圖。 第3圖繪示觸控面板被兩個手指接觸之另一示音圖 第4圖繪示本實施例多點偵測方法的流程圖。 第5A〜5D圖繪示第4圖之各步驟的示意圖。 第6圖繪示第二實施例之觸控面板之示意圖。 第7圖繪示第三實施例之觸控面板之示咅圖。 【主要元件符號說明】 100、200、300 :觸控面板 110、210、310:導電層 111 :奈米碳管 120 :量測單元 13 0 :分析單元 140 :定義單元 150 :感測接墊 211、311 .感測元件 D1 :第一軸向 D12 :相對距離 D2 ： 第二轴向 A0 ： 感測區域 A1 ： 第一感測區域 A2 ： 第二感測區域 A3 : 第三感測區域 201237704

Cl、C2、C3、C4 :感測曲線 Μ :中點 Ρ1 :第一觸控點座標 P2 :第二觸控點座標 S101〜S107 :流程步驟 Vmax :最大感測值

B 12

Claims (1)

1. 201237704 * » · » · w A A k 七、申請專利範圍： 1. 一種觸控面板之多點偵測方法，該觸控面板包括 具阻抗異向性的一導電層和複數個感測接墊，其中該導電 層的一第一軸向的阻抗值低於該導電層的一第二軸向的 阻抗值，該些感測接墊分佈於該導電層沿該第二轴向的相 對兩側邊以在該觸控面板形成複數個感測區域，該多點偵 測方法包括： ' 沿一第二軸向量測該觸控面板之一感測曲線，該感測 曲線之一最大感測值位於該些感測區域之一第一 域，該些感測區域之-第二感測區域及一第三感測區域分 別相鄰於該第-感測區域之兩侧，該感測曲線於該第二感 測區域之-第-平均感測值大於該第三感測區域之一第 二平均感測值； 分析該第-感測區域之一第一觸控點座標； 分析該第二感測區域之一第二觸控點座標； 分析該第-觸控點座標及該第二觸控點座標之 對距離； 若該㈣縣持—狀輯，敎義朗控面板在 =第-觸控點座標被觸控，或定義該觸控面板在該第一觸 控點^票與該第二觸控點座標之一中點被觸控；以及 &或等於該預定距離，敎義該觸控 面板在料-觸控點座標及該第二控點賴同時被觸控。 、、則方、1· 2請專利範圍第1項所述之觸控面板之多點伯 測方法，其中該導電層係為—奈米碳管膜。 3.如申請專利範圍第2項所述之觸控面板之多點侦 13 201237704 .、 i vv rv 測方法’其中該奈米碳管膜包含有複數個奈米碳管，且該 些奈米碳管實質上朝該第一軸向排列。 4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板之多點偵 測方法，其中該導電層包含有複數個感測元件，其中該些 感測元件係為長條型金屬薄膜、長條型銦錫氧化物 (Indium Tin Oxide，ΙΤ0)或長條型銦鋅氧化物（indium Zinc Oxide ’ ΙΖ0) ’且實質上朝該第一軸向排列。 5. 如申凊專利範圍第1項所述之觸控面板之多點摘 測方法，其中相鄰之該感測區域部份相互重疊。 6. 如申請專利範圍第丨項所述之觸控面板之多點偵 測方法’其中該預定距離係為〇. 5〜丨.5公分。 7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板之多點偵 測方法，其中該第一觸控點座標及該第二觸控點座標係為 二維座標。 8· —種觸控面板，該觸控面板包括： 一導電層，具阻抗異向性，其中該導電層的一第一軸 向的阻抗值低於該導電膜的一第二軸向的阻抗值； 複數個感測接墊，該些感測接墊分佈於該導電層沿該 第二轴向的相對兩側邊以在該觸控面板形成複數個感測 區域； 一量測單元，用以沿一第二軸向量測該觸控面板之一 感測曲線，該感測曲線之一最大感測值位於該些感測區域 之一第一感測區域，該些感測區域之一第二感測區域及一 第二感測區域分別相鄰於該第一感測區域之兩側，該感測 曲線於該第二感測區域之—第一平均感測值大於該第三 201237704 ·.«»«« ft ( 感測區域之一第二平均感測值； 刀析單元，用以分析該第一感測區域之一第一 =座標及該第二感測區域之—第二觸控點座標，並分析該 第一觸„及該第二觸控點座標之-相對距離；以及 仲_一定義單元，若該相對距離小於一預定距離，則該定 義單元疋義該觸控面板在該第一觸控點座標被觸控，或定 義該觸控面板在該第一觸控點座標與該第二觸控點座標 之二點，觸控；若該相對距離大於或等於該預定距離， J /疋義單元疋義该觸控面板在該第一觸控點座標及該 第一控點座標同時被觸控。 9.如申請專利範圍第8項所述之觸控面板，其中該 導電層係為一奈米碳管膜。 10·如申請專利範圍第9項所述之觸控面板，其中該 奈米碳管臈包含有複數個奈米碳管，且該些奈米碳管實質 上朝該第一轴向排列。 11. 如申凊專利範圍第8項所述之觸控面板，其中該 ¥電層包含複數個感測元件，且該些感測元件係為長條型 金屬薄膜、長條型銦錫氧化物（Indium Tin Oxide，ΙΤ0) 或長條型銦鋅氧化物（Indium Zinc Oxide，IZO)，且實質 上朝該第一轴向排列。 12. 如申請專利範圍第8項所述之觸控面板，其中相 鄰之該感測區域部份相互重疊。 13. 如申請專利範圍第8項所述之觸控面板，其中該 預定距離係為0· 5〜1. 5公分。 14. 如申請專利範圍第8項所述之觸控面板，其中該 15 201237704 1 W /HU〇r/\ 第一觸控點座標及該第二觸控點座標係為二維座標。