TW201222512A - Flexible display and controlling method thereof - Google Patents

Flexible display and controlling method thereof Download PDF

Info

Publication number
TW201222512A
TW201222512A TW99141577A TW99141577A TW201222512A TW 201222512 A TW201222512 A TW 201222512A TW 99141577 A TW99141577 A TW 99141577A TW 99141577 A TW99141577 A TW 99141577A TW 201222512 A TW201222512 A TW 201222512A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
circuit
current
voltage
charging
organic light
Prior art date
Application number
TW99141577A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI484468B (zh
Inventor
Chih-Lung Lin
Fu-Chieh Chang
Kuan-Wen Chou
Original Assignee
Univ Nat Cheng Kung
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ Nat Cheng Kung filed Critical Univ Nat Cheng Kung
Priority to TW099141577A priority Critical patent/TWI484468B/zh
Publication of TW201222512A publication Critical patent/TW201222512A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI484468B publication Critical patent/TWI484468B/zh

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Description

201222512 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種可撓式顯示器(flexible display)及其 控制方法,尤指一種包含一畫素電路與一補償電路之可撓 式顯示器。 【先前技術】 OLED所表現出的亮度是由流過之電流大小所決定 的。而對主動式有機發光二極體(AMOLED)來說,流過 OLED的電流是由驅動之薄膜電晶體(TFT)所決定。因此只 要是與TFT或OLED相關的因素,都會影響到AMOLED 的顯示品質。以下便針對常發生的問題去探討AMOLED在 電%上會出現什麼問題。 〜、門檀電麼(threshold voltage)的變異: 在最原始的AMOLED中’ I〇led是由Vdata利用操作在 餘和區之TFT來轉換成的電流,其公式為l〇LED = ^Vgs-Vth)2。其中VTH是指TFT的門檻電壓,所以如果因為 製程上的差異或是長時間操作之後TFT特性的差異造成 Vth的變異,便會造成AMOLED顯示不均勻的現象。 二、OLED跨壓與發光效率: 由於材料老化的現象,OLED會在長時間操作下,發 生跨壓逐漸上升且發光效率下降的問題。跨壓的上升可能 會影響到TFT的操作,以N-type TFT為例,若OLED接在 TFT的源極(source)端,當OLED的跨壓上升時會直接影響 到TFT的閘極與源極間的電壓VGS,也就是直接影響到通 201222512 過OLED的電流。而在發光效率方面’若因長時間操作造 成材料老化發光效率下降,那即使是流過相同的電流也無 法產生預期的亮度。 三、TFT的選擇性: 目前最主流的兩種製程方式為低溫多晶矽(LTPS)和 非晶矽(a-Si),因製程上的差異,使得a-Si技術只能用 n、type的TFT來設計,而LTPS則沒有此限制;然而,a-Si 鲁 最大的優點便是成本較低、技術純熟且穩定性較高,比較 不會有VTH的變異,除此之外,在大尺寸面板的情況之下, 受限於技術的純熟性,LTPS尚無法滿足大尺寸的需求,下 列之表T001為兩者之間的比較。 T001 a-Si與LTPS優缺點比較 --- - 身質 a-Si LTPS 驅動能力 低可移動性 南可移動性 大尺寸(NMOS) 小尺寸(CMOS) 可製造性及可獲 技術成熟及可獲 技術新尚不可獲 性 得 得 整個陣列中Vth 的一致性 佳 差 _yth的移動 差 佳 驅動器的整合性 差 佳 製造工廠 第七代 (1850x2100mm2) 第 3.5 代 (600x720mm2) 3 201222512 100% 用於小型顯示器60% 之標準化的陣列 到陣 四、晝素補償電路的設計: 目前針對QLED亮度補償的晝素電路 二:第-種主要是晝素元件數與控制訊號的'::: 二皆會導致複雜的控制訊號與過多 二: 内開口率過低的银免.p 仏 妖仏成晝素 素内元件的衰靜π ’ —種則是利射卜部電路偵測晝 且I受M ’但此種方式會造成驅動訊號複雜, 丑a又到OLED面板解析度的限制。 五、補償時間: 對於目則車乂新之3£>顯像技術而言,更 統來的快上許多。因此相斜於遥产φ 斤逮度就較傳
卞夕因此相對於補償電路在補償〇L =件變異時因操作訊號較為複雜心 於要應用至3D之顯像技術 二
疋不付不去重視的一大問題。 丁, J 職是之故,發明人#於習知技術之缺失,乃思及 天明之意念,終能發明出本案之「有 : 及其控制方法」。 菔,.、、員不裔 【發明内容】 _。。本案之主要目的在於提供—種具補償電路之可繞 Μ及其控制方法’係利用外部偵測電流衰減大小,以:周 變晝素電路内資料電壓大小,因此使得驅動電流不受财 ^界電壓及電子遷移率之變異,並且也不受〇咖材料老 201222512 ==;:::::能有效的維持_定 含-的在於提供一種可撓式顯示器,包 ’、 匕括主動式有機發光二極體與一且一第 電晶體,以及—補償電路’包括-:較電路, ㈣該主動式有機發光二極體之—驅動
、、ώ 而丄又电ι俾改變該驅動電 "丨L 一低通濾波器,耦合於該充電幫浦。 本案之下-主要目的在於提供一種可挽式顯示器,包 3 -晝素電路’產生一驅動電流,以及一補償電路,包括 :比較電路以接收-參考資料電流與該驅動電流,並據以 调整該驅動電流。 本案之再主要目的在於提供一種用於—可撓式顯示 制方法,其中該顯示器包括—主動式有機發光二極 月一具一第一端之驅動電晶體,包含比較—參考資料電 流與該主動式有機發光二極體之一驅動電流,且據以產生 :輪出訊號’以及依據該輸出訊號,以增加或減少該第一 立而上之一電壓,俾改變該驅動電流。 和優點能更明顯易 圖式,作詳細說明 為了讓本發明之上述目的、特徵、 隆,下文特舉較佳實施例,並配合所附 如下: 【實施方式】 第一圖是一習知之AMOLED面板之電路示意圖,其 201222512 中每一晝素電路包含兩個電晶體、一個電容以及一個 AMOLED(其為一 2T1C晝素電路)。 第二圖(a)是一依據本發明構想之第一較佳實施例的 補償電路與2T1C畫素電路之電路示意圖。該補償電路包 括一電壓/電流轉換器、一電流偵測器(其為一比較器)、一 充電幫浦(charge pump)、一低通濾、波器(其為一電容Cp)、 一緩衝器(其為一運算放大器)與一開關TG1,而該2T1C畫 素電路包括電晶體T1(例如一薄膜電晶體)與T2、電容Cs 與一 OLED(例如一 AMOLED)。 第二圖(b)是一依據本發明構想之第一較佳實施例的開 關與晝素電路之相關波形圖,包含TG、SCAN[N-1]、 VDD[N-1]、SCAN[N]與 VDD[N]等之波形圖。 第三圖為2T1C畫素電路的實際光罩圖。第四圖是一 習知之電壓/電流轉換器的電路圖。第五圖是一習知之充電 幫浦的電路圖。 第六圖是一依據本發明構想之第一較佳實施例的外部 補償電路與AMOLED畫素電路之電路示意圖,其與第二圖 ⑷之不同,在於第六圖另行顯示了該外部補償電路與一 AMOLED晝素電路的方塊圖。第七圖是一依據本發明構想 之第二較佳實施例的外部補償電路與AMOLED晝素電路 之電路示意圖,其與第六圖之不同,在於第七圖中之該開 關TG與該緩衝器互換位置。第八圖是一依據本發明構想 之第三較佳實施例的外部補償電路與AMOLED晝素電路 之電路示意圖,其與第六圖或第七圖之不同,在於第八圖 201222512 中之1G是一開關選擇器(switch selector)。 如前所述,該外部補償電路可由一電流比較器(Current Comparator)、一充電幫浦(Charge Pump)及一低通濾波器 (Low Pass Filter)等組成,然後再配合一組傳統之2T1C晝 素電路。流經0LED之電流l〇LED為晝素電路上之驅動電晶 體T1閘極上之電壓所決定。該外部補償電路與該2T1C畫 素電路的主要操作原理即利用電流比較器比較參考之資料 電流Idata與驅動電流I〇led(如第六圖所示),而後控制充
電幫浦進而增加或減少驅動電晶體T1上之閘極電壓。 第九圖是一依據本發明構想之第一較佳實施例的a_Si TFT之元件特性量測的波形圖,為TFT之元件實驗的纟士果 之顯示。此實驗是為了驗證當TFT受電壓施壓時臨界電屏
之漂移量。由實驗結果可知當經過10800秒後,TFT 界電壓漂移約為1.02V。該外部補償電路與該晝素電路^ 操作步驟可分為,補償階段及發光階段。其操作方式如下 1、補償階段(Compensation mode ): 在補償階段TGI、SCAN[N]和VDD[Ki]為高電位 付T2導通’此時驅動電晶體(T1)之閘極端會被預充至 之電壓值Vdata—o,而流經OLED之初始電流值可夺厂、 (1) 值。當操作 壓與電子遷 影響,而造 I瓣,Κ0χ(ν— - Vf = 其中V j為Τ1與OLED之初始臨界電麻 一段時間後流經OLED的電流會受T1之臨界電 移率及OLED材料老化造成其臨界電壓上升的 201222512 成驅動電流不穩定,使得0LED發光亮度降低。因此假設 這些變異成分與受變異影響之0LED電流可分別表示為: V,Vl + AVm+AVn •鶴 (2) x[^oto_〇 ( 3 ) 與為T1與OLED之臨界電壓變異之電壓 差,Κ!為Τ1之KQ受電子遷移率衰減之值。由式子(2)代入 式子(1)中可得知,當TFT與OLED之電子特性變異後,會 使得W增加的同時便使得i〇led變小,如式子(3)所示。因 此¥憂異後之〇LED電流I0Eld_i透過回授線(Feedback line)流進外部補償電路中的電流比較器後,電流比較器會 將其與理想之〇LED電流Wed—〇做比較,當I0ELDJ較 I〇LED_。小時,則控制充電幫浦對低通濾波器充電,直到驅 動電流值與I〇LED-〇相同時。而這個充電之電壓差(ΔΥ)大小 可表示為: AV = vmj+Kw_2=ipxT(s) (4) 其中Vdiff_i為T1與〇LED之臨界電壓變異之電壓, vdiff_2為τι受電子遷移率變異時等量之電壓差,ip為充電 幫浦之充電n ’ t(s)為低通m之轉移函數。即使補 償電路可以消除元件衰減所導致臨界電壓值上升的影響, 電流依然會因為電子遷移率衰減而逐漸下降,因此該補償 電路利用電流比較的概念,對4素電路閘極端進行額外的 充電來達成電流穩定的目的。因此T1上閘極電壓就可表示 (5) 201222512 為
wditrj+v(2+V-其中Vdiff.J可表示為 Kiffj = AVrii +^V.fl Ία 〇
OUiD ⑹ 在Vdiff_2方面,首先將式子⑴做移項整理,並將式子 (2)與(5)帶入T1的飽和電流公式,因此可分別求得, Γ〇ί, EO 0 -Klcn。J> -孓=V——〇 _ V.m —〇 一 Vc OLED 0 ⑺ JWdj _ y, —--y(}S vmta^ + Vdiff j + ^ +AKm +AVm_〇LnD) =^7,_〇+AKra ^avTHJ)IM0 + VJijr_2-(vi+i,vw ^^vrHOU,0) (8) =ν_—0 + ν埘_2.-Vi 將式子(7)與式子(8)相減後,就會整理出所要求得之 Vdiff_2式子’由於修正完後之電流值i〇LEDJ會與初始電流 值I〇LED_0相同,因此可整理得到:
最後將式子(1)代入式子(9)做移項整理後就可得到 Vdiff_2值,如式子(10)所示 201222512
由於μ!為變異後之電子遷移率,因此假設其與 初始之電子遷移率 • 相差—個誤差量’即μθμο.Δμ因此將其代入 式子(10)後可得:
(11) V^.2=\itx( []Ι Μ〇-Δμ / ^ Ynii y Αμ 2 "0 - Δ" 要達到快速校準的目白勺,就必需去討論相關影響5% 穩態時間有關之變數’而會影響到5%穩態時間的,有兩組 因素如下: (1) 、貝料線(Data line)和回授線:當面板尺寸愈來愈 大%,其線上之寄生電阻電容將會變大,因此最直接的就 是影響到5%之穩態時間,因此在整體系統分析時就必需將 這兩因素考慮進去。 (2) 、充電幫浦之電流與低通濾波器:由式子(4)可知修 正之電壓1大小與充電幫浦之充電電流和低通濾波器大小 201222512 相關,當固定好系統之工作頻率後,其低通濾波器之大小 則亦被固定住,因此整個充電時間的長短即和充電幫浦之 充電電流大小有關。 統合上述兩點去分析整個系統之5%穩態時間,可得 穩定時間與充電幫浦之充電電流為反比關係,也就是說, 當充電幫浦之充電電流愈大時則所需之穩態時間就愈少, 其如下表示
(v =4.24xk (12)
其中Cs為儲存電容,cgs為T1之閘極端與源極端上 之寄生電谷,Cp為低通濾、波器之電容值,與cPD為資 料線和回授線上之寄生電阻電容為系統 之增益值,其大小為充電幫浦電流(Ip)、轉阻值(Rm)、系統 操作頻率(f)和T1之轉導係數(gm)大小有關。第十圖是—依 據本啦明構想之第一較佳實施例的外部補償電路與1匸 畫素電路之5%穩態時間對應0LED電流波幅的模擬結果 之波形圖。由模擬結果可知,當1[}從6〇μΑ提升至12叫八 時’時間可由28ps減少至23ps。 2、發光階段(Emission mode): 最後階段為發光階段,SCAN[N]變為低電位,此時丁2 關閉。把修正完之電壓值帶入電流公式中,可得到穩定不 文Τ1臨界電壓變異及電子遷移率影響和〇 L E D臨界電麻微 201222512 異影響的i0L£D。由式子(13)可知,最後經校準完後之◦咖 電流為不受臨界電壓變異與f子遷移率影響之穩定電流。 J〇LED = Ktx(VGS -V/)2 =尺,♦臟 _。-%+%—2]2 (13) —I〇!MD_〇 第十-圖為-依據本發㈣想之第_較佳實施例的外 部補償電路與2T1C晝素電路和f知之2T1C電路的時間對 電流之波形圖。第十一圖可用以驗證公式〇3)中消除臨界 電堡變異與電子遷移⑽電流之料,其量啊境為高溫 1⑼。C。由圖中可知,受高溫影響,習知之2T1C電路白U 流衰減達81.75%,然而本#明所提議之外部補償電路與 2T1c畫素電路的電流衰則減低到:小於4 5%。 實施例: 1. 一種可撓式顯示器,包含: —畫素電路’包括一主動式有機發光二極體與一具一第 一端之驅動電晶體;以及 一補償電路,包括: 一—比較電路,接收一參考資料電流與該主動式有機發 光一極體之一驅動電流,且產生一控制訊號; 一充電幫浦,接收該控制訊號,並據以增加或減少該 第端上之一電壓,俾改變該驅動電流;以及 —低通濾波器,耦合於該充電幫浦。 2·根據實施例1所述之顯示器更包括一可撓式基板,其中 201222512 該比較電路為一比較器或一電流偵測 ^ 识州電路,該充電電路為
一充電幫浦或一電壓/電流轉換器(V/I c〇nverter),且該可撓 式基板為一塑膠基板。 3.根據實施例丨或2所述之顯示器,#中該補償電路更包 括-電壓/電流轉換器、-緩衝器與—開關電路,該電麟/ 電流轉換器搞合於該比較電路,接收—輸人電壓以產生該 參考資料電流,該低通濾波器用於儲存一校準電壓盥決= -電路操作頻寬,當該充電電路運作於增加或減少該第— 端上之該電壓時’該開關電路被導通,當該充電電路未運 作於增加或減少該第-端上之該電壓時,該開關電路被關 斷,該緩衝器用於推動-負載,該負載包括同—欄之複數 ,2T1C晝素電路,且該開關電路為一開關或一開關選擇 益(switch selector)。 4·根據以上任一實施例所述之顯示器所述之顯示器,其中 5亥緩衝器耦合於該低通濾波器與該開關電路,且該開關電 路耦合於該晝素電路。 5. 根據以上任一實施例所述之顯示器所述之顯示器,其中 该開關電路耦合於該低通濾波器與該緩衝器,且該緩衝器 輕合於該晝素電路。 6. 一種可撓式顯示器,包含: —晝素電路,產生一驅動電流;以及 —補償電路,包括一比較電路以接收一參考資料電流與 該驅動電流,並據以調整該驅動電流。 7·根據實施例6所述之顯示器,其中該畫素電路包括—呈 〆、 13 201222512 -第-端之驅動電晶體,該補償電路更包括一充電電路, 該比較電路為-比較器或—電流_電路,該充電電路為 -充電幫浦或-電塵/電流轉換器(V/I ,用於接收 該比較電路之-輸出訊號,並據以增加或減少該第—端上 之一電壓,俾改變該驅動電流。 · 8.一種用於一可撓式顯示器之控制方法,丨中該顯示器包 括-主動式有機發光二極體與一具—第—端之驅動電晶 體,包含: 極體之 比較一參考資料電流與該主動式有機發光 驅動電流,且據以產生一輸出訊號;以及 依據該輸出訊號,以增加或減少該第一端上之一電壓, 俾改變該驅動電流。 9.根據實施例8所述之方法,其中該經改變之驅動電流 I〇LED=Kl*(VDATA_〇.Vi -V^i+vdiffJ +Vdiff_2)2, v〇ATA 〇^n$ —端被預充至一穩定之電壓值,流經該主動式有機發光二 極體的-初始電流值wdj)=kg*(vdata—G_vi)2,KQ為該驅 動電晶體之-參數值’ K1為該KG值受到_電子遷移率變 異的影響時之—變動值,Vi為該主動式#機發光二極體與 邊驅動電晶體之一初始臨界電壓值v,i為該主動式有機發 光一極體與該驅動電晶體之一變異臨界電壓值,1為該 主動式有機發光二極體與該驅動電晶體受到臨界電壓變異 、〜s時之一荨I電壓差’ vdiff_2為該驅動電晶體受到該電 子遷移率變異的影響時之一等量的電壓差,且該為一 穩定電流。 § 14 201222512 10.根據實施例8或9所述之方法,其中該 KVDATAJJ-Vi) μ0 為一初始之電子遷 移率,Αμ為該電子遷移率變異與該初始之電子遷移率兩者 間之一誤差量。 Α 綜上所述,本發明提供一種具補償電路之可撓式顯示 器及其控制方法,係利用外部偵測電流衰減大小,以調變 晝素電路内資料電>1大小’因此使得驅動電流不受tf丁臨 界電>1及電子遷移率之變異’並且也不受〇LED材料老化 之影響’在長時間的操作τ仍能有效的維持電流之释定 度,改善OLED亮度衰減的問題,故其確實具有進步性盘 新穎性。 〃 古九朵=,1縱使本案已由上述之實施例所詳細敘述而可由 口直ft之人士任施匠思而為諸般修飾’然皆不脫如附 申明專利範圍所欲保護者。 【圖式簡單說明】 =圖:其係顯示一習知之amoled面板之電路示意圖; 认-圖(a):其係顯示一依據本發 =償電路與晝素電路之電路示意圖;帛車乂仏貫知例 示一依據本發明構想之第-較佳實施例 a _ 一思素電路之相關波形圖; 圖’其係顯示一習知之2T1C蚩·# φ a 第四圖:复仫3 里素電路的光罩示意圖; 第五圖心 習知之電壓/電流轉換器的電路圖; 第 /、係顯示-習知之充電幫浦的電路圖; ….其係顯示一依據本發明構想之第—較佳實施例的 201222512 外部補償電路與AMOLED畫素電路之電路示意圖; 第七圖:其係顯示一依據本發明構想之第二較佳實施例的 外部補償電路與AMOLED晝素電路之電路示意圖; 第八圖·:其係顯示一依據本發明構想之第三較佳實施例的:-外部補償電路與AMOLED晝素電路之電路示意圖; 第九圖:其係顯示一依據本發明構想之第一較佳實施例的 a-Si TFT之元件特性量測的波形圖; 第十圖:其係顯示一依據本發明構想之第一較佳實施例的 外部補償電路與2T1C晝素電路之5%穩態時間對應OLED · 電流波幅的核擬結果之波形圖,以及 第十一圖:其係顯示一依據本發明構想之第一較佳實施例 的外部補償電路與2T1C晝素電路和習知之2T1C電路的時 間對電流之波形圖。 【主要元件符號說明】 無
16

Claims (1)

  1. 201222512 七、申請專利範圍: 1.一種可撓式顯示器,包含: 一晝素電路,包括一主動式有機發光二極體與—具一第 一端之驅動電晶體;以及 一補償電路,包括: 一比較電路’接收一參考資料電流與該主動式有機發 光一極體之一驅動電流,且產生一控制訊號; 一充電幫浦,接收該控制訊號,並據以增加或減少該 第一端上之一電壓,俾改變該驅動電流;以及 一低通濾波器,耦合於該充電幫浦。 2.如申請專利範圍第丨項所述之顯示器更包括—可挽式基 板,其中該比較電路為一比較器或一電流偵測電路,該 電電路為一充雷餐·、、者4 +Γ- 兄電幫肩或—電麗/電流轉換器(V/I converter),且該可撓式基板為一塑膠基板。 =請專利範圍* 1項所述之顯示器,其中該補償電路 二J 二電ί轉換器、—緩衝器與-開關電路,該電 土電抓轉換态耦3於该比較電路,接收一 該參考資料電流,該低通Ί塗以產生 定-電路操作頻寬,當該充電電路運= -端上之該電星時,該開關電路被導通二 運作於增加或減少該第—端上之該電=充電電路未 關斷,該緩衝器用於推動—負' μ開關電路被 數個2T1C畫素電路,且__。栽=同=攔之複 擇器(switch selector)。 巧關或一開關選 17 201222512 4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示器,其中該緩衝器耦 合於該低通濾波器與該開關電路’且該開關電路耦合於該 畫素電路。 5. 如申.請專利範圍第3項所.述之顯示器,其中該開關電路, 耦合於該低通濾波器與該緩衝器,且該緩衝器耦合於該畫 素電路。 6. —種可撓式顯示器,包含: 一晝素電路,產生一驅動電流;以及 一補償電路’包括一比較電路以接收一參考資料電流與 _ 該驅動電流,並據以調整該驅動電流。 7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示器,其中該畫素電路 包括一具一第一端之驅動電晶體’該補償電路更包括一充 電電路,5亥比較電路為一比較器或一電流偵測電路,該充 電電路為一充電幫浦或一電壓/電流轉換器(V/I convener),用於接收該比較電路之一輸出訊號,並據以增 加或減少該第一端上之一電壓,俾改變該驅動電流。 8·—種用於一可撓式顯示器之控制方法,其中該 · 括一主動式有機發光二極體與一具一第一端之驅動電°晶 體,包含: 比較一參考資料電流與該主動式有機發光二極體之一 驅動電流,且據以產生一輸出訊號;以及 依據該輸出訊號,以增加或減少該第一端上之一電壓, 俾改變該驅動電流。 & 9·如申請專利範圍第8項所述之方法,其中該經改變之驅 18 S 201222512 ^ I〇LED=Kl*(vDATA_〇_Vj -Yv+vdiff_]+vdjff_2)2,VDATA 〇 為該第-端被縣至—穩、定之電魏,流㈣主動式有機° 發光二極體的-初始電流值I0LED—G=KG*(VDAwvi)2,仙
    為該驅動電晶體之—參數值,K1為該KG值受到—電子遷 移率變異的影響時之—變動值,Vi為該主㈣有機發光二 極體與該驅動f晶體之—初始臨界電壓值v,i為該主動式 有機發光二極體與該驅動電晶體之一變異臨界電壓值, Vdiffj為該主動式有機發光二極體與該驅動電晶體受到臨 界電壓變異的影響時之—等量電壓差,Vdiff—2為該驅動電晶° 體受到該電子遷移率變異的影響時之一等量的電壓差,且 該I〇LE:D為一穩定電流。 :0·如申請專利範圍第9項所述之方法,其中該vdiff2 =(VDATA—crVi)為一初始之電子遷 移率,Δμ為該電子遷移率變異與該初始之電子遷移率兩者 間之一誤差量。
    19
TW099141577A 2010-11-30 2010-11-30 可撓式顯示器及其控制方法 TWI484468B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099141577A TWI484468B (zh) 2010-11-30 2010-11-30 可撓式顯示器及其控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099141577A TWI484468B (zh) 2010-11-30 2010-11-30 可撓式顯示器及其控制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201222512A true TW201222512A (en) 2012-06-01
TWI484468B TWI484468B (zh) 2015-05-11

Family

ID=46725277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099141577A TWI484468B (zh) 2010-11-30 2010-11-30 可撓式顯示器及其控制方法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI484468B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI571844B (zh) * 2014-08-06 2017-02-21 財團法人資訊工業策進會 顯示系統、影像補償方法與其電腦可讀取記錄媒體

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI287212B (en) * 2004-06-02 2007-09-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Driving circuit, compensation circuit of pixel structures of active organic electro-luminescence device and signal compensating method thereof
TWI281139B (en) * 2004-07-15 2007-05-11 Chi Mei Optoelectronics Corp A display pixel compensation circuit and driving method and display apparatus thereof
TWI272570B (en) * 2005-12-08 2007-02-01 Chi Mei El Corp Organic light emitting display and pixel with voltage compensation technique thereof
US8077123B2 (en) * 2007-03-20 2011-12-13 Leadis Technology, Inc. Emission control in aged active matrix OLED display using voltage ratio or current ratio with temperature compensation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI571844B (zh) * 2014-08-06 2017-02-21 財團法人資訊工業策進會 顯示系統、影像補償方法與其電腦可讀取記錄媒體

Also Published As

Publication number Publication date
TWI484468B (zh) 2015-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109545145B (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置
US11217172B2 (en) Pixel circuit, driving method thereof and display device
CN105225633B (zh) 有机发光二极管显示装置
CN108470539B (zh) 一种像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置
CN106782333B (zh) Oled像素的补偿方法和补偿装置、显示装置
CN107146575B (zh) 有机发光二极管显示器
CN104851392B (zh) 一种像素驱动电路及方法、阵列基板和显示装置
CN104751799B (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置
US11423849B2 (en) Display panel having a voltage compensation circuit
CN107731171A (zh) 像素电路及其控制方法、显示基板、显示装置
WO2016101504A1 (zh) 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
CN104167168B (zh) 像素电路及其驱动方法和显示装置
WO2020181515A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN109887464B (zh) 像素电路及其驱动方法、显示面板和显示设备
CN104050916A (zh) 一种有机发光显示器的像素补偿电路及方法
CN107424569A (zh) 像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置
CN108597444B (zh) 一种硅基oled像素电路及其补偿oled电学特性变化的方法
CN103927975A (zh) 一种有机发光显示器的像素补偿电路及方法
TW200416650A (en) Picture display apparatus
CN106782324A (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN110189708A (zh) 像素驱动电路及显示装置
WO2020107830A1 (zh) 像素电路及显示装置
US20150310804A1 (en) Pixel circuits, organic electroluminescent display panels and display devices
CN109523952A (zh) 一种像素电路及其控制方法、显示装置
WO2017117985A1 (zh) 像素电路及其驱动方法和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees