TW201219421A - Production of solar cell modules - Google Patents

Production of solar cell modules Download PDF

Info

Publication number
TW201219421A
TW201219421A TW100121840A TW100121840A TW201219421A TW 201219421 A TW201219421 A TW 201219421A TW 100121840 A TW100121840 A TW 100121840A TW 100121840 A TW100121840 A TW 100121840A TW 201219421 A TW201219421 A TW 201219421A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solar cell
alkyl
formula
acrylate
molding
Prior art date
Application number
TW100121840A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Battenhausen
Ernst Becker
Klaus Schultes
Sven Strohkark
Original Assignee
Evonik Roehm Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Evonik Roehm Gmbh filed Critical Evonik Roehm Gmbh
Publication of TW201219421A publication Critical patent/TW201219421A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/20—Carboxylic acid amides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C08L33/12—Homopolymers or copolymers of methyl methacrylate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Description

201219421 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關太陽能電池模組之製造及對應之太陽能電 池模組。 【先前技術】 太陽能電池或光伏打電池係將光（特別是陽光）中所 含之輻射能直接轉換成電能的電組件。本發明之物理基礎 爲光伏打效應，光伏打效應爲內光電效應之特例。 圖3爲顯示太陽能電池模組之基礎結構的示意橫斷面 。圖3中，501表示光伏打電池，5〇2爲增強劑，503爲 板及504爲後壁。陽光撞擊在該光伏打電池501的光敏表 面上，通過板503及增強劑502，並轉化成電能。所產生 之電流係藉由輸出終端（未圖示）輸送。 因該光伏打電池容易腐蝕且非常脆弱，其無法承受極 端之外部條件。因此必須經適當材料覆蓋及保護。在大部 分實例中，此係藉由在防止候化透明板（例如玻璃板）與 後壁之間使用具有優異抗濕性與高電阻的適當增強劑來插 入及層合該光伏打電池所獲致。 聚乙烯縮丁醛與乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA)經 常用作太陽能電池之增強劑。特別是，可交聯EVA組成 物顯示優異性質，諸如良好耐熱性、高耐候化性、高透明 度及良好成本效益。 由於該太陽能電池模組將長時間用於戶外，故其必須 -5- 201219421 極爲耐用》因此，增強劑特別是必須具有優異耐候化性及 高熱安定性。然而，當該模組長時間（例如十年）用於戶 外時，經常觀察到光引發及/或熱引發之增強劑降解及因 此發生之該增強劑的黃化及/或光伏打電池剝離。該增強 劑之黃化導致入射光之可使用部分減少，因此降低電性能 。因此，光伏打電池之剝離使得濕氣可滲透，其可導致光 伏打電池本身或該太陽能電池模組中之金屬部分腐蝕，且 亦可造成該太陽能電池模組之性能受損。 雖然經常使用之EVA本身爲良好之增強劑，但彼等 因水解及/或熱解而逐漸降解。隨著時間過去，熱或濕氣 造成乙酸釋放。此導致增強劑之黃化、機械強度降低，及 增強劑之黏著性降低。此外，所釋放之乙酸作爲觸媒且造 成進一步加速降解。此外，存在光伏打電池及/或太陽能 電池模組中之其他金屬部件被該乙酸腐蝕的問題。 爲解決該等問題，歐洲專利申請案EP 1 065 731 A2 提出太陽能電池模組之應用，該太.陽能電池模組包含光伏 打電池及聚合性增強劑，且該聚合性增強劑應含有乙烯-丙烯酸酯-丙烯酸三元共聚物、乙烯-丙烯酸酯-順丁烯二 酸酐三元共聚物、乙烯-甲基丙烯酸酯-丙烯酸酯三元共聚 物、乙烯-丙烯酸酯-甲基丙烯酸三元共聚物、乙烯-甲基 丙烯酸酯-甲基丙烯酸三元共聚物及/或乙烯-甲基丙烯酸 酯-順丁烯二酸酐三元共聚物。然而，耐候化性及此等太 陽能電池模組之效率二者均受限。 從先前技術中亦習知藉由使用適用UV吸收劑改良丙 201219421 烯酸模製化合物之耐候化性。 因此，DE 103 11 641 A1描述錄製助劑（tanning aid )，該鞣製助劑包含聚甲基丙烯酸甲酯模製物，其含有 0.0 05重量％至0.1重量％之根據式（I)的UV安定劑
其中殘基R1及R2獨立表示具有1至20個碳原子之烷基 或環烷基殘基。 然而，該公開案未提供任何有關應用該模製物於製造 太陽能電池模組之資訊。 DE 38 38 480 A1揭示甲基丙烯酸甲酯聚合物及共聚 物，其含有 a) 草酸醯苯胺或2,2,6,6-四甲基哌啶化合物作爲抗光 所引發之損壞的安定劑，及 b) 阻燃性有機磷化合物。 然而，該公開案未提供任何有關應用該組成物於製造 太陽能電池模組之資訊。 JP 2005-298748 A揭示甲基丙烯酸系樹脂之模製物， 其較佳含有1〇〇重量份之甲基丙烯酸樹脂’包含60_100 重量％之甲基丙烯酸甲酯單元及〇-4〇重量％之其他可共聚 乙烯基單體單元，及0.005-0·15重量％之2-(2·羥基ΙΕ -辛氧 基苯基 ） -4,6-雙 （2,4-二 甲苯基 ） -1，3,5-三畊及 / 或2-羥基·4-辛氧基二苯基甲酮。該等模製物據稱對於UV 光具有一定阻擋，且在340 nm下顯示至多20 %之透明度 201219421 並在3 80 nm下顯示至少70%之透明度，此係在厚度於〇·5 至5 mm範圍內之模製物上測量。 該等模製物係特別用作燈具覆蓋物。然而，該公開案 未提供任何有關應用該模製物於製造太陽能電池模組之資 訊。 【發明內容】 因此，本發明目的係證實減少在戶外長期使用（特別 是在高溫及/或高濕度之下）的太陽能電池性能降低的可 能方式。爲此目的，尋求特定方式以獲致優異耐候化性、 最大可能熱安定性及最大透明度連同最小吸水性。 尤其是就多接面太陽能電池（亦稱爲串列太陽能電池 或堆疊太陽能電池）而言，材料應能提供太陽能模組之最 佳保護及使可能有最佳效率。 此外，亦需要釋放最少腐蝕物質，特別是酸，及對於 太陽能電池模組之各種基礎組件的最大黏著性。 未明確陳述但從介紹中之討論的內容中可明顯看出的 該等及其他問題係藉由使用本專利之申請專利範圍第1項 之全部特徵的模製化合物予以解決。依附申請專利範圍第 1項之附屬項描述本發明之特別爲人需要之變體。此外， 亦尋求對應太陽能電池模組之保護。 藉由使用以下者來製造太陽能電池模組， a) 至少一種（聚）（甲基）丙烯酸烷酯，及 b) 至少一種根據式（I)之化合物 -8 - 201219421
R^W/ V^/〇R2 (I) 其中殘基R1及R2獨立表示具有1至20個碳原子 或環烷基殘基， 且藉由確保該太陽能電池具有至少一種包含聚（甲 烯酸烷酯之組件且該組件中之根據式（I )的化合 度在以下界定之範圍 之烷基 基）丙 物之濃
Cuv. •吸糊 Q.\[wt%xmm\ 至 Q.6[wt%xmm\ d模製物[顯] 名模製物 [mm] 可能以非立即可預見之方式提供太陽能電池性能降 佳防護，特別是於長期戶外（特別是在高溫及/或 下）使用之多接面太陽能電池。特別是，獲致優異 性、非常高之耐熱性及非常高透明度加上通常相當 水性。此外，確保可由該太陽能電池（特別是多接 能電池）使用之陽光的光譜範圍未被吸收，但有害 圍具有最佳吸收。 此外，即使長期戶外使用，未釋放出腐鈾物質 致在太陽能電池模組之各種基礎組件上的非常強之 因此，此處呈現之解決方案提供可見波長範圍 可使用」光的最有效率之使用。同時，其他波長範 別是在無法用於產生電流的UV範圍，極有效地被 此吸收提高該等太陽能電池模組之耐候化性。此外 防止光收集器之不良加熱，不必使用供此目的用之 件，且延長該等太陽能電池模組之壽命。此時，該 低的最 高濕度 耐候化 低之吸 面太陽 UV範 ，且獲 黏著性 內之「 圍，特 吸收。 ，吸收 冷卻元 太陽能 201219421 電池可顯示其作用之完整光譜。 特別是，藉由根據本發明之製程提供以下優點： 提供具有優異耐候化性、耐熱性及抗濕性的太陽能電 池模組之途徑。即使該模組長時間曝露於戶外條件，未發 生剝離。此外，由於即使在高溫及高濕度下亦未釋放酸， 故耐候化性經改良。因光伏打電池未被酸腐蝕，故太陽能 電池之安定耐用性能維持長時間期間。 此外，使用具有傑出耐候化性、熱安定性及抗濕性且 具有優異透明度之材料，以容許製造良好太陽能電池模組 【實施方式】 發明詳細說明 在本發明範圍內，使用以下者來製造太陽能電池模組 a) 至少一種（聚）（甲基）丙烯酸烷酯’及 b) 至少一種根據式（I)之化合物
R 其中殘基R1及R2獨立表示具有1至20個碳原子之烷基 或環烷基殘基， 確保該太陽能電池具有至少一種包含聚（甲基）丙嫌酸烷 酯之組件且該組件/該等組件中之根據式（1 )的化合物之 濃度在以下界定之範圍： 10 - 201219421 Ο；〆-吸收劑 Q.\[wt%xmrn\ Q.6\wt%xmm\ d模製物[w/n] d模製物[ww] 「（聚）（甲基）丙烯酸烷酯」分別表示「 烯酸烷酯」或「（甲基）丙烯酸烷酯」或此 ，例如呈可用於澆鑄程序的漿（sirup )。 「包含聚（甲基）丙烯酸烷酯之組件及根I 合物」在本發明範圍內意指太陽能電池之組 板或二維或三維形成體，係例如由增強劑製 電池組件有助於爲太陽能模組屏蔽外部有害 (甲基）丙烯酸烷酯及根據式（I)之化合 明之太陽能電池可含有數個此等元件，其可 構。 較佳地，UV吸收劑（式（I )之化合物 下範圍 聚（甲基）丙 二者之混合物 豢式（I )之化 件，例如層或 成，該太陽能 效應且含有聚 物二者。本發 以不同方式建 )的濃度在以
Cyv- ，吸收劑 Q.\S[wt%xmrn\ dmm[rnm) 尤佳係在以下範圍 至 0.45 [wt%xmm\ d模製物[ww] 至 0A5[wt%xmm] d模製物[俯所] 最佳係在以下範圍 C(jy -i 吸收剤 QAS[wt%xmrn\ ^ 03[wt%xmm] d模製物d模製物 上述限制及單元茲解釋如下： 在3 mm厚且具有各種根據本發明所使用之 式（I )之化合物）濃度的Plexiglas®板上 UV吸收劑（ 測量透射光譜 -11 - 201219421 (見實施例）β測定uv吸收劑之濃度，如以下所示之實 例的計算UV吸收劑含量爲0.06重量％ :
卜吸收劑 ㈣0.06㈣=018[心麵! d換製物[讲171] d模製物 其中：
Cuv ® ： 表示模製化合物或澆鑄單體混合物或 該太陽能電池之組件或層中根據式（I)之UV吸收劑化 合物的濃度，其含有組分a)及b) dffisjti :表示模製物之厚度 因此上述等式之分子中的因數一定指3 mm厚組件（ 厚層或板）。上述等式之分母中因已考慮實際厚度，就具 有不同厚度之組件（不論實際厚度爲何）而言，確保該 UV吸收劑之適當作用。 組分a )及b )可一起用於組成物中，例如作爲模製 化合物中之混合物或用於澆鑄單體混合物，以製造太陽能 電池模組之組件（例如模製物）。然而，亦可能各者分別 用於製造太陽能電池模組各種個別組件，其條件該太陽能 電池中存在包含上述濃度之組分a)及b)二者的至少一 組件。 該（聚）（甲基）丙烯酸烷酯可單獨使用或與數種不 同（聚）（甲基）丙烯酸烷酯混合。此外，聚（甲基）丙 烯酸烷酯亦可呈共聚物形式。 在本發明範圍內，特佳者爲（甲基）丙烯酸Cl_Cl8 烷酯之均聚物及共聚物，較佳爲（甲基）丙烯酸（^-(：10 -12- 201219421 烷酯，特別是（甲基）丙烯酸<^-(：4烷酯聚合物，其隨意 地亦可含有其各種不同單體單元。 此處所使用之表示法（甲基）丙烯酸酯表示甲基丙烯 酸酯（例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯等），及丙 烯酸酯（例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯等），及二者單體 之混合物。 已證實使用含有70重量％至99重量％，特別是70重 量％至90重量％之甲基丙烯酸Ci-CM烷酯的共聚物尤其 有用。較佳之甲基丙烯酸CzCu烷酯包含甲基丙烯酸甲 酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙 酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸 三級丁酯、甲基丙烯酸戊酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯 酸庚酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸異辛酯及甲基丙烯 酸乙基己酯，甲基丙烯酸壬酯、甲基丙烯酸癸酯，以及甲 基丙烯酸環烷酯，例如甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸異 •莰酯、或甲基丙烯酸乙基環己酯。 尤佳之共聚物包含80重量％至99重量％之甲基丙烯 酸甲酯（MMA )單元及1重量％至20重量％，較佳爲1 重量％至5重量％之丙烯酸C^-Cm烷酯單元，特別是丙烯 酸甲酯、丙烯酸乙酯友/或丙烯酸丁酯單元。使用可得自 Rdhm GmbH公司之聚甲基丙烯酸甲酯PLEXIGLAS® 7N 已證實在這方面相當有用。 聚（甲基）丙烯酸烷酯可藉由本身已習知之混合方法 製造，以自由基聚合方法製造，特別是總體聚合、溶液聚 -13- 201219421 合、懸浮聚合及乳化聚合方法尤佳。尤其適用於該等目的 之起始劑特別包含偶氮化合物，諸如2,2'-偶氮雙（異丁 腈）或2,2·-偶氮雙（2,4-二甲基戊腈）；氧化還原系統， 例如三級胺與過氧化物或二亞硫酸鈉及過硫酸鉀、過硫酸 鈉或過硫酸銨或較佳爲過氧化物之組合（詳見例如Η. Rauch-Puntigam, Th. V5lker, "Acrylic and methacrylic compounds", Springer, Heidelberg, 1 967 或 Kirk-Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology, Vol.l,第 3 86 頁以 下’ J. WiUy, New York, 1978)。特別適用之過氧化物聚 合起始劑的實例爲過氧化二月桂醯基、過辛酸三級丁酯、 過異壬酸三級丁酯、過氧二碳酸二環己酯、過氧化二苯甲 醯及2,2-雙（三級丁基過氧基）丁烷。該聚合作用較佳亦 可以各種具有不同半衰期之聚合起始劑的混合物進行，例 如過氧化二月桂醯基及2,2-雙（三級丁基過氧基）-丁烷 ，以在聚合期間且在不同聚合溫度之下維持恆定自由基通 量。所使用之聚合起始劑之量通常相對於該單體混合物計 爲0.0 1重量％至2重量％。 聚合作用可作爲連續程序或作爲分批程序進行。在聚 合之後，該聚合物係藉由慣用單離及分離步驟（例如過濾 、凝聚及噴霧乾燥）來獲得。 該等聚合物 （polymerizate ) 或共聚物 （ copolymerizate )之鏈長可藉由在分子量調節劑之存在下 聚合單體或單體混合物來調整，該等分子量調節劑特別諸 如習知用於此目的之硫醇，例如正丁基硫醇、正十二基硫 • 14- 201219421 醇、2-毓乙醇或2-乙基己基氫硫乙酸酯、氫硫乙酸新戊四 醇酯；該等分子量調節劑通常的使用量相對於該單體或單 體混合物計爲0.05重量％至5重量％，較佳係相對於該單 體或單體混合物爲0.1重量％至2重量％且尤佳係用量相 對於該單體或單體混合物爲0.2重量％至1重量％ (參考 例如 H· Rauch-Puntigam, Th. Volker, "Acrylic and methacry 1 ic compounds"， Springer， Heidelberg, 1 9 6 7 » Houben-Weyl, Methoden der organischen Chemie [Methods of o r g an i c c h e m i s t r y ]，V ο I，XIV /1，第 6 6 頁，G e o r g Thieme，Heidelberg，19 6 1 或 Kirk-Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology，Vol. 1，第 296 頁以下，】· Wiley，New York，1 978 )。尤佳係，使用正十二基硫醇用 作分子量調節劑。 在本發明範圍內，另外使用至少一種根據式（I)之 化合物製造太陽能電池模組'·
其中，殘基R1及R2獨立表示具有1至20個碳原子 ，尤佳係具有1至8個碳原子之烷基或環烷基殘基。該等 脂族殘基較佳爲直鏈或分支鏈，且可具有取代基，例如鹵 素原子。 該等較佳烷基包括甲基、乙基、丙基、異丙基、1-丁 基、2-丁基、2-甲基丙基、三級丁基、戊基、2-甲基丁基 、1，卜二甲基丙基、己基 '庚基、辛基、1，1,3,3-四甲基丁 -15- 201219421 基、壬基、1-癸基、2 -癸基、--基、十二基、十五基及 二十基。 較佳之環烷基包括環丙基、環丁基、環戊基、環己基 、環庚基及環辛基，彼等係隨意地經支鏈或非支鏈烷基取 代。 尤佳係使用式（II)化合物： -0 ... 〇
c2h5 h5c2o 該化合物可購自 Clariant，其商標爲©3311(11^〇1· VSU ，以及購自CibaGeigy，其商標爲@7^111^丨11312。 在本發明範圍內，此外可隨意地使用熟悉本技術之人 士詳知之添加劑。外部潤滑劑、抗氧化劑、阻燃性、額外 UV安定劑（較佳爲HALS安定劑）、流動改良劑、用於 屏蔽電磁輻射之金屬添加劑、抗靜電劑、脫模劑、染料、 顏料、黏著促進劑、抗候化劑、塑化劑、塡料等爲佳。 在本發明尤佳之具體實例的範圍內，使用至少一種受 阻胺，提供耐候化性之進一步改良。可進一步減少長時間 曝露於外部條件之材料的黃化或降解。 尤佳之受阻胺包括二甲基丁二酸酯-1-(2羥乙基）-4-羥基-2,2,6,6-四甲基哌哄聚縮合物、聚[{6- ( 1，1，3,3-四甲基丁基）胺基-1，3,5-三哄-2,4-二基）{(2,2,6,6-四甲 基-4-哌啶基）亞胺基}六亞甲基{ ( 2,2,6,6-四甲基-4·哌啶 基）亞胺基}]、N，N’-雙（3-胺丙基）乙二胺-2,4-雙[N-丁 -16- 201219421 基-N- ( 1,2，2,6,6-五甲基-4-哌啶基）胺3 哄縮合物、雙（2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基： (3，5 -二-第三-4·羥苯甲基）-2 -正丁 1，2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基）。 此外，使用使用矽烷黏著促進劑或有 實相當有用，提供對於無機材料黏著的進 適用之矽烷黏著促進劑包括乙烯基三 三（β-甲氧基乙氧基）矽烷、乙烯基三乙 基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基丙基三 (3,4-環氧基環己基）乙基三甲氧基矽烷 丙基甲基二乙氧基矽烷、Ν-β-(胺基乙3 甲氧基矽烷、Ν-β-(胺基乙基）-γ-胺丙基 烷、γ-胺丙基三乙氧基矽烷、Ν-苯基-γ-胺 烷、γ-毓基丙基三甲氧基矽烷及γ-氯丙基: 聚（甲基）丙烯酸烷酯與根據式（I 對比例原則上可自由選擇。 在第一較佳具體實例中，組分a)及 製化合物中。尤佳之模製化合物包含90 重量％之聚（甲基）丙烯酸烷酯（各例中 化合物之總重），其中根據式（I)之化 述範圍或較佳範圍內。 該等化合物可藉由熟悉從文獻得知之 模製化合物中，例如藉由在較高溫度下進 該聚合物混合、藉由添加至該聚合物熔體 U-6-氯-1，3,5-三 )癸二酸酯及2-基丙二酸雙（ 機鈦化合物已證 一步改良。 氯矽烷、乙烯基 氧基矽烷、乙烯 甲氧基矽烷、β-、γ-環氧丙氧基 S ) - γ -胺丙基三 甲基二甲氧基矽 丙基三甲氧基矽 三甲氧基矽烷。 )之化合物的相 b )存在常見模 重量％至99.999 係相對於該模製 合物的濃度在上 方法結合於常見 一步處理之前與 ，或在藉由正處 -17- 201219421 理時添加至經懸浮或溶解之聚合物。彼等可隨意地亦已加 入用於製造聚合物的起始材料，且彼等即使在存在其他可 用光及熱安定劑、氧化劑及還原劑等之下不會損失黏著能 力。 對於本發明目的而言尤佳之模製化合物具有不低於 80 °C之軟化溫度（Vic at軟化溫度VST (ISO 306-B50 ) )。因此，由於即使模組在戶外使用期間曝露於高溫下， 其該模製化合物不會開始潛變，故其特別適於作爲太陽能 電池模組之增強劑。 在第二較佳具體實例中，可聚合成組分a)與UV吸 收劑b)之單體係與其他上述組分隨意地混合成可聚合單 體混合物（澆鑄單體混合物）。在本發明範圍內，澆鑄單 體混合物包含單體之混合物及單體、聚合物與寡聚物之混 合物，所謂漿（syrup )或樹脂混合物。太陽能電池元件 可藉由習知方法從該澆鑄單體混合物製造，較佳係藉由室 聚合（chamber polymerization)及連續澆鑄聚合製造。 尤其有利的太陽能電池元件係從具有相對較高總透明 度且以尤其是當用作太陽能電池模組中之增強劑時，尤其 是用於多接面太陽能電池時，防止該太陽能電池之性能降 低（該性能降低係因增強劑之光學損失造成）之方式的模 製化合物及/或澆鑄單體混合物製造者。在400 nm至低於 5 00 nm之波長範圍內，總透明度較佳爲至少90%。在500 nm至低於1 000 nm之波長範圍內，總透明度較佳爲至少 80 % (使用得自Perkin Elmer公司之Lambda 19分光光度 -18- 201219421 計測量）。 此外’得自模製化合物及/或澆鑄單體混合物亦有利 之處在於其浅漏電阻爲1至500 X cm2。因短路之故， 此最佳避免太陽能電池的性能降低。 得自含有所述成分之模製化合物及/或澆鑄單體混合 物的太陽能電池元件特別適於作爲太陽能電池模組之增強 劑，在多接面太陽能電池之例中尤其如此。此外，較佳用 於製造所謂集光器。其等爲極有效率地將光聚集在儘可能 小之區域上的組件，因此獲致高強度輻射。在該情況下， 不一定產生光源影像。 尤其有利於本發明目的之集光器爲會聚透鏡，其收集 平行光且將其聚集在焦平面上。特別是，平行於光軸之入 射光被聚至焦點。 會聚透鏡可爲雙凸（雙側向外凸）、平凸（一側平坦 ，一側凸面）或凹凸（一側向內彎，一側向外彎，該凸側 較佳係比凹側更彎曲）。根據本發明尤佳之會聚透鏡包含 至少一個凸面區，且已發現平凸結構尤其有利。 在本發明尤佳具體實例之範圍內，集光器具有夫瑞乃 透鏡結構。此係光學透鏡，因所使用的設計之故’該等光 學透鏡通常導致重量及體積縮減，此對於具有短焦距之大 型透鏡尤其有效。 使用夫瑞乃透鏡減少體積係藉由將其分成數個環形區 來獲致。在該等區各者中，該厚度縮減’因此該透鏡具有 一系列環狀階梯。由於光只在透鏡表面上折射’折射角度 -19- 201219421 不取決於厚度，而是只取決於透鏡的兩個表面之間的角度 。因此，該透鏡保持其焦距，惟因階梯形結構而使圖案品 質受損。 在本發明第一尤佳具體實例範圍內，使用具有旋轉對 稱且朝光軸具有夫瑞乃結構的透鏡q其以一方向將光聚焦 在一點上。 在本發明其他尤佳具體實例範圍內，使用具有夫瑞乃 結構之線性透鏡，該等透鏡將光聚焦在一平面上。 另外，太陽能電池模組可具有本身已習知之結構。較 佳係包含至少一個光伏打電池，其有利地插入並層合在板 與後壁之間，在各例中該板及該後壁有利地使用增強劑固 定在該光伏打電池上》該太陽能電池模組，特別是該板、 該後壁及/或該增強劑，較佳包含根據本發明所使用之組 分，即聚（甲基）丙烯酸烷酯與根據式（I)之化合物。 在本發明其他尤佳具體實例之範圍內，該太陽能電池 模組包含 a) 至少一個光伏打電池， b) 至少一個集光器，其含有至少一種聚（甲基）丙烯酸 烷酯，及 c) 至少一個透明板，其含有至少一種根據式（I)之化合 物， 其中該太陽能電池模組具有至少一個包含聚（甲基）丙烯 酸烷酯之組件且該組件/該等組件中之根據式（I )的化合 物之濃度在以下界定之範圍 -20- 201219421 _ Q.\[wt%xmni\ _p 0.6[wt%xmni\ ㈣糊=4翻[顯] dmm[rnrn] 以下描述太陽能電池模組之尤其有利結構，有利參考 圖1至圖2B中之圖式。 根據本發明之太陽能電池模組較佳包含光伏打電池 101、板103 (其覆蓋光伏打電池101前面）、介於該光 伏打電池1 0 1及板1 〇 3之間的第一增強劑1 〇 2、後壁1 0 5 (其覆蓋該光伏打電池101背面104)，以及介於光伏打 電池101與後壁105之間的第二增強劑104。 該光伏打電池較佳包含在傳導基板上之光活性半導體 層作爲用於轉換光之第一電極以及在該第一電極頂部形成 之第二透明傳導層作爲第二電極。 在這方面，該傳導基板較佳包含不鏽鋼，藉由不鏽鋼 可進一步改良該基板上之增強劑的黏著強度。 含有銅及/或銀作爲成分之集板電極較佳係形成於光 伏打電池之光敏側上，而含有聚（甲基）丙烯酸烷酯之元 件（較佳含有至少一種上述濃度之根據式（I)之化合物 )較佳係與該集板電極接觸。 光伏打電池之光敏表面有利地覆蓋以含有聚（甲基） 丙烯酸烷酯之元件（其具有至少一種上述濃度之根據式（ I)之化合物），然後較佳係在其配置薄的氟化物聚合物 膜作爲最外層。 該第一增強劑102應藉由覆蓋電池101之光敏表面的 不均句而爲任何爲光伏打電池1 0 1防止外部因素。亦用於 將板1 03接合於電池101。因此，除了高透明度之外，應 -21 - 201219421 具有高耐候化性、良好黏著性及高耐熱性。此外， 低吸水性且不應釋放任何酸》爲了符合該等需求， 使用聚（甲基）丙烯酸烷酯作爲增強劑，其較佳含 —種上述濃度之根據式（I)之化合物》 爲了最小化到達光伏打電池1 0 1之光量的任何 第一增強劑102在400 nm至800 nm可見光波長範 透明度較佳爲至少80%，尤佳爲在400 nm至小於 之波長範圍內的透明度爲至少 90% (使用得自 Elmer公司之Lambda 19分光光度計測量）。此外 係折射率爲1.1至2.0，較有利爲1.1至1.6，以促 空氣之光的入射（根據ISO 489測量）。 使用第二增強劑104，藉由覆蓋在電池101背 任何不均勻來爲光伏打電池1 0 1防止外部因素。此 用於將後壁105接合於電池101。因此，如同第一 ，該第二增強劑應具有高耐候化性、良好黏著性及 性。因此，亦較佳係使用聚（甲基）丙烯酸烷酯， 含有至少一種根據式（I)之化合物作爲第二增強 佳地，使用相同材料用於第一增強劑及用於第二增 然而，由於透明度係隨意的，故可視需要將塡料（ 機氧化物）添加於該第二增強劑中以進一步改良耐 及機械性質，或可將顏料加入以將之著色。 較佳地，使用習知電池作爲光伏打電池1 0 1， 單晶矽電池、多晶電池，非晶矽及微晶矽亦用於薄 池。此外，硒化銅銦及半導體化合物亦尤其適用。 應具有 較佳係 有至少 減少， 圍內之 500 nm Perkin ，較佳 進來自 面上之 外，亦 增強劑 高耐熱 其較佳 劑。較 強劑。 諸如有 候化性 特別是 膜矽電 -22- 201219421 較佳光伏打電池之示意方塊圖係示於圖2a及2b。圖 2a係光伏打電池之示意橫斷面圖，然而圖2b係光伏打電 池之不意俯視圖。在該等圖式中’編號201表不傳導基板 ，202表示在背面上之反射層，203表示光活性半導體層 ，2 04表示透明傳導層，205表示集板電極，206a及206b 收集器，及207與20 8表示傳導、黏著或傳導糊。 傳導基板201不僅用作光伏打電池之基板，亦用作第 二電極。傳導基板201之材料較佳包含矽、鉬、鉬、鎢、 不鏽鋼、鋁、銅、鈦、碳膜、塗覆鉛之鋼板、具有傳導層 之樹脂膜及/或陶瓷。 在傳導基板201上，較佳係在背面上提供金屬層或金 屬氧化物層或二者作爲反射層202。金屬層較佳包含Ti、 Cr、Mo、B、A卜Ag及/或Ni，然而該金屬氧化物層較佳 含有ZnO、Ti02及Sn02。該金屬層及金屬氧化物層較有 利地藉由利用熱或利用電子束或利用濺鍍之化學氣相沉積 所形成。 該光活性半導體層203用於進行光電轉換。這方面之 較佳材料爲具有P-η接面之多晶矽、得自非晶矽之PIN接 面型、得自微晶矽之PIN接面型及半導體化合物，特別是 CuInSe2、CuInS2 ' GaAs、CdS/Cu2S、CdS/CdTe、CdS/InP 及CdTe/Cu2Te。使用得自非晶形矽之PIN接面型尤佳。 該光活性半導體層較佳係藉由將熔融矽形成膜，或在 多晶矽之例中藉由非晶矽之熱處理，在非晶矽及微晶矽之 例中使用矽烷氣體作爲起始材料之電漿化學氣相沉積，以 -23- 201219421 及在半導體化合物之例中藉由離子鍍覆、離子束沉積、真 空蒸發、灘鑛及/或鍵辞（galvanizing)來製造。 透明傳導層204用作太陽能電池之上電極。較佳包含 In2〇3 ' Sn02、In203-Sn02 ( ITO ) 、ZnO、Ti02、Cd2Sn04 或結晶半導體層，其係摻雜有高濃度雜質。可由耐熱氣相 沉積、濺鍍、噴淋、化學氣相沉積或藉由擴散雜質而形成。 此外，在形成有透明傳導層204之光伏打電池之例中 ，因傳導基板201之表面的不均勻及/或光活性半導體層 形成時的不均勻度而使傳導基板及透明傳導層可部分短路 。在該例中，大電流損失與輸出電壓成比例。即，洩漏電 阻（分路電阻）低。因此，需要移除短路，且在形成透明 傳導層之後，對光伏打電池進行移除瑕疵之處理。此種處 理係詳細描述於美國專利4,729,970。由於此處理之故， 該光伏打電池的分路電阻調整爲1至5 00 ΙίΩ X cm2，較佳 爲 10 至 500 ΙςΩ X cm2。 集板電極（柵極）可在該透明傳導層204上形成。較 佳係其具有格柵、蜂巢、線或類似形式，以有效率收集電 流。形成集板電極205之材料的較佳實例爲Ti、Cr、Mo 、W、A1、Ag、Ni、Cu、Sn或傳導糊，其稱之爲銀糊。 集板電極2 05較佳係藉由使用遮罩濺鍍、藉由電阻加 熱、藉由化學氣相沉積、藉由包含藉由氣相沉積在整體層 上形成金屬膜並藉由蝕刻移除不需要之膜部分的步驟之方 法、藉由光化學氣相沉積形成柵極圖案之方法、藉由包含 形成柵極之負遮罩並鍍覆圖案表面之步驟的方法、藉由印 -24- 201219421 刷傳導糊之方法、藉由將金屬線焊於所印刷之傳導糊的方 法來形成。所使用之傳導糊較佳爲聚合物黏合劑，其中銀 、金、銅、鎳、碳或類似物係呈細微粉末形式分散。該聚 合物黏合劑較佳包括聚酯樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、 醇酸樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、橡膠、胺基甲酸酯樹脂及 /或酚樹脂。 最後，較佳之分接終端206係固定在傳導基板201上 或在集板電極205用於分接電動勢。分接終端206較佳係 藉由使用點狀熔接或焊接將金屬體（例如銅凸出部）固定 在傳導基板上，然而將分接終端固定在集板電極上較佳係 藉由使用傳導糊或使用錫焊料207及208將金屬體電連接 至該集板電極。 光伏打電池係串聯或並聯連接，此取決於所需之電壓 或電流。此外，該電壓或電流可藉由將光伏打電池插入絕 緣基板中而予以控制。 由於圖1中之板103爲太陽能電池模組的最外層，其 應具有最大可能耐候化性、最佳拒塵作用及最高可能機械 強度。此外，必須確保戶外使用之太陽能電池模組的長期 可靠度。適於本發明目的之板包括（增強）玻璃膜及氟化 物聚合物膜。所使用之玻璃膜較佳爲具有高透明度之玻璃 膜。適用之氟化物聚合物膜特別包含四氟乙烯-乙烯共聚 物（ETFE)、聚氟乙烯樹脂（PVF)、聚偏二氟乙烯樹脂 (PVDF)、四乙烯樹脂（TFE)、四氟乙烯-六氟丙烯共 聚物（FEP )及氯三氟乙烯（CTFE)。聚偏二氟乙烯樹脂 -25- 201219421 在耐候化性方面尤其適用，然而四氟乙烯-乙烯共聚物在 耐候化性與機械強度的組合方面尤其有利。爲改良氟化物 聚合物膜與增強劑之間的黏著性，希望該膜經歷電暈處理 或電漿處理。此外，使用經拉伸膜亦較佳，以進一步改良 機械強度。 在本發明尤佳具體實例之範圍內，板包含至少一種聚 (甲基）丙烯酸烷酯，且較佳係此外包含至少一種上述濃 度之根據式（I)之化合物。 此外，該板較佳爲集光器，其非常有效率地將光集中 在光伏打電池上，因此獲致高輻射強度。收集平光入射光 並將之聚焦在焦平面的會聚透鏡尤佳》特別是，將平行於 光軸之入射光聚焦在焦點。 會聚透鏡可爲雙凸、平凸或凹凸。然而，以平凸結構 尤佳。此外，該板較佳具有夫瑞乃透鏡之結構。 該後壁105用於介於光伏打電池101與周圍的電絕緣 及進一步改良耐候化性，以及作爲增強材料。較佳係從確 保適當電絕緣性質、具有優異長期耐用性、可承受熱膨脹 及熱收縮且具撓性之材料形成。尤其適用於該等目的之材 料包括耐綸膜、聚對苯二甲酸乙二酯（PET)膜及聚親乙 烯膜。若需要抗濕性’較佳係使用層合鋁之聚氟乙烯膜、 塗覆鋁之PET膜、塗覆氧化矽之PET膜。此外，模組之 耐火性可藉由使用層合膜、鏟鋅之鐵箔或不鏽鋼箔作爲後 壁予以改良。 在本發明尤佳具體實例之範圍內，後壁包含至少一種 -26- 201219421 聚（甲基）丙烯酸烷酯，此外較佳含有至少一種 I )之化合物。 支撐板可固定在後壁外表面上，以進一步改 電池模組之機械強度或防止後壁因溫度改變而凸 。尤佳之後壁爲不鏽鋼薄片、塑膠薄片及FRP( 之塑膠）薄片。此外，建築材料可固定在該背板 此種太陽能電池模組可以本身爲人習知之方 然而，以下所描述之製程尤其有利。 爲以增強劑覆蓋光伏打電池，較佳係使用將 熔融並經由狹縫擠出以形成膜，然後將該膜熱固 池上之方法。增強劑之膜較佳係插入該電池及板 及該電池及後壁之間，然後予以固化。 熱固化係使用習知方法（例如真空層合及輥 進行。 根據本發明之太陽能電池模組較佳具有高達 高之操作溫度，尤其是在高溫下，可有效地利用 明之材料的耐熱性效應。 以下實施例係用以更詳細解釋本發明及較佳 發明，但不在任何方面有所限制。 實施例
製備以下模製化合物，並測量厚度爲3 mm 模製化合物所製造的模製物之透射光譜（光譜見 對照實例 1 :得自 Evonik® Riihm GmbH 根據式（ 良太陽能 起及鬆垂 纖維增強 上。 式製造。 增強劑熱 定於該電 之間，以 壓層合） 8 0 °C或更 根據本發 地理解本 之從該等 附錄）： 公司之 -27- 201219421
PLEXIGLAS® 7H
對照實例2 :具有0· 1重量％之Tinuvin® P (爲底質之UV 吸收劑）的 PLEXIGLAS® 7H 實施例 1 : 具 有 0.04 重 且 里 % 之 Tinuvin® 3 12 的 PLEXIGLAS® 7H 實施例 2 : 具 有 0.06 重 量 % 之 Tinuvin® 3 12 的 PLEXIGLAS® 7H 實施例 3 : 具 有 0.08 重 量 % 之 Tinuvin® 3 12 的 PLEXIGLAS® 7H 實施例 4 : 具 有 0.1 重 量 % 之 Tinuvin® 3 12 的 PLEXIGLAS® 7H 實施例 5 : 具 有 0.2 重 量 % 之 Tinuvin® 3 12 的
PLEXIGLAS® 7H
實施例6 :具有0.04重量°/。之Tinuvin® 312及0.04重量 %之 Tinuvin® 770 的 PLEXIGLAS® 7H 圖4中之Plexiglass® 7H樣本（對照實例1 )的透射 光譜顯示出高比例之UV光通過該樣本，因此亦有助於加 熱對應之太陽能模組。然而，僅在藉由對應之太陽能轉換 電池將光轉換成能量的特定波長下。該波長範圍通常在近 UV區開始（從3 5 0 nm開始），並視所使用之轉換電池而 定，結束於（近）IR區中。 與透射光譜比較時，可看出實施例1至6(見圖6) 比起對照實例2(見圖5)遠遠較高比例之UV光通過對 應之板。當所使用之轉換電池爲多重電池時此爲優點，從 -28- 201219421 圖8及圖9中之波長可看出該電池之敏感度》 此外，若該添加有TINUVIN® 312之模製化合物另外 經 TIN UV IN® 770 (HALS 安定劑，雙（2,2,6,6-四甲基- 4-哌啶基）癸二酸酯））安定，可顯示出在陽光測試（ Suntest)候化至少2500小時之後該透射光譜大部分保留 下來（見圖7 )。該陽光測試係根據標準DIN EN ISO 4 892-2來評估樣本的耐候化性之方法。當偏離標準時， 在無毛毛雨週期（drizzle cycle)情況下進行圖7所顯示 之測試。即，該等樣本係以恆定60W/m2照射。省略該標 準中之「相對濕度爲65+/-10%」一項。 【圖式簡單說明】 圖1爲根據本發明較佳太陽能電池模組之示意橫斷面 〇 圖2a及2b爲示意橫斷面，其顯示較佳用於根據圖1 之太陽能電池模組的光伏打電池之基礎結構，及該光伏打 電池之光敏區域的俯視圖。 圖3係慣用太陽能電池之示意橫斷面。 圖4 :對照實例1之透射光譜 圖5 :對照實例2之透射光譜 圖6 :實施例1至5之透射光譜之比較 圖7 :根據個別透射光譜之圖6的長期候化試驗 圖8:與在250至450 nm波長範圍內之入射光的波 長相關的多接面太陽能電池 （CDO-100 -29- 201219421
ConcentratorPhotovoltaik Cell，得自 Spectrolab Inc.公司 (USA))之敏感度 圖9:與在330至1730 nm波長範圍內之入射光的波 長相關之多接面太陽能電池的敏感度 【主要元件符號說明】 圖1 101 光伏打電池 102 ： 增強劑 103 ： 板 104 ： 增強劑 105 ： 後壁 圖2a 201 ： 傳導基板 202 ： 反射層 203 ： 光活性半導體層 204 ： 透明傳導層 205 ： 集板電極 206a :連接器 206b :連接器 207 ： 傳導性黏著糊 208 ： 傳導糊或錫焊料 圖2 b 201 ： 傳導基板 202 ： 反射層 203 ： 光活性半導體層 204 ： 透明傳導層 205 ： 集板電極 206a :連接器 2 0 6 b :連接器 207 ： 傳導性黏著糊 圖3 501 ： 光伏打電池 502 ： 增強劑 5 03 ： 板 504 ： 後壁 -30-

Claims (1)

  1. 201219421 七、申請專利範圍： 途， 及 1. 一種使用以下者製造太陽能電池模組之用 a) 至少一種（聚）（甲基）丙烯酸烷酯， b ) 至少一種根據式（I)之化合物，
    其中殘基R1及R1 2 3獨立表示具有1至201 烷基或環烷基殘基， 其特徵在於該太陽能電池具有至少一種包1 )丙烯酸烷酯之組件且該組件或該等組件中之 )的化合物之濃度在以下界定之範圍 碳原子之 聚（甲基 I據式（I
    卜吸收劑 QA[wt%xmrn\ 至 0.6[wt%xmm] d模製物[所所] a )及b 太陽能模 於太陽能 製化合物 酸 Cj-Cu 途，其中 ，該共聚 1單元及1 佳爲丙烯 -31 - 1 .如申請專利範圍第1項之用途，其中組 )隨意地與其他組分在澆鑄程序中一起經處理 組或太陽能模組之組件，或模製化合物，然後用 模組或太陽能模組之組件的製造。 2 3_如申請專利範圍第1項之用途，其中該檨 或該澆鑄單體混合物含有至少一種（甲基）丙烯 烷酯均聚物或共聚物。 3 .如申請專利範圍第1至3項中任一項之月 該模製化合物或該澆鑄單體含有至少一種共聚物 物包含80重量％至99重量。/«»之甲基丙烯酸甲画 重量％至20重量％之丙烯酸Cl-C1()烷酯單元，軺 201219421 酸甲酯及/或丙烯酸乙酯單元。 5.如申請專利範圍第1至3項中任一項之用途，其中 使用根據式（I)之化合物，其中該等殘基R1及R2獨立表 示具有1至8個碳原子之烷基或環烷基殘基，較佳爲甲基 、乙基、丙基、異丙基、1-丁基、2-丁基、2 -甲基丙基、 三級丁基、戊基、2-甲基丁基、1，1-二甲基丙基、己基、 庚基、辛基、1,1，3,3-四甲基丁基、壬基、1-癸基、2-癸基 、十一基' 十二基、十五基或二十基，或環丙基、環丁基 、環戊基、環己基、環庚基或環辛基，彼等係隨意地經支 鏈或非支鏈烷基取代。 6·如申請專利範圍第1至3項中任一項之用途，其中 使用根據式（II )之化合物 0. .0
    (II) HN-^) c2h5 h5c2o’ 7 ·如申請專利範圍第1至3項中任一項之用途，其中 根據式（I)(較佳爲式（II))之化合物在含聚（甲基） 丙烯酸烷酯組分中之濃度在以下所界定之範圍內 ;/κ-吸收劑 QA5[wt%xmm\ d模製物[所所] 較佳係在以下範圍 至 C t/卜吸收劑 d模製物[w/w] 尤佳係在以下範圍 OAS[wtV〇xmrri\ _ 0A[wt%xmm] 主 ~r *模製物 [mm] -32· 201219421 吸收劑 0.\5[wt%xmm\ ^ 03[wt%xmni\ ^模麵\.mm^ 8.—種太陽能電池模組，其包含模製物，該模製物含 有 a) 至少一種聚（甲基）丙烯酸烷酯，及 b ) 至少一種根據式（I )之化合物， Ο Ο
    (I) 烷基或環烷基殘基， 其特徵在於該太陽能電池具有至少一種包含聚（甲基 )丙烯酸烷酯之組件且該組件或該等組件中之根據式（I )的化合物之濃度在以下界定之範圍 π-吸收劑 0.1 [wt%xmm]至 Q.6\wt%xmrn\ [mm] I.如申請專利範圍第8項之太陽能電池模組，其中該 模製物爲集光器。 1 0 .如申請專利範圍第9項之太陽能電池模組.，其中 該模製物爲會聚透鏡。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之太陽能電池模組，其中 該會聚透鏡包含凸面區。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之太陽能電池模組，其中 該會聚透鏡具有平凸結構。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之太陽能電池模組，其中 該會聚透鏡爲夫瑞乃（Fresnel)透鏡。 -33- 201219421 I4.如申請專利範圍第9至13項中任一項之太陽能電 池模組，其另外包含光伏打電池。 1 5 . —種太陽能電池模組，其包含 a) 至少一個光伏打電池， b) 至少一個會聚透鏡，其含有至少一種聚（甲基） 丙烯酸烷酯，及 c) 至少一個透明板，其含有至少一種根據式（I)之 化合物
    其中殘基R1及R2獨立表示具有1至20個碳原子之 烷基或環烷基殘基， 其特徵在於該太陽能電池模組具有至少一個包含聚（ 甲基）丙烯酸烷酯之組件且該組件或該等組件中之根據式 (I)的化合物之濃度在以下界定之範圍 _ 0A[wt%xmm\ — Q.6[wt%xmrri\ 吸纏 换製物[顯] j模製物[顯] -34-
TW100121840A 2010-06-25 2011-06-22 Production of solar cell modules TW201219421A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010030508A DE102010030508A1 (de) 2010-06-25 2010-06-25 Herstellung von Solarzellenmodulen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201219421A true TW201219421A (en) 2012-05-16

Family

ID=44545651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100121840A TW201219421A (en) 2010-06-25 2011-06-22 Production of solar cell modules

Country Status (16)

Country Link
US (1) US20130087201A1 (zh)
EP (1) EP2585523A1 (zh)
JP (1) JP2013538437A (zh)
KR (1) KR20130129892A (zh)
CN (1) CN102858866A (zh)
AU (1) AU2011269243B2 (zh)
BR (1) BR112012031870A2 (zh)
CA (1) CA2803960A1 (zh)
DE (1) DE102010030508A1 (zh)
MA (1) MA34318B1 (zh)
RU (1) RU2013103171A (zh)
SG (1) SG186398A1 (zh)
TN (1) TN2012000615A1 (zh)
TW (1) TW201219421A (zh)
WO (1) WO2011160925A1 (zh)
ZA (1) ZA201209685B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106129151A (zh) * 2016-08-08 2016-11-16 江苏汤臣新材料科技有限公司 一种超轻压克力太阳能板
CN106129150B (zh) * 2016-08-08 2017-07-18 江苏汤臣新材料科技有限公司 一种压克力太阳能板及其制备方法
WO2018033502A1 (en) * 2016-08-15 2018-02-22 Evonik Röhm Gmbh Acrylic materials for use in an ultraviolet light engine
CN107819049A (zh) * 2016-09-12 2018-03-20 珠海兴业节能科技有限公司 Tpf光伏构件
CN114103175B (zh) * 2021-11-22 2022-06-24 佛山市彩龙镀膜包装材料有限公司 一种双面镀铝聚酯薄膜及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4729970A (en) 1986-09-15 1988-03-08 Energy Conversion Devices, Inc. Conversion process for passivating short circuit current paths in semiconductor devices
GB8727452D0 (en) 1987-11-24 1987-12-23 Sandoz Ltd Organic compounds
US6414236B1 (en) 1999-06-30 2002-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module
DE10311641A1 (de) 2003-03-14 2004-09-23 Röhm GmbH & Co. KG Bräunungshilfen
JP4737661B2 (ja) 2004-04-15 2011-08-03 三菱レイヨン株式会社 メタクリル樹脂成形品とその製法、および前面板
DE102008043719A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Evonik Röhm Gmbh Formmassen zur Herstellung von Solarzellenmodulen
DE102008043713A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Evonik Röhm Gmbh Herstellung von Solarzellenmodulen

Also Published As

Publication number Publication date
TN2012000615A1 (en) 2014-04-01
KR20130129892A (ko) 2013-11-29
CA2803960A1 (en) 2011-12-29
BR112012031870A2 (pt) 2016-11-08
JP2013538437A (ja) 2013-10-10
SG186398A1 (en) 2013-01-30
MA34318B1 (fr) 2013-06-01
WO2011160925A1 (de) 2011-12-29
ZA201209685B (en) 2014-03-26
AU2011269243B2 (en) 2014-05-08
EP2585523A1 (de) 2013-05-01
RU2013103171A (ru) 2014-07-27
AU2011269243A1 (en) 2013-02-07
US20130087201A1 (en) 2013-04-11
CN102858866A (zh) 2013-01-02
DE102010030508A1 (de) 2011-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101648231B1 (ko) 태양전지 모듈의 제조법
US20110269883A1 (en) Moulding compounds for the production of solar cell modules
US20100154863A1 (en) Concentrator solar cell modules with light concentrating articles comprising ionomeric materials
TW201219421A (en) Production of solar cell modules
US10043930B2 (en) High temperature acrylic sheet
TW201031704A (en) Production of solar-cell modules
JP2009105179A (ja) 太陽電池モジュール
TW201031697A (en) Moulding compositions for the production of solar-cell modules
JPH09191115A (ja) 太陽電池モジュール