TW201214799A - Carrier for an optoelectronic component, optoelectronic device with a carrier and method of manufacturing a carrier for an optoelectronic component - Google Patents

Description

201214799 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 :發明涉及一種光電組件用之載體、“載體之 电裝置以及光電組件用之載體之製造方法。 本專利申請案主張德國專利 π 〜曱 4 案 10006660.4 102010 0202 1 1.8之優先權，其已4 、匕揭不的整個内容分別 此一併作為參考。 【先前技術】 銀表面經常使用在像光電封裝之類的光電裝置中 這是因為銀表面有優異的反射特性、可接合性及導 性。然而’在由銀構成之鏡面層中，不易持續地達成 對電性終端之良好的黏合性（大致上是與半導體晶片 接觸）、高的反射性以及使銀不被腐蝕之可靠的保護性 銀的腐蝕特別是由於硫磺氣體（硫化作用）和濕氣之作 所造成，此種腐蝕會使銀表面變成暗色因此使得反射 大大地下降。例如，若一發光二極體（LED)安裝在銀鏡 上，則銀表面之與腐蝕有關的暗色會使由LED發射至 境中的光發生損耗’此乃因光之經由側面而由led發 至銀鏡面上的部份在與未腐蝕之鏡面比較下可由腐蝕 銀鏡面反射的部份已大大地減少。此外，此種腐蝕會 成與已腐餘之銀鏡面之電性接觸性之劣化。 除了銀表面以外’金表面亦可用作腐蝕穩定的解 方式。然而’在可見光的範圍中與銀表面相比較下， 表面的反射性小了大約30%至40%。 光 和 在 電 相 〇 用 性 面 環 射 之 造 決 金 201214799 【發明内容】 本發明至Φ ^ 組件用的载體，霄施例的主要目的是提供—種4 少一些實施例之另目面層具有銀，可使腐钱性下降。 少一些實施例之：-目的是提供-載體的製造方法。 體之光電裝置。 的是提供—具有光電組件用之 法來ί:目：藉由申請專利範圍獨立項所述之物件和 =成。物件和方法之有利的實 圖式而得知/ 附屬項中且另外可由以下的描述 鏡面！據實施例’光電組件用的载體具有至少 主亩垃盘、含有銀。又，載體元件具有-種功能材料 降。 匕材枓可使鏡面層之腐触性 所謂，，功能材料直接與鏡面層之銀接觸”在此處及 文中特別是指：功能材料直接配置在或存在於鏡面層 或在鏡面層中或其内部中。 已顯示的優點是’該鏡面層所期望的特性，例如 對電性終端、光電組件之接合接觸區或接觸面之良好 黏合性及/或受到保護使不腐蝕等可藉由，，功能材料直 與鏡面層之銀的至少一部份接觸，，來達成。以下所述的 能材料可有利地：止或至少阻礙該鏡面層中的銀發生 學上和電解上之另化過程’這對光 和較長的壽命而言是基本的先決條件穩二 是指在使用-種發出輕射之光電組件時所涉及之穩定 ，電 至 至 載 方 描 和 下 下 上 5 的 接 功 化 率 率 的 201214799 光效率。 依據至少一實施形式，光電裝 #雷纟日杜 ^ 罝具有上述之載體和 光電、.且件，其中該載體包括：載體 4« . T. ^ 丨十具鏡面層具有 件且有：绩:’直接與銀之至少一部份接觸。該載體元 在ϋ ❿秦贿）及/或夕卜殼，且該光電組件配置 在该導線架上及/或該外殼中。 例如’光電裝置 一 先電組件之所謂封 裝，邊先％組件安裝在光電裝置中且互相電性連接著。 因此’在光電裝置中可由外部來與該光電組件達成電性 接觸’該光電組件因此可在光電裝置中操作。 接特別是可藉由導線架來達成，該導線架埋置^ 或外殼上且具有至少一安裝面以安裝該光電組二 一電性接觸面以與該光電組件達成電性接觸。該或 完全包圍著光電組件或例如亦可具有一個開口，^设可 置著該光電組件。 其中配 έ玄載體元件特別是可具有以下特徵：該光略会 機械地及/或電性地連接或安裝在該載體元件上1、、且件可 在該光電組件和該載體元件之間可配置—種連於是， 如，焊接層或黏合材料層）。為了達成電性接觸接層（例 合使用焊接層或黏合材料層，其具有導電性之黏$別適 或由其構成。若只需要機械式的連接，則可使用。材料 緣之黏合材料作為該連接層以取代導電性之材科電丨生絕 接層亦適合用來將光電組件以熱學方式連^ 。该連 件。 复栽體元 又，該 載體元件另外在光電組件下方及/或旁 側及/ 201214799 或周圍可具 輻射予以反 載體元件上 施形式中， 上例如可藉 體元件亦可 之接觸面。 光電構件。 導體層序列 是發光二極 以下的 都有關係。 有一反 射而離 之電磁 載體元 由焊接 具有一 光電組 光電組 之半導 體或光 描述同 射面，其 開該載體 輻射反射 件具有一 或黏合而 用於接觸 件例如可 件特別是 體晶片來 二極體。 樣地與載 將該光電組件所產生之電磁 或使由外部人射至該載體和 至光電組件。在特別佳的實 用於光電組件之安I面，其 安裝著光電組件。或是，載 線（大致上是接合式接觸線） 以是發出輻射或接收輻射之 能以半導體層序列或具有半 形成，例如，光電組件可以 體以及具有载體之光電裝置 在-較佳的實施形式中，該功能材料包含始或由翻 。或是，該功能材料可含有由銦（In)、鋅（Zn)、錫 n、銅（Cu) ' 銦（Mo)、妃（pd)、錄（Rh)、釕（Ru)和透明 的導電氧化物所選取的至少一種材料或多種材料或由上 述材料之一種或多種所構成。 透月的導電氧化物（簡稱為TC〇)是透明的導電材 '斗_ U通¥疋金屬氧化物，例如，氧化鋅、氧化錫、氧 化鎘、氧化鈦、氧化銦或氧化銦錫（IT0)。二元的金屬氧 匕括ZnO，Sn〇2，Ιη2〇3’三元的金屬氧化物包括 Zn2Sn〇4s CdSn03j ZnSn03, Mgln2045 Galn03, Zn2In2〇5 或1η4 Sl^O!2。這些二元或三元的金屬氧化物、或不同的 透明導電氧化物之混合物都屬於TCOs之族群。在一特 別佳之實施形式中’透明導電氧化物可以是ITO或含有 201214799 jto 〇 已顯示的事實是： 接觸時能以有利的方 Χ :材料虽直接與鏡面層之銀 疋可猎由該功能材料使 ：：材科待性。特別 保護。 鏡面層達成有效之腐蝕 鏡面層之厚度例如 於i〇00奈米，較佳是大A: 4 Μ m小於或等 5Λλ . 疋大於或等於50夺乎曰, 500奈米，特別佳時是不未且小於或等於 於丄 疋大於或寺於100杏半Β， 於300奈米。鏡面層之厚声“ θ 不未且小於或等 4* 5.. 〈厚度大約疋200本半0主〇 特別有利地用於光電組件中。 不未時已顯示可 依據該載體之另— -種與鏡面層相鄰之 、。，該功能材料可形成 載體元件和該鏡面層 心㈣特別是配置在該 落鏡面層之間。換言之，該功能禺4 材料由該載體# # s s和该功能 戰體兀件硯看時配置在該鏡面層下 與该載體元件和哕铲& a ψ ㈢下方且又分別 和°亥鏡面層直接相鄰。例如，可杜 且特別是可估於^ 使鏡面層 使鏡面層中所含有的銀相對 合性獲得改自m LL T %戰體兀件之黏 味 文良。因此，該功能層的厚度特別θ 1 等於1 * + #乃〗疋可大於志 、不未且小於或等於500奈米。該厚产转 ' 〆 是大於或笨於^:大丄 ^予度特別有利的 、Α寻於5奈米且小於或等於1〇〇奈米。 或疋’遠功能材料可形成功能層，其由兮普遍 中觀看眭啦里 ^ 〇田δ亥載體元件 看夺配置於鏡面層的上方，使鏡面層 件和功妒厍+ ΒΒ 日配置於載體元 能層相鄰。在^ 、戟體疋件和功 糾在此種貫施形式中，當該功能層之戸由 或等於ηΐΑ 此增之厚度大於 、·1不米且小於或等於10奈米時已g β 的。 了匕顯不是有利 201214799 在錢體元件上除了配置 以外，亦可在該栽體元 、兄面層及/或-功能層 多個功能層。這表干父身地配置多個鏡面層及/或 或-功能層配置在：個鏡置在二個功能層之間 個鏡面層和多個功能層具有層堆？。又，這亦表示：多 面層和至少二個功能層 資、、包括至少二個鏡 在載體元件上，其二二層交替地以重疊方式配置 作為起始層或以功能層“載體元件上之鏡面層 個功能層之各別的單 °層。多個鏡面層及/或多 是，多個鏡面層之各鏡面；：具有，前所述之厚度。或 可相互紐合而具有—&多個功能層之各功能層 此’每-個單—層之厚：：如；專於上述厚度之-。因 止。 可小於1奈米至數奈来為 層中。這表示：功能層 同時存在於鏡面層中。 中’且功能層未配置在 中 或 载 又，功能材料可含於鏡面 的功能材料：% μ g + 接於鏡面層且 是，功能材料只存在於鏡面層 體元件上。 層相鄰而配置在該載體 由擴散而進入至鏡面層 濃度梯度而存在於鏡面 之濃度而形成在鏡面層 面層之遠離功能層之— 此可包含在鏡面層的— 中。於是，當該功能材 面層之主要部份（特別 右至少一功能層直接與鏡面 元件上’則該功能材料例如可轉 令 因此，該功能材料能以—種 層中，該濃度梯度是以功能材料 由s亥功能層開始而在|·亥鏡 側之方向令減少。該功能材料因 份令或亦可包含在整個鏡面層 料分佈在鏡面層中而包含在讀鏡 201214799 是超過一半）中時是有利的。特別佳時該功能材料分佈 整個鏡面層中，使該功能材料亦可出現在鏡面層之與 功能層相對之界面上。 若功能材料包含在鏡面層中，則在—特別佳的實 形式中功能材料可與鏡面層之銀形成合金。在一特別 的實施形式中，鏡面層之銀是與鉑及/或鉬及/或鈀和 及/或銦及/或錫及/或銦和錫形成合金。 依據至少另一實施形式，在上述各實施形式之一 光電組件用之載體之製造方法中製備—載體元件，其 施加一具有銀和功能材料之鏡面層，其中至少一功能 料藉由濺鍍或蒸鍍施加而成。此種方法相對於例如用 製造習知之導線架之傳統方法而言是有利的，此乃因 功能材料不易或不能藉由製造導線架用的一般電鍛層 施加。 為了製造一鏡面層’其除了銀以外亦含有該功能 料’則亦可有利地藉由蒸鍍或濺鍍來製造該鏡面層且 別疋製成銀。 在施加該鏡面層和該功能材料之後，可特別有利 進行退火步驟。於是’該載體且特別是該載體元件可 受一種大於或等於100。(：且小於或等於500它之溫度。 此種退火步驟中，該功能材料在鏡面層内部中的擴散 由該功能層開始而至鏡面層的擴散可朝向該鏡面層之 部進行。該退火步驟例如亦可在載體或光電裝置的製 過程中以熱學步驟來進行且因此可使功能材料和鏡面 達成所期望的功能。 在 該 施 佳 銅 之 上 材 來 該 來 材 特 地 承 在 或 内 造 層 201214799 上述之各實施形式和 層達成—種腐蝕保護，此。有利地對具有銀之鏡面 載體元件上施加及沈積該功二：面外亦可在 功能材料在該載體元件上 精由上迷鏡面層和 料之選取和材料成份和上述=和層構造、以及上述材 好的反射性和可接合性且 鏡面層達成良 載體和光電裝置例如可有裝置有良好的可靠性。 J有利地使用在汽車、 或照明應用中，其令光 業應用及/ 性。 &電裳置或組件需要高的故障安全

本务明之其匕優點和有利的實施形式以下 至圖5相關聯之實施形式來描述。 【實施方式】 各圖式和實施例中相同-或作用 設有相同的參考符號。所示的各元件和各元件==別 例未必依比例繪出。反之，$ 了清楚及/或更容易理解:匕 故：各圖式的-些元件(例層、構件、組件和區域 已以#父大的厚度或較大的尺寸顯示出。 — 圖1中顯示光電組件5用之載體1〇1之實施例光 電、”且件5可配置在該載體丨〇 1上，如虛線所示。然而， 光電组件5未形成該載體1 〇 1之一部份。 載體101之載體元件1具有一平面區1〇，其可作為 该光電組件5用之安裝面或另外亦可配置在光電組件的 周圍以作為反射區。在本實施例中，該平面區1 〇是安裝 區亦是反射區。 栽體元件1在本實施例中是導線架（leadframe)之~~ -10- 201214799 部份’其用來安奘弁带& 、 電、'且件且形成電性連接。藭·!* -1由銅製成，^σ ^ t 丨連接載體&件 以使電性和機械連接性獲得改/、另外可以錄來塗層， 電鍍塗層方式而施加在銅帶上。…b種鎳塗層通常藉由 在該載體元件i之平面區10 _ _ , 上配置鏡面層2，JL且 有銀。圖1所示之鏡面層2特 二…、 面層2上直接與其相鄰配置一…種銀-鏡面層。在鏡 — 力月匕材料3。此功能材料3 f本貫施例中形成-功能層4，其配置在鏡面層2上， 使功能材料3直接與鏡面層2之銀的至少一部份相接觸。 _本實施例中’功能材料3特別是具有翻且可特別有 利地由銘構成。已顯示：直接與銀，面層接觸的紐可使 銀的腐蝕大大地減輕。 本實施例中，鏡面層2之厚度大約是_奈米。或 是，鏡面層可依據載體101之需要(即，依據即將施加在 該載體101上之光電組件5之佈置）而較通常所述的部份 更厚或更薄地構成。 為了使鏡面層2之反射性儘可能地不受影響且使反 射性下降，則該功能層4之厚度應大於或等於〇.丨奈米 且小於或等於10奈米。例如，功能層4亦可具有^ = 〇.1奈米之厚度，其基本上只具有該功能材料3之原子 層0 所示的實施例以鉑作為功能材料3，除此以外，該 載體101亦可在載體元件i和該鏡面層2上具有通常所 私之功能材料之其它材料。這些材料特別是可以為銦、 鋅、鉬、鈀、铑和釕。該功能層4亦可在合金中或在具 -11 - 201214799 有多個單-層之層堆叠中具有多種不 又，該功能材料3亦可具有透1 ::料h (TCO)，例如，銦錫氧化物（ιτ〇)。 導電氧化物 該功能材料3另外亦可存 可藉由功能材料3由功能層擴散至二：2中’這例如 是，在施加該鏡面層2且於該鏡面声^中來達成。於 3(其在功能材料3的情況下上施加功能材料 鍍來進行）之後進行退火步驟，苴中=、）是藉由機鍍或蒸 大於或等於100°c且小於或等於體101承受—種 使功能材料3擴散至鏡面層2 _，盆之溫度。於是，可 梯度，其藉由功能材料3之％ ^中可形成—種濃度 此濃度梯度由該功能屏辰又而幵y成在鏡面層2中 〆力月b層4開始 z中， 能層4(即，朝向載體 在^鏡面層2之遠離功 能材料3存在於鏡面層2 向中減少。當功 ，-半)中且特別是擴散至鏡面rv二：過該鏡面層2 鄰之此側時特別有利。於Β ，Λ ^ /、該栽體元件1相 層2之内部Φ # Μ + ^ ’ §亥功能材料3亦可名於工 之W中使銀腐蝕減輕 丨了在鏡面 式使鏡面層2在該載體元 ’、症以有利的方 g, 〇 g_ 1上之黏合力择.¾ 圖2顯示載體1〇2之 刀g強。 例不同之處在於：兮 Λ施例，其與上述之實施 β功旎材料3以Λ 鏡面層2和載體元件 1:1日4之开》式而在 區1…功能層4較佳？1施加在該载體元件1之平面‘ 其它材料之-種或多二，’但亦可另外具有上述 1奈米且小於或等於5。。_米月層之厂予度大於或等於 奈米且小於或等於丨00奈米] 時是大於或等於5 • 12 - 201214799 功能層 黏合性提高 甚至不腐蝕 的情況下， 退火步驟， 圖3中 實施例比較 4 ’（其分別肩 和各別的功 層2、2 ’和. 此在該載體 配置一個鏡 有位於其間 之鏡面層2 功能材 述之材料之 置該鏡面層 至·鏡面層2 降效果或腐 配置多於一 成為較圖1 上的功能層 圖4中 圖3之上述 銀的鏡面層 4 一方面可使鏡面層2相對於裁體元件1之 且同時可使鏡面層2中之銀之腐蝕性減輕或 。如先前的實施例所述’本貫施例之載體1 0 2 在施加該鏡面層和該功能材料之後亦可進行 藉此使該功能材料3擴散至鏡面層2中。 顯示載體103之另一實施例’其在與先前之 下具有多個鏡面層2、2 ’和多個功能層4、 「有功能材料3、3 ’）’以取代各別的鏡面層2 能層4 (其具有功能材料3)。各別的二個鏡面 二個功能層4、4 ’以純舉例的方式而顯示，因 元件1上例如在二個功能層4、4 ’之間亦可只 面層2、或可配置二個鏡面層 2、2’，其具 之功能層4。又，層堆疊亦可具有多於二個 、2’及/或多於二個之功能層4、4，。 料3、3’可以相同或不同且可具有上述通常所 一種或多種。藉由在二個功能層4、4 ’之間配 2，則例如亦可使功能材料3、3 ’由二側擴散 中，這樣可有利地使功能材料3、3 ’之腐蝕下 蝕防止效果提高。又，由於在載體元件1上 個之功能層4、4，，則各功能層4、4，亦可形 和圖2中之實施例中者更薄。於是，鏡面層 之可能使反射下降的效果可減輕。 顯不載體104之另一實施例，其在與圖i至 貫施例比較下在載體元件1上具有一種具有 2 ’其中另外亦含有功能材料3。此功能材料 -13- 201214799 特別是可與鏡面層之銀形成合金。 當該功能材料3是鉑時已顯示是特別有 面層2中所含有的功能材料3的 的’ 幻成份小於或 10Wt·% ’較佳是小於或等於5 Wt·%，牲八 符別佳時是小 等於2Wt·%，或甚至是小於或等於i Wt %。 或是’該功能材料3亦可以是錮，节 唸蜆面層2 含有的功能材料3的成份大於或等於〇丨^且 等於5 Wt.%，較佳是大約為1 wt.〇/0。 又’功能材料亦可以是把及/或鋼，其中該鏡面 中特別是同時存在成份都是大於或等於〇丨评〖％且 或等於5 W t _ %之把和銅時是有利的。 或疋’功肖t*材料3亦可含有銦及/或錫，其成份 小於或4於10 Wt·% ’較佳是小於或等於$ wt.0/。， 別佳時是1 Wt.·%。功能材料3因此可只含有銦，只 錫或含有此二者或由其構成。 合金中該功此材料之各別設定的成份因此總是 的重量成份有關。 除了圖1至圖4之各實施例以外，鏡面層亦可 一種與銀來形成合金之功能材料，且形式為功能層 個功旎層之另一功旎材料可同時配置在鏡面層2上 面層2下方。 圖5顯不光電裴置1〇〇0之實施例，其具有載儀 和光電組件5。 載體1〇5例如可依據上述圖1至圖4之實施例 來形成。載體105特別是具有-載體元件i，其包 該鏡 寺於 於或 中所 於或 層2 小於 分別 且特 含有 與銀 含有 或多 或鏡 ：105 之一 括形 -14- 201214799 式為導線架成份1 2、1 3之導線架（leadframe)以及一外殼 1 1 °該外殼1 1是由塑料形成且有一部份圍繞著導線架成 份12、13，外殼1 1中形成一個開口 15，其中該光電組 件5配置在導線架成份12上。又，該導線架成份12可 具有一散熱件14 ’如虛線區域所示’其可經由該外殼1 1 而到達載體元件1之下側，這樣可使光電組件5操作中 所產生之熱彳貝耗有效地散熱。 載體元件1具有一在導線架部份12上之平面區1〇、 在導線架部份1 3上之平面區1 〇，、以及一在外殼j j 之開口 15之内壁上之平面區這些區域可配置一個 或多個鏡面層2和一種或多種功能材料3。本實施例中 純粹以舉例方式，將鏡面層2和功能材料3配置在導線 架成份12和η之平面區1〇和1〇，上。鏡面層2和功能 材料3因此可依據先前之實施例之一來形成。 本實施例中，光電組件5是以半導體層序列或半導 體層序列之半導體晶片為主之發光二極體（led)，其在操 作時發出電磁輻射，此電磁㈣特別是在紫外線至紅外 線之波長範圍中且特別佳時是在可見之波長範圍中。半 導體層序列例如可以坤化物·、磷化物_及，或氮化物-化合 物半導體材料系統為主。此種LEDs及其變異體已為此 行的專家所知悉，於此不再說明。 "以工且。j田兵下側經 由s玄導線架成份1 2而達成電性 .^ ώ ^ 『運接。於是’在光電組科 5和導線架成份12或載雔元件1 一、甘+丄— ^ 卞1之間配置一連接層（未薄 不）’其在本貫施例中亦作為電 电注運接材料且具有焊劑達 -15- 201214799 導電性之黏入M 4立+ 。材枓或由其構成。 端，則該連拯恳乜丨丄+ 而禋微饿式終 要層例如亦可具有導_ φ & _y_祖4、丄 構成。 導電性之黏合材枓或由其 經由一接合線6使光雪έΒ从 , 份U達成電性連接。或是，光之前側可與導線架成 之背面接觸Ρ 4 ,θ 電組件5亦可經由結構化 要觸Q和一悍接捿觸區 成電性連接。該導 ，、忑導綠木成伪13達 ^ ^ t ^ , ，/、成知12和13由該外殼11突出， 使尤1；組件5可由外 0 ., . P采達成電性接觸。光電裝置1000 因此形成為所謂可表面安裝(SMt)之封裝。 二：銀在可見之波長範圍中 之反射 之良好之可接合性和導電 久龈 a 4* 2,. 生則具有銀之鏡面層2已_ 不疋特別有利的。藉由哕 U ,，、，貝 KI a ^ 乂力此材料3，則該鏡面層2且 特別疋该鏡面層2之銀由於 ^ 、爪嶮氣體及/或濕氣所造成之 腐钱會減輕或甚至不會發生腐 ^ 芦2相“》 4 因此’例如將該鏡面 層2相對於環境而予以包 ^ 因此，来Φ驶罢〗λ 了之頰的其它措施已不需要。 光電^置10 〇 〇例如在該卜 有一锸达、+此讲 仕茨外叙11之開口 1 5中可具 種澆/主物質，其可使光電粟 >ffL c -h j-n, '、置之特性依據該光電矣且 牛5來凋整且必須是環境之 ’ ·’ 份。 卞對腐蝕為不具密封性之成 2中 而顯 的化學劣化和電解 示出穩定的光效率 所示之光電裴置由於鏡面層 劣化過程不會發生或至少已減輕 和較長壽命之特徵。 電裝置可具有通常所述之 所示各實施例之載體和光 其它特徵。 本發明當然不限於依據各實施例中 所作的描述 反 -16- 201214799 之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合， 特別是包含各申請專利範圍-或不同實施例之各別特徵 之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯 地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發 明。 【圖式簡單說明】 圖1顯示一實施例之載體之示意圖。 圖2至圖4顯示其它實施例之載體之示意圖。 圖5顯示另一實施例之具有載體之光電裝置。 【主要元件符號說明】 1 載體元件 2、2， 鏡面層 3、3， 功能材料 4、4, 功能層 5 光電組件 6 接合線 10 、 10, 、 10” 平面區 11 外殼 12 導線架成份 13 導線架成份 14 散熱件 15 開口 101 、 102 載體 103 、 104 載體 105 載體 1000 光電裝置 -17-

Claims (1)

1. 201214799 七、申請專利範圍·· 1. 一種光電組件（5)用之載體，其在載體元件（1)上具有 至少—鏡面層（2)和一種功能材料（3)，其中該鏡面層 (2) 含有銀，該功能材料（3)是與銀直接相接觸，該功 能材料（3)因此使該鏡面層（2)之腐餘減輕。 2.如申請專利範圍第丨項之載體，其中該功能材料（3) 含有麵。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之载體，其中該功能材料 (3) 含有由銦、鋅、錫、銅、鉬、鈀、铑、釕和透明之 導電氧化物所選取之至少一種材料。 4·如申請專利範圍第1至3項中任一項之載體，其中該 功能材料（3)形成一種與該鏡面層（2)相鄰之功能層 (4) ，其配置在該載體元件（1)和該鏡面層（2)之間。 5 .如申請專利範圍第4項之載體，其中忒功能層（4)之厚 度大於或等於1奈米且小於成專於500奈米，特別是 大於或等於5奈米且小於或等於100奈米。 6. 如申請專利範圍第丨至5項中任一項之載體，其中該 功能材料（3)形成一種與該鏡面層相鄰的功能層（4) 且該鏡面層（2)配置在該載體元件和該功能層（4)之 間。 7. 如申請專利範圍第6項之載體，其中該功能層（4)之厚 度大於或等於0.1奈米且小於或等於10奈米。 8 ·如申請專利範圍第4至7項中任一項之載體其中多 個鏡面層（2、2，）及/或多個功能層（4、4 ’）交替地配置 在該載體元件（1)上。 -18 - 201214799 9.如申請專利範圍第1至8項中任一項之載體，其中該 功能材料（3)包含在該鏡面層（2)中。 10.如申請專利範圍第1至9項中任一項之載體，其中該 功能材料（3)是與該鏡面層（2)中的銀形成合金。 1 1.如申請專利範圍第i至1〇項中任一項之載體，其中 該功能材料（3)在合金中相對於銀之重量成份分別含 有 -成份小於或等於1〇Wt.%之鉑，較佳是小於或等於 5Wt.%， -成份分別大於或等於〇.lWt·%且小於或等於5wt.% 之把和銅’較佳是小於或等於5Wt.%，或 -成份分別小於或等於10Wt.%之銦及/或錫。 12_ 一種具有如申請專利範圍第1至1 1項中任一項之載 體（105)以及光電組件（5)之光電裝置，其中該载體 (105)具有一包括鏡面層（2)之載體元件（丨）和一種功能 材料（3)，該載體元件（1)具有導線架（12，I〗）及/或外 殼（11)且該光電組件（5)配置在該導線架（12)上及/或 該外殼（11)中。 1 3 . —種光電組件用之如申請專利範圍第1至u項中 任一項之載體之製造方法，其中須製備一載體元件（1) 且將一含有銀和功能材料（3)之鏡面層（2)配置在該載 體元件（1)上，其中至少該功能材料（3)藉由濺鍍或蒸 鑛施加而成。 14.如申請專利範圍第13項之製造方法，其中在施加該 鏡面層（2)和該功能材料（3)之後進行退火步驟。 -19- 201214799 15.如申請專利範圍 火步驟是在大於 溫度中進行。 1 3或14項之製造方法，其中該退 等於 100°C且小於或等於500°C之 -20-