TW201131272A - Integrated touch for IMOD displays using back glass - Google Patents

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TW201131272A
TW201131272A TW099145039A TW99145039A TW201131272A TW 201131272 A TW201131272 A TW 201131272A TW 099145039 A TW099145039 A TW 099145039A TW 99145039 A TW99145039 A TW 99145039A TW 201131272 A TW201131272 A TW 201131272A
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Taiwan
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electrodes
substrate
display
array
interferometric
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Application number
TW099145039A
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English (en)
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Manish Kothari
Bangalore Ramaswamiengar Natarajan
Alok Govil
Kristopher Andrew Lavery
Lauren Fay Palmateer
Jonathan Charles Griffiths
Original Assignee
Qualcomm Mems Technologies Inc
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Description

201131272 六、發明說明: 【先前技術】 士立機電系統(ME MS)包括微機械元件、致動器及電子带 置。可使用沈積、蝕刻及/或蝕刻掉基板及/或所沈積材料 層之部分或添加層的其他微機械加工製程來產生微機械元 件’從而开> 成電器件及機電器件。一種類型之Mems器件 稱作干涉測量調變器。如本文中所使用,術語干涉測量調 變器或干涉測量光調變器指代使用光學干涉之原理來選擇 性地吸收及/或反射光的器件。在某些實施例中,干涉測 量調變器可包含一對導電板,該對導電板中之一者或兩者 可完全或部分為透明及/或反射性的,且能夠在施加適當 電信號後進行相對運動。在一特定實施例中,一導電板可 包含沈積於基板上之固定層,且另一導電板可包含藉由氣 隙而與該固定層分離的金屬膜。如本文中更詳細地描述, 一導電板相對於另一導電板之位置可改變入射於干涉測量 調變器上之光的光學干涉。此等器件具有廣泛範圍之應 用,且在此項技術中利用及/或修改此等類型之器件之特 性以使得其特徵可用來改良現有產品及產生尚未開發出之 新產品將為有利的。 【發明内容】 一種干涉測量調變器(「IM0D」)顯示器利用環境光’ 且在不減少環境光之量且不產生任何光學失真或效能損失 之情況下併有觸碰感測。用於觸碰感測之電極位於該干涉 測量顯示器之一後部基板或「背玻璃」處,且結合主要功 153023.doc 201131272 能為啟動該MEMS顯示器之像素的電極而使用,以便感測 一觸碰。該觸碰使IMOD層偏轉,且經由在該顯示器後部 之各種顯示層而感測。 一態樣係關於一種製造及操作一干涉測量顯示器裝置之 方法。該方法包含:在該顯示器之一前部處提供一前部其 板,該前部基板為實質上透明的;在該顯示器之一後部處 提供一後部基板,該後部基板為實質上透明的;及提供安 —干涉測量調變元件 陣列。該陣列安置於該顯示器之該前部處的該前部基板 上,且該等干涉測量調變元件包含界定一空腔之兩個壁, 6亥等壁中之一者可在一位置範圍上相對於另一壁移動,該 等壁使得該空腔在該等位置令之至少一者中干涉測量地操 作’從而產生對可見光的一預定光回應。該方法進一步包 含:提供第一複數個電極’該第—複數個電極沿一第一軸 線定向且經組態以用於將電信號傳導至該干涉測量調變元 件陣歹i β第-複數個電極與該後部基板接觸;提供第二 複數個電極’ s亥第一複數個電極沿實質上正交於該第一軸 勺第一軸線疋向,利用該第—複數個電極或該第三複 數個電極中之一者或兩去你i ^兩者作為一觸控螢幕之板,且感測藉 由-觸碰而產生於該第一複數個電極中之該等電極與該第 :複數個電極中之該等電極之間的相交處之一參數的一改 變0 電容值,且該方法進一 該方法亦可進一步包含 在某些實施例中,該參數包含— 步包含計算一電容改變之一形心。 153023.doc 201131272 參考形心電容改變對相交資料之一所儲存映射及判定該觸 碰之位置。 另一態樣係關於一種裝置,其包含:一第一實質上透明 之基板;及一干涉測量調變元件陣列,其安置於該第—實 質上透明之基板上,該等干涉測量調變元件包含界定一空 腔之兩個壁,該等壁中之一者可在一位置範圍上相對於另 一壁移動,該等壁使得該空腔在該等位置中之至少—者中 干涉測量地操作’從而產生對可見光的__預定光回應。該 裝置進-步包含:第-複數個電極,該第—複數個電極經 組態以用於將電信號傳導至該干涉測量調變元件陣列;第 -控制電路,其經組態以經由該第一複數個電極施加用於 控制該干涉測量調變元件陣列的電信U二基板;第 二複數個電極’該第二複數個電極安置於該第二基板上; 及第二控制電路,其經組態以谓測該第一複數個電極與咳 第二複數個電極之間的電容改變且至少部分基於該等電容 改變來判定該第-實質上透明之基板的—偏轉區域。 參考說明書之复餘邱八β^ 質及優點。及圖式可進—步理解本發明之性 【實施方式】 干涉測量調變器 述係針對某些特定實施例。然 不同方式來庳用土 +山 ’、、'而’可以眾多 j方式來應用本文中之教示。在此描述中 其中類似部分始終用類似數字指定。可紅έ圖式, 像(無論是運㈣彡像(例如,;、、且以顯示影 祝λ)抑或静止影像(例如,靜 153023.doc 201131272 態影像)’且無論是文字等〈梯如> 子'〜像抑或圖片影像)之任何器件中 實施該等實施例。更特定而士 5 ’預期該等實施例可實施於 諸如(但不限於)以下各者 谷者之夕種電子裝置中或與該等電子 裝置相關聯··行動電話、無線器件、個人資料助理 ^DA)、手持式或攜帶型電腦、Gps接收器/導航器、相 機、MP3播放器、攜帶型 攝像機(camcorder)、遊戲控制 台、腕錶、鐘錶、計算器、 电硯皿視态、平板顯示器、電 腦監視器、汽車顯示器(例 里%婊顯不益等)、驾凝臉 控制器及/或顯示器、相機 —。 , 予…貝不益(例如,車輛中的後 視相機之顯示器)、電子照片、 ^ ^•千贋告牌或電子標記、 投影儀、建築結構、封裝及美風 汉吳于結構(例如,關於一件珐 寶之影像顯示)。與本文中 尽文中所“述之MEMS器件結構 MEMS器件亦可用於諸如 稱㈣的 冤子開關益件之非顯示器應用 中。 一種干涉測量調變器(「IM〇D」)顯示器利用環境光, 且在不減小到達廳MS調變器之環境光之量且不引入任何 光學失真或效能損失之情況下併有觸碰感測。用於觸碰感 測之電極位於該干涉測量顯示器之一背玻璃處,且“主 要功能為啟動MEMS顯示器之像素的電極而使用, 測一觸碰。該觸碰使IM0D層偏轉,且經由在該顯示薄後 部之各種顯示層而感測。下文描述此顯示器之實施例。 在圖1中說日月包含+涉測量MEMS顯#元件之一干 量調變器顯示器實施例。在此等器件中,像素處於明Γ或 黑暗狀態。在明亮(「鬆他」或「斷開」)狀態下,顯示元 153023.doc 201131272 件將大部分入射之可見光反射至使用者。當處於黑暗 (「致動」或「閉合」)狀態時’顯示元件幾乎不向使用: 反射入射之可見光。視實施例而定,可顛倒「接通」及 「關斷」狀態之光反射性質。MEMS像素可經組態以主要 在選定顏色下反射’從而允許除黑色及白色外的彩色顯 示0 圖1為描繪一視覺顯示器之-系列像素中之兩個鄰近像 素的等角視圖,其中每一像素包含一 MEMS干涉測量調變 器。在-些實施例中,-干涉測量調變器顯示器包含此等 干涉測量調變器之一列/行陣列。每一干涉測量調變器包 括按-彼此間可變且可控制之距離定位之一對反射層,以 形成;-具有至少一可變尺寸的譜振光學間隙。在一實施例 中’該等反射層中之一者可在兩個位置之間移動。在第一 位:(本文中稱為鬆弛位置)中,可移動反射層定位於與一 固定之部分反射層相距相對較遠距離之處。纟第二位置 (本文中稱為致動位置)中’可移動反射層定位成較緊密鄰 近於該部分反射層。自該兩個層反射之入射光視可移動反 射層之位置而相長或相消地干涉’從而針對每一像素產生 一整體反射或非反射狀態。 圖1中之像素陣列之所描緣部分包括兩個鄰近干涉測量 周文J2a及12b。在左邊之干涉測量調變器…中,將可 移動反射層Ha說明為處於與包括一部分反射層之光學堆 疊相距-預定距離之㈣位置中。在右邊之干涉測量 調變器12b中,可移動反射層⑽說明為處於鄰近於光學堆 153023.doc 201131272 疊16b之致動位置中。 如本文中所提及之光學堆疊16a及16b(統稱為光學堆疊 16)通常包含若干融合層,該等融合層可包括—諸如氧化 銦錫(ITO)之電極層、一諸如鉻之部分反射層及—透明介 電質。光學堆疊16因此係導電的、部分透明的且部分反射 的且可(例如)藉由在透明基板20上沈積上述層中之一戋 多者來製造。部分反射層可由為部分反射的多種材料(諸 如,各種金屬、半導體及介電質)形成。部分反射層可由 一或多個材料層形成,且該等層中之每一者可由單一材料 或材料之組合形成。 *在一些實施例中,光學堆疊16之諸層經圖案化為平行也 帶,且可形成如下文進一步描述之顯示器件中之列電極c 可移動反射層l4a、14b可形成為—或多個經沈積之金屬^ 之一系列平行條帶(與I6a、16b之列電極正交)以形成沈劳 於柱18及介人犧牲材料(沈積於柱丨8之間)之頂部上的多僅 打。當蝕刻掉犧牲材料時,可移動反射層藉由經 界定之間隙19而與光學堆疊16a、⑽分離。諸如紹:高廣 導電且反射性之材料可用於反射層14,且此等條帶可形成 顯示器件中之行電極。應注意,圖!可能未按比例。在一 些實施例中’柱18之間的間隔可為約1〇_至1〇〇_,而 間隙19可為約<1000埃。 在未施加電壓之情況下,如由圖 戈由圖1中之像素12a所說明,
間隙19保留在可移動反射層M
Wi4a與先學堆疊16a之間,其中 可移動反射層14a處於機械载铀 叫叙他狀態。然而,當將電位(電 153023.doc 201131272 壓)差施加至選定列及 電極的相交處形成之電容’二1應像素處之列電極與行 明,光學堆疊_之介電層(此/中所說 ^ „ 、间τ禾說明)可防止短路且 :1二4與層16之間的分離距離。不管所施加電位差之極 性’该行為皆為相同的。 干涉測量調變 圖2至圖5說明用於在顯示器應用中使用 器陣列之一例示性程序及系統。 圖2為說明可併有干涉測量調變器的_電子裝置之一實 施例的系統方塊圖。該電子裝置包括一處理器Μ,該處理 器21可為任何通用單晶片或多晶片微處理器(諸如, ARM®、Pentium®、8〇51、Mips®、powa 或 ALPHA®),或任何特殊用賴處理器(諸如,數奸號斤 理器 ' 微㈣器或可程式化閑陣列)。如此項技財户= 知的,處理器2i可經细態以執行一或多個軟體模組。除執 行作業系統外,處理器亦可經組態以執行一或多個軟體應 用程式’該-或多個軟體應用程式包括網頁劉覽程式、電 話應用程式、電子郵件程式或任何其他軟體應用程式。 在一實施例中,處理器21亦經組態以與一陣列驅動器22 通信。在-實施例中’陣列驅動器22包括將信號提供至顯 示陣列或面板3 0之列驅動器電路2 4及行驅動器電路2 6。說 明於圖1中之陣列之截面藉由圖2中之線M展示。應,主 意’雖然為了清楚起見圖2說明3x3干涉測量調變器陣列, 153023.doc 201131272 但顯不陣列3〇可含有大量干涉測量調變器,且可在列令具 有不同於行中之數目的數目之干涉測量調變器(例如,每 列300個像素乘每行19〇個像素)。 圖3為圖1之干涉測量調變器之一例示性實施例的可移動 鏡位置對所施加電壓之曲線圖。對於MEMS干涉測量調變 器而言’列/行致動協定可利用此等器件之如圖3申所說明 的滞後性質。干涉測量調變器可能需要(例如)1〇伏特之電 位差,以使得可移動層自鬆弛狀態變形至致動狀態。然 而,當電壓自該值減小時,隨著電壓跌回丨〇伏特以下,可 移動層維持其狀態。在圖3之例示性實施例令,可移動層 直到電壓降至2伏特以下時才會完全鬆弛。因此,存在一 電壓範圍(在圖3中所說明之實例中為約3 〃至7 v),在該情 況下,存在一施加電壓窗,在該施加電壓窗内,器件穩定 於鬆弛狀態或致動狀態。此窗在本文中稱為「滞後窗」或 「穩定窗」。對於具有圖3之滯後特性之顯示陣列而言,歹忉 行致動協定可經設計以使得在列選通期間,所選通列中待 致動之像素曝露於約10伏特之電壓差,且待鬆弛之像素曝 露於接近零伏特之電壓差。在選通後,使像素曝露至約1 伏特之穩定狀態或偏壓電壓差,使得其保持於列選通將其 置於之任何狀態。在此實例中,在被寫入後,每一像素經 歷3伏特至7伏特之「穩定窗」内之電位差。此特徵使圖工 中所說明之像素設計在相同所施加電壓條件下穩定於致動 或鬆弛之預先存在的狀態。由於干涉測量調變器之每一像 素(無論處於致動狀態抑或鬆弛狀態)本質上為一由固定反 153023.doc -10- 201131272 射層及移動反射層形成之.電容器,因此可在滞後窗内之 電慶下保持此穩定狀態,而幾乎益 ^内之一 位固定,則本質上無電流流入該像^耗相施加電 中步描述,在典型應用中,可藉由根據第一列 中广一所要致動像素集合在行電極集合上發送資料信號集合 (母-貝枓信號具有某一電壓位準)來產生影像之圖框。接 者將列脈衝施加至第一列電極,從而致動對應於該資料作 號集合之像素。接著改變該資料信號集合以對應於第二列 中之所要致動像素集合。接著將脈衝施加至第二列電極, 從而根據資料信號致動第二列中之適當像素。第一列像素 =第二列脈衝之影響,且保持於其在第一列脈衝期間所 δ又疋至之狀態。對於整個糸石丨 正個系列之列’可以順序樣式重複此 程序以產生圖框。大體而言,藉由以每秒某一所要數目個 圖框不斷地重複此程序而以新影像資料來再新及/或更新 圖框。可使用用於驅動像素陣列之列電極及行電極以產生 影像圖框的廣泛多種協定。 圖4及圖5說明用於在圖2之叫陣列上產生顯示器圖框之 -可能致動協定說明可用於展現圖3之滯後曲線之像 素之行電壓位準及列電壓位準的可能集合。在圖4之實施 例中’致動一像素涉及將適當行設定為-Vbias及將適當列 設定為+ΔΥ’ υ+Λν可分別對應於冰特及+5伏特。 藉由將適當行設定為+Vbias及將適當列設定為相同之 從而在像素上產生零伏特電位差,實現像素鬆他。在將列 電壓保持於零伏特之該等列中’像素穩定於其最初所處之 153023.doc 201131272 任何狀,嗔,而不管該行是處於心抑或_Vb&。亦如圖4中 所說明,可使用具有與上述電壓之極性相反之極性的電 I,例如,致動一像素可涉及將適當行設定為+Vb心及將 適田列设定為_Δν。在此實施例中,藉由將適當行設定為 -vbias及將適當列設定為相同的_Δν從而在像素上產生零伏 特電位差’實現釋放像素。 。圖5Β為展#施加至圖2之3>〇陣列之一系列列信號及行信 说的時序圖’其將導致圖5Α中所說明之顯示配置(其中致 動像素為非反射性的)。在寫入圖5Α中所說明之圖框之 前,該等像素可處於任何狀態,且在此實例中,所有列最 :處於0伏特且所有行處於+5伏特。藉由此等所施加電 [所有像素穩定於其現有之致動狀態或鬆他狀態。 在圖5Α之圖框中,像素(u)、(1,2)、(2,2)、⑽及 (’)被致動為了貫現此情形,在列丨之「線時間」期 間將仃1及仃2設定為-5伏特,且將行3設定為+5伏特。 因為所有像素均保持於3至7伏特之穩定窗内所以此情形 並不改變任何像素之狀態。接著,藉由-自0伏特上升至5 伏特且返回至零之脈衝對列丨進行選通。此情形致動⑽ 及(1,2)像素並使像素(1,3)鬆弛1列中之其他像素不受影 響。為了按需要設定列2’將行2設定為_5伏特且將行!及 行3設定為+5伏特。施加至列2之相同選通將接著致動像素 (2,2)且使像素(2,υ及(2,3)鬆他。此外,陣列中之其他像素 不受影f °藉由將行2及行3設定為_5伏特且將行!設定為 + 5伙特而類似地設定列3。如圖从中所展示,列續通設定 I53023.doc 201131272 列3之像素。在寫入圖框之後,列電位為零,且行電位可 保持於+5或·5伏特,錢示器接著敎於圖5a之配置。相 同程序可用於具有數十或數百個列及行之陣列。在上文概 述之-般性原理内,可廣泛地變化用以執行列及行致動之 時序 '順序及電壓位準,且以上實例僅為例示性的,且任 何致動電壓之方法皆可與本文中所描述之系統及方法一起 使用。 圖6A及圖6B為說明顯示器件4〇之實施例之系統方塊 圖。舉例而言,顯示器件4〇可為蜂巢式電話或行動電話。 然而,顯示器件40之相同組件或其輕微變化亦說明各種類. 型之顯示器件,諸如電視及攜帶型媒體播放器。 顯示器件40包括外殼41、顯示器3〇、天線^、揚聲器 45、輸入器件48及麥克風46。夕卜殼“大體上由包括射出成 形及真空成形之多種製造程序中的任—者形成。此外,外 殼4!可由多種材料中之任一材料(包括(但不限於)塑勝、金 屬、玻璃、橡膠及陶瓷’或其組合)製成。在一實施例 中,外殼41包括可與具有不同顏色或含有不同標識、圖片 或符號之其他可移除部分互換的可移除部分(未圖示)。 例示性顯示器件40之顯示器3〇可為包括如本文中所描述 之雙穩態顯示器之多種顯示器中之任一者。在其他實施例 中’顯示^包括—平板顯示器’諸如如上文所描述之電 t、EL ' 0LED、STN LCD 或 TFT lcd ·或非平板顯示 器’諸如CRT或其他管式器件。然而,為了描述本實施例 之目的冑不盗30包括一如本文中所描述之干涉測量調變 153023.doc 13 201131272 器顯示器。 例示性顯示器件40之一實施例的組件示意性地說明於圖 6Β中。所說明之例示性顯示器件4〇包括一外殼4丨,且可包 括至少部分封閉於其中之額外組件。舉例而言,在一實施
例中,例示性顯示器件4〇包括網路介面27,該網路介面U 包括耦接至收發器47之天線43。收發器47連接至處理器 21,6亥處理器21連接至調節硬體52。調節硬體52可經組態 以凋即一 >fs號(例如,對一信號濾波)。調節硬體Μ連接至 揚聲器45及麥克風46。處理㈣亦連接至輸人H件48及驅 動器控制器29。驅動器控制器29耦接至圖框緩衝器28且耦 接至陣列驅動器22,該陣列驅動器22又耦接至顯示陣列 3〇電源供應器50按特定例示性顯示器件40之設計之要求 將電力提供至所有組件。 網路介面27包括天線43及收發器47,使得例示性顯示器 件40可經由一網路與一或多個器件通信。在一實施例中, 網路介面27亦可具有減輕對處理器21之要求的一些處理能 力。天線43為用於傳輸及接收信號的任何天線。在一實施 例中,該天線根據IEEE 802.u標準(包括IEEE 8〇2 u(a)、 (b)或(g))來傳輸及接收RF信號。在另一實施例中,該天線 根據藍芽(BLUETq0TH)標準傳輸及接收好信號。在蜂巢 式電話之狀況下’天線經設計以接收CDMa、GSM、 AMPS W_CDMA或用以在無線蜂巢式電話網路内通信的 其他已知彳§號。收發器47預處理自天線43接收之信號,使 付4等仏5虎可由處理器21接收且進一步操控。收發器47亦 153023.doc •14· 201131272 處理自處理器21接收之信號,使得該等信號可經由天線43 自例示性顯示器件4〇而進行傳輸。 在一替代實施例中,收發器47可由—接收器替換。在又 -替代實施例中,網路介面27可由可儲存或產生待發送至 處理器h之影像資料的影像源替換。舉例而言,影像源可 為含有影像資料之數位視訊光碟(DVD)或硬碟機,或產生 影像資料之軟體模組。 處理器21大體上控制例示性顯示器件4()之整體操作。處 理器21自網路介面27或影像源接收諸如壓縮影像資料之資 且將資料處理為原始影像資料或易於處理為原始影像 貝料的格式。處理器21接著將經處理之資料發送至驅動器 控制器29,或發送至圖框緩衝器28以供儲存。原始資料通 常指代識別-影像内之每一位置處之影像特性的資訊。舉 例而言二匕等影像特性可包括顏色、飽和度及灰度階。 在一貫施例中’處理器21包括微控制器、CPU或邏輯單 凡以控制例示性顯示器件40之操作。調節硬體52大體上包 將信號傳輸至揚聲器45且用於自麥克風轉收信號 放大益及纽器。調節硬體52可為例示性顯示器件40内 之離散組件,或可併人於處理器21或其他組件内。 ,動器控制器29直接自處理器21或自圖框緩衝器 :ί::21產生之原始影像資料,且適當地重新格式化原 始影:象資料以用於向陣列驅動器22高速傳輪。具體言之 驅動讀制Is 29將原始影像f 格式之資料流,以使得其且有適=化為具有光栅狀 有適於跨越顯不陣列3〇而進行 153023.doc 201131272 掃描之時間次庠β 4 土 序接者,驅動器控制器29將經格式化之資 ^ Ue動裔220雖然諸如LCD控制器之驅動器控 制盗29常作為獨立積體電路⑽而與系統處理器21相關 T ’但此等控制器可以許多方式實施。其可作為硬體嵌入 處理器21中、作^ 作為車人體嵌入處理器21中,或以硬體形式盥 陣列驅動器22完全整合。 #广* p車列驅動器22自驅動器控制器29接收經格式化之 將視efl貝料重新格式化為一組平行波形,該組波 形每秒許多次地被施加 。。 加至果自顯不态之χ-y像素矩陣之數 百且有時甚至數千條引線。 在實施例中,驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示 :列30適:於本文中所描述之任何類型的顯示器。舉例而 在實把例中,驅動器控制器29為習知顯示控制器或 雙穩態顯示控制§1「你丨11 — 。(丨i如干涉測量調變器控制器)。在另 一實施例中,陣列驅動器2 9主 助22為^知驅動器或雙穩態顯示驅 動器(例如’干涉測量調變器顯示器)。在-項實施例中, 驅動器控制器29與陣列驅動器22整合。此實施例在諸如蜂 巢式電話、手錶及其他小面籍 _ „。 ^ 面積顯不盗之高度整合之系統中 係常見的。在又一實施例φ,_咕, 只&例中,顯不陣列3〇為一典型顯示陣 列或一雙穩態顯示陣列(例如 』(例如’一包括一干涉測量調變器 陣列之顯示器)。 輸入器件48允許使用者控味丨u $炫刺例不性顯示器件40之操作。 在一實施例中,輸入器件48白紅$ a 于8包括诸如QWERTY鍵盤或電話 小鍵盤之小鍵盤、按鈕、間 開關、觸敏螢幕、壓敏或熱敏 153023.doc •16. 201131272 $在貫施例中’麥克風46為例示性顯示器件4〇之輸入 1 S麥克風46用以將資料輸人至器件中時,可由使用 者=供用於控制例示性顯示器件4G之操作的語音命令。 原供應器50可包括如此項技術中所熟知之多種能量儲 件。舉例而言’在一實施例中’電源供應器5〇為諸如 錄錫電池或鐘離子電池之可再充電電池。在另—實施例 中’電源供應器50為可再生能源、電容器或太陽能電池 (匕括塑膠太陽能電池及太陽能電池漆)。在另一實施例 中’電源供應器5G,mx自壁式插座接收電力。 如上文所描述’在一些實施中,控制可程式化性駐留於 可位於电子顯π系統中之若干處的驅動器控制器中。在一 些狀況下,控制可程式化性駐留於陣列MH.22中。上述 = 可以任何數目個硬體及/或軟體組件且以各種組態 來實施。 ”根據上文所闡述之原理操作之干涉測量調變器之結構細 P可廣泛地文化。舉例而言,圖7A至圖Μ說明可移動反 射層14及其支擇結構之五個不同實施例。圖7A為圖1之實 &例之截面中金屬材料14之條帶沈積於正交地延伸之 支撐件18上。在圖7B中,每一干涉測量調變器之可移動反 射層14的形狀為正方形或矩形且僅在繫检η上之轉角處 寸接至支撐件。在圖7C中’可移動反射層14之形狀為正方 ^或㈣’且自可包含可撓性金屬之可變形層34懸垂。可 又形s 34在可受形層34之周邊周圍直接或間接地連接至基 匕等連接在本文中稱為支標柱。圖7〇中所說明之實 I53023.doc 17 201131272 施例具有支撐柱插塞42,可變形層34擱置於該等支撐桎插 塞42上。可移動反射層14保持懸垂於間隙上方(如圖至 圖7C中)’但可變形層34並不藉由填充可變形層與光學 堆:£ 1 6之間的孔而形成支撐柱。更確切而言,支撐柱由平 坦化材料形成,該平坦化材料用以形成支撐柱插塞42。圖 7E中所說明之實施例係基於圖7D中所展示之實施例,但 亦可經調適以與圖7A至圖7C中所說明之實施例中的任— 者以及未圖示之額外實施例一起起作用。在圖7E中所展示 之實施例中,金屬或其他導電材料之附加層已用以形成匯 流排結構44。此情形允許沿干涉測量調變器之背部導引信 號’進而消除否則可能必須形成於基板2〇上的若干電極。 在諸如圖7中所展示之實施例的實施例中,干涉測量調 變器充當直視器件,其中自透明基板2〇之前側觀看影像, 該側與上面配置有調變器之一側相對。在此等實施例中, 反射層1 4光學地遮蔽反射層之與基板2〇相對之側上的干涉 測量調變器之部分(包括可變形層34)。此情形允許在不會 不利地影響影像品質之情況下組態及操作經遮蔽區域。舉 例而言’此種遮蔽允許圖7E中之匯流排結構44,該結構提 供將調變器之光學性質與調變器之機電性質(諸如,定址 與由该定址導致的移動)分離的能力。此可分離之調變器 架構允許用於調變器之機電態樣及光學態樣之結構設計及 材料彼此獨立地選擇及起作用。此外,圖7C至圖7E中所展 示之貫施例具有來源於將反射層14之光學性質與其機械性 質(由可變形層3 4實行)解耦之額外益處。此情形允許用於 153023.doc -18* 201131272 反射層14之結構設計及材料關於光學性質而最佳化,且用 於可變形層34之結構設計及材料關於所要機械性質而最佳 化° 整合式觸碰 圖8 A s兒明處於觸碰之前的未偏轉(平衡)位置之im〇d顯 示器100之組件。圖印說明當由一物件(諸如,手指)觸碰 時處於偏轉狀態之顯示器i 〇〇。 此IMOD顯示器之一優點為,其易於在多種照明情形下 進行讀取。舉例而言,儘管一些顯示器可能經刷淡且難以 或不可能在明亮陽光下進行讀取,但IM〇D顯示器為反射 性的且易於在明亮陽光下進行讀取。通常,im〇d顯示器 1 〇〇依賴於環境光,但光源可能整合於顯示器之旁邊。由 於顯示器通常依賴於環境光,因此將觸敏螢幕元件置放於 顯不器之前側(最接近使用者且可能觸碰到)將減少到達顯 不益之像素且反射至使用者之光的量。另外,由於光射線 通過元件至反射性像素且自反射性像素通過元件,因此此 觸控螢幕元件可引入一定量之光學失真。顯示器100之實 施例藉由整合電極及使用該電極與IM0D顯示器之其他元 件判定觸碰之位置來避免此等缺陷。 參看圖8A及圖8B,顯示器100包含亦稱為背玻璃1〇2之 後部基板102、與背玻璃102之表面接觸之電極1〇4,及機 械層之電極108。如上文在題為「干涉測量調變器」之先 前章節中所描述,電極108可為顯示器之經圖案化電極層 中的任一者。電極1〇8及其他相關聯層可在下文中描述為 153023.doc •19· 201131272 Γ機械層」。電極104以如下方式來圖案化:使得其實質上 正交於顯示器之機械層之電極108的圖案。舉例而言,如 在圖8C中可見,背玻璃上之電極1〇4可以列來圖案化,而 機械層之電極以行來圖案化。當然,電極1〇4及ι〇8無需處 於垂直或水平方向,而是可與垂直方向成任何角度,且路 徑可偏離直線’只要電極之相交發生於可接受觸碰辨識及 解析度的充分有限之區域内。雖然出於描述目的在顯示器 之情形下描述用以感測觸碰之電極,但可藉由將電極 添加於MEMS器件之背板處而在任何MEMS器件中達成觸 碰感測。應理解,本發明並不限於顯示器件。 在由觸碰引起之偏轉可導致機械層與電極1〇4接觸之實 施例中,顯示器100亦可包含機械層及其電極1〇8與電極 104之間的絕緣體106。顯示器1〇〇進一步包含下文稱為 IMOD基板之前部(透明)基板丨丨2、密封件丨丨〇及吸收劑/氧 化物層114,s玄吸收劑/氧化物層11 4可(例如)以列或行或以 其他定向來圖案化。視裝置及應用而定,基板U2可為或 可不為透明的。舉例而言,在除顯示器外之MEMS器件 中,基板112可不為透明的。 如在圖8B中可見’當一物件(諸如,手指)觸碰im〇d基 板112時’ IMOD基板112將與吸收劑氧化物1丨4及機械層/ 電極108 —起偏轉。此偏轉及機械層電極丨〇8或吸收劑/氧 化物層114與電極層1 〇4之間的間隙之相關聯改變導致電參 數的改變’可感測該改變以便判定觸碰之位置。亦應注 意’亦可感測產生於背玻璃處之偏轉,此係因為此偏轉亦 153023.doc •20- 201131272 導致電容或其他參數之改變。應注意,亦可進行觸碰且經 由圖8中之#基板i 〇2來感測該觸碰,且機械層⑽可能不 接觸層106。可感測由手指、觸控筆或甚至局部壓力進行 之觸碰。 圖8D為一干涉測量調變器之雙態實施例之截面。因為機 械層108之鏡面可朝向背玻璃102或IM0D基板112進行驅動 (例如’牽拉)’所以此實施例稱為「雙態」。在此實施例 中藉由頂°卩電極/板116使鏡面朝向背玻璃1〇2驅動。頂 P^^116以列或行或以f質上正交於電極刚之圖案的另 一角度來圖案化’且因此可用以判定觸碰之位置。 在貝把例中6玄系統藉由判定在行與列或以其他方式 正乂定向之電極的相交處之電容改變來感測觸碰之位置。 利用系統之處理器,實施例藉由量測各種位置處之電容來 计异經偏轉之基板之輪廓或形狀,且接著比較該形狀與模 型以計算觸碰之位置。此顯示器可具有投射式電容性質或 表面電容性質β在圖9A至圖9D中所展示之實施例可用以 感測所關注觸碰區域,該所關注觸碰區域可自子像素調變 器規模變化至整個螢幕或其部分。在一投射式電容實施: 中,如在圖9Α中可見,因為用於解析觸碰之空間解析度要 求遠低於顯示器(及因此機械層或其他層之電極)之解析 度,所以多個鄰近機械線可連接在一起且經同時感測。在 另—實施例中,如在圖9Β中可見,使用背玻璃上之觸控式 感測器矩陣,同時機械層電極僅用以供應共同參考電壓。 在表面電容實施例中,背玻璃層可為單一導體(電極)而非 153023.doc •21 · 201131272 經圖案化(如在圖9C中可見),且可使用11探針量測。舉例 而言,η可為四,且因此使用四探針量測方法。在此實施 例中’機械層之經圖案化之線電極用以供應參考電壓。另 外,在IMOD顯示器為三態或三維類比IM〇D器件(具有如 (例如)圖8D中之多個驅動電極集合)之實施例中,如在圖 9D中可見’器件之頂板可用以供應參考電壓。 亦可自所量測之電容資料計算電容改變之形心,以改良 觸碰感測解析度且亦允許多點觸碰(例如,兩個或兩個以 上手指或其他物件同時地)感測。電容改變之形心無需與 觸碰之位置一致。對於多點觸碰而言,形狀之疊加為由個 別觸娅產生之形狀的線性組合。形心與觸碰位置之間的映 射可儲存於記憶體中,且在需要時進行參考。映射資料可 基於數學(亦即,理論)計算,或基於特定產品線或個別顯 示器的實際校準值。 作為一實例,對於3.5英吋面板及機械層電極與背玻璃 電極之間的六微米間隙而言,整個面板之電容大約為6奈 法。假設由於觸碰而發生兩微米偏轉,則可產生由所描述 實施例充分偵測到之大於丨奈法的總電容改變。 亦可使用其他電參數,諸如跨越背玻璃電極及/或機械 層或吸收劑/氧化物層之電極或連接至機械層或吸收劑/氧 化物層之電路的電阻。在此實施例中,電極之間的絕緣層 較佳不存在。 參看圖10A及圖10B,一柱群組13〇可形成於背玻璃] 内。柱之間的凹座12〇填充有乾燥劑。許多不同幾何形 153023.doc -22- 201131272 及圖案可用於柱及所得凹座。舉例而言,可圖案化六邊形 陣列(諸如,展示於圖10B中之六邊形陣列其他幾何形 狀可包括圓形柱狀物、三角形柱狀物、矩形柱狀物、五邊 形柱狀物、八邊形柱狀物等.背玻璃電極1〇4將經圖案化 以適配於該等柱上,且以列或行或其他^向互連。密度亦 可自中心至邊緣變化以輔助偵測及面板邊緣,該等邊緣相 較於顯示器之中心部分通常更難以解析。 在某些實施例中,可將適當絕緣體置放於背玻璃電極 104上,以輔助電容偵測以及防止機械層磨損。絕緣層之 實例將包括二氧化矽、液晶聚合物及鐵氟龍(丁^1〇11)等。 圖11為拖繪器件製造之概要的流程圖。以下步驟未必以 所描述之次序來進行。在步驟204中’形成干涉測量調變 器陣列。接著在步驟208中,形成吸收劑層,且在步驟21 中在存在頂部電極/板之實施例中形成該頂部電極/板。 在步驟216中,形成背玻璃中之柱,且在步驟22〇中,提供 柱之間或存在於其他區域中的乾燥劑。在步驟224中,形 成背破璃電才虽,且纟步驟228中,㈣密封件且將陣列基 板附接至背玻璃(相對基板)。 雖然已參看本發明之特定實施例特定地展示並描述了本 發明,但熟習此項技術者將瞭解,可在不偏離本發明之精 神或範疇的情況下在所揭示實施例之形式及細節上進行改 變。 此外,雖然本文中已參看各種實施例論述了本發明之各 種優點、態樣及“票’但將理解,本發明之範疇不應藉由 153023.doc •23· 201131272 更確切而言,本 定。 參考此等優點、態樣及目標而受到限制。 發明之她應參考附加φ請專利範圍來判 【圖式簡單說明】 圖1為描繪一干涉測量調變 八μ姑 > 命〈貝施例之一部 刀的荨角視圖,其中第—不牛 θ 甲第干涉測篁調變器之可移動反 處於鬆他位置,且第-;.本.β,曰Λ ㈣私 第—干涉測直调變器之可移動反射層處 於致動位置。 圖2為說明併有一3χ3干涉測量調變器顯示器之電子裝置 之一實施例的系統方塊圖。 、 圖3為圖1之干涉測量調轡考 _ η欠态之例不性實施例的可移動 鏡位置對所施加電壓的曲線圖。 圖4為可用以驅動—干涉測量調變器顯示器之一組列電 壓及行電壓的說明。 圖5Α及圖5Β說明可用以將顯示資料之圖框寫入至圖2之 3x3干涉測量調變器顯示器的列信號及行信號之一例示性 時序圖。 圖6Α及圖6Β為說明一包含複數個干涉測量調變器之視 覺顯示器件之一實施例的系統方塊圖。 圖7Α為圖1之器件之截面。 圖7Β為一干涉測量調變器之一替代實施例之截面。 圖7C為一干涉測量調變器之另一替代實施例之截面。 圖7D為一干涉測量調變器之又一替代實施例之截面。 圖7Ε為一干涉測量調變器之一額外替代實施例之截面。 圖8A、圖8Β及圖8C為一干涉測量調變器之一額外替代 153023.doc -24- 201131272 實施例的截面。 圖8D為一干涉測量調變器之雙態實施例之截面。 圖9A至圖9D為用於觸碰感測中之電極之實施例的說 明, 圖1 0A及圖1 0B為將柱併入於干涉測量調變器之背玻璃 中之實施例的截面。 圖11為描繪器件製造之概要的流程圖。 【主要元件符號說明】 12a 干涉測量調變器/像素 12b 干涉測量調變器/像素 14 可移動反射層 14a 可移動反射層 14b 可移動反射層 16 光學堆疊 16a 光學堆疊 16b 光學堆疊 18 柱/支撐件 19 間隙 20 透明基板 21 處理器 22 陣列驅動器 24 列驅動器電路 26 行驅動器電路 27 網路介面 153023.doc -25- 201131272 28 圖框緩衝器 29 驅動器控制器 30 顯示陣列或面板 32 繫栓 34 可變形層 40 顯示器件 41 外殼 42 支撐柱插塞 43 天線 44 匯流排結構 45 揚聲器 46 麥克風 47 收發器 48 輸入器件 50 電源供應益 52 調節硬體 100 IMOD顯示器 102 後部基板 104 與背玻璃接觸之電極 106 絕緣體 108 機械層之電極 110 密封件 112 前部(透明)基板 114 吸收劑/氧化物層 153023.doc ·26· 201131272 116 120 130 頂部電極/板 凹座 柱群組 153023.doc -27

Claims (1)

  1. 201131272 七、申請專利範圍: 1. 一種裝置,其包含: 一第一基板; 一微機電元件陣列,其忠 > 再女置於該第一基板上; 弟'複數個電極,★女键 、 〆一複數個電極經組態以用於將 電信號傳導至該微機電元件陣列; 第一控制電路,其經έΒ能 〜'以、,查由該第一複數個電極施 加用於控制該微機電元件陣列的電信號; 一第二基板; 第二複數個電極,該第二複數個電極安置於 板上;及 :控制電路’其經組態以偵測該第一複數個電極與 該f二複數個電極之間的電容改變且至少部分基於該等 電谷改變來判定該第一基板的一偏轉區域。 2· 項1之裝置’其中該微機電元件陣列包含干涉測 θ調又元件,s亥等干涉測量調變元件包含界定一空腔之 后兩個壁’該等壁中之一者可在一位置範圍上相對於另— 壁移動,該等壁使得該空腔在該等位置中之至少一者中 干2測量地操#,從而產生對可見光的—預$光回應。 :·如:求項1之裝置’其中該第-基板為實質上透明的。 4·如請求項1之裝置,其中該第二控制電路經進一步組態 以計算該電容改變之一形心。 、〜' 5.=求項4之裝置,其中該第二控制電路經進—步組態 以參考形心電容改變對相交資料之一所儲存映射,且判 153023.doc 201131272 定觸碰之位置。 如咐求項5之裝置,其中該第二控制電路經進一步組態 以計算—多點觸碰之該形心。 长項1之裝置,其中該第一複數個電極為安置於該 第一基板上之一光學堆疊的部分。 月长項1之裝置,纟中該第一複數個電極鄰近該第一 基板。 9.如請求項8之裝置,其中孕笛少虹y φ 具宁°亥苐一複數個電極位於該微機 電疋件陣列與該第一基板之間。 10 ·如請求項1之裝置,苴 /、中β亥第一複數個電極中之多個鄰 電極連接在一起且經同時感測。 如請求们之裝置,其令該裝置包含: 一顯示器; 一處理器,其經組能 口口 組態以處理影像資料Γ及—通信,該處理器經 =體器件,其經組態以與該處理器通信。 12.如μ求項U之裝置,其進—步包含: 一‘_ g ’其經組態以將 示器。 唬發达至該顯 13·如請求項12之裝置,其進—步包含: 一控制器’其經組態以腺4旦彡条 〜、U將“像貧料之至少一部分發 送至該驅動器電路。 14.如請求項丨丨之裝置,其進一步包含: 一影像源模組’其經組能將 心將"玄衫像資料發送至該處 153023.doc -2- 201131272 理器。 1 5.如β青求項14之裝置,盆中續影後、.s七* z 八甲肩衫像源杈組包含一接收器、 一收發器及一傳輸器中之至少一者。 16. 如請求項丨丨之裝置,其進一步包含: -輸入器件,其經組態以接收輸入資料且將該輸入資 料傳達至該處理器。 17. —種具有一顯示器之裝置 一 π直唸顯不益具有—顯示器前側 及一顯示器後側,該裝置包含: 一第一實質上透明之基板; 一干涉測量調變元件陣列,其安置於該第一實質上透 明之基板上,該等干涉測量調變元件包含界定一空腔之 兩個壁,該等壁令之-者可在_位置範圍上相對於另一 壁移動,該等壁使得該空腔在該等位置中之至少一者中 干涉測量地操作,從而產生對可見光的一預定光回應; 第複數個電極,该第一複數個電極經組態以用於將 電L號傳導至I亥干涉測量調變元件陣列; 第一控制電路,其經組態以經由該第一複數個電極施 加用於控制該干涉測量調變元件陣列的電信號; 一第二基板,其在該顯示器後側處;及 平坦感測構件,其定位於該顯示器後側處,該平坦感 利構件用於感測一觸碰及該平坦感測構件之一部分與該 第—複數個電極之間的一電參數之一相關聯改變。 18 •如μ求項1 7之裝置’其進一步包含第二複數個電極,該 第二複數個電極經組態以用於將電信號傳導至該干涉測 I53023.doc 201131272 量調變元件陣列。 ::月求項1 8之裝置,其中位於該顯示器後側處之該平坦 感/、丨構件經進一步組態以感測該平坦感測構件之一部分 與该第二複數個電極之間的該電參數之一相關聯改變。 20.種製造及操作一干涉測量顯示器裝置之方法該方法 包含: X .4示器之一前部處提供一前部基板,該前部基板 為實質上透明的; 在該顯示器之-後部處提供一後部基板,該後部基板 為實質上透明的; 提供安置於該前部基板與該後部基板之間的一干涉測 量調變元件陣列, ▲該陣列安置於該顯示器之該前部處的該前部基板上, =等干涉測量調變元件包含界腔之兩個壁,該等 土中之一者可在一位置範圍上相對於另—壁移動,該等 壁使得該空腔在該等位置中 / I仪罝笮之至少一者中干涉測量地操 作,從而產生對可見光的一預定光回應; 提供第一複數個電極,該第—複數個電極沿-第-軸 線定向且經組態以用於將電信號傳導至該干涉測量調變 讀陣列’該第-複數個電極與該後部基板接觸,· ▲提供第二複數個電極,該第二複數個電極沿實質上正 交於該第一軸線的一第二軸線定向; 利用該第-複數個電極或該第二複數個電極中之一者 或兩者作為—觸控螢幕之板,且感測藉由—觸碰而產生 153023.doc 201131272 於該第一複數個電極中啰耸 ⑯中之該寺電極肖該第二複數個電極 中之該等電極之間的相交處之—參數的—改變。 21.如請求項2G之方法,其以測藉由-觸碰產生之-來數 之:改變包含:感測該第一複數個電極中之該等電極與 5亥第一複數個電極令之該等電極之間的該相交處之一電 容改變。 电 22·如請求項2G之方法,其中感測藉由—觸碰產生之-來數 ,-改變包含:感測該第一複數個電極中之該等電極與 6亥第一複數個電極中之贫算雷搞+ p目 您忒寻電極之間的該相交處之一雷 阻改變。 23.如睛求項21之方法,其進一步& 乂巳3汁异該電容改變之— 形心〇 24·如請求項23之方法,其進一步包 / I 3 .參考形心電容改變 對相交資料之一所倚存映鼾. 屯仔映射,且判定該觸碰之位置。 25·如請求項24之方法,其進一步包 /匕3汁异一多點觸碰之該 形心。 26. 如請求項20之方法,1 ;隹 ^ ^ 其進一步包含在該後部基板内提供 複數個柱。 27. 如請求項20之方法’其中該第一複數個電極安置 柱上。 ' 28. 如請求項26之方法,直進一步句入.分甘上一 ^ v匕3在该基板内之該複數 個柱之間提供乾燥劑。 29. -種製造及操作—干涉測量顯示器裝置之方法,該方法 包含: 153023.doc 201131272 在一陣列基板上形成一干涉測量調變器陣列; 形成一吸收劑層; &供與該陣列基板相對之一第二基板. 在該第二基板處形成一電極;及 形成一 接0 密封件且將該陣列基板與該相 對之第二基板附 步包含形成一頂板電極。 步包含在該第二基板内形成 劑0 3 0 ·如請求項2 9之方法,其進— 31·如請求項29之方法,其進一 柱且在該等柱之間提供乾燥 32·如請求項31之方法, 含圖案化該等柱上之該電極H板處形成該電極包 Μ 之方法,其中進-步包含將-參考電壓供應 之:導:且藉由偵測該頂板與該干涉測量顯示器 3…t 的一電容改變來判定一觸碰之位置。 一ΤίΓ之方法’其中該第二基板處之該電極包含[進 且ιίΐ][在^二基板上]提供—觸控式感測器矩陣, 變二4ΠΓ將一參考電厂堅供應至該干涉測量調 控式積測該觸控式感測器矩陣中之-觸 列r電極之間"容改變。 含:形w 、〃中在°亥第一基板處形成該電極包 一步包八:單一未經圖案化之導電板,且其中該方法進 列ί2错由將-參考電塵提供至該干涉測量調變器陳 經圖案!案化之線電極來判定-觸碰的位置及判定該等 容改變之線電極與該未經圖案化之導電板之間的一電 153023.doc
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