TW201115135A - Methods and apparatus for measuring ion implant dose - Google Patents

Description

201115135 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是_即如半導蹄料之材料巾的離子植入劑 量測量。 【先前技術】 在製造各種產品的過程中，像是供以測試製程變異，改 善產獲量，監視產品品質等，知曉材料裡的實際的離子植入 劑量可為有利。測量離子植入劑量的能力亦可利於新產品 和系統的設計作業，像是半導體上絕_(s⑹結構的開發 過程。 x 生產SOI、结構的方式包含離子植入方法像是美國專利 第7,176, 528號案文中所揭示者。這些步驟包含:（i)令矽 質晶圓表面受曝於氫離子植入以產生鍵接表面；（i丨）將該 晶圓的鍵接表面帶至接觸於玻璃基板；（iii)將壓力，溫度 及電壓施加於該表面及該玻璃基板，藉以有助於其等之間 的鍵接;（iv)將該結構冷卻至常溫；以及(v)自該石夕質晶圓 分離該玻璃基板及矽質薄層。 而為開發及/或製造出這種S0I結構，會希望能夠對該 施體半導體（即如柯）晶_實_子植人進行測量 。目前存在有數項技術以獲得離子植入劑量的指示值。例 如，第一離子質譜術(Sims)”即為一種運用於材料科學及 表面科學的技術，該技術可藉由對樣本的表面濺射以經聚 焦之第一離子束，並且收集和分析所射出的第二離子來分 析固體表面及薄膜的成份。這些第二離子是藉由質譜儀所 3 201115135 測俾決定該表面的元素，同位素或分子成份。然SIMS並 不疋-種全然適用的方式原'因在於這種方式為摧毀性測 a式’並且僅能對該樣本的某一微小區域進行測量。 替代性方式包含現場劑量監視，該等係運用於植入器 ό又備的内部。這種輯劑量監視亦非適當，因為該等僅能 提供經推絲既雜人的平均料継。不過，現場劑量 監視並不能測量或計算該樣本内的實際劑量，同時也無法 債測出植人在跨_樣本上的任何非均勻性或其他變 異性。現有的植人器設備製造廠商既已開發$—種依據翠 -波長或狹窄波長範圍反射度測量的測量及對映工具。此 款系統可如細專利巾請公告第屬/Q1丨觀號案文所述 ，然而該系統在植入之前需先進行基準線測量，而如此則非 所樂見者m步的替代性方式贱·四點探器 以根據電阻測量結果來取得劑量資訊。然而，測量結果會 受到可能顯著地改變的材料電阻性所影響，並且因製程中 需要以探n接剩樣柄事實之故而被視為具有摧毀性。 現已描述多項載波照射技術以在製作積體電路的半導 體製程過程中於離子植入後測量摻雜劑背景資料。然而這 些技術是利用脈衝化雷射照射（單一波長）來產生載波，並 且分離探H縣明量反射度。目此在錄軌下此技 術並不適驗在植人繼及植人能量方面區分各種變化。 基於上開理由，前述用於測量離子植入劑量之技術和 ^呈無-者能夠像是在製造SOI結構的情境下獲得令人滿 意結果。因此，業界亟需於測量離子植人劑量的新式 201115135 方法與設備。 【發明内容】 茲提供一種用以對材料内之離子植入劑量進行測量的 方法及设備，其中包含:經由該材料的植入表面測量反射頻 譜’該植入表面既經承受於離子植入製程，藉以產生自該植 入表面至該材料内之深度的材料層，以及位於該材料層下 方的弱化層；依入射於該植入表面上之光線的各別波長之 函數以儲存該反射頻譜的振幅;根據該入射光線之至少兩 個相對應波長處的至少兩個反射頻譜振幅之比較結果以計 算在該離子植入製程過程中所使用的離子植入劑量；以及 在使用者可觀看媒體上顯示所計算的離子植入劑量。 計算在離子植入製程過程中所使用之離子植入劑量的 步驟可包含決定該反射頻譜之至少—局部最大振幅與該反 射頻譜之至少一局部最小振幅間的波峰對波谷之差值。可 在忒材料對於該入射光線而言為足夠透明的各別波長處選 定姐射頻譜的最大和最小振幅藉鱗該人射光線能夠 抵達位於雜料層下方的弱化層，反射並因折射而離開該 材料。 計算在離子植入製程過程中所使用之離子植入劑量的 步驟可包含藉由將波峰職谷之差值除以絲㈣地受到 離子植入脈所辟之反射㈣振幅輯算經鮮化的波 峰對波谷之差值。可有多種執行方式並於後文制中加以 討論。 然後可依③標準化波峰對波谷之差值的函數來計算該 201115135 離子植入劑量。這可藉由建立該離子植入劑量與該標準化 波峰對波谷之差狀__與成。此-_可為線性 或非線性’然'最好是單m。建立單調關係可包含將已知 的離子植入劑量校準於相關聯的測得標準化波峰對波谷之 差值。 可進步提供該等方法及設備，其中：針對跨於該材料 之植入表面上的多個位置重複測量該反射頻譜，儲存反 射頻譜之振幅以及計算該離子植入劑量的步驟；以及在該 ，用者可觀看舰上顯示跨於雜料之植人表面上的所算 得離子植入劑量，包含其變異數。 當本揭說明併同於隨附圖式時，熟諳本項技藝之人士 將即能顯知其他的特點，特性，優勢等。 【實施方式】 >"’、於隨附圖式，其中類似編號是表示相仿構件，而圖 1顯示根據-個或多個本揭具體實施_植人劑量測量設 f 100。該設備1〇〇可運作以測量材料携，此者可為像是石夕 質晶圓之半導體晶圓，的樣本片段之離子植入劑量。該設 備1〇〇含有光線光源1〇2,頻譜儀104及計算系統1〇6。入射 光線經由適當結構，像是某-長度的光纖材料108,自該光 線，源102傳遞至該樣本12〇，同時將所反射光線加以收集 並藉由進一步結構，像是另一長度的光纖材料110,傳送至 。亥頻谱儀104。該計算系統1〇6含有能夠運行電腦可執行程 式碼的處理器，此者係經設定以根據經收集且傳送至該頻 着儀104的所反射光線來計算該樣本的植入劑量。所計算 201115135 的離子植人劑量可藉由該計算系統⑽的顯示裝置 腦螢幕，印表機科，提供給該設備綱的使用者。’ 在進-步討論該設備100的細節之前首先將討論該樣 本120所身處的不範性情境以及可對其進行的—些處理。 為利於討論，本揭方法及設備可位於開發及/或製造測結 構的情&下。該S0G結構可適當地關聯於製作薄膜電晶體 (一TFT)而運用’即如運用於顯示器應用項目，包含有機發光 二極體(0LED)顯示器與液晶顯示器⑽)在 光伏元件等。 ％ ’ 设今最常運用於SOI結構的半導體材料為石夕質。此等 ^構在文射媽社魏縣構，並且既已_寫"观” 。SGI技術對於高效能_電晶體，太陽能電 池以及像疋主動矩陣顯示器的顯示器而言日趨重要。則 結構可包含在輯材虹从致為單晶料的薄層。 在任結構係為協助解釋本揭具體‘施例，然 =任可方面时欲m林解雜，為_ 在此是用以概略指稱半導體上絕㈣ 1石夕上:i_G)結構，半導體上絕緣體⑼1)結構以 陶究4=)轉，财祕此，啊亦涵細上玻璃 =構。㈣本揭概时，观，何綠料體上半導 體半導俨曰：2在S01裝置的生產或開發程中運用施 導體曰圓:°在本揭具體實施例的情境下，該施體半 導體日曰_可為樣本觀鱗求_t_子植入劑 201115135 量。然再度地，該屬於半導體的樣本材料僅為範例，並且可 將本揭所述之植入劑量測量設備1〇〇及/或其他方法和設備 運用於其他的材料上。 施體半導體晶圓120可經由像是施以拋光，洗淨處理等 所備置，藉以產生相當平坦及均勻的植入表面121，此表面 適用於鍵接像是另一半導體材料，玻璃或玻璃陶瓷基板(未 予圖不）的絕緣體基板。為討論之目的，該半導體晶圓120 可為大致單晶矽質（Si)晶圓，然確能運用任何其他適當的 半導體導體材料，像是in_v，n_IV，π_ιν_ν等類型的半導 體。這些材料的範例包含:矽⑸），摻雜鍺的矽(SiGe)，碳 化石夕(SiC)，鍺(Ge)，砷化鍺(GaAs)，GaP 及 InP。 剝離層122的產生方式是藉由令該植入表面121承受於 -個或多個離子植入製程，藉以在該供體半導體晶圓⑽之 植入表面121的下方處產生弱化翻。本發明具體實施例 雖並不^:限於任何構成棚離層122哺定妓然其一適 當方法赫可令辭導體晶圓m雜人表面121承受於氣 離子植入製程，藉以在該供體半導體晶圓12()巾至少啟動產 生該剝離層122。可糊傳統技術來調整植人能量以達到 一般的剝離層122厚度，像是約3GG-5GGnm之間，然任何合理 厚度皆歸屬於本發明麟之内。藉由範例，可·氮離子 植入’然亦能運用其他離子或其許多種類者，像是册氣氦 +氫，或是其他有關離作業之文獻中所已知的離子。再度 地’任何其他已知或未來開發而能義於構成 $ 的技術皆可加以運用。 ^ 8 201115135 而無論所植入之離子物種的本質如何，在該剝離層122 上進行植入之效應為該晶格内的原子自其常規位址產生移 位。當晶格内的原子遭到離子的撞擊時，該原子會被強制 離位，同時產生出主要瑕疵，空位及間隙性原子，這稱為 "Frenkel組對"。若是在接近室溫處進行植入作業，則該主 要缺陷的成份會變移並且產生出許多類型的次要缺陷像 疋空位鎮集等。多數這些類型的缺陷具有電氣主動性並 且在5亥半導體晶格内會成為主要載波的捕阱。 故而該施辭導體晶圓12〇的所獲結構為自該植 面121延伸至該材料内之深度處的材料層（該剝離層㈣ 以及位於該材料層下方的弱化層⑵。形成該弱化層123所 使用的植入劑量可能相當地高，並且遠高於在捧雜技術中 所使用的缝。因此，觸化層123可描料半输即如 石夕質）與氫質的混合物。同時，關化層la層亦含有許 對於其中既已進行將高劑量氫質植入至石夕曾內夕m 士 面121延伸黾玆妊赳由+您* 士 mu,,,、，〇 ,

W|，J 啡丁值入齊量。

123里在折射率方面展 麥摻雜範圍），這可造成 9 201115135 至少一部份自該光線光源102入射於該植入表面121上的光 線產生折射。不對本揭專利範圍造成限制，據信此一在折 射上的差異即為能夠利用頻譜反射來計算該離子植入劑量 之能力的關鍵特徵。圖3A說明不含植入離子3〇〇以及含有 經植入離子302之弱化層123的半導體材料12Q之折射率（γ 軸為按標準單位)與人射絲波長(χ軸為按微米）間的假定 關係。圖3Α所示數值係自對於晶態與非晶躲質晶圓的已 知文獻所導Μ。®邪油_式，其巾含所植入 離子304和具有所植入離子3()6之半導體材料的吸收係數(γ 軸是以1/cm為單位)與入射光線波長(X ϋ是以微米為單位） 之間的假定關係。同樣地，圖3Β所示數值係自對於晶態與 非晶態梦質日日日圓的已知文獻所導算出。實作上，該經植二、 半導體晶®的實隨值可能會異於帛3Α_3Β騎示之數值 。然而，在此是假定實作上該弱化層123將具有接近於3〇2 306的折射率和吸收係數。同時，亦假定在實作上該剝離層 122將具有接近於3GQ，3G4的難^本揭方法及設備在此既 已透過實驗及/或模擬所展示以產生有用結果，俾以實證上 述假定。 在-些波絲ϋ裡，像是高於約45Gnm，該_子植入 半導體材料1_卩如_化層123)的折射率會高於可 晶材料之半導體· 12G的未_子翻者。賊據信 揭方法及設備僅要求，相較於該剝離層122，在該弱化層j 里於折射率上的_些差異(較高或較低）。尤其，符合下曰列 兩項關鍵標準的波絲圍，即⑴在該弱化層123與該剝離 201115135 ====異,以及⑵提供足夠透 =等波長細，_導嶋⑴擁 來自该光線光源1〇2的光線能夠穿透該剝離層122，並且⑵ 該弱化層123與該剝離層122之間在折射率上具備足夠差異 ，糟以產生對於反射所需要到干涉(並因而獲得測量離子劑 量的能力）。折射率差（該弱化層123與該剝離層122之間） 在3〇(M5Gnm範圍雖甚更大，即如㈣所示，然據信此等波 長並不適分析，理由切f半導體材料在這些波長處 會具有極高的吸收度。因此沒有足夠光線能夠穿透進入該 樣本120,反射並且逸離出該樣本12〇以供由探器進行偵測 。而若具備足_折射率差和透光度，例如位於紅外線範 圍内的其他波長，則可甚至更為適用於測量作業。 雖非欲以限制本發明之巾請專利範圍，然既已假定產 生適當於測量離子植入劑量之環境的半導體晶圓12〇特徵 係該弱化層123内相較於位在其上方或下方之其他材料的 折射率。不過，另一種可能性為離子植入物種本身就會在 折射率上產生變化，藉以產生或貢獻於獲致足夠光線反射 的特徵。 參照於圖4,可藉由整合式光纖探器以傳透並接收來自 該光線光源102的入射光線i〇以及來自該樣本12〇的反射光 線Ir，該者基本上實作前文所述一長度的光纖材料1〇8, no 。一部份的光線It則通過該弱化層123並且未被反射。 該頻譜儀104接收該所反射光線Ir(來自該材料12〇之 11 201115135 植从面121上的特定區域)，並且對其進行處理。當來自 X光源102的入射光線為大致白光並且因而含有多個波 長時，可建立出該區域處的反射頻譜像㈣5巾所示者。 該計算系統106的電腦可讀取記憶體可運作以按該入射光 線1〇之各別波長的函數來儲存該反射頻譜的振幅。該計算 系統106内的處理器係經輕接於該電腦可讀取記憶體並且 執仃電腦可執行程式碼，藉以令該處理器根據所儲存的反 射頻譜計算出在該離子植人製程過程巾所使㈣離子植入 劑量。 尤其，該離子植人缝是雜該反麵譜在該入射光 線=至少兩個相對應波長處的至少兩個振幅之比較結果所 计付。參照於® 5,其帽示反射度(γ軸是按a. u.為單位） 相對於波長(X軸是絲料單位)的情況，*該反射頻譜的 兩個振幅為該反射頻譜的各別局部最大值和最小值。該反 射頻譜的局部最大振幅刻出現在約·nm的人射光線波長 處，而该反射頻譜的局部最小振幅3丨2則出現在約？5〇咖的 入射光線波長處。該局部最大振幅31〇與該局部最小振幅 312的比較結果可採取數學差值（減法）的形式，藉以於其等 之間產生波峰對波谷之差值值。尤其，尋獲該等最大值及 最小值處的波長會是根據該剝離層122的厚度而定。故而 月&夠視需要利用該等最大值和最小值位置之波長間的所計 算差值來估計該剝離層122的厚度。 特別是該反射頻譜的局部最大及最小振幅31〇, 312係 經選定於該材料120對該入射光線1〇擁有足夠透明度以供 12 201115135 的夠觸抵該弱化層123並反射回到該光纖探器 =別波錢。即如以·細討論者 =。的半導體材料120來說，此等波長‘ 門或#二，間所選定;而特別是自約_nm至約850nra《 65Gnra_8G()nm之間。熟請本項技藝之 信揭示瞭解能夠在其内選找等最大值及最小 明度，各種實作參數等定 料類型，該者的透 計异在離子植入製程過程中所使用的離子植入劑量亦 可包含計懸鮮㈣鱗驗谷之舰。該鮮化程式 算系統106執行’並且可用以抵消因該光線光源 102之非理想特徵所造成的誤差。 可利用許多不同方式來計算該經標準化波峰對波谷之 差值。其巾m將該鱗驗谷之差錄以並未被 _子植人缝瞬辟之反__振幅。例如，並未 被該，子植入劑量顯著影響之反麵譜的振幅可出現在比 起選疋该反射頻譜之局部最大及最小振幅31〇, 312的各別 波長兩者皆為較低之波長處。藉由範例，當該材料為具有 圖=所=之頻譜的半導體(像切質）時，縣被該軒植入 劑1顯著影響之反麵譜的振幅可位於約⑽nm至聊咖之 間；特別是位於約25〇nm至働随之間；且更尤其是約325顔 至375nm之間…般說來，並未被讎子植人劑量顯著影響 之反射頻譜的振幅可出現在任何於該剝離層122内具有高曰 吸收度的波長處（理由是光線將無法抵達該受損層丨23)。 13 201115135 近該反射頻譜之局部最大及最小振幅310,312 較ίίί 於標準化（因為光線光源的變異性可 擁有』==然該半導趙材料120在較高波長處將會 的古，有雜況下’上料算該標準化波峰對波谷之差值 下方式可能會產生精確性較低的結果。確實，在某些情況 ㈣=度測量可能會對該半導體晶圓⑽之表面與該光纖 木° 8’110間的微小距離變化較為敏感。另一種可能較 :易於產生測量誤差的標準域峰對波谷之差值計算方式 、由I，)獲得並未被離子植入劑量顯著影響（即如在350而 t長處）之反射頻譜_幅以及齡驗谷錄的振幅，各 糸按如該表φ 121與該光纖探器1〇8,11〇間之距離的函數 :11)在掃_程中利用在35()nm處的反射頻譜振幅以估計 :距離(根據前-步驟）;並且按照該所估計距離和由該第 v驟所獲得雜驗函數來校正在掃·過程帽測得的波 峰對波谷振幅。 另-種計算該標準化波峰對波谷之差值的方式如下： ⑴，出在其中該等局部最大及最小振幅⑽，312所居之波 長範圍處，或更②處，的彳遺振巾自之平均值（即如在圖5 ^^員譜 的情況下約6GG-8G()nm之間所有數值的平均值）；以及（土丄） 將該波峰對波谷之差值除以所計算平均值。 按照雜準化波峰對波谷之差值的函數來計算該離子 植入劑量。此項計算可藉由建立該離子植入劑量與該標準 化波峰對波谷之差值之間的關係而依數學計算方式（且因 201115135 SSI統_進行。此一關係可為線性或非線性， 然最好疋早雛。這可藉由紅知_子獻触(像是 -個或多個晶_之人士所標定者)校準於相關聯 厂準b鱗對波谷之差值所達成。該校準結果可 ⑽的數量增加，並亦因給定樣本12〇之測量結果的數量增 加，而改善。-種方式為取得各個晶圓12〇上不同區域之波 峰對波谷之差值（或甚更佳為該標準化波峰對波谷之差值） 的測量結果之平均值，並且利用此平均值以進行校準。缺 後隨可建立該已知離子植入劑量（或該等劑量）與該平均波 峰對波谷之差值(或該鮮化波峰對波谷之差值)之間 調函數。即如® 6所示，其中顯示反射波鑛波谷之差值(γ 軸，以a. U.為單位)相對於名目劑量(χ轴是以1〇16 為單位)，而湘上述程式可高度地校正沿γ軸之波峰對波 谷之差值(或雜準化鱗驗欲差值)與沿x軸之名目 劑量（以1016 HVcrn2為單位）間的關係。該等誤差橫棒各 者是表示在實驗過程中於多個樣本12〇各者上測得之所有 數值的標準差。 一旦執行過該程式裡的上述步驟因而獲得該波峰對波 谷之差值(賴鮮化鱗對波谷之差值)無名目劑量之 間的關係後，即可對於跨於該材料12〇上之多個位置利用前 述測量反賴譜，儲存反射頻譜之振幅以及計算該離子植 入劑置的步驟進行未知樣本12〇的測量作業。可將跨於該 材料之植入表面上的所計算離子植入劑量，包含其變異數 在内，顯示在使用者可觀看媒體上。 15 201115135 "參照圖7,即利用既已按符合於前述技術之方式植入以 虱離子的⑪質半導體晶1||進行實驗。該树轉體晶圓的 直徑測得為_咖，同時利用符合於前文所述且如圖i所示 的設備予鱗晦。所示之劑量映表包含沿γ軸及χ轴各者 按_為單位的距離。所示之測得劑量的色彩/灰階範圍是 自该，圓底部處約4*1〇16出心2至該晶圓頂部處約柯俨 HVcm2,而其間存在有諸多變異。 現參照圖8,並且根據替代性具體實施例，植入劑量測 量設，醜亦可運作以·樣本半導體晶圓120的離子植 入劑量。該設備聰中_似魏的構件可依前文針對圖 1所述者而運作。然、不同於圖1中運用光纖的設備職該設 備100A含有自由空間光學元件職臟，#以提供入射光 線予該晶® 120並自其接收級。為測量該晶圓120的不同 部份，可勤麵_晶® 120祕鮮光線光源 102及頻 讀儀104 (然如此對於保持適當的光線聚焦而言具有一定 難度)’或者是相對於靜正的光線光源102及頻譜儀104移 動m 12〇。在本具體實施例裡該等自由空間光學元件 108A, 11GA係經斜角化使得該頻譜儀⑽能夠完成適當的 射光Λ測量在替代性具體實施例裡該等自由空間光 :一件108Α, 110Α可按其他的行旅指向而需設以光束分割 !兑及/或額外的聚焦透鏡^在許多其他特點中該設備臟 大致如同圖1的設備100般運作。 【附圖簡單說明】 為說明本案所揭示的各種特性之目的，在此以圖式顯 201115135 示現屬較佳之形式，然應瞭解本發明並不受限於所顯示的 精確排置方式及設備。 圖1為區塊圖，其中說明根據本發明之一個或多個具體 實施例用以測量材料樣本内之離子植入劑量的設備。 圖2為區塊圖，其中說明適用於產生可為材料之主體的 半導體上絕緣體產品而在圖丨設備之測量下的中介結構。 圖3A說明具有，以及不含，所植入離子之樣本材料的折 射率與入射光線波長間之關係。 圖3B說明具有，以及不含所植入離子之樣本材料的吸 收度與入射光線波長間之關係。 圖4為圖1設備之光線提供及接收成份的進一步細部圖。 圖5為圖式’其中說明在利用圖上設備進行測量下之半 導體材料的所測得反射頻譜。 圖6為圖式，其中說明受測中半導體材料之反射麵的 固或夕個局部與其離子植人劑量之間的關係。 圖7為圖式，其中說明利關丨設備的實驗結果。 圖8為區塊圖’其中說明根據本發明之一個或多個具體 備。！而用以測置材料樣本内之離子植入劑量的替代性設 【主要元件符號說明】 計算2劑㈣4設備刚;光線統1Q2;頻譜儀104; 體曰門19震;材料1G8，11G;光學元件職，腿;半導 2〇;植入表面121;剝離層122;弱化層123。

Claims (1)

1. 201115135 七、申請專利範圍 的方法，其中包 1. 一種對材料内之離子植入劑量進行測量 含： 經由該材料的植人表_量反射 既 之一 衫於料“製㈣纽自該狀表岐該；^内既經 冰度的材料層，以及位於該材料層下方的弱化層； 依入射於該植入表面上之光線的各別波長之函數以 該反射頻譜的振幅； 啫存 根據該入射光線之至少兩谢目對紐長處的至少兩個反 射頻譜振幅之比較結果輯算在娜子植人縣過程 使用的離子植入劑量；以及 在使用者可觀看媒體上顯示所計算的離子植入劑量。 ^如申請專利制第丨項所述之方法，其巾計算在離子植入 製程過程巾所制之離子植人的步驟包含找該反射 頻譜之至少一局部最大振幅與該反射頻譜之至少一局部最 小振幅間的波峰對波谷之差值。 =·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中是在該材料對於 為入射光線而f為足触明的各別波長處選定該反射頻譜 的最大和最小振幅，藉以讓該入射光線能夠抵達位於該材 料層下方的弱化層，反射並離開該材料。 4.如申請專利範圍第3項所述之方法，其中： 5亥材料為半導體；以及 選定該反射頻譜之局部最大及最小振幅的各別波長係位 於約500nm至約i〇〇〇nm之間。 201115135 5.如申請專利範圍第4項所述之方法，其中 各別波長係位於約6〇〇nm至約85〇n 至約800nm之間。 m之間；或位於約600nm 6.如申請專利範圍第4項所述之方法，其中更進一步包含估 為在位於局部最大值和最小值處各別波長 間4算之差值的函數。 7. =申請專利範圍第3項所述之方法，其中在離子植入處理 過程情使料算離子植人缝之步驟包含藉由將波峰對 波谷之差值除以並未顯著地受到離子植人劑量所影響之反 射頻譜振幅崎算經鮮化的波峰驗谷之差值。 8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中並未被該離子植 入劑量顯著辟之反賴譜龍财歧出在比起選定該 反射麵之局歸大及最小振_各微㈣料為較低 之波長處。 9.如=請專·Μ 7猶叙方法，其巾並未被該離子植 入劑量顯著辟之反棚譜的純可計算出為在波長範圍 内多個數㈣平均，其波長酬包含反_譜之局部最大 值及最小值。 10.如申請專利範圍第8項所述之方法，其中至少一項： 材料為梦； 並未被該離子植入劑量顯著影響之反射頻譜的振幅在 lOOnm及500nm之間；或 並未被該離子植入劑量顯著影響之反射頻譜的振幅在 250nm及400咖之間；或在325咖及375nm之間。 201115135 11·如申5胃專她圍第7項所述之方法，其中計算離子植入 劑量為經標準化之波峰對波谷之差值。 12. 如申明專利範圍第7項所述之方法，其中更進一步包含 ，離子植人缝與經縣化之鱗對波谷之差值之間建立 早調關係。 13. 如申巧專利細第12項所述之方法，其中建立單調關係 之步驟包含將已知的離子植入劑量校準相關聯的測得標準 化波峰對波谷之差值。 14. 如申請專利細第12項所述之方法，其中更進—步包含: 重複下列步驟··針對跨於珊料之植人表Φ上的多個位 置重複測量該反射頻譜，儲存反射頻譜之振幅，以及計算該 離子植入劑量的步驟；以及 在該使用者可觀看媒體上顯示跨於該材L表W 的所计算離子植入劑量，包含其變異數。 汛如申請專利範圍第12項所述之方法其中包含至少 材料為半導體；以及 *半«取自於下列群組包含梦⑸），摻雜鍺⑽⑸⑹， 碳化石夕(SiC)，錯(Ge)，珅化錯(GaAs)，Gap及Inp。， 16. -種騎_之軒植人㈣進行啦的綠，其 含： 經由該材料的植入表面測量反射頻譜，該植入表面既經 於離子植人製程以產生自該植人表面至騎料内之— 深度的材料層，以及錄蹄觸下方的弱化層； 依入射於該植人表面上之光線的各別波長之函數以儲存 20 201115135 該反射頻譜的振幅； 決定該反射頻譜之至少一局部最大振幅與該反射頻譜之 至少一局部最小振幅間的波峰對波谷之差值，其中可在該 材料對於該入射光線而言為足夠透明的各別波長處選定該 反射頻譜的最大和最小振幅，藉以讓該入射光線能夠抵達 位於該材料層下方的弱化層，反射，以及離開材料； 藉由將波峰對波谷之差值除以並未顯著地受到離子植入 劑畺所影響之反射頻譜振幅以計算經標準化的波峰對波谷 之差值； 計算離子植入劑量為經標準化波峰對波谷之差值之函數 ;以及 在使用者可觀看媒體上顯示所計算的離子植入劑量。 17. —種設備，其包含： 頻譜儀輯自該漏的植从面·反射賴，該植入 表面既經承受於離子植人餘以產生自雜人表面至該材 料狀-深度的材料層，以及位於該材料層下方的弱化層； 計算機可讀取記憶體，操作來依入射於該植入表面上之 光線的各別波長之函數以儲存該反射頻譜的振幅； 處理器耦合至計算機可讀取記憶體以及操作來執行計算 機可執行程式碼促使處理器執行下肋作，包括:在離子植 入處理過财依據在至少兩個相對應人射鎌之波長至少 兩個反射賴的聽計算所朗之軒植人缝·以及 在使用者可觀看雜上顯示所計算_子植人劑量之構 201115135 18. 如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中計算機可執行 程式碼促使處理器執行更進一步動作包含： 決定該反射頻譜之至少一局部最大振幅與該反射頻譜之 至少一局部最小振幅間的波峰對波谷之差值，其中可在該 材料對於該入射光線而言為足夠透明的各別波長處選定該 反射頻譜的最大和最小振幅，藉以讓該入射光線能夠抵達 位於該材料層下方的弱化層，反射，以及離開材料； 藉由將波峰對波谷之差值除以並未顯著地受到離子植入 劑量所影響之反射頻譜振幅以計算經標準化的波蜂對波谷 之差值； 計算離子植入劑量為經標準化波峰對波谷之差值之函數。 19. 如申請專利範圍第18項所述之裝置，其中包含至少一項: 计算機可執行程式桃含在離子植入劑量與 鱗對波谷之差值之間建立單調關係；以及以化之 單調關係包含將已知的離子植入劑量校準相關聯的測得 標準化波峰對波谷之差值。 20. 如申清專利範圍帛18項所述之裝置，其中頻譜儀，計算 機可讀取記憶體，處理器，以及計算機可執行程式碼共同作 用來重複:針對跨於該材料之植入表面上的多個位置測量 該反射頻譜，儲存反射頻譜之振幅，計算雜子植入劑量， 乂及顯示所计舁離子植入劑量，包含其變異數。 22