201040544 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於模組/電路之感測，更詳而言之，係有關於一種應 用於電流驅動模組/電路之電流感測環境中的感測系統及其方法。 【先前技術】 目前’對於應用於電流驅動模組/電路的感測電路/模組/系統而言， 感測電路必須與其所感測的電流驅動模組/電路匹配良好，且，通常在 ic佈局時彼此必須緊靠在一起、以及外觀近似且排列方向相同，另， 對於感測電路與電流驅動電路之元件比例而言，亦有_定的規範與限 制。 感測電路(或模組或系統)通常所採取的電流感測方式是，藉由其與 電流驅動模組/電路之元件比例而得出電流理想比例，且，彻其所感 測出之電壓降來反應並得出流經電流驅動模組/電路的電流。 然，於1C製程中若有變動情形產生，將使感測電路中之電阻絕對 值發生偏差，加上感測電路與電流驅動模組/電路报難匹配良好，而致 使感測電路感測出之電壓降將會有超過10%誤差，並影響到電流驅動 模組/電路之工作電流感測;另，於IC製程中若有變動情形產生，將致 使感測電路與電流驅動模組/電路的元件比例、電流理想比例產生偏 差，而影響到電流驅動模組/電路之工作電流感測。 所以如何尋求一種能用以感測出電流驅動模組/電路之電流的感測 系統，並利用該感測系統進行感測方法時，能無須考量與電流驅動模 201040544 組/電路是否匹配良好，無須考量元件比例 '電流理想比例，且在ic佈 局時可與電流驅動電路無須緊靠在一起並可為不同之IC製程及/或可 與電流驅動模組位於不同之IC晶片内，而可量測出流經電流驅動模組 /電路的電流大小，乃是待解決的問題。 【發明内容】 本發明之主要目的便是在於提供一種感測系統及其方法，係應用於 電流驅動模組/電路之電域測環境，該感_統、及棚該系統進行 感測方法時，無須考1與電流聪動模組/電路之匹配問題。 本發明之又一目的便是在於提供一種感測系統及其方法，係應用於 電流驅動触/電路之電流制魏，·補射、統骑械測方法 夺藉由n亥感測系統之一輸出點電壓及/或一外部電壓與該輸出點電壓 之差值，而可量測出流經電流驅動模組/電路的電流大小。 ^—目的便是在於提供—贼啦統及其方法，係應用於 電流驅動·/電路之電流感晴境，該感義統、及顧齡統進行 感測方法時，無須考量與電流驅動模組/電路之元件_、電流理想比 例。 本發明之再-目的便是在於提供統及其錄，係應用於 電抓驅動模組/電路之電流感測環境，該感測系統於1C佈局時，與電流 驅動模組/電路無㈣靠在—起並可林同之K製減/或可與電流驅 動模組位於不同之1C晶片内。 根據以上所述之目的’本發明提供—種感測系統，該感測系統包含 4 201040544 半導體兀細、電_組、以及電_撤，在此，半導體元件模 組及/或電阻模組及/或购模組為積體電路型式，端視實際需求以及 施行情形而定。 電壓原模，a 4電壓顯组將控繼感職統之半導體元件模組中 之半導體祕的導通與否，並控制電流驅動麵/電路之元件。 半導體元件顧，辦諸元件做至少包含-轉航件，當該
電壓源模組使該半導體元件為導通時，藉由該感測系統之一輸出點電 塵及/或該外部電顯該輪—電壓之差值，以及，電聽動模組/電路 的等效電阻’而可得H經電流鶴模組/電路的電流大小。 電阻柄、、且„亥屯阻模組至少包含一電阻及/或，至少包含由 或JFET驗紅等效電阻，該電阻為麟働大之電阻，致使該半導 體元件〇如為NM〇s，於導通時，該半導體元件之沒满原極電壓 降僅為mV等級。 於到用該感測系統以進行感測方法流程時，首先，施加一外部電壓 /外βρ電/;1(_至該感測系統、及該感測系統所欲感測之電流驅動模組/電 路，由於该感測系統之電阻模組的該電阻為絕對值夠大之電阻，致使 該外部電流絕大部份將流至電流驅動模組/電路;接著，得出該感測系統 之-輸出點f壓及/或該外部電壓與該輸㈣電壓之差值;獅，將所出 之該輸出點電壓及/或該外部電壓與該輸出點電壓之該差值，除以電流 驅動模組/電路的有效電阻，而得出流經電流驅動模組/電路的電流大 爲使熟悉該項技藝人士瞭解本發明之目的、特徵及功效， 5 201040544 茲藉由下述具體實施例’並配合所附之圖式’對本發明詳加說 明如後： 【實施方式】 第1圖為一示意圖，用以顯示說明本發明之感測系統的架構、以及 運作'^形°如第1圖巾所示之，本發明之感測祕1包含半導體元件 核組2、電阻模組3、以及電壓源模組4，在此，將-外部電壓Vin施 〇 力°至該制域1 «赫動輸/電路5，於碱測祕1之-端點 11的電壓為電壓sw，於電流驅動模組/電路5之一端點52或一端點 53的電壓亦為電壓SW，其中，該半導體元件模組2至少包含-半導 體兀件21，該電阻模組3至少包含一絕對值夠大之電阻31，該電阻31 可為電阻及/或為由M〇s或JFET組成之等效電阻，而該半導體元件模 組2及/或電阻模組3為積體電路型式，端視實際需求以及施行情形而 定。 〇 施加一外部電壓Vin/外部電流I至該感測系統1、及該感測系統i 所欲感測之電流驅動模組/電路5，該感測系統1所流經之電流為電流 12，而流經電流驅動模組/電路5之電流大小為電流η。由於該感測系 統1之電阻模組3的該電阻31為絕對值夠大之電阻及/或為由MOS或 JFET組成之等效電阻’致使該外部電流I絕大部份將流至電流驅動模 組/電路5。 電壓源模組4，該電壓源模組4將控制該半導體元件模組2之該半 導體元件21的導通與否，並控制電流驅動模级/電路5之元件51。如 201040544 第1圖中所示之，電流驅動模組/電路5具有等效電阻Rds.on(未圖示 出），當電流II通過時，於電流驅動模組/電路5端點52與53之間將產 生出電壓降Vds.on，而電壓降Vds.on反應於外部電壓Vin與電壓SW 之間。感測系統1之輸出點14的輸出電壓VO非常接近電壓SW，可 藉以感測電流驅動模組/電路5的電流。 當該電壓源模組4使該半導體元件21為導通時，藉由該感測系統 1之一輸出點14的輸出電壓VO及/或該外部電壓Vin與該輸出點14 〇 的輸出電壓VO之差值，以及，電流驅動模組/電路5的等效電阻
Rds.on，而可得出流經電流驅動模組/電路5的電流大小。 半導體元件模組2，該半導體元件模組2至少包含一半導體元件 21，該半導體元件21可為MOS元件或JFET元件或電晶體元件;電流 驅動模組/電路5之元件51可為MOS元件或JFET元件。該電壓源模 組4可使該半導體元件21及/或元件51導通工作於線性區。 半導體元件模組2與電流驅動模組/電路5無須匹配，而半導體元 〇 件21與元件51無須匹配且可在不同之汇製程予以完成，另，例如， 半導體元件21與元件51可位於不同之IC晶片。 電阻模組3 ’該電阻模組3至少包含一電阻3卜該電阻31為絕對 值夠大之f阻及/或融MOS或IFET組紅較電阻，贿該半導體 元件2卜例如，為MOS元件，於^r通時，該半導體元件21之沒極/ 源極電壓降Vds僅為mV等級，則該感測系統丄之輸出點14的輪出電 壓VO與電壓SW僅有幾mV差距，可視為同電位，而負載端電阻 Rload(未圖示出)所流過之電流幾乎等於電流n。 7 201040544 電流ii通過電流驅動模組/電路5並經等效電阻Rds〇n產生電壓 降，而電壓VO近似於電壓sw，且，藉由該感測系統i之一輸出點14 的輸出電S VO及/或該外部電壓Vin與該輸出點14的輸出電壓v〇之 差值’以及’電流驅動模組/電路5的等效電阻Rdson，而可得出流經 電流驅動模組/電路5的電流ii之大小。 第2圖為-流程圖’用以顯示說明_本發明之感測系統以進行感 測方法的流程步驟。如第2圖中所示之，首先，於步驟1(n，施加一外 部電壓Vin/外部電流I至該感測n、及該_綠丨所欲感測之電 流驅動模組/電^^’該感測系統丨職經之電流為電流^而流經電 流驅動模組/電路5之電流大小為電流11;由於該感測祕i之電阻模組 3的該電阻31為絕對值夠大之電阻及/或為由M〇s或JFET組成之等效 電阻，致使該外部電流I絕大部份將流至電流驅動模組/電路5，並進到 步驟102。 於步驟102 ’得出該感測系統！之一輸出點14的輸出電壓v〇及/ 或s亥外部電壓Vin與該輸出點14的輸出電壓γ·〇之差值，並進到步驟 103。 於步驟103，將所出之該輸出點14的輸出電壓VO及/或該外部電 壓Vin與該輸出點14的輸出電壓v〇之該差值(Vin-VO)，除以電流驅 動模組/電路5的有效電阻Rds.on，而得出流經電流驅動模組/電路5的 電流II之大小。 第3圖為一示意圖’用以顯示說明本發明之感測系統之一實施例的 架構、以及運作情形。如第3圖中所示之，本發明之感測系統1包含 8 201040544 半導體兀件模組2、電阻模組3、以及電壓源模組4，在此，將一外部 電壓Vm施加至該感測系統丨及電流驅動模組/電路$，該感測系統】 與電流驅動模組/電路5分別介於外部電壓偷以及電壓，之間，而 外。卩電壓Vin與地GND之間的壓降為12V，於該感測紐丨之一端點 11的電壓為電壓SW’於電流驅動模組/電路5之—端點53的電壓亦為 電壓SW’其中’該半導體元件模組2至少包含一半導體元件以，而 該半導體元件24NM〇S^_組3至少包含—珊健大之電阻 〇 3卜該電阻31為10K以上之電阻，例如，該電阻31為40K，而該半 導體元件模組2及/或電阻模組3為積體電路型式，端視實際需求以及 施行情形而定。 施加-外部電壓Vin/外部電流】至該感測系統卜及該感測系統i 所欲感測之電流驅動模組/電路5，該感測系統丨所流經之電流為電流 12，而流經電流驅動模組/電路5之電流大小為電流u。由於該感測系 統1之電阻模組3的該電阻31為絕對值夠大之電阻，致使該外部電流 Ο I絕大部份將流至電流驅動模組/電路5。 電壓源模組4，該電壓源模組4將控制該半導體元件模組2之該半 導體元件21的導通與否’並控制電流驅動模組/電路5之為之 元件51。如第3圖中所示之，電流驅動模組/電路5具有等效電阻 Rds.on(未圖示出），當電流Π通過時’於電流驅動模組/電路5端點52 與53之間將產生出電壓降Vds.on ’而電壓降vds.on反應於外部電壓 Vin與電壓SW之間。感測系統1之輸出點14的輸出電壓VO非常接 近電壓SW，可藉以感測電流驅動模組/電路5的電流。 201040544 當該電壓賴組4使為職os之該铸體元件μ為導通時，藉由 該外部電壓Vin與該輸出點14 電流驅動模組/電路5的等效電 的輸出電壓VO之差值(Vin-VO)，以及， 阻Rds.on ’而可得出流經電流驅動模組/ 電路5的電流II之大小。
半導體元件模組2，辭導體元件做2至少包含-為NMOS的 半導體元件21，電雜賴組/電路5之元件μ也為顧。該電壓 源模組4可使該轉體元件21〜或元彳仏導通讀於線性區。 半導體70件她2與電流驅動模崎路$錢匹配，而半導體元 件21與元件51無須醜且可林同之K製程予以完成，另，例如， 半導體元件21與元件S1可位於不同之IC晶片。 電阻模組3 ’ s亥電阻模組3至少包含一電阻31，在此，該電阻^ 為4〇K ’致使為nm〇s之辭導體元件^於導通時，該半導體元件 21之沒極/源極電壓降Vds僅有幾個_，則該感測系統 1之輸出點14 的輸出電壓VO與電壓SW僅有幾mV差距，可視為同電位，而負載端 電阻Rload所流過之電流幾乎等於電流n。 電流π通過電流驅動模組/電路5並經等效電阻Rds〇n產生電壓 降，而電壓vo近似於電壓sw，電流驅動模組/電路$之等效電阻·〇η 為已知值’疋故’可藉由該外部電壓與該輸出點14的輸出電壓V〇 之差值(Vm-VO)、以及電流驅動模組/電路5的等效電阻Rds〇n，而可 得出流經電越動聽/餅5之電献小n，亦 P藉由》亥電阻模、组3之二端點間的電壓降(Vin_v〇)除以該電流驅動模 組/電路5之等效電阻Rds.Gn，而可得出流經該電流驅動模組/電路5的 201040544 電流大小II。
該半導 Ο 體元件模組2至少包含-半導體元件2卜而該半導體猶2ι為 PMOS，該電阻模組3至少包含一絕對值夠大之電阻31，該她w為 10K以上之電阻及/或為由M〇s或JFET組成之等效電阻例如哕電 阻31為40K，而該半導體元件模組2及/或電阻模組3為積體電路型式， 端視實際需求以及施行情形而定。 施加一外部電壓Vin/外部電流〗至該感測系統丨、及該感測系統复 所欲感測之電流驅動模組/電路5，該感測系統丨所流經之電流為電流 12 ’而流經電流驅動模組/電路5之電流大小為電流II。由於該感測系 統1之電阻模組3的該電阻31為40K電阻，致使該外部電流j絕大部 份將流至電流驅動模組/電路5。 電壓源模組4，該電壓源模組4將控制該半導體元件模組2之為 PMOS之5亥半導體元件21的導通與否，並控制電流驅動模組/電路5之 為PMOS之元件51。如第4圖中所示之，電流驅動模組/電路$具有等 201040544 效電阻Rds.on(未圖示出），當電流II通過時，於電流驅動模組/電路5 端點52與53之間將產生出電壓降Vds.on，而電壓降Vds.on反應於外 部電壓Vin與電壓SW之間。感測系統1之輸出點14的輸出電壓VO 非常接近電壓SW，可藉以感測電流驅動模組/電路5的電流。 當該電壓源模組4使為PMOS之該半導體元件21為導通時，藉由 §玄外部電壓Vin與該輸出點14的輸出電壓VO之差值(Vin-VO)，以及， 電流驅動模組/電路5的等效電阻Rds.on，而可得出流經電流驅動模組/ Ο 電路5的電流II之大小。 半導體元件模組2’該半導體元件模組2至少包含一為pm〇S的半 導體元件21，電流驅動模組/電路5之元件51也為pM〇§。該電壓源 模組4可使該半導體元件21及/或元件5丨導通工作於線性區。 半導體元件模組2與電流驅動模組/電路5無須匹配，而半導體元 件21與元件51無舰配且可在*同之1C製程抑完成，另，例如， 半導體元件21與元件51可位於不同之IC晶片。 Ο 電阻模組3,該電阻模組3至少包含一電阻31，該電阻31為桃， 致使為PMOS之該半導體元件u於導通時，該半導體元件之細 源極電壓降Vds僅有幾個mV，則該感測系統i之輪出點14的輸出電 壓vo與電壓sw僅有幾mv差距，可視為同電位，而負載端電阻_ 所流過之電流幾乎等於電流n。 電流η通過魏!_歡/電路5並轉效餘RdsQn產生電壓 降而電壓VO近似於電壓sw，電流驅動模組/電路5之等效電阻則通 為已矣值疋故可藉由該外部電壓vin與該輪出點14的輸出電壓 12 201040544 之差值(Vm-VO)、以及電流驅動模組/電路5的等效電阻Rds 〇n，而可 得出流經電流驅動模組/電路5之電流大小n，亦 即，藉由該電阻模組3之二端點間的電壓降(vin_v〇)除以該電流驅動模 組/電路5之等效電阻Rds.on，而可得出流經該電流驅動模組/電路5的 電流大小II。 第5圖為一示意圖，用以顯示說明本發明之感測系統之再一實施例 的架構、以及運作情形。如第5圖中所示之，本發明之感測系統丄包 〇 含半導體元件模組2、電阻模組3、以及電壓源模組4，在此，一外部 電壓Vinl經由一電阻R後變為外部電壓vin2，而將此外部電壓vin2 施加至該感測系統1及電流驅動模組/電路5，該感測系統1與電流驅 動模組/電路5分別介於外部電壓Vin2以及地GND之間，且電壓源模 組4之負極與地GND連接，於該感測系統1之一端點12的電壓為電 壓SW，於電流驅動模組/電路5之一端點52的電壓亦為電壓SW，其 中，該半導體元件模組2至少包含一半導體元件21，而該半導體元件 〇 21為NMOS，該電阻模組3至少包含一絕對值夠大之電阻31，該電阻 31為10K以上之電阻及/或為由MOS或JFET組成之等效電阻，例如， 該電阻31為40K，而該半導體元件模組2及/或電阻模組3為積體電路 变式，端視實際需求以及施行情形而定。 施加一外部電壓Vin2/外部電流I至該感測系統1、及該感測系統1 所欲感測之電流驅動模組/電路5，該感測系統1所流經之電流為電流 Π，而流經電流驅動模組/電路5之電流大小為電流II。由於該感測系 統1之電阻模組3的該電阻31為40K電阻，致使該外部電流I絕大部 13 201040544 份將流至電流驅動模組/電路5。 電壓源模組4，該電壓源模組4將控制該半導體元件模組2之為 NMOS之該半導體元件21的導通與否，並控制電流驅動模組/電路5 之為NMOS之元件51。如第5圖中所示之，電流驅動模組/電路5具有 等效電阻Rds.on(未圖不出），當電流II通過時，於電流驅動模組/電路 5端點52與53之間將產生出電壓降Vds.on。感測系統1之輸出點μ 的輸出電壓VO非常接近電壓SW，可藉以感測電流驅動模組/電路5 © 的電流。 當該電壓源模組4使為NMOS之該半導體元件21為導通時，藉由 該輸出點14的輸出電壓VO，以及，電流驅動模組/電路5的等效電阻 Rds.on，而可得出流經電流驅動模組/電路5的電流^之大小。 半導體元件模組2，辭導體元件模組2至少包含-為刪沉的 半導體元件2卜電流驅動模組/電路5之元件51也為顺沉。該電壓 源板組4可使辭導體元件21及/或元件51導通玉作於線性區。 〇 +導體70件模組2與電流驅賴組/電路5無須匹配，而半導體元 件與耕51無配且可在獨之IC製程予以完成，另，例如， 半導體元件21與元件51可位於不同之晶片。 電阻模組3,該電阻模組3至少包含—電㈣，該電㈣為魏， 致使為NMOS之該半導體元件於導通時，該半導體元件^之細 源極電壓降她僅有幾個mV，則該感測系統i之輸出點Μ的輸出電 壓vo與電壓sw僅有幾mv差距，可視為同電位，而負載端電阻驗d 所流過之電流幾乎等於電流U。 14 201040544 電流11通過雷泊艇私抬4 . 、'電路5並經等效電阻Rds.on產生電壓 降，而電㈣近鱗繼W，t__她之謂議⑽ 為㈣’是故’ W W點14的輸峨V◦、以及電流驅動 模組/電路聯物Rds.Qn，柯得_電軸獅電路5之 電流大小 II 為[V〇/Rds.〇ni， P藉由该電阻模組3之二端點間的 電壓降V。除以該電流驅動模組/電路5之等效電隱加，而可得出流 經該電流驅動模組/電路5的電流大小U。 Ο
第6圖為—流糊，用以顯示說明咖第3圖中之感測系統以進行 感測方法之-實施_流程步驟々第6圖中所示之，首先，於步驟 201，施加一外部電壓Vin/外部電流I至該感測系統卜及該感測系統i 所欲感狀較驅賴組/電路5，賊職統丨麟狀電流為電流 12 ’而流經電流驅細組/電路纟之糕大小為電❹，該半導體元件 21為NM0S且該元件51也為麵〇8;在此，由於該感測系統i之電阻 模組3的該電阻31為40K之電阻，致使該外部電流〗絕大部份將流至 電流驅動模組/電路5，並進到步驟202。 於步驟202 ’付出s亥外部電壓vin與該輸出點14的輸出電壓v〇 之差值為(Vin-VO)，並進到步驟203。 於步驟203，將所出之該外部電壓Vin與該輸出點η的輸出電壓 VO之該差值(Vin-VO)，除以電流驅動模組/電路5的有效電阻Rds 〇n， 而得出流經電流驅動模組/電路5的電流II為[(Vin-VO)/Rds.on]。 第7圖為一流程圖，用以顯示說明利用第4圖中之感測系統以進行 感測方法之一實施例的流程步驟。如第7圖中所示之，首先，於步驟 15 201040544 301，施加-外部電壓Vin/外部電流】至該感測系統卜及該感測系統】 所欲感測之電流驅動模組/電路5，該感測系統工所流經之電流為電流 12，而流經電流驅動模組/電路5之電流大小為電流n，該半導體元件 21為PMOS且該元件51也為PM〇s;在此，由於該感測系统i之電阻 模組3的該電阻31 $ 40K之電阻，致使該外部電流m大部份將流至 電流驅動模組/電路5，並進到步驟302。 於步驟3〇2，得出該外部電壓Vin與該輪出點Μ的輸出電壓v〇 〇 之差值為(Vin-VO)，並進到步驟303。 於步驟303 ’將所出之該外部電壓Vin與該輸出點14的輸出電壓 VO之該差值(Vin-VO)，除以電流驅動模組/電路5的有效電阻Rds 〇n， 而得出流經電流驅動模組/電路5的電流II為[(Yin—voyRds.onj。 第8圖為一流程圖，用以顯示說明利用第5圖中之感測系統以進行 感測方法之一實施例的流程步驟。如第8圖中所示之，首先，於步驟 401 ’施加一外部電壓Vin2/外部電流I至該感測系統卜及該感測系統 Ο 1所欲感測之電流驅動模組/電路5 ’該感測系統1所流經之電流為電流 12，而流經電流驅動模組/電路5之電流大小為電流η，該半導體元件 21為NMOS且該元件51也為NMOS;在此’由於該感測系統1之電阻 模組3的該電阻31為40Κ之電阻，致使該外部電流I絕大部份將流至 電流驅動模組/電路5，並進到步驟402。 於步驟402，得出該輸出點14的輸出電壓VO，並進到步驟403。 於步驟403，將所出之該輸出點14的輸出電壓VO除以電流驅動 模組/電路5的有效電阻Rds.on，而得出流經電流驅動模組/電路5的電 16 201040544 流 II 為[VO/Rds.on] 〇 於此些實施例中，雖電阻模組3之電阻3丨為40Κ，然，該電㈣ 可為任何絕對值夠大之電阻而並不限於為慨，及/或，該電阻Μ 由MOS或肿Τ組紅料纽;且，該轉件池2可収他型 式來予以施行，而並靴於僅包含—铸體元狀型式，該些施行狀 況其理均相同、_於實施财所述之，是故，在料再寶述。
综合以上之實施例’我們可以得到本發明之一種感測系統及其方 法，係應剩軸彳輯私咖糧，姉綠統|須考 量與電流義做/魏之、元件_、電歧想比例，且該 感測系統於1C佈树，與電流驅動触/電路無鮮靠在-起並可為不 同之1C 1程及/或可與電流驅賴組健晶丨内，利用該感 H先以進订感測方法時，藉由該感測系統之一輸出點電壓及/或—外 。剛與該輸出點電壓之差值，而可量測出流經電流驅動模組/電路的 電流大小。 以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之範 圍，凡/、6未麟本發撕揭示之精神下攸狀等狀變紐飾，均 應包含在下述之專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第1圖為-不思圖’用以顯示說明本發明之感測系統的架構、以及 運作情形； 第2圖為机程圖’用崎示說明綱本發明之m统以進行感 17 201040544 測方法的流程步驟； 第3圖為一示意圖，用以顯示說明本發明之感測系統之一實施例的 架構、以及運作情形； 第4圖為一示意圖，用以顯示說明本發明之感測系統之另一實施例 的架構、以及運作情形； 第5圖為一示意圖，用以顯示說明本發明之感測系統之再一實施例 的架構、以及運作情形； 〇 第6圖為一流程圖，用以顯示說明利用第3圖中之感測系統以進行 感測方法之一實施例的流程步驟； 第7圖為一流程圖，用以顯示說明利用第4圖中之感測系統以進行 感測方法之一實施例的流程步驟;以及 第8圖為一流程圖，用以顯示說明利用第5圖中之感測系統以進行 感測方法之一實施例的流程步驟。 q 【主要元件符號說明】 1 電流感測電路 2 半導體元件模組 3 電阻模組 4 電壓源模組 5 電流驅動模組/電路 11 端點 14輸出點 18 201040544 21 半導體元件 31 電阻 51 元件 52 端點 53 端點 101 102 103 步驟 201 202 203 步驟 301 302 303 步驟 401 402 403 步驟 i 外部電流 II電流 12 電流
Rds.on 等效電阻 Rload 負載端電阻 O sw電壓
Vds.on電壓降 Vin電壓 Vinl電壓 Vin2電壓 VO輸出電壓