TW201031010A - Technique for manufacturing a solar cell - Google Patents
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Description
201031010 32830pif 六、發明說明： 【相關申請案】 本申請案主張優先權為年11月20日於美國所 申請之標題為「Virtual Mask」的美國臨時專利申請號 61/114,342，其完整揭露内容在此併入本文參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種太陽能電池基板的製造，且特別 是有關於一種使用罩幕來製造太陽能電池的方法與設備。 【先前技術】 離子植入是將改變導電性的雜質引入基板的一種技 術。所需的雜質材質會在離子源中被離子化且被萃取。接 著’所萃取的離子會被操縱成離子束並被加速至預定能 量，以及被導向基板並進行植入。在對基板進行回火後， 離子會配置在基板的晶格中’以形成具有所需導電性的區 域。 太陽能電池是使用矽基板之裝置的一個實例。太陽能 電池提供無污染且使用免費自然資源的存取能源 (equaUccess energy)，且其在各個國家都有越來越重要的 趨勢。任何能夠降低製造或生產高性能太陽能電池的成本 的方法，或者是任何能夠有效地提升高性能太陽能電池的 =法，對於全球使用太陽能電池的普及化會有積極的影 響。此舉將會使此乾淨能源技術能夠被更廣泛的使用。 太陽能電池可能需要進行摻雜，以改善其效率。此摻 雜可以是對整個太陽能電絲面進行全面师雜(Wanket 201031010 V^/ΧΛ 、 V ' doping)，或者是僅對太陽能電池表面的特定區域進行選擇 性掺雜(selective doping)。在過去，是使用含摻質的玻璃或 膠體(paste)來對太陽能電池進行摻雜，其中玻璃或膠體在 加熱後會使換質擴散至太陽能電池中。然而，這些製程無 法提供足夠的精確度(precision)以對電池的不同區域進行 選擇性摻雜。此外，若是存在有孔洞、氣泡或者是污染物， 則可能使全面性摻雜有不均勻摻雜的現象發生。 0 摻雜可以改良電池，其中太陽能電池的表面包括收集 光電流的導體網狀物*增加位於這些格網線下方的摻質劑 量將會降低串聯電阻與提升太陽能電池的效率。藉由全面 性摻雜可以增加整體劑量或者是分佈於整個表面的劑量， 然而’也會相對地增加表面再結合(surface recombinati〇n) 與降低太陽能電池的效率。因此，能夠摻雜出一系列窄條 紋(narrow stripes)的能力將有助於太陽能電池的生產。 由於離子植入能夠對太陽能電池進行精確的摻雜與 選擇性摻雜，因此離子植入對太陽能電池而言具有許多優 ® 點。然而，太陽能電池的選擇性摻雜可能需要使摻質形成 特定圖案(pattern)，也就是離子只會植入太陽能電池基板的 特定區域。在以前，僅對基板的特定區域進行植入可以藉 由使用光阻來達成。然而，由於使用光阻會需要進行額外 的製程步驟’因此會增加太陽能電池生產的額外成本。此 外，若待植入的區域為相當小時，使用光阻也會遭遇到困 難。因此，此領域需要一種太陽能電池基板的改良式植入， 且特別是一種使用罩幕之太陽能電池基板的改良式植入。 5 201031010 32830pif ·、 【發明内容】 揭露一種製造太陽能電池的技術。在一特定的例示性 實施例中，所述技術可以包括在太陽能電池的上方 (upstream of the solar cell)設置罩幕，所述罩幕包括多個條 狀物’其中所述多個條狀物彼此相間隔以定義出至少一狹 縫；將所需物種的帶狀離子束導向所述太陽能電池，以離 子植入所述太陽能電池的一部分，其中所述太陽能電池的 所述部分由所述罩幕之所述至少一狹縫所定義；以及定向 所述帶狀離子束，使所述帶狀離子束的較長剖面尺寸 (cross-section dimention)在一平面上與所述狹缝垂直。 根據此特定例示性實施例的另一方面，所述方法可以 更包括於所述罩幕與所述太陽能電池之間提供一間隙，所 述間隙具有第一預定距離。 根據此特定例示性實施例的又一方面，所述方法可以 更包括對由所述罩幕之所述至少一狹缝所定義之所述太陽 能電池進行離子植入，而不對位在所述多個條狀物下方的 所述太陽能電池的另一部分進行離子植入。 根據此特定例示性實施例的再一方面，所述方法可以 更包括提供接地電壓至所述罩幕的所述條狀物。 根據此特定例示性實施例的其他方面，所述離子可以 包含硼(Β)、鋁(Α1)、鎵(Ga)、銦(In)、鉈(Τ1)、碳(〇、矽(Si)、 錄(Ge)、錫(Sn)、錯(Pb)、氣⑼、碟(p)、神(As)、綈(Sb)、 祕(Bi)以及蹄(Te)中至少一者。 根據此特定例示性實施例的其他方面，所述罩幕可以 201031010 •^.O^v/jpu. 更包括第-條狀支推件與第二條狀支撐件，以及其中各個 所述條狀物為導線，且所述第一條狀支撐件與所 狀支撐件維持所述導線的張力。 $ 根據此特定例示性實施例的另一方面，所述導線可以 為金屬導線，所述金屬導線包括金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、 鐵(Fe)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋁(A1)、鋅(Zn)、矽(Sn)、錫(Sn)、 鎢(W)、鉛(Pb)以及碳纖維中至少一者。 藝根據此特定例示性實施例的又一方面，所述導線可以 包括石英、碳化矽以及氮化矽中至少一者。 根據另一特定例示性實施例，所述技術可以實現為用 以製造太陽能電池的離子植入機，所述離子植入機包括： 離子源，用以產生離子；基板支撐件，用以支撐所述太陽 能電池；至少一束線構件，用以將離子操縱成帶狀離子束， 以及將所述帶狀離子束導向所述太陽能電池；以及位於太 陽能電池上方的罩幕，所述罩幕包括第一條狀支撐件與第 二條狀支撐件以及多個條狀物，所述多個條狀物彼此相間 β 隔，以定義出沿著所述條狀物的至少一狹縫，其中所述第 一條狀支推件與所述第二條狀支樓件維持所述條狀物的張 力。 根據此特定例示性實施例的另一方面，各個條狀物可 以包括導線。 根據此特定例示性實施例的又一方面，所述條狀物可 以包括金(Au)、銀(Ag)、始(pt)、鐵(Fe)、錄(Ni)、銅(Cu)、 銘(A1)、鋅(Zn)、梦(Sn)、錫(Sn)、鎮(W)、錯(Pb)以及碳織 7 201031010 32830pif 維中至少一者。 根據此特定例示性實施例的再一方面，所述條狀物可 以包括石英、碳化矽以及氮化矽中至少一介電材料。 根據另一特定例示性實施例，所述技術可以實現為用 以製造太陽能電池的罩幕’所述罩幕可以包括：第一條狀 支撐件與第二條狀支撐件，彼此以第一預定距離相間隔； 以及多個條狀物，彼此以第二預定距離相間隔，以定義出 沿著所述條狀物的至少一狹缝，其中所述第一條狀支撐件 與所述第二條狀支撐件維持所述條狀物的張力。 ® 根據此特定例不性實施例的另一方面，各個條狀物可 以包括導線。 根據此特定例示性實施例的又一方面，所述條狀物可 以包括金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、銅(Cu)、 銘(A1)、鋅(Zn)、矽(Sn)、錫(Sn)、鎢(W)、鉛(Pb)以及碳纖 維中至少一者。 根據此特定例示性實施例的再一方面，所述條狀物可 以包括金屬導線。 ❹ 根據此特定例示性實施例的又一方面’所述條狀物可 以包括石英、碳化矽以及氮化矽中至少一者。 接下來將參照例示性實施例與所附圖式來詳細說明 本發明。雖然下文是以參照示性實施例來描述本發明，但 本發明不限於此。藉由本發明之教示，所屬領域中具有通 常知識者應能理解其他執行方式、潤飾以及實施例以及其 他領域的使用都涵蓋在本發明之範疇中，以及本發明具有 8 201031010 顯著的效用。 【實施方式】 為了解決製造太陽能電池的習知方法所遭遇的問 題，將介紹製造太陽能電池之新技術的多個實施例。為了 清楚表達與簡單表示的目的，本發明將著重於以束線離子 植入機達成的技術。然而，所屬領域中具有通常知識者應 理解本發明不限於此。舉例來說，也可以使用其他種類的 ❾ 基板處理系統，包括電装輔助換雜(plasma assisted doping, PL AD)或電漿浸潤離子植入（plasma immersion ion implantation, Pill)系統。 為了清楚表達與簡單表示的目的，本發明亦著重於處 理太陽能電池基板。基板可以是單晶、多晶、微晶或非晶 基板或微孔(micro-porous)基板。此外，基板可以包含一種 材料，或者是基板可以是包含多種材料的化合物、合金、 固溶體或混合物。雖然接下來所討論主要是以矽為主的太 陽能電池基板，但本發明也可以應用於包含其他材料的太 ❹ 陽能電池基板。舉例來說，亦可應用於包含碲化錢 (cadmium telluride，CaTe)、銅銦鎵确(copper indium galliumselenide，CIGS)或其他材料的太陽能電池基板。此 外，所屬領域中具有通常知識者應理解可以使用其他種類 基板。本發明亦可應用於用以製造其他電子、光學或其他 裝置的基板，諸如金屬、其他半導體或絕緣基板。 請參照圖1，所繪示為束線離子植入機的方塊示意 圖。此圖未依照實際尺寸繪示。所屬領域中具有通常知識 9 201031010 32830pif 者應理解束線離子植入機是用來提供用於摻雜所選材料的 離子。因此，也可以是其他能提供用於摻雜所選材料的離 子的裝置，而不僅限於圖1所示的束線離子植入機200。 通常，束線離子植入機200包括產生離子的離子源28〇， 而離子會被举取以形成離子束212，其中離子束212可以 是帶狀束或點狀束。對離子束212進行質量分析，且將離 子束212由發散(diverging)離子束轉化成帶狀離子束，在 一實例中’帶狀離子束具有實質上平行的離子執道(ion trajectories)。在一些實施例中，束線離子植入機2〇〇可以 更包括加速或減速單元290。 終端台211支撐一個或多個在離子束212的路徑中的 基板，諸如基板138，如此一來所需物種的離子會植入至 基板138中。在一實例中，基板138可以是半導體基板， 諸如在一實施例中為太陽能電池。基板138也可以是(例如 是)平面板(flat panel)或一些其他基板。終端台211可包括 支樓基板138的平台295。在一實施例中，終端台211也 可包括掃描器（未繪示），以將基板138移動成垂直於離子 束212的剖面的長尺寸(long dimension)，藉此將離子分佈 在基板138的整個表面。 離子植入機200可包括所屬領域中具有通常知識者所 知道的其他構件，例如自動化基板處理設備（automated substrate handling eqUipment )、法拉第杯或電子流搶 (electron flood gun)。所屬領域中具有通常知識者可以理 解的是，在離子植入過程中，會淨空離子束所穿越的整個 201031010 路徑。在某些實施例中’束線離子植入機200可結合離子 的熱植入或冷植入（hot or cold implantation )。 請參照圖2’所繪示為根據本發明一實施例之用於製 造太陽能電池的另一系統。此圖未依照實際尺寸繪示。此 圖繪示束線離子植入系統300。所屬領域中具有通常知識 者應理解亦可以將其他種類的束線離子植入機或其他種類 的基板處理系統應用於本發明中。 ❹ 如圖2所示’束線離子植入系統300可以包括離子源 380,其用以產生所需物種的離子。離子源38〇可以包括弧 室(arc chamber)383，其耦接至包含所需物種之進給氣體 (feed gas)的氣體箱（gas box)。將進給氣體供應至弧室 383，且接著進行離子化。此氣體可以包含具有一或多個元 素的物種’其中所述一或多個元素為第I族與第IIIA族至 第VIIIA族的元素。舉例來說，進給氣體可以包含氫(H)、 氦(He)或其他稀有氣體、氧(〇)、氮(州、砷(As)、硼(B)、 鱗(P)、錄、鎵(Ga)、銦(In)或其他氣體。此外，進給氣體 ® 可以包含碳蝴烧（carb〇rane) C2B10H12或其他大分子化合 物。接著以萃取電極萃取在弧室383中產生的離子，其中 萃取電極包括抑制電極384與接地電極385。電源供應器 可以連接萃取電極，且可以提供可調整電壓。在本發明中， 由弧室383所萃取的離子312可以是原子離子或分子離 子，所述原子離子或分子離子包含第I族與第IIIA族至第 VIIIA族的任何元素。在一實施例中，離子312可以是硼 離子。在另一實施例中，離子312可以是碳硼烷離子、二 201031010 32830pif 氟化’離子或其他大分子離子。 束線離子植入系統3〇0亦可以包括光學束線構件其 可以選擇所需物種的離子以及將離子操縱成離子束阳。、 光學束線構件可以包括質量分析儀挪與角度校正磁體 394。質量分析儀386可以包括解析磁體⑽與遮蔽電極 (masking elevtrode)388。若包括質量分析儀⑽，則由弧室 3^3、萃取出的離子312會被導向質量分析儀兇6，以進行質 量分析。舉例來說，解析磁體382可以根據離子質量而偏 斜「部分的離子312，使得具有所需質量的離子312可以 Q 通過解析磁體382及/或解析孔389。同時，具有非所需之 質量的離子則會被解析磁體382及/或遮蔽電極3狀阻擋。 通過解析孔389的離子312會被導向至角度校正磁_體 394。角度校正磁體394可以將離子312由發散離子束轉化 成帶狀離子束312，帶狀離子束312具有實質上平杆的 子軌道。為了清楚表達與簡單表示的目的，本發明是著重 於介紹帶狀離子束植入機。然而，所屬領域中具有通常知 識者應理解本發明亦涵蓋使用點狀束的離子植入機。在一 ❹ 實例中，沿著z軸行進的帶狀離子束312可以在χ軸的方 向(水平方向)上具有長尺寸(long dimension)，以及在y軸 的方向（垂直方向)上具有短尺寸(short dimension^在另一 實施例中，沿著z軸行進的帶狀離子束312可以在丫軸的 方向上具有長尺寸，以及在y轴的方向上具有短尺寸。在 其他實施例中，帶狀束312可以具有其他尺寸。通過角度 校正磁體394的離子束312接著被導向束線離子植入系統 12 201031010 ^xo^n/pu. 300的終端台311。在一些實施例中，離子束312在通過角 度校正磁體394之後’可以藉由束線離子植入系統3〇〇的 光學加速或減速單元對離子束312進行加速或減速。 在終端台311中，可以將一或多個基板138放置在離 子束路徑中，使得離子312可以導入基板138，或在一些 情況下’離子312可以植入基板138。為了控制植入製程， 終端台311可以包含各種構件。舉例來說，終端台311可 ❹ 以包含支推基板138的平台（platen) 395。平台395亦可 以（诸如)控制基板138的溫度’以結合熱離子植入或冷離 子植入。為了結合冷離子植入，可以將基板Π8維持在低 於室溫的溫度下，較佳為低於273 °Κ。為了結合熱離子植 入’可以將基板138維持在高於室溫的溫度下，較佳為高 於293 0Κ。除了平台395以外，本發明之束線離子植入系 統200可以包含預冷及/或預熱台（未繪示），在進行離子植 入之前’基板138可以在其上進行預冷或預熱。 終端台311亦可以包含基板掃描器（未繪示），例如轉 ® 板(roplat) ’其可將基板138置於離子束312之路徑中。除 了置放基板138以外，基板掃描器可以將基板138移轉/ 轉動成相對於離子束為較適當的方向。在一實施例中，可 以將基板138定向成實質上垂直於離子束312。在此方向 中’離子312可以實質上為〇。的入射角導入至基板138(諸 如與垂直基板138之虛轴之間的夾角實質上為〇。)。在另一 實施例中’可以將基板138定向在一角度，使離子312不 是以實質上為0。之入射角導入。在一些實施例中，離子312 13 201031010 32830pif 可以固㈣植人肖料人。在其 例如，可以將基板-定位在^ 度不是第、轉動(或傾斜)至—角度(此角 植入離子：亦可在所繼下轉移基 終端台311亦可包括自動化基板處理設備以將基板 138載入至終端台211或自終端台211鎌。終端台3ΐι 亦可包括劑量#測系統與電子流搶。所屬領域巾具有通常 知識者應理解可以淨空離子束路徑。 在一些實施例中，終端台311亦可包括罩幕10〇，罩 幕100與基板138鄰近。罩幕100可以包括至少一狹缝， 以將離子導入至基板138之所選的一或多個區域。罩幕100 可由平台395及/或基板掃描器支樓。在另一實施例中，罩 幕100可以由罩幕支架(maskholder)399支撐，其中罩幕支 架399配置在平台395及/或基板掃描器上》在又一實施例 中’罩幕100可以由罩幕支架399支樓，其中罩幕支架399 與平台395及/或基板掃描器分離且獨立於平台395及/或 基板掃描器。此分離且獨立存在的罩幕支架399可以將罩 幕1〇〇定向成相對於離子束312及/或基板138具有不同角 度。可以將致動器（未繪示)耦接至罩幕支架399,以轉動或 傾斜罩幕1〇〇。在另一實施例中，罩幕1〇〇可以由基板138 支撐。 請參照圖3，所繪示為根據本發明一實施例之用以製 造太陽能電池的罩幕100的詳細視圖。此圖未依照實際尺 201031010 定義出包括多個條狀* 101 ’多個條狀物101 ==狹縫1〇2。如圖所示，條狀物⑼由第- 、 牛〇2與第二條狀支撐件404支撐。雖缺未緣示 於圖中，但在一實施例中， …、績’、 面支##，巾罩幕亦可以包括至少一側 404之間條狀支撐件4〇2與第二條狀支撐件 —xk β的距離。在另—實施例中，也可以藉由一些其他
= ^402與第二條狀支撑件404之 2距離，这些其他構件例如是罩幕支架399或終端台311 的壁。 條狀物101可以是由各種材料所製成。在一實施例 中’條狀物101可以具有高柔性值(c〇mpliance va㈣。此 類條狀物_子可叫括細導_hin wife)祕(她g)，其 包含諸如金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、銅(Cu) 鋁(A1)、鋅(Zn)、砍(Sn)、錫(Sn)、鶴(W)、錯(Pb)、石墨及 /或合金或上述之組合。在另一實施例中，條狀物1〇1可以 具有高剛度(stiffness)及/或硬度值。此類條狀物的例子可以 包括陶瓷或諸如石英、碳化矽及氮化矽等介電材料。在又 一實施例中，條狀物101的材料較佳為能夠耐苛刻條件(諸 如南溫)的材料’其中苛刻條件為與植入相關的條件。若使 用導線形式或線形式的條狀物，則條狀物1〇2可以維持足 夠高的張力。因此，在此製程中，即使離子植入會導入熱 應力，條狀物仍可維持其形狀、型態以及方位、距離。… 同時，在一實施例中，條狀支撐件402、404可以由 電性導體材料所製成。在另一實施例中，各個支擇件4〇2、 15 201031010 32830pif 404由電性絕緣材料所製成。若條狀物101與條狀支撐件 402、404由電性導體材料所製成，則至少一支撐件402、 404及/或至少一條狀物丨〇1可以是接地的。若條狀物ι〇1 與條狀支撐件402、404由電性絕緣材料所製成，則條狀物 與條狀支撐件402、404可以仍保持電性浮置 (electrically floating)狀態。 如圖2所示’包括條狀物1〇1與條狀支撐件402、404
的罩幕100可以配置在基板138的上方。在本實施例中， 罩幕100可以與基板138相距約1〇〇 mm或更少》在另一 實施例中’罩幕1〇〇可以位在比基板138之上方還要更遠 的地方。可選地，在其他實施例中，罩幕1〇〇甚至可以接 觸基板138。將罩幕1〇〇定位成與基板丨38相間隔，使罩 幕100可以獨立於基板138與離子束312而移動(諸如轉 動、轉移、傾斜等）。因此，在一些實施例中，較佳是使罩 幕100與基板138分離。
請參照圖3，在本實施例中，較佳是對罩幕1〇〇進行 定向丄使狹縫102與帶狀離子束312在同一平面上為彼此 不平行。舉例來說，狹縫1〇2可以沿著垂直方向軸)延 伸。同時’帶狀離子束可以沿著水平方向(χ轴)延伸，使得 帶狀離子束的長尺寸在水平方向上延伸，騎狀離子束的 短尺寸則不會在水平方向上延伸。即使較佳是將狹縫1〇2 與帶狀離子束312 ^向成彼此垂直，但本發明並未排除可 =狹縫102與帶狀離子束312定向成夾有包括〇。等其他角 又的可能性，其中將狹縫1G2與帶狀離子束312定向成夹 16 201031010 有0°也就是使兩者彼此平行。 將狹缝102與帶狀離子束312定向成彼此垂直可以提 供許多優點。在一些帶狀離子束的離子植入系統中，要進 行調整製程（tuning process)以達成一致的離子束角度 (uniform beam angle)是困難的。若能將離子束調整成在一 方向上達到一致的離子束角度，則在其他方向上可能就無 法進行調整。如此一來，在水平方向上調整離子束，則離 ⑩ 子束可能具有在水平方向有一致的角度或角度純度(angle purity)的離子。然而，在垂直方向上的離子則可能具有不 一致的角度。若離子束312在水平方向上具有角度純度， 且若將離子束312與狹缝1〇2定向成在同一平面上為正 交，則來自離子束312的離子可以植入至由罩幕1〇〇之狹 縫102所定義的區域。即使罩幕100與基板138相間隔， 離子可能不會植入至條狀物1〇1下方，也就是不會植入至 由狹縫所定義之區域以外的部分。然而，若是將離子束 與狹縫102定向成平行，除非是使罩幕1〇〇接觸基板138， ® 否則離子可能會植入至由狹縫所定義之區域以外的部分。 因此，將狹縫102與離子束定向成正交，使罩幕1〇〇能設 置在基板138的上方’進而使罩幕成為非接觸的“虛擬罩幕 (virtual mask)”。同時，此定向使罩幕1〇〇與基板138能夠 獨立地移動。 此外，若罩幕100為電性導電的且接地，則亦可能提 供離子束的電荷中性化（charge neutralization of the beam)，而無需配置諸如電漿流搶(plasmafl〇〇dgun)等電荷 17 201031010 32830pif 中性化構件。 請參照圖4，所繪示為根據本發明一實施例之用以製 造太陽能電池的技術。在本實施例中，可以將罩幕1〇〇設 置在基板138的上方。在本實施例中’罩幕397可以與圖 3所示的罩幕相似。在基板138與罩幕100的上方，離子 312可以在離子源380中產生。所產生的離子312可以帶 狀離子束212的形式被導向基板138。即使帶狀束是較佳 的，但本發明亦包括點狀束。如圖所示，一部分的離子212 可以通過狹缝102並植入至基板138 ’以形成植入區1〇3。 如圖3所示，若將經水平調整的帶狀離子束312定向 成實質上與狹縫102垂直，則離子312可以在水平方向(χ 轴)上為0。的角度接近基板。離子可以形成植入區1〇3，且 植入區103可以在水平方向上具有尺寸φ，其中尺寸φ實 質上等於狹縫在水平方向上的尺寸da。即使罩幕與基 板138相間隔，仍可以在水平方向上形成實質上均勻且清 楚界定的植入區103。因此’即使系統2〇〇無法在一方向(諸 如垂直方向）上進行調整’罩幕100使得此離子植入系統 ❹ 100是可用的。此外，罩幕100不需要與基板138接觸， 使得基板138與罩幕100的運動是彼此獨立的。此優點可 以提升用以製造太陽能電池之技術的效率。 在本發明中，揭露了一種用以製造基板(諸如太陽能電 池)的新技術。本文所用的術語與詞語是用以描述名詞而非 用以限定，且使用這些術語與詞語並非用來排除任何與所 繪示或所述之(或其中一部分)特徵等同的圖或名詞。亦應 18 201031010
3XO^UpU 理解的是，在㈣專職_定 各種潤飾。也有可能進行其他進進千 ‘ 他濶飾、更動以及替代。因此 刖文所述僅是細，聞本發明。 【圖式簡單說明】 圖1為例示性的束線離子植入機的方塊示意圖。 圖2為根據本發明一實施例之用於製造太陽能電池的 束線離子植入機的方塊示意圖。
圖3為根據本發明一實施例之用以製造太陽能電池的 罩幕的示意圖。 圖4為根據本發明一實施例之用以製造太陽能電池的 技術的不意圖。 【主要元件符號說明】 100 :罩幕 101 :條狀物 102 :狹縫 103 ··植入區 138 :基板 200 :束線離子植入機 211、 311 :終端台 212、 312 :離子、離子束 280、380 :離子源 290 :加速或減速單元 295、395 :平台 300 :系統 19 201031010 32830pif 382 :解析磁體 383 :弧室 384 :抑制電極 385 :接地電極 386 :質量分析儀 388 :遮蔽電極 389 :解析孔 394 :角度校正磁體 399 :罩幕支架 4〇2、404 :條狀支撐件 da、山：尺寸
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Claims (1)
- 201031010 七、申請專利範圍： L 一種製造太陽能電池的方法，包括： 在太陽能電池的上方設置罩幕，所述罩幕包括多個條 狀物，其中所述條狀物彼此相間隔以定義出至少一狹縫·、 將所需物種的帶狀離子束導向所述太陽能電池，以將 離子植入所述太陽能電池的一部分，其中所述太陽能電池 的所述部分由所述罩幕之所述狹縫所定義；以及 ⑩ 疋向所料狀離子束’使所述帶㈣子束的較長剖面 尺寸在一平面上與所述狹缝垂直。 2. 如申請專利範圍第1項所述之製造太陽能電池的 方法，更包括： 於所述罩幕與所述太陽能電池之間提供一間隙，所述 間隙具有第一預定距離。 3. 如申請專利範圍第2項所述之製造太陽能電池的 方法’更包括： ❹，〃對由所述罩幕之所述狹縫所定義之所述太陽能電池 進行離子植入，而不對位在所述條狀物下方的所述太陽能 電池的另一部分進行離子植入。 4. 如申請專利範圍第1項所述之製造太陽能電池的 方法，更包括： 提供接地電壓至所述罩幕的所述條狀物。 5. 如申請專利範圍第1項所述之製造太陽能電池的 方法，其中所述離子包含硼(B)、鋁(A1)、鎵(Ga)、銦(In)、 蛇(T1)、碳(c)、發(Si)、錄(Ge)、錫(sn)、錯(Pb)、氣(N)、 21 201031010 32830pif 磷(P)、砷(As)、銻(sb)、鉍(Bi)以及碲(Te)t至少一者。 6. 如申請專利範圍第1項所述之製造太陽能電池的 方法，其中所述罩幕更包括第一條狀支撐件與第二條狀支 撐件，以及其中各個所述條狀物為導線，且所述第一條狀 支樓件與所述第二條狀支撐件維持所述導線的張力。7. 如申請專利範圍第6項所述之製造太陽能電池的 方法，其中所述導線為金屬導線，所述金屬導線包括金 (Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鐵(Fe)、鎳例）、銅(Cu)、鋁(A1)、 鋅(Zn)、石夕(Sn)、錫(Sn)、鶴(W)、錯(Pb)以及碳纖維中至 少一者。 ’ 8. 如申請專利範圍第6項所述之製造太陽能電池的 方法’其巾所述導線包括石墨、石英、碳化⑦以及氮化梦 中至少一者。 9. 一種離子植入機，用以製造太陽能電池，所述離子 植入機包括： 離子源，用以產生離子； 基板支撐件，用以支撐所述太陽能電池；至少一束線構件，用以將所述離子操縱成帶狀離子 束’以及將所述帶狀離子束導向所述太陽能電池；以及 位於所述太陽能電池上方的罩幕，所述罩幕包括第一 條狀支樓件與第二條狀支撐件以衫個紐物，所述條狀 物彼此相間隔，以定義出沿著所述條狀物的至少一狹縫， ===條狀支料舆所述第二條狀支㈣維持所述 22 201031010 32830pif 狀物包括石英、碳化矽以及氮化矽中至少一者。24 201031010 •3283Upil 10. 如申请專利範圍第9項所述之離子植入機，直中 各個所述條狀物包括導線。 ~ 11. 如申請專利範圍第9項所述之離子植入機，其中 所述條狀物包括金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鐵(Fe)、鎳(Μ)、 銅(Cu)、鋁(A1)、鋅(Zn)、矽(Sn)、錫(sn)、鎢(w)、鉛(Pb) 以及碳纖維t至少一者。 12·如申請專利範圍第9項所述之離子植入機，其中 ❹ 所述條狀物包括石英、碳化砍以及氮化發中至少一介電材 料。 13. —種罩幕，用以製造太陽能電池，所述罩幕包括： 第一條狀支撐件與第二條狀支撐件，彼此以第一預定 距離相間隔；以及 多個條狀物’彼此以第二預定距離相間隔，以定義出 沿著所述條狀物的至少一狹缝，其中所述第一條狀支撐件 與所述第二條狀支撐件維持所述條狀物的張力。 14. 如申請專利範圍第13項所述之罩幕，其中各個所 ❹ 述條狀物包括導線。 15. 如申請專利範圍第13項所述之罩幕，其中所述條 狀物包括金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、銅(Cu)、 鋁(A1)、鋅(Zn)、矽(Sn)、錫(Sn)、鎢(W)、鉛(Pb)以及碳纖 維中至少一者。 16. 如申請專利範圍第13項所述之罩幕，其中所述條 狀物包括金屬導線。 17. 如申請專利範圍第13項所述之罩幕，其中所述條 23
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