TW201025351A - Data processing and addressing methods for use in an electronic apparatus and electronic apparatus - Google Patents
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Description
201025351 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於資料處理和定址方法,尤其有關於對具 有揮發性(volatile)記憶體和非揮發性(non-volatile)記憶體 的電子裝置中的資料進行處理和定址的方法。 【先前技術】 在電子裝置(例如電腦系統或嵌入式系統)中通常利用 多種記憶體設備。在這些裝置中,處理單元所執行的程式 碼可存儲在隨機存取記憶體(Random Access Memory, RAM) 或唯讀記憶體(read-only memory, ROM)中。ROM的大小通 常小於RAM,並且ROM的功耗一般低於RAM。然而, RAM比ROM更為靈活。一般來說’固定的和不經常更改 的函數或程式碼存儲在ROM中,而新的函數或不斷改變的 函數和補釘函數/程式碼存儲在RAM中。ROM中的一些函 數可能呼叫RAM中的一個函數,rov[的程式碼中包含 RAM函數的呼·叫位址(caiHng a(jdress)。ROM中的程式碼 不能夠更改,而RAM中的程式碼可以更改,RAM函數的 呼叫位址可能改變為另一位址。因此,若R〇M函數所呼叫 的RAM函數的呼叫位址已修改,則可能獲得非期望的運作 結果。 【發明内容】 有鑑於此,本發明提供—種用於電子裝置的 與定址方法及其電子裝置。 0758-A33276TWF_MTKI-07-243 4 201025351 依據本發明一實施例提供一種電子裝ϊ ’包括:隨機 存取記憶體,用於存儲呼叫轉移表,所述呼叫轉移表包括 至少一個位於隨機存取記憶體中的已轉移位址;唯讀記憶 體,用於存儲至少一個程式碼以烀叫所述呼叫轉移表中的 一個位址;以及處理單元,用於執行唯讀記憶體中的所迷 程式碼並相應地讀取所述呼叫轉移表,然後轉去運行所述 隨機存取記憶體中所述已轉移位址内的資料。
依據本發明另一實施例提供一種用於電子裝置的資 料處理方法,所述電子裝置具有唯讀記憶體和隨機存取記 憶體,所述隨機存取記憶體用於存儲呼叫轉移表,所迷呼 叫轉移表包括至少一個位於隨機存取記憶體中的已轉移仇 址,用於所述電子裝置的資料處理方法包括:執行唯讀記 憶體程式碼以運行所述呼叫轉移表一位址中的資料;根據 所述呼叫轉移表轉去運行已轉移位址;以及運行所述隨機 存取記憶體的所述已轉移位址中的資料。 依據本發明另一實施例提供一種用於電子襞置的定 址方法,所述電子裝置包括處理單元、唯讀記憶體和隨機 存取記憶體,用於所述電子裝置的定址方法包括:提供呼 叫轉移表,所述呼叫轉移表具有多個表索弓I ,每個表索引 指向所述隨機存取記憶體中對應的VM輥式碼的第一位 址;通過表索引獲取對應的VM程式碼的所述第一位址以 定址並執行所述唯讀記憶體中的至少一個NVM程式碼 其中所述表索引指向所述至少一個NVM程式碼,鹿, VM程式碼的所述第—位址係根據對應的VM程昆%的 前位址動態調整。 的當 0758-A33276TWF MTKI-07-243 5 201025351 本發明通過執行r〇m中的程 轉移表,然後運行RAM中已轉移位址_ HIS呼叫 用臟和RAM並用架構的同時保留彈性=省=了採 以下係減乡彳_切本糾之_^^ =述,本領域習知技藝者閱讀後應可明確了解本發= 【實施方式】
以下說明本發明的最佳實施方式。相關描述為詳㈣ 明本發明之用,並非用以限制本發明。本發明的保 當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 β 如下參照第1至7圖對本發明進行描述,第丨至7麗 是有關於在非揮發性記憶體(如R0M)和揮發性記憶體 RAM)間處理資料的圖示。參照附圖對具體實施例作:下翠 細描述。這些實施例描述儘詳’以便所屬領域的習知技基 著能夠據以實施,當然也可以是在不脫離本發明精神和^ 圍内作架構、邏輯和電氣改變的其他實施方式。因此,立 不侷限於如下的詳細描遂。可以理解,說明書中所插述和 表明的許多元素實際上是邊數的’且能夠在一個或多個實 體中實施或以非本文所述的其他形式實施。
本發明提供一種於裝置中處理資料的資料處理方 法。該裝置包括至少/個非揮發性記憶體和揮發性記憶 體。所提供的對映表(也稱為呼叫轉移表)具有多個表索引 (table index),每個表索引指向揮發性記憶體中對應的VM 程式碼的第一位址。接著,非揮發性記憶體中對應的VM 0758-A33276TWF MTKI-07-243 6 201025351 程式碼的每個呼叫位址由對應的表索引所取代。然後,根 據對應的表索引獲取對應的糧程式碼的每個第」位址, 以執行對應的VM程式碼,其中對應的VM程式碼的第一 位址係根據對應的VM程式碼的當前位址動態調整。 第—1圖是表明在R〇]y[和RAM間進行資料處理的實施 例架構示意圖。如第1圖所示,分別說明記憶體組態101 和102記憶體組態101和102均包括一個非揮發性記憶 體位址區域和一個揮發性記憶體位址區域。舉例來說,如 • 第1圖所示,非揮發性記憶體ROM1的記憶體位址在記憶 體位址0x0000至〇x4〇〇〇間,揮發性記憶體RAM1的記憶 體位址在記憶體位址0x8000至OxFFFF間。為顯示運作順 序’利用一程式計數器,該程式計數器由當前正在執行的 記憶體位址識別。非揮發性記憶體中的内容或程式碼稱為 NVM程式碼’揮發性記憶體中的内容或程式碼稱為VM程 式碼。ROM1中的NVM程式碼與ROM2中的NVM程式竭 相同。在記憶體組態101中,執行順序相應地為PC11、 ❹ PC12、PC13和PC14。執行之後,暫存器b0、al和bl的 結果分別是1、0和2。在記憶體組態102中,執行順序相 應地為 PC21、PC22、PC23、PC24 和 PC25。執行之後, 由於呼叫位址OxABCD由另一指令所取代(即「move Οχο, b〇」),因此暫存器b0的結果變為〇。RAM函數的呼叫位 址已經改變,但是ROM2中ROM函數的呼叫位址保持不 變,由此導致非期望的結果。 第2圖是根據本發明在ROM和RAM間處理資料的電 子裝置200的實施例方塊示意圖。電子裝置200包括處理 0758-A33276TWF MTKI-07-243 7 201025351 ^元210、非揮發性記憶體22〇、揮發性記憶體23 存儲設備250。處理單元加經由連接介面(比如㈣= 體匯流排)24G與非揮發性記憶體22()和揮發性記憶體謂 相連。揮發性記憶體230最好是讓,非揮發性記憶體22〇 :包括ROM或快閃R0M。非揮發性記憶體22q存儲處理 早兀210所執行的非揮發性記憶體NVM程式碼。如 圖所示’ ROM 220、RAM 230、cpu 21〇分別是非揮發性 圮憶體220、揮發性記憶體23〇、處理單元21〇的—種實現 方式’此處僅為舉例’ 本發明不限於此。外部存儲設備 250可以是硬碟、磁碟、光碟、隨身碟或非揮發性記二 硬碟。這㈣片及其關聯的電腦可讀媒介(若需要)提供對 電腦可讀指令、資料結構和程式模組的非揮發性存儲。 RAM 230具有對映表(呼叫轉移表)232,對映表 具有多個表索引,每個表索引指向RAM23〇中對應的VM 程式碼的呼叫位址,對映表(呼叫轉移表)232包括至少一個 位於RAM 230中的已轉移位址。外部存儲設備25〇用於存 儲程式碼,以更新揮發性記憶體中的VM程式碼和對映表。 ROM 220具有一個表索引所指向的至少一個Nvm^ 式碼。CPU 210根據該表索引獲取對應的VM程式碼的呼 叫位址,以執行對應的VM程式碼。若對應的VM程式碼 的當前位址已改變,則相應地調整對應的VM程式碼的呼 叫位址。 第3圖是根據本發明在ROM和RAM間處理資料的資 料處理方法的實施例流程圖300。在步驟S310提供一對映 表。注意,對映表位於RAM中一預設區域。舉例來說,對 0758-A33276TWF MTKI-07-243 8 201025351 映表可位於RAM的開始部分或頂端,且本發明不限於此。 RAM中的對映表具有多個表索引,每個表索引指向一對應 的VM程式碼的呼叫位址,其中對應的VM程式碼由ROM 程式碼所存取。可知’對映表中表索引的總數目實質上與 ROM中存取的VM程式碼的總數目相等。例如,若在r〇m 中存取10個VM程式碼,則在對映表中存在1〇個表索引。 每個表索引指向ROM中存取的對應的VM程式碼的呼叫 位址。 ❿ 第4A圖是根據本發明在RAM中記憶體映像的實施例 示意圖。假定VM程式碼在RAM 410中的分配從位址
0x8000 至 OxFFFF ’ 位址為 〇xABcd、OxCCCC 和 OxDDDD
的VM程式碼A、B和C由ROM中的程式碼存取。如第 4A圖所示,在RAM410中,對映表411位於RAM記憶體 位址0x8000的開始部分。三個表索引〇χ8〇⑽、和 0x8002分別用於存儲VM程式碼Α、Β和c的當前位址。 舉例來說,在本實施例中,三個VM程式碼A、B和c由 ❿ ROM函數中的程式碼所存取,以使得記錄在對映表41丨中 的這三個程式碼的當前位址0xABCD、oxcccc和〇xDDDD 分別對應表索引0x8000(413) 、 0x8001(415)和 0x800^7)。-旦任—已存取的RAM函數的當前位址被 改變或更改,則相應地更新對映表411中對應的位址。例 如,表索引0x8000指向的VM程式碼A的呼叫位址為 OxAB CD,在VM程式碼A的當前守叫位址已變為㈣腳 時,表索引〇x_0所指向的VM程式石馬A的啤叫位址將 變為OxABCE。利用對映表,VM程式喝的正確呼叫位址能 0758-A33276TWF_MTKI-07-243 9 201025351 夠得以保持,以便成功定址及執行VM程式碼。 已經建立對映表後,在步驟S320,ROM中對應的VM 程式碼的每個呼叫位址由對應的表索引取代。第4B圖是根 據本發明在ROM中記憶體映像的實施例示意圖。在R〇M 420中,VM程式碼A的呼叫位址由與VM程式碼a對應 的表索引「0x8000」所取代,而非「0xABCD」(如指令 421所示)。相似地,VM程式碼B的呼叫位址由與程 式碼B對應的表索引r〇x8〇〇1」所取代,而非「〇xCccc」 (如指令423所示)’VM程式碼c的呼叫位址由與VM程式 碼C對應的表索引r〇x8〇〇2」所取代,而非「〇xDddd」(如 指令425所示)。因此,若RAM函數由一 R〇M函數所存 取’則RAM函數的呼叫位址由對映表中一對應的表索引所 取代。由於表索引固定在預設區域中,因此根據表索引, 能夠隨時通過ROM函數取得對映表。注意,在將R〇M函 數存取的那些RAM函數的呼叫位址取代為對應的表索引 後’ ROM函數將固定且不變。 在已經提供對映表且ROM中RAM函數的呼叫位址已 經替換為對映表中對應的表索引之後,在步驟·,根據 對應的表索引獲取對應的VM程式碼的每個呼叫位址,以 執行對應的VM程式瑪。 第5圖是根據本發明白勺R 〇 M和RA M的記憶體映像的 另貫施例不意圖。圖中顯示了記憶體組態501和502。 注意’記憶體組態501中的R〇M程式碼與記憶體組態5〇2 中的R〇M程式碼相同,而記憶體組態501中的RAM程式 碼與記憶體組態5 02中的RAM程式碼不同。可以看出,程 0758-A33276TWF—MTKI-07-243 201025351 式碼「move 0x0, al」在記憶體組態501中位於ram内的 記憶體位址OxABCD,而在記憶體組態502中位於RAM内 的記憶體位址OxABCE。記憶體组態501中相應的執行順 序是P5卜P53、P55、P57和P59。當執行p53時,呼叫表 索引0x8000(指令「0x8000」)且由此接著執行P55,以獲 取已存取的RAM函數的呼叫位址。當執行p55時,跳至 表索引0x8000並發現已存取的RAM函數的呼叫位址是 OxABCD。因此’跳至位址OxABCD以執行已存取的ram 0 函數。執行之後’暫存器bO、al和bl的結果分別為!、〇 和2 〇 相似地,在記憶體組態502中,相應的執行順序是 、P68和P69。當執行P63時,呼叫表索引 0x8000且由此接著執行P65,以獲取已存取的RAM函數 的呼叫位址並運行位址中的資料。當執行P65時,跳至表 索引0x8000並發現已存取的RAM函數的呼叫位址是 OxABCE(已轉移位址)。因此,跳至位址〇xABCE以執行已 ❹存取的RAM函數。執行之後,暫存器b0、al和bl的結果 分別為1、G和2。可以看到,並不執行步驟p67,因:結 果是正確的。 根據本發明㈣料處理方法,若RAM函數的當前呼 叫位址已改變,則對映表中存儲的對應的呼叫位址也會更 新’以便成功存取和執行R0M函數所存取的ram函數。 此外,根據本發明的資料處理方法,可在具有不同記憶體 組態的RAM中利用相同的R〇M程式碼。換句話說,根 本發明的資料處理方法,1C能夠具有固定的ROM程式碼 0758-A33276TWF_MTKI-07-243 11 201025351 和不同的RAM程式碼。 在一些實施例中,本發明可用於處理一 NVM函數。 在非揮發性€憶體中,NVM函數包括多個NVM程式碼, 比如KOM t的KOM函數。NVM函數的—部分能夠分割 並位於揮發性記憶體中,將所處位址(lQeated遍職)記為 對映表(具有特定表索引)中VM函數的一呼叫位址。接著, 分割部分可作為ram函數,且通過程式碼呼叫(c〇de calling)替換為該特定表索引。因此,通過參考利用了特定 表索引的對映表對分割部分進行存取,來獲取分割部分的 所在位址以執行分割部分。對分割部分的執行完成後,可 利用「return」命令返回至NVM函數,以作進一步執行。 可根據特定規則選擇NVM函數的一部分或分割部分,比 如選擇一些頻繁改變的程式碼或參數。 第6圖是根據本發明將rom中的ROM函數分到R〇M 和RAM中的實施例示意圖。如第6圖所示,說明R〇M函 數Function_A。ROM函數Function A包括三個部分:A1、 A2和A3 ’其中部分A1和A3是穩定程式碼,部分A2是 需要經常改變的程式碼,比如第6圖所示的一些參數設 定。假定選擇部分A2位於RAM以便於修改,且A2的所 在位址是OxABCD。A2的所在位址存儲在具有表索引 0x8000(如指令620所示)的對映表中。通過呼叫將與部分 A2對應的ROM程式碼替換為表索引〇χ8〇〇〇(如指令61〇 所示)。若正在執行ROM函數Function_A ’則首先執行部 分A1。然後,存取A2的表索引r0x8000」並接著利用 「0x8000」從對映表中獲取部分Α2的所在位址 0758-A33276TWF__MTKI-07-243 12 201025351 「OxABCD」,以便執行指令630所示的部分。在指令630 的結束處,「return」命令將回到原先ROM函數中繼續執
行部分A3。根據之前所述的[和RAM中的組態,ROM 和RAM函數的發展會更加靈活高致。可以了解的是,在一 些實施例中,為了實施靈活,本發明之前所述的ROM和 RAM中的組態也可應用於中斷服務常式(interrUpt Service
Routine) ’通過利用對映表將一些特定中斷服務常式分到 RAM中以處理多個中斷服務,且本發明不限於此。 ❹ 除了應用在單個裝置中,本發明也可應用在多個電子 裝置中’以在ROM和RAM間處理資料。在這種情況下, 可經由裴置間的連接介面將用於一個裝置的ROM和 RAM(包括對映表)中的組態複製或轉移到另一個裝置。 第7圖是根據本發明將資料處理方法應用於多個電子 裝置來對ROM和RAM間的資料進行處理的實施例示意圖 700 〇 如第7圖所示,顯示了電子裝置A1〜AN。假定除了第 ❿7圖所示的外部存儲設備,僅連接至—個電子裝置,每 個電子裝置A1-AN的架構與第2圖所示的裝置2〇〇相似。 因此,裳置A1至少包括一個R〇Ml和具有一對映表的一 個RA1VH,裝置AN至少包括一個汉〇娜和具有一對映表 的一個RAMN。裝置A1經由⑽橋71〇(例如RS232介面) 連接至裝置AN。外部存儲設備72〇包括一已更新程式碼, 用於直接更新/填充RAMl中的RAM程式碼或經纟咖橋 710更新/填充RAMN中的RAM程式喝。因此,每個連接 至cpu橋?10的電子裝χ A1_AN可利用本發明的資料處 0758-A33276TWF_MTKI-07-243 . 201025351 理方法。 利用這種處理方 RAM函數的當前啤叫 Μ映表中相應地調整和更 R〇M it™ R〇M::/::的資料處理變得簡便易二,, 中,作為一組指令執:方:在置的記儳體 ,DVD播放器、視訊記錄器等':二 於實施方法和解碼裝置 引所述,用 〇 可讀媒介上,例如磁碑和光二子儲在其他形式的機器 和光碟)上可經由磁二^ 珣而日、s、風-勒斋(或電腦可讀媒介驅動器)存 式下載到電腦設K網路可將指令以編譯和鏈接版本的形 另一種方式,執行所論述方法和裝置的邏輯也可實施 於.額外的電腦及/或機器可讀媒介以及電氣的、光學的、 音響的或其他形式的傳播信號等,其中額外的電腦及/或機 态可讀媒介比如將硬體元件分散為大型積體電路❷ (large-scale integrated circuits, LSI)、特殊應用積體電路 (Application Specific Integrated Circuit, ASIC)、勒體,勃體 例如電子可改寫式可編程唯讀記憶體(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM);傳播信號比如 載波、紅外信號、數位信號等。此外,如前所述的解碼裝 置可在相同的硬體元件上實施,比如可能整合到晶片組設 備中或沒有整合的圖形控制器(Graphic Controller)。 上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣,以及闡 0758-A33276TWF_MTKI-07-243 、 14 201025351 釋本發明之技術特徵’並非用來限制本發明之範疇。任何 熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本 發明所主張之範圍’本發明之權利範圍應以申請專利範圍 為準。 【圖式簡單說明】 第1圖是表明在ROM和RAM間進行資料處理的實施 例的架構示意圖。 0 第2圖是根據本發明在ROM和RAM間處理資料的電 子裝置的實施例方塊示意圖。 第3圖是根據本發明在ROM和RAM間處理資料的資 料處理方法的實施例流程圖。 第4A圖是根據本發明在RAM中記憶體映像的實施例 示意圖。 第4B圖是根據本發明在ROM中記憶體映像的實施例 示意圖。. ❿ 第5圖是根據本發明ROM和RAM的記憶體映像的另 一實施例示意圖。 第6圖是根據本發明將ROM中的ROM函數分到R〇M 和RAM中的實施例示意圖。 第7圖是根據本發明將資料處理方法應用在多個電子 裝置中來進行ROM和RAM間的資料處理的實施例示意 圖。 【主要元件符號說明】 0758-A33276TWF MTKI-07-243 15 201025351 101、102、501、502〜記憶體組態; 200〜電子裝置; 210-CPU ; 220、420〜ROM ; 230、410〜RAM ; 232、411〜對映表; 240〜程式記憶體匯流排; 250、720〜外部存儲設備; 300〜流程圖; 413、415、417〜表索引; 421、423、425、610、620、630〜指令; 700〜實施例示意圖; 710〜CPU 橋; S310〜S330 :步驟。 0758-A33276TWF MTKI-07-243 16
Claims (1)
- 201025351 七、申睛專利範圍·· 1·—種電子裝置,包括: 一隨機存取記憶體,用於存儲一呼叫轉移表,所述, 叫轉移表包括至少一個位於所述隨機存取記憶體中的已轉 移位址; 一唯讀記憶體,用於存儲至少一個程式碼以呼叫所述 呼叫轉移表中的一個位址;以及 a 一處理單元,用於執行唯讀記憶體中的所述程式碼並 • 相應地讀取所述呼叫轉移表,然後轉去運行所述隨機存取 記憶體中所述已轉移位址内的資料。 2.如申請專利範圍第1項所述之電子裝置,進一步包 括一連接介面,以便所述處理單元存取所述唯讀記憶體和 隨機存取記憶體中的程式碼。 3·如申請專利範圍第2項所述之電子裝置,進一步包 括一外部存儲設備,用於存儲程式碼以更新所述隨機存取 3己憶體中的程式碼和所述呼叫轉移表。 ❿ 4.如申請專利範圍第1項所述之電子裝置,其中所述 隨機存取記憶體是一揮發性記憶體。 5. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置,其中所述 唯讀記憶體是一非揮發性記憶體。 6. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置’其中所述 呼叫轉移表位於所述隨機存取記憶體中的一預設區域内。 7·如申請專利範圍第6項所述之電子裝置,其中所述 電子裝置進一步通過一第二連接介面轉接於一第二電子裳 置’所述第二電子裝置具有—第二隨機存取記憶體和一第 0758-A33276TWF_MTKl-07-243 201025351 二唯讀記憶體,所述第二隨機存取記憶體具有與所述呼叫 轉移表相似的一第二呼叫轉移表,其中所述第二隨機存取 S己憶體中的程式竭係通過所述第二連接介面由戶斤述電子裂 置的所述外部存儲設備中存儲的程式碼來更新。 8· —種用於一電子裝置的資料處理方法,所述電子裝 置具有一唯讀記憶體和一隨機存取記憶體,所述隨機存取 記憶體用於存儲一呼叫轉移表,所述呼叫轉移表包括至少 一個位於所述隨機存取記憶體中的已轉移位址,用於所述 電子裝置的資料處理方法包括: 執行一唯讀s己憶體程式碼以運行所述呼·叫轉移表一 位址中的資料; 根據所述呼叫轉移表轉去運行—已轉移位址;以及 運行所述隨機存取記憶體的所述已轉移位址中的資 料。 9. 如申請專利範圍第8項所述用於一電子裝置的資料 處理方法’其中所述呼叫轉移表位於所述隨機存取記憶體 中的一預設區域内。 10. 如申請專利範圍第8項所述用於一電子裝置的資 料處理方法,進一步包括: 將NVM函數的一部分設在所述隨機存取記憶體中, 所述NVM函數具有位於所述唯讀記憶體中的多個NVM程 式碼;以及 將所述NVM函數的一部分的所在位址記錄為所述呼 叫轉移表中一對應的已轉移位址。 11. 如申請專利範圍第10項所述用於—電子裝置的資 0758-A33276TWFMTKI-07-243 J8 201025351 * 料處理方法’進一步包括’ 根據所述對應的已轉移位址從所述呼叫轉移表獲取 所述NVM函數的一部分的呼叫位址,以運行所述NVM函 數的一部分。 12. 如申請專利範圍第10項所述用於一電子裝置的資 料處理方法,其中所述NVM函數包括中斷服務常式,用 於處理多個中斷服務。 13. 如申請專利範圍第12項所述用於一電子裝置的資 料處理方法’其中所述NVM函數的一部分係根據一特定 ®規則選擇。 14. 如申請專利範圍第8項所述用於一電子襄置的資 料處理方法,進一步包括: 若對應的VM程式碼的當前位址已改變且唯讀記憶體 中對應的VM的呼叫位址未改變,則更新所述呼叫轉移表 中對應的VM程式碼的第一位址。 15. 如申請專利範圍第8項所述用於一電子裝置的資 φ 料處理方法,其中所述隨機存取記憶體是一揮發性記憶體。 16. 如申δ月專利範圍第§項所述用於一電子裝置的資 料處理方法,其中所述唯讀記憶體是一非揮發性記憶體。 17. 種用於一電子裝置的定址方法,所述電子裝置包 括處理單元唯讀記憶體和一隨機存取記慎體,用於 所述電子裝置的定址方法包括: 心 提供-呼叫轉移表,所述呼叫轉移表具有多個表索 引’每個表索引指向所述隨機存取記憶體中一對應的γΜ 程式碼的一第一位址; 〇758-A33276TWF__MTKI-07-243 19 201025351 通過一表索引獲取對應的VM程式碼的所述第一位址 以定址並執行所述唯讀記憶體中的至少一個NVM程式 碼,其中所述表索引指向所述至少一個NVM程式碼, 其中對應的VM程式碼的所述第一位址係根據對應的 VM程式碼的當前位址動態調整。 18. 如申請專利範圍第17項所述用於一電子裝置的定 址方法,其中所述隨機存取記憶體是一揮發性記憶體,所 述唯讀記憶體是一非揮發性記憶體。 19. 如申請專利範圍第18項所述用於一電子裝置的定 址方法,進一步包括: 將所述呼叫轉移表設在所述揮發性記憶體的一預設 區域内。 0758-A33276TWF MTKI-07-243 20
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