TW201025351A - Data processing and addressing methods for use in an electronic apparatus and electronic apparatus - Google Patents

Description

201025351 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於資料處理和定址方法，尤其有關於對具 有揮發性（volatile)記憶體和非揮發性(non-volatile)記憶體 的電子裝置中的資料進行處理和定址的方法。 【先前技術】 在電子裝置（例如電腦系統或嵌入式系統）中通常利用 多種記憶體設備。在這些裝置中，處理單元所執行的程式 碼可存儲在隨機存取記憶體(Random Access Memory, RAM) 或唯讀記憶體(read-only memory, ROM)中。ROM的大小通 常小於RAM，並且ROM的功耗一般低於RAM。然而， RAM比ROM更為靈活。一般來說’固定的和不經常更改 的函數或程式碼存儲在ROM中，而新的函數或不斷改變的 函數和補釘函數/程式碼存儲在RAM中。ROM中的一些函 數可能呼叫RAM中的一個函數，rov[的程式碼中包含 RAM函數的呼·叫位址(caiHng a(jdress)。ROM中的程式碼 不能夠更改，而RAM中的程式碼可以更改，RAM函數的 呼叫位址可能改變為另一位址。因此，若R〇M函數所呼叫 的RAM函數的呼叫位址已修改，則可能獲得非期望的運作 結果。 【發明内容】 有鑑於此，本發明提供—種用於電子裝置的 與定址方法及其電子裝置。 0758-A33276TWF_MTKI-07-243 4 201025351 依據本發明一實施例提供一種電子裝ϊ ’包括：隨機 存取記憶體，用於存儲呼叫轉移表，所述呼叫轉移表包括 至少一個位於隨機存取記憶體中的已轉移位址；唯讀記憶 體，用於存儲至少一個程式碼以烀叫所述呼叫轉移表中的 一個位址；以及處理單元，用於執行唯讀記憶體中的所迷 程式碼並相應地讀取所述呼叫轉移表，然後轉去運行所述 隨機存取記憶體中所述已轉移位址内的資料。

依據本發明另一實施例提供一種用於電子裝置的資 料處理方法，所述電子裝置具有唯讀記憶體和隨機存取記 憶體，所述隨機存取記憶體用於存儲呼叫轉移表，所迷呼 叫轉移表包括至少一個位於隨機存取記憶體中的已轉移仇 址，用於所述電子裝置的資料處理方法包括：執行唯讀記 憶體程式碼以運行所述呼叫轉移表一位址中的資料；根據 所述呼叫轉移表轉去運行已轉移位址；以及運行所述隨機 存取記憶體的所述已轉移位址中的資料。 依據本發明另一實施例提供一種用於電子襞置的定 址方法，所述電子裝置包括處理單元、唯讀記憶體和隨機 存取記憶體，用於所述電子裝置的定址方法包括：提供呼 叫轉移表，所述呼叫轉移表具有多個表索弓I ,每個表索引 指向所述隨機存取記憶體中對應的VM輥式碼的第一位 址；通過表索引獲取對應的VM程式碼的所述第一位址以 定址並執行所述唯讀記憶體中的至少一個NVM程式碼 其中所述表索引指向所述至少一個NVM程式碼，鹿， VM程式碼的所述第—位址係根據對應的VM程昆％的 前位址動態調整。 的當 0758-A33276TWF MTKI-07-243 5 201025351 本發明通過執行r〇m中的程 轉移表，然後運行RAM中已轉移位址_ HIS呼叫 用臟和RAM並用架構的同時保留彈性=省=了採 以下係減乡彳_切本糾之_^^ =述，本領域習知技藝者閱讀後應可明確了解本發= 【實施方式】

以下說明本發明的最佳實施方式。相關描述為詳㈣ 明本發明之用，並非用以限制本發明。本發明的保 當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 β 如下參照第1至7圖對本發明進行描述，第丨至7麗 是有關於在非揮發性記憶體（如R0M)和揮發性記憶體 RAM)間處理資料的圖示。參照附圖對具體實施例作:下翠 細描述。這些實施例描述儘詳’以便所屬領域的習知技基 著能夠據以實施，當然也可以是在不脫離本發明精神和^ 圍内作架構、邏輯和電氣改變的其他實施方式。因此，立 不侷限於如下的詳細描遂。可以理解，說明書中所插述和 表明的許多元素實際上是邊數的’且能夠在一個或多個實 體中實施或以非本文所述的其他形式實施。

本發明提供一種於裝置中處理資料的資料處理方 法。該裝置包括至少/個非揮發性記憶體和揮發性記憶 體。所提供的對映表（也稱為呼叫轉移表）具有多個表索引 (table index)，每個表索引指向揮發性記憶體中對應的VM 程式碼的第一位址。接著，非揮發性記憶體中對應的VM 0758-A33276TWF MTKI-07-243 6 201025351 程式碼的每個呼叫位址由對應的表索引所取代。然後，根 據對應的表索引獲取對應的糧程式碼的每個第」位址， 以執行對應的VM程式碼，其中對應的VM程式碼的第一 位址係根據對應的VM程式碼的當前位址動態調整。 第—1圖是表明在R〇]y[和RAM間進行資料處理的實施 例架構示意圖。如第1圖所示，分別說明記憶體組態101 和102記憶體組態101和102均包括一個非揮發性記憶 體位址區域和一個揮發性記憶體位址區域。舉例來說，如 • 第1圖所示，非揮發性記憶體ROM1的記憶體位址在記憶 體位址0x0000至〇x4〇〇〇間，揮發性記憶體RAM1的記憶 體位址在記憶體位址0x8000至OxFFFF間。為顯示運作順 序’利用一程式計數器，該程式計數器由當前正在執行的 記憶體位址識別。非揮發性記憶體中的内容或程式碼稱為 NVM程式碼’揮發性記憶體中的内容或程式碼稱為VM程 式碼。ROM1中的NVM程式碼與ROM2中的NVM程式竭 相同。在記憶體組態101中，執行順序相應地為PC11、 ❹ PC12、PC13和PC14。執行之後，暫存器b0、al和bl的 結果分別是1、0和2。在記憶體組態102中，執行順序相 應地為 PC21、PC22、PC23、PC24 和 PC25。執行之後， 由於呼叫位址OxABCD由另一指令所取代（即「move Οχο, b〇」），因此暫存器b0的結果變為〇。RAM函數的呼叫位 址已經改變，但是ROM2中ROM函數的呼叫位址保持不 變，由此導致非期望的結果。 第2圖是根據本發明在ROM和RAM間處理資料的電 子裝置200的實施例方塊示意圖。電子裝置200包括處理 0758-A33276TWF MTKI-07-243 7 201025351 ^元210、非揮發性記憶體22〇、揮發性記憶體23 存儲設備250。處理單元加經由連接介面（比如㈣= 體匯流排)24G與非揮發性記憶體22()和揮發性記憶體謂 相連。揮發性記憶體230最好是讓，非揮發性記憶體22〇 :包括ROM或快閃R0M。非揮發性記憶體22q存儲處理 早兀210所執行的非揮發性記憶體NVM程式碼。如 圖所示’ ROM 220、RAM 230、cpu 21〇分別是非揮發性 圮憶體220、揮發性記憶體23〇、處理單元21〇的—種實現 方式’此處僅為舉例’ 本發明不限於此。外部存儲設備 250可以是硬碟、磁碟、光碟、隨身碟或非揮發性記二 硬碟。這㈣片及其關聯的電腦可讀媒介(若需要)提供對 電腦可讀指令、資料結構和程式模組的非揮發性存儲。 RAM 230具有對映表（呼叫轉移表)232，對映表 具有多個表索引，每個表索引指向RAM23〇中對應的VM 程式碼的呼叫位址，對映表（呼叫轉移表)232包括至少一個 位於RAM 230中的已轉移位址。外部存儲設備25〇用於存 儲程式碼，以更新揮發性記憶體中的VM程式碼和對映表。 ROM 220具有一個表索引所指向的至少一個Nvm^ 式碼。CPU 210根據該表索引獲取對應的VM程式碼的呼 叫位址，以執行對應的VM程式碼。若對應的VM程式碼 的當前位址已改變，則相應地調整對應的VM程式碼的呼 叫位址。 第3圖是根據本發明在ROM和RAM間處理資料的資 料處理方法的實施例流程圖300。在步驟S310提供一對映 表。注意，對映表位於RAM中一預設區域。舉例來說，對 0758-A33276TWF MTKI-07-243 8 201025351 映表可位於RAM的開始部分或頂端，且本發明不限於此。 RAM中的對映表具有多個表索引，每個表索引指向一對應 的VM程式碼的呼叫位址，其中對應的VM程式碼由ROM 程式碼所存取。可知’對映表中表索引的總數目實質上與 ROM中存取的VM程式碼的總數目相等。例如，若在r〇m 中存取10個VM程式碼，則在對映表中存在1〇個表索引。 每個表索引指向ROM中存取的對應的VM程式碼的呼叫 位址。 ❿ 第4A圖是根據本發明在RAM中記憶體映像的實施例 示意圖。假定VM程式碼在RAM 410中的分配從位址

0x8000 至 OxFFFF ’ 位址為 〇xABcd、OxCCCC 和 OxDDDD

的VM程式碼A、B和C由ROM中的程式碼存取。如第 4A圖所示，在RAM410中，對映表411位於RAM記憶體 位址0x8000的開始部分。三個表索引〇χ8〇⑽、和 0x8002分別用於存儲VM程式碼Α、Β和c的當前位址。 舉例來說，在本實施例中，三個VM程式碼A、B和c由 ❿ ROM函數中的程式碼所存取，以使得記錄在對映表41丨中 的這三個程式碼的當前位址0xABCD、oxcccc和〇xDDDD 分別對應表索引0x8000(413) 、 0x8001(415)和 0x800^7)。-旦任—已存取的RAM函數的當前位址被 改變或更改，則相應地更新對映表411中對應的位址。例 如，表索引0x8000指向的VM程式碼A的呼叫位址為 OxAB CD，在VM程式碼A的當前守叫位址已變為㈣腳 時，表索引〇x_0所指向的VM程式石馬A的啤叫位址將 變為OxABCE。利用對映表，VM程式喝的正確呼叫位址能 0758-A33276TWF_MTKI-07-243 9 201025351 夠得以保持，以便成功定址及執行VM程式碼。 已經建立對映表後，在步驟S320，ROM中對應的VM 程式碼的每個呼叫位址由對應的表索引取代。第4B圖是根 據本發明在ROM中記憶體映像的實施例示意圖。在R〇M 420中，VM程式碼A的呼叫位址由與VM程式碼a對應 的表索引「0x8000」所取代，而非「0xABCD」（如指令 421所示）。相似地，VM程式碼B的呼叫位址由與程 式碼B對應的表索引r〇x8〇〇1」所取代，而非「〇xCccc」 (如指令423所示）’VM程式碼c的呼叫位址由與VM程式 碼C對應的表索引r〇x8〇〇2」所取代，而非「〇xDddd」（如 指令425所示）。因此，若RAM函數由一 R〇M函數所存 取’則RAM函數的呼叫位址由對映表中一對應的表索引所 取代。由於表索引固定在預設區域中，因此根據表索引， 能夠隨時通過ROM函數取得對映表。注意，在將R〇M函 數存取的那些RAM函數的呼叫位址取代為對應的表索引 後’ ROM函數將固定且不變。 在已經提供對映表且ROM中RAM函數的呼叫位址已 經替換為對映表中對應的表索引之後，在步驟·，根據 對應的表索引獲取對應的VM程式碼的每個呼叫位址，以 執行對應的VM程式瑪。 第5圖是根據本發明白勺R 〇 M和RA M的記憶體映像的 另貫施例不意圖。圖中顯示了記憶體組態501和502。 注意’記憶體組態501中的R〇M程式碼與記憶體組態5〇2 中的R〇M程式碼相同，而記憶體組態501中的RAM程式 碼與記憶體組態5 02中的RAM程式碼不同。可以看出，程 0758-A33276TWF—MTKI-07-243 201025351 式碼「move 0x0, al」在記憶體組態501中位於ram内的 記憶體位址OxABCD，而在記憶體組態502中位於RAM内 的記憶體位址OxABCE。記憶體组態501中相應的執行順 序是P5卜P53、P55、P57和P59。當執行p53時，呼叫表 索引0x8000(指令「0x8000」）且由此接著執行P55，以獲 取已存取的RAM函數的呼叫位址。當執行p55時，跳至 表索引0x8000並發現已存取的RAM函數的呼叫位址是 OxABCD。因此’跳至位址OxABCD以執行已存取的ram 0 函數。執行之後’暫存器bO、al和bl的結果分別為！、〇 和2 〇 相似地，在記憶體組態502中，相應的執行順序是 、P68和P69。當執行P63時，呼叫表索引 0x8000且由此接著執行P65，以獲取已存取的RAM函數 的呼叫位址並運行位址中的資料。當執行P65時，跳至表 索引0x8000並發現已存取的RAM函數的呼叫位址是 OxABCE(已轉移位址）。因此，跳至位址〇xABCE以執行已 ❹存取的RAM函數。執行之後，暫存器b0、al和bl的結果 分別為1、G和2。可以看到，並不執行步驟p67，因:結 果是正確的。 根據本發明㈣料處理方法，若RAM函數的當前呼 叫位址已改變，則對映表中存儲的對應的呼叫位址也會更 新’以便成功存取和執行R0M函數所存取的ram函數。 此外，根據本發明的資料處理方法，可在具有不同記憶體 組態的RAM中利用相同的R〇M程式碼。換句話說，根 本發明的資料處理方法，1C能夠具有固定的ROM程式碼 0758-A33276TWF_MTKI-07-243 11 201025351 和不同的RAM程式碼。 在一些實施例中，本發明可用於處理一 NVM函數。 在非揮發性€憶體中，NVM函數包括多個NVM程式碼， 比如KOM t的KOM函數。NVM函數的—部分能夠分割 並位於揮發性記憶體中，將所處位址(lQeated遍職)記為 對映表（具有特定表索引）中VM函數的一呼叫位址。接著， 分割部分可作為ram函數，且通過程式碼呼叫（c〇de calling)替換為該特定表索引。因此，通過參考利用了特定 表索引的對映表對分割部分進行存取，來獲取分割部分的 所在位址以執行分割部分。對分割部分的執行完成後，可 利用「return」命令返回至NVM函數，以作進一步執行。 可根據特定規則選擇NVM函數的一部分或分割部分，比 如選擇一些頻繁改變的程式碼或參數。 第6圖是根據本發明將rom中的ROM函數分到R〇M 和RAM中的實施例示意圖。如第6圖所示，說明R〇M函 數Function_A。ROM函數Function A包括三個部分：A1、 A2和A3 ’其中部分A1和A3是穩定程式碼，部分A2是 需要經常改變的程式碼，比如第6圖所示的一些參數設 定。假定選擇部分A2位於RAM以便於修改，且A2的所 在位址是OxABCD。A2的所在位址存儲在具有表索引 0x8000(如指令620所示）的對映表中。通過呼叫將與部分 A2對應的ROM程式碼替換為表索引〇χ8〇〇〇(如指令61〇 所示）。若正在執行ROM函數Function_A ’則首先執行部 分A1。然後，存取A2的表索引r0x8000」並接著利用 「0x8000」從對映表中獲取部分Α2的所在位址 0758-A33276TWF__MTKI-07-243 12 201025351 「OxABCD」，以便執行指令630所示的部分。在指令630 的結束處，「return」命令將回到原先ROM函數中繼續執

行部分A3。根據之前所述的[和RAM中的組態，ROM 和RAM函數的發展會更加靈活高致。可以了解的是，在一 些實施例中，為了實施靈活，本發明之前所述的ROM和 RAM中的組態也可應用於中斷服務常式(interrUpt Service

Routine) ’通過利用對映表將一些特定中斷服務常式分到 RAM中以處理多個中斷服務，且本發明不限於此。 ❹ 除了應用在單個裝置中，本發明也可應用在多個電子 裝置中’以在ROM和RAM間處理資料。在這種情況下， 可經由裴置間的連接介面將用於一個裝置的ROM和 RAM(包括對映表）中的組態複製或轉移到另一個裝置。 第7圖是根據本發明將資料處理方法應用於多個電子 裝置來對ROM和RAM間的資料進行處理的實施例示意圖 700 〇 如第7圖所示，顯示了電子裝置A1〜AN。假定除了第 ❿7圖所示的外部存儲設備，僅連接至—個電子裝置，每 個電子裝置A1-AN的架構與第2圖所示的裝置2〇〇相似。 因此，裳置A1至少包括一個R〇Ml和具有一對映表的一 個RA1VH，裝置AN至少包括一個汉〇娜和具有一對映表 的一個RAMN。裝置A1經由⑽橋71〇(例如RS232介面） 連接至裝置AN。外部存儲設備72〇包括一已更新程式碼， 用於直接更新/填充RAMl中的RAM程式碼或經纟咖橋 710更新/填充RAMN中的RAM程式喝。因此，每個連接 至cpu橋？10的電子裝χ A1_AN可利用本發明的資料處 0758-A33276TWF_MTKI-07-243 . 201025351 理方法。 利用這種處理方 RAM函數的當前啤叫 Μ映表中相應地調整和更 R〇M it™ R〇M::/::的資料處理變得簡便易二，， 中，作為一組指令執:方:在置的記儳體 ,DVD播放器、視訊記錄器等':二 於實施方法和解碼裝置 引所述，用 〇 可讀媒介上，例如磁碑和光二子儲在其他形式的機器 和光碟)上可經由磁二^ 珣而日、s、風-勒斋（或電腦可讀媒介驅動器）存 式下載到電腦設K網路可將指令以編譯和鏈接版本的形 另一種方式，執行所論述方法和裝置的邏輯也可實施 於.額外的電腦及/或機器可讀媒介以及電氣的、光學的、 音響的或其他形式的傳播信號等，其中額外的電腦及/或機 态可讀媒介比如將硬體元件分散為大型積體電路❷ (large-scale integrated circuits, LSI)、特殊應用積體電路 (Application Specific Integrated Circuit, ASIC)、勒體，勃體 例如電子可改寫式可編程唯讀記憶體（electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM);傳播信號比如 載波、紅外信號、數位信號等。此外，如前所述的解碼裝 置可在相同的硬體元件上實施，比如可能整合到晶片組設 備中或沒有整合的圖形控制器（Graphic Controller)。 上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡 0758-A33276TWF_MTKI-07-243 、 14 201025351 釋本發明之技術特徵’並非用來限制本發明之範疇。任何 熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本 發明所主張之範圍’本發明之權利範圍應以申請專利範圍 為準。 【圖式簡單說明】 第1圖是表明在ROM和RAM間進行資料處理的實施 例的架構示意圖。 0 第2圖是根據本發明在ROM和RAM間處理資料的電 子裝置的實施例方塊示意圖。 第3圖是根據本發明在ROM和RAM間處理資料的資 料處理方法的實施例流程圖。 第4A圖是根據本發明在RAM中記憶體映像的實施例 示意圖。 第4B圖是根據本發明在ROM中記憶體映像的實施例 示意圖。. ❿ 第5圖是根據本發明ROM和RAM的記憶體映像的另 一實施例示意圖。 第6圖是根據本發明將ROM中的ROM函數分到R〇M 和RAM中的實施例示意圖。 第7圖是根據本發明將資料處理方法應用在多個電子 裝置中來進行ROM和RAM間的資料處理的實施例示意 圖。 【主要元件符號說明】 0758-A33276TWF MTKI-07-243 15 201025351 101、102、501、502〜記憶體組態； 200〜電子裝置； 210-CPU ； 220、420〜ROM ; 230、410〜RAM ; 232、411〜對映表； 240〜程式記憶體匯流排； 250、720〜外部存儲設備； 300〜流程圖； 413、415、417〜表索引； 421、423、425、610、620、630〜指令； 700〜實施例示意圖； 710〜CPU 橋； S310〜S330 :步驟。 0758-A33276TWF MTKI-07-243 16

Claims (1)

1. 201025351 七、申睛專利範圍·· 1·—種電子裝置，包括： 一隨機存取記憶體，用於存儲一呼叫轉移表，所述, 叫轉移表包括至少一個位於所述隨機存取記憶體中的已轉 移位址； 一唯讀記憶體，用於存儲至少一個程式碼以呼叫所述 呼叫轉移表中的一個位址；以及 a 一處理單元，用於執行唯讀記憶體中的所述程式碼並 • 相應地讀取所述呼叫轉移表，然後轉去運行所述隨機存取 記憶體中所述已轉移位址内的資料。 2.如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，進一步包 括一連接介面，以便所述處理單元存取所述唯讀記憶體和 隨機存取記憶體中的程式碼。 3·如申請專利範圍第2項所述之電子裝置，進一步包 括一外部存儲設備，用於存儲程式碼以更新所述隨機存取 3己憶體中的程式碼和所述呼叫轉移表。 ❿ 4.如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述 隨機存取記憶體是一揮發性記憶體。 5. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述 唯讀記憶體是一非揮發性記憶體。 6. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置’其中所述 呼叫轉移表位於所述隨機存取記憶體中的一預設區域内。 7·如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中所述 電子裝置進一步通過一第二連接介面轉接於一第二電子裳 置’所述第二電子裝置具有—第二隨機存取記憶體和一第 0758-A33276TWF_MTKl-07-243 201025351 二唯讀記憶體，所述第二隨機存取記憶體具有與所述呼叫 轉移表相似的一第二呼叫轉移表，其中所述第二隨機存取 S己憶體中的程式竭係通過所述第二連接介面由戶斤述電子裂 置的所述外部存儲設備中存儲的程式碼來更新。 8· —種用於一電子裝置的資料處理方法，所述電子裝 置具有一唯讀記憶體和一隨機存取記憶體，所述隨機存取 記憶體用於存儲一呼叫轉移表，所述呼叫轉移表包括至少 一個位於所述隨機存取記憶體中的已轉移位址，用於所述 電子裝置的資料處理方法包括： 執行一唯讀s己憶體程式碼以運行所述呼·叫轉移表一 位址中的資料； 根據所述呼叫轉移表轉去運行—已轉移位址；以及 運行所述隨機存取記憶體的所述已轉移位址中的資 料。 9. 如申請專利範圍第8項所述用於一電子裝置的資料 處理方法’其中所述呼叫轉移表位於所述隨機存取記憶體 中的一預設區域内。 10. 如申請專利範圍第8項所述用於一電子裝置的資 料處理方法，進一步包括： 將NVM函數的一部分設在所述隨機存取記憶體中， 所述NVM函數具有位於所述唯讀記憶體中的多個NVM程 式碼；以及 將所述NVM函數的一部分的所在位址記錄為所述呼 叫轉移表中一對應的已轉移位址。 11. 如申請專利範圍第10項所述用於—電子裝置的資 0758-A33276TWFMTKI-07-243 J8 201025351 * 料處理方法’進一步包括’ 根據所述對應的已轉移位址從所述呼叫轉移表獲取 所述NVM函數的一部分的呼叫位址，以運行所述NVM函 數的一部分。 12. 如申請專利範圍第10項所述用於一電子裝置的資 料處理方法，其中所述NVM函數包括中斷服務常式，用 於處理多個中斷服務。 13. 如申請專利範圍第12項所述用於一電子裝置的資 料處理方法’其中所述NVM函數的一部分係根據一特定 ®規則選擇。 14. 如申請專利範圍第8項所述用於一電子襄置的資 料處理方法，進一步包括： 若對應的VM程式碼的當前位址已改變且唯讀記憶體 中對應的VM的呼叫位址未改變，則更新所述呼叫轉移表 中對應的VM程式碼的第一位址。 15. 如申請專利範圍第8項所述用於一電子裝置的資 φ 料處理方法，其中所述隨機存取記憶體是一揮發性記憶體。 16. 如申δ月專利範圍第§項所述用於一電子裝置的資 料處理方法，其中所述唯讀記憶體是一非揮發性記憶體。 17. 種用於一電子裝置的定址方法，所述電子裝置包 括處理單元唯讀記憶體和一隨機存取記慎體，用於 所述電子裝置的定址方法包括： 心 提供-呼叫轉移表，所述呼叫轉移表具有多個表索 引’每個表索引指向所述隨機存取記憶體中一對應的γΜ 程式碼的一第一位址； 〇758-A33276TWF__MTKI-07-243 19 201025351 通過一表索引獲取對應的VM程式碼的所述第一位址 以定址並執行所述唯讀記憶體中的至少一個NVM程式 碼，其中所述表索引指向所述至少一個NVM程式碼， 其中對應的VM程式碼的所述第一位址係根據對應的 VM程式碼的當前位址動態調整。 18. 如申請專利範圍第17項所述用於一電子裝置的定 址方法，其中所述隨機存取記憶體是一揮發性記憶體，所 述唯讀記憶體是一非揮發性記憶體。 19. 如申請專利範圍第18項所述用於一電子裝置的定 址方法，進一步包括： 將所述呼叫轉移表設在所述揮發性記憶體的一預設 區域内。 0758-A33276TWF MTKI-07-243 20