TW201024210A - Method of manufacturing core-shell nanostructure - Google Patents
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Description
201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種殼核型奈米結構的製造方法，且 特別是有關於一種利用奈米粒子的光熱效應 (photo-thermal effect)的殼核型奈米結構的製造方法。“ 【先前技術】 I米等級的材·為具有特殊的大小、域以及排列 結構，因此相較於巨觀材料，奈米等級的材料在光學特性、 電性、化性等方面皆與巨觀材料不同。 以目前廣泛應用於電子、光學、生物等領域的金奈米 粒=為例，當金奈米粒子遇到可見光時，由於入射光的波 長遠大於粒徑而使粒子吸收光的效應相對地遠大於散射的 效應，因此金奈米粒子會吸收光子的能量，進而極化其上 的自由電子雲’使電子雲隨著光子的頻率震盡而引起特殊 _ 的表面電子共振(SUrfaCe plasm〇n res〇nance)現象。奈米 粒子藉由表面電漿子共振現象可將光能轉換為熱能，此即 為奈米粒子的光熱效應。 此外，殼核型(core_shell)奈米粒子更因為結合了兩種 或疋兩種以上的材料，因而使其功能性、結構性及合成方 法更添彈性’並創造出更多新穎的功能與應用。所謂的殼 f型奈米粒子是指在以無機物或有機物所組成的核心之外 部包覆-層域物質、有機分子或是生祕巨分子的雙層 或多層構造。殼核型的奈米粒子基本上可分為四類：核心 201024210 P22970005TWCI 29552-ltwf.doc/n 為而外層為有機分子、核心與外層皆為無_ 1 ^為有機》子而外層為無機物以及核心與外層皆為有機分 太乎奈米粒子可藉由改變外層的材料而改變 i，電性或磁性、微調核心奈米 触，因此目奸狀應祕奈讀化 料的合成、半導性榮先材料的製作改變二 ==絕緣散熱材料的應用、超高介電材料的製作 X及作為異質性的多酵素生化催化劑。此外，若進一步把 2核型奈麵子_心轉’财叹殼_奈米粒子成 t種中空的結構’更可於日後應用於藥物、基因、蛋白 貝等物質的傳遞及保存。 進-步說，在目前的技術中，與奈米金屬粒子相關的 ^型奈米結構可以分為核心/外層為奈米金屬粒子/有 ^刀子(如AU/polypyrrole)、核心/外層為奈米金屬粒子/盈 機物(如Au/Si02)以及核心/外層為無機物/奈米金屬粒子 (如SKVAug種。然而，在核心，外層為奈米金屬粒子/有 機分子的核殼型奈米結構的合成方法中，除了在合成時兩 =外添加耦合劑與起始劑之外，在合成前更需要先將： =金屬粒子進行表面改質才能將有機分子接枝到奈米金屬 拉子上。由於此種殼核型奈米結構中的有機分子是以接枝 方式或是以螯合(chelated)的方式連接到奈米金屬粒子 上，因此必須精確調控有機分子與奈米金屬粒子的比例以 201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 及所接枝的官能基，否則會造成有機分子層的包覆性不 佳，導致殼核型奈米結構在有機溶液中的分散效果不佳， 因而在應用上造成相當大的不便。 【發明内容】
有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種殼核型奈米 結構的製造方法，其藉由奈米粒子的光熱效應而於奈米粒 子上形成具有良好塗佈的材料層。 本發明提出一種殼核型奈米結構的製造方法，此方法 疋先提供奈米粒子，此奈米粒子中含有具有表面電漿子共 振(surface plasmon resonance ’ SPR)吸收的金屬，其中奈米 粒子適於將波長在SPR吸收光譜範财的光能轉換為熱 能二然後，將奈米粒子分佈於第一熱固性材料前驅物上。 接著，於第:熱固性材料前驅物上塗佈第二熱固性材料前 驅物’以覆i奈米粒子。而後，將波長在spR吸收光譜範 圍中的光源照射奈米粒子以產生熱能，使奈練子周圍的 第-熱固性材料前驅物與第二熱固性材料前驅物固化，以 於不，粒子上形成熱固性材料層。之後，移除第一熱固性 材料則驅物與第二熱固性材料前驅物的未固化的部分。 、a本發明另提出—種殼核型奈米結構的®造方法，此方 先提（、奈米粒子’此奈妹子巾含有具有表面電漿子 的金屬，其巾奈米粒子適於將波長在SPR吸收光 «曰t 轉換為熱能。然後，將奈米粒子分佈於基 接著於基板上塗佈熱固性材料前驅物，以覆蓋奈 5 201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 米粒子。而後，將波長在SPR吸收光譜範财的光源照射 ^米粒子喊生熱能，使奈綠子卵的部分熱固性材料 前驅物固化，以於奈米粒子上形成熱固性材料層。之後， 移除熱固性材料前驅物的未固化的部分。 本發明再提出-種殼核型奈米結構的製造方法，此方 法是先提供奈練子m奸巾含有具絲面電漿子 共振吸收的金屬’其中奈練子適於將波長在SPR吸收光 譜範圍中的光能轉換為熱能。然後，將奈米粒子與埶固性 材料前驅物混合。接著，將波長在SPR吸收光譜範圍中的 光源照射奈米粒子以產生熱能，使奈米粒子周圍的部分熱 固性材料前驅物固化，⑽奈米粒子上形成熱固性材^ 層。之後，移除熱固性材料前驅物的未固化的部分。 基於上述，本發明以光源照射奈米粒子並藉由表面電 漿子共振吸收的奈米粒子的光熱效應來對奈米粒子進行加 2，使得位於奈米粒子周圍的熱固性材料前驅物在吸收由 奈米粒子所產生的熱能之後固化，因此可直接於奈米粒子 上形成熱m性材料層而不需對奈綠子進行表面改質(例 接枝有機單體（grafting organic monomer)、寡聚物 (gomer)或未父聯南分子(un cr〇ssiink p〇iymer))的步驟， 進而使得所形成的熱固性材料層（殼）對於金屬奈米粒子 W具有較佳的包覆性。此外，本發明還可以藉由控制光 ，的強度與照射時間來調整所形成的材料層的厚度，以及 猎由控制奈餘子的形絲驢所形成的難型奈米 形狀。 201024210 F22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 下文特 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 圖1A至圖1D為依照本發明一實施例所繪示的殼核 型奈米結構之製造流程剖面圖。首先，請參照圖ia，提供 至少-個奈米粒子⑽。奈米粒子⑽中含有金屬且每 -個奈米粒子100適於將光能轉換為熱能。上述的金屬例 如為銀、金或銅。詳細地說，奈米粒子觸中的金屬經光 源照射之後可以魏光能㈣起表面電漿子共振，以將所 吸收的光能轉換為減。也就是說，奈綠子⑽具有光 熱效應。此外’奈米粒子100巾除了含有金屬之外，也可 以含有無機物或有機物。意即，奈米粒子1〇〇除了可以是 也可以是由金屬粒子與無機物或有機物所 开>成的複合粒子。 請繼續參關1A，提供熱_材料前驅物観。軌固 性材料前驅物撤例如為未聚合的單體、未交聯的募^體 或未父聯的南分子。舉例來說，熱固性材料前驅物搬可 以是環氧樹脂（epoxy)、不飽和聚g旨樹脂（酿触如 popster)、酚樹脂（phen〇lic)或雙馬來醯亞胺樹脂 (bismaieimide，BMI)。然後，將奈米粒子1〇〇分佈於 ^材料前驅物102上。將奈米粒子刚分佈於熱固性材料 刖，物102上的方法例如為喷印、旋轉塗佈或浸泡。在另 -實施例中’將奈米粒子⑽分佈於熱固性材料前驅物⑽ 7 201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 上的方法也可以是利用化學鍵結(如共價鍵結、離子鍵結） 或物理吸附(如靜電吸附或凡得瓦力（van der Waals force) 吸附）。 然後’請參照圖IB ’藉由浸泡、旋轉塗佈或噴灑方 式，於熱固性材料前驅物1〇2上塗佈熱固性材料前驅物 104,以覆蓋奈米粒子100,其中熱固性材料前驅物1〇4與 熱固性材料前驅物1〇2的材料相同。因此，在此步驟中， 奈米粒子100被熱固性材料前驅物整個包覆起來。 接著，請參照圖1C，將光源106照射奈米粒子1〇〇。 光源106例如為雷射或發光二極體(iight emitting di〇de， LED)的光束。光源106的波長適於奈米粒子1〇〇的spR 吸收。由於奈米粒子100具有光熱效應，因此在吸收光能 之後可將光能轉換為熱能。此外，奈米粒子100周圍的熱 固性材料前驅物(熱固性材料前驅物102、10句在吸收由卉 米粒子100所產生的熱能之後會固化，因此可於奈米粒^ 100上形成熱固性材料層108。熱固性材料層1〇8的厚度例 如介於1奈米至100奈米之間，且此厚度可以藉由控制光 源106的強度與照射時間來調整。特別一提的是，在本實 施例令’奈米粒子100的形狀為圓形，而在其他實施例中， 奈米粒子1GG也可靖錬需求岐任意的雜(如立方 體、棒狀、角柱、線狀），且形成在奈米粒子刚周圍的敎 固性材料層108也具有與奈米粒子1〇〇相同的形狀。 之後，請參照圖1D ’移除未固化的熱固性材料前驅 物。此處所指的未固化的熱固性材料前驅物即為未交聯的 201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 熱固性材料前驅物102、l〇4。移除未固化的熱固性材料前 驅物的方法例如是針對熱固性材料前驅物來選擇適合的溶 劑來進行清洗。舉例來說，未交聯的環減射藉由丙酮 來移除。當未固化的熱固性材料前驅物被移除後，即留下 由奈米粒？ 1GG以及贿其上的油輯料層⑽所形成 的殼核型奈米結構no。
圖2A至圖2D為依照本發明另一實施例所緣示的殼 核型奈米結構之製造流程剖面圖。在圖2A至圖犯中，與 圖1A至圖1D中相同的標號即代表相同的元件，其形成方 法與材料將不另行描述。首先，請參照圖2A，提供至少一 絲板112。基板112例如為玻璃基板。 子獅分佈於基板112上。將奈米粒子100 =:ί=12,的:法例如為喷印、旋轉塗佈或浸泡。 ΐΐ使a板112^賴（piasma)處理，在活化離子的衝 者，可% 粗链化，藉以分佈奈米粒子100;或 m_lav ^ 上施加自組裝單分子膜（self_assei· 的表ΐ ϋ㈣分佈奈餘子⑽；再者，亦可透過奈米粒子 的t式(例如:離子鍵結或共 c〇〇H的修飾佈(例如在基材表面予以 ，等’或者可將基二與以帶之= 米粒子表面扣帶負躲子之_)。料的修飾’再將奈 然後，請參照圖2B，基 前驅物刚，以藉由，印、旋土轉^^上塗佈熱固性材料 1 P補細切、絲覆蓋奈米粒 201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 子 100。 接著’請參照圖2C，將光源106照射奈米粒子100。 光源106的波長適於奈米粒子100的SPR吸收。由於奈米 粒子100具有光熱效應’因此在吸收光能之後可將光能轉 換為熱能。此外’奈米粒子1〇〇周圍的熱固性材料前驅物 104在吸收由奈米粒子1〇〇所產生的熱能之後會固化，因 此可於奈米粒子1〇〇上形成熱固性材料層1〇8。同樣地， 熱固性材料層108的厚度可以藉由控制光源106的強度與 照射時間來調整。 ' 之後，請參照圖2D，移除未固化的熱固性材料前驅 物104。在本實施例中，由於基板112的材料並非為熱固 性材料前驅物，因此在移除未固化的熱固性材料前驅物 104時，並不會將基板112移除。也就是說，在移除未固 化的熱固性材料前驅物1〇4之後，由奈米粒子1〇〇以及位 於其上的熱固性材料層108所形成的殼核型奈米結構114 仍分佈於基板112上。 特別一提的是，由於在本實施例中基板112並不會被 移除，因此可以視實際需求經由控制奈米粒子1〇〇分饰於 基板112上的位置來調整殼核型奈米結構114位於基板 112上的位置，以形成所需的元件。 ,圖3A至圖3C為依照本發明再一實施例所繪示的殼核 型奈米結構之製造流程剖面圖。在圖3八至圖3(：中，與 认至圖1D中相同的標號即代表相同的元件’其形成方法 與材料將不另行描述。首先，請參照圖3A，提供至少一個 201024210 P2297⑻ 05TWC1 29552-ltwf.doc/n 奈米粒子100與熱固性材料前驅物104。然後，將奈米粒 子100與熱固性材料前驅物104均勻混合。 然後，請參照圖3B，將光源1〇6照射奈米粒子1〇〇。 光源106的波長適於奈米粒子丨⑻的spr吸收。由於奈米 粒子100具有光熱效應，因此在吸收光能之後可將光能轉 換為熱能。此外，奈米粒子1〇〇周圍的熱固性材料前驅物 104在吸收由奈米粒子1〇〇所產生的熱能之後會固化，因 此可於奈米粒子100上形成熱固性材料層1〇8。同樣地， 熱固性材料層108的厚度可以藉由控制光源1〇6的強度與 照射時間來調整。 之後’請參照圖3C ’移除未固化的熱固性材料前驅 物104，以留下由奈米粒子1〇〇以及位於其上的熱固性材 料層108所形成的殼核型奈米結構116。 對於上述殼核型奈米結構11()、114、116來說，由於 奈米粒子100上形成有熱固性材料層1〇8，因此可以使奈 米粒子1 00更谷易分散於局分子基質(p〇lymer matrix)令， 且有利於在低濃度摻混下有效地提高高分子基質的性質。 此外，由於殼核型奈米結構11〇、114、116的核心含有金 屬’因此可以提高熱導係數，且奈米粒子100上的熱固性 材料層108也可達到降低電子穿隧與漏電流的目的。因 此，殼核型奈米結構110、114、116可以應用在高介電材 料以及熱導材料中。 以下將以實驗例來對本發明之殼核型奈米結構的製 造方法作說明。 11 201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 實施例一 圖4A為金奈米粒子(6〇nm)在聚甲基丙烯酸甲酯
(polymethylmethacrylate，PMMA)基材上的示意圖。圖 4B 為當金奈米粒子被照射時距PMMA基材的底部不同距離 之下PMMA與空氣的溫度分佈圖。圖4C為PMMA的表 面溫度分布圖。圖4C的中心處為PMMA附著金奈米粒子 的位置。由圖4B可以得知，在附著至金奈米粒子的pMMA 表面的溫度為最高’且pmma中的溫度會隨著至金奈米粒 子的距離增加而降低。由圖4B與圖4C可以得知，在PMMA © 中温度較高的範圍是位於金奈米粒子周圍1〇nm之内。因 此，可以藉由改變光的強度來控制金奈米粒子的溫度，以 控制奈米粒子周圍的溫度分佈來得到高分子殼。 實施例二 圖7為經不同波長的光照射的CdSe奈米粒子、CdTe 奈米粒子、Ag奈米粒子與如奈米粒子的熱能分佈圖。請 參照圖7 ’比較CdSe奈米粒子、CdTe奈米粒子、Ag奈米 ❹ 粒子與AU奈米粒子，當具有特定波長的光束(例如，激發 SPR的吸收帶)照射Ag奈米粒子與Au奈米粒子時，產生 了大量的熱能。 一光熱效應涉及SPR吸收，且SPR取決於粒子與粒子 耦合(particle-to-particle coupling)的尺寸、形狀與程度。 圖8為在水中的單獨Au奈米粒子表面的溫度增加盘 電衆子共振照射能量的關係圖。在圖δ中，線u至線u 12 201024210 而 7_5TWCi 29552-ltwf.d0c/n 刀另J表示在水中由具有波長為52〇 nm (又激發=52〇 nm)的光 束照射的粒子尺寸為10〇nm、5〇nm、4〇nm、3〇nm2〇nin、 10 nm的Au奈米粒子。垂直軸表示由單獨Au奈米粒子所 產生的熱能所引起的溫度增加量(△Tmax)，其單位為κ。水 平軸表示照射光束的光通量(lightflux)，其單位為。 由圖8可知，當照射光束的光通量為固定時，具有相對大 尺寸的奈米粒子展現較佳的溫度增加效率。 • 圖9A為表面電漿子共振吸收與不同Ag奈米粒子尺 寸的關係圖。圖9B為表面電漿子共振吸收與與不同八§奈 米棒尺寸的關係圖。由圖9A與圖9B可知，當經照射的材 料尺寸及形狀改變時，吸收波長是不同的。 首先，提供金奈米粒子(6〇nm)與玻璃基板。然後，將 金奈米粒子利用自組裝單分子膜（self_assembly monolayer)的方式分佈於玻璃基板上，如圖5A所示。其 步驟如下： 將玻璃基板泡在硝酸(不限定）中。然後，以5%的Et〇H ® 浸泡。接著，將3-氨丙基三乙氧基矽烷(3APTES)(可用醇 類稀釋)溶液作為第一連結劑(其中三端為—〇C2H5，另一端 為-NH2)，並將玻璃基板浸泡在其中。而後，以5%的Et〇H 浸泡。繼之’將HS-(CH2)7-CO〇H(可稀釋)作為第二連結 劑’並將玻璃基板浸泡在其中。隨後，以5%的EtOH浸泡。 至此，玻璃基板變得疏水，且其上連結有_SH，以和Au形 成共價鍵。然後’將金奈米粒子溶液滴至玻璃基板上，以 使Au與-SH鍵結。接著’以旋轉塗佈的方式於玻璃基板 13 201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 上塗佈熱固性材料前驅物，以覆蓋金奈米粒子。上述的旋 轉塗佈是以600 rpm的轉速進行15秒，或是以16〇〇 rpm 的轉速進行25秒。而後，將玻璃基板在6〇它的溫度下加 熱12分鐘以將溶劑(s〇ivent)烘乾。繼之，以波長為514mn， 的綠光雷射作為光源照射金奈米粒子8〇分鐘來對金奈米 粒子進行加熱，使金奈米粒子周圍的熱固性材料前驅物固 化，以於金奈米粒子上形成材料層，如圖5B、5C所示。 此外’未被雷射照射的區域則如圖5D所示。之後，將玻 璃基板浸泡於丙酮中24小時’以移除未固化的熱固性材料 參 前驅物，而於玻璃基板上形成由金奈米粒子以及位於其上 的材料層所形成的殼核型奈米結構。金奈米粒子周圍的高 分子的厚度約為10 nm。 實施例三 提供銀奈米粒子(60nm)與玻璃基板。然後，將銀奈米 粒子利用化學鍵結（自組裝單分子膜）的方式分佈於玻璃基 板上。其步驟如下： ❿ 將玻璃基板泡在硝酸(不限定）中。然後，以5%的EtOH 浸泡。接著’將3-氨丙基三乙氧基矽烷(可用醇類稀釋)溶 液中作為第一連結劑（其中三端為-〇C2H5，另一端為 -NH2) ’並將玻璃基板浸泡在其中。而後，以5%的EtOH 浸泡。繼之’以HS-(CH2)7-CO〇H(可稀釋)作為第二連結 劑，並將玻璃基板浸泡在其中。隨後，以5%的EtOH浸泡。 至此，玻璃基板變得疏水，且其上連結有-SH，以和Ag形 14 201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 成共價鍵。然後，將銀奈米粒子溶液滴至玻璃基板上，以 使Ag與-SH鍵結。接著，以旋轉塗佈的方式於玻璃基板 上塗佈熱固性材料前驅物，以覆蓋銀奈米粒子。上述的旋 轉塗佈是以600 rpm的轉速進行15秒，或是以16〇〇 rpm 的轉速進行25秒。而後，將玻璃基板在6(rc的溫度下加 熱12分鐘以將溶劑(s〇lvent)烘乾。繼之，以波長為4〇8nm， 50mW的藍光雷射作為光源照射銀奈米粒子分鐘來對 _ 銀奈米粒子進行加熱，使銀奈米粒子周圍的熱固性材料前 驅物固化，以於銀奈米粒子上形成材料層。將玻璃基板浸 泡於丙酮中24小時’以移除未固化的熱固性材料前驅物， 而於玻璃基板上形成由銀奈米粒子以及位於其上的材料層 所开>成的设核型奈米結構(如圖6所示）。由於銀的光熱效 應優於金的光熱效，所以我們可以較短的時間來形成更厚 的殼銀奈米粒子周圍的高分子的厚度約為2〇11111。 综上所述，本發明先將含有金屬的奈米粒子置於熱固 . 性材料前驅物中，織以統照射奈米粒子，藉由奈米粒 子的光熱效應來對奈米粒子進行加熱，使得位於奈米粒子 周圍的熱固性材料前驅物在吸收由奈米粒子所產赦能 之後固化，因此可直接於奈米粒子上形成材料層，而=需 對奈米粒子進行表面改質的步驟。 此外，由於材料層是藉由熱固性材料前驅物吸收由奈 米粒子所產生的熱能的方式形成於奈米粒子上，因此所形 j的材料層可以具有較佳的包覆性，進而使得殼核型奈米 、-構在有機溶液中的具有較佳的分散效果。 15 201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 來調可以藉由控制光源的強度與照射時間 形狀來層的厚度，以及藉由控制奈米粒子的 办狀來調整所形成的殼核型奈米結構形狀。 軸本發明已以實施_露如上，然其並_以限定 本所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 ^發月之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾， 發明之保魏圍當視後附之巾請專圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 型太Hi至圖m為依照本發明—實施例鱗示的殼核 基'不未、、、吉構之製造流程剖面圖。 核型至圖2D為依照本發明另—實施例崎示的殼 乂 ^不米結構之製造流程剖面圖。 型太為依照本發明再—實施例崎示的殼核 I不木結構之製造流程剖面圖。 圖4A為金奈米粒子在PMMA基材上的示意圖。 不^ 4當金奈綠子被'·時距PMM A基材的底部 D 支下PMMA與空氣的溫度分佈圖。 b^4C4PMMA的表面溫度分布圖。圖4C的中心處 為MMA附著金奈米粒子的位置。 A至圖5D為聚合物/金殼核型奈米粒子的制造過 ^的掃描式電子顯微鏡(scanning electron micros⑶py\EM) 為聚合物/銀殼核型奈米粒子的掃描式電子顯微 圖6 201024210 P22970005TWC1 29552-ltwf.doc/n 鏡圖。 圖7為經不同波長的光照射的CdSe奈米粒子、CdTe 奈米粒子、Ag奈米粒子與Au奈米粒子的熱能分佈圖。 圖8為在水中的單獨Au奈米粒子表面的溫度增加與 電漿子共振照射能量的關係圖。 圖9A為表面電漿子共振吸收與不同Ag奈米粒子尺 寸的關係圖。 圖9B為表面電漿子共振吸收與與不同Ag奈米棒尺寸 *的關係圖。 【主要元件符號說明】 100:奈米粒子 102、104 :熱固性材料前驅物 106 :光源 108 :熱固性材料層 110、114、116 :殼核型奈米結構 • 112 :基板 L1〜L6 :線 17
Claims (1)
- 201024210 P22970005IWC1 29552-ltwf.doc/n 七、申請專利範園： 1. 一種殼核型奈米結構的製造方法，包括： k供奈米粒子’該奈米粒子中含有—金屬，甘中， 奈米粒子適於將光能轉換為熱能； 將該奈米粒子分佈於一第一熱固性材料前驅物上； 於該第一熱固性材料前驅物上塗佈—第二熱固性材 料前驅物’以覆蓋該奈米粒子； ❹ 將一光源照射該奈米粒子以產生熱能，使該奈米粒子 周圍的部分該第一熱固性材料前驅物與部分該第二熱固性 材料前驅物固化，以於該奈米粒子上形成—熱固性材料 層，ΊίΛ及 移除該第一熱固性材料前驅物的未固化部分與該 二熱固性材料前驅物的未固化部分。 2·如申請專利範圍第1項所述之殼核型奈来結構的 製造方法，其中該金屬包括銀、金、銅或其組合，該金屬 具有表面電漿子共振吸收。 、3·如申請專利範圍第1項所述之殼核型奈米結構的 製造方法’其^該奈錄子巾更含有—無機物或—有機物。 製造1項所狀殼制奈米結構的 二物二第一熱固性材料前親物舆該第二熱固性 5.如申凊專鄕_帛i項所述之殼㈣奈米 Ξ造第—熱固性材料前驅物包括未聚‘的單 體未又如的春聚體或未交聯的高分子。 18 201024210 rzzy/wu5TWCl 29552-ltwf.doc/n 6.如申料他i項所敎殼_奈米結構的 製造方法，其中该第二熱固性材料前驅物包括未聚合的單 體、未交聯的寡聚體或未交聯的高分子。 7·如申請專職圍第丨項所述之殼核型奈米結構的 製造方法，其中將該奈米粒子分佈於該第一熱固性材料前 驅物上的方法包括喷印、旋轉塗佈或浸泡。 8.如申請專職圍第丨項所述讀核型奈米結構的 製造方法’其巾將該奈米粒子分佈於該第__熱固性材料前 驅物上的方法包括化學鍵結或物理吸附。 9·、如申請專利_第丨項所述之殼核型奈米結構的 製造方法，其中該熱固性材料層的厚度介於丨奈米至 奈米之間。 10. 丨·如申明專利粑目第1項所述之殼核型奈米結構的 製造方法，其中該光源包括雷射或發光二極體的光束。 11· 一種殼核型奈米結構的製造方法，包括： 提供-奈米粒子’該奈米粒子中含有一金屬，其中該 奈米粒子適於將光能轉換為熱能； '、〇x 將該奈米粒子分佈於一基板上； 於該基板上塗佈一熱固性材料前驅物，以覆罢兮齐 粒孑； —/丁一、 將光源照射該奈米粒子以產生熱能，使該奈米粒子 周圜的部分該熱固性材料前驅物固化，以於該奈米粒子上 形成一熱固性材料層；以及 移除該熱固性材料前驅物的未固化部分。 19 201024210 rzzy/uuwiv^Cl 29552-ltwf.doc/n ,12.如申請專利範圍第u項所述之殼核型奈米結構 的製造方法，其中該金屬包括銀、金、銅或其組合，該金 屬具有表面電漿子共振吸收。 13·如申請專利範圍第u項所述之殼核型奈米結構 的製造方法’其中該奈米粒子中更含有一無機物或一有機 物。 14.如申請專利範圍帛11項所述之殼核型奈米結構 的製造方法，其中該熱固性材料前驅物包括未聚合的單 體、未交聯的寡聚體或未交聯的高分子。 ❻ I5·如申請專利範圍帛u項所述之殼核型奈米結構 的製造方法’其中將該奈米粒子分佈於該基板上的方法包 括化學鍵結或物理吸附。 16.如申請專利範圍» Η項所述之殼核型奈米結構 的製造方法，其中該材料層的厚度介於i奈米至1〇〇奈米 之間。 ,17·如申請專利範圍帛u項所述之殼核型奈米結構 的製造方法，其中該光源包括雷射或發光二極體的光束。 Q 18·種设核型奈米結構的製造方法，包括： 提供-奈米粒子，該奈米粒子中含有一金屬，其中該 奈米粒子適於將光能轉換為熱能； 將該奈米粒子與一熱固性材料前驅物混合； 將一光源照射已與該熱固性材料前驅物混合的該奈 米粒子以產生熱能，使該奈米粒子周圍的部分該熱固性材 料前驅物固化’以於該奈米粒子上形成-熱固性材料層； 20 201024210 /uuuiTWCl 29552-1 twf.doc/α 以及 移除該熱固性材料前驅物的未固化部分。 19. 如申請專利範圍第18項所述之殼核型奈米結構 的製造方法，其中該金屬包括銀、金、銅或其組合，該金 屬具有表面電漿子共振吸收。 20. 如申請專利範圍第18項所述之殼核型奈米結構 的製造方法，其中該奈米粒子中更含有一無機物或一有機 物。 21. 如申請專利範圍第18項所述之殼核型奈米結構 的製造方法，其中該熱固性材料前驅物包括未聚合的單 體、未交聯的寡聚體或未交聯的高分子。 22. 如申請專利範圍第18項所述之殼核型奈米結構 的製造方法，其中該材料層的厚度介於1奈米至100奈米 之間。 23. 如申請專利範圍第18項所述之殼核型奈米結構 的製造方法，其中該光源包括雷射或發光二極體的光束。 21
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