201018851 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種能量收集系統，尤其關於一種太陽能收 集系統以及與其相接合之光學透鏡 【先前技術】 第1圖係顯示一傳統發光二極體（Light Emitting Diode ; LED)封裝ι〇，其包含一光學透鏡^、一封裴基座12、以及 一 LED晶粒13。LED封裝10具有一縱軸15，其係通過光學 透鏡11之中心。LED晶粒13係設置於封裝基座12上。封裝 基座12可以具有一杯狀物（未顯示），此杯狀物更可以具有一 反射器（未顯示）以反射自LED晶粒13之底面與侧面發射之 光線，使其朝向觀測者。 光學透鏡11係連接至LED晶粒13以接收並導引來自 LED日日粒13之光線。光學透鏡η具有凹穴μ以容置led曰 m學透鏡11之凹穴14之光線可於二個主要= 2丁進.第一光徑LP1係為光線自LED晶粒13行進至 1102，經過全反射以相對於縱軸15呈接近9〇产 射ί Γίΐ⑽係曰為光線以會在側壁“上^生全反 非垂直於縱軸r5 :::4=壁二== =望 面發光’然而第二丄可==丨 不悅點發^置而言，為避免令觀測者 句色光。卜料望咖封裝輕钱置可以提供均 201018851 【發明内容】 上 ，據本發明之-實補，光電裝置組件包含—光學構件、 土口p、以及-光電裝置。此光電裝置係設置於基座之一表 古Ιί 構件健設絲敍/或光電裝置。此光學構件具 有一喇σ八狀展開部與一基部。此喇π八狀展開部係包含一上乂 ^、-侧表面、以及-下表面。此上表面形成 == 表古面係與上表面連接並相對於-縱軸傾斜，= ^係大，上垂直於基部之-水平表面。此外，侧表面係呈彎 ❷
=較佳地係為-凹面。下表面倾齡面及基部連接 學構件可以輻射對稱於縱軸。 九 依據本發明之# -實關’光學構件係鱗向延伸圭 地，係左右對稱於一通過光學構件之縱面。再者，一透鏡 ^於上表面上。特別地’上表面係為—波紋狀表面。形成於上 j面上之敝之傳遞方向可以平行於此縱向。透鏡之半徑係約 =於50μτη〜60哗。光電裝置較佳地係沿著波紋之傳遞方向g 置。 wifi發—實關’光電裝置崎包含-第一輔助 二=二光學構件’係光科合至此ί二 助月b罝接收器並具有一朝向此第一能量進口之凹口；以及一 電裝置’係光學耦合至此絲構件並接收來自於此第—能量進 口之能量。 於本發明又-實施例中，光電裝置組件包含一第 量接收器’具有-第-級進口以及—具有—外邊界與一内邊界 之第二級進口，及-光電裝置，係光學麵合至此第一辅助能量 接收器；其巾此外邊界對於可被此光錄置触之輻射能係大 體上不可穿透此内邊界對於此輻射能係大體上可穿透。再 者’此内邊界可藉由柄^各個實齡】巾所描述之光學構件被 限定。 於本發明另-實施中’光電裝置組件包含—光電裝置，係 201018851 ，於轉換輻射能為電能；一第一輔助能量接收器，包含一第一 口 LT侧壁、及一内表面；及一光學構件，用以將來自 ^此第-辅助能量接收器之輻射能大體上導引朝向此光 置。 甚者’一第二輔助能量接收器可選擇性地結合或光學耦合 辅魏量接㈣。較佳地’此第二_能量接收器係 擴展，更佳地，係可以自此第一辅助能量接收器分離。
^本發明之再一實施例中，一電子裝置包含一主要單元； 一顯不單元，係與此主要單元相結合；一匣體單元，係可裝入 且移出自此主要單元；及一如前述實施例之光電裝 與此匣體單元相結合。 '' 【實施方式】 第2A圖係例示依據本發明一實施例之光電裝置組件％。 光電裝置組件20包含光學構件21、基座22、及縱軸24。光學 構件21 ’例如一透鏡’係連接至基座22以導引進入其中之光 線。縱軸24可以通過或不通過光學構件21之中心。較佳地， 縱軸24係大體上垂直於基座22之一水平表面。 第2B圖係顯示第2A圖之光電裝置組件2〇之剖面圖。光 電裝置23係設置於基座22之一表面上。光電裝置23包含但 不限於LED晶粒、白熾燈、螢光燈、冷陰極燈管（c〇ld Cath〇de
FlUOTescentLamp ; CCFL)、太陽能電池、以及其他可以發射 或接收光線且可以連接至光學構件21之裝置。 光學構件21可以為一個獨立的零件並藉由各種方式連接 至基座+22，該些方式包含但不限於螺絲固定、扣接、摩擦配 合、接著劑接合、熱接合、以及超音波接合。另一方面，光學 構件21可以藉由許多方式形成於基座22及/或光電裝置23之 上，該些方式包含但不限於射出成形以及鑄造。 光學構件21係由透光材料所構成。透光材料可以為一透 明材料或一非透明材料，且光電裝置23所發出或可吸收之光 5 201018851 可以完全或部份通過此透明材料或此非透明材料。透光材料包 含但不限於丙稀酸樹脂（Acrylic Resin)、環稀烴聚合物 (COC)、聚曱基丙烯酸曱酯（pmma)、聚碳酸酯（Pc)、 聚碳酸酯/聚曱基丙烯酸曱酯（PC/PMMA)、聚醚醯亞胺 (Polyetherimide)、氟碳聚合物（FluorocarbonPolymer)、及 矽膠（Silicone)。透光材料可以被賦予顏色，使光學構件21 之功能如同一濾光器而產生所需之色光。 若光電裝置組件20係設置於環境中充滿折射係數為1之 空亂中，為了產生所需之光場，光學構件21之折射係數需介 於1.4〜1.8。依光電裝置組件20所處或使用之環境之不同，光 © 學構件21之折射係數亦可為上述範圍以外之值。較佳地，光 學構件21與其所處之環境之折射係數之差值係介於0.45〜0.5。 如第2B圖所示，光學構件21包含一喇队狀展開部與一 基部2106。喇队狀展開部包含上表面21〇1，其係於透光材料 上形成一凹口 2105、連接至上表面2101之侧表面2102、以及 連接至側表面2102之下表面2103。基部2106係用以接收來 自光電裝置23之光線，並可以具有一凹穴2107以容置光電裝 ，23。光學構件21係用以導引來自於光電裝置23之大部分 光線使其以大體上垂直於縱軸24之方向或非直接指向觀測者 ❹ 之方向離開光學構件21。再者，為避免於光學構件21上方形 成暗點，來自於光電裝置23之小部分光線可以被導引至大體 上平行於縱軸24之方向或指向觀測者之方向。 凹口 2105係用以形成上表面2101。較佳地’凹口 2105 具有一尖點，其係位於上表面21〇1下沉處，並指向光電裝置 23。縱軸24可以通過或不通過尖點。凹口 21〇5上可以形成反 射材料或反射結構以反射行進至上表面21〇1之光線。反射材 料或反射結構包含但不限於Ag、A1、Cu、Au、Cr、反射塗料、 以及刀散式布拉格反射層（Distribute(j Bragg Reflector ; DBR)。凹口 2105上可以形成一抗紫外光材料以保護裝置中 之零件’特別係對紫外光敏感之零件，防止其因紫外光照射而 201018851 劣化。 上表面2101係設計為一全反射（1^111^1^&11^()11; TIR)表面，用以反射自基部2106進入之光線，並防止其由凹 二2105離開，即使如此，仍可能有部分以特定入射角入射之 光線穿過上表面2101，此特定入射角係隨著光電裝置組件2〇 =整體設計而變。上表面2101可以為一平面或一具有固定半 徑或二個以上半徑之曲面。特別地，此曲面可以具有一可變半 徑，其係隨著上表面2101之彎曲路徑而變。較佳地，遠離凹 口 2105之尖點之半徑係大於靠近尖點之半徑。 側表面2102係連接至上表面2101，並相對於縱軸24傾 斜，用以導引光線至光學構件21之側向，較佳地，用以導引 光線至大約垂直於縱軸24之方向。若侧表面21〇2之法線向量 與縱轴24之夾角約為90度，則有相當高比例穿過侧表面21〇2 之光線將朝下方行進。然而，若側表面21〇2係相對於縱轴24 傾斜一定角度，較佳地，侧表面2102係面朝上，如第2B圖 所不，則朝下方行進之光線將減少。侧表面21〇2可以為一平 面、一粗糙表面、或一曲面。曲面可以為凹面、凸面、或兩者 之組合。凹側表面可以分散穿過此表面之光線，而凸侧表面將 聚集穿過此表面之光線。粗糙表面則可以散射光線。 • 下表面2103係連接至側表面2102以及基部2106。上表 面2101、侧表面2102、以及下表面21〇3於基部21〇6上方形 成喇°八狀展開部。 下表面2103與基部2106間可以形成一凹面21〇4。來自 光電裝置23之光若射向凹面2104可能被反射而朝向凹口21〇5 之區域，因此可以增加經由凹口 2105射出之出光量。若此， 觀測者將不容易觀察到發生於光電裝置組件2〇之光學構件21 之凹口 2105上方之暗點。 基部2106内可以形成一凹穴2107以容置光電裝置23。 凹穴2107之形狀較佳地係形成為圓錐形或角錐形。圓錐或 錐之尖點可以指向凹口 2105之尖點。基部21〇6之台面i〇8 201018851 可以為水平面、曲面、或斜面。光線通過傾斜一定角度之斜面 可能被折射而朝大體上垂直於縱軸24之方向前進。 第2c圖係顯示依據本發明一較佳實施例之光學構件 面圖。為使畫面清晰’第2C圖中部分輪麻線與標號將省略。如第 2C圖所示，光學構件21係假設輻射對稱於縱轴24，且較佳地， 其直徑D約為l〇5mm，局度Η約為14mm。凹口 2105尖點之角 度可以於A1與A2間變化’其中A1是30度而A2是180度，較 佳地’ A1是50度而A2是145度。侧表面2102與縱軸24間之夾 角A3可以於5度〜20度間變化。凹穴21〇7尖點之角度A4可以於 180度内變化，雛地，係介於9〇度〜14〇度。台面21〇8之斜度 A5可以於60度内變化，較佳地’係於1〇度内變化。侧表面21〇2 之半徑R1可以於20mm内變化，較佳地，於1〇mm内變化。凹面 2104之半徑R2可以於lOuun内變化。上述寸 構件21之比例與具體的設計而調整。 了』奴署先于 第2D圖顯示來自基部内之發射點p並穿過光學構件之 ，之光跡圖。光跡L1係自發射點P射向上表面·丨，並因 ϊΐ反改變方向達到下表面施或觸絲齡21，最後於 面施紐姆而水平鱗触學齡2卜光跡L2 ^自，點ρ射出’於凹面2104與上表面21〇1經過兩次全反 表面2102處被折射而水平地離開光學構件2卜 ==自|_ _面雇.並_彳__ 來ΪΓΪϋ之形狀由上視圖觀之可以為橢圓形、圓形、或矩 =。右先予構件21相對於通過光學構件21之中心之縱轴％ == 軸則光學構件21於上細之形狀係二 (bilat^syn^n吻）部分之縱面呈左右對稱 形、圓带、赤拓# u先予構件21於上視®之形狀可以為橢圓 之尖點。"形。此時’縱軸24係位於縱面上並通過凹口 2105 201018851 第3A〜3D圖係顯示依據本發明另一實施例之光學構件 21。於本實施例中，光學構件21之上表面21〇1係形成為一波 紋表面上表面2101之波紋2109可以環繞著縱軸24，如第 3A圖所示，或自凹口 2105之最深處朝外移動，如第3C圖所 示。第3B圖與第3D圖係分別為兩種波紋表面之上視圖。波 紋2109可以由複數個凸透鏡形成。此凸透鏡之半徑可以介於 50μιη〜60μιη °
第4圖係顯示本發明再一實施例之立體圖。本實施例之發 絲置30包含光學構件31、基座32、發光體33、以及縱面 34。光學構件31具有與上述光學構件21相似之剖面。光學構 件31與光學構件21間之差異在於鱗構件31係形成於一縱 向35上並為縱面34所通過。縱向35係垂直於光學構件31之 剖面。縱面34可通過或不通過光學構件31之中心線，較佳地， 係大體上垂直於基座32之一水平面。 第5Α圖係顯示依據發明一實施例之具有波紋狀上表面之 發光裝置之立體圖。第5Β圖係顯示第5Α圖所示之發光裝置 之上視圖。如第5Α圖所示，發光裝置3〇Α具有與第4圖所示 之發光裝置30相似之組成，除了形成於光學構件31Α之上表 面之波紋3109。如第5Β圖所示，波紋31〇9係 向3U0前進。傳遞方向3110係波紋傳遞之方向，較佳 平行或大約平行於縱向35，然而其他方向亦可以被接受。發 光體33可以被設置於光學構件31Α之下，較佳地， 傳遞方向3110配置。 ' 如第6圖所示，依據本發明一實施例之光 件20包含光學構件2卜基座22、光電袭置23裝=: 能量接收器4〇。光學構件^妓座a之詳細說明可參考前 述之實施例。除了如LED與雷射二極體〇aserdiQde)等之發 ,70件之外，本實施例之光電裝£ 23尤可選自如太陽能電池 so cell)與光二極體（ph〇t〇(ji〇de)等之收光元件。 光學構件21係安置於絲料合至第-辅助能量器40。 201018851 第一辅助能董接收器40具有第一能量進口 4001、侧壁4002、 及内表面4003。相較於無封裝之光電裝置23，例如未裝配任 何附加聚光器之太陽能電池，第一辅助能量接收器4〇可提供 光電裝置23較高之能量通量或密度。若光電裝置23可以將輻 射能轉變為電能’第一辅助能量接收器40則可用於收集進入 第一能量進口 4001之輻射能，例如：太陽光、紫外光、紅外 線、可見光、X射線、及γ射線等。
第一辅助能量接收器40之侧壁4002以建構為反向截頭圓 錐體（reversed truncated conical shape)尤佳。換言之，第一能量 進口 4001之截面積大於接收器4〇另一端之截面積。然而，第 二辅助能量接收器40之外型亦可以形成如截頭角錐體或半圓 形。甚者，侧壁4002係與内表面4003結合為複合拋物面反射 器（compound parabolic reflector; CPC )或幂級數聚光器（power series concentrator)。侧壁4002之内表面4〇〇3可任意性地選 擇反射性材料、反射性結構、散射材料或結構、及其組合中至 少其一而形成或與其相結合。反射性材料係例如鋁、銀、銅、 金、鉻、錫、鐵、鎳、錳、鎢、青銅、或其合金或組合。反射 性結構係例如導電性或介電性分佈式布拉格反射器 jd1St=buteciBmgg reflector ; DBR)。散射材料或結構係例如 光子晶體。再者，内表面4003可形成為拋物面、橢圓面、雙 曲面、及冪級數面甲至少其一。 具體而言，光學構件21具有側表面21〇2、凹口 21〇5、及 實施例中，凹口 2105與凹穴2107係分別形 成於光予構件21之相對側。如第2Β與第2F圖所示，凹穴2107 之内谷積了也成為角錐體或半圓形。再者，凹穴21〇7可包含 凸狀輪廓之上表面2110。此凸狀上表面有助 2量進口 _之輕射能聚焦於恰為、靠近、或 域。除此之外’上表面2110之輪廓可形 成為凹狀、平φ、斜面、波紋狀、或上 然光學構件21係配合第-輔助能量接收器=第?圖;， 201018851 本ΐ施例並不限於此。一個預設的間隔物或間隙可以形成 二第一輔助能量接收器40與光學構件21之間。並且，一填充 材料4010可以形成於第一辅助能量接收器4〇與光學構件21 間之部份或全部之自由空間中。形成填充材料 4010之方法包 艾但不限於沉積、塗佈、·、填塞、射出、吸收、附裝、黏 a、配接、及鎖固。填充材料4〇1〇可選自於氣體、液體、及 固體。氣體係例如空氣與惰性氣體。液體係例如水、油與溶劑。 固體，例如氧化物、半導體、金屬、陶瓷、與塑膠。 第7A至第7D圖係例示依據本發明其他數個實施例之數 個光電裝置封裝或組件2(N第7A至第7D圖與第6圖之主要 差異係所採用之光學構件種類。第7A圖之光學構件21A具有 上部211A及下部212A。上部211A之側表面2102A係與第ό 圖之侧表面2102相似或相同。下部212Α係可以與第一辅助 能量接收器40相配合。第7Β圖之光學構件21Β具有之侧表 面2102Β係可以與第一輔助能量接收器4〇之至少一部分完全 地或部分地幾何配接。具體而言，侧表面21〇2Β形成為平滑 輪廓。第7C圖之光學構件21C具有之側表面2102C係呈現内 凹狀態。第7D圖之光學構件21D具有上部211D及下部 212D。上部21Π)係形成為漏斗狀並具有端部21〇2D。端部 2102D可視為侧表面2102之變形或小型化。下部212D與上 部211D係物理性相接。此外，如第$圖所示，光學構件Μ 可選自菲淫耳透鏡（Fresnel lens)、平凸透鏡（扣肪⑴⑶出似 lens，如虛線所示）、雙凸透鏡（biconvexiens :以下未顯示）、 正彎月形透鏡（positive meniscus lens )、負彎月形透鏡（negative meniscus lens )、平凹透鏡（pian〇_c〇ncave )、雙凹透鏡（恤〇加咖 lens)、及全内反射鏡（TIR lens)中之一或其任意組合。並 且，光電裝置23可選擇性地容置於具有上表面211〇之凹穴 2107。上表面2110之輪廓可選擇性地形成為凹狀、平面、斜 面、波紋狀、或上述選擇之任意組合。 如第9A與第9B圖所示’依據本發明再一實施例之光電 11 201018851 包含光電裝置23、第—輔助能量接收器 輔助能Hi雷ΐ學構件50係安置於或光學耗合至第一 一能量進口 _相對之一侧尤佳。第袁 自於係形成為圓錐形或角錐形。圓錐之輪廓可選 :於拋物面、橢圓面、雙曲面、及幂級數面中之一或其任意丄 相古ί9Β结圖列示第一辅助能量接收器40與光學構件5〇之 篦一纽二一辅助能量接收器40之内部空間可虛擬上劃分為 ❿ ί株ϊί: f與第二級進口 _。光學構件5G之大多數 於第二級進口 之内尤佳。換言之，光學構件 50之轉中全無或僅少數係被安排於第—級進口之中。 第一能量進口 4001之輻射能可由第一級進口 4〇2〇下移至 ΐί: _。此外，若輕射能於第一輔助能量接收器40中i 歷ft、折射、散射、與導引中至少其一，輻射能可能會由第 :^口 4G3G上移至第—級進口 4㈣。於某些實施例中，轉 射I甚至能在第一級進口 4020與第二級進口 4〇3()中 者之間來回移動。 第一輔助能量接收器40之内部空間可藉由一内邊界 4040、一外邊界4050、及一上邊界4〇6〇來劃定。内邊界4〇4〇 係被光學構件所限定。外邊界4〇5〇係被側壁4〇所限定，更具 體而§，係被内表面4003或介於光學構件5〇與側壁4〇〇2間 不為輻射能穿透之材質所限定。上邊界4060係被第一能量^ 口 4001之最外層表面所限定。較佳地，對於可被光電裝置幻 吸收之輻射能’内邊界4040係可穿透，而外邊界4〇5〇係不可 穿透。内邊界4040之穿透性取決於光學構件5〇之材料或表面 結構。穿透性之數值表示係約為90%、80%、70%、60%、 50%、40%、30%、20%、10%、5%、或介於 99.99%血 5% 之間。外邊界4050之建構通常係在内邊界4〇4〇之外形成反^ 與散射功能中至少其一。例如前述實施例中所述，外邊界4〇5〇 12 201018851 係藉由形成於内表面4003上方之反射性或散射性之材料或結 構所構成。 甚者，用以說明第9A與第9B圖之實施例之方法論亦可 適用於第6圖、第7A至第7D圖、與第8圖之實施例。形成 光學構件21、21A〜21D、與50之透光材料係包含但不限於玻 璃、壓克力樹脂（acrylic resin)、環稀烴共聚合物(cyclic olefin copolymer ; COC)、聚甲基丙稀酸甲脂（PMMA)、聚碳酸酉旨 (PC)、聚碳酸酯/聚甲基丙烯酸甲脂（PC/PMMA)、聚醚醯 亞胺（Polyetherimide ; PEI)、氟碳聚合物（Polyetherimide ; PEI)、及石夕樹脂（silicone)。
如第10圖所示，本發明之光電裝置封裝或組件20呈現出 接收大角度變化入射光之能力。如數值模擬之結果，以〇。至 50°射入第一能量進口 4001之光線可以有效地被第一輔助能量 接收器40與光學構件50導引至目標之光電裝置23。觀察射 線軌跡’大多數之光線被第一輔助能量接收器4〇所反射，但 卻為光學構件50所反射與折射。 除第一辅助能量接收器40之外，組件20中可再選擇性地 整合一第二辅助能量接收器6〇A。詳述之，第二輔助 器60A係與第一輔助能量接收器4〇光_合，如第UA ^所 ，。較佳地，第二輔助能量接收器6〇A具有複合拋物面反射 Weompound parabolic reflector; CPC)、幂級數聚光器（power C〇ncentrator)、或其二者之功能。並且，第二辅助能量 ，形成為拋物面、橢圓面、雙曲面、及冪級數面中至少其一。 能量接收器6GA之外型以形成為截頭圓錐體尤佳， 然而，亦可以為截頭角錐體或半圓形。 _ Ϊί^ 例二=式第二輔助能量接收器 輔助於IE先子整σ，如第11B圖所不。此伸縮式第二 攜帶與B係可懸，因此，對於伽者而言較易 13 201018851 一種可攜式電子裝置100係如第12圖所示。可攜式電子 裝置100係如膝上型電腦、行動電話、輕省筆記型電腦 (netbook)、音樂播放器、個人數位助理（pDA)、及電子 字典。較佳地，可攜式裝置刚包含主要單元1〇卜顯示單元 。主要單元igi健配有輸入介面、輸 f一者。顯示單元102包含視覺訊息輸出介面，例 .液日日顯不器（LCD)、發光二極體、有機發光一 ❹ 要)單元=述選擇之任意組合。隨單元二= 4〇係安排於e體單元103 、顯示單元丨02、或其ϋ = ί 第-輔助能量接收 ir此rr二輔助能量接自m度元二 單元103之助能量接收器6®亦内建於E想 發明之範圍、實施^ ^說明如上’然其並翻以限制本 明所作之各__%^^=^於本發 201018851 【圖式簡單說明】 Ϊ 傳統之LED封裝。 第2B =顯示本發明之-實施例。 第2C係顯示第2A圖所示之光電裝置組件之剖面圖。 圖。 圖係顯示連接至第2A圖之光電裝置組件之光學構件之剖面 圖係顯示光學構件之一實施例之光跡圖。 。 圖係顯示依據本發明另一實施例之光電裝置組件之下 視圖 第3A糸顯示本發明一實施例之光電裝置組件之剖面圖。 面圖。圖係顯示依據本發明另一實施例之光電裝置組件之剖 =，__第3A圖所示光電裝置組件之上視圖。 jC圖係顯示依據本發明另一實施例之發光裝置之剖面圖。 D圖係顯示第3C圖所示光電裝置組件之上視圖。 a 4圖係顯示本發明又一實施例之立體圖。 第5A圖係顯示本發明又一實施例之立體圖。 第B圖係顯示第5A圖所示之光電裝置組件之上視圖。 第f _顯示依據本發明—實施例之可以接收輻射能之光電 褒置組件或總成之剖面圖。 第7A〜第7D圖係顯示依據本發明實施例之與 接合之光魏置組件或總成之剖面圖。 刊心構件 口、、，第8圖係顯示依據本發明實麵之與菲淫耳透鏡㈤咖以批） 或平凸透鏡（Plano-convexlens)接合之光電裝置組件或總成之 面圖。 心 d 第9A與第QB圖係顯示依據本發明一實施例之與特定光學構 15 201018851 件結合之林裝置組件或總成之剖面圖。 第1係顯不第9八及第％圖之光電裝置組件或總成之光 第11B圖係顯示依據本發明又—實施L附加 '此量接收器相接合之光電裝置組件或總成。 合之係顯示依縣發明實關之與光躲纽件或總成接 J褐式電子裝置。 φ 【主要元件符號說明】 10 發光二極體封裝2110B 上表面 11 光學透鏡 2110C 上表面 1101 表面 2110D 上表面 1102 側壁 211A 上部 12 封裝基座 211D 上部 13 LED晶粒 212A 下部 14 凹穴 212D 下部 15 縱軸 22 基座 20 光電裝置組件 23 光電裝置 21 光學構件 24 縱轴 21A 光學構件 30 發光裝置 21B 光學構件 30A 發光裝置 21C 光學構件 31 光學構件 21D 光學構件 31A 光學構件 2101 上表面 3109 波紋 2102 侧表面 3110 傳遞方向 2102A 側表面 32 基座 16 201018851
2102B 側表面 33 發光體 2102C 侧表面 34 縱面 2102D 端部 35 縱向 2103 下表面 40 第一輔助能量接收 器 2104 凹面 4001 第一能量進口 2105 凹口 4002 侧壁 2105A 凹口 4003 内表面 2105B 凹口 4010 填充材料 2105C 凹口 4020 第一級進口 2105D 凹口 4030 第二級進口 2106 基部 4040 内邊界 2107 凹穴 4050 外邊界 2107A 凹穴 4060 上邊界 2107B 凹穴 50 光學構件 2107C 凹穴 60A 第二輔助能量接收 器 2107D 凹穴 60B 第二輔助能量接收 器 2108 台面 100 可攜式電子裝置 2109 波紋 101 主要單元 2110 上表面 102 顯示單元 2110A 上表面 103 匣體單元 17