TW200952508A - MEMS microphone package and MEMS microphone chip thereof - Google Patents

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Description

.200952508 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種微機電 (Micro-Electro-Mechanical-System, MEMS)麥克風封裝 件’特別是有關於一種微機電麥克風封裝件,其内建有抗 射頻(Radio Frequency Insensitive)微機電麥克風晶片。 【先前技術】 請參閱第1圖,第1圖係一習知微機電麥克風封裝件 ❿ 的示意圖。習知微機電麥克風封裝件包括一基板1〇2、一 金屬帽蓋101固定於基板102上、一微機電麥克風晶片 安裝於基板102上、以及一讀取積體電路晶片(Read〇ut冗
Chip)104亦安裝於基板1〇2上。 金屬帽蓋101具有一聲音入口 1〇6,使微 口 106,
微機電麥克風晶片103以及讀取積體電路晶片ι〇4之 @讀取積體電路晶片 以驅動外部一低阻抗 間以金線(BondingWire)105相連接, 104提供大約12伏特偏壓至振動膜, 的負載。 ' 其中, 孟屬巾S盏101以及基板1 〇2
共同組成一遮蔽裝 克風晶片103不受 FOR08-0013/0958-A41732-TW/Final/ 5 200952508 【發明内容] 頻微機電麥微機電麥克風封裝件,其内建有抗射 射頻干擾,因此此微機電麥克風晶片本身即可避免 本發明需使用金屬帽蓋加以保護。 * Μ機電麥克風晶片包 遮蔽層、一振叙_ 、 等虿基底、一射頻 至-固定電位^以及—背極板。其中,導電基底連接 於該固定電位^遮蔽層由導電基底所支撐,並且連接 ❹間。背極板設置在置在導電基底以及射頻遮蔽層之 I電基叙及射㈣蔽層之間。 其中,導電基底上可設置有開孔。 其中’射頻遮蔽層上可設置有開孔。 板 二基 微機電麥克風晶片係設置在基& 及巾目盖°1 中 並覆蓋微機電麥克中目=疋於基板上, ❹電麥克風晶片能接收外界聲音U一聲曰入口’使微機 =’巾mx黏合方錢接於基板上。 其中 其中 其中 此外 八中,基板可為非導電體。 基板可為銅箱基板、陶究或塑膠。 帽蓋可為非導電體。 帽蓋可為鋼箱基板、陶充或塑膠。 本發明還提供另一種微機電麥 括:可㈣容、—射頻衰減電路、以及一隔=父,包 可變電容係依據一音壓變化而$ 罩,、中 支而產生一訊號。射頻衰減電路 FOR08-0013/0958-A41732-TW/Final/ 6 .200952508 用於過濾該訊號。隔 射,射頻衰減電路可Γ變電容。 或者,射頻衰減電路可器。 此外,本發明還提":浏波器。 包括一基板一如前種微機電麥克風封裝件,其 蓋。其中,微機電麥克風曰:機電麥克風晶片、以及一帽 於基板上,並覆蓋二=在基板上。惰蓋固定
口 j微機電麥克風晶片能接收;:界聲1 目盍具有1音入 ”中,,=黏合方式連接於基二。 ψ基板可為非導電體。 ί中’基板可銅縣板、料或_。 其中,帽蓋可為非導電體。 .其中,帽蓋可為銅箱基板、陶瓷或塑膠。 為使本發明之上述目的、特徵、 能 =特舉較佳實_姐合所關錢詳;顯易懂, 【貫施方式】 =參閱第2圖’第2圖係依據本發明之微機電 子裝件之-貫施例的示意圖,微機電麥克風封 虫 基板202、一帽蓋2〇1固定於基板2〇2上、以及〜^括一 微機電麥克風晶片300設置於基板202上。 抗射頻 帽盍201具有-聲音入口 206,使微機電麥克 300能接收外界聲音,而微機電麥克風晶片3〇〇以及^秦 2〇8之間以金線(Bonding Wire)207相連接。 、 中.蓋201以及基板202共同組成一腔體,可保護微機 FOR08-0013/0958-A41732-TW/Final/ 7 .200952508 電麥克風晶片300免受外來光線、塵粒、濕氣、以及機械 性傷害。此外,為避免腔體有漏音現象,所以利用黏膠將 帽蓋201黏合於基板202上,以消除兩者之間任何縫隙。 在本實施例中,帽蓋201以及基板202係以非導電材料製 成,例如可為FR4(—種銅箔基板)、陶瓷或塑膠等材料。 請參閱第3圖,第3圖係抗射頻微機電麥克風晶片3〇〇 的方塊圖,其包括一偏壓裝置3〇4、一射頻衰減電^⑽卜 一緩衝電路302、一可變電容3〇3、一隔離叫 Cage)306、以及一高阻抗電阻器3〇5,各元件詳述如下: 偏壓裝置304可為電池、升壓器(charge pUnip)、或者 穩壓器(Regulator)’以提供直流偏壓至可變電容3〇3的一 端子321,而可變電容303的另一端子32〇則是連接於射 頻衰減電路301。 。月同時參閱弟4A圖以及第4B圖,可變電容303包括 一撓性的振動膜(Diaphragm)303丨以及一剛性的背極板 (BackPlate)3032,振動膜3031可依據一音壓變化而產生振 動,並且產生一訊號。射頻衰減電路3〇31的作用如同低通 濾波态或者帶拒濾波器,用於濾除在8〇〇MHz_5GHz頻帶 之間的訊號。 電阻器305阻值之階次約在〇1G(歐姆)_1〇〇G(歐姆)之 間,其將節點325連接至一固定參考電位(例如Ac接地)。 緩衝電路302的阻抗較電阻器3〇5的阻抗大約高出十 倍以上,又緩衝電路302的輸出電壓正比於輸入電壓。 可變電容303比較容易受到射頻干擾,因此必須要有 FOR08-0013/0958-A41732-TW/Final/ 8 .200952508 額外的保護機制。在本實施例中’係湘—_罩同 時將可變電容303、偏壓裝置304、射頻衰減電路3〇1、以 及緩衝電路302包圍起來。 請同時參閱第4A圖以及第4B圖,隔離罩3〇6包括_ 射頻遮蔽層3G61以及-導電基底3G62,二者 連接至-固定參考電位。導電基底3G62用於支撐射頻遮敵 層3061以及可變電容3〇3的振動膜3〇31和背極板3⑽2。 藝射頻遮蔽層3061的材質可為金屬、多晶石夕、或者其他導電 材料,並且以半導體製程來製作。在射頻遮蔽層3〇61以及 方極板3032上皆設置有開孔,其中射頻遮蔽層3〇61的開 孔係讓聲音通過而到達振動膜3031,使振動膜3〇31產生 振動,而背極板3032上的開孔則是讓空氣通過,使得振動 膜3031比較容易產生振動。 如前述,微機電麥克風晶片300具有一隔離罩3〇6以 及一射頻衰減電路301,用於避免射頻干擾,因此包圍微 φ 機電麥克風晶片3〇〇的帽蓋201以及基板202可用非導電 材料而製成。換言之,微機電麥克風晶片3〇〇本身即可避 免射頻干擾,因此不需要再使用第1圖的金屬帽蓋1〇6加 以保護’至於本實施例中所使用的帽蓋2〇1以及基板2〇2, 主要還疋用來隔離外來光線、塵粒、濕氣、以及機械性傷 害0 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定 本叙明,任何其所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本 發明之精神和範圍内,當可作任意之更動與潤飾,因此本發明 FOR08-0013/0958-A41732-TW/Final/ 9 .200952508 之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖係習知微機電麥克風封裝件的示意圖。 第2圖係依據本發明之微機電麥克風封裝件之一實施 例的示意圖。 第3圖係第2圖之微機電麥克風封裝件之微機電麥克 風晶片的方塊圖。 第4A圖係依據第3圖之微機電麥克風晶片之可變電阻 ❿ 以及隔離罩之示意圖。 第4B圖係依據第4A圖之微機電麥克風晶片之可變電 阻以及射頻遮蔽層之立體圖。 【主要元件符號說明】 習知技術 101〜帽蓋 102。 -基板 103〜微機電麥克風晶片 104^ 4 賣取積體電路晶片 105〜金線 106- -聲音入口 本發明 201〜帽蓋 202。 。基板 206〜聲音入口 207- "金線 208〜導線 300- 微機電麥克風晶片 301〜射頻衰減電路 302- '緩衝電路 303〜可變電容 304- -偏壓裝置 305〜電阻器 306- -隔離罩 320〜端子 321- J端子 FOR08-0013/0958-A41732-TW/Final/ 10 200952508 325〜節點 3032〜背極板 3 062〜導電基底 3031〜振動膜 3061〜射頻遮蔽層
FOR08-0013/0958-A41732-TW/Final/

Claims (1)

  1. 200952508 十、申請專利範®: 】.:種微機電麥克風晶片,包括: 導電基底’連接至-固定電位; 一射頻遮蔽層,由該導電基底 固定電位; 並且連接於II 二::膜’設置在該導電基底以及 月極板’設置在該導電基底以及=㈣之間, 2. 如申請專利範圍第:射頻遮蔽層之間。 其中該導電基底上設置有開孔/ M機電麥克風晶月, 3. 如申叫專利範圍第j項所述之微 其中該射頻遮蔽層上設置有開孔^ 冑麥克風晶月, 4. 一種微機電麥克風封裝件,包括: 一基板; 晶片, 一如申請專利範圍第 設置在該基板上; 1項所述之微機 -帽蓋,較於該基板上,並覆蓋 ❿片’該帽蓋具有一聲音入口,使該微機電=風晶 收外界聲音 接 5. 如申請專利範圍第4項所述之微機電 件,其中該帽蓋係黏合於該基板上。 夕兑風封裝 6. 如申請專利範圍第4項所述之微機 件’其中該基板為非導電體。 参克風封裝 7. 如申请專利範圍苐6項所述之微機電來 件’其中該基板為銅箱基板、陶究或塑膠。… 克八封裝 FOR08-0013/0958-A41732-TW/Final/ .200952508 8. 如申請專利範圍第4項所述之微機電麥克風封裝 件,其中該帽蓋為非導電體。 9. 如申請專利範圍第8項所述之微機電麥克風封裝 件,其中該帽蓋為銅箔基板、陶瓷或塑膠。 10. —種微機電麥克風晶片,包括: 一可變電容,依據一音壓變化而產生一訊號; 一射頻衰減電路,過濾該訊號; 一隔離罩,包圍該可變電容。 ® 11.如申請專利範圍第10項所述之微機電麥克風晶 片,其中該射頻衰減電路為一低通濾波器。 12. 如申請專利範圍第10項所述之微機電麥克風晶 片,其中該射頻衰減電路為一帶拒濾波器。 13. —種微機電麥克風封裝件,包括: 一基板; 一如申請專利範圍第7項所述之微機電麥克風晶片, 設置在該基板上; ® 一帽蓋,固定於該基板上,並覆蓋該微機電麥克風晶 片,該帽蓋具有一聲音入口,使該微機電麥克風晶片能接 收外界聲音。 14. 如申請專利範圍第13項所述之微機電麥克風封裝 件,其中該帽蓋係黏合於該基板上。 15. 如申請專利範圍第13項所述之微機電麥克風封裝 件’其中該基板為非導電體。 16·如申請專利範圍第15項所述之微機電麥克風封裝 FOR08-0013/0958-A41732-TW/Finay 13 200952508 件,其中該基板為銅箔基板、陶瓷或塑膠。 17. 如申請專利範圍第13項所述之微機電麥克風封裝 件,其中該帽蓋為非導電體。 18. 如申請專利範圍第17項所述之微機電麥克風封裝 件,其中該帽蓋為銅箔基板、陶瓷或塑膠。
    FOR08-0013/0958-A41732-TW/Final/ 14
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101959107A (zh) * 2010-04-19 2011-01-26 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风
US8948420B2 (en) 2011-08-02 2015-02-03 Robert Bosch Gmbh MEMS microphone
US9300259B2 (en) * 2012-04-04 2016-03-29 Ams Ag Sensor amplifier arrangement and method for amplification of a sensor signal
US10211792B2 (en) 2012-04-04 2019-02-19 Ams Ag Sensor amplifier arrangement and method of amplifying a sensor signal
US20140291783A1 (en) * 2013-03-21 2014-10-02 Knowles Electronics, Llc Cover for a mems microphone
US10154330B2 (en) 2013-07-03 2018-12-11 Harman International Industries, Incorporated Gradient micro-electro-mechanical systems (MEMS) microphone
US9955246B2 (en) * 2014-07-03 2018-04-24 Harman International Industries, Incorporated Gradient micro-electro-mechanical systems (MEMS) microphone with varying height assemblies
US20160037245A1 (en) * 2014-07-29 2016-02-04 Knowles Electronics, Llc Discrete MEMS Including Sensor Device
DE102014221037A1 (de) * 2014-10-16 2016-04-21 Robert Bosch Gmbh MEMS-Mikrofonbauelement
US10469956B2 (en) * 2017-03-21 2019-11-05 Cirrus Logic, Inc MEMS transducer package

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6366678B1 (en) * 1999-01-07 2002-04-02 Sarnoff Corporation Microphone assembly for hearing aid with JFET flip-chip buffer
SG131039A1 (en) * 2005-09-14 2007-04-26 Bse Co Ltd Condenser microphone and packaging method for the same

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