TW200810532A - Exposure-adjusting method and the structure suitable for different image-capturing devices - Google Patents

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TW200810532A TW95129855A TW95129855A TW200810532A TW 200810532 A TW200810532 A TW 200810532A TW 95129855 A TW95129855 A TW 95129855A TW 95129855 A TW95129855 A TW 95129855A TW 200810532 A TW200810532 A TW 200810532A
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Hao-Chun Chung
Ping-Heng Lin
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200810532 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 方法支援多種影像 ,^/、、、、°構尤扣一種數位影像產品採用一小容量的唯許 谷己憶體來製作—主要暖亦你、&主 ^ °貝 元件時III 當製造端更換新的感光 A,則利用—小容量的記憶體來儲存必須更新之參 數位要曝光狀態表索引該更新參數,以獲得正確 數位衫像曝光調整參數。 ^ 【先前技術】 元件=Γ:=:Γ來突飛猛進,且電子感光 生,兴m 用數位影像的產品紛紛的誕 ^凡數位相機、數位攝影像及視訊攝影機(pcc⑽ 荨’稭由該些數位影傻產口的在, · · · 影像以激办+Γ 存传以將動態或靜態的 哭像讀位d㈣方式做—儲存,並可藉 二如^電腦榮幕、電視)加以顯示,因具有上述之特t 又=費者所喜愛,而成為市場電子產品之新寵兒。 不影像產品具有自動調整的特性,使用者幾乎 整自行調整’但是有些數位影像產品調 產扣之自動曝光值的調整,當該調整不適 ^ 制,乃士入;:t 數值影像處理曝光的機 传;建立—曝光狀態表之機制,如圖—所示, 係為自動曝光機制藉由曝光狀態表: 數位影像後段處理1C (積體電…針感::; 200810532 (如:電荷耦合元件(CCD )、互補式金屬氧化半導體 (CMOS) ···等)已擷取儲存之影像,再根據該影像之亮度 參數決定是否要變更亮度設定,以及狀態之跳動距離來快 速達到自動調整曝光的效果。 於數位影像產品之製造階段(例如:PC Camera)而言, 常常會因置入不同廠商所提供之感光元件,而需要建立起 不同的曝光狀態表,習知的做法為將所有不同數量的曝光 狀態表(數個至數十個)全部製作於一大容量之唯讀記憶 體中(ROM),以應付不同的感光元件需要,但是此種做法 具有下列之缺失: (1 )大容量之唯讀記憶體成本較高,採用時會增加數 位影像產品之成本。 (2)若開發出新的感光元件,而必須應用於數位影像 產品中時,必須修改大容量之唯讀記憶體内部資 料,不但耗費時間,且製造成本亦大幅增加。 因為習知之結構及做法,將消耗諸多的製造成本,不 利於市場競爭力,故本發明提供一種可降低更換感光元件 時,其曝光狀態表不需做大幅之更動,於硬體變動及設計 上做一簡化,同時可降低生產成本之結構者。 【發明内容】 基於解決以上所述習知技藝的缺失,本發明為一種可 支援多種影像擷取元件調整曝光方法與結構,本發明之主 要目的為將數位影像產品採用一小容量的記憶體來製作一 主要曝光狀態表,當製造端更換新的感光元件時,則利用 6 200810532 一小容量的記憶體來儲存必須更新之參數,再利用主要曝 光狀悲表索引該更新參數’以獲得正魏位影像曝光調整 參數’而該小容量的記憶體與傳統大型唯讀記憶體相較, 具有成本較低之優勢(約為其十分之—價格),如此便可 使製造成本大幅降低’同時獲得精確自動曝光值之優點。 為進-步對本發明有更深入的說明,乃藉由以 下圖示、圖號說明及發明詳細說明,冀能對 查委員於審查工作有所助益。 、 【實施方式】 ⑵SWF狀圖式說明本發明之詳細 關係,以利於貴審委做一瞭解。 ,、建、、° 大二7::爍現象對於數位影像㈣ 攝影機、電腦攝影機(PCC ^數位 扞勤帝站、蓮^ LCamera)、個人數位助理(pda)、 :"己型電腦及其他可播放數位影像之電子產口 室内光源係泛指曰光燈及鶴絲 : :也的電源頻率幾乎皆為50Hz、60Hz其中口 := 者電源之波形的週期為1/50或 期= 室内光源的閃爍週期,周t而°亥波也週期決定 源可能會造成被拍攝物呈明=内影像時,閃燦的光 不美觀及不良之數:!:二暗不同之區域繼 (例如:電荷轉合元:二此採用不同的影像感光元件 (_))時,亦互補式金屬氧化半導體 得正確的電子影像^心_至内光源之特性,才可獲 200810532 Μ 方塊木構不意圖,其係包括 恶表卜-小容量的記憶體2及 =先狀 ,係為利用一小容量的記,二::主要= 二當製造端更換新的感光元件 == 憶體2來儲存必須更新之參 ^丨、奋里的吕己 儲存更新之來數,僅/Ν谷I的記憶體2所 >数僅為主要曝光狀態表】之一 主要曝光狀態表1索引該更新來數 光古周敕失教,獲于確數位影像曝 =二體2與傳統大型唯讀記憶體 "乂 〃彳成本較低之優冑(約為其 =可使製造成本大幅降低,同時獲得精確自= 請參_三所示’係為圖二之較為詳細實 τ要曝=態:1:部係具有-影像脈波頻率 Tl:=:格式率之參數(Frame㈣, =包括有影像播放速率(FPS)㈤秒)及影像畫數增 :㈣之芩數。而小容量的記憶體2内部亦具有一曝光 =間及—格式率之參數,如錢可洲主要曝光狀態j 索引錢新减’以獲得正確數位影像曝光調整參數。 ^綜上所述,本發明之結構特徵及各實施例皆已 羊、、’田揭示而可充分喊示出本發明案在目的及功效 上均^富實施之進步性,極具產業之利用價值,且 為目前市面上前所未見之運用,依專利法之精神所 述,本龟明案完全符合發明專利之要件。 唯以上所述者,僅為本發明之較佳實施例而 200810532 已,當不能以之限定本發明所實施之範圍,即大凡 依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾,皆 應仍屬於本發明專利涵蓋之範圍内,謹請 貴審查 委員明鑑,並祈惠准,是所至禱。 【圖式簡單說明】 圖一係為自動曝光機制藉由曝光狀態表施行之示意圖 圖二係為本發明數位影像產品自動曝光所應用之功能方塊 架構不意圖 圖三係為圖二之較為詳細貫施圖 【主要元件符號說明】 1〜主要曝光狀態表 2〜小容量的記憶體 3〜感光元件

Claims (2)

  1. 200810532 十、申請專利範圍: 1· 一種可支援多種影㈣取元件婦曝光方法,其係將數 位J像產品採用一小容量的記憶體來製作一主要曝光 狀心表’田衣造端更換新的感光元件時,則利用一小容 ==憶體來儲存必須更新之參數,再主要曝光狀 f表索引較尋數,轉得正確触影像Μ調整參 而及]今里的δ己憶體與傳統大型唯讀記憶體相較, =成本較低之優勢,如此便可使製造成本大幅降低, 同日寸獲得精確自動曝光值之優點。 2. ==圍Ϊ1項所述之可支援多種影像操取元件 奴正+、法,/、中小容量的記憶體所儲存更新之參 婁,僅為主要曝光狀態表之一部份。
  2. 3. SIT範圍第1項所述之可支援多種影像擷取 法,其中該感光元件係為電荷耦合元件及互 補式金屬氧化半導體之其中一者。 4· Hit範圍第1項所述之可支援多種影像擷取元件 。正* "法,其中主要曝光狀態表内 脈波頻率及一格式率之泉數。 、百☆像 項所述之可支援多種影像操取元件 速^巾貞//)’其中該格式率參數更係包括有影像播放 、率(幀/心)及影像晝數增益之參數。 .範圍第1項所述之可支援多種影像擷取元件 二正"光方法,其中小容量的記憶體内部係具有—暖井 時間及一格式率之參數。 、百曝先 .如申凊專利範圍第丨項所述之可支援多種影像掏取元件 10 200810532 調整曝光方法,其中該數位影像產品係包括有:數位相 機、數位攝影機、電腦攝影機、個人數位助理、行動電 話、筆記型電腦及其他可播放數位影像之電子產品者。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI506591B (zh) * 2012-05-31 2015-11-01 Altek Corp 產生有目標曝光值的影像的方法與影像處理裝置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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