TARIFNAME YOGUNLUKLARI FARLI SIVILAR VASITASIYLA ELEKTRIK ÜRETEN VERIMLIGI ARTTIRILMIS BIR SISTEM TEKNIK ALAN Bulus, bir yüksek yogunluklu sivi ile bir düsük yogunluklu sividan elektrik üretmek için bir sistem ile ilgilidir. ÖNCEKI TEKNIK Iki sivinin yogunluk farkindan enerji üretilmesi teknikte bilinmektedir. Bir çok yogun ve bir az yogun sivi basinç geciktiricili membranlar vasitasiyla ayrilmakta ve çok yogun sividan az yogun siviya çözücü geçici gerçekleserek az yogun sivinin basincinin arttirilmasi ve bu artan basinç ile enerji üretilmesi saglanmaktadir. Ancak, bunun için türbin, pompa gibi hareketli parçalara ihtiyaç duyulmakta, bu da kurulum ve bakim maliyetlerini arttirmaktadir. basinç geciktirili membran vasitasiyla ayrilan deniz suyu ve temiz sudan, temiz suyun basinci arttirilarak türbin vasitasiyla elektrik üretilmesini saglayan bir sistemden bahsedilmektedir. Yukarida bahsedilen dezavantajlar bu sistem için de geçerlidir. US4171409A numarali basvuruda da ters elektrodiyaliz yöntemi ile birbirinden farkli yogunluktaki iki sivinin iyon seçici membranlar vasitasiyla birbirlerinden ayrilip, iyon geçisi saglanmasiyla birlikte elektrotlar sayesinde iyon geçisinin sebep oldugu yük farkindan elektrik üretilmektedir. Bu sistemdeki sivilarin da pompalar vasitasiyla sürekli olarak hareket ettirilmesi gerekmektedir. Pompalarin hareketli parçalari hem gürültüye sebep olmakta hem de hareketsiz parçalara göre daha hizli yipranarak kurulum ve bakim maliyetlerini arttirmaktadir. Ayrica üretilen elektrigin bir kisminin pompalara harcanmasi gerekmektedir. Sonuç olarak, yukarida bahsedilen tüm sorunlar, ilgili teknik alanda bir yenilik yapmayi zorunlu hale getirmistir. BULUSUN KISA AÇIKLAMASI Mevcut bulus yukarida bahsedilen dezavantajlari ortadan kaldirmak ve ilgili teknik alana yeni avantajlar getirmek üzere, elektrik üretmek için bir sistem ile ilgilidir. Bulusun bir amaci, yogunlugu farkli sivilar araciligi ile elektrik üretilmesini saglayan ve bunu yaparken daha az enerji tüketen bir sistem ortaya koymaktir. Bulusun diger bir amaci hareketli parçalara ihtiyaç duymadan yogunlugu birbirinden farkli sivilari kullanarak elektrik üretilmesini saglayan ortaya koymaktir. Yukarida bahsedilen ve asagidaki detayli anlatimdan ortaya çikacak tüm amaçlari gerçeklestirmek üzere mevcut bulus. Bir yüksek yogunluklu sivi ile bir düsük yogunluklu sividan elektrik üretmek için bir sistemdir. Buna göre bahsedilen yüksek yogunluklu sivinin giris olarak alinmasi için bir birinci girise sahip bir birinci sivi haznesini içermesi; bahsedilen birinci sivi haznesi içerisinde saglanmis bir birinci tahrik haznesini içermesi; bahsedilen birinci tahrik haznesinin yüksek yogunluklu sividan birinci tahrik haznesine iyon geçisi yapmasini saglamak için zit kutuplu en az iki iyon seçici membran ve yüksek yogunluklu sividan birinci tahrik haznesinde yogunlugu artan siviya çözücü geçisi saglamak için en az bir basinç geciktirmeli osmoz membranina sahip en az bir geçirgen duvari içermesi; birinci tahrik haznesine hidrolik olarak bagli bir tahrik ucu, bahsedilen tahrik ucundaki sivinin basinci arttiginda emis saglayan ve birinci sivi haznesine hidrolik olarak bagli bir emis ucunu ve emis ucundan alinan sivi ile tahrik ucundan alinan sivinin basinç kazanarak çikmasi için bir püskürtme ucunu içeren ventüri tipinde bir birinci ejektörü içermesi; bahsedilen birinci ejektör ile baglantili olan ve bir birinci çikis sahip bir birinci sivi kanalini içermesi; bahsedilen düsük yogunluklu sivinin giris olarak alinmasi için bir ikinci girise sahip bir ikinci sivi haznesini içermesi; bahsedilen ikinci sivi haznesinde saglanmis bir ikinci tahrik haznesini içermesi; bahsedilen ikinci tahrik haznesinin düsük yogunluklu sividan ikinci tahrik haznesine iyon geçisi yapmasini saglamak için en az bir iyon seçici membran ve düsük yogunluklu sividan ikinci tahrik haznesinde yogunlugu artan siviya çözücü geçisi saglamak için en az bir basinç geciktirmeli osmoz membranina sahip en az bir geçirgen duvari içermesi; ikinci tahrik haznesine hidrolik olarak bagli bir tahrik ucu, bahsedilen tahrik ucundaki sivinin basinci arttiginda emis saglayan ve ikinci sivi haznesine hidrolik olarak bagli bir emis ucunu ve emis ucundan alinan sivi ile tahrik ucundan alinan sivinin basinç kazanarak çikmasi için bir püskürtme ucunu içeren ventüri tipinde bir ikinci ejektörü içermesi; bahsedilen ikinci ejektörün püskürtme ucunun bir ikinci çikisa bagli olmasi; geçirgen duvarlarin sebep oldugu yük farkliligini elektrige dönüstürmek için birinci hazne ve ikinci hazneden en az birinde saglanmis en az iki elektrotu içermesidir. Böylece hareketli parçalara gereksinim duymadan ve sivilari hareket ettiren yapilarin ek enerji ihtiyaci duymadan elektrik üretilmesi saglanmaktadir. Bulusun mümkün bir yapilanmasinin özelligi, birinci sivi kanali ile ikinci sivi haznesi arasinda saglanmis zit kutuplu en az iki iyon seçici membran ve en az bir basinç geciktirmeli membrani içeren en az bir geçirgen duvari içermesidir. Bulusun mümkün bir diger yapilanmasinin özelligi, birinci sivi kanali ile ikinci sivi haznesi arasinda saglanmis en az iki geçirgen duvari içermesi, geçirgen duvarlarin iyon seçici membranlarinin birbirine göre zit kutuplu iyonlarin geçmesine izin verecek sekilde konfigüre edilmis olmasidir. Bulusun mümkün bir diger yapilanmasinin özelligi, birinci sivi kanalinin en azindan bir kisminin ikinci sivi haznesi içerisinden geçecek sekilde konfigüre edilmis olmasidir. Bulusun mümkün bir diger yapilanmasinin özelligi, birinci tahrik haznesinin iki geçirgen duvari içermesi ve geçirgen duvarlarin iyon seçici membranlarinin birbirine göre zit kutuplu iyonlarin geçmesine izin verecek sekilde konfigüre edilmis olmasidir. Bulusun mümkün bir diger yapilanmasinin özelligi, bahsedilen elektrotlardan en az ikisinin zit yüklü iyon seçici membranlarin sebep oldugu iyon degisiminden elektrik üretilmesini saglamak için birinci sivi haznesinin içerisinde iyon seçici membranlar karsisinda saglanmis olmasidir. Bulusun mümkün bir diger yapilanmasinin özelligi, elektrotlardan en az birinin birinci sivi haznesi ve ikinci sivi haznesinin arasinda her iki sivi haznesindeki siviya temas edecek sekilde saglanmis olmasidir. Bulusun mümkün bir diger yapilanmasinin özelligi, ikinci tahrik haznesinin iki geçirgen duvari içermesi ve geçirgen duvarlarin iyon seçici membranlarinin birbirine göre zit kutuplu iyonlarin geçmesine izin verecek sekilde konfigüre edilmis olmasidir. Bulusun mümkün bir diger yapilanmasinin özelligi, bahsedilen elektrotlardan en az ikisinin zit yüklü iyon seçici membranlarin sebep oldugu iyon degisiminden elektrik üretilmesini saglamak için ikinci sivi haznesinin içerisinde iyon seçici membranlar karsisinda saglanmis olmasidir. Bulusun mümkün bir diger yapilanmasinin özelligi, iyon seçici membranlar ile sivilar arasinda saglanmis iyon seçici membran destegini içermesidir. Bulusun mümkün bir diger yapilanmasinin özelligi, geçirgen duvarlarin iyon seçici membran ve basinç geciktiricili osmoz membranlarinin sabitlenmesi için membran yuvalarini içermesidir. Bulusun mümkün bir diger yapilanmasinin özelligi, elektrotlardaki gerilim farkini elektrige dönüstürmek için bir enerji üretim birimini içermesidir. SEKILIN KISA AÇIKLAMASI Sekil 1' de sistemin temsili bir görünümü verilmistir. Sekil 2' de geçici duvarin daha detayli temsili bir görünümü verilmistir. BULUSUN DETAYLI AÇIKLAMASI Bu detayli açiklamada bulus konusu, sadece konunun daha iyi anlasilmasina yönelik hiçbir sinirlayici etki olusturmayacak örneklerle açiklanmaktadir. Bulus, esasen yogunluklari birbirinden farkli bir yüksek yogunluklu ve bir düsük yogunluklu sivinin yogunluk farkini kullanarak elektrik üretilmesini saglayan, bunu yaparken hareketli bilesenler kullanmayan ve tükettigi enerji miktarinin azaltildigi bir sistem (10) ile ilgilidir. Sekil 1'e atfen sistem (10), yüksek yogunluklu siviyi bir birinci girisinden (101) almak için bir birinci sivi haznesini (100) içermektedir. Bahsedilen birinci sivi haznesi (100) içerisinde bir birinci tahrik haznesini (110) barindirmaktadir. Bahsedilen birinci tahrik haznesi (110), birinci tahrik haznesinin (110) yüksek yogunluklu sividan birinci tahrik haznesine (110) iyon geçisi yapmasini saglamak için en az bir iyon seçici membran (310) ve yüksek yogunluklu sividan birinci tahrik haznesinde (110) yogunlugu artan siviya çözücü geçisi saglamak için en az bir basinç geciktirmeli osmoz membranina (320) sahip en az bir geçirgen duvari (300) içermektedir. Iyon seçici membran (310) teknikte bilindigi üzere bir polaritedeki iyonlarin çok oldugu taraftan az oldugu tarafa geçmesini saglamaktadir. Örnegin, pozitif seçici membran pozitif iyonlarin çok oldugu taraftan az oldugu tarafa, iyonlar esitlenene kadar geçmesini saglamaktadir. Teknikte ters elektrodiyaliz sistemlerinde kullanilmaktadir. Basinç geciktirmeli osmoz membran (320) ise yogunlugu az olan sividan yogunlugu çok olan siviya çözücü geçisini saglamaktadir. Örnegin, deniz suyu ve tatli su bir basinç geciktirmeli osmoz membran (320) ile ayrildiginda deniz suyundan tatli suya su geçisi olmakta, tatli suyun yüksekligi artmakta, sabit hacimde muhafaza ediliyorsa da basinci artmaktadir. Bulusun mümkün bir yapilanmasinda birinci tahrik haznesi (110) en az iki geçirgen duvari (300) içermektedir. Geçirgen duvarlardan (300) birinin iyon seçici membrani (310) digerinin iyon seçici membranina (310) göre zit kutuplu iyonlarin geçisine izin verecek sekilde seçilmistir. Birinci tahrik haznesindeki (110) siviya, yüksek yogunluklu sividan iyon seçici membranlar (310) vasitasiyla iyon geçisi olmaktadir. Iyon geçisi oldugu için yogunlasan siviya bu kez basinç geciktirmeli membranlar vasitasiyla çözücü geçisi olmakta ve birinci tahrik haznesindeki (110) sivinin basinci artmaktadir. Birinci sivi haznesi (100) ventüri tipinde bir birinci ejektörü (120) içermektedir. Birinci ejektör (120), birinci tahrik haznesine (110) bagli bir tahrik ucunu (T), tahrik ucundan (T) basinçli su geldiginde emis saglayan ve birinci sivi haznesine (100) açilan bir emis ucunu (E), tahrik ucundan (T) basinçli sivi geldiginde emis ucundaki (E) siviyi da emerek basinçli siviyla birlikte tahliye eden bir püskürtme ucuna (P) sahiptir. Püskürtme ucu (P) bir birinci sivi kanalina (130) baglanmaktadir. Birinci sivi kanali (130) bir birinci çikistan (131) yüksek yogunluklu sivinin tahliye olmasini saglamaktadir. Birinci sivi haznesi (100), iyon seçici membranlar (310) civarinda saglanmis elektrotlari (400) içermektedir. Bu elektrotlar (400) iyon seçici membranlarin (310) yüksek yogunluklu sivinin iyon dengesini degistirmesinden kaynaklanan gerilim farkinin elektrige dönüstürülmesini saglamaktadir. Elektrotlar (400) birinci sivi haznesi (100) içerisinde iyon seçici membranlarin (310) karsisinda konumlanmaktadir. Bir enerji üretim birimi (500), elektrotlarla (400) iliskilidir. Enerji üretim birimi (500). elde edilen akimin dogrultulmasini ve çesitli islemlerden geçirilmesini saglayan bilesenleri içerebilmektedir. Sistem, düsük yogunluklu siviyi bir ikinci girisinden (201) almak için bir ikinci sivi haznesini (200) içermektedir. Bahsedilen ikinci sivi haznesi (200) içerisinde bir ikinci tahrik haznesini (210) barindirmaktadir. Bahsedilen ikinci tahrik haznesi (210), ikinci tahrik haznesinin (210) düsük yogunluklu sividan birinci tahrik haznesindeki (110) siviya iyon geçisi yapmasini saglamak için en az bir iyon seçici membran (310) ve düsük yogunluklu sividan birinci tahrik haznesinde (110) yogunlugu artan siviya çözücü geçisi saglamak için en az bir basinç geciktirmeli osmoz membranina (320) sahip en az bir geçirgen duvari (300) içermektedir. Bulusun mümkün bir yapilanmasinda ikinci tahrik haznesi (210) en az iki geçirgen duvari (300) içermektedir. Geçirgen duvarlardan (300) birinin iyon seçici membrani (310) digerinin iyon seçici membranina (310) göre zit kutuplu iyonlarin geçisine izin verecek sekilde seçilmistir. Ikinci tahrik haznesindeki (210) siviya, düsük yogunluklu sividan iyon seçici membranlar (310) vasitasiyla iyon geçisi olmaktadir. Iyon geçisi oldugu için yogunlasan siviya bu kez basinç geciktirmeli membranlar vasitasiyla çözücü geçisi olmakta ve ikinci tahrik haznesindeki (210) sivinin basinci artmaktadir. Ikinci sivi haznesi (200) ventüri tipinde bir ikinci ejektörü (220) içermektedir. Ikinci ejektör (220), ikinci tahrik haznesine (210) bagli bir tahrik ucunu (T), tahrik ucundan (T) basinçli su geldiginde emis saglayan ve ikinci sivi haznesine (200) açilan bir emis ucunu (E), tahrik ucundan (T) basinçli sivi geldiginde emis ucundaki (E) siviyi da emerek basinçli siviyla birlikte tahliye eden bir püskürtme ucuna (P) sahiptir. Püskürtme ucu (P) bir ikinci çikis (231) vasitasiyla sivinin tahliyesini saglamaktadir. Ikinci sivi haznesi (200), iyon seçici membranlar (310) civarinda saglanmis elektrotlari (400) içermektedir. Bu elektrotlar (400) iyon seçici membranlarin (310) yüksek yogunluklu sivinin iyon dengesini degistirmesinden kaynaklanan gerilim farkinin elektrige dönüstürülmesini saglamaktadir. Elektrotlar (400), ikinci sivi haznesi (200) içerisinde iyon seçici membranlarin (310) karsisinda konumlanmaktadir. Bulusun mümkün bir yapilanmasinda birinci sivi kanali (130), ikinci sivi haznesi (200) içerisinden geçmektedir. Birinci sivi kanali (130) en az bir geçirgen duvari (300) içermektedir. Geçirgen duvarlardan (300) birinin iyon seçici membrani (310) digerinin iyon seçici membranina (310) göre zit kutuplu iyonlarin geçisine izin verecek sekilde seçilmistir. Ikinci sivi haznesine (200) birinci sivi kanalindan (130) duvarlar vasitasiyla iyon ve çözücü geçisi gerçeklesmektedir. Böylelikle ikinci sivinin basinci ve iyon miktari da artmaktadir. Ikinci tahrik haznesinin (210) ikinci ejektöre (220) daha fazla basinç uygulamasi saglanmaktadir. Bulusun mümkün bir yapilanmasinda ikinci sivi haznesindeki (200) elektrotlardan (400) biri birinci sivi kanali (130) ile ikinci tahrik haznesi (210) arasinda saglanmistir. Birinci sivi haznesindeki (100) elektrotlardan (400) biri de hem birinci sivi haznesindeki (100) siviya hem de ikinci sivi haznesindeki (200) siviya temas edecek sekilde ortak bir duvarda saglanmistir. Bulusun koruma kapsami ekte verilen istemlerde belirtilmis olup kesinlikle bu detayli anlatimda örnekleme amaciyla anlatilanlarla sinirli tutulamaz. Zira teknikte uzman bir kisinin, bulusun ana temasindan ayrilmadan yukarida anlatilanlar isiginda benzer yapilanmalar ortaya koyabilecegi açiktir. TR TR TR