Claims (35)
1. วิธีการซึ่งประกอบรวมด้วย; (a) การจัดหาให้เกิดแถวของแท่งนาโนบนสาร, อย่างเลือกได้ (b) การแทรกซึมของแถว กับชั้นซึ่งเสียสละ, (c) การแทรกซึมของแถวกับชั้นของเมตริกซ์, โดยวิธีนั้น จะผลิตแถวที่ถูกแทรกซึม อย่างเลือกได้ (d) การขจัดของชั้นซึ่งเสียสละโดยปราศจากการขจัดของชั้นของเมตริกซ์, เมื่อขั้นตอน (b) จะมีอยู่, และ (e) การขจัดของแถวที่ถูกแทรกซึมจากสารเพื่อสร้างรูปร่างเป็นแผ่นฟิล์มนิ่งอิสระ, ที่ซึ่ง ชั้นของเมตริกซ์จะมีพื้นผิวซึ่งต่อต้าน, และแท่งนาโนจะถูกปรับตัวเพื่อผ่านไปตามชั้นของเมตริกซ์ และจะยื่นออกของระยะเฉลี่ยของ อย่างน้อยที่สุด 1 ไมโครเมตร ผ่านหนึ่งหรือทั้งสองของพื้นผิว ซึ่งต่อต้านของชั้นของเมตริกซ์1. The methods are comprised of: (a) selective provision of rows of nanorods onto the material; (b) interpolation of the rows to the sacrificial layer; (c) interpolation of the rows to the matrix layer, thereby producing selectively interpolated rows; (d) removal of the sacrificial layer without removal of the matrix layer, where step (b) is present; and (e) removal of the interpolated rows from the material to form a free-standing film, in which the matrix layer has a resistive surface, and the nanorods are oriented to pass through the matrix layer and extend an average distance of at least 1 μm through one or both of the resistive surfaces of the matrix layer.
2. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง ขั้นตอน (d) จะมีอยู่และวิธีการจะประกอบรวม ต่อไปด้วยการแทรกซึ่งของแถวด้วยชั้นของเมตริกซ์ลำดับที่สองก่อน, ในระหว่างหรือหลังจาก, ขั้นตอน (d)2. The method of claim 1, where step (d) exists and the method is assembled by inserting a row with the second matrix layer before, during, or after, step (d).
3. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง แท่งนาโนจะยื่นออกของระยะซึ่งมีช่วงจาก 1 ไมโครเมตร ถึง 0.8 มิลลิเมตร ผ่านหนึ่งหรือทั้งสองของพื้นผิวตรงกันข้าม3. Method of Claim 1, in which nanorods of a length ranging from 1 micrometer to 0.8 millimeters are extended through one or both of opposing surfaces.
4. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง แถวจะมีความหนาแน่นซึ่งมีช่วงจาก 0.1 vol% ถึง 50 vol%4. Method of Claim 1, where row densities range from 0.1 vol% to 50 vol%.
5. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง แท่งนาโนจะมีความสูงเฉลี่ยซึ่งมีช่วงจาก 5 ถึง 500 ไมโครเมตร5. Method of Claim 1, where nanorods have an average height ranging from 5 to 500 micrometers.
6. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง แท่งนาโนจะเป็นซึ่งนำไฟฟ้าทางความร้อนและ ซึ่งป้องกันทางไฟฟ้า6. Method of Claim 1, whereby the nanorods are thermally conductive and electrically shielded.
7. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง แท่งนาโนจะเป็นซึ่งนำไฟฟ้าทางไฟฟ้าและซึ่งนำ ไฟฟ้าทางความร้อน7. Method of Claim 1, whereby the nanorods shall be electrically conductive and thermally conductive.
8. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง แท่งนาโนคือ ท่อนาโนของโบรอน ไนไทร์ด8. Method of Claim 1, where the nanorod is a boron nitride nanotube.
9. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง แท่งนาโนจะถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วย ท่อนาโนของคาร์บอนที่มีผนังหลายชั้นและท่อนาโนของคาร์บอนที่มีผนังเดี่ยว9. Method of Claim 1, where nanorods are selected from a group consisting of multi-walled carbon nanotubes and single-walled carbon nanotubes.
10. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 9, ที่ซึ่ง แถวของแท่งนาโนจะถูกจัดหาให้เกิดโดย กระบวนการของการเติบโตของการสะสมของไอทางเคมีที่ถูกปรับปรุงของพลาสมา10. Method of claim 9, in which rows of nanorods are supplied by a process of chemically enhanced plasma vapor deposition growth.
11. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 10, ที่ซึ่ง แถวของแท่งนาโนจะถูกนำไปสู่ขั้นตอนของการทำ ให้เป็นแกรไฟต์ก่อนขั้นตอน (a)11. Method of claim 10, where a row of nanorods is brought to the graphite preprocessing step (a).
12. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง ขั้นตอน (b) จะมีอยู่และชั้นซึ่งเสียสละจะถูกเลือก จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยฟลูออโรซิลิโคน, ซิลิโคนซึ่งระบุได้โดยแสง, ซิลิกา, และขี้ผึ้ง12. The method of claim 1, whereby procedure (b) shall exist and the sacrificial layer shall be selected from among the constituents consisting of fluorosilicon, photodescriptive silicone, silica, and wax.
13. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 12, ที่ซึ่ง ชั้นซึ่งเสียสละคือ ขี้ผึ้ง13. The method of claim number 12, where the sacrificial layer is wax.
14. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 13, ที่ซึ่ง ขั้นตอน (d) จะมีอยู่และชั้นซึ่งเสียสละจะถูกขจัด โดยการทำให้ร้อน14. The method of claim 13, where step (d) shall exist and the sacrificial layer shall be removed by heating.
15. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 12, ที่ซึ่ง ชั้นซึ่งเสียสละคือ ซิลิกาและชั้นซึ่งเสียสละจะถูก สร้างรูปร่างโดยการเคลือบชั้นของซิลิกาจากสารละลายของโซล เจล15. Method of claim 12, where the sacrificial layer is silica and the sacrificial layer is shaped by coating the silica layer from a sol-gel solution.
16. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 15, ที่ซึ่ง ขั้นตอน (d) จะมีอยู่, และขั้นตอน (d) และ (e) จะถูกกระทำโดยการเปิดเผยไปยังสารละลายของ HF16. The method of claim 15, where step (d) shall be present, and steps (d) and (e) shall be performed by exposure to a solution of HF.
17. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 16, ซึ่งประกอบรวมต่อไปด้วย ขั้นตอน (f) ซึ่งล้างแผ่นฟิลม์ นิ่งอิสระหลังจากขั้นตอน (e)17. The procedure of claim 16, which includes step (f) which develops the free-standing film after step (e).
18. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง เมตริกซ์จะประกอบรวมด้วยเทอร์โมโซตติง พอลิเมอร์18. Method of claim 1, where the matrix is composed of a thermosetting polymer.
19. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 18, ที่ซึ่ง เทอร์โมโซตติง พอลิเมอร์จะถูกเลือกจากหมู่ซึ่ง ประกอบด้วยอีพอกซิ เรซิน, ไซยาเนท เรซิน, บิสมาเลอิไมด์ เรซิน, ฟีโนลิค เรซิน, พอลิเอสเทอร์ เรซิน, ซิลิโคน อีลาสโตเมอร์, ยูรีเทน อีลาสโตเมอร์, อะคริลิค อีลาสโตเมอร์, และการรวมกันของมัน19. The method of claim 18, whereby thermosetting polymers shall be selected from groups comprising epoxy resins, cyanate resins, bismaleimide resins, phenolic resins, polyester resins, silicone elastomers, urethane elastomers, acrylic elastomers, and combinations thereof.
20. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 18, ที่ซึ่ง เทอร์โมโซตติง พอลิเมอร์จะประกอบรวมด้วย องค์ประกอบซึ่งประกอบรวมด้วย; A) พอลิออกาโนไซโลเซนซึ่งมีค่าเฉลี่ยของ อย่างน้อยที่สุด สองหมู่ของอินทรีย์แบบไม่อิ่มตัว ของอะลิฟาติคต่อโมเลกุล, B) สารเชื่อมขวางซึ่งมีค่าเฉลี่ยของ อย่างน้อยที่สุด สองอะตอมของไฮโดรเจนที่ถูกผูกของ ซิลิกอนต่อโมเลกุล, และ C) ตัวเร่งปฏิกิริยาของการไฮโดรซิไลเลชัน20. The method of claim 18, in which thermosetting polymers are composed of the following components: A) polyorganosiloxanes containing an average of at least two unsaturated aliphatic organic groups per molecule, B) a crosslinking agent containing an average of at least two hydrogen-bound silicon atoms per molecule, and C) a catalyst for hydrosilication.
21. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง เมตริกซ์จะประกอบรวมด้วยเทอร์โมพลาสติก พอลิเมอร์21. Method of claim 1, where the matrix is assembled with thermoplastic polymer.
22. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 21, ที่ซึ่ง เทอร์โมโซตติง พอลิเมอร์จะถูกเลือกจากหมู่ซึ่ง ประกอบด้วยพอลิเอไมด์, พอลิอิไมด์, พอลิฟีนิลีน, พอลิคาร์บอเนท, พอลิอะซิตอล, พอลิโพรพิลีน, พอลิเอทิลีน ไกลคอล, พอลิออกซิเมทิลีน, พอลิฟอร์มอลดีไฮด์, ซิลิโคน เอไมด์ คอพอลิเมอร์, ซิลิโคน พอลิอีเทอร์, ซิลิโคน พอลิอีเทอร์อิไมด์ คอพอลิเมอร์, ซิลิโคน ยูรีเทน คอพอลิเมอร์, ซิลิโคน ยูเรีย, และการรวมกันของมัน22. Method of claim 21, whereby thermosetting polymers shall be selected from groups comprising polyamides, polyimides, polyphenylene, polycarbonates, polyacetals, polypropylene, polyethylene glycol, polyoxymethylene, polyformaldehyde, silicone amide copolymer, silicone polyether, silicone polyetherimide copolymer, silicone urethane copolymer, silicone urea, and their combinations.
23. วิธีการของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ 18 ถึง 22, ที่ซึ่ง เมตริกซ์จะประกอบรวม ต่อไปด้วยสิ่งที่บรรจุ23. Any method of claims 18 through 22, where the matrix is further assembled with the contents.
24. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 23, ที่ซึ่ง สิ่งที่บรรจุจะเป็นซึ่งนำไฟฟ้าทางความร้อน24. Method of claim 23, where the contents are thermally conductive.
25. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่ง เมื่อขั้นตอน (c) จะถูกกระทำโดยวิธีการที่ถูกเลือก จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยการเคลือบปั่น, การเคลือบแช่, การเคลือบสเปรย์, และการหลอมสารละลาย25. Method of Claim 1, whereby step (c) is performed by a method chosen from among the group consisting of spin coating, immersion coating, spray coating, and solution melting.
26. แผ่นฟิล์มนิ่งอิสระที่ถูกเตรียมโดยวิธีการของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 2326. A free-standing still film prepared by any of the methods of Claims 1 through 23.
27. แผ่นฟิล์มนิ่งอิสระซึ่งประกอบรวมด้วย; i ชั้นของเมตริกซ์ซึ่งมีพื้นผิวซึ่งตรงกันข้าม, และ ii แถวของแท่งนาโน, ที่ซึ่งแท่งนาโนจะถูกปรับตัวเพื่อผ่านไปตามชั้นของ เมตริกซ์และจะยื่นออกของระยะเฉลี่ยของ อย่างน้อยที่สุด 1 ไมโครเมตร ผ่านหนึ่งหรือ ทั้งสองของพื้นผิวของชั้นของเมตริกซ์27. A freely stationary film composed of; i. a layer of matrix with opposite surfaces, and ii. a row of nanorods, which are oriented to pass along the matrix layer and protrude an average distance of at least 1 µm through one or both of the surfaces of the matrix layer.
28. แผ่นฟิล์มนิ่งอิสระของข้อถือสิทธิที่ 26, ที่ซึ่ง แถวจะมีความหนาแน่นเฉลี่ยซึ่งมีช่วง จาก 0.5 vol% ถึง 50 vol%28. A free-standing stationary film of claim 26, where the rows have an average density ranging from 0.5 vol% to 50 vol%.
29. แผ่นฟิล์มนิ่งอิสระของข้อถือสิทธิที่ 26,ที่ซึ่ง แท่งนาโนจะมีความสูงเฉลี่ยซึ่งมีช่วง จาก 5 ถึง 500 ไมโครเมตร29. A free-standing static film of claim 26, in which nanorods have an average height ranging from 5 to 500 micrometers.
30. การใช้ของแผ่นฟิล์มนิ่งอิสระของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ 26 ถึง 28 ดังเช่น ตัวกรองทางสายตา30. The use of any one of the claims under Articles 26 through 28 as an independent static film, such as a visual filter.
31. การใช้ของแผ่นฟิล์มนิ่งอิสระของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ 26 ถึง 28 ดังเช่น แผ่นฟิล์มซึ่งนำไฟฟ้าทางไฟฟ้าแบบเอนไอโซโทรปิคอล31. Use of any one of the claims under Articles 26 through 28, such as an electrically conductive film of the type specified, such as an enesotropic film.
32. การใช้ของแผ่นฟิล์มนิ่งอิสระของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ 26 ถึง 28 ดังเช่น วัสดุที่มีพื้นที่ร่วมทางความร้อน32. The use of any one of the claims 26 through 28 as a freely stationary film, such as a material with a shared thermal area.
33. อุปกรณ์ซึ่งประกอบรวมด้วย; a) ส่วนประกอบซึ่งสร้างความร้อน, b) วัสดุที่มีพื้นที่ร่วมทางความร้อน, และ c) สิ่งช่วยของการจัดการทางความร้อน; ที่ซึ่งวัสดุที่มีพื้นที่ร่วมทางความร้อนจะถูกแทรกระหว่างส่วนประกอบซึ่งสร้างความร้อนและ สิ่งช่วยของการจัดการทางความร้อนตามวิถีทางทางความร้อนซึ่งขยายออกจากพื้นผิวของ ส่วนประกอบซึ่งสร้างความร้อนไปยังพื้นผิวของสิ่งช่วยของการจัดการทางความร้อน, ที่ซึ่งวัสดุที่มี พื้นที่ร่วมทางความร้อนจะประกอบรวมด้วยแผ่นฟิล์มนิ่งอิสระของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ 26 ถึง 28, และแท่งนาโนจะสัมผัสพื้นผิวของส่วนประกอบซึ่งสร้างความร้อนและพื้นผิวของสิ่งช่วยของ การจัดการทางความร้อน33. A device comprising; a) a heat-generating component, b) a thermally shared space material, and c) a thermal manipulation aid; where the thermally shared space material is inserted between the heat-generating component and the thermal manipulation aid along a thermal pathway extending from the surface of the heat-generating component to the surface of the thermal manipulation aid, where the thermally shared space material is incorporated as a freely stationary film of either claim 26 through 28, and nanorods are in contact with the surface of the heat-generating component and the surface of the thermal manipulation aid.
34. วิธีการซึ่งประกอบรวมด้วยการแทรกของวัสดุที่มีพื้นที่ร่วมทางความร้อนระหว่าง ส่วนประกอบซึ่งสร้างความร้อนและสิ่งช่วยของการจัดการทางความร้อน, ที่ซึ่งวัสดุที่มีพื้นที่ร่วมทาง ความร้อนจะถูกแทรกตามวิถีทางทางความร้อนซึ่งขยายออกจากพื้นผิวของส่วนประกอบซึ่งสร้าง ความร้อนไปยังพื้นผิวของสิ่งช่วยของการจัดการทางความร้อน, ที่ซึ่งวัสดุที่มีพื้นที่ร่วมทางความร้อน จะประกอบรวมด้วยแผ่นฟิล์มนิ่งอิสระของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ 26 ถึง 28, และแท่งนาโน จะสัมผัสพื้นผิวของส่วนประกอบซึ่งสร้างความร้อนและพื้นผิวของสิ่งช่วยของการจัดการทาง ความร้อน34. A method comprising the insertion of a thermally shared space material between a heat-generating component and a thermally manipulating aid, where the thermally shared space material is inserted along a thermal pathway extending from the surface of the heat-generating component to the surface of the thermally manipulating aid, where the thermally shared space material is incorporated as a freely stationary film of either claim 26 through 28, and nanorods are in contact with the surfaces of the heat-generating component and the surfaces of the thermally manipulating aid.
35. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 33, ที่ซึ่ง ส่วนประกอบซึ่งสร้างความร้อนจะประกอบรวม ด้วยแม่พิมพ์ของสารกึ่งตัวนำและสิ่งช่วยของการจัดการทางความร้อนอาจประกอบรวมด้วยแผ่น ระบายความร้อนหรือเครื่องกระจายความร้อน35. The method of claim 33, where the heat-generating component is incorporated into the semiconductor mold and the thermal management aid is incorporated into the heat sink or heat spreader.