Claims (5)
------13/06/2561------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า ข้อถือสิทธิ------13/06/2561------(OCR) Page 1 of 1 page. Claims.
1. เครื่องปฏิกรณ์สำหรับกระบวนการแบบไดเรกที่ประกอบรวมด้วยห้องปฏิกิริยาสำหรับ การเตรียมฮาโลไซเลนโดยการเกิดปฏิกิริยาของซิลิกอนผงกับไฮโดรเจนเฮไลด์หรือไม่ก็กับออร์กานิก เฮไลด์ และมีชิ้นประกอบแลกเปลี่ยนความร้อนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งอันสำหรับการนำตัวกลางถ่ายโอน ความร้อน, ชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อนที่ถูกกำหนดตำแหน่งอยู่ในห้องเกิดปฏิกิริยาของเครื่อง ปฏิกรณ์สำหรับกระบวนการแบบไดเรก, ที่มีลักษณะเฉพาะว่าชิ้นประกอบแลกเปลี่ยนความร้อน จะมีเคลือบด้านทานการสึกกร่อนบนอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของมัน, ที่ซึ่งเคลือบต้านทาน การสึกกร่อนจะเกิดพันธะทางโลหะกับชิ้นประกอบแลกเปลี่ยนความร้อน, จะมีความแข็งมากกว่า 50 รอกเวลล์สเกล C, จะประกอบรวมด้วยอนุภาคแข็งที่ถูกทำให้กระจายทั่วเมทริกซ์และที่ซึ่งเคลือบที่ ด้านทานการสึกกร่อนที่สามารถได้มาโดยกระบวนการแบบสองขันตอนที่ประกอบรวมด้วย, ขั้นตอน ที่หนึ่งของการใช้ผ้าหรือสารแขวนลอยที่ถูกผสมตามสูตรสำหรับการใช้อนุภาคแข็งที่ถูกทำให้กระจาย ทั่วเมทริกซ์ และขั้นตอนที่สองของการก่อรูปพันธะทางโลหะโดยการทำให้ร้อน1. A direct process reactor comprising a reaction chamber for the preparation of halosilanes by reaction of silicon powder with hydrogen halide or with organic halide, and containing at least one heat exchanger for the heat transfer medium; the heat exchanger, positioned in the reaction chamber of the direct process reactor, is characterized by having at least part of its surface coated with an corrosion-resistant coating, where the corrosion-resistant coating forms a metallic bond with the heat exchanger, having a hardness greater than 50 Rockwell scale C, and comprising solid particles dispersed throughout the matrix, where the corrosion-resistant coating can be obtained by a two-step process comprising: the first step of applying a fabric or suspension formulated for the application of solid particles dispersed throughout the matrix, and the second step of metallic bond formation by heating.
2. เครื่องปฏิกรณ์สำหรับกระบวนการแบบไดเรกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งเคลือบที่ต้านทาน การสึกกร่อนจะมีความแข็งแรงพันธะมากกว่า 200 เมกะพาสคัล2. A direct process reactor for claim 1 where the corrosion-resistant coating has a bond strength greater than 200 megapascals.
3. เครื่องปฏิกรณ์สำหรับกระบวนการแบบไดเรกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งเคลือบที่ด้านทาน การสึกกร่อนจะสามารถต้านทานสิ่งแวดล้อมของ HC1, คลอโรไซเลน, ผงซิลีกอน และ H2 ที่อุณหภูมิ ที่มากกว่า 300 องศาเซลเซียสโดยปราศจากการเสื่อมสภาพลงที่รับรู้ได้3. A direct process reactor of claim 1, with a corrosion-resistant coating, shall withstand environments of HC1, chlorosilane, silicon powder, and H2 at temperatures exceeding 300°C without noticeable degradation.
4. กระบวนการแบบไดเรกสำหรับการผลิตฮาโลไซเลนที่ประกอบรวมด้วยการเกิดปฏิกิริยา ของซิลิกอนผงกับออร์กานิกเฮไลด์หรือไฮโดรเจนเฮไลด์ภายในเครื่องปฏิกรณ์สำหรับปฏิกิริยาแบบ ไดเรกดังเช่นที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 3 ------------ 1. ชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อนสำหรับการใช้ในกระบวนการไดเรกที่ประกอบรวมด้วย ชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อน และ บนพื้นผิวของอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อนจะมีสิ่ง เคลือบที่ต้านทานการสึกกร่อน ที่ซึ่งสิ่งเคลือบที่ต้านทานการสึกกร่อนจะเกิดพันธะอย่างทางโลหะ วิทยากับชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อนและจะมีความแข็งมากกว่า 50 รอกค์เวลสเกลซี 2. ชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อนของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งสิ่งเคลือบที่ต้านทานการ สึกกร่อนจะมีความแข็งแรงของพันธะมากกว่า 200 เมกะพาสคัล 3. ชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อนของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งสิ่งเคลือบที่ต้านทานการ สึกกร่อนจะสามารถทนต่อสิ่งแวดล้อมที่มี HCl, คลอไรไซเลน, ผงซิลิกอนและ H2 ที่อุณหภูมิมากกว่า 300 องศาเซลเซียสโดยปราศจากการเสื่อมสภาพลงที่สามารถประเมินค่าได้4. A direct process for the production of halosilanes involving the reaction of silicon powder with organic halides or hydrogen halides within a direct reaction reactor as claimed in any one of the claims in claims 1 through 3. ------------ 1. Heat exchangers for use in direct processes comprising heat exchangers and on the surface of at least part of the heat exchanger there is a corrosion-resistant coating which forms a metallurgical bond with the heat exchanger and has a hardness greater than 50 Rockwell scale C. 2. Heat exchangers of claim 1 where the corrosion-resistant coating has a bond strength greater than 200 MPa. 3. Heat exchangers of claim 1 where the corrosion-resistant coating The corrosion-resistant material can withstand environments containing HCl, silane chloride, silicon powder, and H2 at temperatures exceeding 300°C without significant degradation.
5. เครื่องปฏิกรณ์ของกระบวนการไดเรกที่ประกอบรวมด้วยห้องปฏิกิริยาสำหรับการ เตรียมฮาโลไซเลนโดยการเกิดปฏิกิริยาของซิลิกอนที่เป็นผงกับไฮโดรเจนเฮไลด์หรือเฮไลด์อินทรีย์ และอย่างน้อยที่สุดชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อนหนึ่งสำหรับการลำเลียงตัวกลางถ่ายโอนความร้อน ที่ซึ่งชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อนจะได้รับการกำหนดตำแหน่งในห้องปฏิกิริยาของเครื่องปฏิกรณ์ สำหรับกระบวนการไดเรก ที่มีลักษณะเฉพาะชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อนจะมีสิ่งเคลือบที่ ต้านทานการสึกกร่อนบนอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของชิ้นส่วน ที่ซึ่งสิ่งเคลือบที่ต้านทาน การสึกกร่อนจะเกิดพันธะอย่างทางโลหะวิทยากับชิ้นส่วนแลกเปลี่ยนความร้อนและจะมีความแข็ง มากกว่า 50 รอกค์เวลสเกลซี5. A direct process reactor comprising a reaction chamber for the preparation of halosilanes by the reaction of powdered silicon with hydrogen halide or organic halide, and at least one heat exchanger for conveying the heat transfer medium, where the heat exchanger is positioned in the reaction chamber of the reactor. For a characteristic direct process, the heat exchanger has a corrosion-resistant coating on at least a portion of its surface, where this coating forms a metallurgical bond with the heat exchanger and has a hardness greater than 50 Rockwell scale C.