------22/05/2563------(OCR) ในการสร้างลวดลายจุลภาค 3 มิติ ด้วยวิธีการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงจากแหล่งกำเนิดพลังงานนี้ จะใช้หลักการอิงตามกระบวนการถ่ายแบบลายวงจร หรือกระบวนการโฟโตลิโธกราฟี(Photolithography process) โดยเริ่มจากการเตรียมผิวชิ้นงานให้สะอาด (Sample preparation) การเคลือบฟิล์มนํ้ายาไวแสง (Photoresist film coating) การอบชั้นฟิล์มนํ้ายาไวแสงให้แห้ง (Softbake), การฉายแสง(Exposure) ด้วยเครื่องถ่ายย่อแบบลายวงจร (Stepper) ที่ค่าพลังงานต่าง ๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด การล้างลายวงจร (Develop) และการกัดลายวงจร (Etching) ซึ่งจากการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสง พบว่าเมื่อพลังงานในการฉายแสงเพิ่มมากขึ้น ค่าความหนาของชัั้นฟิล์มนํ้ายาไวแสงจะน้อยลง และความหนาชั้นฟิล์มด้านล่างชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงจะมีความหนาปรับเปลี่ยนไปตามความหนาของชิ้นฟิล์มนํ้ายาไวแสงด้านบน ภายหลังกระบวนการกัดแบบแห้งด้วยพลาสมมา ไม่ว่าชั้นฟิล์มนั้นจะเป็นวัสดุชนิดใดก็ตาม ดังนั้นการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงให้สอดคล้องกับการเคลื่อนที่ของแท่นวางชิ้นงาน ของเครื่องถ่ายย่อแบบลายวงจร จะสามารถสร้างลวดลายจุลภาค 3 มิติ ที่มีความหนาชั้นฟิล์มฯแตกต่างกัน และมีผนังลวดลายวงจรแบบตั้งตรง(Vertical sidewall slope profile) โดยใช้การล้างลายวงจรและการกัดแบบแห้งด้วยพลาสมาเพียงครั้งเดียวได้ ------------ DC60 (10/10/51) ในการสร้างลวดลายวงจร 3 มิติ ด้วยวิธีการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงจาก แหล่งกำเนิดพลังงานนี้ จะใช้หลักการอิงตามกระบวนการถ่ายแบบลายวงจรแบบปกติ (Photolithography) โดยเริ่มจากการเตรียมผิวชิ้นงานให้สะอาด (Sample preparation), การเคลือบ ฟิล์มน้ำยาไวแสง (Photoresist coating), การอบชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงให้แห้ง (Softbake), การฉาย แสง (Exposure) ด้วยเครื่อง Stepper ที่ค่าพลังงานต่างๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด, การล้างลาย วงจร (Develop) และการกัดลายวงจร (Etching) ซึ่งจากการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสง พบว่า เมื่อพลังงานในการฉายแสงเพิ่มมากขึ้น ค่าความหนาของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะน้อยลง และความหนาชั้นฟิล์มด้านล่างชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะมีความหนาปรับเปลี่ยนไปตามความหนา ของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงด้านบน ภายหลังกระบวนการกัดแบบแห้งด้วยเคมี ไม่ว่าชั้นฟิล์มนั้นจะ เป็นวัสดุชนิดใดก็ตาม ดังนั้น การปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงให้สอดคล้องกับการ เคลื่อนที่ของ Stage ของเครื่องถ่ายแบบลายวงจร จะสามารถสร้างลวดลาย 3 มิติ ที่มีความหนาชั้น ฟิล์มฯแตกต่างกัน และมีผนังลวดลายวงจรแบบ Vertical Sidewall Profile โดยใช้การล้างลายวงจร และการกัดแบบแห้งเคมีเพียงครั้งเดียวได้ ในการสร้างลวดลายวงจร 3 มิติ ด้วยวิธีการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงจาก แหล่งกำเนิดพลังงานนี้ จะใช้หลักการอิงตามกระบวนการถ่ายแบบลายวงจรแบบปกติ (Photolithography ) โดยเริ่มจากการเตรียมผิวชิ้นงานให้สะอาด (Sample preparation), การเคลือบ ฟิล์มน้ำยาไวแสง (Photoresist coating), การอบชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงให้แห้ง (Softbake), การฉาย แสง (Exposure) ด้วยเครื่อง Stepper ที่ค่าพลังงานต่าง ๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด, การล้างลาย วงจร (Develop) และการกัดลายวงจร (Etching) ซึ่งจากการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสง พบว่า เมื่อพลังงานในการฉายแสงเพิ่มมากขึ้น ค่าความหนาของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะน้อยลง และความหนาชั้นฟิล์มด้านล่างชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะมีความหนาปรับเปลี่ยนไปตามความหนา ของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงด้านบน ภายหลังกระบวนการกัดแบบแห้งด้วยเคมี ไม่ว่าชั้นฟิล์มนั้นจะ เป็นวัสดุชนิดใดก็ตาม ดังนั้น การปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงให้สอดคล้องกับการ เคลื่อนที่ของ Stage ของเครื่องถ่ายแบบลายวงจร จะสามารถสร้างลวดลาย 3 มิติ ที่มีความหนาชั้น ฟิล์มฯ แตกต่างกัน และมีผนังลวดลายวงจรแบบ Vertical Sidewall Profile โดยใช้การล้างลายวงจร และการกัดแบบแห้งเคมีเพียงครั้งเดียวได้------May 22, 2020------(OCR) In creating 3D micropatterns using the adjustable light exposure method, the process is based on photolithography. This involves sample preparation, photoresist film coating, softbake, exposure to different energy levels with a stepper motor, development, and etching. Adjusting the exposure energy results in decreased photoresist film thickness as the energy increases, while the thickness of the underlying film changes proportionally to the thickness of the overlying photoresist film after plasma etching, regardless of the film material. Therefore, adjusting the exposure energy to match the movement of the stepper motor is crucial for achieving optimal micropattern creation. It is possible to create 3D micropatterns with varying film thicknesses and vertical sidewall slope profiles using a single plasma etching and cleaning process. ------------ DC60 (10/10/51) The creation of 3D micropatterns using this adjustable light exposure energy method is based on the normal photolithography process. It begins with sample preparation, photoresist coating, softbake, exposure with a stepper motor at different energy levels in different areas, development, and etching. By adjusting the light exposure energy, it was found that increasing the energy resulted in a thinner photoresist film, and the thickness of the layer below the photoresist changed according to the thickness of the layer above. After the chemical etching process, regardless of the film thickness... Regardless of the material type, adjusting the exposure energy to match the stage movement of the circuit board copier allows for the creation of 3D patterns with varying film thicknesses and vertical sidewall profiles using a single cycle of circuit board cleaning and chemical etching. This method of creating 3D circuit board patterns by adjusting the exposure energy uses a principle based on the normal photolithography process, starting with sample preparation, photoresist coating, softbake, exposure with a stepper machine at different energy levels for each defined area, development, and etching. Adjusting the exposure energy shows that increasing the exposure energy reduces the photoresist film thickness, and the thickness of the layer below the photoresist changes according to the thickness of the layer above. After the chemical etching process, regardless of the film thickness... Regardless of the material type, adjusting the light exposure energy to match the stage movement of the circuit board copier allows for the creation of 3D patterns with varying film thicknesses and vertical sidewall profiles using a single dry chemical etching and cleaning process.