TH88087B - A method for creating three-dimensional circuit patterns on a photosensitive film using a technique of varying the light energy from a single light source. - Google Patents

A method for creating three-dimensional circuit patterns on a photosensitive film using a technique of varying the light energy from a single light source.

Info

Publication number
TH88087B
TH88087B TH601003299A TH0601003299A TH88087B TH 88087 B TH88087 B TH 88087B TH 601003299 A TH601003299 A TH 601003299A TH 0601003299 A TH0601003299 A TH 0601003299A TH 88087 B TH88087 B TH 88087B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
photosensitive film
thickness
exposure
energy
etching
Prior art date
Application number
TH601003299A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH88087A (en
TH103189A (en
Inventor
เสียงแจ้ว นายกฤษฎา
จันต๊ะวงศ์ นายจิระวัฒน์
เอ็มซาห์ นายมาห์ดิ บีฟอว์ซี่ นายคริสโตเฟอร์ ริชาร์ด ไดออริโอ้ นายซีเอ็ด
อัตถิ นายนิธิ
Original Assignee
ไวเอ็ธ
สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
Filing date
Publication date
Application filed by ไวเอ็ธ, สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ filed Critical ไวเอ็ธ
Publication of TH88087A publication Critical patent/TH88087A/en
Publication of TH103189A publication Critical patent/TH103189A/en
Publication of TH88087B publication Critical patent/TH88087B/en

Links

Abstract

------22/05/2563------(OCR) ในการสร้างลวดลายจุลภาค 3 มิติ ด้วยวิธีการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงจากแหล่งกำเนิดพลังงานนี้ จะใช้หลักการอิงตามกระบวนการถ่ายแบบลายวงจร หรือกระบวนการโฟโตลิโธกราฟี(Photolithography process) โดยเริ่มจากการเตรียมผิวชิ้นงานให้สะอาด (Sample preparation) การเคลือบฟิล์มนํ้ายาไวแสง (Photoresist film coating) การอบชั้นฟิล์มนํ้ายาไวแสงให้แห้ง (Softbake), การฉายแสง(Exposure) ด้วยเครื่องถ่ายย่อแบบลายวงจร (Stepper) ที่ค่าพลังงานต่าง ๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด การล้างลายวงจร (Develop) และการกัดลายวงจร (Etching) ซึ่งจากการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสง พบว่าเมื่อพลังงานในการฉายแสงเพิ่มมากขึ้น ค่าความหนาของชัั้นฟิล์มนํ้ายาไวแสงจะน้อยลง และความหนาชั้นฟิล์มด้านล่างชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงจะมีความหนาปรับเปลี่ยนไปตามความหนาของชิ้นฟิล์มนํ้ายาไวแสงด้านบน ภายหลังกระบวนการกัดแบบแห้งด้วยพลาสมมา ไม่ว่าชั้นฟิล์มนั้นจะเป็นวัสดุชนิดใดก็ตาม ดังนั้นการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงให้สอดคล้องกับการเคลื่อนที่ของแท่นวางชิ้นงาน ของเครื่องถ่ายย่อแบบลายวงจร จะสามารถสร้างลวดลายจุลภาค 3 มิติ ที่มีความหนาชั้นฟิล์มฯแตกต่างกัน และมีผนังลวดลายวงจรแบบตั้งตรง(Vertical sidewall slope profile) โดยใช้การล้างลายวงจรและการกัดแบบแห้งด้วยพลาสมาเพียงครั้งเดียวได้ ------------ DC60 (10/10/51) ในการสร้างลวดลายวงจร 3 มิติ ด้วยวิธีการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงจาก แหล่งกำเนิดพลังงานนี้ จะใช้หลักการอิงตามกระบวนการถ่ายแบบลายวงจรแบบปกติ (Photolithography) โดยเริ่มจากการเตรียมผิวชิ้นงานให้สะอาด (Sample preparation), การเคลือบ ฟิล์มน้ำยาไวแสง (Photoresist coating), การอบชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงให้แห้ง (Softbake), การฉาย แสง (Exposure) ด้วยเครื่อง Stepper ที่ค่าพลังงานต่างๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด, การล้างลาย วงจร (Develop) และการกัดลายวงจร (Etching) ซึ่งจากการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสง พบว่า เมื่อพลังงานในการฉายแสงเพิ่มมากขึ้น ค่าความหนาของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะน้อยลง และความหนาชั้นฟิล์มด้านล่างชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะมีความหนาปรับเปลี่ยนไปตามความหนา ของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงด้านบน ภายหลังกระบวนการกัดแบบแห้งด้วยเคมี ไม่ว่าชั้นฟิล์มนั้นจะ เป็นวัสดุชนิดใดก็ตาม ดังนั้น การปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงให้สอดคล้องกับการ เคลื่อนที่ของ Stage ของเครื่องถ่ายแบบลายวงจร จะสามารถสร้างลวดลาย 3 มิติ ที่มีความหนาชั้น ฟิล์มฯแตกต่างกัน และมีผนังลวดลายวงจรแบบ Vertical Sidewall Profile โดยใช้การล้างลายวงจร และการกัดแบบแห้งเคมีเพียงครั้งเดียวได้ ในการสร้างลวดลายวงจร 3 มิติ ด้วยวิธีการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงจาก แหล่งกำเนิดพลังงานนี้ จะใช้หลักการอิงตามกระบวนการถ่ายแบบลายวงจรแบบปกติ (Photolithography ) โดยเริ่มจากการเตรียมผิวชิ้นงานให้สะอาด (Sample preparation), การเคลือบ ฟิล์มน้ำยาไวแสง (Photoresist coating), การอบชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงให้แห้ง (Softbake), การฉาย แสง (Exposure) ด้วยเครื่อง Stepper ที่ค่าพลังงานต่าง ๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด, การล้างลาย วงจร (Develop) และการกัดลายวงจร (Etching) ซึ่งจากการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสง พบว่า เมื่อพลังงานในการฉายแสงเพิ่มมากขึ้น ค่าความหนาของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะน้อยลง และความหนาชั้นฟิล์มด้านล่างชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะมีความหนาปรับเปลี่ยนไปตามความหนา ของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงด้านบน ภายหลังกระบวนการกัดแบบแห้งด้วยเคมี ไม่ว่าชั้นฟิล์มนั้นจะ เป็นวัสดุชนิดใดก็ตาม ดังนั้น การปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงให้สอดคล้องกับการ เคลื่อนที่ของ Stage ของเครื่องถ่ายแบบลายวงจร จะสามารถสร้างลวดลาย 3 มิติ ที่มีความหนาชั้น ฟิล์มฯ แตกต่างกัน และมีผนังลวดลายวงจรแบบ Vertical Sidewall Profile โดยใช้การล้างลายวงจร และการกัดแบบแห้งเคมีเพียงครั้งเดียวได้------May 22, 2020------(OCR) In creating 3D micropatterns using the adjustable light exposure method, the process is based on photolithography. This involves sample preparation, photoresist film coating, softbake, exposure to different energy levels with a stepper motor, development, and etching. Adjusting the exposure energy results in decreased photoresist film thickness as the energy increases, while the thickness of the underlying film changes proportionally to the thickness of the overlying photoresist film after plasma etching, regardless of the film material. Therefore, adjusting the exposure energy to match the movement of the stepper motor is crucial for achieving optimal micropattern creation. It is possible to create 3D micropatterns with varying film thicknesses and vertical sidewall slope profiles using a single plasma etching and cleaning process. ------------ DC60 (10/10/51) The creation of 3D micropatterns using this adjustable light exposure energy method is based on the normal photolithography process. It begins with sample preparation, photoresist coating, softbake, exposure with a stepper motor at different energy levels in different areas, development, and etching. By adjusting the light exposure energy, it was found that increasing the energy resulted in a thinner photoresist film, and the thickness of the layer below the photoresist changed according to the thickness of the layer above. After the chemical etching process, regardless of the film thickness... Regardless of the material type, adjusting the exposure energy to match the stage movement of the circuit board copier allows for the creation of 3D patterns with varying film thicknesses and vertical sidewall profiles using a single cycle of circuit board cleaning and chemical etching. This method of creating 3D circuit board patterns by adjusting the exposure energy uses a principle based on the normal photolithography process, starting with sample preparation, photoresist coating, softbake, exposure with a stepper machine at different energy levels for each defined area, development, and etching. Adjusting the exposure energy shows that increasing the exposure energy reduces the photoresist film thickness, and the thickness of the layer below the photoresist changes according to the thickness of the layer above. After the chemical etching process, regardless of the film thickness... Regardless of the material type, adjusting the light exposure energy to match the stage movement of the circuit board copier allows for the creation of 3D patterns with varying film thicknesses and vertical sidewall profiles using a single dry chemical etching and cleaning process.

Claims (2)

------22/05/2563------(OCR) 1. วิธีการสร้างลายวงจรแบบสามมิติบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสง ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ การจัดเตรียมผิวชิ้นงานให้สะอาด การเคลือบฟิล์มน้ำยาไวแสง ลงบนผิวชิ้นงานดังกล่าว การอบฟิล์มน้ำยาไวแสงลงบนผิวชิ้นงานดังกล่าว การฉายแสงด้วยเครื่องถ่ายย่อแบบลายวงจร การล้างลายวงจร การกัดลายวงจร และ การลอกชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงส่วนที่เหลือ ดังกล่าว โดยมีลักษณะเฉพาะคือ วิธีการฉายแสง (Exposure) ดังกล่าว ทำการฉายแสงโดยปรับเปลี่ยนค่า พลังงานในการฉายแสง ช่วงตั้งแต่ 100-520 mJ/cm2 ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด โดยที่ความลึกจากผิวหน้า ของชิ้นงานดังกล่าวจะเป็นแปรผันโดยตรงกับพลังงานของแสงที่ฉาย2. วิธีการสร้างลายวงจรแบบสามมิติบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสง ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งในขั้นตอนการกัดลายวงจร ดังกล่าว อัตราการเลือกกัด (Etch selectivity) ที่ได้จากการกัดแบบแห้งด้วยพลาสมา จะสัมพันธ์กับค่าการ เปลี่ยนแปลงความหนาของชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสง (Delta-photoresist thickness) ที่ได้จากการเปลี่ยนค่า พลังงานในการฉายแสง ภายหลังกระบวนการล้างลายดังกล่าว ------------------22/05/2020------(OCR) 1. A method for creating three-dimensional circuit patterns on a photosensitive film, consisting of the following steps: surface preparation (cleaning), application of the photosensitive film to the surface, curing the photosensitive film, exposure to light using a circuit pattern reduction machine, circuit pattern cleaning, circuit pattern etching, and removal of the remaining photosensitive film. A specific characteristic is the exposure method, where the exposure energy is varied from 100-520 mJ/cm2 in each defined area, and the depth from the surface of the workpiece is directly proportional to the exposure energy. 2. A method for creating three-dimensional circuit patterns on a photosensitive film, as per claim 1, where in the etching step, the etch selectivity obtained from dry plasma etching is related to the change in the photosensitive film thickness (delta-photoresist thickness) obtained by varying the exposure energy after the cleaning process. 1. วิธีการสร้างลายวงจรแบบสามมิติบนชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสง ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ - การจัดเตรียมซับสเตรท - การเคลือบฟิล์มน้ำยาไวแสง ลงบนซับสเตรทดังกล่าว - การเคลือบฟิล์มน้ำยาไวแสงในซับสเตรทดังกล่าว ให้แห้ง - การฉายแสง (Ezposure) ด้วยเครื่อง Stepper โดยมีลักษณะเฉพาะคือ การฉาย แสงที่ค่าพลังงานต่าง ๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด, โดยที่ความลึกจาก ผิวหน้าของซับสเตรทดังกล่าวจะเป็นแปรผันโดยตรงกับพลังงานของแสงที่ ฉาย - การล้างลายวงจร และ - การกัดลายวงจร (Etching) เพื่อกำจัดชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงดังกล่าว1. The method for creating three-dimensional circuit patterns on a photosensitive film consists of the following steps: - Substrate preparation - Coating the photosensitive film onto the substrate - Drying the photosensitive film on the substrate - Ezposure using a stepper motor, characterized by irradiation at different energies in specific areas, where the depth from the substrate surface is directly proportional to the irradiated light energy - Washing the circuit pattern - Etching the circuit pattern to remove the photosensitive film. 2. วิธีการสร้างลายวงจรแบบสามมิติบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสง ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง Etch- selectivity ที่ได้จากการกัดแบบแห้ง จะสัมพันธ์กับ Delta-resist thickness ที่ได้จากการ เปลี่ยนค่าพลังงานแสงดังกล่าว2. A method for creating three-dimensional circuit patterns on a photosensitive film, as per claim 1, where the etch-selectiveity obtained from dry etching is related to the Delta-resist thickness obtained by varying the light energy values.
TH601003299A 2007-03-16 A method for creating three-dimensional circuit patterns on a photosensitive film using a technique of varying the light energy from a single light source. TH88087B (en)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH88087A TH88087A (en) 2008-01-10
TH103189A TH103189A (en) 2010-08-11
TH88087B true TH88087B (en) 2022-05-19

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9478435B2 (en) Method for directed self-assembly and pattern curing
CN109804459A (en) Quasi-atomic layer etching method
WO2008059440A3 (en) Double patterning for lithography to increase feature spatial density
WO2013048155A3 (en) Method for forming fine patterns of semiconductor device using directed self assembly process
TW200507951A (en) Unitary dual damascene process using imprint lithography
JP2018516385A (en) System and method for planarizing a substrate
WO2009041306A1 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device and resist material
JP5537400B2 (en) Pattern forming method and apparatus
KR100811431B1 (en) Method of Manufacturing Semiconductor Device
CN108292593A (en) Patterned method is carried out to substrate using extreme ultraviolet photolithographic
WO2018004646A1 (en) Metal oxide resist materials
KR102651697B1 (en) Trench assisted chemoepitaxy (trac) dsa flow
Peroz et al. Step and repeat UV nanoimprint lithography on pre-spin coated resist film: a promising route for fabricating nanodevices
TWI266357B (en) Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device
TW200610055A (en) Photolithography method to prevent photoresist pattern collapse
CN111403270A (en) Photoresist pattern and forming method thereof
TH103189A (en) A method for creating three-dimensional circuit patterns on a photosensitive film using a technique of varying the light energy from a single light source.
JP2005256090A5 (en)
WO2010140870A3 (en) Method for forming fine pattern in semiconductor device
Liu et al. Directed self-assembly process implementation in a 300mm pilot line environment
KR20080061651A (en) Method of forming a semiconductor device
RU2654313C1 (en) Method for forming three-dimensional structures of topological elements of functional layers on the surface of the substrates
JP6236481B2 (en) Pattern formation method
WO2016071760A2 (en) Laser patterning of cylinders for printing, imprinting, embossing, and inverse offset, for 3d patterning
CN110673245A (en) Manufacturing method of helical tooth pattern grating plate and grating plate