TH74074A - ซิลิกาและสเลอรีที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน - Google Patents
ซิลิกาและสเลอรีที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐานInfo
- Publication number
- TH74074A TH74074A TH201002137A TH0201002137A TH74074A TH 74074 A TH74074 A TH 74074A TH 201002137 A TH201002137 A TH 201002137A TH 0201002137 A TH0201002137 A TH 0201002137A TH 74074 A TH74074 A TH 74074A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silica
- slurry mixtures
- elementary particles
- abrasives
- bulking
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title abstract 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (06/09/45) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซิลิกา, สารผสมสเลอรี และวิธีของการเตรียมของมัน โดยเฉพาะซิลิกาของการประดิษฐ์นี้ รวม ถึงอนุภาคเบื้องต้นที่เกาะเป็นกลุ่มก้อน สารผสมสเลอรี ซึ่ง รวมกับซิลิกา เหมาะสำหรับวัตถุขัดถู และมีประโยชน์โดยเฉพาะ สำหรับการทำระนาบเชิงกล ทางเคมีของซับสเตรตของสารกึ่งตัวนำ และไมโครอิเลคโทรนิกซับสเตรตอื่นๆ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซิลิกา, สารผสมสเลอรี และวิธีของการเตรียมของมัน โดยเฉพาะซิลิกาของการประดิษฐ์นี้ รวม ถึงอนุภาคเบื้องต้นที่เกาะเป็นกลุ่มก้อน สารผสมสเลอรี ซึ่ง รวมกับซิลิกา เหมาะสำหรับวัตถุขัดถู และมีประโยชน์โดยเฉพาะ สำหรับการทำระนาบเชิงกล ทางเคมีของซับสเตรตของสารกึ่งตัวนำ และไมโครอิเลคโทรนิกชับสเตรตอื่นๆ
Claims (2)
1. ซิลิกาที่ประกอบด้วย (a) กลุ่มก้อนของอนุภาคเบื้องต้น ซึ่งอนุภาคเบื้องต้นดัง กล่าวมีเส้นผ่าศูนย์กลางโดยเฉลี่ย อย่างน้อยที่สุดเป็น 7 นา โนเมตร ในที่ซึ่งกลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 1 ไมครอน ; และ (b) ปริมาณไฮดรอกซิลอย่างน้อยที่สุด 7 หมู่ไฮดรอกซิล ต่อ ตารางนาโนเมตร
2. ซิลิกาของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่งเส้นผ่าศูนย์กลาง เฉลี่ยดังกล่าวของอนุภาคเบื้องต้นดังกล่าว อย่างน้อยที่สุด เป็น 10 นาแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH74074A true TH74074A (th) | 2005-12-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2407055A1 (en) | Precipitated silicas, silica gels with and free of deposited carbon from caustic biomass ash solutions and processes | |
| EP1020501A3 (en) | Aqueous chemical mechanical polishing dispersion composition, wafer surface polishing process and manufacturing process of a semiconductor device | |
| CN1160430C (zh) | 平整表面的组合物及方法 | |
| CN106103615B (zh) | 用于化学机械平坦化的金属氧化物-聚合物复合颗粒 | |
| JP6358899B2 (ja) | 金属酸化物粒子およびその製造方法 | |
| WO2002102920A8 (en) | A silica and a silica-based slurry | |
| JP2000239654A5 (th) | ||
| WO2003083918A1 (en) | Polishing pad and semiconductor substrate manufacturing method using the polishing pad | |
| RU2011106132A (ru) | Водные рецептуры | |
| WO2003046968A1 (fr) | Procede de production d'une tranche de silicone, tranche de silicone et tranche soi | |
| JP2013511144A5 (th) | ||
| MY138857A (en) | High selectivity colloidal silica slurry | |
| MY144460A (en) | Polishing composition for glass substrate | |
| CN104877633A (zh) | 镁元素掺杂氧化硅溶胶复合磨粒、抛光液及其制备方法 | |
| JP2012248594A (ja) | 研磨剤 | |
| TH74074A (th) | ซิลิกาและสเลอรีที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน | |
| AU2003245744A1 (en) | Process for chemical-mechanical polishing of metal substrates | |
| CN1216410C (zh) | 化学机械抛光用研磨剂 | |
| TW200717635A (en) | Polishing method for semiconductor wafer | |
| KR101465762B1 (ko) | 폴리스티렌/실리카 복합체를 포함하는 연마재, 및 이의 제조 방법 | |
| TW201938750A (zh) | 研磨組合物 | |
| TW201522596A (zh) | 硏磨用組成物、硏磨方法以及基板的製造方法 | |
| Sivanandini et al. | Effect of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane on surface finish and material removal rate in chemical mechanical polishing | |
| US8551252B2 (en) | Methods for removing residual particles from a substrate | |
| KR101465761B1 (ko) | 폴리스티렌/실리카 복합체를 포함하는 연마재, 및 이의 제조 방법 |