TH71822B - สิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอซิดที่มีฟิล์มที่ถูกทำให้ตกสะสมแบบไอ และวิธีการของการผลิตสิ่งเดียวกันนี้ - Google Patents

สิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอซิดที่มีฟิล์มที่ถูกทำให้ตกสะสมแบบไอ และวิธีการของการผลิตสิ่งเดียวกันนี้

Info

Publication number
TH71822B
TH71822B TH1401005516A TH1401005516A TH71822B TH 71822 B TH71822 B TH 71822B TH 1401005516 A TH1401005516 A TH 1401005516A TH 1401005516 A TH1401005516 A TH 1401005516A TH 71822 B TH71822 B TH 71822B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
poly
lactic acid
output
plasma
practice
Prior art date
Application number
TH1401005516A
Other languages
English (en)
Other versions
TH147244A (th
Inventor
โอซาว่า
คาซุฮิโกะ
คิโทะ
ซาโตมิ
ซาโตรุ
ทาคุโร่
ยามาซากิ
อิโตะ
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH147244A publication Critical patent/TH147244A/th
Publication of TH71822B publication Critical patent/TH71822B/th

Links

Abstract

DC60 (17/11/57) สิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอซิด ซึ่งประกอบด้วยวัสดุพื้นฐานของโพลีแลคติก แอซิด 1 และฟิล์มไฮโดรคาร์บอน 3 ที่ถูกทำให้ตกสะสมแบบไอบนพื้นผิวของวัสดุพื้นฐานโดย วิธีการแบบพลาสมา CVD, ที่ซึ่งวัสดุพื้นฐานของโพลีแลคติกแอซิด 1 จะแสดงพีคของการ เลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ที่ชัดเจน ในที่ซึ่งความกว้างครึ่งหนึ่งของพีคที่ปรากฏในการวัดค่า ของรังสีเอ็กซ์แบบมุมกว้าง 10องศา -25องศา จะไม่มากกว่า 1.22องศา, และฟิล์มไฮโดรคาร์บอน 3 จะถูกทำให้ ตกสะสมแบบไอบนพื้นผิวของวัสดุพื้นฐานของโพลีแลคติกแอซิด 1, และรวมถึงสองชั้นของชั้น ที่มี CH2 สูง 3a ที่มีอัตราส่วนของ CH2 ต่อจำนวนทั้งหมดของ CH, CH2 และ CH3 เป็น ไม่น้อยกว่า 40% และชั้นที่มี CH2 ต่ำ 3b ที่ถูกสร้างขึ้นบนชั้นที่มี CH2 สูง 3a และที่มีอัตราส่วน ของ CH2 ต่อจำนวนทั้งหมดของ CH, CH2 และ CH3 เป็นไม่น้อยกว่า 35% สิ่งของขึ้นรูปของ โพลีแลคติกแอซิดจะมีฟิล์มไฮโดรคาร์บอนที่ถูกทำให้ตกสะสมแบบไอบนวัสดุพื้นฐานของ โพลีแลคติกแอซิด ซึ่งคงรักษาการยึดติดที่แนบสนิทมากไว้ตลอดขั้นตอนของพลาสมา CVD ที่ต่อเนื่อง โดยไม่มีความจำเป็นของการเปลี่ยนแปลงไปทั้งหมดของก๊าซของการเกิดปฏิกิริยา และโดยไม่มีการทำให้วัสดุพื้นฐานของโพลีแลคติกแอซิดถูกทำให้เสียรูปทางความร้อน หรือ ถูกทำให้เสื่อมสภาพทางความร้อน

Claims (9)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 2 ต.ค. 2562 ไม่มีข้อถือสิทธิ -------------------------------------------------------------------------- หน้า 1 ของจำนวน 3 หน้า ข้อถือสิทธิ
1. สิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอซิด ซึ่งประกอบรวมด้วยวัสดุพื้นฐานของโพลีแลคติก แอซิด และฟิล์มไฮโดรคาร์บอนที่ถูกทำให้ตกสะสมแบบไอบนพื้นผิวของวัสดุพื้นฐานโดยวิธีการ แบบพลาสมา CVD, ที่ซึ่ง วัสดุพื้นฐานของโพลีแลคติกแอซิดดังกล่าวจะแสดงพีคของการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ ที่ชัดเจน ในที่ซึ่งความกว้างครึ่งหนึ่งของพีคของการเลี้ยวเบนที่ถูกวัดค่าตลอดช่วงของ 20 = 10 องศา ถึง 25 องศา ในการวัดค่าของรังสีเอ็กซ์แบบมุมกว้างด้วยแหล่งของรังสี Cu-K(X (30 กิโลโวลต์, 100 มิลลิแอมแปร์) จะไม่มากกว่า 1.22?, และ ฟิล์มไฮโดรคาร์บอนดังกล่าวจะถูกทำให้ตกสะสมแบบไอบนพื้นผิวของวัสดุพื้นฐานของ โพลีแลคติกแอซิด, และจะรวมถึงสองชั้นของชั้นที่มี CH2 สูง ที่มีอัตราส่วนของ CH2ต่อจำนวน ทั้งหมดของ CH, CH2นละ CH, เป็นไม่น้อยกว่า 40% และชั้นที่มี CH2 ต่ำ ที่ถูกสร้างขึ้นบนชั้นที่มี CH2 สูงดังกล่าว และที่มีอัตราส่วนของ CH2 ต่อจำนวนทั้งหมดของ CH,CH2 และ CH3 เป็น ไม่มากกว่า 35%
2. สิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอซิดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1, ที่ซึ่งอัตราส่วนของ CH2 ในชั้นที่มี CH2 สูงดังกล่าว จะอยู่ในช่วงของไม่น้อยกว่า 44% แต่น้อยกว่า 60%
3. สิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอ1ชิดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1, ที่ซึ่งความหนาของชั้นที่มี CH2สูงดังกล่าวจะอยู่ไนช่วงของ 5 ถึง 15 นาโนเมตร และความหนาของชั้นที่มี CH2 ต่ำดังกล่าว จะอยู่ในช่วงของ 15 ถึง 100 นาโนเมตร
4. สิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอซิดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1, ที่ซึ่งสิ่งของขึ้นรูปดังกล่าว คือ ขวด
5. วิธีการของการผลิตสิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอซิดที่มีฟิล์มที่ถูกทำให้ตกสะสม แบบไอ, ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการป้อน, ในฐานะก๊าซของการเกิดปฏิกิริยา, ก๊าซของ หน้า 2 ของจำนวน 3 หน้า อย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบไฮโดรคาร์บอนที่เลือกได้จากอะลิฟาติกไฮโดรคาร์บอน ที่ไม่อิ่มตัว และอะโรมาติกไฮโดรคาร์บอน, และการทำให้ตกสะสมแบบไอของฟิล์ม ไฮโดรคาร์บอนบนพื้นผิวของสิ่งของดึงยืดขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอดโดยพลาสมา CVD, ที่ซึ่ง สิ่งของดึงยืดขึ้นรูปดังกล่าวของโพลีแลคติกแอซิดจะแสดงพีคของการเลี้ยวเบนของรังสี เอ็กซ์ที่ชัดเจน ในที่ซึ่งความกว้างครั้งหนึ่งของพีคของการเลี้ยวเบนที่ถูกวัดค่าตลอดช่วงของ 20 = 10 องศา ถึง 25 องศา ในการวัดค่าของรังสีเอ็กซ์แบบมุมกว้างด้วยแหล่งของรังสี Cu-Ka (30 กิโลโวลต์, 100 มิลลิแอมแปร์) จะไม่มากกว่า 1.22?, และ ในขั้นตอนของการทำให้ตกสะสมแบบไอของฟิล์มไฮโดรคาร์บอนดังกล่าว, การปฏิบัติ แบบพลาสมาจะถูกดำเนินการด้วยเอาท์พุทที่น้อยในขั้นแรกเริ่มของการสร้างขึ้นของฟิล์มเพื่อ สร้างขึ้นเป็นชั้นที่มี CH2 สูง ที่มีอัตราส่วนของ CH2ต่อจำนวนทั้งหมดของ CH, CH2และ CH3 เป็นไม่น้อยกว่า 40%และ, ต่อมา, การปฏิบัติแบบพลาสมาจะถูกดำเนินการด้วยเอาท์พุท ที่มากเพื่อสร้างขึ้นเป็นชั้นที่มี CH2 ตา ที่มีอั1ตราส่วนของ CH2 ต่อจำนวนทั้งหมดของ CH, CH2 และ CH3 เป็นไม่มากกว่า 35% การปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุทที่น้อย และเอาท์พุทที่มากจะถูกดำเนินการด้วย เอาท์พุทเป็น 350 ถึง 600 วัตต์ ขณะที่การปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุทที่มากจะถูกดำเนินการ โดยการใช้ไมโครเวฟ, และการปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุทที่น้อยจะถูกดำเนินการด้วย เอาท์พุทเป็น 350 ถึง 600 วัตต์ ขณะที่การปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุทที่มากจะถูกดำเนินการ ด้วยเอาท์พุทเป็น 1000 ถึง 1400 วัตต์
6. วิธีการของการผลิตตามข้อลือสิทธิข้อที่ 5, ที่ซึ่งการปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุท ที่น้อยจะถูกดำเนินการเป็นเวลา 0.9 ถึง 3.0 วินาที ขณะที่การปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุท ที่มากจะถูกดำเนินการเป็นเวลา 0.4 ถึง 2.7 วินาที
7. วิธีการของการผลิตตามข้อถือสิทธิข้อที่ 5, ที่ซึ่งเอาท์พุทชักนำเป็นไม่น้อยกว่า 650 วัตต์ จะถูกประยุกต์ใช้ก่อนการดำเนินการของการปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุทที่น้อย หน้า 3 ของจำนวน 3 หน้า
8. วิธีการของการผลิตตามข้อถือสิทธิข้อที่ 5, ที่ซึ่งก๊าซของการเกิดปฏิกิริยาที่มี องค์ประกอบที่เหมือนกันจะถูกป้อนตลอดการปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุทที่น้อย และ การปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุทที่มาก
9. วิธีการของการผลิตตามข้อถือสิทธิข้อที่ 5, ที่ซึ่งบัตราการไหลของก๊าซของ การเกิดปฏิกิริยาจะไม่ถูกเปลี่ยนแปลงอย่างแท้จริงตลอดการปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุท ที่น้อย และการปฏิบัติแบบพลาสมาด้วยเอาท์พุทที่มาก
TH1401005516A 2013-02-04 สิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอซิดที่มีฟิล์มที่ถูกทำให้ตกสะสมแบบไอ และวิธีการของการผลิตสิ่งเดียวกันนี้ TH71822B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH147244A TH147244A (th) 2016-03-04
TH71822B true TH71822B (th) 2019-10-02

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yu et al. New synthesis method for the growth of epitaxial graphene
JP5105028B2 (ja) グラフェンを含む導電性薄膜および透明導電膜
Stehle et al. Synthesis of hexagonal boron nitride monolayer: control of nucleation and crystal morphology
Wang et al. Graphene wrinkling: formation, evolution and collapse
TW201245476A (en) Vapor-deposited film having barrier performance
MX395343B (es) Peliculas recubiertas y envases formados de las mismas.
WO2015116297A3 (en) Sequential processing with vapor treatment of thin films of organic-inorganic perovskite materials
WO2016197097A3 (en) Methods to enhance bioavailability of organic small molecules and deposited films made therefrom
BR112022003863A2 (pt) Elemento de aquecimento susceptor formado de material de memória de forma para dispositivo gerador de aerossol
TW200802727A (en) Electrical components for microelectronic devices and methods of forming the same
PH12019500047A1 (en) Multilayer sheet for thermoforming having improved sagging resistance
CL2018001093A1 (es) Método para la deposición de capas funcionales adecuadas para tubos receptores de calor
Kim et al. Resonance effects in thickness-dependent ultrafast carrier and phonon dynamics of topological insulator Bi2Se3
NO20101071L (no) Kryssbindbar blanding til produksjon av en lagdelt artikkel
Chen et al. Growth mechanism of hydrogenated amorphous carbon films: Molecular dynamics simulations
TH71822B (th) สิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอซิดที่มีฟิล์มที่ถูกทำให้ตกสะสมแบบไอ และวิธีการของการผลิตสิ่งเดียวกันนี้
TH147244A (th) สิ่งของขึ้นรูปของโพลีแลคติกแอซิดที่มีฟิล์มที่ถูกทำให้ตกสะสมแบบไอ และวิธีการของการผลิตสิ่งเดียวกันนี้
Mladenović et al. Effects of thermal disorder on the electronic properties of ordered polymers
JP2018089950A (ja) 窒化珪素積層フィルム、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子ペーパー及び光学調整フィルム並びに窒化珪素積層フィルムの製造方法
Durairaj et al. Parafilm Enabled Rapid and Scalable Delamination/Integration of Graphene for High‐Performance Capacitive Touch Sensor
Guerrero-Sanchez et al. Ab-initio studies of the Sc adsorption and the ScN thin film formation on the GaN (000-1)-(2× 2) surface
Rezvan et al. Investigation of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition as the Method of Obtaining Graphene Films
Shinohara et al. Difference of deposition process of an amorphous carbon film due to source gases
AR088049A1 (es) Metodo para recubrir un sustrato para formar un sustrato recubierto coloreado, metodo para fabricar un sustrato recubierto coloreado en un sistema de deposicion por arco catodico y sustrato recubierto coloreado obtenido
KR20170128278A (ko) 적층체 및 그 제조 방법, 그리고 가스 배리어 필름 및 그 제조 방법