TH71162A - วิธีการสำหรับการผลิตซับสเตรทซิลิคอนเจอร์มาเนียมบนฉนวน (sgoi) และซับสเตรทเจอร์มาเนียมบนฉนวน (goi) - Google Patents

Abstract

DC60 (24/11/47) วิธีการสำหรับสร้างวัสดุซับสเตรทเจอร์มาเนียมบนฉนวน (GOI) วัสดุซับสเตรท GOI ซึ่งได้รับการผลิตโดยวิธีการและโครงสร้างต่างๆ ที่สามารถรวมถึงวัสดุซับสเตรท GOI ของ การประดิษฐ์นี้เป็นอย่างน้อยที่สุดจะได้รับการจัดเตรียมไว้ วัสดุซับสเตรท GOI รวมถึงซับสเตรท อย่างน้อยที่สุดหนึ่งแผ่น ชั้นฉนวนฝังที่อยู่บนซับสเตรทและชั้นที่มี Ge โดยอย่างที่ควรเลือกใช้แล้ว เป็น Ge บริสุทธิ์ซึ่งอยู่บนชั้นฉนวนฝัง ในวัสดุซับสเตรท GOI ของการประดิษฐ์นี้ชั้นที่มี Ge อาจ เรียกว่าฟิล์ม GOI เป็นชั้นของวัสดุซับสเตรทของการประดิษฐ์นี้ซึ่งอุปกรณ์สามารถได้รับการก่อรูป ขึ้นได้ วิธีการสำหรับสร้างวัสดุซับสเตรทเจอร์มาเนียมบนฉนวน (GOI) วัสดุซับเสตรท GOI ซึ่งได้รับการผลิตโดยวิธีการและโครงสร้างต่างๆ ที่สามารถรวมถึงวัสดุซับสเตรท GOI ของ การประดิษฐ์นี้เป็นอย่างน้อยที่สุดจะได้รับการจัดเตรียมไว้ วัสดุซับสเตรท GOI รวมถึงซับเสตรท อย่างน้อยที่สุดหนึ่งแผ่น ชั้นฉนวนฝังที่อยู่บนซับสเตรทและชั้นที่มี Ge โดยอย่างที่ควรเลือกใช้แล้ว เป็น Ge บริสุทธิ์ซึ่งอยู่บนชั้นฉนวนฝัง ในวัสดุซับสเตรท GOI ของการประดิษฐ์นี้ชั้นที่มี Ge อาจ เรียกว่าฟิล์ม GOI เป็นชั้นของวัสดุซับสเตรทของการปรดิษฐ์นี้ซึ่งอุปกรณ์สามารถได้รับการก่อรูป ขึ้นได้

Claims (68)

โดยที่ได้บรรยายการประดิษฐ์นี้โดยละเอียดแล้ว สิ่งที่เราอ้างสิทธิว่าเป็นสิ่งใหม่และ ต้องการได้รับการคุ้มครองโดยสิทธิบัตรคือ

1. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำ ซึ่งประกอบด้วย ขับสเตรทแบบกึ่งตัวนำหรือไม่กึ่งตัวนำ ชั้นฉนวนฝังซึ่งอยู่บนพื้นผิวด้านบนของซับสเตรท ชั้นยึดติดระหว่างกลางซึ่งอยู่บนพื้นผิวด้านของชั้นฉนวนฝัง และ ชั้นที่มี Ge ซึ่งอยู่บนพื้นผิวด้านบนของชั้นยึดติดระหว่างกลางซึ่งชั้นที่มี Ge ดังกล่าวได้ รับการติดเข้ากับชั้นฉนวนฝังด้วยชั้นยึดติดระหว่างกลาง

2. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งพื้นผิวของชั้นที่มี Ge ซึ่งสัมผัสกับชั้น ยึดติดระหว่างกล่าวได้รับการทำให้หยาบ

3. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งซับสเตรทดังกล่าวเป็นซับสเตรทสาร กึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำซึ่งได้รับการเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Si, SiC, SiGe, SiGeC, Ge, GaAs, InAs, InP และสารกึ่งตัวนำประกอบ IIIN หรือ IINI อื่น ๆ

4. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งซับสเตรทเป็นซับสเตรทที่มี Si ซึ่ง ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ได้รับการเลือกสรรจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Si, SiC, SiGe, SiGeC, Si/siC, Si/SiGeC และซิลิคอนบนฉนวนสำเร็จรูป

5. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งซบเสตรทประกอบด้วยชั้นชนิด เครียด ชั้นชนิดไม่เครียดหรือผสมกัน

6. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งชั้นฉนวนฝังดังกล่าวเป็นออกไซด์ และ/หรือไนโตรด์ที่เป็นผลึกหรือไม่เป็นผลึก

7. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งชั้นฉนวนฝังดังกล่าวประกอบด้วย SiO2

8. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังประกอบด้วยกระจกเงาแพร่ กระจายแบบฝังซึ่งอยู่ระหว่างชั้นฉนวนฝังและฉนวนฝังอีกส่วนหนึ่ง

9. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งกระจกเงาแพร่กระจายแบบฝังเป็นลูก ฟูก

10. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 9 ซึ่งกระจกเงาแพร่กระจายแบบฝัง ประกอบด้วยโลหะ

11. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งชั้นยึดติดระหว่างกลางคือวัสดุ Si

12. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 11 ซึ่งวัสดุ Si ดังกล่าวคือ Si ผลึกเดียว Si หลายผลึก Si อสัณฐาน Si บนผิว หรือส่วนผสมที่มีสิ่งเหล่านี้หลายชั้น

13. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งชั้นที่มี Ge ดังกล่าวเป็นชั้น Ge บริสุทธิ์

14. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งชั้นที่มี Ge ดังกล่าวคือชั้นบางซึ่งมี ความหนาจากประมาณ 1 นาโนเมตรถึงประมาณ 1000 นาโนเมตร

15. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำ ซึ่งประกอบด้วย ซับสเตรท กระจกเงาของแบรกก์ซึ่งอยู่บนซับสเตรทดังกล่าว และ ฟิล์มเจอร์มาเนียมบนฉนวนซึ่งอยู่บนกระจกเงาของแบรกก์ดังกล่าว ซึ่งกระจกเงาของ แบรกก์ดังกล่าวประกอบด้วยไดอิเล็กตริกฟิล์มสองอย่างสลับกันจำนวนหนึ่ง

16. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 15 ซึ่งกระจกเงาของแบรกก์ดังกล่าว ประกอบด้วยชั้น SiO2 และ Si3N4 สลับกับจำนวนหนึ่ง

17. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำ ซึ่งประกอบด้วย ซับเสตรทแบบกึ่งตัวนำหรือไม่กึ่งตัวนำ ชั้นฉนวนฝังซึ่งอยู่บนฟื้นผิวด้านบนของซับสเตรท และ ชั้นที่มี Ge ซึ่งอยู่บนพื้นผิวด้านขนของชั้นฉนวนฝัง ซึ่งชั้นที่มี Ge ดังกล่าวได้รับการติด เข้ากับฟิล์มฉนวนฝังด้วยพื้นผิวที่ได้รับการทำให้หยาบ

18. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งซับสเตรทดังกล่าวเป็นซับสเตรท สารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำซึ่งได้รับการเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Si, SiC, SiGe, SiGeC, Ge, GaAs, InAs, InP และสารกึ่งตัวนำประกอบ IIIN หรือ IINI อื่นๆ

19. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งซับสเตรทดังกล่าวเป็นซับสเตรทที่มี Si ซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ได้รับการเลือกสรรจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Si, SiC, SiGe, SiGeC, Si/SiC, Si/SiGeC และซิลิคอนบนฉนวนสำเร็จรูป

20. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งซับสเตรทประกอบด้วยชั้นชนิด เครียด ชั้นชนิดไม่เครียดหรือผสมกัน

21. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งชั้นฉนวนฝังดังกล่าวเป็นออกไซด์ และ/หรือไนโตรด์ที่เป็นผลึกหรือไม่เป็นผลึก

22. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งชั้นฉนวนฝังดังกล่าวประกอบด้วย SiO2

23. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งฉนวนฝังดังกล่าวคือกระจกเงา ของแบรกก์ที่มีชั้นไดอ้างอิงซึ่งมีดัชนีหักเหแตกต่างสลับกันอย่างน้อยที่สุดหนึ่งคู่

24. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งยังประกอบด้วยกระจกเงาแพร่ กระจายแบบฝังซึ่งอยู่ระหว่างชั้นฉนวนฝังและฉนวนฝังอีกส่วนหนึ่ง

25. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 24 ซึ่งกระจกเบาแพร่กระจายแบบฝังเป็น ลูกฟูก

26. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 25 ซึ่งกระจกเงาแพร่กระจายแบบฝัง ประกอบด้วยโลหะ

27. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งชั้นที่มี Ge ดังกล่าวเป็นชั้น Ge บริสุทธิ์

28. เวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งชั้นที่มี Ge ดังกล่าวคือชั้นบางซึ่งมี ความหนาจากประมาณ 1 นาโนเมตรถึงประมาณ 1000 นาโนเมตร

29. โครงสร้างสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 1 เป็นอย่างน้อยที่สุดและอุปกรณ์หรือวงจรอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนซึ่งอยู่ในนั้น

30. โครงสร้างสารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 29 ซึ่งอุปกรณ์คือตัวตรวจวัดแสง Ge

31. โครงสร้างสารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 29 ซึ่งวงจรคือวงจรที่มี Si

32. โครงสร้างสารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 29 ซึ่งอุปกรณ์ดังกล่าวหรือวงจรดัง กล่าวได้รับการรวมแบบโมโนลิธิค

33. โครงสร้างสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 17 เป็นอย่างน้อยที่สุดและอุปกรณ์หรือวงจรอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนซึ่งอยู่ในนั้น

34. โครงสร้างสารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 33 ซึ่งอุปกรณ์คือตรวจวัดแสง Ge

35. โครงสร้างสารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 33 ซึ่งวงจรคือวงจรที่มี Si

36. โครงสร้างสารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 33 ซึ่งอุปกรณ์ดังกล่าวหรือวงจรดัง กล่าวได้รับการรวมแบบโมโนลิธิค

37. วิธีการสำหรับการก่อรูปเจอร์มาเนียมบนฉนวน ซึ่งประกอบด้วย การก่อรูปชึ้นยึดติดระหว่างกลางบนพื้นผิวหนึ่งของซับเสตรทตัวให้ที่มี Ge การก่อรูปชั้นฉนวนฝังบนชั้นยึดติดระหว่างกลางดังกล่าว การฝังปลูกไฮโดรเจนเข้าไปในซับสเตรทตัวให้ที่มี Ge และ การเชื่อมพันธะพื้นผิวที่เผยออกของชั้นฉนวนฝังกับซับสเตรทสารกึ่งตัวนำหรือไม่เป็นสาร กึ่งตัวนำ ซึ่งระหว่างการเชื่อมพันธะดังกล่าวนั้น ส่วนหนึ่งของซับสเตรทตัวให้ที่มี Ge ได้รับการ ถ่ายทอดไปยังซับสเตรทดังกล่าว

38. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งพื้นผิวหนึ่งของซับสเตรทตัวให้ที่มี Ge ได้รับการ ทำให้หยาบก่อนหน้าการก่อรูปชั้นยึดติดระหว่างกลางดังกล่าว

39. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 38 ซึ้งพื้นผิวที่ได้รับการทำให้หยาบดังกล่าวได้มาโดย การพ่นก๊าซเฉื่อย

40. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งซับสเตรทตัวให้ที่มี Ge เป็นเวเฟอร์ Ge บริสุทธิ์

41. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งการฝังปลูกได้รับการกระทำโดยใช้ปริมาณ กำหนดของไฮโดรเจนจากประมาณ 1E15 ซม.-2 ถึงประมาณ 1E17 ซม.-2

42. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 41 ซึ่งการปลูกฝังได้รับการกระทำโดยใช้ปริมาณ กำหนดของไฮโดรเจนจากประมาณ 3E16 ถึงประมาณ 4E16 ซม.-2

43. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งการฝังปลูกได้รับการกระทำที่อุณหภูมิฝังปลูก จากประมาณ 20 องศาเซลเซียลถึงประมาณ 40 องศาเซลเซียล

44. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งพื้นผิวเผยออกของฉนวนฝังและซับสเตรทได้รับ การทำความสะอาดและบำบัดพื้นผิวก่อนหน้าการเชื่อมพันธะ

45. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งการเชื่อมพันธะดังกล่าวประกอบด้วยการพลิกเว เฟอร์ การเชื่อมพันธะสัมผัสและการอบนิ่ม

46. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 45 ซึ่งการอบนิ่มประกอบด้วยการอบนิ่มครั้งที่หนึ่งที่ อุณหภูมิที่หนึ่งสามารถเพิ่มการเชื่อมพันธะระหว่างซับสเตรทและชั้นฉนวนฝังได้ การอบนิ่มครั้ง ที่สองที่อุณหภูมิที่สองซึ่งสามารถกำจัดส่วนหนึ่งของซับสเตรทตัวให้ที่มี Ge ดังกล่าวได้ และ การอบนิ่มครั้งที่สามที่อุณหภูมิที่สามซึ่งสามารถเพิ่มความแข็งแรงให้กับการเชื่อมพันธะได้อีก

47. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 46 ซึ่งอุณหภูมิที่หนึ่งของการอบนิ่มครั้งที่หนึ่งดังกล่าว คือจากประมาณ 100 องศาเซลเซียลถึงประมาณ 300 องศาเซลเซียลสำหรับคาบเวลาจาก ประมาณ 1 ชั่วโมงถึงประมาณ 48 ชั่วโมง

48. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 46 ซึ่งอุณหภูมิที่สองของการอบนิ่มครั้งที่สองดังกล่าว คือจากประมาณ 250 องศาเซลเซียสถึงประมาณ 400 องศาเซลเซียสสำหรับคาบเวลาจาก ประมาณ 1 ชั่วโมงถึงประมาณ 24 ชั่วโมง

49. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 46 ซึ่งอุณหภูมิที่สามของการอบนิ่มครั้งที่สามดังกล่าว คือจากประมาณ 500 องศาเซลเซียสถึงประมาณ 900 องศาเซลเซียสสำหรับคาบเวลาจาก ประมาณ 1 ชั่วโมงถึงประมาณ 48 ชั่วโมง

50. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 46 ซึ่งการอบนิ่มครั้งที่หนึ่ง ที่สองและที่สามได้รับการ กระทำในบรรยากาศก๊าซเฉื่อยเดียวกันหรือแตกต่างกันที่สามารถเลือกเจือจางด้วยก๊าซที่มี ออกซิเจนได้

51. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 46 ซึ่งการอบนิ่มครั้งที่หนึ่ง ที่สองและที่สามได้รับการ กระทำโดยใช้อัตราการลาดเอียงขึ้นอัตราเดียวหรือใช้วงรอบการลาดเอียงและจุ่มต่างๆ กัน

52. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งยังประกอบด้วยขั้นตอนการขัดทางเชิงกลเคมี ระหว่างการก่อรุปชั้นฉนวนฝังดังกล่าวและการฝังปลูกไฮโดรเจนดังกล่าว

53. วิธีการสำหรับการก่อรูปเจอร์มาเนียมบนฉนวน ซึ่งประกอบด้วย การทำให้พื้นผิวหนึ่งของซับสเตรทตัวให้ที่มี Ge หยาบ การก่อรูปชั้นฉนวนฝังบนพื้นผิวที่ได้รับการทำให้หยาบดังกล่าว การฝังปลูกไฮโดรเจนไปในซับสเตรทตัวให้ที่มี Ge ดังกล่าว และ การเชื่อมพันธะพื้นผิวเผยออกของชั้นฉนวนฝังกับซับสเตรทที่เป็นสารกึ่งตัวนำหรือไม่ เป็นสารกึ่งตัวนำ ซึ่งระหว่างการเชื่อมพันธะนั้น ส่วนหนึ่งของซับสเตรทตัวให้ที่มี Ge ได้รับการ ถ่ายทอดไปยังซับสเตรทดังกล่าว

54. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 53 ซึ่งชั้นยึดติดระหว่างกลางดังกล่าวได้รับการก่อรูปไว้ บนพื้นผิวที่ได้รับการทำให้หยาบและชั้นฉนวนฝังได้รับการก่อรูปไว้บนชั้นยึดติดระหว่างกล่างดัง กล่าว

55. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 53 ซึ่งพื้นผิวที่ได้รับการทำให้หยาบดังกล่าวได้มาโดย การพ่นก๊าซเฉื่อย

56. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 53 ซึ่งซับสเตรทตัวให้ที่มี Ge เป็นเวเฟอร์ Ge บริสุทธิ์

57. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 53 ซึ่งการฝังปลูกได้รับการกระทำโดยใช้ปริมาณ กำหนดของไฮโดรเจนจากประมาณ 1E15 ซม.-2 ถึงประมาณ 1E17 ซม.-2

58. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 53 ซึ่งการฝังปลูกได้รับการกระทำโดยใช้ประมาณ กำหนดของไฮโดรเจนจากประมาณ 3E16 ถึงประมาณ 4E16 ซม.-2

59. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 53 ซึ่งการฝังปลูกได้รับการกระทำที่อุณหภูมิฝังปลูก จากประมาณ 20 องศาเซลเซียสถึงประมาณ 40 องศาเซลเซียส

60. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 53 ซึ่งพื้นผิวเผยออกของฉนวนฝังและซับสเตรทได้รับ การทำความสะอาดและบำบัดพื้นผิวก่อนหน้าการเชื่อมพันธะ

61. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 53 ซึ่งการเชื่อพันธะดังกล่าวประกอบด้วยการพลิกเว เฟอร์ การเชื่อมพันธะสัมผัสและการอบนิ่ม

62. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 61 ซึ่งการอบนิ่มประกอบด้วยการอบนิ่มครั้งที่หนึ่งที่ อุณหภูมิที่หนึ่งที่สามารถเพิ่มการเชื่อมพันธะระหว่างซับสเตรทและชั้นฉนวนฝังได้ การอบนิ่มครั้ง ที่สองที่อุณหภูมิที่สองซึ่งสามารถกำจัดส่วนหนึ่งของซับสเตรทตัวให้ที่มี Ge ดังกล่าวได้ และ การอบนิ่มครั้งที่สามที่อุณหภูมิที่สามซึ่งสามารถเพิ่มความแข็งแรงให้กับการเชื่อมพันธะได้อีก

63. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 62 ซึ่งอุณหภูมิที่หนึ่งของการอบนิ่มครั้งที่หนึ่งดังกล่าว คือจากประมาณ 100 องศาเซลเซียสถึงประมาณ 300 องศาเซลเซียสสำหรับคาบเวลาจาก ประมาณ 1 ชั่วโมงถึงประมาณ 48 ชั่วโมง

64. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 62 ซึ่งอุณหภูมิที่สองของการอบนิ่มครั้งที่สองดังกล่าว คือจากประมาณ 250 องศาเซลเซียสถึงประมาณ 400 องศาเซลเซียสสำหรับคาบเวลาจาก ประมาณ 1 ชั่วโมงถึงประมาณ 24 ชั่วโมง

65. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 62 ซึ่งอุณหภูมิที่สามของการอบนิ่มครั้งที่สามดังกล่าว คือจากประมาณ 500 องศาเซลเซียสถึงประมาณ 900 องศาเซลเซียสสำหรับคาบเวลาจาก ประมาณ 1 ชั่วโมงถึงประมาณ 48 ชั่วโมง

66. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 62 ซึ่งการอบนิ่มครั้งที่หนึ่ง ที่สองและที่สามได้รับการ กระทำในบรรยากาศก๊าซเฉื่อยเดียวกันหรือแตกต่างที่สามารถเลือกเจือจางด้วยก๊าซที่มี ออกซิเจนได้

67. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 62 ซึ่งการอบนิ่มครั้งที่หนึ่ง ที่สองและที่สามได้รับการ กระทำโดยใช้อัตราการลาดเอียงขึ้นอัตราเดียวหรือใช้วงรอบการลาดเอียงและจุ่มต่าง ๆ กัน

68. วิธีการก่อรูปเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำ ซึ่งประกอบด้วย การจัดเตรียมซับเสตรทที่มีฉนวนฝัง ชั้นยึดติด Si ซึ่งอยู่บนฉนวนฝัง และชั้นที่มี Ge บน ชั้นยึดติด Si การบอนิ่มซับสเตรทเพื่อทำให้มีการผสมด้วยความร้อนของชั้นที่มี Ge และชั้นยึดติด Si เพื่อก่อรูปเป็นซิลิคอนเจอร์มาเนียมบนฉนวนหรือเจอร์มาเนียมบนฉนวน