TH70549A - Multi-height finfet - Google Patents

Multi-height finfet

Info

Publication number
TH70549A
TH70549A TH401001505A TH0401001505A TH70549A TH 70549 A TH70549 A TH 70549A TH 401001505 A TH401001505 A TH 401001505A TH 0401001505 A TH0401001505 A TH 0401001505A TH 70549 A TH70549 A TH 70549A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
fin
fins
ratio
height
channel
Prior art date
Application number
TH401001505A
Other languages
Thai (th)
Inventor
อัลเลอร์ นายอิงโก
ไคเนิร์ท นายโยอาคิม
ลุดวิก นายโธมัส
เจ. โนแว็ค นายเอ็ดเวิร์ด
แอนน์ ไรนีย์ นางเบ็ธ
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH70549A publication Critical patent/TH70549A/en

Links

Abstract

DC60 (26/07/47) การประดิษฐ์นี้จะจัดเตรียมไว้ด้วย อุปกรณ์ฟินเฟต ที่มีครีบที่หนึ่งและครีบที่สอง แต่ละครีบ นั้น จะมีบริเวณแชนเนล และ บริเวณซอร์สและเดรนที่ต่อขยายออกจากบริเวณแชนเนลนั้น ครีบ เหล่า นั้นจะมีความสูงที่แตกต่างกัน การประดิษฐ์นี้จะมีตัว นำเกตที่ได้รับการกำหนดตำแหน่งอยู่ติดกับครีบ เหล่านั้น ตัว นำเกตจะตั้งฉากกับครีบเหล่านั้นและไขว้ข้ามบริเวณแชนเนลของ แต่ละครีบของครีบที่ หนึ่งและครีบที่สองนั้น ครีบเหล่านั้น จะขนานซึ่งกันและกัน อัตราส่วนของความสูงของครีบที่หนึ่ง ต่อความสูงของครีบที่สอง จะประกอบรวมด้วย อัตราส่วนของ หนึ่งต่อ 2/3 อัตราส่วนนั้นจะได้รับ การนำมาใช้เพื่อที่จะ ปรับตั้งสมรรถนะของทรานซิสเตอร์ และพิจารณาหาค่า ความกว้างแชนเนลทั้ง หมดของทรานซิสเตอร์นั้น การประดิษฐ์นี้จะจัดเตรียมไว้ด้วย อุปกรณ์ฟินเฟต ที่มีครีบที่หนึ่งและครีบที่สอง แต่ละครีบ นั้น จะมีบริเวณแชนเนล และ บริเวณซอร์สและเดรนที่ต่อขยายออกจากบริเวณแชนเนลนั้น ครีบ เหล่า นั้นจะมีความสูงที่แตกต่างกัน การประดิษฐ์นี้จะมีตัว นำเกตที่ได้รับการกำหนดตำแหน่งอยู่ติดกับครีบ เหล่านั้น ตัว นำเกตจะตั้งฉากกับครีบเหล่านั้นและไขว้ข้ามบริเวณแชนเนลของ แต่ละครีบของครีบที่ หนึ่งและครีบที่สองนั้น ครีบเหล่านั้น จะขนานซึ่งกันและกัน อัตราส่วนของความสูงของครีบที่หนึ่ง ต่อความสูงของครีบที่สอง จะประกอบรวมด้วย อัตราส่วนของ หนึ่งต่อ 2/3 อัตราส่วนนั้นจะได้รับ การนำมาใช้เพื่อที่จะ ปรับตั้งสมรรถนะของทรานซิสเตอร์ และพิจารณาหาค่า ความกว้างแชนเนลทั้ง หมดของทรานซิสเตอร์นั้น DC60 (26/07/47), this invention will also be provided. Finfet equipment Each fin has the first and second fins, each having a channel region and a source and drain region extending from that channel region. This invention will have The gate guide is positioned next to those fins. The gate guide is perpendicular to those fins and crosses the channel area of the Each fin of that fin One and the second fins Those fins Will be parallel to each other The ratio of the height of the first fin To the height of the second fin Is compounded by the ratio of one to 2/3 that ratio is given Used in order to Adjust the transistor performance And consider Whole channel width Out of that transistor This invention will also provide Finfet equipment Each fin has the first and second fins, each having a channel region and a source and drain region extending from that channel region. This invention will have The gate guide is positioned next to those fins. The gate guide is perpendicular to those fins and crosses the channel area of the Each fin of that fin One and the second fins Those fins Will be parallel to each other The ratio of the height of the first fin To the height of the second fin Is compounded by the ratio of one to 2/3 that ratio is given Used in order to Adjust the transistor performance And consider Whole channel width Out of that transistor

Claims (2)

1.อุปกรณ์ฟินเฟต ประกอบรวมด้วย: ครีบที่หนึ่งและครีบที่สอง แต่ละครีบนั้นประกอบรวมด้วย บริเวณแชนแนล และบริเวณ ซอร์สและเตรนที่ต่อขยายออกจากบริเวณ แชนเนลดังกล่าว ที่ซึ่งครีบที่หนึ่งดังกล่าวและครีบที่สองดังกล่าวมีความ สูงที่แตกต่างกัน1.Finfate equipment Includes: First fin and second fin. Each fin is composed of a channel area and a source and stray area that extends from the area. That channel Where the first and the second fin are Different heights 2. อุปกรณ์ฟินเฟต ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ประกอบรวมต่อไปอีก ด้วย ตัวนำเกตที่ไดรับการ กำหนดตำแหน่งอยู่ติดกับครีบที่ หนึ่งดังกล่าวและครีบที่สองดังกล่าว ที่ซึ่งตัวนำเกตดัง กล่าวจะอยู่ที่ ค่ามุมขนาดหกสิบเจ็ดองศาครึ่ง เมื่อเทียบกับ ครีบทึ่หนึ่งแท็ก :2.Finfate equipment In Claim No. 1, it is also included as well. Position next to the fins One such and the second such Where the gate conductor rings Said to be at The value of an angle of sixty-seven degrees and a half Compared to One fin Tag:
TH401001505A 2004-04-28 Multi-height finfet TH70549A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH70549A true TH70549A (en) 2005-09-14

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004015592D1 (en) METHOD FOR THE PRODUCTION OF FINFETS OF MULTIPLE HEIGHTS
ATE404996T1 (en) METHOD FOR PRODUCING PAIRS OF PARALLEL FINFETS
ATE461526T1 (en) HIGH DENSITY FINFET INTEGRATION PROCESS
EP4220719A3 (en) Fin patterning for advanced integrated circuit structure fabrication
ATE544182T1 (en) FIN TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
WO2009012295A3 (en) Fin-type field effect transistor structure with merged source/drain silicide and method of forming the structure
WO2005057615A3 (en) Closed cell trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor
ATE437449T1 (en) HIGH PERFORMANCE MOSFET HAVING A STRESSED GATE METAL SILICIDE LAYER AND PRODUCTION PROCESS THEREOF
ATE546837T1 (en) VERTICAL FIN FET MOS DEVICES
de Andrade et al. Behavior of triple-gate Bulk FinFETs with and without DTMOS operation
ATE492912T1 (en) ORGANIC SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT
EP2725620A3 (en) Field effect transistor and related devices
WO2005081323A3 (en) Trench-gate semiconductor devices and the manufacture thereof
US10665676B2 (en) Body contact layouts for semiconductor structures
US10685982B2 (en) Semiconductor structure
WO2003015182A3 (en) Fin field effect transistor and method for producing a fin field effect transistor
ATE534140T1 (en) FINFET BASED NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
TH70549A (en) Multi-height finfet
KR101616490B1 (en) Semiconductor device
US11171139B2 (en) Transistors with various threshold voltages and method for manufacturing the same
JP2014187290A5 (en)
CN101599505A (en) High-density high-efficiency power transistor layout mode
TW200610151A (en) MOS transistor and a semiconductor IC apparatus having the same
ATE456155T1 (en) FIELD EFFECT TRANSISTOR SEMICONDUCTOR COMPONENT
Plikat et al. Impact of cell layout on the characteristics of 60 V low on-resistance lateral NMOS for power ICs