TH6875B

TH6875B - Method C4 for low-temperature three-substance (ternary) systems.

Info

Publication number: TH6875B
Application number: TH9501000576A
Authority: TH
Inventors: แอนโธนีพอล อิงเกรแฮม นาย; โธมัสแพทริค กัลล์ นาย
Original assignee: นาย ดำเนินการเด่น; นาย ต่อพงศ์โทณะวณิก; นาย วิรัชศรีเอนกราธา; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นายดำเนิน การเด่น
Filing date: 1995-03-20
Publication date: 1997-06-26

Abstract

ที่ได้เปิดเผยไปคือวิธีการเพิ่มชิพแบบฟลิพของชิพของวงจรรวมกับตัวรองรับชิพ (chip carrier). ตามวิธีการที่ได้เปิดเผยวิธีหนึ่ง ส่วนประกอบซึ่งมีอุณหภูมิหลอมเหลวสูง อย่างเช่น โลหะผสมไบนารี Pb/Sn ถูกแปะติดบน ,ยกตัวอย่าง,ชิพ, และส่วนผสมของส่วนประกอบซึ่งมี จุดหลอมเหลวต่ำ, ตัวอย่างเช่น, Bi และ Sn, ถูกฉาบติดร่วมบนหน้าสัมผัสของ, ตัวอย่าง, ตัว รองรับชิพ (ชิพแคริเออร์). หลังจากนั้นชิพและตัวรองรับชิพถูกทำให้ร้อน. สิ่งนี้ทำให้ส่วน ประกอบซึ่งมีอุณหภูมิหลอมเหลวต่ำ, ตัวอย่าง Bi และ Sn, หลอมเหลวเกิดเป็นโลหะผสม ซึ่งมี อุณหภูมิหลอมเหลวต่ำ, อย่างเช่นโลหะผสม Bi/Sn.โลหะผสม ซึ่งมีจุดหลอมเหลวต่ำละลาย ส่วนประกอบซึ่งมีจุดหลอมเหลวสูงกว่า, อย่างเช่น Pb/Sn. สิ่งนี้เป็นผลให้เกิดพันธะโชลเดอร์ ของส่วนประกอบที่สามซึ่งมีจุดหลอมเหลวต่ำ อย่างเช่นโลหะผสมเทอร์นารีของ Bi/Pb/Sn What was revealed is a method for adding a flip of an integrated circuit chip to a chip carrier. Components with high melting temperatures such as Pb / Sn binary alloys are attached to, for example, chips, and a mixture of components that have Low melting point, for example, Bi and Sn, are co-plastered on the contacts of, for example, the chip carrier (chip carrier). After that, the chip and the chip support are heated. This makes the It is composed of low melting temperature, Bi and Sn samples, molten to form alloys with low melting temperatures, such as alloys. Bi / Sn.Alloy Which has a low melting point Components with a higher melting point, such as Pb / Sn. This results in a scholder bond. Of the third component which has a low melting point Such as Bi / Pb / Sn thermoplastic alloys.

Claims

1. A flip chip method that connects the integrated circuit chip to the carrier chip. It consists of a process: Apply a high melting point first ingredient onto the contacts of one chip and the chip carrier, and mask the mixture. The second with a lower melting point is placed on the opposite contact of the chip and the chip carrier, heating the chip and the chip carrier. To melt the ingredients with a lower melting point, and melt the ingredients that It has a high melting point to form a third compound in there, which still has a low melting temperature mixture. And a low melting point alla solder bond. And formed the third part Which has a low melting temperature, and melts the high melting temperature mixture there to form a Alloys containing low melting point alloys

2.Flip chip welding method Of the chip, the integrated circuit with the chip support consists of the steps of: Paste (Deposit), Pb / Sn alloys on chip contacts, and Coordinate (kokoposits) Bi and Sn on. The chip supports, heat the chip and the chip support to melt Bi and Sn and form Bi / Sn alloys with low melting temperatures, and melt Pb / Sn which has a higher melting point there to produce a Solder bond of Bi / Pb / Sn thermoplastic alloys with low melting point.

3. Claim 2 method, where Bi / Pb / Sn ternary alloys with low melting point consist of at least 50% Bi, 20% to 32% Pb, and the remainder of Sn.

4. Claim 2 method, where the low melting point Bi / Pb / Sn ternary alloy contains 50 to 52.5% Bi by 20% to 32% Pb wt. At least approximately 15.5% by weight in Sn

5. The Claim 2 method consists of bonding (depot) Bi / Sn turnary alloys onto the chip support.

6. The method of claim 2 consists of plastering (depot) Bi and a layer of Sn on the chip support.