TH66943A - สารกระจายตัวข้นของการขัดเงา และวัสดุฐานรองที่ขัดเงาแล้ว - Google Patents
สารกระจายตัวข้นของการขัดเงา และวัสดุฐานรองที่ขัดเงาแล้วInfo
- Publication number
- TH66943A TH66943A TH301003978A TH0301003978A TH66943A TH 66943 A TH66943 A TH 66943A TH 301003978 A TH301003978 A TH 301003978A TH 0301003978 A TH0301003978 A TH 0301003978A TH 66943 A TH66943 A TH 66943A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- polishing
- rare earth
- earth oxide
- abrasive
- reducing agents
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (14/01/47) สารกระจายตัวข้นของการขัดเงาที่ประกอบด้วย สารขัดถูที่ประกอบด้วย ส่วนประกอบหลักที่เป็นแรร์เอิร์ธออกไซด์ที่มีเซอ เรียมออกไซด์เป็นส่วนประกอบ ซึ่งสารกระจาย ตัวข้นของการขัด เงามีส่วนเพิ่มเติมที่ประกอบด้วยสารลด แรงตึงผิวที่ถือประจุลบ และสารลดแรงตึง ผิวที่ไม่ถือประจุ และมีค่า pH อย่างน้อย 11 สารกระจายตัวข้นของการขัดเงานี้ เหมาะเป็นพิเศษ สำหรับขัดเงาให้แก่วัสดุฐานรองที่เป็นแก้ว สำหรับทำจานแม่เหล็ก และวัสดุฐานรองอื่น ๆ ที่ใช้ใน สายงานอิเล็กทรอนิกส์ สารกระจายตัวข้นของการขัดเงาที่ประกอบด้วย สารขัดถูที่ประกอบด้วย ส่วนประกอบหลักที่เป็นแรร์เอิร์ธออกไซด์ที่มีเซอ เรียมออกไซด์เป็นส่วนประกอบ ซึ่งสารกระจาย ตัวข้นของการขัด เงามีส่วนเพิ่มเติมที่ประกอบด้วยสารลด แรงดึงผิวที่ถือประจุลบ และสารลดแรงตึง ผิวที่ไม่ถือประจุ และมีค่า pH อย่างน้อย II สารกระจายตัวข้นของการขัดเงานี้ เหมาะเป็นพิเศษ สำหรับขัดเงาให้แก่วัสดุฐานรองที่เป็นแก้ว สำหรับทำจานแม่เหล็ก และวัสดุฐานรองอื่น ๆ ที่ใช้ใน สายงานอิเล็กทรอนิกส์
Claims (3)
1. สารกระจายตัวข้นของการขัดเงาที่ประกอบด้วย สารขัดถูที่มีส่วนประกอบ หลักเป็นแรร์เอิร์ธออกไซด์ที่มีเซอเรียม ออกไซด์เป็นส่วนประกอบ สารกระจายตัวข้นของการขัดเงา ดัง กล่าว มีส่วนเพิ่มที่ประกอบด้วยสารลด แรงตึงผิวที่ถือประจุลบ และสารลดแรงตึงผิวที่ไม่ถือ ประจุ และ มีค่า pH อย่างน้อย II
2. สารกระจายตัวข้นของการขัดเงาตามที่กำหนดไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 1 ซึ่งสาร ขัดถูประกอบด้วย แรร์เอิร์ธออกไซด์อย่าง น้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยมวลเทียบกับสารขัดถู
3. สารกระจายตัวข้นขแท็ก :
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH66943A true TH66943A (th) | 2005-02-01 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107987731B (zh) | 一种用于蓝宝石3d抛光的抛光液及其制备方法 | |
TW200720383A (en) | Polishing fluids and methods for CMP | |
DE69942615D1 (de) | Eine chemisch-mechanisch polierende aufschlämmung, eine beschleunigerlösung enthaltend | |
MY119729A (en) | Polishing machine | |
MY129818A (en) | Method for manufacturing substrate | |
TW200725721A (en) | Polishing method, polishing composition and polishing composition kit | |
TW200502340A (en) | Improved chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same | |
DE60009546D1 (de) | Verwendung von cäsiumhydroxyd für dielektrische aufschlämmung | |
WO2001026137A3 (en) | Three dimensional device integration method and integrated device | |
TW200631999A (en) | Polishing pad | |
EP1522567A4 (en) | COMPOSITION AND METHOD FOR THE TEMPORARY MOUNTING OF A SOLID BODY | |
TW200643157A (en) | Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method | |
TW200723382A (en) | Method for processing wafer | |
SG82027A1 (en) | New abrasive composition for the integrated circuits electronics industry | |
MY127032A (en) | Work chamfering apparatus and work chamfering method | |
TW200507018A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
TW200517477A (en) | Chemical mechanical abrasive slurry and method of using the same | |
JPWO2003070853A1 (ja) | 研磨スラリー | |
MY115584A (en) | A wafer carrier assembly for chem-mech polishing | |
TW200745316A (en) | Copper-based metal polishing compositions and polishing process | |
HK1026067A1 (en) | Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing | |
US20190321862A1 (en) | Cleaning apparatus | |
TH66943A (th) | สารกระจายตัวข้นของการขัดเงา และวัสดุฐานรองที่ขัดเงาแล้ว | |
MY143042A (en) | Polishing composition | |
MY131407A (en) | Method for uniform polish in microelectronic device |