TH56912B - การเขียนข้อมูลด้วยตัวสั่นพ้องแบบพลาสมอน - Google Patents
การเขียนข้อมูลด้วยตัวสั่นพ้องแบบพลาสมอนInfo
- Publication number
- TH56912B TH56912B TH501002624A TH0501002624A TH56912B TH 56912 B TH56912 B TH 56912B TH 501002624 A TH501002624 A TH 501002624A TH 0501002624 A TH0501002624 A TH 0501002624A TH 56912 B TH56912 B TH 56912B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- writing
- plasmon
- radiation
- signal variable
- write
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (05/08/58) ระบบการเขียนข้อมูลระบบหนึ่งรวมถึงแถวลำดับของเซลสำหรับการจัดเก็บข้อมูล และตัวแปรสัญญาณการเขียนที่เคลื่อนที่ไปตามเซลที่ได้รับการคัดสรรในแถวลำดับดังกล่าว ของเซล ตัวแปรสัญญาณการเขียนดังกล่าวรวมถึงเครื่องเขียนเครื่องหนึ่ที่สร้าง สนามแม่เหล็กการเขียนที่ตัดเซลที่ได้รับการคัดสรร ตัวแปรสัญญาณการเขียนดังกล่าวยัง รวมถึงตัวสั่นพ้องพลาสมอนตัวหนึ่งที่ติดกับเครื่องเขียนดังกล่าว ตัวสั่นพ้องพลาสมอน ดังกล่าวได้รับการกำหนดรูปร่างเพื่อรับการแผ่รังสีความหนาแน่นกำลังต่ำกว่าและจัด เตรียมการแผ่รังสีพลาสมอนที่ความหนาแน่นกำลังสูงกว่าให้กับจุดแสงจุดหนึ่งที่ตัดกับเซลที่ ได้รับการคัดสรรนั้น การแผ่รังสีพลาสมอนดังกล่าวให้ความร้อนเซลที่ได้รับการคัดสรรเหนือ อุณหภูมิการเขียนค่าหนึ่ง แก้ไขบทสรุปการประดิษฐ์ 5/08/2558 ระบบการเขียนข้อมูลระบบหนึ่งรวมถึงแถวลำดับของเซลสำหรับการจัดเก็บข้อมูล และตัวแปรสัญญาณการเขียนที่เคลื่อนที่ไปตามเซลที่ได้รับการคัดสรรในแถวลำดับดังกล่าว ของเซล ตัวแปรสัญญาณการเขียนดังกล่าวรวมถึงเครื่องเขียนเครื่องหนึ่ที่สร้าง สนามแม่เหล็กการเขียนที่ตัดเซลที่ได้รับการคัดสรร ตัวแปรสัญญาณการเขียนดังกล่าวยัง รวมถึงตัวสั่นพ้องพลาสมอนตัวหนึ่งที่ติดกับเครื่องเขียนดังกล่าว ตัวสั่นพ้องพลาสมอน ดังกล่าวได้รับการกำหนดรูปร่างเพื่อรับการแผ่รังสีความหนาแน่นกำลังต่ำกว่าและจัด เตรียมการแผ่รังสีพลาสมอนที่ความหนาแน่นกำลังสูงกว่าให้กับจุดแสงจุดหนึ่งที่ตัดกับเซลที่ ได้รับการคัดสรรนั้น การแผ่รังสีพลาสมอนดังกล่าวให้ความร้อนเซลที่ได้รับการคัดสรรเหนือ อุณหภูมิการเขียนค่าหนึ่ง ------------------------------------------------------------------- ระบบการเขียนข้อมูลระบบหนึ่งรวมถึงแถวลำดับของเซลสำหรับการจัดเก็บข้อมูล และตัวแปรสัญญาณการเขียนที่เคลื่อนที่ไปตามเซลที่ได้รับการคัดสรรในแถวลำดับดังกล่าว ของเซล ตัวแปรสัญญาณการเขียนดังกล่าวรวมถึงเครื่องเขียนเครื่องหนึ่งที่สร้างสนามแม่ เหล็กการเขียนที่ตัดเซลที่ได้รับการคัดสรร ตัวแปรสัญญาณการเขียนดังกล่าวยังรวมถึงตัว สั่นพ้องพลาสมอนตัวหนึ่งที่ติดกับเครื่องเขียนดังกล่าว ตัวสั่นพ้องพลาสมอนดังกล่าวได้รับ การกำหนดรูปร่างเพื่อรับการแผ่รังสีความหนาแน่นกำลังต่ำกว่าและจัดเตรียมการแผ่รังสีพ ลาสมอนที่ความหนาแน่นกำลังสูงกว่าให้กับจุดแสงจุดหนึ่งที่ตัดกับเซลที่ได้รับการคัดสรร นั้น การแผ่รังสีพลาสมอนดังกล่าวให้ความร้อนเซลที่ได้รับการคัดสรรเหนืออุณหภูมิการ เขียนค่าหนึ่ง
Claims (8)
1. ตัวแปรสัญญาณการเขียนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 17 ซึ่งตัวนำทางไฟฟ้าดังกล่าว ผ่านตามแนวด้านข้างตัวสั่นพ้องพลาสมอนดังกล่าว 2
2. ตัวแปรสัญญาณการเขียนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 17 ซึ่งเครื่องเขียนดังกล่าวนอก จากนี้ประกอบด้วยเครื่องเขียนแบบ STAR เครื่องหนึ่ง 2
3. ตัวแปรสัญญาณการเขียนที่เคลื่อนที่ได้สัมพัทธ์กับตัวกลางดังกล่าวเพื่อจัด เตรียมการเคลื่อนที่ของพื้นผิวแบริงของตัวแปรสัญญาณการเขียนไปตามเซลที่ได้รับการคัด สรรในแถวลำดับ ซึ่งตัวแปรสัญญาณการเขียนดังกล่าวประกอบด้วย ตัวสั่นพ้องพลาสมอนที่ได้รับการกำหนดรูปร่างเพื่อรับการแผ่รังสีความหนาแน่น กำลังต่ำกว่าและเพื่อจัดเตรียมการแผ่รังสีพลาสมอนที่ความหนาแน่นกำลังสูงกว่าให้กับจุด แสงจุดหนึ่งที่ตัดกับเซลที่ได้รับการคัดสรร ซึ่งการแผ่รังสีพลาสมอนดังกล่าวให้ความร้อน เซลที่ได้รับการคัดสรรเหนืออุณหภูมิการเขียน และ เครื่องเขียนเครื่องหนึ่งที่สร้างสนามแม่เหล็กการเขียนที่ตัดเซลที่ได้รับการคัดสรร และเครื่องเขียนเครื่องหนึ่งที่ประกอบด้วยขดลวดการเขียนและแกนการเขียนที่รวมถึงช่อง ห่างช่องหนึ่งและส่วนประกอบพลาสมอนดังกล่าวผ่านทะลุช่องห่างการเขียนดังกล่าวที่พื้น ผิวแบริง 2
4. ตัวแปรสัญญาณการเขียนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 23 ซึ่งแกนดังกล่าวได้รับการจัด โดยทั่วไปแล้วตั้งฉากกับพื้นผิวแบริงดังกล่าว 2
5. ตัวแปรสัญญาณการเขียนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 23 ซึ่งแกนดังกล่าวได้รับการจัด โดยทั่วไปแล้วขนานกับพื้นผิวแบริงดังกล่าว 2
6. ตัวแปรสัญญาณการเขียนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 23 ซึ่งแกนการเขียนดังกล่าวได้ รับการก่อรูปด้วยวัสดุที่ได้รับการคัดสรรจากกลุ่มของเหล็ก โคบอลท์และนิเกิล 2
7. ตัวแปรสัญญาณการเขียนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 23 ซึ่งสนามแม่เหล็กการเขียน ดังกล่าวตัดขวางกับทิศทางของการเคลื่อนที่สัมพัทธ์ทิศทางหนึ่ง 2
8. ตัวแปรสัญญาณการเขียนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 23 ซึ่งโครงสร้างขั้วการเขียนดัง กล่าวสร้างสนามหนึ่งที่ขนานกับทิศทางของการเคลื่อนที่สัมพัทธ์ดังกล่าว
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH74796A TH74796A (th) | 2006-01-19 |
| TH56912B true TH56912B (th) | 2017-08-23 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fiebig et al. | Visualization of the local insulator-metal transition in Pr0. 7Ca0. 3MnO3 | |
| US20060232869A1 (en) | Apparatus for excitation, enhancement, and confinement of surface electromagnetic waves for confined optical power delivery | |
| EP0184189B1 (en) | Optical information recording device and method | |
| US7869309B2 (en) | Dual wire integrated WAMR/HAMR writing head | |
| Key | Fast track to fusion energy | |
| US20030128452A1 (en) | Write head and method for recording information on a data storage medium | |
| US20100163521A1 (en) | System, method and apparatus for fabricating a c-aperture or e-antenna plasmonic near field source for thermal assisted recording applications | |
| US20050052771A1 (en) | Heat assisted magnetic recording head and method | |
| CN102592608A (zh) | 用于近场光学换能器的热沉 | |
| US8780677B2 (en) | Magnetic field generator | |
| US6952380B2 (en) | Apparatus and method for recording information | |
| US6773764B2 (en) | Method of forming a patterned magnetic recording medium | |
| US20060067001A1 (en) | Thermally assisted recording of magnetic media using a rosonant cavity and energy | |
| Vardeny et al. | Hybrid Organic Inorganic Perovskites: Physical Properties and Applications (in 4 Volumes) | |
| Zhou et al. | Phase change of Ge2Sb2Te5 under terahertz laser illumination | |
| TH56912B (th) | การเขียนข้อมูลด้วยตัวสั่นพ้องแบบพลาสมอน | |
| TH74796A (th) | การเขียนข้อมูลด้วยตัวสั่นพ้องแบบพลาสมอน | |
| US6702186B1 (en) | Assembly comprising a plurality of media probes for writing/reading high density magnetic data | |
| Smolyaninov et al. | High resolution study of permanent photoinduced reflectivity changes and charge-order domain switching in Bi 0.3 Ca 0.7 MnO 3 | |
| EP0736866A2 (en) | Bias coil for magneto-optical drive | |
| JP2008276904A (ja) | 情報記録再生装置 | |
| US8059354B2 (en) | Transducer for data storage device | |
| Ludwig et al. | FDTD analysis of sub-wavelength focusing phenomena in plasmonic meta-screens | |
| Takemura et al. | Planar-type ferromagnetic tunnel junctions fabricated by atomic force microscope for Nonvolatile Memory | |
| Traviss | Magnetic Drive Inertial Fusion Energy (MD-IFE) |