TH54951B - วิธีการและเครื่องมือของวัสดุบัดกรีแบบติดตั้งบนพื้นผิวสำหรับความจุไฟฟ้าดีคัปปลิ้งและกระบวนการของการทำ - Google Patents

Abstract

DC60 (01/09/59) ระบบเพื่อสร้างตัวถังให้กับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์จุลภาพสมรรถนะสูง ดังเช่น ไมโคร โพรเซสเซอร์จะตอบสนองกับภาวะชั่วครู่ของส่วนประกอบ ในรูปลักษณะหนึ่งระบบจะรวมถึง ตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งซึ่งได้จัดวางไว้ระหว่างตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vcc และตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vss ตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งมีขั้วต่อ Vcc และ Vss ขั้วต่อ Vcc และ Vss จะเฉลี่ยร่วมใช้แผ่นรองทางไฟฟ้า กับตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vcc และตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vss ทำให้วงรอบของกระแสไฟฟ้าแบบ เรียบง่ายเกิดขึ้นซึ่งจะปรับปรุงการส่งกำลังสำหรับระบบให้ดีขึ้น แก้ไข 01/09/2559 ระบบเพื่อสร้างตัวถังให้กับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์จุลภาพสมรรถนะสูง ดังเช่น ไมโคร โพรเซสเซอร์จะตอบสนองกับภาวะชั่วครู่ของส่วนประกอบ ในรูปลักษณะหนึ่งระบบจะรวมถึง ตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งซึ่งได้จัดวางไว้ระหว่างตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vccกับตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vss ตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งมีขั้วต่อ Vccและ Vssขั้วต่อ Vccและ Vssจะเฉลี่ยร่วมใช้แผ่นรองทางไฟฟ้า กับตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vccและตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vssทำให้วงรอบของกระแสไฟฟ้าแบบ เรียบง่ายเกิดขึ้นซึ่งจะปรับปรุงการส่งกำลังสำหรับระบบให้ดีขึ้น ------------------------------------------- ระบบเพื่อสร้างตัวถังให้กับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์จุลภาพสมรรถนะสูง ดังเช่น ไมโคร- โพรเซสเซอร์ จะตอบสนองกับภาวะชั่วครู่ของส่วนประกอบ ในรูปลักษณะหนึ่งระบบจะรวมถึง ตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อซึ่งได้จัดวางไว้ระหว่างตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vcc กับตุ่มนูนทาง ไฟฟ้าของ Vss ตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อมีขั้วต่อ Vcc และ Vss ขั้วต่อ Vcc และ Vss จะเฉลี่ยร่วมใช้แผ่นรองทางไฟฟ้ากับตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vcc และตุ่มนูนทางไฟฟ้าของ Vss ทำ ให้วงรอบของกระแสไฟฟ้าแบบเรียบง่ายเกิดขึ้นซึ่งจะปรับปรุงการส่งกำลังไฟฟ้าสำหรับระบบให้ดี ขึ้น

Claims (7)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 01/09/2559 1. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งซึ่งประกอบรวมด้วย: ซับสเตรทซึ่งรวมถึงแผ่นรองที่หนึ่งของซับสเตรทและแผ่นรองที่สองของซับสเตรท; ตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าซึ่งรวมถึงปลายด้านล่างสุดและปลายด้านบนสุด,โดยที่ทำให้ปลายด้าน ล่างสุดได้รับการยึดติดกับแผ่นรองที่หนึ่ง; ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าซึ่งรวมถึงปลายด้านล่างสุดและปลายด้านบนสุด,โดยที่ปลายด้าน ล่างสุดได้รับการยึดติดกับแผ่นรองที่สอง; ตัวเก็บประจุที่หนึ่งที่จัดวางไว้เหนือซับสเตรทและอยู่ชิดกันกับตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า อย่างมีนัยสำคัญ; โครงสร้างด้านบนสุดที่จัดวางไว้ที่ปลายด้านบนสุดของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า,โดยที่ โครงสร้างด้านบนสุดจะต่อถึงกันทางไฟฟ้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่ง และได้รับการเลือกมาจาก ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์,ชิ้นสอดแทรก,เต้ารับ และการรวมกันของสิ่งนั้น;และ วงรอบของกระแสไฟฟ้าซึ่งบังเกิดขึ้นในตัวเก็บประจุที่หนึ่ง,ซึ่งจะผ่านทะลุโครงสร้างด้าน บนสุด, และซึ่งไปสิ้นสุดในตัวเก็บประจุที่หนึ่ง,โดยที่วงรองของกระแสไฟฟ้าได้รับการเลือกมาจาก วงรอบของกระแสไฟฟ้าแบบเรียบง่าย และวงรอบของกระแสไฟฟ้าที่เบี่ยงเบนแบบเรียบง่าย 2. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1, โดยที่ตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า รวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่ง, โดยที่ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้ารวมถึงมิติในแนวดิ่งของ ลักษณะพิเศษที่สอง, โดยที่ตัวเก็บประจุรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สาม, และโดยที่มิติใน แนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่งใหญ่กว่ามิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สาม 3. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1, โดยที่ตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า รวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะเศษที่หนึ่ง, โดยที่ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้ารวมถึงมิติในแนวดิ่งของ ลักษณะพิเศษที่สอง, โดยที่ตัวเก็บประจุรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สาม, และโดยที่มิติใน แนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่งเท่ากันกับมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สามอย่างมีนัยสำคัญ 4. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1, โดยที่ตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า รวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่ง, โดยที่ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้ารวมถึงมิติในแนวดิ่งของ ลักษณะพิเศษที่สอง, โดยที่ตัวเก็บประจุรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สาม, โดยที่มิติใน แนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่งใหญ่กว่ามิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สาม, และโดยที่ตัวเก็บ ประจุได้รับการจัดวางไว้บนซับสเตรท 5. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1, โดยที่ตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า รวมมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่ง, โดยที่ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้ารวมถึงมิติในแนวดิ่งของ ลักษณะพิเศษที่สอง, โดยที่ตัวเก็บประจุรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สาม, และโดยที่มิติใน แนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่งใหญ่กว่ามิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สาม, และโดยที่ตัวเก็บ ประจุได้รับการจัดวางไว้บนโครงสร้างด้านบนสุด 6. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1,ซึ่งตัวเก็บประจุที่หนึ่งยังรวม ต่อไปถึง: ขั้วต่อ Vcc; และ ขั้วต่อ Vss,โดยที่แผ่นรองที่หนึ่งทำให้เกิดการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า และขั้วต่อ Vccของตัวเก็บประจุ, และโดยที่แผ่นรองที่สองทำให้เกิดการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับตุ่มนูน ที่สองทางไฟฟ้า และขั้วต่อ Vssของตัวเก็บประจุ 7. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งข้อถือสิทธิข้อที่ 1,ซึ่งตัวเก็บประจุที่หนึ่งยังรวม ต่อไปถึง: ขั้วต่อ Vcc; ขั้วต่อ Vss; แผ่นรองที่หนึ่งของโครงสร้างด้านบนสุด, โดยที่ปลายด้านบนสุดของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า ได้รับการยึดติดกับแผ่นรองที่หนึ่งของโครงสร้างด้านบนสุด; แผ่นรองที่สองของโครงสร้างด้านบนสุด, โดยที่ปลายด้านบนสุดของตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้า ได้รับการยึดติดกับแผ่นรองที่สองของโครงสร้างด้านบนสุด; และ โดยที่แผ่นรองที่หนึ่งของโครงสร้างด้านบนสุดทำให้เกิดการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับตุ่มนูน ที่หนึ่งทางไฟฟ้าและขั้วต่อ Vccของตัวเก็บประจุ, และโดยที่แผ่นรองที่สองของโครงสร้างด้านบนสุด ทำให้เกิดการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าและขั้วต่อ Vssของตัวเก็บประจุ 8. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งยังรวมต่อไปถึง: ตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวซึ่งจัดเป็นแถวลำดับเชิงเส้นตรงกับและรวมถึงตัวเก็บ ประจุที่หนึ่ง, โดยที่จัดวางตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวได้รับการไว้บนซับสเตรท 9. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1,ซึ่งยังรวมต่อไปถึง: ตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวซึ่งจัดเป็นแถวลำดับเชิงเส้นตรงกับและรวมถึงตัวเก็บ ประจุที่หนึ่ง, โดยที่ตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวได้รับการจัดวางไว้บนโครงสร้างด้านบนสุด 1 0. เครื่องมือซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งที่หนึ่ง; ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์; และ วงรอบของกระแสไฟฟ้าซึ่งบังเกิดขึ้นในตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้ง, ซึ่งจะผ่านทะลุส่วนประกอบ อิเล็กทรอนิกส์, และซึ่งไปสิ้นสุดในตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งที่หนึ่ง, โดยที่วงรอบของกระแสไฟฟ้าได้รับ การเลือกมาจากวงรอบของกระแสไฟฟ้าแบบเรียบง่ายและวงรอบของกระแสไฟฟ้าที่เบี่ยงเบนแบบ เรียบง่าย 1 1. เครื่องมือตามข้อถือสิทธิข้อที่ 10, โดยที่ตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งที่หนึ่งเป็นส่วนของตัวเก็บ ประจุจำนวนหนึ่งซึ่งจัดเป็นแถวลำดับเชิงเส้นตรงบนซับสเตรท, โดยที่ซับสเตรทได้รับการเว้นห่าง จากส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ 1 2. เครื่องมือตามข้อถือสิทธิข้อที่ 10, โดยที่ตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งที่หนึ่งเป็นส่วนของตัวเก็บ ประจุจำนวนหนึ่งซึ่งจัดเป็นแถวลำดับเชิงเส้นตรงบนโครงสร้างด้านบนสุด, โดยที่โครงสร้างด้าน บนสุดได้รับการเลือกมาจากส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์, เต้ารับกำลัง, ชิ้นสอดแทรกและการรวมกัน ของสิ่งนั้น 1 3. เครื่องมือตามข้อถือสิทธิ่ข้อที่ 10, โดยที่ตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งที่หนึ่งเป็นส่วนของตัวเก็บ ประจุจำนวนหนึ่งซึ่งจัดเป็นแถวลำดับเชิงเส้นตรงบนซับสเตรท, โดยที่ซับสเตรทได้รับการเว้นห่าง จากส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์, โดยที่ตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งที่หนึ่งได้รับการจัดวางไว้บนโครงสร้าง ด้านบนสุดด้วยเช่นกัน, และโดยที่โครงสร้างด้านบนสุดได้รับการเลือกมาจากส่วนประกอบ อิเล็กทรอนิกส์, เต้ารับกำลัง, ชิ้นสอดแทรก, และการรวมกันของสิ่งนั้น 1 4. วงรอบของกระแสไฟฟ้าในระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งวึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวเก็บประจุซึ่งรวมถึงขั้วต่อกำลังและขั้วต่อสายดิน; ส่วนประกอบที่จัดวางไว้เหนือตัวเก็บประจุ; จุดเริ่มต้นวงรอบในขั้วต่อกำลัง; ทิศทางที่หนึ่งของวงรอบออกจากขั้วต่อกำลังและไปที่ส่วนประกอบ; ทิศทางที่สองของวงรอบภายในส่วนประกอบ; ทิศทางที่สามของวงรอบออกจากส่วนประกอบและไปที่ขั้วต่อสายดิน; และ จุดสิ้นสุดของวงรอบในขั้วต่อสายดิน, โดยที่วงรอบได้รับการเลือกมาจากรอบแบบเรียบง่าย และวงรอบที่เบี่ยงเบนแบบเรียบง่าย 1 5. ผลิตภัณฑ์ซึ่งประกอบรวมด้วย: ซับสเตรทซึ่งรวมถึงระนาบของกำลังและระนาบของสายดิน; แผ่นรองที่หนึ่งของ Vccและแผ่นรองที่สองของ Vss ที่จัดวางไว้เหนือซับสเตรท และใน แต่ละการต่อถึงกันทางไฟฟ้ากับระนาบของกำลังและระนาบของสายดิน; ตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าของ Vcc ที่จัดวางไว้เหนือแผ่นรองที่หนึ่งของ Vcc; ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าของ Vss ที่จัดวางไว้เหนือแผ่นรองที่สองของ Vss; ตัวเก็บประจุซึ่งรวมถึงขั้วต่อ Vcc และขั้วต่อ Vss ที่จัดวางไว้ระหว่างตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า และตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้า, โดยที่ขั้วต่อ Vcc ได้รับการจัดวางไว้เหนือแผ่นรองที่หนึ่งของ Vccและ ขั้วต่อ Vssได้รับการจัดวางไว้เหนือแผ่นรองที่สองของ Vss; โครงสร้างด้านบนสุดเชื่อมต่อตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า Vcc และตุ่มนูนที่สองทาง ไฟฟ้าของVss; และ วงรอบของกระแสไฟฟ้าซึ่งบังเกิดขึ้นในตัวเก็บประจุ, ซึ่งจะผ่านทะลุโครงสร้างด้านบนสุด, และซึ่งไปสิ้นสุดในตัวเก็บประจุ, โดยที่วงรอบของกระแสไฟฟ้าได้รับการเลือกมาจากวงรอบของ กระแสไฟฟ้าแบบเรียบง่ายและวงรอบของกระแสไฟฟ้าที่เบี่ยงเบนแบบเรียบง่าย 1 6. ผลิตภัณฑ์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15, โดยที่โครงสร้างด้านบนสุดได้รับการเลือกมาจาก ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์, ชิ้นสอดแทรก, เต้ารับ และการรวมกันของสิ่งนั้น 1 7. ผลิตภัณฑ์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15, โดยที่แผ่นรองที่หนึ่งของ Vcc รวมถึงบริเวณที่หนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าของ Vcc, และบริเวณที่สองซึ่งมีลักษณะ พิเศษเชิงรูปทรงของขั้วต่อ Vcc 1 8. ผลิตภัณฑ์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15, โดยที่แผ่นรองที่หนึ่งของ Vcc รวมถึงบริเวณที่หนึ่ง จำนวนหนึ่ง, ซึ่งแต่ละบริเวณมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าของ Vcc, และ บริเวณที่สองจำนวนหนึ่ง, ซึ่งแต่ละบริเวณมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของขั้วต่อ Vcc 1 9. ผลิตภัณฑ์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15, โดยที่แผ่นรองที่สองของ Vss รวมถึงบริเวณที่หนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าของ Vss, และบริเวณที่สองซึ่งมีลักษณะพิเศษ เชิงรูปทรงของขั้วต่อ Vss 2 0. ผลิตภัณฑ์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15, โดยที่แผ่นรองที่หนึ่งของ Vss รวมถึงบริเวณที่หนึ่ง จำนวนหนึ่ง, ซึ่งแต่ละบริเวณมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าของ Vss, และ บริเวณที่สองจำนวนหนึ่ง, ซึ่งแต่ละบริเวณมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของขั้วต่อ Vss 2 1. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งซึ่งประกอบรวมด้วย: ซับสเตรทซึ่งรวมถึงแผ่นรองที่หนึ่งของซับสเตรทและแผ่นรองที่สองของซับสเตรท; ตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าซึ่งรวมถึงปลายด้านล่างสุด และปลายด้านบนสุด, โดยที่ปลายด้าน ล่างสุดได้รับการยึดติดกับแผ่นรองที่หนึ่ง; ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าซึ่งรวมถึงปลายด้านล่างสุด และปลายด้านบนสุด, โดยที่ปลายด้าน ล่างสุดได้รับการยึดติดกับแผ่นรองที่สอง; ตัวเก็บประจุที่หนึ่งที่จัดวางไว้เหนือซับสเตรท; โครงสร้างด้านบนสุดที่จัดวางไว้ที่ปลายด้านบนสุดของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า, โดยที่ โครงสร้างด้านบนสุดต่อถึงกันทางไฟฟ้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งและได้รับการเลือกมาจาก ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์, ชิ้นสอดแทรก, เต้ารับ และการรวมกันของสิ่งนั้น; ตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวนอกเหนือจากตัวเก็บประจุที่หนึ่ง, โดยที่ตัวเก็บประจุ อย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวนอกเหนือจากตัวเก็บประจุหนึ่งได้รับการจัดวางไว้, เลือกจากเหนือและบน ซับสเตรท, และบนโครงสร้างด้านบนสุด; และ วงรอบของกระแสไฟฟ้าซึ่งบังเกิดขึ้นในตัวเก็บประจุหนึ่ง, ซึ่งผ่านทะลุโครงสร้างด้าน บนสุด, และซึ่งไปสิ้นสุดในตัวเก็บประจุที่หนึ่ง, โดยที่วงรอบของกระแสไฟฟ้าได้รับการเลือกมาจาก วงรอบของกระแสไฟฟ้าแบบเรียบง่ายและวงรอบของกระแสไฟฟ้าที่เบี่ยงเบนแบบเรียบง่าย 2 2. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21, โดยที่ตัวเก็บประจุที่หนึ่งมีเวลา การตอบสนองที่หนึ่ง, โดยที่ตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวนอกเหนือจากตัวเก็บประจุที่หนึ่งมี เวลาการตอบสนองที่สองซึ่งช้ากว่าเวลาการตอบสนองที่หนึ่ง 2 3. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21, โดยที่ตัวเก็บประจุที่หนึ่งมีความ จุที่หนึ่ง, โดยที่ตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวนอกเหนือจากตัวเก็บประจุที่หนึ่งมีความจุที่สองซึ่ง มากกว่าความจุที่หนึ่ง 2 4. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21, โดยที่ตัวเก็บประจุที่หนึ่งได้รับ การจัดวางไว้เหนือและบนซับสเตรทและอยู่ชิดกันกับตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าอย่างมีนัยสำคัญ 2 5. ระบบของตัวเก็บประจุดีคัปปลิ้งตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21, โดยที่ตัวเก็บประจุที่หนึ่งได้รับ การจัดวางไว้บนโครงสร้างด้านบนสุดและอยู่ชิดกันกับตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าอย่างมีนัยสำคัญ ---------------------- 1. ระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อซึ่งประกอบรวมด้วย: ซับสเตรทซึ่งรวมถึงแผ่นรองที่หนึ่งของซับสเตรทและแผ่นรองที่สองของซับสเตรท; ตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าซึ่งรวมถึงปลายด้านล่างสุดและปลายด้านบนสุด,โดยที่ทำให้ ปลายด้านล่างสุดยึดติดกับแผ่นรองที่หนึ่ง; ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าซึ่งรวมถึงปลายด้านล่างสุดและปลายด้านบนสุด,โดยที่ทำให้ปลาย ด้านล่างสุดยึดติดกับแผ่นรองที่สอง; ตัวเก็บประจุที่หนึ่งที่จัดวางไว้เหนือซับสเตรทและอยู่ชิดกันกับตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า อย่างมีนัยสำคัญ; โครงสร้างด้านบนสุดที่จัดวางไว้ที่ปลายบนสุดของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้า,โดยที่ โครงสร้างด้านบนสุดจะต่อถึงกันได้ทางไฟฟ้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่ง และได้รับการเลือกมาจาก ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์,ชิ้นสอดแทรก,เต้ารับ และการรวมกันของสิ่งเหล่านี้;และ วงรอบของกระแสไฟฟ้าซึ่งบังเกิดขึ้นในตัวเก็บประจุที่หนึ่ง,ซึ่งจะผ่านทะลุโครงสร้างด้าน บนสุด และไปสิ้นสุดในตัวเก็บประจุที่หนึ่ง,โดยที่วงรองของกระแสไฟฟ้าได้รับการเลือกมาจากวง รอบของกระแสไฟฟ้าแบบเรียบง่าย และวงรอบของกระแสไฟฟ้าที่เบี่ยงเบนแบบเรียบง่าย 2. ระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่ตุ่มนูนที่หนึ่ง ทางไฟฟ้าจะรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่ง โดยที่ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าจะรวมถึงมิติ ในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สอง โดยที่ตัวเก็บประจุจะรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่ สาม และโดยที่มิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่งจะโตกว่ามิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่ สาม 3. ระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่ตุ่มนูนที่หนึ่ง ทางไฟฟ้าจะรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะเศษที่หนึ่ง โดยที่ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าจะรวมถึงมิติ ในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สอง โดยที่ตัวเก็บประจุจะรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่ สาม และโดยที่มิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่งจะเท่ากันเป็นอย่างมากกับมิติในแนวดิ่งของ ลักษณะพิเศษที่สาม 4. ระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่ตุ่มนูนที่หนึ่ง ทางไฟฟ้าจะรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่ง โดยที่ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าจะรวมถึงมิติ ในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สอง โดยที่ตัวเก็บประจุจะรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่ สาม โดยที่มิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่งจะโตกว่ามิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สาม และโดยที่ตัวเก็บประจุได้จัดวางไว้บนซับสเตรท 5. ระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่ตุ่มนูนที่หนึ่ง ทางไฟฟ้าจะรวมมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่งโดยที่ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าจะรวมถึงมิติ ในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สองโดยที่ตัวเก็บประจุจะรวมถึงมิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สาม โดยที่มิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่หนึ่งจะโตกว่ามิติในแนวดิ่งของลักษณะพิเศษที่สาม และโดย ที่ตัวเก็บประจุได้จัดวางไว้บนโครงสร้างด้านบนสุด 6. ระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ตัวเก็บประจุที่หนึ่ง ยังรวมต่อไปถึง ขั้วต่อ Vcc และ ขั้วต่อ Vss โดยที่แผ่นรองที่หนึ่งจะทำให้เกิดการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับตุ่มนูนทางไฟฟ้า ที่หนึ่งและขั้วต่อ Vcc ของตัวเก็บประจุ และโดยที่แผ่นรองที่สองจะทำให้เกิดการเชื่อมต่อทางไฟฟ้า กับตุ่มนูนทางไฟฟ้าที่สองและขั้วต่อ Vss ของตัวเก็บประจุ 7. ระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ตัวเก็บประจุที่หนึ่ง ยังรวมต่อไปถึง ขั้วต่อ Vcc ขั้วต่อ Vss แผ่นรองที่หนึ่งของโครงสร้างด้านบนสุด โดยที่ทำให้ปลายด้านบนสุดของตุ่มนูนที่หนึ่ง ทางไฟฟ้ายึดติดกับแผ่นรองที่หนึ่งของโครงสร้างด้านบนสุด แผ่นรองที่สองของโครงสร้างด้านบนสุด โดยที่ทำให้ปลายด้านบนสุดของตุ่มนูนที่สอง ทางไฟฟ้ายึดติดกับแผ่นรองที่สองของโครงสร้างด้านบนสุด และ โดยที่แผ่นรองที่หนึ่งของโครงสร้างด้านบนสุดจะทำให้เกิดการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับตุ่ม นูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าและขั้วต่อ Vcc ของตัวเก็บประจุ และโดยที่แผ่นรองที่สองของโครงสร้างด้าน บนสุดจะทำให้เกิดการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าและขั้วต่อ Vss ของตัวเก็บประจุ 8. ระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ยังรวมต่อไปถึง ตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวซึ่งจัดเป็นแถวลำดับเชิงเส้นตรงกับและรวมถึงตัวเก็บ ประจุที่หนึ่ง โดยที่จัดวางตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวไว้บนซับสเตรท 9. ระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ยังรวมต่อไปถึง ตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวซึ่งจัดเป็นแถวลำดับเชิงเส้นตรงกับและรวมถึงตัวเก็บ ประจุที่หนึ่ง โดยที่จัดวางตัวเก็บประจุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัวไว้บนโครงสร้างด้านบนสุด 1 0. เครื่องมือซึ่งประกอบรวมด้วย ตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อที่หนึ่ง ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ และ วงรอบของกระแสไฟฟ้าซึ่งบังเกิดขึ้นในตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อ ซึ่งจะผ่าน ทะลุส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ และไปสิ้นสุดในตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อ 1 1. เครื่องมือตามข้อถือสิทธิข้อที่ 10 โดยที่ตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อที่หนึ่งเป็น ส่วนของตัวเก็บประจุจำนวนหนึ่งซึ่งจัดเป็นแถวลำดับเชิงเส้นตรงบนซับสเตรท โดยที่ทำให้ซับสเตรท เว้นห่างจากส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ 1 2. เครื่องมือตามข้อถือสิทธิข้อที่ 10 โดยที่ตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อที่หนึ่งเป็น ส่วนของตัวเก็บประจุจำนวนหนึ่งซึ่งจัดเป็นแถวลำดับเชิงเส้นตรงบนโครงสร้างด้านบนสุด โดยที่ทำ การเลือกโครงสร้างด้านบนสุดจากส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ เต้ารับกำลังไฟฟ้า ชิ้นสอดแทรก และการรวมกันของสิ่งเหล่านี้ 1 3. เครื่องมือตามข้อถือสิทธิ่ข้อที่ 10 โดยที่ตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อที่หนึ่งเป็น ส่วนของตัวเก็บประจุจำนวนหนึ่งซึ่งจัดเป็นแถวลำดับเชิงเส้นตรงบนซับสเตรท โดยที่ทำให้ซับสเตรท เว้นห่างจากส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ โดยที่จัดวางตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อที่หนึ่งไว้ บนโครงสร้างด้านบนสุดด้วยเช่นกัน และโดยที่ทำการเลือกโครงสร้างด้านบนสุดจากส่วนประกอบ อิเล็กทรอนิกส์ เต้ารับกำลังไฟฟ้า ชิ้นสอดแทรก และการรวมกันของสิ่งเหล่านี้ 1 4. เครื่องมือตามข้อถือสิทธิข้อที่ 10 โดยที่วงรอบกระแสไฟฟ้าเป็นวงรอบของกระแส ไฟฟ้าที่เบี่ยงเบนแบบเรียบง่าย 1 5. วงรอบของกระแสไฟฟ้าในระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อซึ่งประกอบ รวมด้วย ตัวเก็บประจุซึ่งรวมถึงขั้วต่อกำลังไฟฟ้าและขั้วต่อสายดิน ส่วนประกอบที่จัดวางไว้เหนือตัวเก็บประจุ จุดเริ่มต้นวงรอบในขั้วต่อกำลังไฟฟ้า ทิศทางที่หนึ่งของวงรอบออกจากขั้วต่อกำลังไฟฟ้าและไปที่ส่วนประกอบ ทิศทางที่สองของวงรอบภายในส่วนประกอบ ทิศทางที่สามของวงรอบออกจากส่วนประกอบและไปที่ขั้วต่อสายดิน และ จุดสิ้นสุดของวงรอบในขั้วต่อสายดิน 1 6. วงรอบของกระแสไฟฟ้าตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15 โดยที่วงรอบของกระแสไฟฟ้าเป็นวง รอบของกระแสไฟฟ้าแบบเรียบง่าย 1 7. วงรอบของกระแสไฟฟ้าตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15 โดยที่วงรอบของกระแสไฟฟ้าเป็นวง รอบของกระแสไฟฟ้าที่เบี่ยงเบนแบบเรียบง่าย 1 8. วิธีการของการก่อรูปวงรอบของกระแสไฟฟ้าในระบบของตัวเก็บประจุสำหรับลดการ เชื่อมต่อ ซึ่งประกอบรวมด้วย การจัดเตรียมตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อไว้ระหว่างตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้ากับ ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้า โดยที่ตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อจะรวมถึงขั้วต่อ Vcc และขั้วต่อ Vss การตอบสนองกับภาวะชั่วครู่ของส่วนประกอบในการเชื่อมต่อกับตัวเก็บประจุสำหรับ ลดการเชื่อมต่อ ตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าและตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้า การควบคุม Vcc ขึ้นด้านบนจากตัวเก็บประจุสำหรับลดการเชื่อมต่อและตุ่มนูนที่หนึ่ง ทางไฟฟ้าไปยังส่วนประกอบ และ การนำ Vss กลับคืนมาจากส่วนประกอบลงด้านล่างไปยังตัวเก็บประจุสำหรับลดการ เชื่อมต่อและตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้า 1 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 18 โดยที่การตอบสนองกับภาวะชั่วครู่ของส่วนประกอบจะ รวมถึงการก่อรูปวงรอบของกระแสไฟฟ้าแบบเรียบง่าย 2 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 18 โดยที่การตอบสนองกับภาวะชั่วครู่ของส่วนประกอบจะ รวมถึงการก่อรูปวงรอบของกระแสไฟฟ้าที่เบี่ยงเบนแบบเรียบง่าย 2

1. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 18 โดยที่การตอบสนองกับภาวะชั่วครู่ของส่วนประกอบจะ รวมถึงการก่อรูปวงรอบกระแสไฟฟ้าแบบเรียบง่ายและวงรอบของกระแสไฟฟ้าที่เบี่ยงเบนแบบ เรียบง่ายอย่างน้อยที่สุดหนึ่งวง 2

2. ผลิตภัณฑ์ซึ่งประกอบรวมด้วย ซับสเตรทซึ่งรวมถึงระนาบของกำลังไฟฟ้าและระนาบของสายดิน แผ่นรองที่หนึ่งของ Vcc และแผ่นรองที่สองของ Vss ที่จัดวางไว้เหนือซับสเตรทและ ในการต่อถึงกันทางไฟฟ้ากับระนาบของกำลังไฟฟ้าและระนาบของสายดินแต่ละชนิด ตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าของ Vcc ที่จัดวางไว้เหนือแผ่นรองที่หนึ่งของ Vcc ตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าของ Vss ที่จัดวางไว้เหนือแผ่นรองที่สองของ Vss และ ตัวเก็บประจุซึ่งรวมถึงขั้วต่อ Vcc และขั้วต่อ Vss ที่จัดวางไว้ระหว่างตุ่มนูนที่หนึ่งทาง ไฟฟ้ากับตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้า โดยที่ขั้วต่อ Vcc ได้จัดวางไว้เหนือแผ่นรองที่หนึ่งของ Vcc และ ขั้วต่อ Vss ได้จัดวางไว้เหนือแผ่นรองที่สองของ Vss 2

3. ผลิตภัณฑ์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 22 ยังรวมต่อไปถึง โครงสร้างด้านบนสุดที่จัดวางไว้เหนือตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าของ Vcc และตุ่มนูนที่ สองทางไฟฟ้าของ Vss โดยที่โครงสร้างด้านบนสุดได้เลือกมาจากส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ชิ้น สอดแทรก เต้ารับกำลังไฟฟ้า และการรวมกันของสิ่งเหล่านี้ 2

4. ผลิตภัณฑ์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 22 โดยที่แผ่นรองที่หนึ่งของ Vcc จะรวมถึงบริเวณที่หนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าของ Vcc และบริเวณที่สองซึ่งมี ลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของขั้วต่อ Vcc 2

5. ผลิตภัณฑ์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 22 โดยที่แผ่นรองที่หนึ่งของ Vcc จะรวมถึงบริเวณที่ หนึ่งจำนวนหนึ่ง ซึ่งแต่ละบริเวณมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าของ Vcc และบริเวณที่สองจำนวนหนึ่ง ซึ่งแต่ละบริเวณมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของขั้วต่อ Vcc 2

6. ผลิตภัณฑ์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 22 โดยที่แผ่นรองที่สองของ Vss จะรวมถึงบริเวณที่ หนึ่งซึ่งมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของตุ่มนูนที่สองทางไฟฟ้าของ Vss และบริเวณที่สองซึ่งมีลักษณะ พิเศษเชิงรูปทรงของขั้วต่อ Vss 2

7. ผลิตภัณฑ์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 22 โดยที่แผ่นรองที่หนึ่งของ Vss จะรวมถึงบริเวณที่ หนึ่งจำนวนหนึ่ง ซึ่งแต่ละบริเวณมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของตุ่มนูนที่หนึ่งทางไฟฟ้าของ Vss และบริเวณที่สองจำนวนหนึ่ง ซึ่งแต่ละบริเวณมีลักษณะพิเศษเชิงรูปทรงของขั้วต่อ Vss