TH54221A - A fast device using a spiral - Google Patents

A fast device using a spiral

Info

Publication number
TH54221A
TH54221A TH201001529A TH0201001529A TH54221A TH 54221 A TH54221 A TH 54221A TH 201001529 A TH201001529 A TH 201001529A TH 0201001529 A TH0201001529 A TH 0201001529A TH 54221 A TH54221 A TH 54221A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
spiral
devices
threaded
semiconductor
energy
Prior art date
Application number
TH201001529A
Other languages
Thai (th)
Inventor
เอ็ม. โซโลมอน นายพอล
มาร์กาเร็ต ชอว์ นางสาวเจน
อาร์. คาแกน นางสาวเชอรี
ดิมิเทรียส ดิมิทราโคโปลอส นายคริสโตส
ฮุง หนิง นายทัก
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH54221A publication Critical patent/TH54221A/en

Links

Abstract

DC60 (20/06/45) อุปกรณ์ว่องไวที่มีรูปทรงเรขาคณิตแบบเกลียวหรือรูปทรงเรขาคณิตแบบริบบิ้นแบบใดแบบ หนึ่ง รูปทรงเรขาคณิตแบบเกลียว ประกอบดัวยอุปกรณ์ที่มีเกลียวเดี่ยวและอุปกรณ์ที่มีหลาย เกลียว อุปกรณ์ที่มีเกลียวเดี่ยวมีแกนอยู่ตรงกลางซึ่งอาจจะ มีวัสดุต่างชนิดกันโดยขึ้นอยู่กับว่าอุปกรณ์ว่องไว นั้นตอบ สนองต่อพลังงานไฟฟ้า พลังงานแสง พลังงานกล พลังงานความร้อน หรือพลังงานเคมี อุปกรณ์ว่องไวที่มีเกลียวเดี่ยวประกอบรวม ด้วย FETs อุปกรณ์ไฟฟ้าเชิงแสง ทรานส์ดิวเซอร์เค้น และอุ ปกรณ์ที่มีลักษณะคล้ายคลึงกัน อุปกรณ์ว่องไวประกอบด้วย วัตถุสารกึ่งตัวนำที่นำมาใช้สำหรับ อุปกรณ์ที่มีเกลียว เดี่ยวคือชั้นเกี่ยวกับแกนกลางของเกลียว สำหรับอุปกรณ์ที่มี หลายเกลียว วัตถุสาร กึ่งตัวนำเป็นได้ทั้งชั้นที่อยู่บนเกลียวหนึ่ง เกลียวหรือมากกว่านั้นอย่างใดอย่างหนึ่งหรือบนวัตถุชนิดยืด ขยายโดยจัดวางไว้ระหว่างเกลียวทั้งสอง ตัวอย่างเช่น FET ก่อรูปขึ้นเป็นเกลียวทั้งสามเกลียวซึ่งหนึ่ง เกลียวนั้นเป็น พาหะของชั้นฉนวนเกตและชั้นสารกึ่งตัวนำและเกลียวสองที่ เหลืออยู่อีกเป็นเกลียวที่นำ ไฟฟ้าได้และส่งเสริมให้เป็นแหล่ง กำเนิดและเดรน ชั้นฐานหรือเกลียวถ้าให้เป็นที่พึงประสงค์ ควรจะ ยืดหยุ่นได้และสามารถก่อรูปเป็นโครงตาข่ายได้ อุปกรณ์ว่องไวที่มีรูปทรงเรขาคณิตแบบเกลียวหรือรูปทรงเรขาคณิตแบบริบบิ้นแบบใดแบบ หนึ่ง รูปทรงเรขาคณิตแบบเกลียว ประกอบดัวยอุปกรณ์ที่มีเกลียวเดี่ยวและอุปกรณ์ที่มีหลาย เกลียว อุปกรณ์ที่มีเกลียวเดี่ยวมีแกนอยู่ตรงกลางซึ่งอาจจะ มีวัสดุต่างชนิดกันโดยขึ้นอยู่กับว่าอุปกรณ์ว่องไว นั้นตอบ สนองต่อพลังงานไฟฟ้า พลังงานแสง พลังงานกล พลังงานความร้อน หรือพลังงานเคมี อุปกรณ์ว่องไวที่มีเกลียวเดี่ยวประกอบรวม ด้วย FETs อุปกรณ์ไฟฟ้าเชิงแสง ทรานส์ดิวเซอร์เค้น และอุ ปกรณ์ที่มีลักษณะคล้ายคลึงกัน อุปกรณ์ว่องไวประกอบด้วย วัตถุสารกึ่งตัวนำที่นำมาใช้สำหรับ อุปกรณ์ที่มีเกลียว เดี่ยวคือชั้นเกี่ยวกับแกนกลางของเกลียว สำหรับอุปกรณ์ที่มี หลายเกลียว วัตถุสาร กึ่งตัวนำเป็นได้ทั้งชั้นที่อยู่บนเกลียวหนึ่ง เกลียวหรือมากกว่านั้นอย่างใดอย่างหนึ่งหรือบนวัตถุชนิดยืด ขยายโดยจัดวางไว้ระหว่างเกลียวทั้งสอง ตัวอย่างเช่น FET ก่อรูปขึ้นเป็นเกลียวทั้งสามเกลียวซึ่งหนึ่ง เกลียวนั้นเป็น พาหะของชั้นฉนวนเกตและชั้นสารกึ่งตัวนำและเกลียวสองที่ เหลืออยู่อีกเป็นเกลียวที่นำ ไฟฟ้าได้และส่งเสริมให้เป็นแหล่ง กำเนิดและเดรน ชั้นฐานหรือเกลียวถ้าให้เป็นที่พึงประสงค์ ควรจะ ยืดหยุ่นได้และสามารถก่อรูปเป็นโครงตาข่ายได้ DC60 (20/06/45) Agile device with either spiral geometry or ribbon geometry, spiral geometry. It consists of single-threaded devices and multi-threaded devices. Single-threaded devices have a central rod which may There are different materials, depending on how fast devices respond to electrical energy, optical energy, mechanical energy, thermal energy. Or chemical energy Fast, single-threaded devices are equipped with FETs. Transducers, throttle and similar equipment Fast equipment consists of Semiconductor objects used for Threaded device A single layer is about the core of the spiral. For multi-threaded devices, a semiconductor can be either layered on a single strand. One or more threads or on a stretched object. For example, the FET forms three strands, one of which That spiral is Carriers of the gate insulating layer and the semiconductor and double strand layer. Remaining a spiral leading And promote it as a source Birth and drain The base layer or strand, if desired, should be flexible and able to form a lattice. Agile devices with either spiral geometry or ribbon geometry, spiral geometry. It consists of single-threaded devices and multi-threaded devices. Single-threaded devices have a central rod which may There are different materials, depending on how fast devices respond to electrical energy, optical energy, mechanical energy, thermal energy. Or chemical energy Fast, single-threaded devices are equipped with FETs. Transducers, throttle and similar equipment Fast equipment consists of Semiconductor objects used for Threaded device A single layer is about the core of the spiral. For multi-threaded devices, a semiconductor can be either layered on a single strand. One or more threads or on a stretched object. For example, the FET forms three strands, one of which That spiral is Carriers of the gate insulating layer and the semiconductor and double strand layer. Remaining a spiral leading And promote it as a source Birth and drain The base layer or strand, if desired, should be flexible and able to form a lattice.

Claims (3)

1. อุปกรณ์ว่องไวประกอบรวมด้วยเกลียว วัตถุสารกึ่งตัวนำซึ่งยืดออกตามแนวแกนของ เกลียวดังกล่าว ตัวนำไฟฟ้าที่หนึ่ง และที่สองซึ่งยืดออกมาตามแนวแกนของเกลียวดังกล่าวและจัดวาง ให้เชื่อมต่อทางไฟฟ้าที่ตำแหน่งระยะระหว่างกันกับวัตถุสาร กึ่งตัวนำโดยที่อิพีแดนซ์ระหว่างตัวนำ ไฟฟ้าที่หนึ่งและที่ สองเปลี่ยนแปลงได้โดยพลังงานที่มีผลต่อเกลียวดังกล่าว1. Nimble device with a spiral. Semiconductor objects stretched along the axis of Such a spiral First conductor And the second, stretched along the axis of such a thread and laid Make electrical connections at the distance between them and the substance. Semi-conductors where the impedance between conductors First and at electricity Two can be changed by the energy that affects the aforementioned spiral. 2. อุปกรณ์ว่องไวของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่เกลียวมีแกนกลาง และโดยที่วัตถุสารกึ่งตัวนำดัง กล่าวคือชั้นที่อยู่รอบๆ แกน กลางดังกล่าว2. The agile device of claim 1, where the thread has a central axis. And where semiconductor objects sound That is, the layer around the core 3. อุปแท็ก :3. Equipment Tag:
TH201001529A 2002-04-26 A fast device using a spiral TH54221A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH54221A true TH54221A (en) 2002-11-29

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY136302A (en) Active devices using threads
Su et al. In‐plane deformation mechanics for highly stretchable electronics
DE69414311D1 (en) Semiconductor device with an insulated gate bipolar field effect device
JP2006148080A5 (en)
WO2012069606A3 (en) Process for fabricating a field-effect transistor device implemented on a network of vertical nanowires, the resulting transistor device, an electronic device comprising such transistor devices and a processor comprising at least one such device
ATE363133T1 (en) A FET ARRANGEMENT AND A METHOD OF MAKING A FET ARRANGEMENT
WO2004003972A3 (en) Transistor and sensors made from molecular materials with electric dipoles
ATE456177T1 (en) CONNECTING ELECTRICAL CABLES
DE60216257D1 (en) CONDUCTIVE ORGANIC THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, ELECTRODE AND ELECTRICAL CABLE THEREWITH
DE60231014D1 (en) Insulated lead wire with multiple layers and the same transformer used
JP2010097601A5 (en)
BRPI0513547A (en) biaxially conductive electricity mesh
DK1209696T3 (en) Electrical wiring
BR9812543A (en) Insulation for a conductor
ATE368953T1 (en) END CLOSURE
TH54221A (en) A fast device using a spiral
ITMI20021099A1 (en) DIELECTRIC INSULATION STRUCTURE FOR THE INTEGRATION OF ELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED CONSTRUCTION PROCESS
WO2003105189A3 (en) CONSTRAINED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES ON INSULATION
TW201444095A (en) Active component
ATE349061T1 (en) MULTI-CORE FLEXIBLE ELECTRICAL CABLE
JP2002094064A5 (en)
KR101967445B1 (en) Tunneling Transistor and manufacturing the same
SE0602332L (en) High Voltage Cables
US9553083B2 (en) Apparatus for controlling heat flow
CN203316916U (en) Semiconductor laser mark scraper