TH54138A3 - ตัวรับสัญญาณวาล์วหมุนที่ถูกตรึงแบบต้านการขนานกัน (ap) ที่มีชั้นขยายความต้านทานแม่เหล็กขนาดใหญ่ (gmr) - Google Patents
ตัวรับสัญญาณวาล์วหมุนที่ถูกตรึงแบบต้านการขนานกัน (ap) ที่มีชั้นขยายความต้านทานแม่เหล็กขนาดใหญ่ (gmr)Info
- Publication number
- TH54138A3 TH54138A3 TH9901003982A TH9901003982A TH54138A3 TH 54138 A3 TH54138 A3 TH 54138A3 TH 9901003982 A TH9901003982 A TH 9901003982A TH 9901003982 A TH9901003982 A TH 9901003982A TH 54138 A3 TH54138 A3 TH 54138A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- co90fe10
- layers
- iron
- cobalt iron
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims 1
- FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N cobalt iron Chemical compound [Fe].[Co].[Co] FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (06/02/44) การประดิษฐ์นี้คือตัวสัญญารับวาล์วหมุนแบบคู่ที่มีการอัดตัวแม่เหล็กใกล้ศูนย์ และมีเสถียรภาพต่อสนามภายนอกที่มีชั้น ขยายความต้านทานแม่เหล็กขนาดใหญ่ (GMR), ชั้นที่ถูกตรึงด้วย สนามกระแสตรวจรู้และชั้นที่ถูกตรึงแบบต้านการขนาน ใน ระบบ โครงร่างที่เลือกใช้ของการประดิษฐ์ ชั้นที่ถูกตรึงแบบ AP จะมีแผ่นฟิล์มที่หนึ่งและที่ สอง ซึ่งทำด้วยเหล็กโคบอลต์ (Co90Fe10) เพื่อที่จะปรับปรุงการกระจัดกระจายโดย อาศัยการ หมุน จะมีการใช้ชั้นขยาย GMR ที่หนึ่งและที่สองซึ่งยังคง สร้างขั้นด้วยเหล็ก โคบอลต์ (Co90Fe10) นอกจากนี้ เพื่อที่จะ เพิ่มผลของวาล์วหมุนเป็นสองเท่า จะใช้ชั้นที่ ถูกตรึงด้วย สนามกระแสตรวจรู้ (SCF) ซึ่งจะถูกตรึงในทิศทาง เดียวกันกับแผ่นฟิล์มที่สอง ของชั้นที่ถูกตรึงแบบ AP ชั้น ที่ถูกตรึงด้วย SCF ยังคงถูกสร้างขึ้นด้วยเหล็กโคบอลต์ (Co90Fe10) ในระบบโครงร่างที่เลือกใช้ ชั้นแม่เหล็ก ทั้งหมดจะถูกสร้างขึ้นด้วยเหล็ก โคบอลต์ (Co90Fe10) เพื่อ ให้โมเมนต์ของแม่เหล็กถูกนำกลับไปยังตำแหน่งเดิมหลังจาก การ เกิดสนามภายนอก นอกจากนี้เหล็กโคบอลต์ (Co90Fe10) จะมีการ อัดตัวแม่เหล็ก ที่ใกล้ศูนย์เพื่อให้แอนไอโซไทรปีที่ถูกห นี่ยวนำโดยแรงเครียดไม่เปลี่ยนแปลงคุณสมบัติ ทางด้านแม่ เหล็กของชั้นเหล่านี้ ความต้านทานที่สูงของเหล็กโคบอลต์ (Co90Fe10) ใน ชั้นที่ถูกตรึงแบบ AP และชั้นที่ถูกตรึงด้วย SCF จะค้ำประกันว่าสนามกระแสตรวจรู้จะถูก เปลี่ยนเส้นทาง ในปริมาณต่ำสุด การประดิษฐ์นี้คือตัวสัญญารับวาล์วหมุนแบบคู่ที่มีการอัดตัวแม่เหล็กใกล้ศูนย์ และมีเสถียรภาพต่อสนามภายนอกที่มีชั้น ขยายความต้านทานแม่เหล็กขนาดใหญ่ (GMR), ชั้นที่ถูกตรึงด้วย สนามกระแสตรวจรู้และชั้นที่ถูกตรึงแบบต้านการขนาน ใน ระบบ โครงร่างที่เลือกใช้ของการประดิษฐ์ ชั้นที่ถูกตรึงแบบ AP จะมีแผ่นฟิล์มที่หนึ่งและที่ สอง ซึ่งทำด้วยเหล็กโคบอลต์ ( Co90Fe10) เพื่อที่จะปรับปรุงการกระจัดกระจายโดย อาศัยการ หมุน จะมีการใช้ชั้นขยาย GMR ที่หนึ่งและที่สองซึ่งยังคง สร้างขั้นด้วยเหล็ก โคบอลต์ (Co90Fe10) นอกจากนี้เพื่อที่จะ เพิ่มผลของวาล์วหมุนเป็นสองเท่า จะใช้ชั้นที่ ถูกตรึงด้วย สนามกระแสตรวจรู้ (SCF) ซึ่งจะถูกตรึงในทิศทาง เดียวกันกับแผ่นฟิล์มที่สอง ของชั้นที่ถูกตรึงแบบ AP ชั้น ที่ถูกตรึงด้วย SCF ยังคงถูกสร้างขึ้นด้วยเหล็กโคบอลต์ (Co90Fe10) ในระบบโครงร่างเหล็กที่เลือกใช้ ชั้นแม่เหล็ก ทั้งหมดจะถูกสร้างขึ้นด้วยเหล็ก โคบอลต์ (Co90Fe10) เพื่อ ให้โมเมนต์ของแม่เหล็กถูกนำกลับไปยังตำแหน่งเดิมหลังจาก การ เกิดสนามภายนอก นอกจากนี้เหล็กโคบอลต์ (Co90Fe10) จะมีการ อัดตัวแม่เหล็ก ที่ใกล้ศูนย์เพื่อให้แอนไอไอโซไทรปีที่ถูกห นี่ยวนำโดยแรงเครียดไม่เปลี่ยนแปลงคุณสมบัติ ทางด้านแม่ เหล็กของชั้นเหล่านี้ ความต้านทานที่สูงของเหล็กโคบอลต์ (Co90Fe10) ใน ชั้นที่ถูกตรึงแบบ AP และชั้นที่ถูกตรึงด้วย SCF จะค้ำประกันว่าสนามกระแสตรวจรู้จะถูก เปลี่ยนเส้นทาง ในปริมาณต่ำสุด
Claims (1)
1. ตัวรับสัญญาณวาล์วหมุนซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อไปนี้ ชั้นที่เป็นอิสระที่เป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ชั้นคั่นที่หนึ่ง ที่นำไฟฟ้าที่ไม่เป็นแม่เหล็ก ชั้นที่ถูกตรึงแบบต้านการ ขนาน (AP) ชั้นสำหรับตรึงแบบต้านแม่เหล็กเฟอร์โร ชั้นที่ ถูกตรึงแบบ AP จะถูกต่อประกบแบบแลกเปลี่ยนกับชั้นสำหรับ ตรึง และชั้น คั่นที่หนึ่งซึ่งถูกำหนดตำแหน่งระหว่างชั้นที่ ถูกตรึงแบบ AP และชั้นที่เป็นอิสระ ชั้นที่ถูกตรึงแบบ AP จะมีส่วนที่เป็นแผ่นฟิล์มที่เป็นแม่เหล็กเแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH54138A3 true TH54138A3 (th) | 2002-11-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6988414B2 (en) | Sensor device having a magnetostrictive force sensor | |
| CN202083786U (zh) | 薄膜磁电阻传感元件、多个传感元件的组合及与该组合耦合的电子装置 | |
| US10613161B2 (en) | Magnetic sensor including two bias magnetic field generation units for generating stable bias magnetic field | |
| US6577124B2 (en) | Magnetic field sensor with perpendicular axis sensitivity, comprising a giant magnetoresistance material or a spin tunnel junction | |
| CN202305777U (zh) | 单片双轴桥式磁场传感器 | |
| MY113871A (en) | Spin valve sensor with antiparallel magnetization of pinned layers | |
| EP1061592A3 (en) | Magneto-resistance effect element, and its use as memory element | |
| EP0875901A3 (en) | Magnetic thin-film memory element utilizing GMR effect, and magnetic thin-film memory | |
| JP2001067621A5 (th) | ||
| US10060992B2 (en) | Magnetic sensor including bias magnetic field generation unit for generating stable bias magnetic field | |
| MY114553A (en) | Spin valve magnetoresistive sensor with antiparallel pinned layer and improved exchange bias layer, and magnetic recording system using the sensor | |
| WO2004044595A3 (en) | Magnetic field sensor with augmented magnetoresistive sensing layer | |
| JP2014515470A (ja) | シングルチップ２軸ブリッジ型磁界センサ | |
| JPH06181349A (ja) | 磁気抵抗効果型弱磁界センサ | |
| CA2054580A1 (en) | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect | |
| WO2000079298A3 (en) | Magnetic systems with irreversible characteristics and a method of manufacturing and repairing and operating such systems | |
| MY110737A (en) | Current biased magnetoresistive spin valve sensor | |
| MY120928A (en) | Magnetoresistance effect element | |
| JPWO2020208907A1 (ja) | 磁気抵抗素子および磁気センサ | |
| JPH11505966A (ja) | 磁気抵抗性ブリッジ素子のブリッジ回路を有する磁界センサ | |
| CN101471420A (zh) | 一种双交换偏置场型自旋阀 | |
| WO2002054097A3 (en) | A spin valve magnetoresistive sensor | |
| WO2005096313A3 (en) | Separate write and read access architecture for magnetic tunnel junction | |
| WO2002005470A3 (en) | Magnetoresistive trimming of gmr circuits | |
| US7064649B2 (en) | Magneto-resistive layer arrangement and gradiometer with said layer arrangement |