TH54015A

TH54015A - Polishing Mixtures and Methods for Producing Hard Disk Memory

Info

Publication number: TH54015A
Application number: TH101001296A
Authority: TH
Inventors: เอ็ม. เชโม เดวิด; โอวากิ นายโตชิกิ; สก็อตต์ เรเดอร์ นายดับบลิว.
Original assignee: นายดำเนิน การเด่น; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายวิรัช ศรีเอนกราธา; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Filing date: 2001-04-03
Publication date: 2002-11-22

Abstract

DC60 (31/05/44) สารผสมสำหรับขัดมันสำหรับหน่วยความจำชนิดจานบันทึกแบบแข็ง ซึ่งประกอบรวมด้วย อย่างน้อยที่สุดเป็นส่วนประกอบ (a) ถึง (d) ต่อไปนี้ (a) สารขัดถูกอย่างน้อยหนึ่งชนิดซึ่งเลือกมาจากหมู่ซึ่ง ประกอบด้วยซิลิคอนไดออกไซด์ อะลูมินัมออกไซด์ ซีเรียมออก ไซด์ เซอร์โคเนียมออกไซด์ ไทเทเนียมออกไซด์ ซิลิคอนไนโตรด์ และ แมงกานีสไดออกไซด์ ปริมาณตั้งแต่เท่ากับ 0.1 ถึง 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก โดยขึ้นอยู่กับปริมาณ ทั้งหมดของสาร ผสมสำหรับขัดมัน (b) องค์ประกอบเพอร์ไอโอเดทอย่างน้อยที่สุดหนึ่งองค์ประกอบ ซึ่งเลือกมาจากหมู่ซึ่ง ประกอบด้วยกรดเพอร์ไอโอดิก โพแทสเซียมเพอร์ไอโอเดท และลิเทียมเพอร์ไอโอเดท ปริมาณตั้ง แต่เท่ากับ 0.001 ถึง 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก โดยขึ้น อยู่กับปริมาณทั้งหมดของสารผสม สำหรับขัดมัน (c) ส่วนประกอบบัฟเฟอร์เพื่อที่จะปรับค่าพีเอชของสารผสม สำหรับขัดมันให้อยู่ในช่วงพิสัย ตั้งแต่เท่ากับ 2 ถึง 5 และ (d) น้ำ สารผสมสำหรับขัดมันสำหรับหน่วยความจำชนิดจานบันทึกแบบแข็ง ซึ่งประกอบรวมด้วย อย่างน้อยที่สุดเป็นส่วนประกอบ (a) ถึง (d) ต่อไปนี้ (a) สารขัดถูกอย่างน้อยหนึ่งชนิดซึ่งเลือกมาจากหมู่ซึ่ง ประกอบด้วยซิลิคอนไดออกไซด์ อะลูมินัมออกไซด์ ซีเรียมออก ไซด์ เซอร์โคเนียมออกไซด์ ไทเทเนียมออกไซด์ ซิลิคอนไนโตรด์ และ แมงกานีสไดออกไซด์ ปริมาณตั้งแต่เท่ากับ 0.1 ถึง 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก โดยขึ้นอยู่กับปริมาณ ทั้งหมดของสาร ผสมสำหรับขัดมัน (b) องค์ประกอบเพอร์ไอโอเอทอย่างน้อยที่สุดหนึ่งองค์ประกอบ ซึ่งเลือกมาจากหมู่ซึ่ง ประกอบด้วยกรดเพอร์ไอโอดิก โพแทสเซียมเพอร์ไอโอเดท และลิเทียมเพอร์ไอโอเดท ปริมาณตั้ง แต่เท่ากับ 0.001 ถึง 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก โดยขึ้น อยู่กับปริมาณทั้งหมดของสารผสม สำหรับขัดมัน (c) ส่วนประกอบบัฟเฟอร์เพื่อที่จะปรับค่าพีเอชของสารผสม สำหรับขัดมันให้อยู่ในช่วงพิสัย ตั้งแต่เท่ากับ 2 ถึง 5 และ (d) น้ำ DC60 (31/05/44) Polishing compound for hard disk type memory stick. Which includes At least the following constituents (a) to (d). (A) At least one cheap abrasive, selected from a group, which Contains silicon dioxide Aluminum Oxide Cerium Oxide Zirconium Oxide Titanium oxide Silicon nitride and manganese dioxide Volume ranging from 0.1 to 50 percent by weight Depending on the quantity All of the substances Mix for polishing. (B) At least one periodate component. Which were chosen from among which Contains periiodic acid. Potassium periodate And lithium periodate from 0.001 to 10% by weight, depending on the total content of the polishing compound (c) buffer component in order to adjust the mixture's PH value. For polishing it to the range From equal to 2 to 5 and (d) water, a hard disk-type memory polishing compound. Which includes At least the following constituents (a) to (d). (A) At least one cheap abrasive, selected from a group, which Contains silicon dioxide Aluminum Oxide Cerium Oxide Zirconium Oxide Titanium oxide Silicon nitride and manganese dioxide Volume ranging from 0.1 to 50 percent by weight Depending on the quantity All of the substances Mix for polishing. (B) At least one perioate component. Which were chosen from among which Contains periiodic acid. Potassium periodate And lithium periodate from 0.001 to 10% by weight, depending on the total content of the polishing compound (c) buffer component in order to adjust the mixture's PH value. For polishing it to the range From equal to 2 to 5 and (d) water

Claims

1.Hard disk-type memory polishing compound Which includes At least the following constituents (a) to (d). (A) At least one cheap abrasive, selected from a group, which Contains silicon dioxide Aluminum Oxide Cerium Oxide Zirconium Oxide Titanium oxide Silicon nitride and manganese dioxide Volume ranging from 0.1 to 50 percent by weight Depending on the quantity All of the substances Mix for polishing (b) one or more perioate elements.